專利名稱：：多重?fù)诫s劑發(fā)射層oled的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機發(fā)光器件(0LED)，且更特別的涉及具有發(fā)射層的、包含至少兩種摻雜劑的多重?fù)诫s的0LED，其中每種摻雜劑在室溫下能夠發(fā)射磷光，且來自器件的發(fā)射僅為發(fā)射磷光化合物中的一種的發(fā)射。
背景技術(shù)：
：由于許多的原因，利用有機材料的光電器件變得日益值得關(guān)注。其中用于制備這種器件的許多材料相對昂貴，因此有機光電器件比無機器件具有潛在的成本優(yōu)點。此外，有機材料內(nèi)在的性質(zhì)，例如柔性可以使他們更好的適用于特殊的應(yīng)用，例如在柔性基質(zhì)上制作。有機光電器件的實例包括有機發(fā)光器件(0LED)，有機光電晶體管，有機光電池和有機光電探測器。對于0LED，有機材料可以具有比常規(guī)材料更有利的性能。例如，有機發(fā)射層(EML)發(fā)光的波長通?？梢匀菀椎呐c合適的摻雜劑調(diào)和。這里使用的詞語"有機的"包括可以用于制造有機光電器件的聚合材料和小分子有機物質(zhì)。"小分子"指的是任何不是聚合物的有機材料，且"小分子"實際上可以使非常大的。在一些情況中小分子可以包括重復(fù)單元。例如，使用長鏈烷基作為取代基不會從"小分子"類中除去分子。小分子還可以混合到聚合物中，例如作為聚合物主鏈上的側(cè)基或作為主鏈的一部分。小分子還可以用作由一系列建立在核心部分上的化學(xué)框架組成的樹枝體的核心部分。樹枝體的核心部分可以是熒光性的或磷光性的小分子發(fā)射體。樹枝體可以是"小分子"，且認(rèn)為通常用于OLED領(lǐng)域的所有樹枝體均為小分子。通常，小分子具有定義明確的單獨分子量的化學(xué)式，而聚合物具有分子與分子可以不同的化學(xué)式和分力量。這里使用的"有機"包括烴基和雜原子取代的烴基配體的金屬絡(luò)合物。當(dāng)將電壓經(jīng)過器件施加時，OLED利用發(fā)光的薄有機膜。0LED日益變成用于應(yīng)用中令人感興趣的技術(shù)，例如平面板顯示器、照明和背面照明。U.S.專利Nos.5，844，363，6，303，238和5，707，745中描述了許多OLED材料和構(gòu)造，這里通過參考文獻(xiàn)將它們完全引入。0LED器件通常(但不總是)指的是通過至少一個電極發(fā)射光，且一個或幾個透明電極可以用在有機光電器件中。例如，透明電極材料，例如氧化銦錫(IT0)可以用作底部電極。也可以使用例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的在U.S.專利Nos.5，703，436和5，707，745中描述的透明頂端電極。對于設(shè)計發(fā)光僅通過底部電極的器件，頂端電極不必是透明的，并且可以包含具有高電導(dǎo)率的厚的和反射性的金屬層。同樣的，對于設(shè)計發(fā)光僅通過頂端電極的器件，底部電極可以是不透明的和/或反射性的。在電極不必是透明的情況下，使用更厚的層會提供更好的導(dǎo)電率，且使用反射性電極通過將光反射回透明電極可以增加通過其它電極的發(fā)光的量。還可以制作完全透明的器件，其中兩個電極都是透明的。還可以制作側(cè)面發(fā)光的0LED，且在這種器件中一個或兩個電極可以是不透明的或反射性的。這里使用的"頂端，，意味著離基質(zhì)最遠(yuǎn)，而"底部，，意味著離基質(zhì)最近。例如，對于具有兩個電極的器件，底部電極為與基質(zhì)最近的電極，且通常其為首先制造的電極。底部電極具有兩個表面，底部表面與襯底最近，且頂端表面離襯底較遠(yuǎn)。在第一層描述為"配置在第二層之上"的情況下，第一層配置在離襯底更遠(yuǎn)的地方。第一層和第二層之間可以有其它層，除非另有說明第一層與第二層是"物理接觸的，，。即使其中有不同的有機層，例如陰極也可以描述為"配置在陽極之上的"。這里使用的"溶液可處理的"表示能夠在液體介質(zhì)中溶解、分散或傳送和/或從液體介質(zhì)中沉淀出來，以溶液或懸浮液的形式。這里使用的且通常本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的，如果第一能量水平與真空能量水平接近，第一"最高占用的分子軌道"(H0M0)或"最低未占用的分子軌道，，(LUM0)能量水平比第二H0M0或LUM0能量水平"更多"或"更高"。由于測量離子化的潛能UP)作為相對于真空水平的負(fù)能量，對應(yīng)于IP的較高H0M0能量水平具有較小的絕對值(更小的負(fù)IP)。同樣的，較高的LUM0能量水平對應(yīng)于具有較小的絕對值的電子親和性(EA)(更小的負(fù)EA)。在常規(guī)的能量水平圖表上，在頂端具有真空水平，材料的LUM0能量水平比相同材料的HOMO能量水平更高。"較高的"HOMO或LUM0能量水平看來比"較低的"HOMO或LUM0能量水平與這種圖表的頂端更接近。U.S.專利6/893，743公開了一種包含基質(zhì)和基質(zhì)上夾在陽極和陰極之間的發(fā)光層的0LED。發(fā)光層包含至少具有電子轉(zhuǎn)移或空穴轉(zhuǎn)移性質(zhì)的基質(zhì)材料，在室溫下能夠磷光發(fā)射的化合物A，以及在室溫下能夠熒光發(fā)射或磷光發(fā)射化合物B，其具有比化合物A的最大光發(fā)射更長的最大光發(fā)射波長。0LED的最大光發(fā)射歸因于化合物B，且歸因于化合物B的光發(fā)射通過化合物A加強以提高光發(fā)射效率。在化合物B為熒光化合物的情況中，根據(jù)報道，可以防止0LED的老化退化。但是該專利沒有公開全部或?qū)嵸|(zhì)上全部的0LED發(fā)射是由化合物B產(chǎn)生的。U.S.專利No.6,515,298乂>開了一種含有系統(tǒng)間的交叉試劑的0LED。在一個公開的實施方案中，熒光發(fā)射劑的熒光效率通過結(jié)合熒光發(fā)射劑和磷光感光劑加強，其中磷光感光劑用作系統(tǒng)間的交叉試劑。在第二個公開的實施方案中，磷光發(fā)射劑的磷光效率通過磷光發(fā)射劑和基質(zhì)以及系統(tǒng)間交叉試劑的聯(lián)合而加強，其中基質(zhì)和實際都具有單線旋轉(zhuǎn)多樣性。在公開的第三個實施方案中，ISC試劑的薄層放置在0LED的HTL和ETL之間，其中ISC試劑具有與在再結(jié)合部位的材料的放射線相交迭的光學(xué)吸收光鐠。磷光材料的效率的增強沒有公開。D'Andrade等人的HighEfficiencyYellowDouble-DopedOrganicLight-EmittingDevicesBasedonPhosphor-Sensitizedfluorescence,AppliedPhysicsLetters2^(2001)1045-1047頁公開了利用磷光感光劑的高效熒光0LED。雙重?fù)诫s的熒光紅(DCM)和磷光綠(Irppy)通過磷光綠發(fā)射劑激活了熒光紅發(fā)射，加強了熒光紅OLED效率。Feng等人的ProceedingsofSPIE-TheInternationalSocietyofOpticalEngineering,;^1^(2001)30-36頁^>開了用于白光發(fā)射(顏色的混合)的雙摻雜的熒光紅和熒光藍(lán)發(fā)射劑。Kawamura等人的JournalofAppliedPhysics,^!，1，(2002)87-93頁公開了在聚合物PKK基質(zhì)中利用三種藍(lán)色、黃色和紅色磷光發(fā)射劑的白光器件。D'Andrade等人的ElectrophosphorescentWhite-LightEmittingDevicewithaTripleDopedEmissiveLayer,AdvancedMaterials,j^，7，(2004)624-628頁和ControllingExcitonDiffusioninMultilayerWhitePhosphorescentOrganicLightEmittingDevices,AdvancedMaterials,U，2，(2002)147-151頁公開了在真空沉積的OLED中兩種或三種磷光發(fā)射劑的混合物，其中所有沉積的發(fā)射劑為器件貢獻(xiàn)了白光發(fā)射。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種包含陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間。發(fā)射層含有基質(zhì)化合物，室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物，以及室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物。在根據(jù)本發(fā)明的器件中，其中當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，存在至少一個使來自器件的至少95%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生的具有至少10cd/W亮度的電壓。優(yōu)選地，第一化合物為帶電荷的化合物，且可以是帶電子的化合物或帶空穴的化合物。優(yōu)選該器件具有CIE，即實質(zhì)上與第二器件的相同的CIE坐標(biāo)，其中第二器件與本發(fā)明的器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。本發(fā)明的有機發(fā)光器件的發(fā)射層優(yōu)選通過氣相沉積或溶液沉積技術(shù)形成。器件的外量子效率優(yōu)選高于第二器件的外量子效率，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。第二器件可以具有與該器件的第二化合物相等的第二化合物的摻雜百分比。同樣的，該器件優(yōu)選具有比第二器件更長的壽命，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。更優(yōu)選該器件的壽命是第二器件的至少3倍，且對于根據(jù)本發(fā)明的特定優(yōu)選的器件，器件的壽命為第二器件的約3到約4倍。第一和第二化合物能夠以任何有用的量存在于發(fā)射層中。優(yōu)選第一化合物以基于發(fā)射層的約3.5到約40摩爾％且更優(yōu)選為約15摩爾％的量存在。第二化合物優(yōu)選以基于發(fā)射層的約3到20摩爾％且更優(yōu)選為約4.5摩爾％的量存在。當(dāng)將電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，優(yōu)選至少99%的來自器件的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。更優(yōu)選當(dāng)將電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，實質(zhì)上所有來自器件的發(fā)射均由第二化合物產(chǎn)生。優(yōu)選的器件包括紅-綠器件，其中第一化合物為綠色磷光化合物，且第二化合物發(fā)出紅色磷光發(fā)射。優(yōu)選第一和第二化合物中的至少一種為有機金屬化合物。根據(jù)本發(fā)明的OLED包括其中第一化合物為綠色-l，銥(III)三[2-(聯(lián)苯-3-基)-4-叔丁基吡啶],且第二化合物為紅色-1、二[5-苯基-3'-曱基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III)的器件，且更優(yōu)選地，發(fā)射層通過溶液處理沉積，例如旋轉(zhuǎn)涂布。根據(jù)本發(fā)明的OLED包括其中第一化合物優(yōu)選為綠色-2，銥(III)三(3-甲基-2-苯基吡咬)，且第二化合物優(yōu)選為紅色-2，二[3'-曱基-(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III)的器件。根據(jù)本發(fā)明的OLED包括其中第一化合物優(yōu)選為綠色-2且第二化合物優(yōu)選為紅色-3，二(l-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥III的器件。除了紅色和綠色的其它發(fā)出顏色的磷光化合物可以用于本發(fā)明。ii例如，包含藍(lán)色磷光化合物作為第一化合物的雙重?fù)诫s的0LED也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的0LED包括含有陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物，室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物以及室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物。當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，存在至少一個使器件具有實質(zhì)上與第二器件相同的CIE的電壓，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。根據(jù)本發(fā)明的0LED包括含有陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間。發(fā)射層包含基質(zhì)化合物，室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物。在器件的正常亮度范圍內(nèi)來自器件的至少95%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明的0LED包括含有陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物，室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物。該器件具有實質(zhì)上具有在器件正常亮度范圍內(nèi)的與第二器件相同的CIE,其中第二器件與第一器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。本發(fā)明還涉及一種從有機發(fā)光器件產(chǎn)生光發(fā)射的方法。該方法包括獲得一種根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光器件，且將電壓經(jīng)過該器件的陽極和陰極施加，其中該電壓足以產(chǎn)生亮度至少為10cd/n^的來自器件的發(fā)射，且其中至少95%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明的方法包括用于從有機發(fā)光器件產(chǎn)生光發(fā)射的方法。該方法包括獲得根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光器件，且將足以產(chǎn)生來自器件的發(fā)射的電壓經(jīng)過陽極和陰極施加，其中該器件的發(fā)射具有實質(zhì)上與第二器件相同的CIE，第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。在根據(jù)本發(fā)明的0LED中，非發(fā)射摻雜劑的三重能量大于或等于發(fā)射摻雜劑的三重能量。優(yōu)選地，非發(fā)射摻雜劑具有介于基質(zhì)的HOMO水平和發(fā)射摻雜劑的HOMO水平之間的HOMO水平，且優(yōu)選非發(fā)射摻雜劑具有介于基質(zhì)的LUMO水平和發(fā)射摻雜劑的LUMO水平之間的LUMO水平。這里使用的"非發(fā)射摻雜劑"指的是產(chǎn)生不超過器件總發(fā)射的5%的摻雜劑，且優(yōu)選實質(zhì)上不產(chǎn)生發(fā)射。圖1說明了具有單獨電子轉(zhuǎn)移、空穴轉(zhuǎn)移和發(fā)射層以及其它層的有機發(fā)光器件；圖2說明了不具有單獨電子轉(zhuǎn)移層的反向有機發(fā)光器件；圖3說明了實施例1和2以及對比例1的溶液沉積器件的結(jié)構(gòu)；圖4說明了實施例1和2以及對比例1器件的作為亮度函數(shù)的發(fā)光效率的對比；圖5說明了實施例1和2以及對比例1器件的作為亮度函數(shù)的外量子效率的對比；圖6說明了實施例l和2以及對比例1器件的作為電壓函數(shù)的電流密度的對比；圖7說明了實施例1和2以及對比例1器件的作為電壓函數(shù)的亮度的對比；圖8說明了實施例l和2以及對比例1器件的電致發(fā)光光鐠的對比；圖9說明了實施例1和2以及對比例1器件的壽命的對比；圖IO說明了實施例3和對比例2的氣相沉積器件的結(jié)構(gòu)；圖ll說明了實施例3和對比例2器件的作為亮度函數(shù)的發(fā)光效率的對比；圖12說明了實施例3和對比例2器件的作為亮度函數(shù)的外量子效率的對比；圖13說明了實施例3和對比例2器件的作為電壓函數(shù)的電流密度的對比；圖14說明了實施例3和對比例2器件的作為電壓函數(shù)的亮度的對比；圖15說明了實施例3和對比例2器件的電致發(fā)光光譜的對比；圖16說明了實施例3和對比例2器件的壽命的對比；圖17說明了實施例4和對比例3的氣相沉積器件的結(jié)構(gòu)；圖18說明了實施例4和對比例3器件的作為亮度函數(shù)的發(fā)光效率的對比；圖19說明了實施例4和對比例3器件的作為亮度函數(shù)的外量子效率的對比；圖20說明了實施例4和對比例3器件的作為電壓函數(shù)的電流密度的對比；圖21說明了實施例4和對比例3器件的作為電壓函數(shù)的亮度的對比；圖22說明了實施例4和對比例3器件的電致發(fā)光光譜的對比；圖23說明了用于實施例1、2和3以及對比例1和2中的化合物的結(jié)構(gòu)；圖24說明了用于實施例4和對比例3中的化合物的結(jié)構(gòu)；圖25說明了實施例5到11以及對比例4和5的氣相沉積器件的結(jié)構(gòu)；以及圖26說明了實施例5和9的六苯基三亞苯基(HPT)阻擋層材料的結(jié)構(gòu)。具體實施例方式通常，OLED包含至少一個沉積在陽極和陰極之間且與陽極和陰極電連接的有機層。當(dāng)應(yīng)用電流時，陽極將空穴且陰極將電子注入有機層中。注入的空穴和電子各自向相反電荷的電極移動。當(dāng)電子和空穴停留在相同的分子上時，就形成了位于電極-空穴對的具有激發(fā)能量態(tài)的"激子"。當(dāng)激子通過光發(fā)射機理松弛下來時就會發(fā)光。在一些情況中，激子可以位于激態(tài)原子或激態(tài)絡(luò)合物上。非輻射機理，例如熱松弛也可以發(fā)生，但是通常考慮為不希望的。例如U.S.專利No.4,769,292公開了使用由它們的單重態(tài)("熒光")發(fā)光的發(fā)射分子的初始0LED，其通過參考文獻(xiàn)完全引入。熒光發(fā)射通常在少于10納秒的時間框架內(nèi)發(fā)生。最近，具有由三重態(tài)發(fā)光("磷光")的發(fā)射材料的0LED得到了展示。Baldo等人的"HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices,"Nature,395巻，151-154,1998;("Baldo-I")和Baldo等人的"Veryhigh—efficiencygreenorganiclight—emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence，"Appl.Phys.Lett.,75巻，No.1，4-6(1999)("Baldo-1I")通過參考文獻(xiàn)而完全引入。因為躍遷需要旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的改變，因此磷光可以指的是"被禁止的"躍遷，且量子力學(xué)表明這種躍遷是不利的。結(jié)果，磷光通常發(fā)生在超過至少IO納秒的時間框架內(nèi)，且典型的超過100納秒。如果磷光的正常輻射壽命太長，三重態(tài)會通過非輻射機理衰減，因此就不會發(fā)光。有機磷光還經(jīng)常在非常低的溫度下在具有孤對電子的含有雜原子的分子中觀察到。2,2'-二吡啶就是這樣的分子。非輻射性衰減機理典型的是溫度依賴的，因此典型的在液氮溫度下表現(xiàn)出磷光的有機材料在室溫下并不表現(xiàn)出磷光。但是正如Baldo論證的，這一問題可以通過選擇在室溫下發(fā)出磷光的磷光性化合物來應(yīng)付。代表性發(fā)射層包括摻雜的或未摻雜的磷光有機金屬材料，例如U.S.專利Nos.6，303，238和6,310，360;U.S.專利申請公開Nos.2002-0034656;2002-0182441;2003-0072964;和WO-02/074015中/>開的內(nèi)容。通常認(rèn)為OLED中的激子以約3:1的比值形成，即約75%的三重態(tài)和約25%的單重態(tài)。參見通過參考文獻(xiàn)完全引入的Adachi等人的"Nearly100%InternalPhosphorescentEfficiencyInAnOrganicLightEmittingDevice,"J.Appl.Phys.，90，5048(2001)。在許多情況中，單重態(tài)激子可以通過"系統(tǒng)間交叉"輕易的將它們的能量遷移為三重激發(fā)態(tài)，而三重態(tài)激子并不容易將它們的能量遷移為單重激發(fā)態(tài)。結(jié)果，100%的外量子效率在理論上采用磷光性O(shè)LED是可能的。在磷光器件中，三重態(tài)激子的能量通常損失給加熱器件的無輻射衰減過程，導(dǎo)致更低的外量子效率。例如在通過參考文獻(xiàn)完全引入的U.S.專利No.6,303,238中公開了使用磷光材料的0LED從三重激發(fā)態(tài)發(fā)光。磷光可以先于從三重激發(fā)態(tài)躍遷到中間非三重狀態(tài)，由此發(fā)生發(fā)射衰減。例如，配位到鑭系元素的有機分子通常從位于鑭系金屬的激發(fā)態(tài)發(fā)出磷光。但是，這些材料并不直接從三重激發(fā)態(tài)發(fā)出磷光，而是從居于鑭系金屬離子中心的原子激發(fā)態(tài)發(fā)出磷光。二酮銪絡(luò)合物舉例說明了這些類型物種的一組。來自三重態(tài)的磷光可以通過限制，優(yōu)選通過連接近程附近的有機分子到高原子級的原子加強而超過熒光。這種成為重原子效應(yīng)的現(xiàn)象通過已知的旋轉(zhuǎn)軌道耦合的機理形成。這種磷光躍遷可以從有機金屬分子的激發(fā)的金屬到配體電荷轉(zhuǎn)移(MLCT)狀態(tài)中觀察到，例如三(2-苯基吡啶)銥(III)。這里使用的詞語"三重能量"指的是對應(yīng)于給出的材料的磷光光語中可辨別的最高能量特征的能量。最高能量特征不必是磷光光譜中具有最大強度的峰值，且可以是例如這個峰的高能側(cè)上的清楚的肩峰的局部最大值。這里使用的詞語"有機金屬"通常是本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解的且正如例如在GaryL.Miessler和DonaldA.Tarr，PrenticeHall(1998)的"InorganicChemistry"(第二版)中給出的。因此有機金屬一詞指的是具有通過碳-金屬鍵連接在金屬上的有機基團的化合物。這類物質(zhì)并不包括實質(zhì)僅具有來自雜原子供體連接的本身為配位化合物的物質(zhì)，例如胺的金屬絡(luò)合物，卣化物，假鹵化物(CN等)以及類似物。在實際中，除了一種或幾種與有機物種連接的碳-金屬之外，有機金屬化合物通常含有一種或幾種來自雜原子的供體連接。與金屬物種相連的碳-金屬指的是直接連接在金屬和有機基團的碳原子之間的，例如苯基，烷基，烯基等，但是并不指的是與"無機碳"相連的金屬，例如CN或CO中的碳。圖1顯示了一種有機發(fā)光器件100。該圖不必按照比例繪制，器件100可以包括襯底110，陽極115，空穴注入層120，空穴傳輸層125，電子阻擋層130，發(fā)射層135,空穴阻擋層140，電子傳輸層145,電子注入層150,保護層155和陰極160。陰極160為具有第一導(dǎo)電層162和第二導(dǎo)電層164的混合陰極。器件100可以通過按照順序沉積所述的層制造。襯底110可以是任何合適的提供期望結(jié)構(gòu)性質(zhì)的襯底。襯底110可以是柔性的或剛性的。襯底110可以是透明的，半透明的或不透明的。塑料和玻璃是優(yōu)選的剛性基質(zhì)材料的實例。塑料和金屬箔是優(yōu)選的柔性基質(zhì)材料的實例。為了有助于電路的制造，襯底110可以是半導(dǎo)體材料。例如，襯底110可以是在其上制造電路的硅晶片，能夠控制之后沉積在襯底上的OLED。也可以使用其它襯底。襯底110的材料和厚度可以選擇以獲得期望的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。陽極115可以是任何合適的充分導(dǎo)電的將空穴傳輸?shù)接袡C層的陽極。陽極115的材料優(yōu)選具有高于約4eV的功函("高功函材料")。優(yōu)選的陽極材料包括導(dǎo)電金屬氧化物，例如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)，氧化鋁鋅(AlZnO)和金屬。陽極115(和襯底110)可以是充分透明的以形成底部發(fā)光的器件。優(yōu)選的透明襯底和陽極聯(lián)合為沉積在玻璃或塑料(襯底)上的市售獲得的ITO(陽極)。通過參考文獻(xiàn)完全引入的美國專利Nos.5，844，363和6，602，540B2公開了柔性和透明的襯底-陽極聯(lián)合。陽極115可以是不透明的和/或反射性的。反射性陽極115可以優(yōu)選一些頂端發(fā)光的器件以增加來自器件的頂端的發(fā)光量。陽極115的材料和厚度可以選擇以獲得期望的導(dǎo)電和光學(xué)性質(zhì)。在陽極115是透明的情況中，對于特別材料的厚度范圍為厚到足以提供期望的導(dǎo)電性，且薄到足以提供期望的透明度。也可以使用其它陽極材料和結(jié)構(gòu)。空穴傳輸層125可以包括能夠傳輸空穴的材料?？昭▊鬏攲?30可以固有的(未摻雜的)或摻雜的。摻雜可以用于加強導(dǎo)電性。oc-NPD和TPD是固有的空穴傳輸層的實例。p-摻雜的空穴傳輸層的實例為以50:1的摩爾比摻雜有F4-TCNQ的m-MTDATA,正如通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的美國專利申請公開No.2003-02309890公開的內(nèi)容。也可以使用其它空穴傳輸層。發(fā)射層135可以包括當(dāng)電流穿過陽極115和陰極160時能夠發(fā)光的有機材料。雖然也可以使用熒光發(fā)射材料，但是優(yōu)選發(fā)射層135含有磷光發(fā)射材料。磷光材料是優(yōu)選的，因為較高的發(fā)光效率與這種材料相關(guān)。發(fā)射層135還可以包含能夠傳輸電子和/或空穴的，用可以捕獲電子、空穴和/或激子的發(fā)射材料摻雜的基質(zhì)材料，因此來自發(fā)射材料的激子通過光發(fā)射機理松弛。發(fā)射層135可以含有結(jié)合了傳輸和發(fā)射性質(zhì)的單獨的材料。不論發(fā)射材料是摻雜劑或主要成分，發(fā)射層135可以含有其它材料，例如調(diào)節(jié)發(fā)射材料的發(fā)射的摻雜劑。發(fā)射層135可以包括多種聯(lián)合的能夠發(fā)出期望光譜的發(fā)射材料。磷光發(fā)射材料的實例包括Ir(ppy)3。熒光發(fā)射材料的實例包括DCM和DMQA。基質(zhì)材料的實例包括Alq3，CBP和mCP。通過參考文獻(xiàn)完全引入的Thompson等人的U.S.專利No.6，303，238公開了發(fā)射和基質(zhì)材料的實例。發(fā)射材料可以用多種方法包括在發(fā)射層135中。例如，發(fā)射小分子可以混合到聚合物中。這可以通過多種方法完成通過將小分子摻雜到聚合物中或者作為單獨的和獨特的分子物種；或者通過將下分子混入聚合物的主鏈，以形成共聚物；或者通過連接小分子將其作為聚合物上的側(cè)基。其它發(fā)射層材料和結(jié)構(gòu)也可以使用。例如下分子發(fā)射材料可以作為樹枝體的核心存在。許多有用的發(fā)射材料包括一種或幾種連接于金屬中心的配體。如果其直接貢獻(xiàn)有機金屬發(fā)射材料的光活性性質(zhì)，配體指的是"光活性的"。與金屬相協(xié)同，當(dāng)光子發(fā)光時，"光活性"配體可以提供來自其的能量水平和電子移動的能量水平。其它的配體可以指的是"輔助的"。輔助的配體可以改變分子的光活性性質(zhì)，例如通過改變光活性配體的能量水平，但是輔助的配體并不直接提供包括在光發(fā)射中的能量水平。在一個分子中為光活性的配體在另一個中可以是輔助的。這18些光活性和輔助的定義不受理論的限制。電子傳輸層145可以包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層145可以時固有的(未摻雜的)或摻雜的。摻雜可以加強導(dǎo)電性。Al(b是固有電子傳輸層的實例。通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的美國專利申請7>開No.2003-02309890公開了n-摻雜的電子傳輸層的實例為l:l摩爾比的用Li摻雜的BPhen。也可以使用其它電子傳輸層。電子傳輸層的帶電荷組分可以選擇因此電子可以從陰極充分注入電子傳輸層的LUMO(最低未占用分子軌道)能量水平。"帶電荷組分"為造成實際上傳輸電子的LUM0能量水平的組分。這種組分可以是基礎(chǔ)材料或者它可以是摻雜劑。有機材料的LUM0能量水平通常其他正在于材料的電子親和性和陰極的相對電子注入效率通?？梢越柚帢O材料的功函表征。這一位這優(yōu)選的電子傳輸層和鄰近的陰極的性質(zhì)借助帶電荷的ETL組分的電子親和性和陰極材料的功函詳細(xì)說明。特別的，為了獲得高電子注入效率，陰極材料的功函優(yōu)選不多于電子傳輸層帶電荷組分電子親和性的約0.75eV，更優(yōu)選不多于約0.5eV。同樣的考慮應(yīng)用于其中注入電子的任何層。陰極160可以是任何本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的合適的材料或材料的聯(lián)合，因此陰極160能夠傳到電子并將它們注入器件100的有機層。陰極160可以是透明的或不透明的，且可以是反射性的。金屬和金屬氧化物是合適的陰極材料的實例。陰極160可以是單獨的層，或者具有混合結(jié)構(gòu)。圖l顯示了具有薄金屬層162和厚導(dǎo)電金屬氧化物層164的混合陰極160。在混合陰極中，優(yōu)選用于厚層164的材料包括ITO,IZ0和其它本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其它材料。通過參考文獻(xiàn)完全引入的U.S.專利Nos.5，703，436，5，707，745，6，548，956B2和6，576，134B2公開了包括混合陰極的陰極實例，其具有金屬如Mg:Ag的薄層與覆蓋于其上的透明的導(dǎo)電的濺射沉積的IT0層。不論其是否是單層陰極160,陰極160與下方的有機層接觸的部分，混合陰極的薄金屬層162或一些其它的部分優(yōu)選用具有低于約4eV功函的材料制成("低功函材料")。也可以使用其它陰極材料和結(jié)構(gòu)。阻擋層可用于減少電荷載體數(shù)(電子或空穴)和/或離開發(fā)射層的激子。電子阻擋層130可以布置在發(fā)射層135和空穴傳輸層125之間，以便在空穴傳輸層125方向上阻擋來自離開發(fā)射層135的電子。同樣的空穴阻擋層140可以布置在發(fā)射層135和電子傳輸層145之間，以便在電子傳輸層145的方向上阻擋來自離開發(fā)射層135的空穴。阻擋層還可以用于阻擋由發(fā)射層擴散出來的激子。在通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的美國專利No.6，097，147和美國專利申請/>開No.2003-02309890中詳細(xì)描述了該理論和阻擋層的使用。這里使用的且本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的"阻擋層"一詞表示提供了顯著抑制電荷載體的傳輸和/或穿過器件的激子的屏障層，而沒有提出該層必須完全阻擋電荷載體和/或激子。在器件中存在這種阻擋層會導(dǎo)致與相同的缺少阻擋層的器件相比實質(zhì)上更高的效率。此外阻擋層還可以用于將發(fā)射限制在期望的0LED的區(qū)域中。通常注入層包含可以提高將電荷栽子從一個層例如電極或有機層注入相鄰的有機層的材料。注入層還可以執(zhí)行電荷傳輸功能。在器件100中，空穴注入層120可以是任何提高從陽極115將空穴注入空穴傳輸層125的層。CuPc為可以用作來自ITO陽極115和其它陽極的空穴注入層的材料的實例。在器件100中，電子注入層150可以是提高將電子注入到電子傳輸層145的任何層。LiF/Al為可以用作來自鄰近層的電子傳輸層的電子注入層的材料的實例。其它的材料或材料的聯(lián)合也可以用作注入層。取決于特殊器件的構(gòu)造，注入層可以布置在與那些器件100中所示不同的位置。通過參考文獻(xiàn)完全引入的Lu等人的U.S.專利申請系列No.09/931，948提供了更多的注入層實例?？昭ㄗ⑷雽涌梢院腥芤撼练e材料，例如旋轉(zhuǎn)涂布的聚合物，例如PED0T:PSS，或者可以是氣相沉積的小分子材料，例如CuPc或MTDATA?？昭ㄗ⑷雽?HIL)可以使陽極表面平坦或潮濕以便提供足夠的從陽極到空穴注入材料中的空穴注入。空穴注入層還可以含有具有順利調(diào)協(xié)H0M0(最高占用分子軌道)能量水平的電荷承載組分，正如通過這里描述的它們相對的離子化潛能(IP)，以及HIL—側(cè)上鄰近的陽極層和HIL相反一側(cè)上的空穴傳輸層。"電荷承載組分"是造成實際上傳輸空穴的HOMO能量水平的材料。這種組分可以是HIL的基礎(chǔ)材料，或者它可以是摻雜劑。使用摻雜的HIL允許為了它的電性質(zhì)選擇摻雜劑，且為了形態(tài)性質(zhì)選擇基質(zhì)，例如潮濕，柔性，剛性等。HIL材料優(yōu)選的性質(zhì)為空穴可以是足以從陽極到HIL材料中注入的性質(zhì)。特別的，HIL的電荷承栽組分的IP優(yōu)選大于陽極材料的IP不到0.7eV。更優(yōu)選地，電荷承載組分的IP大于陽極材料不到約0.5eV。同樣的考慮應(yīng)用于任何將空穴注入其中的層。HIL材料進(jìn)一步與典型的用于OLED的空穴傳輸層的常規(guī)的空穴傳輸材料相區(qū)別，在于這種HIL材料可以具有實質(zhì)上小于常規(guī)空穴傳輸材料的空穴導(dǎo)電性的空穴導(dǎo)電性。本發(fā)明的HIL的厚度可以是足以幫助陽極層的平面平坦或濕潤的厚度。例如，小到10nm的HIL厚度對于非常平滑的陽極表面是可接受的。但是，由于陽極表面傾向于非常粗糙，高達(dá)50認(rèn)的HIL厚度在一些情況中可以是所期望的。保護層可以在之后的制作過程中用于保護其下的層。例如，用于制造金屬或金屬氧化物頂端電極的過程可以損害有機層，且保護層可以用于減少或消除這種損害。在器件100中，保護層155可以在制造陰極160期間減少對其下方的有機層的損害。優(yōu)選地，保護層具有用于傳輸(器件100中的電子)的載體類型的高載體活動性，因此它并不顯著的增加器件100的操作電壓。CuPc、BCP和不同的金屬酞菁燃料為可以用于保護層中的材料的實例。也可以使用其它的材料或材料的聯(lián)合。由于發(fā)生的制造過程在有機保護層160沉積之后，保護層155的厚度優(yōu)選對其下方的層足以存在極少或沒有損害的厚度，因此不至于厚到顯著的增加器件100的操作電壓。保護層155可以是摻雜的以增加它的導(dǎo)電性。例如CuPc或BCP保護層160可以是用Li摻雜的?？梢栽谕ㄟ^參考文獻(xiàn)引入的Lu等人的U.S.專利申請系列No.09/931，948中發(fā)現(xiàn)更詳細(xì)的保護層的描述。圖2顯示了反向OLED200。該器件包括襯底210，陰極215，發(fā)射層220,空穴傳輸層225和陽極230。器件200可以通過按順序沉積所述的層制造。由于大多數(shù)普通的OLED構(gòu)造具有布置在陽極之上的陰極，且器件200具有布置在陽極230之下的陰極2",器件200可以指的是"反向"OLED。對應(yīng)于器件100的與那些所迷材料相同的材料可以用于器件200對應(yīng)的層中。圖2提供了一個怎樣可以從器件100的結(jié)構(gòu)中省略一些層的實例。圖1和2中說明的普通成層結(jié)構(gòu)通過非限制性實例提供，且可以理解的是本發(fā)明的實施方案可以用于與其它結(jié)構(gòu)有關(guān)的廣泛的多樣性。所述的特殊的材料和結(jié)構(gòu)實質(zhì)上是典型的，且其它材料和結(jié)構(gòu)也可以使用。功能性O(shè)LED可以用不同的方法通過聯(lián)合所述不同的層，或者基于設(shè)計、性能和成本的因素層可以完全省略而獲得。其它所述非特定的層也可以包括在內(nèi)，可以使用除了那些所述特定的材料之外的材料。雖然這里提供的實例中的許多描述了不同的由單獨材料組成的層，可以理解的是材料的聯(lián)合，例如基質(zhì)和摻雜劑的混合物或更普通的混合物也可以使用。此外，這些層可以具有不同的亞層。這里給出的不同的層的名稱并不規(guī)定為嚴(yán)格的限制。例如，在器件200中，空穴傳輸層225傳輸空穴并將空穴注入發(fā)射層220中，且可以描述為空穴傳輸層或空穴注入層。在一個實施方案中，OLED可以描述為具有布置在陰極和陽極之間的"有機層"。這一有機層可以包含單獨的層，或進(jìn)一步包含所述不同有機材料的多重層，例如對應(yīng)于圖1和2。沒有特別描述的結(jié)構(gòu)和材料也可以使用，例如包含聚合性材料(PLED)的OLED，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的Friend等人的U.S.專利No.5，247，190中乂^開的內(nèi)容。通過進(jìn)一步的實例，可以4吏用具有單獨有機層的0LED。OLED可以是多層的，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的U.S.專利No.5，707，745中描述的。0LED的結(jié)構(gòu)可以背離圖1和2中描述的普通成層結(jié)構(gòu)。例如，襯底可以包括成角度反射的表面以增強外耦合，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的U.S.專利No.6,091,195和Bulovic等人的U.S.專利No.5，834,893中描述的臺地結(jié)構(gòu)。除非另有說明，不同實施方案的任何層可以通過合適的方法沉積。對于有機層，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)，噴墨，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的U.S.專利Nos.6，013，982和6，087，196，有機氣相沉積(0VPD)，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的Forrest等人的U.S.專利No.6，337，102,以及通過有機蒸汽噴射印刷(0VJP)，例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的U.S.專利申請No.10/233，470。其它合適的沉積方法包括旋轉(zhuǎn)涂布和其它溶液基的方法。溶液基方法優(yōu)選在氮氣或惰性氣氛中進(jìn)行。對于其它層，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的模式方法包括穿過模板的沉積，冷焊接例如通過參考文獻(xiàn)完全引入的U.S.專利Nos.6,294，398和6，468，819中描述的，以及與一些沉積方法相關(guān)的模式例如墨水噴射和0VJP。也可以使用其它的方法。沉積的材料可以改進(jìn)以使它們與特別的沉積方法相容。例如，取代基例如烷基和芳基，支鏈的或非支鏈的，且優(yōu)選含有至少3個碳原子，可以用于小分子中以加強它們進(jìn)行溶液加工的能力。具有20個碳原子或更多的取代基也可以使用，且3-20個碳原子是優(yōu)選的范圍。具有不對稱結(jié)構(gòu)的材料比那些具有對稱結(jié)構(gòu)的材料有更好的加工性，因為不對稱的材料可以具有更低的結(jié)晶傾向。樹枝體取代基可以用于加強小分子進(jìn)行溶液加工的能力。這里公開的分子可以用許多不同的方法取代而并不背離本發(fā)明的范圍。例如，取代基可以加入到具有三個雙齒配體的配合物中，例如在取代基加入后，一種或幾種雙齒配體連接在一起以形成例如四齒的或六齒的配體。其它的這種連接也可以形成。由于本領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的"螯合效應(yīng)"，可以認(rèn)為這種類型的連接可以增加相對于沒有連接的相似化合物的穩(wěn)定性。根據(jù)本發(fā)明的實施方案制造的器件可以混合到廣泛的多種消費產(chǎn)品中，包括扁平的面板顯示器，計算機，電視，宣傳板，用于室內(nèi)的室外照明和/或信號的燈，加蓋顯示器，完全透明的顯示器，柔性顯示器，激光印刷機，電話，電池電話，個人數(shù)字輔助(PDA),膝上型計算機，數(shù)碼相機，便攜式攝像機，反光鏡，微型顯示器，車輛，大面積的墻壁，劇場或體育館的屏幕或標(biāo)記物。不同的控制機理可以用于控制根據(jù)本發(fā)明制造的控制器件，包括被動的基質(zhì)和活性基質(zhì)。許多器件傾向于在令人舒適的溫度范圍內(nèi)使用，例如18C到30C且更優(yōu)選在室溫下(約20到25匸)使用。這里描述的材料和結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于器件中而不是OLED中。例如，其它光電子器件，如有機太陽能電池和有機光探測器可以使用這些材料和結(jié)構(gòu)。更一般的，有機器件例如有機晶體管可以使用該材料和結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的0LED為多重?fù)诫s的0LED。在多重?fù)诫s的0LED中，至少一種額外的電荷傳輸摻雜劑，優(yōu)選磷光摻雜劑包括在磷光0LED(PH0LED)的發(fā)射層中，形成具有至少兩種磷光摻雜劑的發(fā)射層。那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解本發(fā)明并不僅限于兩種摻雜劑，因此在器件的發(fā)射層中可以使用多于兩種的摻雜劑。兩種或幾種磷光摻雜劑的使用顯著改進(jìn)了器件的性能，包括器件的發(fā)光效率，穩(wěn)定性和壽命。特別的，器件的壽命被典型的加強，與相應(yīng)的單獨摻雜的器件相比，僅用一種磷光摻雜劑摻雜，在相同或相似波長上省略，因此壽命優(yōu)選為單獨摻雜的器件壽命的至少3倍，且更優(yōu)選該壽命通過一個因素增加至少約3到4倍。這里使用的"相應(yīng)的單獨摻雜的器件"為0LED，其具有僅包含單獨摻雜劑的發(fā)射層，該單獨摻雜劑與多重?fù)诫s的器件中的發(fā)射摻雜劑相同。在這種根據(jù)本發(fā)明的多重?fù)诫s的器件中，器件發(fā)射的CIE坐標(biāo)優(yōu)選實質(zhì)上與那些具有僅包含一種用于本發(fā)明器件中的摻雜劑的單獨摻雜的器件的發(fā)射相同。也就是，如果存在于單獨摻雜的器件和多重?fù)诫s的器件中的摻雜劑是發(fā)射性的，且至少一種額外的摻雜劑優(yōu)選為非發(fā)射性的，器件的發(fā)射實質(zhì)上是相同的。優(yōu)選地，本發(fā)明的多重?fù)诫s的器件的發(fā)射為具有最低能量發(fā)射的摻雜劑的發(fā)射，即摻雜劑具有最長波長的摻雜劑。根據(jù)本發(fā)明的多重?fù)诫s的器件可以通過蒸汽熱蒸發(fā)(VTE)和溶液沉積過程制備。每個摻雜劑的有用的量可以用于本發(fā)明的多重?fù)诫s的0LED中。優(yōu)選地，第一化合物以基于發(fā)射層的約3.5到約40摩爾°/。的量存在，且更優(yōu)選為約i5摩爾y。。優(yōu)選地，第二化合物以基于發(fā)射層的約3到約20摩爾°/。的量存在，優(yōu)選為約4.5摩爾％。發(fā)射摻雜劑的量可以保持在約在相應(yīng)的單獨摻雜的器件中發(fā)現(xiàn)的水平，因此至少一種額外的摻雜劑的添加增加了器件發(fā)射層中摻雜劑的量。在根據(jù)本發(fā)明的某些優(yōu)選的器件中，發(fā)射摻雜劑的量與相應(yīng)的單獨摻雜的器件的摻雜劑的量約相等。優(yōu)選地，非發(fā)射摻雜劑的量與發(fā)射摻雜劑的量的比值為約1:1到約8:1。與單獨摻雜的器件相比具有改進(jìn)性能的多重?fù)诫s的磷光OLED也可以用約比相應(yīng)的單獨摻雜的器件中的發(fā)射摻雜劑的量更多的最大量的摻雜劑制造。在根據(jù)本發(fā)明的某些優(yōu)選的器件中包含兩種磷光摻雜劑，每種摻雜劑的量為相應(yīng)的單獨摻雜的器件中摻雜劑用量的約50到500摩爾％。典型的OLED具有"正常的發(fā)光范圍"，在其范圍內(nèi)器件的CIE特征并沒有顯著的改變。優(yōu)選地，x和yCIE坐標(biāo)的變化不超過正常亮度范圍的O.04CIE單位，更優(yōu)選不超過O.03個CIE單位，且最優(yōu)選不超過0.02個CIE單位。對于有源矩陣OLED(AMOLED)，亮度范圍優(yōu)選為10到5000cd/m2。對于無源矩陣OLED(PMOLED)，峰值亮度光范圍優(yōu)選為10到150000cd/m2。對于照明應(yīng)用，亮度范圍優(yōu)選為10到10000cd/m2。改變應(yīng)用于器件的電壓改變了發(fā)光強度，且當(dāng)將某一范圍的電壓應(yīng)用于器件時，對于任何給出的器件均提供可正常的亮度范圍。對于給定的器件，提供正常亮度范圍的電壓范圍可以指的是器件的"正常操作電壓范圍"。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，有可能獲得具有與正常亮度范圍發(fā)光不同的CIE的發(fā)射。不受理論的限制，因為磷光發(fā)射分子上的激子具有有限的壽命，這種情況可以發(fā)生。結(jié)果，給定數(shù)量的磷光分子在最大速率下由激子產(chǎn)生光子。如果將高于所需提供在器件的正常亮度范圍內(nèi)的發(fā)射的電壓應(yīng)用于器件，激子產(chǎn)生的速率會超過器件中磷光分子從激子制備光子的速率。結(jié)果為過量的激子會發(fā)現(xiàn)其它來自器件中其它分子的發(fā)射途徑，這就不具有指定發(fā)射分子的特征CIE坐標(biāo)。當(dāng)這種不想要的發(fā)射發(fā)生到顯著的程度時，通過器件發(fā)光的CIE坐標(biāo)作為亮度和/或電壓的函數(shù)而變化。但是，在根據(jù)本發(fā)明的器件中，當(dāng)將在該范圍內(nèi)的電壓應(yīng)用于器件時，存在具有期望的正常亮度范圍內(nèi)的亮度的CIE坐標(biāo)器件發(fā)光的電壓范圍。根據(jù)本發(fā)明的器件具有包含能夠在室溫下發(fā)射磷光的第一和第二化合物的發(fā)射層。在本發(fā)明的器件的正常亮度范圍，大多數(shù)如果不是所有的發(fā)射僅由第二化合物產(chǎn)生。不受限制本發(fā)明范圍的理論的限制，可以認(rèn)為沒有發(fā)出顯著的量的光的第一化合物影響了在發(fā)射層中具有注入物種的電荷的傳輸，電荷的捕獲，激子的形成，和/或激子間的相互反應(yīng)。優(yōu)選地，在正常亮度范圍內(nèi)的至少95%的來自器件的發(fā)射由第二摻雜劑產(chǎn)生。也就是，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的器件中，存在至少一個使至少95%的來自器件的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生的具有至少10cd/ii^的亮度的電壓。根據(jù)本發(fā)明的多重?fù)诫s的磷光OLED與單摻雜的器件相比具有改進(jìn)的性能，還可以用比相應(yīng)的單摻雜的器件中發(fā)射摻雜劑的量更多的最大摻雜劑的總量制造，其中發(fā)射摻雜劑以少于相應(yīng)的單摻雜的器件中摻雜劑的量存在。本發(fā)明特別優(yōu)選的器件包括雙重?fù)诫s的紅-綠器件，具有比單摻雜的紅色器件顯著更長的壽命。這種器件優(yōu)選具有實質(zhì)上與相應(yīng)的單摻雜的器件相同的發(fā)射光鐠，因此雙重?fù)诫s的紅-綠器件的CIE坐標(biāo)實質(zhì)上與那些單摻雜的紅色器件的相同。典型的，通過器件發(fā)出的顏色為具有較低能量發(fā)射的發(fā)射摻雜劑，且因此，發(fā)射光譜的峰具有比非發(fā)射的摻雜劑更長的波長，這樣雙重?fù)诫s的紅-綠器件的發(fā)射是紅色的。更優(yōu)選地，雙重?fù)诫s的紅-綠器件的光鐠實質(zhì)上與相應(yīng)的單摻雜的器件的相同。值得注意的是，在一些實例中，由于由非發(fā)射摻雜劑的存在所導(dǎo)致的再結(jié)合區(qū)和/或發(fā)射層的偶極矩的差異，雙重?fù)诫s的器件與單摻雜的器件的發(fā)射相比存在較小的差別。通過溶液沉積和VTE加工制備的多重?fù)诫s器件的壽命和穩(wěn)定性通常得到了改進(jìn)，優(yōu)選與單摻雜的器件相比有至少約50%,而對器件的初始性能沒有任何影響。優(yōu)選地，26在優(yōu)選的紅-綠器件中，壽命和穩(wěn)定性可以通過至少3倍改進(jìn)，且更優(yōu)選為與單摻雜的紅色器件相比至少約3到約4倍，而對器件的初始性能沒有任何影響。可以理解的是這里描述的不同實施例僅僅是實施例，且并不傾向于限制本發(fā)明的范圍。例如，這里描述的許多材料和結(jié)構(gòu)可以用其它材料和結(jié)構(gòu)代替而不背離本發(fā)明的精神?？梢岳斫獾氖顷P(guān)于為什么本發(fā)明的工作并不傾向于被限制的不同的理論。例如，設(shè)計電荷轉(zhuǎn)移的理論并不傾向于限制。材料定義這里使用的縮寫指的是以下材料CBP:4，4'-N，N-二^喳-聯(lián)苯m-MTDATA:4，4'，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺Alq3:8-三-羥基*啉鋁Bphen:4，7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲n-BPhen:n-摻雜的BPhen(用鋰摻雜)F廣TCNQ:四氟-四氰基-醌二甲烷p-MTDATA:p一摻雜的m-MTDATA(用F廣TCNQ摻雜)Ir(ppy)3:三(2-苯基嘧啶)-銥Ir(ppz)3:三(l-苯基吡唑，N，C(20銥(III)BCP:2，9-二曱基-4，7-聯(lián)苯-l，10-鄰二氮雜菲TAZ:3-苯基-4-(l'-萘基)-5-苯基-l，2，4-三唑CuPc銅酞著IT0:氧化錮錫,:N，N'-聯(lián)苯-N-『-二(l-萘基)-聯(lián)苯胺TPD:N，『-聯(lián)苯-N-『-二(3-甲苯基)-聯(lián)苯胺BAlq:鋁(III)二(2-曱基-8-羥基喹啉)4-苯基酚mCP:1，3-N，N-二呼哇-苯腦4-(二氰基乙烯)-6-(4-二曱基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃DMQA:N，『-二甲基喹吖啶酮PED0T:PSS聚(3，4-乙烯基二氧噢吩)與聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)的水性分散體實施例以下非限制性實施例僅用于說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方案，并不解釋為限制通過從屬權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍。用于舉例的器件的化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)有圖23、24和26提供，這里使用的且用于說明圖23、24和26:紅色-1為二[5'-苯基-3-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III);綠色-1為銥(III)三[2-(聯(lián)苯-3-基)-4-叔丁基吡啶];紅色-2為二[3-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III);綠色-2為銥(III)三(3-曱基-2-苯基吡啶)；紅色-3為二(l-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥(III);HTL-1為4，4'-二[N-(l-萘基-4-苯乙烯基氨基)]聯(lián)苯；HIL-1為銥(III)三(3-曱基-2-苯基吡啶)；以及基質(zhì)-1為3，5-二(N-咔唑)聯(lián)苯。實施例和對比例的所有氣相沉積的層通過高真空(<10—7托)熱蒸發(fā)沉積。所有器件中陽極電極為1200A的氧化銦錫(IT0)。陰極由10A的LiF與隨后的1000AAl組成。制備后立即將所有的器件在氮氣手套箱(<1ppm的H20和02)中用環(huán)氧樹脂密封蓋子的玻璃包封，且濕氣獲得器也混合在包封體中。操作壽命測試在室溫下在恒定的直流電中進(jìn)行。溶液沉積器件發(fā)出紅光、溶液沉積的多重?fù)诫s的OLED用綠色磷光摻雜劑綠色-l作為非發(fā)射摻雜劑和紅色-1作為紅色磷光摻雜劑與作為基質(zhì)的基質(zhì)-1制備。為了對比，使用紅色-l作為基質(zhì)-l中的發(fā)射摻雜劑制備相應(yīng)的單摻雜的器件。器件的結(jié)構(gòu)如圖3所示。具有雙重?fù)诫s發(fā)射層的實施例1和2的特殊的器件結(jié)構(gòu)如下。實施例1ITO/CuPc/HTL-1/基質(zhì)-1:綠色-1:紅色-l(88:6:6)/BAlq/Alq/LiF:Al實施例2IT0/CuPc/HTL-l/基質(zhì)-1:綠色-1:紅色-1(80:10:10)/BAlq/Alq/LiF:Al具有單摻雜發(fā)射層的對比例1的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。對比例1ITO/CuPc/HTL-l/基質(zhì)-l:紅色-1(88:12)/BAlq/Alq/LiF:Al實施例1和2以及對比例1的每個器件通過如下的旋轉(zhuǎn)涂布制備CuPc的100A空穴注入層(HIL)通過VTE沉積在基質(zhì)上的1200A的ITO陽極上。HTL-1的空穴傳輸層(HTL)由1%的甲苯溶液在2000rpm下旋轉(zhuǎn)涂布，且之后在電熱盤上在200'C下烘烤30分鐘；發(fā)射層由0.75%的甲苯溶液旋轉(zhuǎn)涂布，且之后在電熱盤上在IOO。C下烘烤60分鐘；以及然后將每一部分器件放置在真空室中，其中BAlq/Alq/LiF/Al通過熱蒸發(fā)沉積，提供具有如圖3所示結(jié)構(gòu)的器件ITO(1200A)/CuPc(100A)/HTL-l(300A)/基質(zhì)-1:摻雜劑(250A)/Balq(150A)/Alq(400A)/LiF(IOA)/Al(IOOOA)實施例1和2以及對比例1的每一個器件的性能列于表1中。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>*在100cd/m2下圖4到7說明了根據(jù)本發(fā)明的溶液加工的多重?fù)诫s的器件的改進(jìn)的性能。對于實施例1和2以及對比例1的每個器件，圖4說明了作為亮度函數(shù)的發(fā)光效率，圖5說明了作為亮度函數(shù)的外量子效率，圖6說明了作為電壓函數(shù)的電流密度，圖7說明了作為電壓函數(shù)的亮度。實施例2的器件說明當(dāng)摻雜劑的總量超過某一值時改進(jìn)的性能可以達(dá)到上限。但是如圖9所示，實施例1和2的多重?fù)诫s的器件的壽命都明顯的超過了對比例1的單摻雜的器件的壽命。圖8清楚的證明了CIE坐標(biāo)以及因此實施例1和實施例2的多重?fù)诫s的器件的顏色實質(zhì)上與對比例1中的那些單摻雜的器件的相同。氣相沉積器件發(fā)出紅光的氣相沉積的器件用綠色磷光摻雜劑綠色-2作為非發(fā)射摻雜劑且用紅色-2作為磷光紅色摻雜劑在CBP基質(zhì)中制備。為了對比，相應(yīng)的發(fā)出紅光的單摻雜的器件用紅色-2和CBP基質(zhì)制備。器件的結(jié)構(gòu)如圖10所示。具有雙重?fù)诫s的發(fā)射層的實施例3的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。實施例3ITO/CuPc/NPD/CBP:綠色-2(20%):紅色30具有單摻雜發(fā)射層的對比例2的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。對比例2ITO/CuPc/NPD/CBP:紅色-2(12%)/BAlq/Alq/LiF:Al實施例3和對比例2的器件的所有層用VTE沉積，以提供具有圖IO所示的結(jié)構(gòu)的器件ITO(1200A)/CuPc(100A)/NPD(400A)/CBP:摻雜劑(300A)/Balq(150A)/Alq(400A)/LiF(10A)/A1(1000A)。實施例3和對比例2的每個器件的性能列于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>*在100cd/m2下根據(jù)本發(fā)明的VTE沉積的多重?fù)诫s的器件的改進(jìn)性能如圖11到14所示。對于實施例3和對比例2的每一個器件，圖ll說明了作為亮度函數(shù)的發(fā)光效率，圖12說明了作為亮度函數(shù)的外量子效率，圖13說明了作為電壓函數(shù)的電流密度，圖14說明了作為電壓函數(shù)的亮度。在實施例2中觀察到的性能改進(jìn)的限制在實施例3中沒有觀察到，說明可以提供改進(jìn)性能上限的摻雜劑的量在實施例3的器件中并不存在。此外，如圖16所示，實施例3的多重?fù)诫s的器件的壽命明顯超過了對比例2中單摻雜的器件的壽命。圖15清楚的表明CIE坐標(biāo)和因此實施例3的多重?fù)诫s的器件的顏色實質(zhì)上與對比例2中那些單摻雜的器件的相同。發(fā)出紅光的氣相沉積的器件使用綠色磷光摻雜劑綠色-2作為非發(fā)射摻雜劑和紅色-3作為磷光紅色摻雜劑在CBP基質(zhì)中制備。為了對比，相應(yīng)的發(fā)紅光的單摻雜的器件用紅色-3和CBP基質(zhì)制備。器件的結(jié)構(gòu)如圖17所示。具有雙重?fù)诫s的發(fā)射層的實施例4的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。實施例4IT0/HIL-1/NPD/CBP:綠色-2(20%):紅色-3(12%)/BAlq/Alq具有單摻雜發(fā)射層的對比例2的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。對比例3IT0/HIL-1/NPD/CBP:紅色-3(12%)/BAlq/Alq實施例4和對比例3的器件的所有層用VTE沉積，以提供具有圖17所示的結(jié)構(gòu)的器件IT0(1200A)/HIL-1(100A)/NPD(400A)/CBP:摻雜劑(300A)/Balq(150A)/Alq(400A)/LiF(10A)/A1(1000A)。實施例4和對比例3的每個器件的性能列于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>*在100cd/m2下根據(jù)本發(fā)明的VTE沉積的多重?fù)诫s的器件改進(jìn)的性能進(jìn)一步用圖18到21說明。對于實施例4和對比例3的每個器件，圖18說明了作為亮度參數(shù)的發(fā)光效率，圖19說明了作為亮度函數(shù)的外量子效率，圖20說明了作為電壓函數(shù)的電流密度，圖21說明了作為電壓函數(shù)的亮度。圖22清楚的表明了CIE坐標(biāo)和因此實施例4的多重?fù)诫s的器件的顏色實質(zhì)上與對比例3的那些單摻雜的器件的相同。發(fā)出紅光的氣相沉積的0LED用綠色磷光摻雜劑綠色-2作為非發(fā)射摻雜劑并用紅色-2作為磷光紅色摻雜劑在BA1q基質(zhì)中制備。為了對比，相應(yīng)的發(fā)紅光的單摻雜的器件使用紅色-2和BAlq基質(zhì)制備。器件的結(jié)構(gòu)如圖25所示。具有雙重?fù)诫s的發(fā)射層的實施例5、6、7、8的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。實施例5、6、7、8ITO(1200A)/HIL-1(100A)/NPD(400A)/BAlq:綠色-2(x%):紅色-2(y%)/BL(即便存在)Mlq/LiF:Al。具有單摻雜發(fā)射層的對比例4的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。對比例4ITO(1200A)/HIL-1(100A)/NPD(400A)/BAlq:紅色-2(12%)(300A)/Alq(550a)/LiF:Al實施例5、6、7、8和對比例4的器件的所有層使用VTE沉積。實施例5、6、7、8和對比例4的每個器件的性能列于表4中。表4帶有紅色-2發(fā)射體的雙重?fù)诫s的和單摻雜的紅色BAlq基質(zhì)器件<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>*在500尼特下實施例5、6、7和8的根據(jù)本發(fā)明的VTE沉積的多重?fù)诫s的器件的改進(jìn)的性能與對比例4的對比如表4所示。數(shù)據(jù)表明雙重?fù)诫s的器件的發(fā)光效率和壽命明顯超過單摻雜器件中的那些性質(zhì)。發(fā)出紅光的氣相沉積的0LED用綠色磷光摻雜劑綠色-2作為非發(fā)射摻雜劑并用紅色-3作為磷光紅色摻雜劑在BAlq基質(zhì)中制備。為了對比，相應(yīng)的發(fā)紅光的單摻雜的器件用紅色-3和BAlq基質(zhì)制備。器件的結(jié)構(gòu)如圖25所示。具有雙重?fù)诫s的發(fā)射層的實施例9、lO和ll的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。實施例9、10、11ITO(1200A)/HIL-1(100A)/NPD(400A)/BAlq:綠色-2(x%):紅色-3(y。/。)/BL(如果存在)/Alq/LiF:Al具有單摻雜發(fā)射層的對比例5的器件的特殊器件結(jié)構(gòu)如下。對比例5ITO(1200A)/HIL-1(100A)/NPD(400A)/BAlq:紅色-3(12%)(300A)/Alq(550Aj/LiF:Al實施例9、10和11以及對比例5的器件的所有層用VTE沉積。實施例9、10和11以及對比例5的器件的性能列于表5中。表5表5帶有紅色-3發(fā)光體的雙重?fù)诫s的和單摻雜的紅色器件的性能<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>*在500尼特下實施例9、10和11以及對比例5的根據(jù)本發(fā)明的VTE沉積的多重?fù)诫s器件的改進(jìn)的性能如表5所示。數(shù)據(jù)表明雙重?fù)诫s器件的發(fā)光效率和壽命的結(jié)合明顯超過三摻雜器件中的那些性質(zhì)。本發(fā)明用相關(guān)的特別的實施例和優(yōu)選的實施方案描述，應(yīng)當(dāng)理解的時本發(fā)明并不限于這些實施例和實施方案。因此要求的本發(fā)明包括這里描述的來自特別的實施例和優(yōu)選的實施方案的變化，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。權(quán)利要求1.有機發(fā)光器件，其含有陽極、陰極和發(fā)射層，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物；其中當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，存在至少一個使來自器件的至少95％的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生的具有至少10cd/m2的亮度的電壓。2.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶電荷的化合物。3.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶電子的化合物。4.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶空穴的化合物。5.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該器件具有實質(zhì)上與第二器件相同的CIE,其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。6.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該器件具有比第二器件更高的外量子效率，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。7.權(quán)利要求6的有機發(fā)光器件，其中第二器件的第二化合物的摻雜百分比與該器件的第二化合物的摻雜百分比相等。8.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該裝置具有比第二器件更長的壽命，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。9.權(quán)利要求8的有機發(fā)光器件，其中該器件的壽命是第二器件的至少3倍。10.權(quán)利要求8的有機發(fā)光器件，其中該器件的壽命是第二器件的約3到約4倍。11.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物以基于發(fā)射層的約3.5到約40摩爾°/。的量存在。12.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物以基于發(fā)射層的約15摩爾％的量存在。13.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第二化合物以基于發(fā)射層的約3到約20摩爾％的量存在。14.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第二化合物以基于發(fā)射層的約4.5摩爾％的量存在。15.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，來自器件的至少99%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。16.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，實質(zhì)上來自器件的所有發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。17.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中當(dāng)?shù)谝换衔锇l(fā)射時，發(fā)射為綠色磷光發(fā)射。18.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第二化合物發(fā)出紅色磷光發(fā)射。19.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中當(dāng)?shù)谝换衔锇l(fā)射時，發(fā)射為藍(lán)色磷光發(fā)射。20.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一和第二化合物中的至少一個為有機金屬化合物。21.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為銥(III)三[2-(聯(lián)苯-3-基)-4-叔丁基吡啶]，且第二化合物為二[5-苯基-3'-曱基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III)。22.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為銥(III)三(3-甲基-2-苯基吡啶)，且第二化合物為二[3'-甲基-(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮銥(III)。23.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物具有在基質(zhì)的HOMO水平和第二化合物的HOMO水平之間的HOMO水平。24.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中第一化合物具有在基質(zhì)的LUMO水平和第二化合物的LUMO水平之間的LUMO水平。25.—種制備權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件的方法，其包括溶液沉積發(fā)射層。26.—種制備權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件的方法，其包括氣相沉積發(fā)射層。27.有機發(fā)光器件，其含有陽極，陰極和發(fā)射層，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物；其中當(dāng)將至少一個電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，存在至少一個使器件具有實質(zhì)上與第二器件相同的CIE的電壓，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。28.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶電荷的化合物。29.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶電子的化合物。30.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物為帶空穴的化合物。31.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中該器件具有比第二器件更高的外量子效率。32.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中該器件具有比第二器件更長的壽命。33.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物以基于發(fā)射層的約3.5到約40摩爾％的量存在。34.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物以基于發(fā)射層的約15摩爾％的量存在。35.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第二化合物以基于發(fā)射層的約3到約20摩爾％的量存在。36.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第二化合物以基于發(fā)射層的約4.5摩爾％的量存在。37.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中當(dāng)?shù)谝换衔锇l(fā)射時，發(fā)射為綠色磷光發(fā)射。38.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第二化合物和該器件發(fā)出紅色磷光發(fā)射。39.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一和第二化合物中的至少一個為有機金屬化合物。40.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物具有在基質(zhì)的HOMO水平和第二化合物的HOMO水平之間的H0M0水平。41.權(quán)利要求27的有機發(fā)光器件，其中第一化合物具有在基質(zhì)的LUM0水平和第二化合物的LUM0水平之間的LUM0水平。42.—種從有機發(fā)光器件產(chǎn)生光發(fā)射的方法，其包括獲得包含陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物，且經(jīng)過陽極和陰極施加足以產(chǎn)生來自器件的具有至少10cd/m2的亮度的發(fā)射的電壓，其中至少95%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。43.—種從有機發(fā)光器件產(chǎn)生光發(fā)射的方法，其包括獲得包含陽極、陰極和發(fā)射層的有機發(fā)光器件，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物，且經(jīng)過陽極和陰極施加足以產(chǎn)生來自器件的發(fā)射的電壓，其中器件發(fā)射具有實質(zhì)與第二器件相同的CIE，第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。44.有機發(fā)光器件，其含有陽極、陰極和發(fā)射層，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物；其中在器件的正常亮度范圍內(nèi)來自器件的至少95%的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。45.有機發(fā)光器件，其含有陽極、陰極和發(fā)射層，其中發(fā)射層位于陽極和陰極之間，且發(fā)射層包含基質(zhì)化合物；室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物；和室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物；其中器件具有在器件的正常發(fā)光范圍內(nèi)實質(zhì)上與第二器件相同的CIE，其中第二器件與該器件的不同之處僅在于第二器件具有不含第一化合物的發(fā)射層。全文摘要有機發(fā)光器件，其包含陽極、陰極和位于陽極和陰極之間的發(fā)射層，提供了基質(zhì)化合物、在室溫下能夠發(fā)射磷光的第一化合物和在室溫下能夠發(fā)射磷光的第二化合物。當(dāng)將合適的電壓經(jīng)過陽極和陰極施加時，至少95％的來自器件的發(fā)射由第二化合物產(chǎn)生。文檔編號H01L51/50GK101427397SQ200780014066公開日2009年5月6日申請日期2007年4月19日優(yōu)先權(quán)日2006年4月20日發(fā)明者M(jìn)·S·韋弗,M-H·M·盧,V·阿達(dá)莫維奇申請人:通用顯示公司