專利名稱：用于微電子封裝的基板和制造該基板的方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及微電子組件，并且特別地，涉及用在微電子組件中 的襯底及制造這種基板的方法。
背景技術：
在電子組件中廣泛使用電路面板或基板。典型的電路面板一般包括電 介質(zhì)材料的片或板形式的電介質(zhì)元件，該片或板具有許多在其上延伸的導 電跡線。所述跡線可設在一個層中或多個層中，由電介質(zhì)材料層分開。電 路面板或基板也可包括導電元件，諸如延伸穿過電介質(zhì)材料層以對不同層 中的跡線進行互連的通孔襯套(liner)。 一些電路面板用作微電子封裝元 件。微電子封裝通常包括具有一個或多個微電子器件的一個或多個基板， 其中所述微電子器件諸如安裝在這樣的基板上的一個或多個半導體芯片。 基板的導電元件可包括導電跡線和端子，用于與較大基板或電路面板進行 電連接，從而對用以實現(xiàn)器件的所期望功能性的電連接有利。芯片電連接 到跡線且因此連接到端子，使得通過將端子鍵合到較大電路面板上的接觸 焊盤上而將封裝安裝到較大的電路面板。例如，用在微電子封裝中的一些 基板具有從電介質(zhì)元件延伸的引腳形式的端子。
盡管迄今本領域已投入了相當大的努力以開發(fā)基板及制造這樣的基板 的方法，但仍是需要進一步的改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供一種制造用于微電子封裝的基板的方法。該方法期望包括形成模制的電介質(zhì)層，該電介質(zhì)層的表面與基板的導電引腳的 基部和頂端共面?？梢栽陔娊橘|(zhì)層的一側或兩側上形成導電跡線。
本發(fā)明的另外一些方面提供諸如采用所公開的方法制造的那些基板的 基板。本發(fā)明的另外一些方面提供包括一個或多個這樣的基板的微電子封 裝和組件。
上述發(fā)明內(nèi)容既不意味也不應該被理解為代表本發(fā)明的全部內(nèi)容和范 圍，從具體實施方式
部分中，特別是當結合附圖時，本發(fā)明的附加的方面 將變得更顯而易見。


圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的流程圖2A-21是在圖1的方法的連續(xù)階段期間基板的部分的示意圖、平面 圖(圖2A和21)、底視圖(圖2D和2F)以及截面圖(圖2B-2C、 2E和2G-2H);
圖3A-3B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖4A-4D是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖5A-5C是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖6A-6D是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖7A-7B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖8A-8D是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在方法的連續(xù)階段期間制造的基 板的部分的示意圖、截面圖9A-9D是采用根據(jù)圖1的方法制造的基板的示例性微電子結構的示 意圖、截面圖。
在此，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示各圖中共有的相 同元件。為了舉例說明的目的而簡化這些附圖中的圖像，且這些圖像不是 按比例繪制的。

本發(fā)明的示例性實施例，且因此不能認為是對本發(fā)明的范圍 的限制，本發(fā)明的范圍也包括其它效果相同的實施例。
具體實施例方式
圖1示出舉例說明用于制造根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有模制的電
介質(zhì)層的基板的方法100的流程圖。方法100包括在基板的制造期間執(zhí)行
的處理步驟。在一些實施例中，按圖示的順序執(zhí)行這些處理步驟。在備選 實施例中，可以同時執(zhí)行或以不同的順序執(zhí)行這些步驟中的至少兩個。子 步驟或輔助的工序(例如，在處理反應器之間的基板傳送、基板清洗子步 驟、處理控制子步驟，等等)在現(xiàn)有技術中眾所周知，因此在此不再贅述。
這些附圖中的截面圖是沿著使用方法100制造的基板的導電板的中心線1-1 (僅在圖2A中示出)任意截取的。
方法100開始于步驟102，繼而進行步驟104。根據(jù)本發(fā)明的一個實施 例的方法使用具有周邊202的導電板200 (圖2A)。在該特定實施例中，該 板200包括導電性主要金屬(例如，銅(Cu))的層204和206以及諸如鎳 (Ni)層的導電阻擋層208(圖2B)。板200的厚度通常選在約10Mm到600Mm 的范圍內(nèi)(例如50Pm或100Mm)，然而層204、 206和208通常分別具有約 5 Wn到300Mm， 5 Mm到300Mm以及0. 1 Mm到3陶的厚度。在一個示例性實 施例中，層204、 206和208的厚度分別為15Pm、 50陶和1 to。
在步驟106處，在板200上形成多個導電引腳210和至少一個可選的 間隔物212(圖2C)。每個引腳210包括基部210A和頂端210B，間隔物212 包括基部212A和頂端212B?；?10A、 212A和頂端210B、 212B的寬度通 常選在約50Mm到1000Mm的范圍內(nèi)，例如200-300Mm。
間隔物212通常具有閉環(huán)壁狀形狀因子(form factor),且設置在板 200的個體部分周圍或鄰近周邊202(如所示)，從而包圍至少一些引腳210， 如在圖2C中的箭頭219的方向上獲得的底視圖(圖2D)中所說明性地示出 的。在特定實施例中，間隔物212包括溝槽218 (任意示出四個溝槽218)， 溝槽218可以在步驟218的模制處理期間使用，如以下參考圖2E所討論的。 在一個實施例中，通過執(zhí)行蝕刻處理，由層206來制造引腳210和間隔物 212，其中所述蝕刻處理使用阻擋層208作為蝕刻停止層以確定蝕刻處理的持續(xù)時間。
引腳210形成在對制造中的基板的電路的元件之間的連接性有利的位 置處。這樣的引腳可具有不同的形狀因子，并且被布置成(例如) 一個或 多個間距在約100Mm到1000Pm之間的范圍(例如400-650Wn)內(nèi)的柵格狀 圖案。
在該方法的下一個階段中，在步驟108處，在板200上形成模制的電 介質(zhì)層220 (圖2E-2G)。在該模制的處理中，將可流動的組合物引入到引 腳210之間且使其固化以形成電介質(zhì)層。該組合物本質(zhì)上可以是任何可以 固化成固體形式并形成電介質(zhì)的材料。
例如，可以使用通過化學反應固化的組合物來形成聚合電介質(zhì)，諸如 環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺。在其它情況下，可流動的組合物可以為升高的溫度 下的熱塑性塑料，可通過冷卻將其固化到固體狀態(tài)。優(yōu)選地，在模制后， 層220形成與板200的特征的鍵合界面。所述組合物可進一步包括影響層 220的特性的一種或多種添加劑。例如，這些添加劑可包括諸如硅石或其他 無機電介質(zhì)的顆粒材料，或諸如短切玻璃纖維的纖維增強材料。
在模制處理期間，板200夾在壓制板214和配合元件(counter element) 216之間(使用虛線示出)，在該實施例中，壓制板214和配合元件216是 模制工具的部件(圖2E)。配合元件216緊靠引腳210的頂端210B，并且 將可流動的模制組合物注入或引入到板200和配合元件216之間的空間內(nèi)。
在圖2E中所示的特定實施例中，將模制組合物穿過配合元件216中的 至少一個開口或門217 (如圖所示)禾n/或壓制板214注入。溝槽218用作
殘存空氣的排氣通道，且也可排出模制組合物的過量材料。 一旦完成模制 處理時，去除壓制板214和配合元件216 (圖2G)。通常，在完成模制步驟 時，引腳的頂端210B無模制組合物。在一些實例中，模制組合物的薄膜可 覆蓋在一些或全部引腳的頂端上面。如果發(fā)生這種情況，則通過對模制電 介質(zhì)層的底部表面226 (圖2G)實施侵蝕模制電介質(zhì)的簡單等離子體蝕刻 或灰化處理，能夠去除該薄膜。
在模制步驟的變型中，可將組合物通過間隔物中的溝槽218注入，而 配合元件中的開口 217可用作通氣口?；蛘撸梢源┻^板的層204和208 形成一個或多個開口 (未示出)，且這些開口可用作用于組合物的注入開口或通氣口。在另一變型中，在配合元件與引腳的頂端接合之前可將組合物
設置為設在引腳的頂端上或配合元件216上的漿狀體(mass),使得當使引 腳與配合元件鄰接時迫使組合物進入引腳之間的空間中。在另一變型中， 當板200包括限定板的單獨部分的多個間隔物212時，開口 217可選擇性 與這樣的部分相關聯(lián)。
在另一實施例中，板200可以是合并多個板200的較大框架242的一 部分(圖2F)。如圖所示，框架242說明性地包括定位孔(sprocket hole) 244和外圍壁246，該框架242的上表面與部件板200中的頂端210B和212B 共面。在該實施例中，模制工具的壓制板和配合元件分別在板242和間隔 物246之上延伸。接著，在模制處理期間，通過可流動耦合到模制工具的 流道系統(tǒng)的單獨的門217，將模制組合物同時引入到部件板200和配合元件 216之間的空間內(nèi)。在完成模制處理時，去除壓制板和配合元件，之后部件 板200可與框架242分離(例如，切除)?；蛘?，可以在以下參考圖2H-21 討論的步驟110之后，進行這樣的分離。
模制步驟形成電介質(zhì)元件或電介質(zhì)層；其底部平面226與引腳的頂端 210B共面，且與間隔物的頂端212B共面(圖2G)。模制步驟也形成電介質(zhì) 元件，其頂部表面228與層208相接合，且因此與引腳的基部210A以及間 隔物的基部212A共面。
在步驟110中，采用(例如)蝕刻處理、由層204和206形成導電跡 線230 (圖2H-21)。跡線230與引腳210 —起形成采用方法100制造的基 板240的電路。每個跡線230可連接到至少一個引腳210和/或連接到至少 一個其它跡線。然而， 一些跡線可"浮置"，也就是，與引腳和其它跡線電 分離。同樣地，引腳中的一個或多個可保持與跡線不連接，盡管大多數(shù)或 全部引腳通常連接到跡線。
至少一條跡線230可以是外圍跡線230A，該外圍跡線230A具有閉環(huán)圖 案且包圍至少一些引腳或其它跡線，如圖2工所舉例說明的，其中使用連接 到各個引腳或其它跡線的基部的實線來圖示這些跡線。在圖示的實施例中， 在間隔物212上設置外圍跡線230A。外圍跡線可進一步包括接觸區(qū)232， 該接觸區(qū)232具有比跡線的其它部分大的寬度。在操作中，外圍跡線以及 間隔物212可降低存在于相同或鄰近基板上的電路之間的電磁干擾(EMI)。跡線230可具有不同的寬度，包括比引腳210的基部210A和頂端210B 的寬度小的寬度(如圖2H-2I所示)，從而有利于制造具有高布線密度的基 板240。通常，跡線230的寬度選擇在約5剛-100陶的范圍內(nèi)(例如， 20-40Mm)，然而，跡線的某些部分(例如，接觸區(qū)234)或某些跡線可具有 大于100Mm的寬度。
根據(jù)另一實施例的基板340A具有形成在中心區(qū)域的凹陷302，該凹陷 302向電介質(zhì)層的底部表面226開口 。通過基本上如參考圖2A-21所述的處 理，能夠形成這樣的基板，除了以下內(nèi)容進行這樣的引腳形成步驟，使 得在中心區(qū)域不形成引腳，并且通過使用具有在中心區(qū)域向上延伸的凸起 的配合元件(未示出)，來修改模制步驟。
在圖3B的實施例的基板340B中，凹陷306 —直延伸到頂部表面228， 因此形成延伸穿過電介質(zhì)層的開口。在模制處理期間，通過接合板的配合 元件上的凸起可形成這樣的凹陷。在圖3B的實施例中，跡線沒有越過凹陷 延伸。然而， 一些或全部跡線可越過凹陷延伸。
或者，可使用沒有這樣的凸起的配合元件來制造電介質(zhì)層，使得在被 模制時的整個底部表面是平的，接著對其進行機械加工或蝕刻，以形成凹 陷302或開口 306。在另一變型中，在電介質(zhì)層中可設置兩個或多個凹陷。 而且，在基板的中心區(qū)域中不需要設置凹陷。
使用具有主要金屬(例如，Cu等)的單層406的導電板400，來制造 根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的基板440 (圖4A)。采用蝕刻處理或電鍍處理在 板400上形成導電引腳410和可選間隔物412 (圖4B)。采用參考圖2E的 上述處理，制造電介質(zhì)層220 (圖4C)。接著，采用蝕刻處理，可由板400 形成包括可選外圍跡線430A的導電跡線430，從而完成制造基板440的步 驟(圖4D)。
使用兩個導電板200和500來制造根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的基板(圖 5A)。在一個實施例中，板500包括主要金屬的單層504。在備選實施例中 (未示出)，導電鍵合材料層可形成在層504的上表面506上。在一個特定 的實施例中(圖5B)，采用常規(guī)金屬耦合處理，諸如熱聲或超聲波鍵合，共 晶鍵合，焊料鍵合，等等，將板500連接到引腳210的頂端210B。接著， 在模制處理期間，板500用作配合元件。在模制操作中，將聚合物注入在板200和500之間。或者，如參考圖2E所描述的那樣對電介質(zhì)層進行模制， 接著在模制的電介質(zhì)層的底部表面上設置板500，并且采用金屬耦合處理， 將板500連接到引腳的頂端。
接著，由板500制造導電跡線530 (圖5C)?？梢圆捎孟嗤募夹g(即 蝕刻處理)在跡線230之前、之后或與跡線230同時形成跡線530。跡線 530可包括可選的外圍跡線(說明性地示出一個外圍跡線530A)。引腳210 和跡線230、 530 —起形成基板540的電路。
根據(jù)另一實施例的處理使用兩個導電板。說明性地，這樣的板是多層 板200A和200B (圖6A)，類似于以上參考圖2B的板200所討論的層，多 層板200A和200B中的每者都包括主要金屬層204和206，以及蝕刻停止層 208。在備選實施例中，這些板中的至少一個可由主要金屬(諸如Cu)的單 層形成。
如以上參考圖2C所討論的，在板200A中制造引腳210，類似地，在板 200B中制造具有基部622和頂端624的引腳610 (圖6B)。選擇引腳610的 位置，使得當將板200A和200B組合在一起時，在板640的至少一個區(qū)域 中，引腳210和610能夠相互散置(interspersed)。例如，可以將引腳210 設置成具有特定間距的第一規(guī)則的柵格圖案，而可以將引腳610設置為具 有相同間距的第二規(guī)則的柵格圖案。
由于引腳是錐形的(也就是說，引腳的頂端小于它們的基部)，所以在 這樣的基板中可將散置的引腳設置得比在同一板上形成的引腳彼此更靠 近，因此增大了制造中的基板中的導電引腳的密度。在第一板200A上的引 腳的頂端210B緊靠第二板200B，而第二板上的引腳的頂端610B緊靠第一 板200A。接著，采用常規(guī)金屬耦合處理，分別將引腳210的頂端210B連接 到板200B,將引腳610的頂端610B連接到板200A。
采用以上參考圖2E所討論的處理，在板之間的空間中對電介質(zhì)層220 進行模制(圖6C)，其中可以將所述板之一用作配合元件。采用蝕刻處理， 對板200A、 200B的層204和208進行圖案化以形成基板640的跡線230和 630 (包括可選的外圍跡線230A和630A)。
根據(jù)另一實施例的處理使用壓制板和配合元件在制造中的基板的周邊 的周圍形成用于模制組合物的外殼?？蓪⒒逯圃斐删哂型鈬g隔物(圖7A中的基板740A和圖9C-9D中的基板)，以及沒有間隔物(圖7B中的基板 7鄉(xiāng))。
根據(jù)另一實施例的處理使用單個板804(圖8A)。板804由主要金屬(例 如銅板)形成，厚度為約10Mm到300Wn。接著，在板804的底部表面上沉 積阻擋層808 (例如，Ni阻擋層)(圖8B)。對阻擋層808進行圖案化，以 在預定的位置處形成用于導電引腳和可選的間隔物的焊盤805 (圖8C)。使 用例如電鍍處理可在焊盤805上形成導電引腳810和間隔物812 (圖8D)。 在圖示的實施例中，所得到的結構包括具有狹槽818的外圍間隔物?？梢?對這樣的結構進行進一步的以上參考圖2D-2I所討論的模制和蝕刻處理。 也能夠以其它方式形成具有板和引腳的結構。例如，可以通過對單個金屬 層或多層金屬層壓體進行模壓來形成這樣的結構。
根據(jù)圖1的方法的另一實施例制造的基板可包括以上參考基板240、 340A-3鄉(xiāng)、440、 540、 640和740A-740B的所討論的特征的組合。例如， 基板440、 540、 640和740A-740可包括凹陷和/或開口 ，如在基板340A-340B 中包括的那些。
圖9A-9D示出使用根據(jù)圖1的方法制造的基板的示例性結構的一系列 示意性截面圖。
可以使用諸如球鍵合和/或引線鍵合技術的技術在基板上安裝微電子 元件或器件。在圖9A-9D中，分別使用附圖標記906和908共同表示適合 于采用球鍵合和引線鍵合技術安裝的器件。類似地，這樣的技術可用于連 接彼此疊置的基板或并置的基板。
更具體地，圖9A、 9B和9C示出示例性微電子結構或單元901、 902和 903，它們中的每一個分別包括一個基板240、 540和640。在圖9A所示的 實施例中，基板240設置在電路面板912上且連接到電路面板912，并且包 括導電EMI屏蔽910。基板212的引腳的頂端端部(end)被焊料鍵合到電 路面板912的接觸焊盤。微電子器件906、 908和EMI屏蔽910安裝在基板 240的上表面241上。EMI屏蔽910球鍵合到基板的外圍跡線230A，且同樣 地電連接到間隔物212。在此，將間隔物212進一步連接到電路面板912的 地接觸焊盤914。例如，使用通常用于在電路板上表面安裝微電子元件的焊 料鍵合技術，可將包括基板240、器件906和908以及屏蔽910的單元安裝到面板912。在圖9B和9C所示的實施例中，分別將器件906和908安裝到 基板540和640的兩側上。
可將上述基板互連以形成多基板結構。圖卯示出包括兩個疊置的單元 640A和640B的示例性組件或封裝904，每個單元包括上述的基板。疊置的 單元中的一個(使用附圖標記640B表示)具有在基板的模制的電介質(zhì)層中 形成的凹陷。因此，其它單元640A的基板構成具有頂部表面、暴露在所述 面板的頂部表面的接觸焊盤，以及安裝到所述面板且從其向上延伸的附加 電路元件906的面板。單元640B的電介質(zhì)層覆蓋在單元640A中的面板的 頂部表面上。附加的電路元件906容納在凹陷中。將單元640A中的引腳的 頂端端部鍵合到所述面板的接觸焊盤。說明性地，使用這樣的技術也連接 單元640A和640B的疊置基板的外圍線和一部分跡線，以形成組件904。在 變型中，組件904可包括兩個以上的基板或不同類型的基板。
盡管在此已經(jīng)參考特定實施例描述本發(fā)明，但應該理解這些實施例僅 舉例說明了本發(fā)明的原理和應用。因此，應該理解可對說明性實施例進行 許多修改，在不脫離所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可設計其它布置。
權利要求
1、一種微電子基板，包括多個第一接觸引腳，每個第一引腳具有基部和頂端；多個第一導電跡線，至少一些所述跡線耦合到引腳的基部，使得所述第一引腳從所述第一跡線向下凸起；以及模制的電介質(zhì)層，設置在所述引腳周圍的區(qū)域中且具有與所述第一引腳的所述頂端共面的底部表面。
2、 根據(jù)權利要求1所述的基板，其中所述電介質(zhì)層具有與所述第一引 腳的基部共面的頂部表面，所述跡線在所述電介質(zhì)層的所述頂部表面上延 伸。
3、 根據(jù)權利要求l所述的基板，其中所述第一跡線包括導電主要金屬 和設置在所述主要金屬和所述引腳的所述基部之間的導電阻擋層。
4、 根據(jù)權利要求3所述的基板，其中所述阻擋層由Ni形成。
5、 根據(jù)權利要求1所述的基板，其中所述引腳形成至少一個具有在 100-10000to的范圍內(nèi)的間距的柵格狀圖案。
6、 根據(jù)權利要求1所述的基板，其中所述第一跡線的寬度等于或小于 耦合到所述跡線的所述第一引腳的所述基部的寬度。
7、 根據(jù)權利要求1所述的基板，其中 所述跡線和所述引腳主要包括Cu;并且 所述電介質(zhì)層主要包括環(huán)氧樹脂。
8、 根據(jù)權利要求l所述的基板，其中不同的所述第一引腳具有不同的 形狀因子。
9、 根據(jù)權利要求1所述的基板，其中所述電介質(zhì)層具有向所述電介質(zhì) 層的底部表面開口的凹陷，所述引腳與所述凹陷水平偏離。
10、 根據(jù)權利要求9所述的基板，其中所述電介質(zhì)層包括中心區(qū)域和 外圍區(qū)域，該中心區(qū)域具有形成在其中的所述凹陷，該外圍區(qū)域在所述中 心區(qū)域的相對側上延伸，所述引腳延伸穿過所述外圍區(qū)域。
11、 根據(jù)權利要求10所述的基板，其中至少一些所述跡線在所述中心 區(qū)域上延伸。
12、 一種包括如權利要求IO所述的基板和設置在所述第一跡線之上的 微電子元件的單元，所述微電子元件通過至少一些所述跡線電連接到至少 一些所述第一引腳。
13、 一種包括如權利要求12所述的單元和包括面板的附加子組件的組 件，該面板具有頂部表面、暴露在所述面板的所述頂部表面處的接觸焊盤 和安裝到所述面板且從所述面板向上延伸的附加電路元件，所述單元的所 述電介質(zhì)層覆蓋在所述面板的所述頂部表面上，使得所述附加電路元件容 納在所述凹陷中，所述第一引腳的頂端端部被鍵合到所述面板的所述接觸 焊盤。
14、 根據(jù)權利要求1所述的基板，進一步包括具有閉環(huán)形狀因子的外 圍跡線，所述外圍跡線包圍至少一些所述第一跡線。
15、 根據(jù)權利要求14所述的基板，其中所述外圍跡線包括寬度比所述 跡線的寬度大的接觸區(qū)。
16、 根據(jù)權利要求1所述的基板，進一步包括間隔物，該間隔物具有 包圍至少一些所述引腳的閉環(huán)形狀因子。
17、 根據(jù)權利要求15所述的基板，其中所述間隔物具有與所述第一引 腳的頂端共面的底部邊緣。
18、 根據(jù)權利要求16所述的基板，其中所述間隔物具有至少一個開口。
19、 根據(jù)權利要求1所述的基板，進一步包括在所述電介質(zhì)層的所述 底部表面上延伸的多個第二跡線，至少一些所述第二跡線耦合到至少一些 所述第一引腳的所述頂端端部。
20、 根據(jù)權利要求1所述的基板，進一步包括具有在所述電介質(zhì)層的 所述底部表面處的基部的多個第二引腳，所述第二引腳穿過所述電介質(zhì)層 向上延伸且具有遠離所述底部表面的頂端，至少一些所述第一跡線耦合到 至少一些所述第二引腳的所述頂端。
21、 根據(jù)權利要求20所述的基板，其中所述第一引腳的所述基部比所 述第一引腳的所述頂端寬，并且其中所述第二引腳的所述基部比所述第二 引腳的所述頂端寬，以及其中至少一些所述第一和第二引腳被散置，使得 至少一些第二引腳的所述頂端位于至少一些第一引腳的所述基部之間，且 使得至少一些第一引腳的所述頂端位于至少一些第二引腳的所述基部之 間。
22、 根據(jù)權利要求20所述的基板，進一步包括在所述電介質(zhì)層的所述 底部表面上延伸的多個第二跡線，至少一些所述第二跡線耦合到至少一些 所述引腳。
23、 一種包括根據(jù)權利要求1所述的基板和至少一個微電子元件的單 元，所述微電子元件通過至少一些所述跡線電連接到至少一些所述第一引 腳。
24、 一種包括多個如權利要求23所述的單元的組件，所述多個單元疊 置在堆疊的配置中，其中堆疊中的較高單元中的所述第一引腳的所述頂端 端部電連接到堆疊中的較低單元的所述第一引腳。
25、 一種制造微電子基板的方法，包括以下步驟(a) 提供第一導電板，該第一導電板具有從該板凸起的多個第一接觸引腳；(b) 在第一引腳周圍模制電介質(zhì)層；以及(c) 由所述第一板形成多個第一跡線，使得至少一些所述跡線耦合到 至少一些所述第一引腳。
26、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中執(zhí)行所述模制步驟，以便形成 具有與遠離所述第一板的所述引腳的頂端端部共面的表面的所述電介質(zhì) 層。
27、 根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述模制步驟包括使配合元件 緊靠所述引腳的所述頂端端部，且將可流動的模制組合物引入到所述引腳 周圍、所述板和所述配合元件之間。
28、 根據(jù)權利要求27所述的方法，其中所述配合元件是第二導電板， 所述方法進一步包括將所述引腳的所述頂端端部鍵合到所述第二導電板。
29、 根據(jù)權利要求28所述的方法，進一步包括如下步驟由所述第二 板形成導電跡線，使得至少一些所述第二跡線耦合到至少一些所述引腳。
30、 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中所述第二板具有從該第二板凸 起的導電第二引腳，所述緊靠步驟包括使遠離所述第二板的所述第二引腳 的頂端端部緊靠所述第一板且將所述第二引腳的所述頂端端部鍵合到所述 第一板。
31、 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述緊靠步驟包括定位板，使 得至少一些所述第二引腳與至少一些所述第一引腳散置，以形成包括交替 配置的第一和第二引腳的陣列。
32、 根據(jù)權利要求31所述的方法，其中所述第一引腳是錐形的且在所 述第一板處具有直徑比所述第一引腳的所述頂端端部大的基部，并且其中 所述第二引腳是錐形的且具有直徑比所述第二引腳的所述頂端端部大的基 部，所述定位步驟將至少一些所述第一引腳的所述頂端端部置于所述第二 引腳的基部之間，并且將至少一些所述第二引腳的所述頂端端部置于所述 第一引腳的基部之間。
33、 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述執(zhí)行形成所述第一跡線的 步驟，使得至少一些所述第一跡線耦合到所述第二引腳的頂端端部。
34、 根據(jù)權利要求30所述的方法，進一步包括由所述第二板形成多個 第二跡線，至少一些所述跡線耦合到至少一些所述引腳。
35、 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中所述板之一具有從該板凸起的 壁，所述緊靠步驟包括使所述壁緊靠所述板中的另一個，使得所述壁至少 部分地包圍至少一些所述引腳，引入所述模制組合物的步驟包括將所述模 制組合物引入到所述壁內(nèi)。
36、 根據(jù)權利要求35所述的方法，其中所述壁中具有至少一個開口 ， 所述方法進一步包括在引入所述模制組合物期間允許空氣通過所述至少一 個開口排出。
37、 根據(jù)權利要求35所述的方法，其中所述壁中具有至少一個開口， 所述引入所述模制組合物的步驟包括通過所述至少一個開口引入所述模制 組合物。
38、 根據(jù)權利要求28所述的方法，其中所述引入所述模制組合物的步 驟包括通過至少一個所述板中的至少一個孔引入所述模制組合物。
39、 根據(jù)權利要求27所述的方法，其中所述配合元件是工具，所述方 法進一步包括在引入所述模制組合物之后去除所述配合元件。
40、 根據(jù)權利要求39所述的方法，其中所述引入模制組合物的步驟包 括通過所述配合元件中的孔引入所述模制組合物。
41、 根據(jù)權利要求39所述的方法，其中所述第一板具有從該第一板凸 起的壁，該壁至少部分地包圍至少一些所述引腳，所述緊靠步驟包括使所 述壁緊靠所述工具，所述引入步驟包括將所述模制組合物引入到所述壁內(nèi)。
42、 根據(jù)權利要求41所述的方法，其中所述壁中具有至少一個開口， 所述方法進一步包括在引入所述模制組合物期間允許空氣通過所述至少一 個開口排出。
43、 根據(jù)權利要求41所述的方法，其中所述壁中具有至少一個開口， 所述引入所述模制組合物的步驟包括通過所述至少一個開口引入所述模制 組合物。
44、 根據(jù)權利要求25所述的方法，進一步包括如下步驟將微電子器 件安裝到所述基板，使得所述微電子器件的觸點電連接到至少一些所述引 腳。
45、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述至少一個板主要由Cu形成。
46、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述步驟(a)包括在所述板 上形成所述引腳。
47、 根據(jù)權利要求46所述的方法，其中所述形成步驟包括蝕刻前體元 件，該前體元件包括夾在導電結構層之間的導電阻擋層。
48、 根據(jù)權利要求47所述的方法，其中所述形成步驟包括執(zhí)行采用 所述阻擋層作為蝕刻停止層的蝕刻處理，從而由所述結構層之一的材料形 成所述引腳。
49、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述模制步驟包括由環(huán)氧樹脂 模制所述電介質(zhì)層。
50、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述模制步驟包括 將所述基板的一個區(qū)域中的所述電介質(zhì)層模制成基本上比所述基板的相鄰區(qū)域中的所述電介質(zhì)層的厚度小。
51、 根據(jù)權利要求50所述的方法，其中執(zhí)行所述模制步驟，使得厚度 基本上較小的區(qū)域位于所述基板的無所述引腳的區(qū)域中。
52、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述步驟(c)包括 使用蝕刻處理形成所述跡線。
53、根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述步驟(c)進一步包括 形成寬度等于或小于耦合到所述跡線的所述引腳的所述端部的寬度的 跡線。
54、 根據(jù)權利要求25所述的方法，進一步包括 采用球鍵合技術，將所述基板選擇性地耦合到設置在所述基板之上或之下的其它基板。
55、 根據(jù)權利要求54所述的方法，進一步包括對所述基板的所述引腳和/或跡線進行選擇性的互連。
56、 根據(jù)權利要求25所述的方法，進一步包括使用引線鍵合技術將所述基板選擇性地耦合到與所述基板并置的至少 一個其它基板。
57、 根據(jù)權利要求56所述的方法，進一步包括 對所述基板的所述跡線進行選擇性的互連。
58、 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述第一導電板是合并多個這 樣的板的導電框架的區(qū)域。
59、 根據(jù)權利要求58所述的方法，其中所述框架包括包圍所述多個板 且具有與所述板的所述引腳的頂端端部共面的上表面的外圍壁。
60、 根據(jù)權利要求58所述的方法，其中所述模制步驟包括將配合元件 緊靠所述多個板的所述引腳的所述頂端端部，并將可流動的模制組合物引 入到所述弓I腳周圍以及每個所述板和所述配合元件之間。
61、 根據(jù)權利要求58所述的方法，進一步包括 在所述模制步驟之后，分開所述板。
62、 根據(jù)權利要求58所述的方法，進一步包括 在所述形成步驟之后，使所述板分離。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有模制的電介質(zhì)層(220)的基板(240)及制造這樣的基板的方法?；蹇砂ㄑ由齑┻^模制的層(220)的引腳(210)，且可包括連接到所述引腳的跡線(230)。所述基板可有利地用于具有高布線密度的微電子組件中。
文檔編號H01L21/60GK101432862SQ200780015169
公開日2009年5月13日 申請日期2007年4月4日 優(yōu)先權日2006年4月7日
發(fā)明者A·阿爾瓦雷斯, B·哈巴, C·S·米切爾 申請人:泰塞拉公司