專利名稱：使用氧化劑在電氣設(shè)備中處理硫化銅沉積物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理在電氣設(shè)備中的電絕緣層中出現(xiàn)的硫化銅
沉積物的方法。
背景技術(shù)：
在電力傳輸和發(fā)電領(lǐng)域中，在多種不同設(shè)備中使用絕緣油，所 述多種不同設(shè)備例如電源變壓器、配電變壓器、抽頭轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān) 設(shè)備以及電抗器。絕緣油通常是高度精煉的礦物油，絕緣油在高溫 時(shí)穩(wěn)定并且具有優(yōu)秀的電絕緣屬性。油的功能是在設(shè)備中對(duì)導(dǎo)體進(jìn) 行電絕緣，抑制電暈和電弧，并且在電氣設(shè)備中用作導(dǎo)體的冷卻液。
這些電絕緣油通常包含微量電抗性硫化合物，例如，硫醇(也
稱作硫醇mercaptan)，硫醇可以與銅或者氧化銅反應(yīng)并形成硫醇銅。 〃琉醇銅可以進(jìn)一步分解，導(dǎo)致形成^e克化銅(I) Cu2S。 一個(gè)反應(yīng)途徑示出如下
Cu「,'0 + 2 RSH => 2 CuSR + , 2CuSR Cu2S + RSR
其中RSH是硫醇，-SH是硫醇基(或者硫醇mercaptan) , -R是烷 基以及RSR是硫醚。其他的硫化有機(jī)物(尤其是硫化物)也可以是 活躍的，或者與銅直接反應(yīng)，或者經(jīng)由轉(zhuǎn)化至硫醇來(lái)與銅反應(yīng)。
硫化銅在油中不能溶解，并且可以在電氣設(shè)備內(nèi)部與電絕緣油 接觸的表面和材料上形成沉積物。例如，盡管紙、木材以及油已經(jīng) 使用了一百多年，大的電源變壓器繞組仍然大都由這些材料來(lái)絕緣， 這些材料仍然提供良好的性價(jià)平衡。
硫化銅是電的半導(dǎo)體，并且在電氣設(shè)備中的表面和材料上形成 半導(dǎo)電沉積物可以導(dǎo)致設(shè)備操作的退化或者中斷。
如杲在用于覆蓋電氣設(shè)備中銅導(dǎo)體的絕緣材料(通常是例如紙的纖維素材料)上沉積了半導(dǎo)體的硫化銅，則這可能導(dǎo)致絕緣材料 的絕緣屬性退化，這將導(dǎo)致漏電或者短路。在電氣設(shè)備內(nèi)部的固態(tài) 絕緣材料(諸如，木材、陶瓷和壓制版)表面上的半導(dǎo)體硫化銅沉 積物也會(huì)導(dǎo)致類似的問(wèn)題。
直接沉積于導(dǎo)體表面上的半導(dǎo)體硫化銅沉積物將導(dǎo)致很多問(wèn) 題，尤其是當(dāng)在連接器表面上形成沉積物的時(shí)候。
在CIGRE Moscow symposium 2005中，由Bengtsson等人發(fā)表的 "Oil corrosion and Cu2S deposition In Power Transformers" —文4苗述 了失敗的分析的結(jié)果、以及在電源變壓器中的表面和材料上的硫化 銅Cu2S沉積物的實(shí)^^室再現(xiàn)。
名稱為 "Method for removing reactive sulfur from insulating oil" 的WO 2005115082描述了 一種用于從絕^彖油中去除含石?；衔锏姆?法，該方法通過(guò)將絕緣油暴露于至少一種硫凈化物質(zhì)、并且將絕緣 油暴露于至少 一種極性吸附劑而實(shí)現(xiàn)。
在WO 2005115082中的方法是針對(duì)如下目的而開(kāi)發(fā)用于通過(guò) 去除在電氣設(shè)備外部的油中的含硫化合物，而處理在電氣設(shè)備中已 經(jīng)存在的電絕緣油，其防止硫化銅在電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面上 繼續(xù)沉積。迄今為止，沒(méi)有關(guān)于如何處理在電氣設(shè)備內(nèi)部的表面和 材料上已經(jīng)沉積的^/[匕銅沉積物的建議。當(dāng)前，去除在用于覆蓋銅 導(dǎo)體的絕緣紙上的硫化銅沉積物的僅有方案是，去除舊的紙張并且 將其替換為新的絕緣紙。
JP 2001311083描述了在電氣設(shè)備中使用電絕緣油之前，將油 存儲(chǔ)在包含銅或者銅合金的容器中，來(lái)去除在電絕緣油中的硫化合 物的方法。油中的硫化合物可以與銅進(jìn)行反應(yīng)，并且由此捕獲該硫 化合物，并在電氣設(shè)備中使用之前將其從油中去除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供了一種方法，借助于該方法利用氧 化劑來(lái)處理在電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面上的半導(dǎo)體硫化銅沉積
6物，其中去除了電氣設(shè)備中的大量絕緣油。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式借助于初始定義的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，其特征
在于氧化劑與在電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面上的所述硫化銅沉積
物進(jìn)行反應(yīng)，并且所述反應(yīng)將硫化銅沉積物轉(zhuǎn)換為較不導(dǎo)電的化合 物。硫化銅是半導(dǎo)體并且在絕緣材料上形成半導(dǎo)體沉積物將導(dǎo)致降 低絕緣材料和絕緣油系統(tǒng)的絕緣屬性，這將在電氣設(shè)備中導(dǎo)致短路。 可以通過(guò)從絕緣材料去除硫化銅、或者將硫化銅轉(zhuǎn)換為具有較低導(dǎo) 電性的化合物，來(lái)避免短路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述氧化劑包括二氧化氯C102。 在本發(fā)明的另 一實(shí)施方式中，所述氧化劑包括過(guò)氧酸R-03H。 在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述過(guò)氧酸包括過(guò)乙酸C2H403。 在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述過(guò)氧酸包括過(guò)曱酸CH203。 在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，所述氧化劑包括臭氧03。 在電氣設(shè)備內(nèi)部的將要通過(guò)本方法進(jìn)行處理的材料包括紙、
壓制版、木材以及與電絕緣油接觸的其他固態(tài)/纖維性絕緣材料。 在電氣設(shè)備內(nèi)部的將要通過(guò)本方法進(jìn)行處理的表面包括絕緣
的導(dǎo)體、暴露的導(dǎo)體、磁性核以及與電絕緣油接觸的其他固態(tài)表面。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供的方法，進(jìn)一步包括以下步驟:
在利用所述氧化劑處理之前，利用置換劑對(duì)所述硫化銅沉積物進(jìn)行
預(yù)處理。
所述置換劑與硫化銅沉積物反應(yīng)，并且將硫化銅轉(zhuǎn)換為更容易 由氧化劑氧化的物質(zhì)。置換劑的示例是單質(zhì)卣素元素，尤其是碘12 或者氯Cl2。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，在利用氧化劑處理之前，去除全 部剩余的油，并且借助于其中可溶解所述電絕緣油的液體來(lái)進(jìn) 一 步 清潔所述電氣設(shè)備內(nèi)部。
可以對(duì)其中已經(jīng)去除了大部分油，但是在表面和材料上剩余了 某些油的電氣設(shè)備執(zhí)行本方法。反應(yīng)制劑，氧化劑以及可能的置換 劑兩者，以氣體形式進(jìn)入設(shè)備，并且繼而在表面或者材料上的油中
7被吸收/溶解，并且主要在油態(tài)中發(fā)生反應(yīng)。
還可以對(duì)如下電氣設(shè)備執(zhí)行本方法在該設(shè)備中，已經(jīng)去除了 大部分油，并且繼而利用溶劑來(lái)進(jìn)一步對(duì)設(shè)備內(nèi)部的所有材料和表 面進(jìn)行清潔。可以通過(guò)利用溶劑對(duì)設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行噴射或者清洗來(lái)執(zhí) 行由溶劑對(duì)電氣設(shè)備進(jìn)行清潔，繼而去除所述溶劑。還可以通過(guò)以 蒸汽方式引入溶劑并使得所述蒸汽凝結(jié)在表面和材料上，來(lái)執(zhí)行對(duì) 設(shè)備進(jìn)行清潔。繼而，從設(shè)備中去除凝結(jié)物。
本發(fā)明的另一實(shí)施方式是一種處理在電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表 面上的硫化銅沉積物的系統(tǒng)，所述材料和表面與所述電氣設(shè)備中通 常存在的電絕緣油相接觸，其中所述電氣設(shè)備中的油幾乎為空，并
以及所述系統(tǒng)包括用于將過(guò)量氣體從所述電氣設(shè)備中去除的裝置。 在所述系統(tǒng)中，所述用于引入氣態(tài)化學(xué)制劑的裝置包括在化學(xué)制劑 的源以及所述設(shè)備之間的臨時(shí)連接。所述氣態(tài)化學(xué)制劑可以是包括 二氧化氯、過(guò)乙酸、過(guò)曱酸、臭氧的氧化劑，或者是包括碘或者氯
的置換劑。
根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式，在受控的氣體中執(zhí)行所述處理。 通過(guò)控制例如濕度、溫度、氧化劑濃度或者局部壓力、氮?dú)夂脱鯕?的含量的參數(shù)來(lái)控制氣體。
如果存在使用置換劑來(lái)對(duì)硫化銅沉積物進(jìn)行預(yù)處理的步驟，則 通過(guò)控制例如濕度、溫度、氧化劑濃度或者局部壓力、氮?dú)夂脱鯕?的含量的參數(shù)來(lái)控制氣體。
為了以受控方式發(fā)生反應(yīng)，必須控制設(shè)備內(nèi)部氣體的局部壓力。 需要重點(diǎn)控制的氣體是氧化劑或者置換劑、氮、氧以及濕度。該
方法可能需要利用例如氮?dú)釴2的非反應(yīng)氣體來(lái)稀釋氧化劑或者置換
劑的步驟。該方法可以包括在將氣體注入設(shè)備之前，將氣體混合物 進(jìn)行沖淡(dying)的步驟。
反應(yīng)率還受到設(shè)備中溫度的影響，以及一種用于控制設(shè)備中溫 度的方法是，利用通過(guò)導(dǎo)體的電流來(lái)加熱電氣設(shè)備中的導(dǎo)體，而另一種控制設(shè)備中溫度的方法是，使用設(shè)備上的外部加熱器。
為了以充分的反應(yīng)率發(fā)生反應(yīng)，制劑(氧化劑或者置換劑)必 須從設(shè)備內(nèi)部的大量氣體傳送至表面和材料。為了確保制劑的傳輸, 氣體必須充分混合。混合設(shè)備內(nèi)部的氣體的一種方式是，利用在電 氣設(shè)備內(nèi)部放置的混合裝置，例如，風(fēng)扇、攪拌器或者泵。而混合 設(shè)備內(nèi)部的氣體的另 一 方式是，抽取所述電氣設(shè)備中的部分氣體， 并且將其饋送回所述電氣設(shè)備，即利用環(huán)流循環(huán)。
在已經(jīng)與硫化銅進(jìn)行反應(yīng)之后，反應(yīng)產(chǎn)物大多是非導(dǎo)電的硫酸 銅，允許該反應(yīng)產(chǎn)物保留在電氣設(shè)備的材料和表面之上，并且將該 電氣設(shè)備重新填充電絕緣油，并且準(zhǔn)備就緒用于再次使用。
隨著制劑(氧化劑或者置換劑)饋送至設(shè)備中，必須從設(shè)備中 去除等量的氣體以防止過(guò)壓。所去除的氣體包括一定數(shù)量的未反應(yīng) 制劑，并且不允許所述未反應(yīng)制劑進(jìn)入外部大氣。由此，本方法包 括對(duì)未反應(yīng)制劑進(jìn)行去除和破壞的步驟(通過(guò)將制劑轉(zhuǎn)換為較小活 性的物質(zhì))。例如，在氧化劑的情況下，將去除的氣體通過(guò)易于被 氧化的材料來(lái)進(jìn)行。如果去除的氣體包含置換劑碘12，則可以在冷
凝管(cold trap)中捕獲碘。


附圖構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的 一 部分，并且包括可以以各種方式實(shí)現(xiàn)的 本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。應(yīng)該理解，在某些實(shí)例下，可以對(duì)本發(fā) 明的各種方面進(jìn)行夸張、簡(jiǎn)化或者擴(kuò)大，以便于理解本發(fā)明。 圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖； 圖2示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的示意性過(guò)程圖；以及 圖3示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的另一示意性過(guò)程圖。
具體實(shí)施例方式
在此提供了優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明。然而，應(yīng)該理解，可以 以各種方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。由此，在此/^開(kāi)的特定細(xì)節(jié)并不i全釋為限制，而是作為權(quán)利要求書(shū)的基礎(chǔ)并作為表示的基礎(chǔ)，用于教導(dǎo)本領(lǐng) 域技術(shù)人員在任何適當(dāng)?shù)脑敿?xì)系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)或者方式中實(shí)際使用本發(fā)明。
圖1示出了方法的示意性過(guò)程圖。在方框1中，從電氣設(shè)備中
去除電絕緣油。方框2是可選步驟，用以對(duì)容納電絕緣油的設(shè)備內(nèi) 部進(jìn)行清潔，例如，通過(guò)利用溶劑對(duì)電氣設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行噴射或者清 洗，或者通過(guò)在設(shè)備內(nèi)部凝結(jié)溶劑蒸汽繼而去除油/溶劑溶液。
方框3是可選步驟，用以利用置換劑對(duì)電氣設(shè)備中的材料和表 面上的疏化銅沉積物進(jìn)行預(yù)處理，以便有利于氧化反應(yīng)， 一種可能 的置換劑的示例是單質(zhì)碘蒸汽或者氫化碘。
方框4是在材料和表面上出現(xiàn)的硫化銅的氧化反應(yīng)(處理)。 該反應(yīng)將在電氣設(shè)備中的材料和表面上的半導(dǎo)體硫化銅轉(zhuǎn)換為主要 是非導(dǎo)電性的硫酸銅。氧化劑從方框6饋送至電氣設(shè)備中，并且在 方框7中，未反應(yīng)的氧化劑被破壞。
還可以使用的可能氧化劑的示例是C10 2 、臭氧或者過(guò)乙酸。
處理在方框5中完成，并且電氣設(shè)備充滿電絕緣油，并被用于 再次投入運(yùn)行。
圖2示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。在此流程圖中， 在處理之前，已經(jīng)從電氣設(shè)備10中去除了油，并且處理可以開(kāi)始。 氧化劑存儲(chǔ)或者生成裝置11以氣體形式供給必要的氧化劑，用于發(fā) 生反應(yīng)。氧化劑被饋送15至電氣設(shè)備10中，其中針對(duì)例如濕度、 溫度、氧化劑濃度、氮?dú)夂脱鯕獾暮康膮?shù)來(lái)控制氣體。
還可以使用的可能氧化劑的示例是C102 、臭氧或者過(guò)乙酸。 如果氧化劑是C102,則必須控制過(guò)程，從而使在生成或者存儲(chǔ) 裝置中、以及在電氣設(shè)備內(nèi)部的C102的濃度體積百分比不超過(guò)15%，
這是由于超過(guò)此濃度時(shí)，C102將爆炸性地分解為氯氣和氧氣。
電氣設(shè)備10中的氣體必須混合，以便于氧化劑擴(kuò)散至待處理的 電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面之上，以便確保反應(yīng)率是充分的。在流 程圖中示出的將氣體混合的一種可能性是，在電氣設(shè)備10內(nèi)部使用內(nèi)部混合器或者風(fēng)扇14。未反應(yīng)的氧化劑以及過(guò)量的氣體被去除16 并且饋送至破壞器(destructor) 12，其去除剩余的氧化劑或與之反 應(yīng)，而僅剩余無(wú)害的副產(chǎn)品17。
如果利用置換劑對(duì)電氣設(shè)備中材料和表面上的硫化銅沉積物進(jìn) 行預(yù)處理以便于氧化反應(yīng)，則流程圖包括置換劑存儲(chǔ)裝置18，其用 以以氣體形式供給必要的置換劑來(lái)實(shí)現(xiàn)置換反應(yīng)。閥裝置19用以選 擇將哪種制劑注入電氣設(shè)備io中。
圖3示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。在此流程圖中， 已經(jīng)從電氣設(shè)備20中去除了油，并且開(kāi)始處理。氧化劑存儲(chǔ)或者生 成裝置11供給必要的氧化劑用于發(fā)生反應(yīng)。氧化劑饋送25至環(huán)流 循環(huán)28，該環(huán)流循環(huán)28用于將氧化劑與設(shè)備內(nèi)部的氣體進(jìn)行混合。 針對(duì)例如濕度、溫度、氧化劑濃度、氮?dú)夂脱鯕夂康膮?shù)來(lái)對(duì)電 氣設(shè)備20中的氣體進(jìn)行控制。
電氣設(shè)備10中的氣體必須混合，以便于氧化劑擴(kuò)散至待處理的 電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面之上，以便確保反應(yīng)率是充分的。在流 程圖中示出的將氣體混合的一種可能性是具有泵23的環(huán)流循環(huán)28。 未反應(yīng)的氧化劑以及過(guò)量的氣體被去除26并且饋送至破壞器22,其 去除剩余的氧化劑或與之反應(yīng)，而僅剩余無(wú)害的副產(chǎn)品27。
如果利用置換劑對(duì)電氣設(shè)備中材料和表面上的硫化銅沉積物進(jìn) 行預(yù)處理以便于氧化反應(yīng)，則流程圖包括置換劑存儲(chǔ)裝置28，其用 以將必要的置換劑以氣體形式供給30至環(huán)流循環(huán)28來(lái)在設(shè)備20中 實(shí)現(xiàn)置換反應(yīng)。
盡管針對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式描述了本發(fā)明，其并不旨在于將本發(fā)明 的范圍限制至所闡明的特定形式；而是相反，旨在覆蓋由所附權(quán)利 要求書(shū)限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)包括的此類備選、修改和等效實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1. 一種處理在材料和表面上的硫化銅沉積物的方法，所述材料和表面與電氣設(shè)備內(nèi)部的電絕緣油相接觸，其中通常處于所述電氣設(shè)備中的大量的絕緣油被去除其特征在于在材料和表面上的所述硫化銅沉積物將經(jīng)受致使與所述硫化銅進(jìn)行反應(yīng)的氧化劑的處理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述氧化劑是二 氧化氯C102。二氧化氯、過(guò)氧酸或者臭氧。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述氧化劑包括過(guò)氧酸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述過(guò)氧酸包括 過(guò)乙酸C2H403。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述過(guò)氧酸包括 過(guò)甲酸CH203。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述氧化劑是臭 氧03。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于在 利用所述氧化劑的處理之前，利用包括卣素的置換劑來(lái)對(duì)所述電氣 設(shè)備的材料和表面進(jìn)行處理。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述置換劑是單 質(zhì)卣素元素。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述置換劑包括 碘12。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述置換劑包括 氯Cl2。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述置換劑包括碘化氬HI。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于 在所述處理之前，去除全部剩余的油，并且借助于其中可溶解所述 電絕緣油的液體來(lái)進(jìn) 一 步清潔所述電氣設(shè)備內(nèi)部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于 在受控氣體中執(zhí)行利用所述制劑的所述處理。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括將 非反應(yīng)氣體引入所述電氣設(shè)備中以控制所述氣體的步驟。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1-14中的任一項(xiàng)中所述的方法，其特征在于 在處理期間，利用通過(guò)導(dǎo)體的電流來(lái)加熱所述電氣設(shè)備。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1-14中的任一項(xiàng)中所述的方法，其特征在于 在處理期間，利用外部加熱器來(lái)加熱所述電氣設(shè)備。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1-16中的任一項(xiàng)中所述的方法，其特征在于 在處理期間，所述氧化劑擴(kuò)散于所述電氣設(shè)備內(nèi)部的氣體中。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于通過(guò)放置在所 述電氣設(shè)備內(nèi)部的任何類型的混合裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)氧化劑的擴(kuò)散，所述 混合裝置的類型包括風(fēng)扇、攪拌器或者泵。
19，根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述氧化劑的 擴(kuò)散包括以下步驟抽取所述電氣設(shè)備中的部分氣體，并且將其饋 送回所述電氣設(shè)備，并且在所述設(shè)備中創(chuàng)建湍流氣體。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1-19中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于 允許作為利用所述氧化劑對(duì)硫化銅進(jìn)行處理的結(jié)果所形成的銅化合 物保持在所述電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面上，并且所述電氣設(shè)備重 新填充有電絕緣油。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1-20中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于 將在所述電氣設(shè)備中剩余的未反應(yīng)氧化劑饋送至破壞器，該破壞器 將所述制劑轉(zhuǎn)換為較不活躍的物質(zhì)。
22.一種處理在電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面上的硫化銅沉積物的系統(tǒng)，所述電氣設(shè)備內(nèi)部的材料和表面與所述電氣設(shè)備中通常存在的電絕緣油相接觸 其特征在于所述電氣設(shè)備中的油幾乎為空，并且所述系統(tǒng)包括用于將氣態(tài)化 學(xué)制劑引入所述電氣設(shè)備中的裝置，以及所述系統(tǒng)包括用于將過(guò)量 氣體從所述電氣設(shè)備中去除的裝置。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其特征在于所述用于引入 氣態(tài)化學(xué)制劑的裝置包括在化學(xué)制劑的源以及所述設(shè)備之間的臨時(shí) 連接。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22-23中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述氣態(tài)化學(xué)制劑可以是包括二氧化氯、過(guò)乙酸、過(guò)曱酸、臭氧的 氧化劑，或者是包括碘或者氯的置換劑。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22-24中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述用于去除過(guò)量氣體的裝置包括在所述設(shè)備和破壞器之間的臨時(shí) 連接，所述破壞器用于將所述設(shè)備氣體中的活躍成分轉(zhuǎn)換至較不活 3夭的成分。
26. 根據(jù)權(quán)利要求22-25中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述系統(tǒng)包括用于將非反應(yīng)氣體引入所述設(shè)備的裝置。
27. 根據(jù)權(quán)利要求22-26中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述系統(tǒng)包括用于加熱所述設(shè)備的裝置。
28. 根據(jù)權(quán)利要求22-27中的任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于 所述系統(tǒng)包括用于混合所述設(shè)備中的所述氣體的裝置。
全文摘要
一種處理材料和表面上的硫化銅沉積物的方法，所述材料和表面與電氣設(shè)備內(nèi)部的電絕緣油相接觸，其中通常處于所述電氣設(shè)備中的大量的絕緣油被去除。硫化銅將經(jīng)受利用氧化劑的處理，其中氧化劑將導(dǎo)致與硫化銅沉積物進(jìn)行反應(yīng)。氧化劑可以包括以下化合物二氧化氯、過(guò)氧酸或者臭氧。
文檔編號(hào)H01B3/48GK101506916SQ200780031530
公開(kāi)日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2007年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月25日
發(fā)明者K·古斯塔夫森, R·利安德森 申請(qǐng)人:Abb研究有限公司