專利名稱：Cis系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性 試-瞼方法。
背景技術(shù)：
本案申請人的基本的CIS系薄膜太陽電池模塊已經(jīng)通過 IEC61646(國際電機(jī)標(biāo)準(zhǔn)會議標(biāo)準(zhǔn)61646)(第 一版)。已知通常在 IEC61646(第一版)所采用的高溫高濕保管試馬全(在溫度85。C、相 對濕度85%的比較高的溫度和比較高的濕度的條件下，在黑暗 中保管IOOO小時(shí)的試驗(yàn))中，在1000小時(shí)的試一瞼后CIS系薄膜太 陽電池模塊出現(xiàn)暫時(shí)的變換效率的劣化，但是通過試驗(yàn)后的光 照射而恢復(fù)。
按照上述IEC61646(第 一版)進(jìn)行上述CIS系薄膜太陽電池 模塊的耐久性試驗(yàn)方法，但是關(guān)于各個(gè)試驗(yàn)事項(xiàng)，按照J(rèn)IS中規(guī) 定的太陽電池相關(guān)JIS項(xiàng)目(參照非專利文獻(xiàn)1),例如JIS C 8911:1998(二次基準(zhǔn)結(jié)晶系太陽電池單元)、JIS C 8912:1998(結(jié) 晶系太陽電池測量用太陽模擬器)、JIS C 8913:1998(結(jié)晶系太 陽電池單元輸出測量方法)、JIS C 8914:1998(結(jié)晶系太陽電池 模塊輸出測量方法)等進(jìn)行。
非專利文獻(xiàn)l:太陽電池相關(guān)JIS目錄(日本標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會發(fā)行)。
實(shí)際上存在如下事例如圖5所示，在上述高溫高濕保管 試驗(yàn)之后，對CIS系薄膜太陽電池模塊照射作為強(qiáng)光的輻射照 度為1000W/m2的光，照射時(shí)間為50分鐘至300分鐘，由此性能 恢復(fù)到初始變換效率的95%以上的范圍。
目前還不明確CIS系薄膜太陽電池模塊通過光照射從高溫高濕保管試驗(yàn)后的暫時(shí)劣化中恢復(fù)的原因，這是關(guān)于CI s系薄
膜太陽電池模塊技術(shù)所殘留的問題之一。
為了理解這種現(xiàn)象，本案申請人預(yù)測當(dāng)在高溫高濕保管試
驗(yàn)期間對CIS系薄膜太陽電池模塊連續(xù)固定時(shí)間照射光時(shí)不會 出現(xiàn)任何劣化，并對關(guān)于CIS系薄膜太陽電池模塊的耐久性試
驗(yàn)進(jìn)行了研究。
如上所述，CIS系薄膜太陽電池模塊具有如下特性在上 述以往的、在黑暗中進(jìn)行保管的高溫高濕保管試-瞼中，在IOOO 小時(shí)的試驗(yàn)后出現(xiàn)暫時(shí)的變換效率的劣化，但是通過試驗(yàn)后的 光照射會恢復(fù)，因而上述以往的高溫高濕保管試驗(yàn)方法存在沒 有適當(dāng)?shù)卦u價(jià)CIS系薄膜太陽電池模塊的耐久性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明是解決上述問題的發(fā)明，其目的在于提供一種能夠 進(jìn)行與如下特性相應(yīng)的適當(dāng)且穩(wěn)定的特性評價(jià)的改進(jìn)的耐久性 試驗(yàn)方法，其中，上述特性是指避免由以往的IEC61646(第一版) 中規(guī)定的高溫高濕保管試驗(yàn)(在溫度85 °C 、相對濕度85%的比較 高的溫度和比較高的濕度的條件下，在黑暗中保管IOOO小時(shí)的 試驗(yàn))引起的CIS系薄膜太陽電池模塊的變換效率的暫時(shí)劣化， 通過對CIS系薄膜太陽電池模塊照射光，變換效率等太陽電池 特性恢復(fù)。
用于解決問題的方案
(1)本發(fā)明是一種能夠適當(dāng)?shù)貙IS系薄膜太陽電池模塊 的通過弱光照射而恢復(fù)變換效率等的特性進(jìn)行評價(jià)的耐久'性試 驗(yàn)方法，對作為上述耐久性試驗(yàn)的對象的CIS系薄膜太陽電池 模塊進(jìn)行在溫度85。C、相對濕度85%的比較高的溫度、比較高的濕度的條件下在黑暗中保存IOOO小時(shí)的試驗(yàn)、即DampHeat 試驗(yàn)時(shí)，保持上述溫度、濕度以及保存時(shí)間不變，調(diào)整Xe燈等 的強(qiáng)度使得來自模擬太陽光照射裝置(太陽模擬器)的光成為與 陰天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕獠⒃谡麄€(gè)試驗(yàn)期間持續(xù)進(jìn)行照射來 測量各種太陽電池特性。
(2) 本發(fā)明是上述弱光的輻射照度是100 300W/n^的、上 述(1)所述的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方 法。
(3) 本發(fā)明是上述(1)或(2)所述的CIS系薄膜太陽電池模塊 的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法，其中，上述CIS系薄膜太陽電池模 塊是如下模塊對通過圖案化電連接多個(gè)CIS系薄膜太陽電池 器件而成的CIS系薄膜太陽電池子模塊，通過作為粘接劑的加 熱、交聯(lián)的EVA樹脂薄膜粘接玻璃蓋片，在里面?zhèn)韧ㄟ^加熱、 交聯(lián)的EVA樹脂薄膜將底座粘接在玻璃基板上，在其下設(shè)置附 有線纜的連接箱等，在該結(jié)構(gòu)體的外圍通過密封構(gòu)件安裝框架， 其中，上述CIS系薄膜太陽電池器件是在玻璃基板上按照堿性 勢壘層(也可以不形成)、金屬里面電極層(通常為Mo)、 p型CIS 系光吸收層、高電阻緩沖層、n型窗層(透明導(dǎo)電膜)的順序依次 層疊高質(zhì)量薄膜層得到的村底結(jié)構(gòu)的p n異質(zhì)結(jié)器件，上述光吸 收層由多元化合物半導(dǎo)體薄膜、特別是I -111-)/12族黃銅礦半導(dǎo) 體例如二硒化銅銦(CuInSe2:下面簡稱為CISe)、 二竭化銅銦4家 (CuInGaSe2:下面簡稱為CIGSe)、 二硒化銅鎵(CuGaSe2:下面 簡稱為CGSe)、 二硒硫化銅銦鎵(Cu(InGa)(SSe)2:下面簡稱為 CIGSSe)、 二碌u化銅銦(CuInS2:下面簡稱為CIS)、 二硫化銅鎵 (CuGaS2:下面簡稱為CGS)、 二硫化銅銦鎵(CuInGaS2:下面簡 稱為CIGS)、 作為表面層具有薄膜的二硒硫化銅銦鎵 (Cu(InGa)(SSe)2: CIGSSe)的二硒化銅銦鎵(CuInGaSe2: CIGSe)那樣的P型半導(dǎo)體構(gòu)成。 發(fā)明的效果
在以往的IEC61646(第 一 版)中*見定的高溫高濕保管試-驗(yàn) (在溫度8 5 。C 、相對濕度8 5 %的比較高的溫度和比4交高的濕度的 條件下，在黑暗中保管IOOO小時(shí)的試驗(yàn))的耐久性試驗(yàn)方法中， 由于CIS系薄膜太陽電池模塊的變換效率等的暫時(shí)劣化而無法 適當(dāng)且穩(wěn)定地進(jìn)行特性評價(jià)，但是本發(fā)明通過在溫度85。C、相 對濕度85%的比較高的溫度和比較高的濕度的條件下、對作為 試驗(yàn)對象的CIS系薄膜太陽電池模塊持續(xù)整個(gè)試驗(yàn)期間照射與 陰天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕獾母倪M(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法，能夠進(jìn) 行與變換效率等太陽電池特性恢復(fù)的CIS系薄膜太陽電池模塊 的特性相應(yīng)的、實(shí)際的、適當(dāng)且穩(wěn)定的特性評價(jià)。


圖l是本發(fā)明的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性
試驗(yàn)方法(或系統(tǒng))的概要說明圖。
圖2是表示利用本發(fā)明的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法測量得到 的耐久性試驗(yàn)結(jié)果的圖。
圖3是作為本發(fā)明的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法的試驗(yàn)對象的 CIS系薄膜太陽電池模塊的概要結(jié)構(gòu)圖。
圖4是作為本發(fā)明的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法的試驗(yàn)對象的 CIS系薄膜太陽電池模塊的結(jié)構(gòu)要素的CIS系薄膜太陽電池器 件的概要結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示利用以往的IEC61646(第 一 版)中規(guī)定的耐久性 試驗(yàn)方法測量得到的耐久性試驗(yàn)結(jié)果(變換效率)的圖。
附圖標(biāo)記說明
1:改進(jìn)耐久性試驗(yàn)系統(tǒng)；1A:耐久性試-驗(yàn)裝置；la:磁二璃窗(光透射窗)；IB: I-V測量部；1C:溫度/濕度控制部；ID: 模擬太陽光照射裝置；IE:光源(Xe燈)；IF:電力供給/控制部； 2: CIS系薄膜太陽電池模塊；2，試驗(yàn)對象CIS系薄膜太陽電池 模塊；3: CIS系薄膜太陽電池子模塊；3， CIS系薄膜太陽電池 器件；3A:玻璃基板；3B:堿性勢壘層；3C:金屬里面電極層； 3D: p型光吸收層；3E:高電阻緩沖層；3F: n型窗層(透明導(dǎo) 電膜)；4: EVA樹脂薄膜；5:玻璃蓋片；6:底座；7:附有線 纜的連接箱；8:密封構(gòu)件；9:框架。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方 法是能夠適當(dāng)?shù)貙I s系薄膜太陽電池模塊的通過弱光照射而
恢復(fù)變換效率等的特性進(jìn)行評價(jià)的耐久'性試驗(yàn)方法。
如圖3所示，作為本發(fā)明的耐久性試驗(yàn)的對象的CIS系薄膜 太陽電池模塊2為如下結(jié)構(gòu)對通過圖案化電連接多個(gè)CIS系薄 膜太陽電池器件3，(參照圖4)的CIS系薄膜太陽電池子模塊3 ，通 過作為粘接劑的加熱、交聯(lián)的EVA樹脂薄膜4粘接玻璃蓋片5， 在里面?zhèn)韧ㄟ^加熱、交聯(lián)的E VA樹脂薄膜4將底座6粘接在玻璃 基板3A上，在其下設(shè)置附有線纜的連接箱7等，在該結(jié)構(gòu)體的 外圍通過密封構(gòu)件8安裝框架9。
上述CIS系薄膜太陽電池器件3 ，是如圖4所示的基本結(jié)構(gòu)， 是在由青板玻璃等構(gòu)成的玻璃基板3 A上按照堿性勢壘層3 B (也 可以不形成)、金屬里面電極層(通常為Mo)3C、 p型CIS系光吸 收層3D、高電阻緩沖層3E、 n型窗層(透明導(dǎo)電膜)3F的順序依 次層疊高質(zhì)量薄膜層得到的襯底結(jié)構(gòu)的p n異質(zhì)結(jié)器件。上述 CIS系光吸收層3D由多元化合物半導(dǎo)體薄膜、特別是I -III-VI2 族黃銅礦半導(dǎo)體例如二硒化銅銦(CuInSe2:下面筒稱為CISe)、二硒化銅銦鎵(CuInGaSe2:下面簡稱為CIGSe)、 二顧化銅鎵 (CuGaSe2:下面簡稱為CGSe)、 二硒硫化銅銦鎵(Cu(InGa)(SSe)2: 下面簡稱為CIGSSe)、 二硫化銅銦(CuInS2:下面簡稱為CIS)、 二硫化銅鎵(CuGaS2 : 下面簡稱為CGS) 、 二硫化銅銦鎵 (CuInGaS2:下面簡稱為CIGS)、作為表面層具有薄膜的二竭石克 化銅銦鎵(Cu(InGa)(SSe)2 : CIGSSe)的二硒化銅銦鎵 (CuInGaSe2: CIGSe)那樣的p型半導(dǎo)體構(gòu)成。
下面說明本發(fā)明的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久 性i式馬t方法。
本案申請人預(yù)測當(dāng)在高溫高濕保管試驗(yàn)期間對CIS系薄膜
為了確認(rèn)此事進(jìn)行如下改進(jìn)高溫高濕保管試-驗(yàn)通過調(diào)整模擬 太陽光照射裝置(太陽模擬器)的Xe燈等的強(qiáng)度，在整個(gè)試驗(yàn)期 間持續(xù)照射與陰天的日照射量相當(dāng)?shù)妮椛湔斩?00 300W/rr^的弱光。
本發(fā)明的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方 法是能夠適當(dāng)?shù)貙θ鐖D3所示那樣的CIS系薄膜太陽電池模塊 的通過弱光照射而恢復(fù)變換效率等的特性進(jìn)行評價(jià)的耐久'性試 驗(yàn)方法，在對作為上述耐久性試驗(yàn)對象的CIS系薄膜太陽電池 模塊進(jìn)行在溫度85。C、相對濕度85%的比較高的溫度、比較高 的濕度的條件下在黑暗中保存1000小時(shí)的試驗(yàn)、即DampHeat 試驗(yàn)(耐濕性試驗(yàn))時(shí)，保持上述溫度、濕度以及保存時(shí)間不變， 調(diào)整Xe燈等的強(qiáng)度使得來自模擬太陽光照射裝置(太陽模擬器) 的光成為與陰天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕?、?00 300W/n^程度， 在試驗(yàn)期間持續(xù)進(jìn)行照射來測量各種太陽電池特性，適當(dāng)?shù)貙?在以開路狀態(tài)保管的上述CIS系薄膜太陽電池模塊在經(jīng)過上述 試驗(yàn)時(shí)間后也不會出現(xiàn)大幅度的劣化的特性進(jìn)行評價(jià)。此外，在將正負(fù)的線纜設(shè)為開路狀態(tài)的CI s系薄膜太陽電池模塊的情
況下容易恢復(fù)。
為了實(shí)施上述本發(fā)明的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的
耐久性試驗(yàn)方法，利用圖l所示的改進(jìn)耐久性試驗(yàn)系統(tǒng)l進(jìn)行了
試驗(yàn)。改進(jìn)耐久'l"生試驗(yàn)系統(tǒng)1在封閉結(jié)構(gòu)的耐久性試驗(yàn)裝置1A 的一部分上設(shè)置光照射(光透射)用的玻璃窗l(fā)a，通過溫度/濕度 控制部1C將耐久性試驗(yàn)裝置1A內(nèi)設(shè)定為溫度85。C 、相對濕度 85%。并且，在整個(gè)試驗(yàn)期間從配置在離耐久性試驗(yàn)裝置1A固 定間隔的位置上的模擬太陽光照射裝置(太陽模擬器)1D內(nèi)的、 作為光源1E的Xe燈等對保管在耐久性試驗(yàn)裝置lA內(nèi)的試驗(yàn)對 象的CIS系薄膜太陽電池模塊2，的受光面持續(xù)照射與陰天的曰 照射量相當(dāng)?shù)娜豕獾妮椛湔斩取⒓?00 300W/n^程度的光。通 過電力供給控制部1F的電量的調(diào)整來進(jìn)行上述光的調(diào)整。利用 I-V測量部1B測量來自受到上述光的照射的CIS系薄膜太陽電 池模塊2，的電流和電壓，對試驗(yàn)時(shí)間IOOO小時(shí)的測量數(shù)據(jù)進(jìn)行 測量，得到太陽電池特性數(shù)據(jù)(變換效率、曲線要素、開路電壓、 短;洛電流)。
下面示出利用使用上述耐久性試驗(yàn)系統(tǒng)l的上述改進(jìn)的耐 久性試驗(yàn)方法測量得到的試驗(yàn)結(jié)果的 一例。
在改進(jìn)的改進(jìn)高溫高濕保管方法中，在整個(gè)試驗(yàn)期間對具 有由玻璃蓋片/EVA樹脂/CIS系薄膜太陽電池子模塊/玻璃基板 等構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu)的試驗(yàn)對象的CIS系薄膜太陽電池模塊2，(參 照圖3)持續(xù)照射100 300W/m2的弱光的情況下，如圖2所示，即 使在經(jīng)過作為試驗(yàn)時(shí)間的1000小時(shí)之后，以開路狀態(tài)保管的該 太陽電池模塊2，的太陽電池特性(變換效率EffT/。]、曲線要素 FF、短路電流Isc[A]、開路電壓Voc[V])的劣化也大幅度地減小。
根據(jù)該結(jié)果，認(rèn)為將上述IEC61646中規(guī)定的現(xiàn)行的DampHeat試驗(yàn)條件和期間、即溫度85。C、相對濕度85%的比較 高的溫度和高的濕度的條件下在黑暗中保管10 0 0小時(shí)的試驗(yàn)應(yīng) 用于CIS系薄膜太陽電池模塊2的情況作為實(shí)際應(yīng)用或保存的 條件都不適合。
在屋外暴露試驗(yàn)中，關(guān)于本案申請人的CIS系薄膜太陽電 池模塊2的輸出性能，只要關(guān)于暴露三年后的上述模塊的模塊結(jié) 構(gòu)的封裝化或模塊化完全滿足基本的制造基準(zhǔn)就完全沒有出現(xiàn) 劣化。
特別是，應(yīng)該理解通過光照射來恢復(fù)變換效率的機(jī)制或效 果，對于CIS系薄膜太陽電池模塊2來說，上述本發(fā)明的改進(jìn)耐 久性試驗(yàn)條件比現(xiàn)有的高溫高濕保管試驗(yàn)更接近實(shí)際的屋外暴 露狀態(tài)，因此應(yīng)認(rèn)為是比現(xiàn)行的高溫高濕保管試驗(yàn)實(shí)施后的輸 出性能值更接近實(shí)際的值。
以上，在利用以往的IEC61646(第一版)中規(guī)定的高溫高濕 保管試驗(yàn)(在溫度8 5 。C 、相對濕度8 5 %的比較高的溫度和比較高 的濕度的條件下，在黑暗中保管IOOO小時(shí)的試驗(yàn))進(jìn)行的高溫高 濕保管試驗(yàn)(耐久性試驗(yàn))方法中，由于CIS系薄膜太陽電池模塊 2的變換效率等發(fā)生暫時(shí)的劣化的特性，無法適當(dāng)且穩(wěn)定地進(jìn)行 特性評價(jià)，但是，利用本發(fā)明的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法、即在 溫度85。C 、相對濕度85%的比4交高的溫度和比專交高的濕度的條 件下、在整個(gè)試驗(yàn)期間對作為試驗(yàn)對象的CIS系薄膜太陽電池 模塊2持續(xù)地照射弱光的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法，能夠進(jìn)行與變 換效率等太陽電池特性恢復(fù)的CIS系薄膜太陽電池模塊的特性 相應(yīng)的、實(shí)際的、適當(dāng)且穩(wěn)定的特性評價(jià)。
另外，如上所述，CIS系薄膜太陽電池模塊2具有如下特性 (性質(zhì))在高溫高濕保管試驗(yàn)(在溫度85。C、相對濕度85%的比 較高的溫度和比較高的濕度的條件下，在黑暗中保管IOOO小時(shí)的試驗(yàn))中，在1000小時(shí)的試驗(yàn)后出現(xiàn)變換效率的暫時(shí)的劣化，
但是通過在試驗(yàn)后持續(xù)照射弱光來恢復(fù)變換效率，下面說明適
于上述CIS系薄膜太陽電池模塊2的特性(性質(zhì))的CIS系薄膜太 陽電池模塊的保管或管理方法(或裝置)。
在制造CIS系薄膜太陽電池模塊2之后直到安裝為止的保 管期間，對各CIS系薄膜太陽電池模塊2的受光面持續(xù)照射與陰 天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕?、即輻射照?00 300W/m2程度的光， 由此能夠防止(避免)各CIS系薄膜太陽電池模塊2的變換效率等 的劣化(降低)，能夠緊接在安裝之后獲得最大的變換效率等。 此外，作為光源，不限于Xe燈，考慮其它的成本和性能而能夠 酌情選擇合適的光源。
在保管上述CIS系薄膜太陽電池模塊2時(shí)，通過持續(xù)照射弱 光能夠發(fā)揮最大限度的變換效率等太陽電池特性，因此，將保 管裝置或保管庫設(shè)為如下結(jié)構(gòu)白天由太陽光照射，例如將屋 頂或墻壁設(shè)為陽光可透射的玻璃、塑料等透明材料是合適的， 夜間設(shè)置上述人工光源，并且利用光反射或光散射裝置使各 CIS系薄膜太陽電池模塊2的受光面的輻射照度為100~300W/m2 程度。
另外，作為保管上述CIS系薄膜太陽電池模塊2時(shí)的各模塊 2的配置方法，當(dāng)配置成各模塊的受光面與相反的背面之間接觸 時(shí)，各模塊的受光面充分地接觸光。
另外，在將上述CIS系薄膜太陽電池模塊2搬運(yùn)到安裝場所 的情況下，應(yīng)用上述進(jìn)行保管時(shí)的配置方法和透明的包裝材料， 當(dāng)配置成各模塊的受光面與相反的背面之間相接觸時(shí)，各模塊 的受光面充分地接觸光，能夠在緊接著安裝之后獲得最大的變 換效率等。
權(quán)利要求
1. 一種CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法，是能夠適當(dāng)?shù)貙IS系薄膜太陽電池模塊的通過弱光照射而恢復(fù)變換效率等的特性進(jìn)行評價(jià)的耐久性試驗(yàn)方法，其特征在于，對作為上述耐久性試驗(yàn)的對象的CIS系薄膜太陽電池模塊進(jìn)行在溫度85℃、相對濕度85％的比較高的溫度、比較高的濕度的條件下在黑暗中保存1000小時(shí)的試驗(yàn)、即DampHeat試驗(yàn)時(shí)，保持上述溫度、濕度以及保存時(shí)間不變，調(diào)整Xe燈等的強(qiáng)度使得來自模擬太陽光照射裝置(太陽模擬器)的光成為與陰天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕獠⒃谡麄€(gè)試驗(yàn)期間持續(xù)進(jìn)行照射來測量各種太陽電池特性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIS系薄膜太陽電池模塊的改進(jìn) 的耐久性試-驗(yàn)方法，其特征在于，上述弱光的輻射照度是100~300W/m2。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CIS系薄膜太陽電池模塊的改 進(jìn)的耐久性試驗(yàn)方法，其特征在于，上述CIS系薄膜太陽電池模塊是如下模塊對通過圖案化 電連接多個(gè)CIS系薄膜太陽電池器件而成的CIS系薄膜太陽電 池子模塊，通過作為粘接劑的加熱、交聯(lián)的EVA樹脂薄膜粘接 玻璃蓋片，在里面?zhèn)韧ㄟ^加熱、交聯(lián)的EVA樹脂薄膜將底座粘 接在玻璃基板上，在其下設(shè)置附有線纜的連接箱等，在該結(jié)構(gòu) 體的外圍通過密封構(gòu)件安裝框架，其中，上述CIS系薄膜太陽 電池器件是在玻璃基板上按照堿性勢壘層、金屬里面電極層(通 常為Mo)、 p型CIS系光吸收層、高電阻緩沖層、n型窗層(透明 導(dǎo)電膜)的順序依次層疊高質(zhì)量薄膜層得到的襯底結(jié)構(gòu)的p n異 質(zhì)結(jié)器件，上述光吸收層由多元化合物半導(dǎo)體薄膜、特別是 I -III-Vl2族黃銅礦半導(dǎo)體例如二硒化銅銦(CuInSe2:下面簡稱為CISe)、 二硒化銅銦鎵(CuInGaSe2:下面簡稱為CIGSe)、 二硒 化銅鎵(CuGaSe2 : 下面簡稱為CGSe) 、 二硒硫化銅銦鎵 (Cu(InGa)(SSe)2:下面簡稱為CIGSSe)、 二硫化銅銦(CuInS2: 下面簡稱為CIS)、 二硫化銅鎵(CuGaS2:下面簡稱為CGS)、 二 硫化銅銦鎵(CuInGaS2:下面簡稱為CIGS)、作為表面層具有薄 膜的二硒硫化銅銦鎵(Cu(InGa)(SSe)2: CIGSSe)的二硒化銅銦鎵 (CuInGaSe2: CIGSe)那樣的p型半導(dǎo)體構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明適當(dāng)?shù)貙IS系薄膜太陽電池模塊的通過弱光的照射而恢復(fù)變換效率等的特性進(jìn)行評價(jià)。在CIS系薄膜太陽電池模塊的以往的高溫高濕保管試驗(yàn)條件(在溫度85℃、相對濕度85％、在黑暗中保存1000小時(shí))中，保持上述溫度、濕度以及保存時(shí)間不變，調(diào)整光源(1E)的強(qiáng)度使得來自模擬太陽光照射裝置(太陽模擬器)(1D)的光成為與陰天的日照射量相當(dāng)?shù)娜豕獾妮椛湔斩?、?00～300W/m²并在整個(gè)試驗(yàn)期間持續(xù)進(jìn)行照射，由此能夠適當(dāng)?shù)貙σ蚤_路狀態(tài)保管的上述模塊(2’)經(jīng)過1000小時(shí)后也不會出現(xiàn)大幅度的劣化的特性進(jìn)行評價(jià)。
文檔編號H01L31/032GK101432891SQ20078001577
公開日2009年5月13日 申請日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月1日
發(fā)明者櫛屋勝巳, 栗谷川悟 申請人:昭和硯殼石油株式會社