專利名稱：：電子部件用粘合劑、半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及能夠在接合兩個以上半導體芯片等電子部件時以高精度保持電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的半導體裝置等電子部件的電子部件用粘合劑、使用了該電子部件用粘合劑的半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置。
背景技術：
：近年來，伴隨對以半導體封裝件為首的電子部件的小型化的要求，正在發(fā)揮層疊多個電子部件，形成為多層半導體芯片層疊體的三維安裝方面的作用。另外，正在進行將半導體芯片層疊體等電子部件進一步小型化的研究。伴隨于此，例如，半導體芯片形成為極薄的薄膜，進而在半導體芯片上形成了微細的配線。在這樣的三維安裝的半導體芯片層疊體中尋求各半導體芯片沒有損傷，且保持水平而層疊的技術。針對此，以往出于得到可靠性高的半導體芯片層疊體的目的，探討了保護下層半導體芯片的引線的方法、或出于保持水平而層疊的目的，在半導體芯片間夾有間隔芯片的方法等。作為這樣的方法，例如，在專利文獻1中公開了在層疊多個半導體芯片時，在一個的半導體芯片的層疊另一個的芯片的面散點狀形成間隔物后，層疊另一方的芯片的方法。然而，在這樣的方法中，極其難以將間隔物的厚度及形狀控制為能夠實現(xiàn)半導體芯片層疊體的充分的小型化及高精度的水平層疊的程度。另外，存在工序繁雜的問題。進而，在專利文獻2中公開了在層疊多個半導體芯片時，在連接的半導體芯片之間層疊虛設芯片(dummychip)及間隔物的方法。然而，在由這樣的方法得到的半導體芯片層疊體中，由于虛設芯片，半導體芯片層疊體整體的厚度增大，因此，導致難以進行封裝件高度的低5高度化，并且，多余地需要層疊虛設芯片的工序的問題。另一方面，探討了配合有間隔微粒的粘合劑。例如，在專利文獻3中記載了以具有實質上規(guī)定粘合劑固化后的膜厚的粒徑的硬質塑料微粒為必須成分的粘合劑，記載了能夠利用與平均粒徑20pm相等的厚度的粘合劑層粘合硅元件和引線框。然而，即使在使用了配合有這樣的間隔微粒的粘合劑的情況下，也依然不能解決得到的層疊體的粘合劑層的厚度不均的問題(例如，在引用文獻3的實施例中，厚度的最大值和最小值之間有35Mm厚度差)，存在即使單單添加與期望的膜厚大致相等的間隔微粒，也不能以高精度控制膜厚的問題。專利文獻1:日本特開2003_179200號公報專利文獻2:日本特開2006—66816號公報專利文獻3:日本特開平11—189765號公報
發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于鑒于上述現(xiàn)狀，提供能夠在接合兩個以上半導體芯片等電子部件時以高精度保持電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的半導體裝置等電子部件的電子部件用粘合劑、使用了該電子部件用粘合劑的半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置。本發(fā)明是一種電子部件用粘合劑，其用于接合電子部件，其特征在于，含有具有固化性化合物及固化劑的粘合組合物、和CV值為10%以下的間隔微粒，在使用E型粘度計，在25'C下測定粘度時，lrpm下的粘度為200Pa"以下，10rpm下的粘度為100Pa's以下，且0.5rpm下的粘度為lrpm下的粘度的1.43倍，lrpm下的粘度為10rpm下的粘度的25倍。以下，詳細說明本發(fā)明。本發(fā)明人等經過專心致志的研究結果發(fā)現(xiàn)，便用包含粘合組合物和具有規(guī)定范圍的CV值的間隔微粒，并且用E型粘度計在25'C下測定的粘度特性為規(guī)定范圍內的電子部件用粘合劑，進行了電子部件的接合的情況下，能夠以高精度保持電子部件間的距離，并且，得到的電子部件裝置的可靠性非常高，從而完成了本發(fā)明。就本發(fā)明的電子部件用粘合劑來說，使用E型粘度計，在25'C下測定粘度時，lrpm下的粘度的上限為200Pa*s，10rpm下的粘度的上限為100Pas，且0.5rpm下的粘度為lrpm下的粘度的1.43倍，lrpm下的粘度為10rpm下的粘度的25倍。在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，通過將使用E型粘度計在25"C下測定的粘度設為上述范圍內，例如，使用于半導體芯片層疊體的制造的情況下，在將電子部件用粘合劑涂敷于半導體芯片的工序中，能夠以期望的形狀適當涂敷，能夠將所述形狀維持至層疊其他半導體芯片為止。另外，在層疊其他半導體芯片的工序中，通過在對位后進行加壓，使剩余的電子部件用粘合劑充分地滲出，從而能夠使半導體芯片間的距離(以下，還稱為芯片間距離)形成為與間隔微粒的粒徑基本上相等的距離。本發(fā)明的電子部件用粘合劑的使用E型粘度計，在25'C下測定粘度時的lrpm下的粘度的上限為200Pa，s。若超過200Pas，則在使用于芯片間距離小的半導體芯片層疊體的制造的情況下，顯示高粘性，難以將芯片間距離縮小至間隔微粒的粒徑程度，尤其，在芯片間距離為25nm以下的情況下，困難性顯著。優(yōu)選的上限為150Pa*s。另外，lrpm下的粘度的優(yōu)選的下限為50Pa，s。若小于50Pa，s，則在涂敷后，層疊其他半導體芯片為止的期間，難以維持涂敷時的形狀。另外，例如，在使用于層疊引線接合型半導體芯片的用途的情況下，電子部件用粘合劑有時以每個間隔微粒向引線接合用電極區(qū)域流出。本發(fā)明的電子部件用粘合劑在使用E型粘度計，在25'C下測定粘度時，10rpm下的粘度的上限為100Pa，s。若超過100Pas，則難以以期望的形狀涂敷。優(yōu)選的上限為75Pa's。另外，10rpm下的粘度的優(yōu)選的下限為5Pas。若小于5Pas，則在涂敷后，層疊其他半導體芯片為止的期間，難以維持涂敷時的形狀。另外，例如，在使用于層疊引線接合型半導體芯片的用途的情況下，電子部件用粘合劑有時以每個間隔微粒向引線接合用電極區(qū)域流出。本發(fā)明的電子部件用粘合劑在使用E型粘度計，在25'C下測定粘度時，0.5rpm下的粘度的下限為lrpm下的粘度的1.4倍，上限為3倍。若小于1.4倍，則在涂敷后，層疊其他半導體芯片為止的期間，難以維持涂敷時的形狀。若超過3倍，則在使用于芯片間距離為20)im左右的半導體芯片層疊體的制造的情況下，顯示高粘性，即使按壓，剩余的電子部件用粘合劑也不滲出，因此，難以將芯片間距離縮小至間隔微粒的粒徑的程度為止。優(yōu)選的下限為2倍。本發(fā)明的電子部件用粘合劑在使用E型粘度計，在25。C下測定粘度時，lrpm下的粘度的下限為10rpm下的粘度的2倍，上限為5倍。若小于2倍，則在涂敷本發(fā)明的電子部件用粘合劑后，難以維持描繪形狀。若超過5倍，則在使用于芯片間距離小的半導體芯片層疊體的制造的情況下，顯示高粘性，難以將芯片間距離縮小至間隔微粒的粒徑的程度為止，尤其，在芯片間距離為25)am以下的情況下，困難性顯著。優(yōu)選的上限為3倍。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑在接合上述電子部件時，有時在比25'C高的溫度下接合。此時，本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選在使用E型粘度計，接合電子部件時的溫度(以下，還稱為接合溫度)下測定粘度時，10rpm下的粘度為10Pas以下。若超過10Pas，則在用本發(fā)明的電子部件用粘合劑接合電子部件時，不能排除間隔微粒和電子部件之間的剩余的電子部件用粘合劑，難以將芯片間距離縮小至間隔微粒的粒徑。更優(yōu)選的上限為lPa，s。還有，作為上述接合溫度，不特別限定，但通常為5010(TC左右。本發(fā)明的電子部件用粘合劑含有固化性化合物。作為上述固化性化合物，不特別限定，但例如可以使用通過加聚、縮聚、加成聚合、加成縮合、開環(huán)聚合反應來固化的化合物。具體來說，例如，可以舉出尿素化合物、蜜胺化合物、苯酚化合物、間苯二酚化合物、環(huán)氧化合物、丙烯酸化合物、聚酯化合物、聚酰胺化合物、聚苯并咪唑化合物、二烯丙基酞酸酯化合物、二甲苯化合物、烷基一苯化合物、環(huán)氧丙烯酸酯化合物、硅化合物、尿垸化合物等熱固化性化合物。其中，在接合后得到的半導體裝置等電子裝置的可靠性及接合強度也優(yōu)越，因此，優(yōu)選環(huán)氧化合物、丙烯酸化合物，更優(yōu)選具有酰亞胺骨架的環(huán)氧化合物。作為上述環(huán)氧化合物，不特別限定，例如，可以舉出雙酚A型、雙酚F型、雙酚AD型、雙酚S型等雙酚型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型、甲酚8酚醛清漆型等酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、三苯酚甲垸三縮水甘油醚等之類的芳香族環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯基型環(huán)氧、芴型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、間苯二酚型環(huán)氧、及這些的加氫化物等。其中，得到耐熱性高的電子部件用粘合劑，因此，優(yōu)選含有選自由萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂及間苯二酚型環(huán)氧樹脂構成的組的至少一種。在上述萘型環(huán)氧樹脂中，作為市售品，例如，可以舉出HP—4032、HP—4032D、HP—4700、HP—4701(以上，大日本油墨化學工業(yè)公司制)等。另外，在上述芴型環(huán)氧樹脂中，作為市售品，可以舉出EX—IOIO、1011、1012、1020、1030、1040、1050、1051、1060(以上，長瀨凱米蒂克(^厶亍y夕7)公司制，在上述間苯二酚型環(huán)氧樹脂中，作為市售品，可以舉出EX—201(長瀨凱米蒂克公司制)等。作為上述萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂及間苯二酚型環(huán)氧樹脂，優(yōu)選使用軟化點為60'C以下的樹脂。通過使用軟化點為60'C以下的樹脂，能夠減少用于降低電子部件用粘合劑的粘度而使用的稀釋劑等液態(tài)成分的添加份數(shù)，能夠得到在固化時及固化后揮發(fā)成分少的電子部件用粘合劑。更優(yōu)選使用軟化點為40'C以下的樹脂，進而優(yōu)選使用軟化點為室溫以下的樹脂。在上述市售品中，優(yōu)選HP—4032、HP—4032D、EX—1020、EX—201。作為上述固化性化合物，使用選自由萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂及間苯二酚型環(huán)氧樹脂構成的組的至少一種的情況下，上述固化性化合物中的選自由上述萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂及間苯二酚型環(huán)氧樹脂構成的組的至少一種的配合量的優(yōu)選下限為40重量％。若小于40重量％，則有時得不到具有充分的耐熱性的電子部件用粘合劑。更優(yōu)選的下限為60重量％。另外，優(yōu)選的上限為90重量％。作為上述環(huán)氧化合物，進而可以使用具有NBR、CTBN、聚丁二烯、丙烯酸橡膠等橡膠成分的橡膠改性環(huán)氧化合物、撓曲性化合物等環(huán)氧化合物。在使用這樣的環(huán)氧化合物的情況下，能夠在固化后賦予柔軟性使得耐溫度周期等耐熱性優(yōu)越。另外，使用以往公知的環(huán)氧化合物也可。另外，在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，作為上述固化性化合物，優(yōu)選含有環(huán)氧化合物(A)，其具有在重復單元中具有芳香環(huán)的IO聚體以下的分子結構，且在25'C下為結晶性固體。通過含有上述環(huán)氧化合物(A)，本發(fā)明的電子部件用粘合劑能夠適當實現(xiàn)上述接合溫度下的粘度特性。上述環(huán)氧化合物(A)具有在重復單元中具有芳香環(huán)的10聚體以下的分子結構。這樣的環(huán)氧化合物(A)具有結晶性極高，在25"下形成為結晶性固體，并且，粘度在比25"C高的溫度區(qū)域急劇降低的性質。這被認為如下，即上述環(huán)氧化合物(A)在25。C下如上所述地為結晶性固體，但若為IO聚體以下則為低分子量，因此，通過超過25"C而加熱，結晶結構破壞，導致粘度降低。具體來說，上述環(huán)氧化合物(A)在25'C下為結晶性固體，在5080'C的溫度范圍中用E型粘度計測定的情況下的粘度的上限為lPa"。若超過10聚體，則508(TC的溫度范圍中的粘度變高，若使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，在上述接合溫度下進行電子部件的層疊等，則難以將電子部件間的間隔形成為與間隔微粒的粒徑基本上相等的距離，在電子部件間隔上產生不均。上述環(huán)氧化合物(A)更優(yōu)選3聚體以下。還有，將上述粘度為1Pa's的溫度區(qū)域設為508(TC是考慮了在通常的電子部件層疊體的制造工序中的加熱加壓電子部件時的溫度條件的原因。另外，將上述環(huán)氧化合物(A)形成為結晶性固體的溫度設為25'C是考慮了通常在室溫下進行用于進行電子部件的接合的粘合劑的涂敷的原因。含有這樣的分子結構即在重復單元中具有芳香環(huán)，且為10聚體以下的環(huán)氧化合物(A)的本發(fā)明的電子部件用粘合劑在使用于電子部件間等的接合的情況下，能夠以高精度保持接合的電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的電子裝置。艮P，上述環(huán)氧化合物(A)通過在重復單元中具有芳香環(huán)，在25X:下形成為結晶性固體，因此，含有該環(huán)氧化合物(A)的本發(fā)明的電子部件用粘合劑的粘度在25'C下高，在接合的電子部件上涂敷時，涂敷形狀不會流塑。另夕卜，上述環(huán)氧化合物(A)通過加熱，急劇地成為低粘度，因此，例如，在進行了電子部件之間的層疊時，在間隔微?；螂娮硬考g不殘留粘合劑，能夠進行一個電子部件和其他電子部件的層疊，能夠將電子部件間的間隔形成為與間隔微粒的粒徑基本上相等的距離。另外，若在結束了電子部件的層疊后，將溫度恢復為25'C，則上述環(huán)氧化合物(A)的粘10度急劇上升，層疊了電子部件之間后的本發(fā)明的電子部件用粘合劑也不會流塑。另外，上述環(huán)氧化合物(A)的耐熱性優(yōu)越，因此，含有該環(huán)氧化合物(A)的本發(fā)明的電子部件用粘合劑的耐熱性也優(yōu)越。在此，作為使用于以往的電子部件的接合的粘合劑，知道通過僅添加稀釋劑來實現(xiàn)加熱時的低粘度，但就這樣的以往的粘合劑來說，在加熱時，存在產生空隙(void)的問題。然而，含有上述環(huán)氧化合物(A)的本發(fā)明的電子部件用粘合劑，通過含有上述環(huán)氧化合物(A)來實現(xiàn)加熱時的低粘度，因此，不會像以往的僅通過添加稀釋劑來形成為低粘度的粘合劑一樣產生空隙。艮口，將本發(fā)明的電子部件用粘合劑形成為厚度10pm的粘合劑層，將以170'C15分鐘固化了該粘合劑層的固化物在26(TC的溫度條件下暴露10秒鐘時的直徑100pm以下的空隙產生率的優(yōu)選上限為1個/mm2。若上述固化物的空隙的產生率超過1個/mm2，則在使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，進行了電子部件之間的接合時，電子部件間的連接可靠性有時不充分。上述環(huán)氧化合物(A)優(yōu)選在一個分子中具有兩個以上環(huán)氧基。通過含有這樣的分子結構的環(huán)氧化合物(A)，使得本發(fā)明的電子部件用粘合劑的粘合性更優(yōu)越。作為這樣的環(huán)氧化合物(A)，只要是具有上述分子結構的化合物，不特別限定，例如，可以舉出苯酚型環(huán)氧、萘型環(huán)氧、聯(lián)苯基型環(huán)氧、間苯二酚型環(huán)氧等。作為這樣的環(huán)氧化合物(A)的市售品，例如，可以舉出EX—201(長瀨產業(yè)公司制)、YSLV—80XY(東都化成公司制)等。另外，在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，優(yōu)選上述固化性化合物含有:環(huán)氧化合物(B)，其在分子的兩端具有環(huán)氧基，且在一方的環(huán)氧基和另一方的環(huán)氧基之間具有數(shù)均分子量為501000的柔軟的骨架。本發(fā)明的電子部件用粘合劑通過含有上述環(huán)氧化合物(B)，實現(xiàn)常溫區(qū)域中的低彈性模量，同時，電子部件和基板的粘合性優(yōu)越，因此，耐溫度周期等耐熱性優(yōu)越。作為上述環(huán)氧化合物(B)，不特別限定，例如，可以舉出1，2—聚丁二烯改性雙酚A縮水甘油醚、1，4一聚丁二烯改性雙酚A縮水甘油醚、聚環(huán)氧丙烷改性雙酚A縮水甘油醚、聚環(huán)氧乙烷改性雙酚A縮水甘油醚、丙烯酸橡膠改性雙酚A縮水甘油醚、尿垸樹脂改性雙酚A縮水甘油醚、聚酯樹脂改性雙酚A縮水甘油醚、1，2—聚丁二烯改性縮水甘油醚、1，4一聚丁二烯改性縮水甘油醚、聚環(huán)氧丙烷改性縮水甘油醚、聚環(huán)氧乙烷改性縮水甘油醚、丙烯酸橡膠改性縮水甘油醚、尿烷樹脂改性縮水甘油醚、聚酯樹脂改性縮水甘油醚、及這些的加氫化物等。這些環(huán)氧化合物(B)可以單獨使用，也可以合用兩種以上。其中，適合使用上述柔軟的骨架來源于選自由丁二烯橡膠、環(huán)氧丙垸、環(huán)氧乙烷、丙烯酸橡膠、及這些的加氫化物構成的組的至少一種環(huán)氧化合物。另外，例如，1，2—聚丁二烯改性雙酚A縮水甘油醚、1，4一聚丁二烯改性雙酚A縮水甘油醚、聚環(huán)氧丙垸改性雙酚A縮水甘油醚、聚環(huán)氧乙烷改性雙酚A縮水甘油醚、丙烯酸橡膠改性雙酚A縮水甘油醚、尿烷樹脂改性雙酚A縮水甘油醚、聚酯樹脂改性雙酚A縮水甘油醚等具有芳香族骨架的環(huán)氧化合物從反應速度快的方面來說適合使用。在上述環(huán)氧化合物(B)中，芳香環(huán)和縮水甘油醚基直接連接的化合物從反應速度更快的方面來說更優(yōu)選。作為這樣的環(huán)氧化合物的市售品，例如，可以舉出EPB—13(日本曹達公司制)、EXA—4850(大日本油墨公司制)等。上述固化性化合物進而優(yōu)選含有有機無機混合環(huán)氧化合物。通過含有上述有機，無機混合環(huán)氧化合物，能夠將本發(fā)明的電子部件用粘合劑的彈性模量的值增加至期望的值。作為上述有機無機混合環(huán)氧化合物，不特別限定，例如，可以舉出科普拉森(〕y求，七y)E102(荒川化學公司制)等。作為含有上述有機無機混合環(huán)氧化合物的情況下的配合量，不特別限定，但相對于上述環(huán)氧化合物(B)等含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計IOO重量份的優(yōu)選的下限為1重量份，優(yōu)選的上限為IO重量份。上述固化性化合物的吸濕率的優(yōu)選的上限為1.5%，更優(yōu)選的上限為1.1%。作為具有這樣的吸濕率的固化性化合物，例如，可以舉出萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型樹脂等。本發(fā)明的電子部件用粘合劑進而優(yōu)選含有具有能夠與上述固化性化合物反應的官能團的高分子化合物。通過含有這樣的高分子化合物，提高產生熱量引起的變形時的接合可靠性。作為具有能夠與上述固化性化合物反應的官能團的高分子化合物，使用環(huán)氧化合物作為上述固化性化合物的情況下，例如，可以舉出具有氨基、尿烷基、酰亞胺基、羥基、羧基、環(huán)氧基等的高分子化合物等，其中，優(yōu)選具有環(huán)氧基的高分子化合物。通過添加具有上述環(huán)氧基的高分子化合物，電子部件用粘合劑的固化物顯示優(yōu)越的撓曲性。g卩，本發(fā)明的電子部件用粘合劑同時具備來源于作為固化性化合物的在主鏈具有多環(huán)式烴骨架的環(huán)氧化合物的優(yōu)越的機械強度、耐熱性及耐濕性、和來源于具有上述環(huán)氧基的高分子化合物的優(yōu)越的撓曲性，因此，耐冷熱周期性、耐焊錫回流性、尺寸穩(wěn)定性等優(yōu)越，顯示高的粘合可靠性或高的導通可靠性。作為具有上述環(huán)氧基的高分子化合物，只要是在末端及/或側鏈(側位)具有環(huán)氧基的高分子化合物即可，不特別限定，但例如，可以舉出含環(huán)氧基丙烯酸橡膠、含環(huán)氧基丁二烯橡膠、雙酚型高分子量環(huán)氧樹脂、含環(huán)氧基苯氧樹脂、含環(huán)氧基丙烯酸樹脂、含環(huán)氧基聚氨酯樹脂、含環(huán)氧基聚酯樹脂等，其中，出于可以得到含有大量環(huán)氧基的高分子化合物，固化物的機械強度或耐熱性更優(yōu)越的觀點來說，適合使用含環(huán)氧基丙烯酸樹脂。這些含有環(huán)氧基的高分子化合物可以單獨使用，也可以合用兩種以上。作為具有能夠與上述固化性化合物反應的官能團的高分子化合物，使用上述具有環(huán)氧基的高分子化合物、尤其含環(huán)氧基丙烯酸樹脂的情況下，重均分子量的優(yōu)選的下限為1萬。若小于1萬，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的造膜性不充分，有時不能充分地提高電子部件用粘合劑的固化物的撓曲性。作為具有能夠與上述固化性化合物反應的高分子化合物，使用上述具有環(huán)氧基的高分子化合物、尤其含環(huán)氧基丙烯酸樹脂的情況下，環(huán)氧當量的優(yōu)選的下限為200，優(yōu)選的上限為1000。若小于200，則有時不能提高本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化物的撓曲性，相反，若超過IOOO，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化物的機械強度或耐熱性有時不充分。作為具有能夠與上述固化性化合物反應的官能團的高分子化合物的13配合量，不特別限定，但相對于上述固化性化合物ioo重量份，優(yōu)選的下限為1重量份，優(yōu)選的上限為20重量份。若小于1重量份，則得不到針對熱變形的成分的可靠性，若超過20重量份，則耐熱性有時降低。本發(fā)明的電子部件用粘合劑出于25°C下的涂敷性確保等的目的，含有稀釋劑也可。作為上述稀釋劑，不特別限定，例如，可以舉出反應性稀釋劑或非反應性稀釋劑等。其中，適合使用反應性稀釋劑。作為上述反應性稀釋劑，含有環(huán)氧化合物(A2)也可。通過含有這樣的環(huán)氧化合物(A2)，能夠調節(jié)粘度，另外，能夠調節(jié)玻璃化溫度。作為上述環(huán)氧化合物(A2)，不特別限定，例如，可以舉出雙酚A型環(huán)氧、雙酚F型環(huán)氧、具有脂肪族環(huán)狀骨架的IO聚體以下的環(huán)氧化合物等。作為上述環(huán)氧化合物(A2)的含量，不特別限定，但相對于含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計IOO重量份，優(yōu)選的下限為IO重量份，優(yōu)選的上限為60重量份。若小于10重量份，則幾乎不能得到添加環(huán)氧化合物(A2)的效果，若超過60重量份，則在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中有時得不到粘度特性。更優(yōu)選的下限為20重量份，更優(yōu)選的上限為30重量份。另外，例如，作為固化性化合物，含有上述環(huán)氧化合物(A)的情況下，作為上述反應性稀釋劑，適合使用在重復單元中具有脂肪族環(huán)狀骨架的IO聚體以下的環(huán)氧化合物(A3)。通過含有這樣的分子結構的環(huán)氧化合物(A3),本發(fā)明的電子部件用粘合劑確保25'C下的涂敷性，同時，具有高的耐濕性。若上述環(huán)氧化合物(A3)超過IO聚體，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的25t:下的粘度變高，有時相對于電子部件的涂敷性不充分。上述環(huán)氧化合物(A3)更優(yōu)選5聚體以下。作為上述環(huán)氧化合物(A3)，只要是具有上述分子結構的化合物就不特別限定，例如，可以舉出二環(huán)戊二烯型環(huán)氧、環(huán)己烷型環(huán)氧等。作為這樣的環(huán)氧化合物(A3)的市售品，例如，可以舉出EP—4088S(艾迪可(了f力)公司制)、HP—7200(大日本油墨化學工業(yè)公司制)等。在本發(fā)明的電子部件用粘合劑含有上述環(huán)氧化合物(A3)的情況下，上述環(huán)氧化合物(A)和上述環(huán)氧化合物(A3)的配合比例之比即(A3/A)或(A/A3)的優(yōu)選的下限為0.5，優(yōu)選的上限為2。若小于0.5或大于2，則上述環(huán)氧化合物(A)或環(huán)氧化合物(A3)的任一方的配合比例變多，因此，難以使上述電子部件用粘合劑同時具備所謂的上述粘度特性或高耐濕性的性質。例如，若上述環(huán)氧化合物(A)的配合比例的相對于上述環(huán)氧化合物(A3)的配合比例的比(A3/A)小于0.5，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑有時得不到充分的耐濕性，若上述環(huán)氧化合物(A3)的配合比例的相對于上述環(huán)氧化合物(A)的配合比例的比(A/A3)小于0.5，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑有時得不到上述粘度特性。另外，作為本發(fā)明的電子部件用粘合劑中的上述環(huán)氧化合物(A3)的含量，不特別限定，但相對于含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計100重量份，優(yōu)選的下限為IO重量份，優(yōu)選的上限為30重量份。若小于IO重量份，則幾乎不能得到添加環(huán)氧化合物(A3)的效果，若超過30重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑有時得不到上述粘度特性。更優(yōu)選的上限為20重量份。另外，作為上述非反應性稀釋劑，不特別限定，在不阻礙本發(fā)明的目的的范圍內，例如可以舉出芳香族烴類、氯代芳香族烴類、氯代脂肪族烴類、醇類、酯類、醚類、酮類、二醇醚(溶纖劑)類、脂環(huán)式烴類、脂肪族烴類等。作為上述非反應性稀釋劑的含量，不特別限定，但優(yōu)選的下限為l重量％，優(yōu)選的上限為20重量％。若小于1重量％，則幾乎不能得到添加上述非反應性稀釋劑的效果，若超過20重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑有時產生空隙。在本發(fā)明的電子部件用粘合劑含有上述稀釋劑的情況下，該稀釋劑的120'C下的重量減少量及15(TC下的重量減少量的優(yōu)選的上限為1%。若超過1%，則在本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化中或固化后，未反應物揮發(fā)，導致有時對生產率或電子部件裝置產生壞的影響。另外，上述稀釋劑優(yōu)選固化開始溫度比上述環(huán)氧化合物(A)等固化15性化合物低，固化速度大。本發(fā)明的電子部件用粘合劑含有固化劑。作為上述固化劑，不特別限定，可以根據(jù)上述固化性化合物適當選擇以往公知的固化劑，但作為固化性化合物，使用環(huán)氧化合物的情況下的固化劑例如可以舉出三垸基四羥基酞酸酐等加熱固化型酸酐系固化劑、苯酚系固化劑、胺系固化劑、二氰基二酰胺等潛在固化劑、陽離子系催化劑型固化劑等。這些固化劑可以單獨使用，也可以合用兩種以上。作為上述固化劑的配合量，不特別限定，但使用與上述固化性化合物的官能團等量反應的固化劑的情況下，相對于上述固化性化合物的官能團量，優(yōu)選90110當量。另外，在使用作為催化劑發(fā)揮功能的固化劑的情況下，相對于上述固化性化合物100重量份，優(yōu)選的下限為l重量份，優(yōu)選的上限為20重量份。上述固化劑的熔點的優(yōu)選的下限為120°C。通過設為12(TC以上，在加熱了本發(fā)明的電子部件用粘合劑的情況下，抑制凝膠化，能夠適當調節(jié)電子部件的接合及電子部件間的距離。作為上述熔點為12(TC以上的固化劑，例如，可以舉出5—(2，5—二氧代四氫一3—呋喃基(7工，二少)一3—甲基一3—環(huán)己烯一1，2—二羧酸酐、TD—20卯等苯酚酚醛清漆樹脂、KH—6021等雙酚A酚醛清漆樹脂、KA—1165等鄰甲酚酚醛清漆樹脂、EH—3636AS、EH—3842、EH_3780、EH—4339S、EH—4346S(以上，旭電化工業(yè)公司制)等二氰基二酰胺。另外，也可以適合使用被熔點為12(TC以上的材質被覆的微膠囊型固化劑。本發(fā)明的電子部件用粘合劑含有CV值為10%以下的間隔微粒。通過含有這樣的間隔微粒，使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，層疊兩個以上的半導體芯片的情況下，能夠在不夾有虛設芯片等的情況下，將半導體芯片之間的間隔保持為恒定。上述間隔微粒的CV值的上限為10%。若超過10%，則粒徑的不均大，因此，難以將電子部件間的間隔保持為恒定，不能充分發(fā)揮作為間隔微粒的功能。優(yōu)選的上限為6%，更優(yōu)選的上限為4%。還有，在本說明書中，CV值為通過下述式(1)求出的數(shù)值。粒徑的CV值(％)=(o2/Dn2)X100(1)式(1)中，02表示粒徑的標準偏差，Dn2表示數(shù)均粒徑。作為上述間隔微粒的平均粒徑，不特別限定，可以選擇能夠實現(xiàn)期望的芯片間距離的粒徑，優(yōu)選的下限為3pm，優(yōu)選的上限為200pm。若小于3fim，則有時難以將芯片間距離縮小至間隔微粒的粒徑程度，若超過200Mm，則半導體芯片之間的間隔有時增大至必要以上。更優(yōu)選的下限為5pm，更優(yōu)選的上限為5(Him。上述間隔微粒的平均粒徑優(yōu)選除了間隔微粒以外添加的固態(tài)成分的平均粒徑的1.1倍以上。若小于1.1倍，則有時難以將芯片間距離可靠地縮小至間隔微粒的粒徑程度。更優(yōu)選1.2倍以上。上述間隔微粒的通過下述式(2)表示的K值的優(yōu)選的下限為980N/mm2，優(yōu)選的上限為4900N/mm2。K=(3/(2).F,S_3/2'R—1/2(2)式(2)中，F(xiàn)、S分別表示樹脂微粒的10%壓縮變形中的負荷值(Kgf)、壓縮變位(mm)，R表示該間隔物的半徑(mm)。上述K值可以通過以下的測定方法來測定。首先，在具有平滑表面的鋼板上撒布微粒后，從其中選擇一個微粒，使用微小壓縮試驗機，用金剛石制的直徑50pm的圓柱的平滑的端面壓縮微粒。此時，將壓縮負荷作為電磁力電檢測并將壓縮變位作為運行變壓器引起的變位檢測。還有，由得到的壓縮變位一負荷的關系，分別求出10%壓縮變形中的負荷值、壓縮變位，由得到的結果算出K值。上述間隔微粒的從2(TC、10%的壓縮變形狀態(tài)解放時的壓縮恢復率的優(yōu)選的下限為20%。在使用了具有這樣的壓縮恢復率的間隔微粒的情況下，即使在層疊的芯片間存在比平均粒徑大的微粒，也能夠通過壓縮變形，恢復形狀，作為間隙調節(jié)部件發(fā)揮作用。從而，能夠以更穩(wěn)定的恒定間隔將芯片水平層疊。上述壓縮恢復率可以通過以下的測定方法來測定。17通過與上述K值的測定的情況相同的方法來將壓縮變位作為運行變壓器引起的變位進行電檢測，將其壓縮至反轉負荷值后，減少負荷，測定此時的負荷和壓縮變位的關系。由得到的結果算出壓縮恢復率。但是，除負荷中的終點不是負荷值零，而是0.1g以上的原點負荷值。作為上述間隔微粒的材質，不特別限定，但優(yōu)選樹脂微粒。作為構成上述樹脂微粒的樹脂，不特別限定，但例如，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲基酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚苯醚、聚縮醛等。其中，出于能夠容易調節(jié)間隔微粒的硬度和恢復率，能夠提高耐熱性的觀點來說，優(yōu)選使用交聯(lián)樹脂。作為上述交聯(lián)樹脂，不特別限定，例如，可以舉出環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、蜜胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、二乙烯基苯聚合物、二乙烯基苯一苯乙烯共聚物、二乙烯基苯一丙烯酸酯共聚物、二烯丙基酞酸酯聚合物、三烯丙基三聚異氰酸酯聚合物、苯并鳥糞胺聚合物等具有網眼結構的樹脂。其中，優(yōu)選二乙烯基苯聚合物、二乙烯基苯一苯乙烯系共聚物、二乙烯基苯—(甲基)丙烯酸酯共聚物、二烯丙基酞酸酯聚合物等。在使用了這些的情況下，將芯片接合后，對固化工序、焊錫回流工序等熱處理工序的耐性優(yōu)越。上述間隔微粒優(yōu)選根據(jù)需要進行表面處理。通過在上述間隔微粒實施表面處理，能夠在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中實現(xiàn)上述粘度特性。作為表面處理的方法，不特別限定，但例如，粘合組合物作為整體顯示疏水性的情況下，優(yōu)選對表面賦予親水基。作為這樣的方法，不特別限定，但例如，可以舉出作為間隔微粒，使用上述樹脂微粒的情況下，將樹脂微粒的表面用具有親水基的偶合劑處理的方法等。作為上述間隔微粒的形狀，優(yōu)選球狀。另外，上述間隔微粒的縱橫比的優(yōu)選的上限為1.1。通過將縱橫比設為1.1，能夠在層疊半導體芯片的情況下，將半導體芯片之間的間隔穩(wěn)定地恒定保持。還有，在本說明書中，縱橫比表示關于微粒的長徑和短徑，相對于短徑的長度的長徑的長度之比(長徑的長度除以短徑的值)。該縱橫比的值越接近l，間隔微粒的形狀越接近正球。上述間隔微粒的配合量的優(yōu)選的下限為0.01重量％，優(yōu)選的上限為5重量％。若小于0.01重量％，則在使用于半導體芯片層疊體的制造的情況下，有時不能將半導體芯片之間的間隔穩(wěn)定地恒定保持，若超過5重量％，則有時作為粘合劑的功能降低。另外，除了上述間隔微粒以外，含有具有上述間隔微粒的平均粒徑以上的直徑的固態(tài)成分的情況下，這樣的固態(tài)成分的配合量的優(yōu)選的上限為1重量％。另外，其固態(tài)成分的熔點優(yōu)選固化溫度以下。進而，固態(tài)成分的最大粒徑優(yōu)選間隔微粒的平均粒徑的U1.5倍，更優(yōu)選Ll1.2倍。本發(fā)明的電子部件用粘合劑為了調節(jié)固化速度或固化物的物性等，進而優(yōu)選含有固化促進劑。作為上述固化促進劑，不特別限定，例如，可以舉出咪唑系固化促進劑、叔胺系固化促進劑等，其中，從容易進行用于固化速度或固化物的物性等的調節(jié)的反應體系的控制的觀點來說，適合使用咪唑系固化促進劑。這些固化促進劑可以單獨使用，也可以合用兩種以上。作為上述咪唑系固化促進劑，不特別限定，例如，可以舉出將咪唑的一位用氰基乙基保護的l一氰基乙基一2—苯基咪唑、或用三聚異氰酸保護了堿式的物質(商品名[2MA—OK]、四國化成工業(yè)公司制)等。這些咪唑系固化促進劑可以單獨使用，也可以合用兩種以上。作為上述固化促進劑的配合量，不特別限定，但相對于上述環(huán)氧化合物等含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計100重量份，優(yōu)選的下限為1重量份，優(yōu)選的上限為20重量份。若小于1重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑有時不充分固化，若超過20重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的粘合可靠性有時降低。本發(fā)明的電子部件用粘合劑進而優(yōu)選含有觸變賦予劑。通過含有上述觸變賦予劑，本發(fā)明的電子部件用粘合劑能夠實現(xiàn)期望的粘度特性。作為上述觸變賦予劑，不特別限定，例如，可以使用金屬微粒、碳酸鈣、烘制硅石(fUmedsilica)、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、硼酸鋁等無機微粒等。其中，優(yōu)選烘制硅石。另外，作為上述觸變賦予劑，可以根據(jù)需要使用進行了表面處理的觸變賦予劑，尤其優(yōu)選使用在表面具有疏水基的微粒。具體來說，例如，優(yōu)選使用將表面疏水化的烘制硅石等。作為上述觸變賦予劑，使用粒狀觸變賦予劑的情況下，平均粒徑的優(yōu)選的上限為lpm。若超過lMm，則有時不能顯示期望的觸變性。作為上述觸變賦予劑的配合量，不特別限定，但在上述間隔微粒沒有被實施表面處理的情況下，優(yōu)選的下限為0.5重量％，優(yōu)選的上限為20重量％。若小于0.5重量％，則得不到充分的觸變性，若超過20重量％，則在層疊半導體芯片時，電子部件用粘合劑的排除性有時降低。更優(yōu)選的下限為1重量％，優(yōu)選的上限為10重量％。本發(fā)明的電子部件用粘合劑根據(jù)需要，含有溶劑也可。作為上述溶劑，不特別限定，例如，可以舉出芳香族烴類、氯代芳香族烴類、氯代脂肪族烴類、醇類、酯類、醚類、酮類、二醇醚(溶纖劑)類、脂環(huán)式烴類、脂肪族烴類等。本發(fā)明的電子部件用粘合劑根據(jù)需要，含有無機離子交換體也可。在上述無機離子交換體中，作為市售品，例如，可以舉出IXE系列(東亞合成公司制)等。上述無機離子交換體的配合量的優(yōu)選的下限為1重量％，優(yōu)選的上限為10重量％。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑根據(jù)需要，含有滲出防止劑、咪唑硅垸偶合劑等粘合性賦予劑等添加劑。本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選含有在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒、和固化促進劑。通過含有上述在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑，使得在粘合時加熱之際固化劑熔融而粘度降低，容易實現(xiàn)間隙間距離，因此優(yōu)選。另外，通過設為多官能，使得固化后的耐熱性優(yōu)越。作為上述在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑，不特別限定，作為三官能的酸酐固化劑，例如，可以舉出酸酐苯偏三酸酐等，作為四官能以上的酸酐固化劑，例如，可以舉出苯均四酸酐、苯并苯酚四羧酸酐、甲基環(huán)己烯四羧酸酐、聚壬二酸酐等。上述在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒的熔點的優(yōu)20選的下限為80°C。另外，作為上述在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒的平均粒徑，優(yōu)選的下限為0.1pm，優(yōu)選的上限為l(Vm。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選含有常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒、和常溫下為液體的雙官能的酸酐固化劑。通過含有常溫下為液體的雙官能的酸酐固化劑，提高固化物整體的耐熱性，因此優(yōu)選。作為上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒，可以舉出與上述相同的微粒。作為上述常溫下為液體的雙官能的酸酐固化劑，不特別限定，例如，可以舉出酞酸酐、六氫酞酸酐、甲基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、內亞甲基四氫鄰苯二甲酐、甲基內亞甲基四氫鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐等。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑在含有上述常溫下為固體的酸酐固化劑微粒、和常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑的情況下，進而含有上述固化促進劑也可。作為上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑微粒、和常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑的組合，例如，優(yōu)選選自由苯均四酸酐、苯并苯酚四羧酸酐、甲基環(huán)己烯四羧酸酐構成的組的一種以上、和選自由甲基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、甲橋四氫酞酸酐、甲基甲橋四氫酞酸酐構成的組的一種以上的組合。作為上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑微粒、或常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑等固化劑的配合量，不特別限定，但優(yōu)選固化性化合物的官能團量除于固化劑的堿性基量總計得到的值的下限為0.5，上限為1.5。若小于0.5,則有時本發(fā)明的電子部件用粘合劑引起的粘合可靠性變差，若超過1.5，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化有時不充分，另外，例如，僅使用了上述常溫下為固體的三官能以上的酸酐固化劑微粒的情況下，固化物的耐熱性有時不充分。更優(yōu)選的下限為0.6，更優(yōu)選的上限為1.3。另外，在含有上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑微粒、和常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑的本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，作為上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑微粒、和常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑的配合比例，不特別限定，但上述常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑微粒的配合量除于常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑的配合量(重量)得到的值的優(yōu)選的下限為O.l，優(yōu)選的上限為10。若小于O.l，貝個化物的耐熱性有時不充分，若超過io，則固化物整體的強度有時不充分。更優(yōu)選的下限為0.2，更優(yōu)選的上限為5。本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選在20120°C下的條件下經過10分鐘后的反應率小于5%。若為5%以上，則有時在管心焊接時不能到達作為目的的空間為止。本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選固化時的固化收縮率小于1%。若固化時的固化收縮率為1%以上，則在制作半導體芯片層疊體的情況下，由于固化中產生的內部應力，有時導致層間剝離。還有，在本說明書中，上述固化收縮率表示可以基于JISA06024，利用基于固化前后的比重差，求出為體積收縮率(％)的值。在這種情況下，比重的測定在測定溫度25'C下進行。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑優(yōu)選以0.2mg涂敷在硅片的鏡面上，形成直徑500pm的圓形粘合劑層，使該粘合劑層在170°C、10分鐘的條件下固化，形成為固化物時，從該固化物滲出的液態(tài)成分的滲出距離小于5pm。若上述液態(tài)成分的滲出距離為5pm以下，則能夠充分地防止在使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑來接合電子部件時，粘合劑的液態(tài)成分滲出的所謂的滲出現(xiàn)象，能夠得到可靠性高的電子部件，能夠充分應對近年來的電子部件的小型化、高集成化。上述滲出距離的優(yōu)選的上限為3)am，更優(yōu)選的上限為lpm。在本說明書中，上述液態(tài)成分表示25'C下為液態(tài)的成分，在本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，作為上述液態(tài)成分，優(yōu)選含有固化性化合物、固化劑，更優(yōu)選含有固化促進劑。另外，上述滲出距離表示在用光學顯微鏡觀察粘合劑固化物時，在粘合劑固化物的周圍存在的顏色不同的部分的向中心方向的長度。在以下的說明中，將自本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化物的液態(tài)成分的滲出距離滿足上述條件的性質還稱為"低滲出性"。本發(fā)明的電子部件用粘合劑的上述低滲出性可以通過作為增粘劑發(fā)揮功能的親水性(疏水性)成分不同的兩種以上無機微粒適當實現(xiàn)，艮P:一方的無機微粒與含于粘合劑的液態(tài)成分的親水性(疏水性)比較相近，另一方的無機微粒與含于粘合劑的液態(tài)成分的親水性(疏水性)比較疏遠。進而，通過含有這樣的無機微粒，本發(fā)明的電子部件用粘合劑還能夠實現(xiàn)作為粘合劑的適當?shù)挠|變性。認為在含有這樣的親水性(疏水性)充分地不同的兩種以上的無機微粒的本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，上述與液態(tài)成分的親水性(疏水性)相近的無機微粒發(fā)揮防止上述液態(tài)成分從使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑而成的粘合劑層中滲出的作用。另外，認為上述與液態(tài)成分的親水性(疏水性)疏遠的無機微粒在使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑而成的粘合劑層中形成直鏈狀連續(xù)體，發(fā)揮實現(xiàn)上述觸變性的作用。在此，作為表示上述液態(tài)成分的親水性的指標，通常使用溶解度參數(shù)(SP值)，作為使用于兩個以上的電子部件的粘合的粘合劑的液態(tài)成分的SP值，通常要求814左右。另一方面，作為表示上述無機微粒之類的填料的親水性的指標，通常使用疏水化度(M值)。該表示液態(tài)成分的親水性的指標即SP值、和表示無機微粒的親水性的指標即M值不能直接換算兩者的關系。然而，根據(jù)本發(fā)明人等的研究，上述液態(tài)成分的SP值的811、和上述無機微粒的M值的50以下大致對應于比較相近的親水性(疏水性)，另外，上述液態(tài)成分的SP值的1114、和上述無機微粒的M值的40以下大致對應于比較相近的親水性(疏水性)。在此，對本發(fā)明的電子部件用粘合劑來說適合的是含有將上述液態(tài)成分的SP值分為811、和1114，并對應于各自的SP值的范圍具有最佳的親水性(疏水性)的兩種以上的無機微粒。作為將上述液態(tài)成分的SP值調節(jié)為規(guī)定的范圍內的方法，不特別限定，例如，可以舉出考慮這些具有的各個SP值，適當選擇而使用的方法等。作為本發(fā)明的電子部件用粘合劑，具體來說，在上述液態(tài)成分的SP值為811(以下，還稱為液態(tài)成分(l))時，作為無機微粒，優(yōu)選包含23平均一次粒徑的上限為50nm，且疏水化度(M值)的上限為50的無機微粒(A)、和平均一次粒徑的上限為50nm且疏水化度(M值)的下限為60的無機微粒(B)。在這樣的組成的本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，對于上述液態(tài)成分(1)，上述無機微粒(A)發(fā)揮實現(xiàn)上述低滲出性的作用，上述無機微粒(B)發(fā)揮賦予適合涂敷的觸變性的作用。作為配制上述SP值為下限為8，上限為ll的液態(tài)成分(1)的方法，具體來說，例如，可以舉出使用二環(huán)戊二烯型環(huán)氧或丁二烯改性環(huán)氧、硅酮改性環(huán)氧等的方法等。上述無機微粒(A)及無機微粒(B)的平均一次粒徑的上限為50nm。若超過50nm，則上述觸變性不充分，導致涂敷性變差，或得不到充分的低滲出性。優(yōu)選的上限為40nm，更優(yōu)選的上限為30nm。還有，在本說明書中，上述平均一次粒徑是指無機微粒的凝聚前的粒徑，是在良好分散溶劑中，利用超聲波等分散后，利用激光式粒度分布計測定的值。上述無機微粒(A)的M值的上限為50，上述無機微粒(B)的M值的下限為60。若上述無機微粒(A)的M值超過50，則有時上述低滲出性不充分。另外，若上述無機微粒(B)的M值小于60，則上述觸變性變得不充分，涂敷性有時變差。還有，在本說明書中，無機微粒的M值是指向加入有上述無機微粒的水中滴落甲醇，測定使無機微粒完全溶脹時的甲醇濃度，得到的所述濃度。在此，作為將上述無機微粒(A)及無機微粒(B)的M值調節(jié)為上述范圍的方法，不特別限定，例如，可以舉出對無機微粒實施表面處理，改變在表面存在的親水性基的數(shù)量的方法、對上述無機微粒實施表面處理，改變在表面存在的親水性基的數(shù)量的方法等。例如，作為上述無機微粒，選擇了硅石微粒的情況下，作為利用基于上述表面處理的方法調節(jié)該硅石微粒的親水性(疏水性)的方法，例如，適合的是用一CH3修飾未處理的硅石微粒的表面，調節(jié)碳含量，得到M值的上限為50的硅石微粒(E)、及M值的下限為60的硅石微粒(F)的方法。作為調節(jié)這樣的碳含量的硅石微粒(E)，具體來說，可以舉出MT—10(0.9)、DM—10(0.9)(以上，均為德山公司制)等。另外，作為調節(jié)了上述碳含量的硅石微粒(F)，具體來說，例如，可以舉出PM—20L(5.5)、HM—30S(3.5)(以上，均為德山公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示碳含量(重量％)。另外，作為上述M值的上限為50的無機微粒(A)，具體來說，例如，可以使用DM—10(48)、MT—10(47)(以上，均為德山公司制)、R—972(48)(Degussa公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示M值。另外，作為上述M值的下限為60的無機微粒(B)，具體來說，例如，可以使用ZD—30ST(62)、HM—20L(64)、PM—20L(65)(以上，均為德山公司制)、RX—200(64)、R202(65)(Degussa公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示M值。作為具有上述M值的無機微粒(A)及無機微粒(B)的總計的含量，相對于含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計100重量份，優(yōu)選的下限為2重量份，上限為IO重量份。若小于2重量份，則上述低滲出性或觸變性有時不充分，若超過IO重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的粘合性有時降低。更優(yōu)選的下限為4重量份，更優(yōu)選的上限為8重量份。作為上述無機微粒(A)和無機微粒(B)的配合比，相對于無機微粒(A)IOO重量份，無機微粒(B)的優(yōu)選的下限為30重量份，優(yōu)選的上限為600重量份。若小于30重量份，則上述觸變性不充分，涂敷性有時變差。若超過600重量份，則上述低滲出性有時不充分。更優(yōu)選的下限為50重量份，更優(yōu)選的上限為500重量份。另外，作為本發(fā)明的電子部件用粘合劑，具體來說，在上述液態(tài)成分的SP值為1114(以下，還稱為液態(tài)成分(2))時，作為無機微粒，適合使用包含平均一次粒徑的上限為50nm且疏水化度(M值)的上限為40的無機微粒(C)、和平均一次粒徑的上限為50nm且疏水化度(M值)的下限為50的無機微粒(D)的無機微粒。在這樣的組成的本發(fā)明的電子部件用粘合劑中，對于上述液態(tài)成分(2)，上述無機微粒(C)發(fā)揮實現(xiàn)上述低滲出性的作用，上述無機微粒(D)發(fā)揮賦予適合涂敷的觸變性的作25用。作為配制上述SP值的下限為11，上限為14的液態(tài)成分(2)的方法，具體來說，可以舉出使用間苯二酚型環(huán)氧、萘型環(huán)氧、丙二醇改性環(huán)氧等的方法等。上述無機微粒(C)及無機微粒(D)的平均一次粒徑的上限為50nm。若超過50nm，則上述觸變性不充分，導致涂敷性變差，或得不到充分的低滲出性。優(yōu)選的上限為40nm，更優(yōu)選的上限為30nm。上述無機微粒(C)的M值的上限為40，上述無機微粒(D)的M值的下限為50。若上述無機微粒(C)的M值超過40，則上述低滲出性有時不充分。另外，若上述無機微粒(D)的M值小于50，則上述觸變性不充分，有時導致涂敷性變差。在此，作為將上述無機微粒(C)及無機微粒(D)的M值調節(jié)為上述范圍的方法，不特別限定，例如，可以舉出與上述無機微粒(A)及無機微粒(B)相同的方法。例如，作為上述無機微粒，選擇了硅石微粒的情況下，作為利用基于上述表面處理的方法調節(jié)該硅石微粒的親水性(疏水性)的方法，例如，適合的是用一CH3修飾未處理的硅石微粒的表面，調節(jié)碳含量，得到M值的上限為40的硅石微粒(G)、及M值的下限為50的硅石微粒(H)的方法。作為調節(jié)這樣的碳含量的硅石微粒(G)，具體來說，可以舉出QS—40(0)(德山公司制)等。另外，作為調節(jié)了上述碳含量的硅石微粒(H)，具體來說，例如，可以舉出DM—30(1.7)、KS—20S(2.0)(以上，均為德山公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示碳含量(重量％)。另外，作為上述M值的上限為40的無機微粒(C)，具體來說，例如，可以使用QS—40(0)(德山公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示M值。另外，作為上述M值的下限為50的無機微粒(D)，具體來說，例如，除了上述無機微粒(B)中列舉的之外，還可以舉出DM—30(52)、KS—20S(56)(以上，均為德山公司制)、R—976(52)(Degussa公司制)等。還有，在上述各產品名后用括號表示的數(shù)值表示M值。作為具有上述M值的無機微粒(C)及無機微粒(D)的總計的含量，相對于含于本發(fā)明的電子部件用粘合劑的固化性化合物的總計100重量份，優(yōu)選的下限為2重量份，上限為10重量份。若小于2重量份，則上述低滲出性或觸變性有時不充分，若超過10重量份，則本發(fā)明的電子部件用粘合劑的粘合性有時降低。更優(yōu)選的下限為4重量份，更優(yōu)選的上限為8重量份。作為上述無機微粒(C)和無機微粒(D)的配合比，相對于無機微粒(C)100重量份，無機微粒(D)的優(yōu)選的下限為30重量份，優(yōu)選的上限為600重量份。若小于30重量份，則上述觸變性不充分，涂敷性有時變差。若超過600重量份，則上述低滲出性有時不充分。更優(yōu)選的下限為50重量份，更優(yōu)選的上限為400重量份。本發(fā)明的電子部件用粘合劑例如可以通過向具有固化性化合物及固化劑的粘合組合物，根據(jù)需要，以規(guī)定量配合具有能夠與固化促進劑、固化性化合物反應的官能團的高分子化合物、觸變賦予劑、其他添加劑等而混合后，配合間隔微粒的方法來制造。作為上述混合的方法，不特別限定，但例如，可以采用使用均勻分散機、萬能攪拌機、班伯里混煉機、捏和機等的方法。作為利用本發(fā)明的電子部件用粘合劑接合的電子部件，不特別限定，可以舉出半導體芯片、傳感器等。另外，還使用于變壓器部件用線圈鐵心間隙形成用。作為上述變壓器部件的線圈鐵心，不特別限定，但例如，適合使用于EI型或EE型?？梢允褂帽景l(fā)明的電子部件用粘合劑，將兩個以上的半導體芯片層疊為多層，用密封件等密封而制作半導體裝置。這樣的半導體裝置也是本發(fā)明之一。本發(fā)明的電子部件用粘合劑在將半導體芯片以十字狀層疊的情況下可以尤其適合使用。另外，本發(fā)明的電子部件用粘合劑不僅在層疊兩個以上的半導體芯片的情況下適合使用，而且作為出于在基板上堆積載置半導體芯片或接合傳感器等的目的的粘合劑也適合使用。通過使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，能夠將兩個以上的半導體芯片層疊，制造半導體芯片層疊體。作為所述制造方法，可以使用如下的方法，即其是兩個以上的半導體芯片隔著本發(fā)明的電子部件用粘合劑層疊的半導體芯片層疊體的制造方法，包括在一個半導體芯片上涂敷所述電子部件用粘合劑的涂敷工序(1);隔著在所述一個半導體芯片上涂敷的電子部件用粘合劑層疊其他半導體芯片的半導體芯片層疊工序(2);使所述一個半導體芯片和其他半導體芯片之間的電子部件用粘合劑固化的固化工序(3)，在所述涂敷工序(1)中，將所述電子部件用粘合劑涂敷于所述一個半導體芯片的與所述其他半導體芯片層疊的區(qū)域的外緣部及中央部，且使外緣部上的所述電子部件用粘合劑的涂敷量為中央部上的涂敷量的25倍。這樣的半導體芯片層疊體的制造方法也是本發(fā)明之一。作為使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑層疊的半導體芯片，不特別限定，可以使用于各種半導體芯片。其中，本發(fā)明的電子部件用粘合劑顯示上述粘度特性，因此，例如，在層疊引線接合連接型半導體芯片的情況下也適合使用。尤其，如圖l所示，適合使用于使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，埋入引線6，經由間隔微粒2，層疊在基板5上配置的半導體芯片3及4的情況。還有，圖l是以示意性表示使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑層疊的半導體芯片的一例的剖面圖。若使用本發(fā)明的電子部件用粘合劑，則由于上述粘度特性的原因，間隔微粒不會向引線接合用連接電極部流出，從而，不發(fā)生間隔微粒與引線接觸等不妥善情況，因此適合。這是因為，在層疊半導體芯片的工序中，半導體芯片間距離接近間隔微粒的粒徑的情況下，由于上述粘度特性的原因，間隔微粒難以移動，間隔微粒不會向引線接合用連接電極部流出。另外，層疊的半導體芯片可以為相同形狀，也可以為不相同形狀。進而，也可以在1的基板上，以厚度不同的半導體芯片相鄰的方式排列兩個以上，將包含這些兩個以上的半導體芯片兩者的大小的半導體芯片層疊于上述兩個以上半導體芯片上。在那樣的情況下，優(yōu)選對應于芯片間，適當使用間隔微粒的粒徑不同的多種粘合劑。進而，也可以在l的基板上，以厚度不同的半導體芯片相鄰的方式排列兩個以上時，對應于半導體芯片的厚度，適當使用間隔微粒的粒徑不同28的多種粘合劑，使厚度不同的半導體芯片的上表面高度相等，在其上層疊包含該厚度不同的半導體芯片兩者的大小的半導體芯片。在本發(fā)明的半導體芯片層疊體的制造方法中，首先，進行在l的半導體芯片上涂敷上述電子部件用粘合劑的涂敷工序(1)。在上述涂敷工序(1)中，將上述電子部件用粘合劑涂敷于上述1的半導體芯片的層疊上述其他半導體芯片的區(qū)域的外緣部及中央部。通過在這樣的區(qū)域涂敷上述電子部件用粘合劑，提高半導體芯片之間的粘合性。另外，在上述涂敷工序(1)中，外緣部上的上述電子部件用粘合劑的涂敷量設為中央部上的涂敷量的25倍。這樣，通過將外緣部上的涂敷量設為比中央部上的涂敷量多，在后述的半導體芯片層疊工序(2)中，使半導體芯片之間對位后，進行按壓的情況下，能夠使電子部件用粘合劑沒有不均地向接合部均一地轉移，其結果，得到的半導體芯片層疊體的可靠性高。若外緣部上的涂敷量小于中央部上的涂敷量的兩倍，則到達期望的芯片間距離時需要壓力、時間，因此，生產率降低，若超過5倍，則發(fā)生空隙的巻入。優(yōu)選34倍。還有，上述外緣部是指將相當于自上述l的半導體芯片的層疊上述其他半導體芯片的區(qū)域的中心至外周的距離的0.70.9倍的點的集合作為外周的情況下的、由內周和外周包圍的區(qū)域。另外，上述中央部是指上述自重心的距離相當于上述自重心至外周的距離的0.70.9倍，將比內周靠向內側的點的集合作為最內周的情況下的、包圍在最內周的區(qū)域。作為上述涂敷工序(1)中的涂敷方法，不特別限定，例如，可以使用組合安裝有精密噴嘴的注射器等和分配器等來使用而涂敷的方法等。在上述涂敷工序(1)中，作為涂敷電子部件用粘合劑時的高度，不特別限定，但優(yōu)選期望的芯片間距離的210倍。尤其，在期望的芯片間距離為50pm以下及/或半導體芯片的主面的面積為80mm2以上的情況下，涂敷的高度的優(yōu)選的上限為300nm，更優(yōu)選的上限為200nm。在本發(fā)明的半導體芯片層疊體的制造方法中，其次，進行隔著在上述1的半導體芯片上涂敷的電子部件用粘合劑層疊其他半導體芯片的半導體芯片層疊工序(2)。在上述半導體芯片層疊工序(2)中，通過相隔電子部件用粘合劑使半導體芯片之間對位而層疊。29在上述半導體芯片層疊工序(2)中，優(yōu)選對在1的半導體芯片上層疊的其他半導體芯片進行按壓。通過進行上述按壓，將電子部件用粘合劑的剩余部分充分地排出，能夠利用間隔微粒將半導體芯片間的間隔支撐地層疊。上述按壓優(yōu)選以0.010.5Mpa的壓力進行0.15秒鐘。若小于O.OlMpa，或小于0.1秒，則通過進行按壓引起的效果有時不充分，若施加超過0.5MPa的壓力，或超過5秒，則有時難以生產率良好地制造半導體芯片層疊體。更優(yōu)選以0.050.2MPa按壓。在上述半導體芯片層疊工序(2)中，優(yōu)選通過進行上述按壓，將芯片間距離縮小至期望的芯片間距離的11.2倍。此時，芯片間距離大于間隔微粒的粒徑的情況下，優(yōu)選在后述的固化工序(3)中，使電子部件用粘合劑回流(reflow)，由此使芯片間距離和間隔微粒的粒徑基本上相同。在本發(fā)明的半導體芯片層疊體的制造方法中，其次，進行使上述l的半導體芯片和其他半導體芯片之間的電子部件用粘合劑固化的固化工序(3)。通過使上述電子部件用粘合劑固化，能夠得到半導體芯片層疊體。還有，上述固化工序每次層疊一個半導體芯片時進行也可，在將半導體芯片的層疊重復至期望的次數(shù)之后一次性進行也可。作為上述固化的方法，不特別限定，可以適當選擇使用對應于電子部件用粘合劑的固化特性的固化條件，但為了防止巻入空隙，或提高芯片間距離的精度，優(yōu)選在基本上不開始固化的7012(TC下預熟化(precure)后，在120200。C下進行固化的方法。在上述固化工序(3)后得到的半導體芯片層疊體的芯片間距離的不均優(yōu)選為3o下小于5pm。若不均為3o下5pm以上，則有時發(fā)生引線接合不合格、倒裝片接合不合格。還有，。表示標準偏差。根據(jù)本發(fā)明可知，能夠提供能夠在接合兩個以上半導體芯片等電子部件時以高精度保持電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的半導體裝置等電子部件的電子部件用粘合劑、使用了該電子部件用粘合劑的半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置。圖1是以示意性表示使用了本發(fā)明的電子部件用粘合劑而層疊的半導體芯片的一例的剖面圖。具體實施例方式以下，公開實施例，更詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明不僅限定于這些。還有，在實施例及比較例中記載的粒徑的測定中使用了微粒尺寸測定機(庫爾特計數(shù)器(coultercounter)ZB/C—1000、庫爾特電子設備公司制)，在K值及壓縮恢復率的測定中使用壓縮試驗微小壓縮試驗機(菲希爾科普H100C、菲希爾儀器公司制)。(實施例12、比較例13、參考例l)(1)電子部件用粘合劑的制作按照表l的組成，使用均勻分散機，攪拌混合下述所示的間隔微粒以外的各材料，制作粘合組合物。向得到的粘合組合物，按照表l的組成，配合間隔微粒，進而使用均勻分散機攪拌混合，由此制作電子部件用粘合劑。(固化性化合物)二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂(HP—7200HH、大日本油墨化學工業(yè)公司制)萘型環(huán)氧樹脂(HP—4032D、大日本油墨化學工業(yè)公司制、常溫下為液態(tài))芴型環(huán)氧樹脂(EX1020、長瀨產業(yè)公司制、熔點3(TC)低粘度環(huán)氧樹脂(EP—4088S旭電化工業(yè)公司制、粘度250mPas/25。C)(固化劑)酸酐(YH—307、日本環(huán)氧樹脂公司制)(固化促進劑)咪唑化合物(2MA—OK、四國化成工業(yè)公司制)(觸變賦予劑)烘制硅石(AEROSILR202S、日本阿羅基樂公司制)(具有環(huán)氧基的高分子化合物)含環(huán)氧基丙烯酸樹脂(布雷馬CP—30、日本環(huán)氧樹脂公司制)(橡膠改性環(huán)氧樹脂)CTBN改性環(huán)氧樹脂(EPR—4023、旭電化工業(yè)公司制)(間隔微粒)樹脂微粒(微珠SP—210、積水化學工業(yè)公司制、平均粒徑10nm、CV值40/。)球狀硅石(S430—2、麥克隆公司制、平均粒徑8.4um、CV值〉10。/。)(2)半導體芯片層疊體的制作將得到的電子部件用粘合劑填充于10mL注射器(巖下工程公司制)，在注射器的前端安裝精密噴嘴(巖下工程公司制、噴嘴前端直徑0.3mm)，使用分配器裝置(SHOTMASTER300、武藏工程公司制)，在噴出壓力0.4MPa、半導體芯片和針的間隙200pm、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量為(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)=4。在進行涂敷后，使用倒裝片固定器(DB—100、涉谷工業(yè)公司制)，以0.15MPa的壓力，將周圍具有172個110nm的墊開口部的半導體芯片(芯片1)(厚度80nm、8mmX12mm見方、網孔狀圖案、鋁配線厚度0.7nm、L/S=15/15、表面的氮化硅膜的厚度l.Opm)按壓5秒鐘，由此將其層疊。其次，使用上述分配器裝置，在芯片1上涂敷電子部件用粘合劑，使用上述接合裝置，載置與芯片1相同的半導體芯片(芯片2)，并使芯片1的長邊和芯片2的長邊交叉，在溫度25'C下，以0.15MPa按壓5秒鐘，由此將其層疊。然后，在熱風干燥爐內，在8(TC下放置60分鐘后，在15(TC下進行60分鐘加熱，使電子部件用粘合劑固化，由此制作半導體芯片層疊體。(評價)關于上述實施例12、比較例13及參考例1中得到的電子部件用粘合劑及半導體芯片層疊體，通過以下的方法來進行評價。結果示出在表l中。(粘度的測定)使用E型粘度測定裝置(商品名VISCOMETERTV—22、TOKISANGYOCO丄TD公司制、使用轉動體①15mm、設定溫度25°C)，測定轉速0.5rpm下的粘度(A)、lrpm下的粘度(B)、及l(fā)Orpm下的粘度(C)。32另外，作為這些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。(流掛量(amountofsagging))在硅片上以成為直徑lcm、高度lmm的方式涂敷得到的電子部件用粘合劑后，將硅片垂直地靜置，測定25'C下的電子部件用粘合劑的移動量。(芯片間距離的不均、空間到達度)關于實施例12、比較例13及參考例1中得到的半導體芯片層疊體，制作10個樣品，使用激光變位計(KS—1100、KEYENCE公司制)測定各半導體芯片層疊體的層疊狀態(tài)。具體來說，測定與芯片1和芯片2的上表面的高低差，由該測定值減去芯片厚度，由此求出芯片1和芯片2之間的芯片間距離，然后將芯片間距離的不均算出為3o(0;標準偏差)。另外，將(芯片間距離/間隔微粒的平均粒徑)算出為空間到達度。(耐熱性試驗)在125'C下干燥得到的半導體芯片層疊體6小時，接著，在30。C、80%的濕潤條件下處理48小時后，在與焊錫回流時相同的260°C、30秒的條件下進行加熱處理。還有，關于進行三次這樣的加熱處理后的半導體芯片層疊體，觀察是否發(fā)生了層間剝離。層間剝離的觀察使用超聲波探查影像裝置(mi—scopehyperII、日立建機范提克公司制)而進行。另外，用混酸除去使用于半導體芯片層疊體的電子部件用粘合劑，觀察在半導體芯片的表面的氮化硅保護膜是否發(fā)生了破裂。關于層間剝離及保護膜的破裂，通過以下述基準進行評價，進行半導體芯片層疊體的耐熱性評價。〇沒有觀察到層間剝離及保護膜的破裂。略觀察到層間剝離或保護膜的破裂。X:觀察到層間的明顯的剝離或保護膜的明顯的破裂。(溫度周期試驗)關于得到的半導體芯片層疊體，在一55t:下進行以9分鐘為一個周期的溫度周期試驗，在125'C下以9分鐘為一個周期的溫度周期試驗，對進行1000周期后的半導體芯片層疊體，觀察是否發(fā)生了層間剝離。另外，用混酸除去使用于半導體芯片層疊體的電子部件用粘合劑，觀察在半導體芯片表面的氮化硅保護膜是否發(fā)生了破裂。關于層間剝離及保護膜的破裂，通過下述基準進行評價。〇沒有觀察到層間剝離及保護膜的破裂。略觀察到層間剝離或保護膜的破裂。X:觀察到層間的明顯的剝離或保護膜的明顯的破裂。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>(實施例37、比較例47)按照表2的組成，使用均勻分散機，攪拌混合下述所示的間隔微粒以外的各材料，制作粘合組合物。向得到的粘合組合物，按照表2的組成，配合間隔微粒，進而使用均勻分散機攪拌混合，由此制作電子部件用粘合劑。還有，在表2中，各組成的配合量表示重量份。(環(huán)氧化合物(A))苯酚型環(huán)氧(EX—201、長瀨產業(yè)公司制、單體、25'C下為結晶固體、熔點3060。C、50。C下的粘度250mPas)結晶性環(huán)氧樹脂(YSLV—80XY、東都化成公司制、單體、25'C下為結晶固體、熔點80'C、8(TC下的粘度lPa*s)(環(huán)氧化合物(B))二環(huán)戊二烯型環(huán)氧(EP—4088S、艾迪可公司制、單體)二環(huán)戊二烯型環(huán)氧化合物(HP—7200、大日本油墨化學工業(yè)公司制、5聚體)(其他環(huán)氧化合物)雙酚A型環(huán)氧化合物(EP828、日本環(huán)氧樹脂公司制、5(TC下的粘度2Pas)萘型環(huán)氧化合物(HP—4032D、常溫液態(tài)、大日本油墨化學工業(yè)公司制、5(TC下的粘度5Pa，s)雙酚A型環(huán)氧化合物(EP—1001、日本環(huán)氧樹脂公司制、常溫固體、8CTC下的粘度為20Pa's)苯酚型環(huán)氧化合物(EX—141、長瀨產業(yè)公司制、常溫液態(tài)、50'C下的粘度7mPa，s)NBR改性雙A型環(huán)氧化合物(EPR—4030、艾迪可公司制、常溫液態(tài)、50。C下的粘度50Pa's)(含環(huán)氧基丙烯酸系高分子化合物)含環(huán)氧基丙烯酸樹脂(布雷馬CP—30、日本環(huán)氧樹脂公司制)(固化劑)酸酐(YH—307、日本環(huán)氧樹脂公司制)(固化促進劑)咪唑化合物(2MA—OK、四國化成工業(yè)公司制)增粘劑(R202、日本埃羅吉爾公司制)(粘合性賦予劑)咪唑硅烷偶合劑(SP—IOOO、日礦馬鐵利公司制)(間隔微粒)樹脂微粒(微珠SP—210、積水化學工業(yè)公司制、平均粒徑10pm、CV值-40/0)(半導體芯片層疊體的制作)將得到的電子部件用粘合劑填充于10mL注射器(巖下工程公司制)，在注射器的前端安裝精密噴嘴(巖下工程公司制、噴嘴前端直徑0.3mm)，使用分配器裝置(SHOTMASTER300、武藏工程公司制)，在噴出壓力0.4MPa、半導體芯片和針的間隙200jxm、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量為(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)=4。在進行涂敷后，使用倒裝片固定器(DB—100、涉谷工業(yè)公司制)，以0.15MPa的壓力，在溫度60'C或80度下，將周圍具有172個110pm的墊開口部的半導體芯片(芯片l)(厚度80pm、8mmX12mm見方、網孔狀圖案、鋁配線厚度0.7pm、L/S=15/15、表面的氮化硅膜的厚度l.O)iim)按壓5秒鐘，由此將其層疊。其次，使用上述分配器裝置，在芯片l上涂敷電子部件用粘合劑，使用上述接合裝置，載置與芯片l相同的半導體芯片(芯片2)，并使芯片1的長邊和芯片2的長邊交叉，在溫度6(TC或80'C下，以0.15MPa按壓5秒鐘，由此將其層疊。然后，在熱風干燥爐內，在8(TC下放置60分鐘后，在15(TC下進行60分鐘加熱，使電子部件用粘合劑固化，由此制作半導體芯片層疊體。(評價)關于上述實施例37及比較例47中得到的電子部件用粘合劑及半導體芯片層疊體，通過以下的方法來進行評價。結果示出在表2中。(粘度的測定(l)).使用E型粘度測定裝置(商品名VISCOMETERTV—22、TOKISANGYOCO.LTD公司制、使用轉動體015mm、設定溫度25°C)，測定轉速0.5rpm下的粘度(A)、lrpm下的粘度(B)、及10rpm下的粘度(C)。37另外，作為這些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。(粘度的測定(2))使用E型粘度測定裝置(商品名VISCOMETERTV_22、TOKISANGYOCO丄TD公司制、使用轉動體①15mm、設定溫度25°C)，測定轉速10rpm下的粘度、60'C或8(TC下的10rpm下的粘度。(涂敷形狀保持性)將在玻璃基板上涂敷后，涂敷形狀從剛涂敷后至貼合為止的期間發(fā)生形狀變形，不能保持適當?shù)男螤畹脑u價為X，將在從剛涂敷后至貼合為止的期間能夠保持適當?shù)南狄陨系脑u價為〇。(芯片間距離的不均)關于實施例37、及比較例47中得到的半導體芯片層疊體，制作10個樣品，使用激光變位計(KS—1100、KEYENCE公司制)測定各半導體芯片層疊體的層疊狀態(tài)。具體來說，測定與芯片1和芯片2的上表面的高低差，由該測定值減去芯片厚度，由此求出芯片l和芯片2之間的芯片間距離，然后將芯片間距離的不均算出為30(o;標準偏差)。(回流裂紋的產生的有無)在85°C、85%的恒溫高濕度烤箱中將得到的半導體芯片層疊體放置24小時后，投入230'C以上為20秒以上且最高溫度為260'C的IR回流爐中。在投入后，利用超聲波探查損傷裝置(SAT)觀察了半導體裝置的回流裂紋的產生的有無。還有，在表2中，將回流裂紋的產生數(shù)量表示為不合格率。(綜合評價)作為實施例37及比較例47中得到的電子部件用粘合劑及半導體芯片層疊體的綜合評價，通過以下的基準進行評價。是涂敷形狀保持性優(yōu)越，能夠極高精度地控制芯片間距離，且能夠得到回流裂紋可靠性高的半導體芯片層疊體的粘合劑。〇是涂敷形狀保持性優(yōu)越，能夠極高精度地控制芯片間距離，但得到回流裂紋可靠性略差的半導體芯片層疊體的粘合劑。X:是能夠精度良好地控制芯片間距離的粘合劑。38<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(實施例810、比較例8)按照表3的組成，使用均勻分散機，攪拌混合下述所示的間隔微粒以外的各材料，制作粘合組合物。向得到的粘合組合物，按照表2的組成，配合間隔微粒，進而使用均勻分散機攪拌混合，由此制作電子部件用粘合劑。還有，在表3中，各組成的配合量表示重量份。(環(huán)氧化合物)兩末端雙酚A縮水甘油醚改性聚丁二烯(EPB—13、日本曹達公司制、常溫半固體)兩末端縮水甘油醚改性環(huán)氧丙烷(EX—941、長瀨產業(yè)公司制、常溫液體)(其他環(huán)氧化合物)雙酚A型環(huán)氧化合物(EP—828、日本環(huán)氧樹脂公司制、5(TC下的粘度2Pas)(固化劑)雙官能酸酐固化劑(YH—306、日本環(huán)氧樹脂公司制、常溫下為液體)四官能酸酐固化劑構成的微粒(B—4400、大日本油墨公司制、常溫下為固體、平均粒徑3tim)(固化促進劑)咪唑化合物(2MA—0K、四國化成工業(yè)公司制)(反應性稀釋劑)二環(huán)戊二烯型環(huán)氧(EP—4088S、艾迪可公司制、單體)(觸變賦予劑)疏水性烘制硅石(MT—IO、德山公司制)(粘合性賦予劑)咪唑硅烷偶合劑(SP—IOOO、日礦馬鐵利公司制)(間隔微粒)樹脂微粒(微珠SP—210、積水化學工業(yè)公司制、平均粒徑10pm、CV值=4%)(評價)關于實施例810及比較例8中配制的電子部件用粘合劑，進行以下40的評價。結果示出在表3中。(粘度的測定)使用E型粘度測定裝置(商品名VISCOMETERTV—22、TOKISANGYOCO丄TD公司制、使用轉動體①15mm、設定溫度25°C)，測定轉速0.5rpm下的粘度(A)、lrpm下的粘度(B)、及10rpm下的粘度(C)。另外，作為這些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。(牽引強度的測定)將在實施例810及比較例8中配制的電子部件用粘合劑放入2mmX5mmX50mm的模具中，在170°C、15分鐘下固化后，用手牽引固化物，將輕易拉裂的設為X，按強度變強的順序設為A、〇。還有，將不被拉裂的設為O)。(半導體芯片層疊體的制作)將得到的電子部件用粘合劑填充于10mL注射器(巖下工程公司制)，在注射器的前端安裝精密噴嘴(巖下工程公司制、噴嘴前端直徑0.3mm),使用分配器裝置(SHOTMASTER300、武藏工程公司制)，在噴出壓力0.4MPa、半導體芯片和針的間隙20(Him、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量為(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)=4。在進行涂敷后，使用倒裝片固定器(DB—IOO、涉谷工業(yè)公司制)，以O.lMPa的壓力，在常溫下將周圍具有172個110pm的墊開口部的半導體芯片(芯片l)(厚度80jim、10mmX10mm見方、網孔狀圖案、鋁配線厚度0.7nm、L/S=15/15、表面的氮化硅膜的厚度l.Opm)按壓5秒鐘，由此將其層疊。在170'C下進行15分鐘加熱，使電子部件用粘合劑固化，由此制作半導體芯片層疊體。(半導體芯片的翹起量的測定)利用激光變位計(KEYENCE公司制LT9010M、KS—1100、)，沿制作的半導體芯片層疊體的半導體芯片的對角線測定翹起量。(引線接合性評價)與半導體芯片層疊體相同地，在基板上層疊半導體芯片(芯片2)(厚度80|mi、3mmX3mm見方、網孔狀圖案、鋁配線厚度0.7(im、L/S=15/15、表面的氮化硅膜的厚度l.Opm)。然后，將該層疊體在17(TC下固化15分鐘。還有，使用引線接合機UTC2000(新川公司制)，用直徑25pm的引線進行引線接合。在引線頸部牽引該引線，將在引線頸部斷開的設為O，在接合部分斷開的設為X。(耐回流性評價)在85°C、85%的恒溫高濕度烤箱中將得到的半導體芯片層疊體放置24小時后，投入230'C以上為20秒以上且最高溫度為26(TC的IR回流爐中三次。在投入后，利用超聲波探查損傷裝置(SAT)觀察了半導體裝置的回流裂紋的產生的有無，通過以下的基準進行評價。回流裂紋產生數(shù)0/6〇回流裂紋產生數(shù)1/6(綜合評價)作為實施例810及比較例8中配制的電子部件用粘合劑及半導體芯片層疊體的綜合評價，將評價為半導體芯片的翹起的評價為50pm以下的樣品設為"◎"，將半導體芯片的翹起的評價小于IOO的樣品設為"〇"，將半導體芯片的翹起的評價為lOOpm以上的樣品設為"X"。[表3]實施例8實施例9實施例10比較例8組合物(重量份)柔軟性環(huán)氧EPB-13504050—EX-941203030—通常環(huán)氧EP—828—一—60反應性稀釋材料EP-4088S30302040固化劑YH—30610101050B-4400202020一固化促進劑2MA-0K6666觸變賦予劑MT-106666間隔微粒SP-2100.10.10.10.1評價粘度(Pa-s)(25°C)0.5r。m(A)505255301mm(已)35363625IOnDm(C)15131310粘度比A/已1.41.41.51.2已/C2,32.82.82.5拉伸強度◎◎◎芯片的翹起量(jum)304080250層疊體引線接合性評價〇〇〇X耐回流性評價◎◎〇溫度周期試驗◎◎◎綜合評價◎◎〇X42產業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明可知，能夠提供能夠在接合兩個以上半導體芯片等電子部件時以高精度保持電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的半導體裝置等電子部件的電子部件用粘合劑、使用了該電子部件用粘合劑的半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置。權利要求1.一種電子部件用粘合劑，其用于接合電子部件，其特征在于，含有具有固化性化合物和固化劑的粘合組合物及CV值為10％以下的間隔微粒，在使用E型粘度計，在25℃下測定粘度時，在1rpm下的粘度為200Pa·s以下，在10rpm下的粘度為100Pa·s以下，且在0.5rpm下的粘度為在1rpm下的粘度的1.4～3倍，在1rpm下的粘度為在10rpm下的粘度的2～5倍。2.根據(jù)權利要求l所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，使用E型粘度計，在接合電子部件時的溫度下測定粘度時，在10rpm下的粘度為1Pa，s以下。3.根據(jù)權利要求1或2所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，固化性化合物含有環(huán)氧化合物(A)，該環(huán)氧化合物(A)具有在重復單元中具有芳香環(huán)的IO聚體以下的分子結構，且在25'C下為結晶性固體。4.根據(jù)權利要求13中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，固化性化合物以40重量％以上的含有選自由萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂及間苯二酚型環(huán)氧樹脂構成的組的至少一種。.5.根據(jù)權利要求14中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，固化性化合物含有環(huán)氧化合物(B)，其在分子的兩端具有環(huán)氧基，且在一方的環(huán)氧基和另一方的環(huán)氧基之間具有數(shù)均分子量為501000的柔軟的骨架。6.根據(jù)權利要求5所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，柔軟的骨架來源于選自由丁二烯橡膠、環(huán)氧丙垸、環(huán)氧乙烷、丙烯酸橡膠及這些的加氫化物構成的組的至少一種化合物。7.根據(jù)權利要求5或6所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，環(huán)氧化合物(B)在分子內還具有芳香族骨架。8.根據(jù)權利要求7所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，縮水甘油醚基直接結合于芳香族骨架。9.根據(jù)權利要求18中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，還含有具有能夠與固化性化合物反應的官能團的高分子化合物。10.根據(jù)權利要求19中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，含有由在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒和固化促進劑。11.根據(jù)權利要求19中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，含有由在常溫下為固體的多官能的酸酐固化劑構成的微粒和在常溫下為液體的雙官能酸酐固化劑。12.根據(jù)權利要求ll所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，還含有固化促進劑。13.根據(jù)權利要求112中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，其液態(tài)成分的溶解度參數(shù)為811，并還含有無機微粒(A)，其平均一次粒徑為50nm以下且疏水化度為50以下；無機微粒(B)，其平均一次粒徑為50nm以下且疏水化度為60以上。14.根據(jù)權利要求112中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，其液態(tài)成分的溶解度參數(shù)為1114，并還含有無機微粒(C)，其平均一次粒徑為50nm以下且疏水化度為40以下；無機微粒(D)，其平均一次粒徑為50nm以下且疏水化度為50以上。15.根據(jù)權利要求114中任一項所述的電子部件用粘合劑，其特征在于，電子部件為半導體芯片。16.—種半導體芯片層疊體的制造方法，其特征在于，該方法是隔著權利要求115中任一項所述的電子部件用粘合劑層疊了兩個以上半導體芯片的半導體芯片層疊體的制造方法，包括在一個半導體芯片上涂敷所述電子部件用粘合劑的涂敷工序(1);隔著在所述一個半導體芯片上涂敷的電子部件用粘合劑層疊其他半導體芯片的半導體芯片層疊工序(2);使所述一個半導體芯片和其他半導體芯片之間的電子部件用粘合劑固化的固化工序(3)，在所述涂敷工序(1)中，將所述電子部件用粘合劑涂敷于所述一個半導體芯片的與所述其他半導體芯片層疊的區(qū)域的外緣部及中央部，且使外緣部上的所述電子部件用粘合劑的涂敷量為中央部上的涂敷量的25倍。17.根據(jù)權利要求16所述的半導體芯片層疊體的制造方法，其特征在于，在半導體芯片層疊工序(2)中，對于在一個半導體芯片上層疊的其他半導體芯片，以0.010.5MPa按壓0.15秒鐘。18.—種半導體裝置，其特征在于，使用權利要求115中任一項所述的電子部件用粘合劑而成。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供能夠在接合兩個以上半導體芯片等電子部件時以高精度保持電子部件間的距離，且能夠得到可靠性高的半導體裝置等電子部件的電子部件用粘合劑、使用了該電子部件用粘合劑的半導體芯片層疊體的制造方法及半導體裝置。本發(fā)明是一種電子部件用粘合劑，其用于接合電子部件，含有具有固化性化合物及固化劑的粘合組合物、和CV值為10％以下的間隔微粒，在使用E型粘度計，在25℃下測定粘度時，1rpm下的粘度為200Pa·s以下，10rpm下的粘度為100Pa·s以下，且0.5rpm下的粘度為1rpm下的粘度的1.4～3倍，1rpm下的粘度為10rpm下的粘度的2～5倍。文檔編號H01L21/52GK101490829SQ20078002752公開日2009年7月22日申請日期2007年7月19日優(yōu)先權日2006年7月20日發(fā)明者早川明伸,石澤英亮申請人:積水化學工業(yè)株式會社