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      半導(dǎo)體裝置,用于該半導(dǎo)體裝置的引線框架產(chǎn)品以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法

      文檔序號:6888730閱讀:115來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體裝置,用于該半導(dǎo)體裝置的引線框架產(chǎn)品以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種層壓的多芯片組件型半導(dǎo)體裝置,用于該半導(dǎo)體 裝置的引線框架產(chǎn)品及其用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)上,有己知的適合于層狀多芯片組件封裝的半導(dǎo)體裝置,其 包括半導(dǎo)體芯片、通過引線(焊線)連接于其電極焊盤的外部端子、 以及用樹脂密封它們的模制部分(密封樹脂),其中外部端子至少包 括重疊在兩層中并且暴露于模制部分的底面、側(cè)面和上面的三面的端 子框架(例如見,專利文獻(xiàn)1)。
      還有一種已知的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置,其中設(shè)置在該半導(dǎo)體裝 置上面和下面的外部端子通過暴露伸出部分的表面連接于形成在模制 部分上的導(dǎo)體圖形,該伸出部分形成在從內(nèi)部引線的尖端向模制部分 的表面離開的位置處,以便在其上自由地重疊電子元件、電阻、具有 不同數(shù)目的管腳的半導(dǎo)體裝置等,因而允許它高密度封裝(例如,見 專利文獻(xiàn)2)。
      專利文獻(xiàn)h JP-A-2002-76175 專利文獻(xiàn)2: JP-A-2003-2313
      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明要解決的問題
      在專利文獻(xiàn)1的發(fā)明中,由于半導(dǎo)體裝置的外部端子暴露于前后 表面,在半導(dǎo)體裝置是層狀的以形成豎直的電連接的情況下,引線框
      11架分層為一個在另一個上,而在專利文獻(xiàn)2的發(fā)明中,端子的厚度在 電線焊接區(qū)域與從模制部分暴露的區(qū)域之間變化,或者另一種導(dǎo)體圖 形基片連接于該端子。然而,在將引線框架分層為一個在另一個上的 方法中,改變端子的厚度,并且將導(dǎo)體圖形基片連接于外部端子上, 在確保分層的半導(dǎo)體裝置的豎直的電連接方面存在限制,并且難以實 現(xiàn)外部端子之間的精細(xì)的間距的問題。
      鑒于上述情況已經(jīng)完成本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種能夠履 行柔性組件的結(jié)構(gòu)和形狀的具有柔性的層壓的多芯片組件型半導(dǎo)體裝 置,用于該半導(dǎo)體裝置的引線框架,以及用于制造這種半導(dǎo)體裝置的 方法。
      解決問題用的手段
      根據(jù)上述目的的第一發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,其包括(1)內(nèi) 部設(shè)置的元件安裝部分;(2)通過焊線與該半導(dǎo)體元件的各電極焊盤 的一部分或全部連接并且以區(qū)域陣列形狀設(shè)置以便露出底部內(nèi)側(cè)的一 組后部內(nèi)端子;(3)設(shè)置在這組后部內(nèi)端子外側(cè)的一組后部外端子;
      (4)緊接地設(shè)置在這組后部外端子的上面以便從前表面露出的一組前 部外端子,其通過連接導(dǎo)體分別與緊接地設(shè)置在其下面的后部外端子 電連接;以及(5)密封樹脂,其密封半導(dǎo)體元件和焊線以及后部內(nèi)端 子、后部外端子和前部外端子的未露出部分,其中至少在后部內(nèi)端子、 后部外端子以及前部外端子的各端子表面形成貴金屬鍍層。
      在與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中,連接導(dǎo)體可以是一片或重疊 的兩片導(dǎo)體板。
      在與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中, 一些電極焊盤可以連接于后 部內(nèi)端子,而其余的電極焊盤可以通過其他的焊線連接于后部外端子。
      在與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中,與其他焊線連接的后部外端子可以具有與該其他焊線連接的焊線連接區(qū)域,該焊線連接區(qū)域與連 接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開。而且,其他焊線可以連接于在與連接導(dǎo) 體連接的區(qū)域相同的區(qū)域中的后部外端子(即,連接導(dǎo)體和焊線可以 連接于同一區(qū)域)。
      在與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中,元件安裝部分可以設(shè)置在半 導(dǎo)體元件的底部上,而貴金屬鍍層可以形成在其后側(cè)。而且,元件安 裝部分可以不設(shè)置在半導(dǎo)體元件的底部上,并且半導(dǎo)體元件的底部可 以露出。
      根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供一種用于與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體 裝置的引線框架產(chǎn)品,其包括元件安裝部分;以區(qū)域陣列形狀設(shè)置 在其周邊上的一組后部內(nèi)端子;以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在這組后部內(nèi)端 子的周邊上的一組后部外端子;通過連接導(dǎo)體緊接地設(shè)置在各后部外 端子之上的一組前部外端子;以及一體地與元件安裝部分的下側(cè)、后 部內(nèi)端子以及后部外端子連接的連接部件,其暴露在其后側(cè)并且通過 蝕刻工藝能夠被最終去掉。
      在與第二發(fā)明相關(guān)的引線框架產(chǎn)品中,不包括其下部區(qū)域的元件 安裝部分可以被預(yù)先蝕刻掉以形成元件安裝區(qū)域,并且元件安裝區(qū)域 的后側(cè)可以露出,并且在連接部件的蝕刻工藝期間被除去。
      在與第二發(fā)明相關(guān)的引線框架產(chǎn)品中,連接導(dǎo)體可以是一片或重 疊的兩片導(dǎo)體板。
      在與第二發(fā)明相關(guān)的引線框架產(chǎn)品中,后部外端子可以以多列的 區(qū)域陣列形狀設(shè)置,并且只有在最外一列處的后部外端子可以分別連 接于對應(yīng)的前部外端子。
      而且,后部外端子可以以多列的區(qū)域陣列形狀設(shè)置,并且后部外端子可以分別連接于對應(yīng)的前部外端子。
      在與第二發(fā)明相關(guān)的引線框架產(chǎn)品中,不包括其最外一列的后部 外端子可以具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域,而且,具有焊線 連接區(qū)域的后部外端子可以通過引線分別與在最外一列處的后部外端 子連接。
      而且,除了連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域之外, 一些或全部后部外端 子可以具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域。
      在與第二發(fā)明相關(guān)的引線框架產(chǎn)品中,優(yōu)選將最終被去掉的外框 架設(shè)置在外側(cè)上。
      根據(jù)上述目的第三發(fā)明提供一種用于制造與第一方面相關(guān)的半導(dǎo) 體裝置的方法,其包括如下步驟
      第一步驟,對具有其每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架 材料,進(jìn)行引線框架圖形的曝光處理,每個引線框架圖形具有半導(dǎo)體 元件安裝在其上的元件安裝部分、 一組后部內(nèi)端子、 一組后部外端子, 以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在前后保護(hù) 薄膜中形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表 面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從 前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,因而分別突出外框 架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組和后部外端子 組的各自的上側(cè);
      第四步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接、用作連接導(dǎo)體的 一片或重疊的兩片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料各后部外端子上,并連 接于該后部外端子,其中覆蓋帶被除去,并且還將通過其他支撐引線
      14與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在導(dǎo)體板上,并連接于該導(dǎo)體板; 第五步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在元件安裝部分上; 第六步驟,在半導(dǎo)體元件的各焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子之間
      進(jìn)行電線悍接;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi)端子、 各后部外端子的外部連接端子區(qū)之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后表面上的貴金屬鍍層作 為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接元件安裝部分、 后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使這些部件彼 此電獨(dú)立。
      本發(fā)明的第四方面提供一種用于制造與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝 置的方法,其包括如下步驟
      第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料,進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形具有一組后部內(nèi) 端子, 一組后部外端子,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯 影處理,從而在前后保護(hù)薄膜中形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表 面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從 前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框 架的一部分或全部,以及后部內(nèi)端子組和后部外端子組的各自的上側(cè)。
      第四步驟,將一片或重疊的兩片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料的各 后部外端子上,并于該后部外端子連接,該一片或重疊的兩片導(dǎo)體板 用作通過支撐引線與第二外框架連接的連接導(dǎo)體,其中覆蓋帶被除去, 并且還將通過其他支撐引線與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在該 導(dǎo)體板上,并連接于該導(dǎo)體板;
      第五步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在在引線框架材料的中心處的元件 安裝區(qū)上;第六步驟,在半導(dǎo)體元件各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子之 間進(jìn)行電線焊接;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi)端子、 各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后表面上的貴金屬鍍層作 為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接后部內(nèi)端子、后 部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋半導(dǎo)體裝置的后側(cè),因此 使后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      在用于制造與第三和第四發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的方法中,后部 外端子可以以多列的方式設(shè)置在后部內(nèi)端子的外側(cè),并且設(shè)置在外列 上的后部內(nèi)端子的一部分或全部可以分別連接于設(shè)置在內(nèi)列上的后部 外端子。
      根據(jù)上述目的的第五發(fā)明,提供一種用于制造與第一發(fā)明相關(guān)的 半導(dǎo)體裝置的方法,其包括如下表步驟
      第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料,進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形具有半導(dǎo)體元安 裝在其上的元件安裝部分, 一組后部內(nèi)端子, 一組后部外端子,以及 圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在前后保護(hù)薄膜 中形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表 面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從 前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框 架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組和后部外端子 組的各自的上側(cè);
      第四步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在元件安裝部分上;
      第五步驟,在半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子
      16和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;
      第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料的各后部外端子上,并與該后部外端子 連接,其中覆蓋帶在第四步驟、第五步驟或這個步驟中被除去,并且 還將通過其他支撐引線與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在該導(dǎo)體 板上,并連接于該導(dǎo)體板;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi)端子、 各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層作為 蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接元件安裝部分、后 部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使這些部件彼此 電獨(dú)立。
      根據(jù)上述目的第六發(fā)明,提供一種用于制造與第一發(fā)明相關(guān)的半 導(dǎo)體裝置的方法,其包括
      第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料,進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形具有半導(dǎo)體元安 裝在其上的元件安裝部分, 一組后部內(nèi)端子, 一組后部外端子,以及 圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在前后保護(hù)薄膜 上形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表 面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從 前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框 架的一部分或全部,以及后部內(nèi)端子組和后部外端子組的各自的上側(cè)。
      第四步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在引線框架材料的中心處的元件安 裝區(qū)域上;
      第五步驟,在半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子 之間進(jìn)行電線焊接;
      17第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料的各后部外端子上,其中覆蓋帶在第四 步驟、第五步驟或這個步驟中被除去,并且還將通過其他支撐引線與 第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在該導(dǎo)體板上,并連接于該導(dǎo)體板;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi)端子、 各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層作為 蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接元件安裝部分、后 部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋半導(dǎo)體元件 的后側(cè),因此使后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      根據(jù)上述目的第七發(fā)明,提供一種用于制造與第一發(fā)明相關(guān)的半 導(dǎo)體裝置的方法,其中后部外端子具有其他焊線與其連接的焊線連接 區(qū),該焊線連接區(qū)與連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開,該方法包括
      第一步驟,對具有每個都用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架 材料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有半導(dǎo)體元 安裝在其上的元件安裝部分, 一組后部內(nèi)端子, 一組后部外端子,以 及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在前后保護(hù)薄 膜上形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表 面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從 前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框 架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組和后部外端子 組的各自的上側(cè)。
      第四步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在元件安裝部分上;
      第五步驟,在半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子 和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;
      第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩
      18片導(dǎo)體板設(shè)置在除了引線框架材料的各后部外端子的焊線連接區(qū)域之外的區(qū)域上,并連接于該區(qū)域,其中覆蓋帶在第四步驟、第五步驟或者這個步驟中被除去,并且還將通過其他支撐引線與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在導(dǎo)體板上,并連接于該導(dǎo)體板;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、所有焊線、以及除各后部內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接元件安裝部分、后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      根據(jù)上述目的第八發(fā)明,提供一種用于制造與第一發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的方法,其中后部外端子具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域,該焊線連接區(qū)域與連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開,該方法包括
      第一步驟,對具有每個都用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具一組后部內(nèi)端子, 一組后部外端子,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在前后保護(hù)薄膜中形成引線框架圖形;
      第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的引線框架材料的前后表面上形成貴金屬鍍層;
      第三步驟,除去保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在引線框架材料的后表面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組和后部外端子組的各自的上側(cè);
      第四步驟,將半導(dǎo)體元件安裝在引線框架材料的中心處;
      第五步驟,在半導(dǎo)體元件各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;
      第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩片導(dǎo)體板設(shè)置在除了引線框架材料的各后部外端子的焊線連接區(qū)域之
      19外的區(qū)域上,并連接于該區(qū)域,其中覆蓋帶在第四步驟、第五步驟或者這個步驟中被除去,并且將通過其他支撐引線與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在導(dǎo)體板上,并連接于該導(dǎo)體板;
      第七步驟,樹脂密封半導(dǎo)體元件、所有焊線、及除各后部內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及
      第八步驟,利用形成在引線框架材料的后表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋半導(dǎo)體元件的后側(cè),因此使后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      在用于制造與第七和第八發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的方法的在第七步驟中,所有的焊線包括將半導(dǎo)體元件的電極焊盤與后部外端子連接的其他焊線,以及將半導(dǎo)體元件的電極的焊盤與后部內(nèi)端子連接的焊線。
      在用于制造與三發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的方法中,引線框架材料的前后表面的每個上的貴金屬鍍層可以用選自銀或金的任何一種貴金屬制成,或者通過下面的鍍層形成,而且選自包括銀、金和鈀的一組的一種貴金屬鍍層可以直接或者通過下面的電鍍層形成在前外部端子的端子表面上。
      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)
      按照根據(jù)權(quán)利要求1至7的半導(dǎo)體裝置,權(quán)利要求8至15中所述的引線框架產(chǎn)品,和權(quán)利要求16至23中所述的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法,除了在底表面上的后部內(nèi)端子和后部外端子之外,還設(shè)置與后部外端子連接并且暴露在前表面的前部外端子。為此,能夠容易地并且以低成本制造層壓的多芯片組件型半導(dǎo)體裝置。
      而且,由于在上下半導(dǎo)體裝置的端子之間不存在布線路線,因此容易實現(xiàn)端子之間的"精細(xì)間距"。而且,例如,利用諸如存儲器、CPU的具有多功能的半導(dǎo)體裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)三維(高密度)系統(tǒng)封裝。
      而且,由于市場能夠得到的標(biāo)準(zhǔn)部件產(chǎn)品也能夠被安裝,該引線框架產(chǎn)品能夠用于許多用途。
      特別是,在根據(jù)權(quán)利2的半導(dǎo)體裝置和根據(jù)權(quán)利要求10的引線框架產(chǎn)品中,能夠調(diào)節(jié)半導(dǎo)體裝置的厚度。
      在根據(jù)權(quán)利3的半導(dǎo)體裝置中,位于上面和下面的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體元件能夠彼此電連接,因此能夠使得半導(dǎo)體元件產(chǎn)生彼此直接合作的功能。
      在根據(jù)權(quán)利4和5的半導(dǎo)體裝置和根據(jù)權(quán)利要求11至14的引線
      框架產(chǎn)品中,能夠增加后部內(nèi)端子和后部外端子的形式上的變化,因此半導(dǎo)體裝置能夠根據(jù)組件的形式和形狀來重疊。
      在根據(jù)權(quán)利6和7的半導(dǎo)體裝置和根據(jù)權(quán)利要求9的引線框架產(chǎn)品中,能夠有效地從半導(dǎo)體元件散熱。
      在根據(jù)權(quán)利要求13的引線框架產(chǎn)品中,當(dāng)后部外端子形成時它們彼此連接,并且在根據(jù)權(quán)利要求18的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法中,當(dāng)后部外端子和后部內(nèi)端子形成時它們彼此連接。為此,通過重疊引線框架,能夠?qū)崿F(xiàn)高密度系統(tǒng)封裝,并且能夠處理系統(tǒng)的多樣性。而且,引線框架的形式能夠作為組件來實現(xiàn)。
      在根據(jù)權(quán)利要求15的引線框架產(chǎn)品中,能夠同時處理(轉(zhuǎn)換、貴金屬電鍍或重疊)大量的引線框架產(chǎn)品,因此能夠高效率地制造半導(dǎo)體裝置。在根據(jù)權(quán)利要求23的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法中,形成在引線 框架材料上的貴金屬鍍層,正如它們被應(yīng)用的那樣,能夠用作后部內(nèi) 端子和后部外端子的外部連接端子區(qū)域。


      圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。 圖2是示出半導(dǎo)體裝置被使用的狀態(tài)的剖視圖。
      圖3A至3H是用于說明用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖。
      圖4是示出在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體
      裝置被安裝在用于該裝置的引線框架產(chǎn)品上。
      圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。 圖6A至6H是用于說明用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖。
      圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      圖8A至8H是用于說明用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖。
      圖9是示出在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體
      裝置被安裝在用于該裝置的引線框架產(chǎn)品上。
      圖IO是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。 圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。 圖12是示出在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體
      裝置被安裝在用于該裝置的引線框架產(chǎn)品上。
      圖13是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      圖14是示出在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體
      裝置被安裝在用于該裝置的引線框架產(chǎn)品上。
      圖15是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      22附圖標(biāo)記和符號的說明
      10:半導(dǎo)體裝置,11:元件安裝部分,12:半導(dǎo)體元件,13: 焊線,14:后部內(nèi)端子,15:后部外端子,16:導(dǎo)體板,17:前部 外端子,18:密封樹脂,19, 19a, 19b:貴金屬鍍層,20:導(dǎo)電的粘 結(jié)劑層,21:半導(dǎo)體裝置,22:連接端子,23:半導(dǎo)體元件,24: 元件安裝部分,25:焊線,26:密封樹脂,27:保護(hù)薄膜,28: 引線框架材料,29:覆蓋帶,30:連接部件,31:引線框架產(chǎn)品, 32:支撐引線,33:第三外框架,34:支撐引線,36:半導(dǎo)體裝置,
      37:元件安裝區(qū)域,38:連接部件,38a:引線框架產(chǎn)品,39:半導(dǎo) 體裝置,39a:引線框架產(chǎn)品,40:焊線,41:導(dǎo)體連接區(qū)域,42: 焊線連接區(qū)域,43:半導(dǎo)體裝置,43a:連接部分,44:半導(dǎo)體裝
      置,45:引線,46:半導(dǎo)體裝置,47:后部外端子,48:前部外 端子,49:后部外端子,50:焊線,51:引線,52:導(dǎo)體板,53: 第三外框架,54:支撐引線,55:散熱片
      具體實施例方式
      下面將參考

      本發(fā)明的各實施例,以便于理解本發(fā)明。
      圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖;圖2是示 出半導(dǎo)體裝置被使用的狀態(tài)的剖視圖;圖3A至3H是用于說明用于制
      造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖;圖4是示出在進(jìn)行電線焊接時
      的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體裝置被安裝在用于該裝置的引線框
      架產(chǎn)品上;圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖; 圖6A至6H是用于說明用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖; 圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖;圖8A至8H 是用于說明用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的各步驟的視圖;圖9是示出
      在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部俯視圖,其中半導(dǎo)體裝置被安裝在用
      于該裝置的引線框架產(chǎn)品上;圖IO是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo) 體裝置的剖視圖;圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體裝置的剖 視圖;圖12是示出在進(jìn)行電線焊接時的狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)
      23體裝置被安裝在用于該裝置的引線框架產(chǎn)品上;圖13是根據(jù)本發(fā)明的 第六實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖;圖14是示出在進(jìn)行電線焊接時的
      狀態(tài)的局部平面圖,其中半導(dǎo)體裝置被安裝在用于該裝置的引線框架
      產(chǎn)品上;圖15是根據(jù)改善了熱傳遞的本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體裝 置的剖視圖。
      如圖l所示,根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置IO包括設(shè)置在
      內(nèi)部中心處并且設(shè)置在元件安裝部分11上的半導(dǎo)體元件12;通過焊線
      13連接于該半導(dǎo)體元件12的一部分或全部焊盤并且暴露于底部的內(nèi)
      側(cè),以便以區(qū)域陣列形狀設(shè)置的一組后部內(nèi)端子14;設(shè)置在這組后部 內(nèi)端子14的外側(cè)并且以區(qū)域陣列形狀形成的一組后部外端子15;緊接
      地設(shè)置在后部外端子15的上方并且從前表面露出的一組前部外端子 17,該前部外端子17通過導(dǎo)體板16 (例如銅板)分別電連接于緊接地
      設(shè)置在下面的后部外端子15,該導(dǎo)體板16是連接導(dǎo)體的一個例子;以
      及密封樹脂18,其密封這些部件(半導(dǎo)體元件12,焊線13以及各后 部內(nèi)端子14、后部外端子15以及前部外端子17的未暴露區(qū)域)。在 后部內(nèi)端子14和后部外端子15的前后表面上,分別形成選自銀或金 的一種貴金屬的金屬鍍層19、 19a。在前部外端子的17的端子表面上, 形成選自銀、金和鈀的一種貴金屬的金屬鍍層。
      現(xiàn)在,將半導(dǎo)體元件12通過例如導(dǎo)電的粘結(jié)劑層20而固定于元 件安裝部分11。在元件安裝部分11的前后表面上,分別形成選自銀或 金的一種貴金屬的金屬鍍層19、 19a。這將促進(jìn)從半導(dǎo)體元件上的散熱。
      而且,還在導(dǎo)體板16的前后表面上和前部外端子17的后表面上, 形成選自銀、金和鈀的其中一種貴金屬的金屬鍍層(未示出)。
      順便說,在這個實施例中,在形成貴金屬鍍層的情況下,形成例 如鎳的基礎(chǔ)鍍層,并且貴金屬鍍層通過該基礎(chǔ)鍍層而形成。然而,通 過采用用于貴金屬鍍層的鍍銀、鍍金或鍍鈀的任何一種電鍍,而不形
      24成基礎(chǔ)鍍層,能夠直接形成貴金屬鍍層。
      而且,雖然導(dǎo)體板16由單一層形成,但是通過形成多層導(dǎo)電板(例 如兩層或兩層以上),能夠增加半導(dǎo)體元件12的厚度。
      如上所述,在半導(dǎo)體裝置10中,后部內(nèi)端子14連接于半導(dǎo)體元
      件12,而后部外端子15通過導(dǎo)體板16連接于前部外端子17。為此, 例如,如圖2所示,另一個半導(dǎo)體裝置21能夠以這樣的方式重疊在半 導(dǎo)體裝置10上,使得被設(shè)置下側(cè)上的半導(dǎo)體裝置10,和設(shè)置在上側(cè)上 的半導(dǎo)體21,在半導(dǎo)體裝置10的前部外端子17和暴露于半導(dǎo)體裝置 21的底部的連接端子22之間形成導(dǎo)電性。
      因此,利用半導(dǎo)體裝置IO, 21,能夠?qū)崿F(xiàn)三維(高密度)系統(tǒng)封裝。
      現(xiàn)在,附圖標(biāo)記23表示半導(dǎo)體元件;24表示半導(dǎo)體元件23與其 連接的元件安裝部分;25表示焊線之一;而26表示密封連接端子22、 半導(dǎo)體元件23以及焊線25的未暴露部分的密封樹脂。
      下面,參考圖3A至3H,說明用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的 半導(dǎo)體裝置10的方法。
      順便說,在這個實施例中,雖然將僅僅說明單個的半導(dǎo)體裝置, 但是應(yīng)當(dāng)指出,多個半導(dǎo)體裝置通過第一至第三外框架以區(qū)域陣列形 狀(格柵圖形)的方式連接。
      而且,應(yīng)當(dāng)指出,圖3A至3H僅僅示出多個半導(dǎo)體裝置中的單個 半導(dǎo)體裝置10的左半部。
      對于具有每個都用保護(hù)薄膜27涂覆的前后表面的引線框架材料28進(jìn)行曝光,以便形成引線框架圖形,每個引線框架圖形都具有半導(dǎo) 體元件12安裝在其上的元件安裝區(qū)域11、 一組后部內(nèi)端子14、 一組 后部外端子15、圍繞這些元件的外框架(未示出)以及將相應(yīng)的后部
      內(nèi)端子14和后部外端子15與外框架連接的引線(未示出)。而且進(jìn) 行顯影,從而在前后保護(hù)薄膜27上形成引線框架圖形,如圖3A所示 (第一步驟)。
      如圖3B所示,引線框架圖形形成在其上的引線框架材料28的前 后表面受到預(yù)定的基礎(chǔ)電鍍,以形成選自銀或金的一種貴金屬的貴金 屬鍍層19、 19a (第二步驟)。通過形成貴金屬鍍層19、 19a,能夠保 持當(dāng)將銅用作引線框架材料28時的可焊接性。
      其次如圖3C所示,除去前后保護(hù)薄膜27,將覆蓋帶29固定在引 線框架材料的后表面上,以覆蓋引線框架材料28的整個后表面。利用 形成在前側(cè)上的貴金屬鍍層19a作為蝕刻保護(hù)膜,從前側(cè)對引線框架材 料28進(jìn)行第一次蝕刻到預(yù)定的深度(例如,該厚度的3/4至1//2), 從而分別伸出整個外框架和元件安裝部分11、后部內(nèi)端子組14以及后 部外端子15的各自的上側(cè)。
      應(yīng)當(dāng)指出,元件安裝部分11、后部內(nèi)端子14以及后部外端子15 的下側(cè)通過暴露在后側(cè)上的連接部件30而一體地連接。
      其次,如圖3D所示,通過支撐引線32與第二外框架(未示出) 連接的導(dǎo)體板16設(shè)置在引線框架材料28的各后部外端子15上并連接 于該各后部外端子15,其中覆蓋帶29被除去,并且,前部外端子17 還設(shè)置在導(dǎo)體板16上并連接與該導(dǎo)體板16 (第四步驟)。
      現(xiàn)在,導(dǎo)體板16如下地形成。在具有用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面 的引線框架材料上,形成引線框架圖形,每個引線框架圖形都具有一 組導(dǎo)體板16、圍繞它們的第二外框架、以及將相應(yīng)導(dǎo)體板16與第二外框架連接的支撐引線32。其上具有引線框架圖形的引線框架材料的前 后表面受到預(yù)定的基礎(chǔ)電鍍,其后進(jìn)行蝕刻工藝。因此選自銀、金或 鈀的一種貴金屬的貴金屬鍍層形成在前后表面上。
      同樣,導(dǎo)體板17如下地形成。在具有用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面 的引線框架材料上,形成引線框架圖形,每個引線框架圖形都具有一
      組前部外端子n、圍繞它們的第三外框架33、以及將相應(yīng)的前部外端
      子17與第三外框架連接的支撐引線34。其上具有引線框架圖形的引線 框架材料的前后表面受到預(yù)定的基礎(chǔ)電鍍,并且其后進(jìn)行蝕刻處理。 因此選自銀、金或鈀的一種貴金屬的貴金屬鍍層形成在前后表面上(在 前表面上的貴金屬鍍層19b用作端子平面)。
      而且,后部外端子15和導(dǎo)體板16之間的連接以及導(dǎo)體板16和前 部外端子17之間的連接,在載荷施加于前部外端子17的上表面上的 情況下,通過將形成在各接觸平面上的貴金屬鍍層加熱到預(yù)定溫度(例 如,200至250。C)的擴(kuò)散(diffusion)連接來進(jìn)行。
      因此,形成用于半導(dǎo)體裝置10的引線框架產(chǎn)品31。
      具體說,該引線框架產(chǎn)品31包括一體地設(shè)置的元件安裝部分11、 以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在其周邊上的一組后部內(nèi)端子14、以區(qū)域陣列形 狀設(shè)置在這一組后部內(nèi)端子14的周邊上的后部外端子15、通過導(dǎo)體板 16緊接地設(shè)置在各后部外端子上方的前部外端子17、以及與元件安裝 部分11、后部內(nèi)端子14以及后部外端子15的下側(cè)一體地設(shè)置的連接 部件30。后部外端子15分別連接于對應(yīng)的前部外端子17。
      如圖3E所示,半導(dǎo)體元件12通過導(dǎo)電的粘結(jié)劑層20安裝在元件 安裝部分11上(第五步驟)。
      其次,如圖3F所示,在半導(dǎo)體元件12的各電極焊盤與對應(yīng)的后
      27部內(nèi)端子14之間進(jìn)行電線焊接(恰當(dāng)?shù)卣f,形成在后部內(nèi)端子的上表 面上的焊線連接區(qū)。這應(yīng)用于下面的描述)(第六步驟)。
      因此,如圖4所示,半導(dǎo)體元件12和后部內(nèi)端子14由焊線13連 接,從而形成導(dǎo)電的電路。
      當(dāng)完成上述處理步驟時,如圖3G所示,半導(dǎo)體元件12、焊線13 以及除各后部內(nèi)端子14、各后部外端子15以及前部外端子17的外部 連接端子區(qū)之外的區(qū)域設(shè)置在模具中,并且用密封樹脂18樹脂密封(第 七步驟)。
      其次,如圖3H所示,利用形成在引線框架材料28的后側(cè)的貴金 屬鍍層19作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻,以除去連接元件安裝 部分11、后部內(nèi)端子14、后部外端子15和外框架的連接部件30。因 此,這些元件成為彼此電獨(dú)立(第八步驟)。
      而且,外框架、第二外框架和第三外框架33分開,從而制造獨(dú)立 的半導(dǎo)體裝置10。
      如圖5所示,與根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體裝置IO相比, 根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體裝置36的特征在于,在半導(dǎo)體元件 12的底部上不設(shè)置元件安裝部分11,并且露出半導(dǎo)體元件12的底部。 因此,相同的附圖標(biāo)記表示相同的結(jié)構(gòu)部件并且將不詳細(xì)說明。
      在半導(dǎo)體裝置36中,由于半導(dǎo)體元件12的底部被露出,所以能 夠有效地向外擴(kuò)散從半導(dǎo)體元件12產(chǎn)生的熱。
      其次,將說明用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體裝置36的 方法。
      28用于制造該半導(dǎo)體裝置36的方法不同于用于制造第一實施例的半 導(dǎo)體裝置10的方法僅在于第一、第三、第五和第八步驟。所以,只詳 細(xì)說明不同的步驟。
      如圖6A所示,在第一步驟中,引線框架材料28的前后表面分別 用保護(hù)薄膜27涂覆,并且進(jìn)行曝光,以便形成引線框架圖形,每個引 線框架圖形都具有一組后部內(nèi)端子14、 一組后部外端子15以及圍繞這 些部件的外框架(未示出)以及將背部內(nèi)框架14和背部外框架15與 外框架連接的引線(未示出)。而且,進(jìn)行顯影,從而在前后保護(hù)薄 膜27上形成引線框架圖形。
      如圖6C所示,在第三步驟中,前后保護(hù)薄膜27被除去,并且將 覆蓋帶29固定于引線框架材料28的后表面上。在這種裝態(tài)下,利用 形成在前側(cè)的貴金屬鍍層19a作為蝕刻保護(hù)薄膜,從前側(cè)對引線框架材 料28進(jìn)行第一次蝕刻到預(yù)定的深度,因而突出整個外框架以及這組后 部內(nèi)端子14和這組后部外端子15的各自的上側(cè),并且在引線框架材 料28的中心處形成元件安裝區(qū)域37。
      而且,如圖6D所示,在第四步驟中,通過支撐引線32與第二外 框架(未示出)連接的導(dǎo)體板16設(shè)置在引線框架材料28的各后部外 端子15上并連接于該各后部外端子15,其中覆蓋帶29被除去。通過 支撐引線34與第三外框架33連接的前部外端子17也設(shè)置在其上并且 與其連接。
      因此,形成用于半導(dǎo)體裝置36的引線框架產(chǎn)品38a。該引線框架 產(chǎn)品38a包括在中心處預(yù)先蝕刻掉的元件安裝區(qū)域37、以區(qū)域陣列形 狀設(shè)置在其周邊的一組后部內(nèi)端子14,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在這組后 部內(nèi)端子14的周邊上的一組后部外端子15,通過導(dǎo)體板16緊接地設(shè) 置在各后部外端子15的上方的一組前部外端子17,以及與元件安裝部 分11、后部內(nèi)端子14、后部外端子15的下側(cè)一體地連接并且構(gòu)成元件安裝區(qū)域37的連接部件30。后部外端子15分別連接于對應(yīng)的前部
      外端子17。
      在該引線框架產(chǎn)品38a中,將在連接部件38的第二次蝕刻過程中 被去除的元件安裝區(qū)域37的后側(cè)被露出。
      如圖6E所示,在第五步驟中,半導(dǎo)體元件12設(shè)置在元件安裝區(qū) 域37上。
      而且,如圖6F所示,在第六步驟中,在半導(dǎo)體元件12的各焊盤 與后部內(nèi)端子14之間進(jìn)行電線焊接。
      而且,如圖6G所示,在第七步驟中,半導(dǎo)體元件12、焊線13以 及除各后部內(nèi)端子14、各后部外端子15以及前部外端子的外部連接端 子區(qū)域之外的區(qū)域設(shè)置在模具中,并且用密封樹脂18進(jìn)行樹脂密封。
      其次,如圖6H所示,在第八步驟中,利用形成在引線框架材料 28的后側(cè)的貴金屬鍍層19作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻,以除 去連接后部內(nèi)端子14、后部外端子15以及外框架的后表面的連接部件 38,并且覆蓋半導(dǎo)體元件12后表面以構(gòu)成元件安裝區(qū)域37。因此,這 些后部內(nèi)端子14、后部外端子15和外框架成為彼此獨(dú)立,并且半導(dǎo)體 元件12的底部被露出。
      而且,第一外框架、第二外框架和第三外框架33分開,從而制造 獨(dú)立半導(dǎo)體裝置36。
      如圖7所示,與根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體裝置IO相比, 根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的半導(dǎo)體裝置39的特征在于, 一些電極焊盤 通過焊線13與后部內(nèi)端子14連接,保持電極焊盤通過其他焊線40與 后部外端子15連接,并且焊線40與其連接的每個后部外端子15都具有焊線40與其連接的焊線連接區(qū)域42,焊線連接區(qū)域42與導(dǎo)體板16 與其連接的導(dǎo)體連接區(qū)域41分開。
      相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成部件并且不再詳細(xì)說明。
      在半導(dǎo)體裝置39中,后部外端子15連接于半導(dǎo)體元件12,并且 通過導(dǎo)體板16連接于前部外端子17。為此,例如,如果另一個半導(dǎo)體 裝置(包括市場上可得到的標(biāo)準(zhǔn)部件產(chǎn)品)以該另一個半導(dǎo)體裝置設(shè) 置在上側(cè)上這樣的方式重疊在半導(dǎo)體裝置39上,則該半導(dǎo)體裝置39 的前部外端子17與該另一個半導(dǎo)體裝置的連接端子22 (見圖2)之間 形成導(dǎo)電性,半導(dǎo)體元件12能夠直接連接于該另一個半導(dǎo)體裝置的半 導(dǎo)體元件。因此,容易實現(xiàn)復(fù)雜系統(tǒng)封裝(packaging)。
      其次,將說明用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體裝置39的 方法。
      現(xiàn)在,用于制造該半導(dǎo)體裝置39的方法與用于制造根據(jù)本發(fā)明第 一實施例的半導(dǎo)體裝置10的方法的不同僅僅在第四、第五和第六步驟。 所以僅僅詳細(xì)說明這些不同的步驟。
      如圖8D所示,在第四步驟中,半導(dǎo)體元件12通過導(dǎo)電的粘結(jié)劑 層20安裝在元件安裝部分11上。
      如圖8E所示,在第五步驟中,半導(dǎo)體元件12的各電極焊盤通過 焊線13連接于對應(yīng)的后部內(nèi)端子14。半導(dǎo)體元件12的各電極焊盤通 過焊線40還連接于對應(yīng)的后部外端子15的焊線連接區(qū)域42。
      而且,如圖8F所示,在第六步驟中,通過引線32與第二外框架 (未示出)連接的導(dǎo)體板16設(shè)置在除后部外端子15的焊線連接區(qū)42 之外的區(qū)域上并連接于該區(qū)域,即,導(dǎo)體連接區(qū)域41,并且通過支撐
      31引線34與用于后部外端子15的第三外框架33 (見圖9)連接的前部 外端子17也設(shè)置在其上并且與其連接,使得它們緊接地位于在后部外 端子15的上方。
      因此,如圖9所示,焊線13將半導(dǎo)體元件12連接于后部內(nèi)端子 14,而焊線40將半導(dǎo)體元件12連接于后部外端子15,因此形成導(dǎo)電 的電路。
      順便說,雖然覆蓋帶29在第四步驟中被除去,但是也可以在第五 步驟或第六步驟中被除去。
      因此,形成用于半導(dǎo)體裝置39的引線框架產(chǎn)品39a。該引線框架 產(chǎn)品39a包括位于中心處的元件安裝區(qū)域11,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在 其周邊上的一組后部內(nèi)端子14,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在這組后部內(nèi)端 子14的周邊上的一組后部外端子15,通過導(dǎo)體板16緊接地設(shè)置各后 部外端子15的上方的一組前部外端子17,以及一體地與后部內(nèi)端子 14和后部外端子15的下側(cè)連接的連接部件30。后部外端子15分別連 接于對應(yīng)的前部外端子17。每個后部外端子15都具有導(dǎo)體板16與其 連接的導(dǎo)體連接區(qū)域41以及焊線40與其連接的焊線連接區(qū)域42。
      如圖10所示,在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體裝置43中,與 根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體裝置39—樣, 一些電極焊盤通過焊線 13連接于后部內(nèi)端子14,而其余的電極焊盤通過其他的焊線40連接 于后部外端子15。然而,在半導(dǎo)體裝置39中,導(dǎo)體連接區(qū)域41和焊 線連接區(qū)域42分開設(shè)置,而半導(dǎo)體裝置43的特征在于,焊線40與其 連接的每個后部外端子15的區(qū)域與導(dǎo)體板16與其連接的區(qū)域是相同 的(也就是,導(dǎo)體板16能夠從焊線40的上方重疊地連接于后部外端 子15)。
      因此,相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成部件并且不再進(jìn)行詳細(xì)描
      32述。
      在用于制造根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體裝置43的方法中,在 用于制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體裝置39的方法的第六步驟
      中,通過支撐引線32與第二外框架(未示出)連接的導(dǎo)體板16可以 設(shè)置在焊線40與其連接的后部外端子15上,并連接于該后部外端子 15 (例如,使得前者緊接地位于后者之上),并且,通過支撐引線34 與用于后部外端子15的第三外框架33連接的前部外端子17也可以設(shè) 置在其上并且與其連接,使得它們緊接地位于后部外端子15的上方。
      當(dāng)完成第六步驟時,形成用于半導(dǎo)體裝置43的引線框架產(chǎn)品。該 引線框架產(chǎn)品包括位于中心處的元件安裝區(qū)域11,以區(qū)域陣列形狀設(shè) 置在其周邊上的一組后部內(nèi)端子14,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在該后部內(nèi) 端子14的周邊上的一組后部外端子15,通過導(dǎo)體板16緊接地設(shè)置在 各后部外端子15的上方的一組前部外端子17,以及一體地與后部內(nèi)端 子14和后部外端子15的下側(cè)連接的連接部件30。后部外端子15通過 導(dǎo)體板16分別連接于對應(yīng)的前部外端子17。每個導(dǎo)體板16重疊地設(shè) 置在連接于后部外端子15的焊線40的連接區(qū)域43a上。
      如圖11和12所示,與根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置10相 比,根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體裝置44的特征在于,后部內(nèi)端子 14和對應(yīng)的后部外端子15通過引線45彼此連接。因此,相同的附圖 標(biāo)記表示相同的構(gòu)成部件并且將不再進(jìn)行詳細(xì)描述。
      在半導(dǎo)體裝置44中,由于對應(yīng)的后部內(nèi)端子14和后部外端子15 與引線45彼此連接,所以當(dāng)另一個半導(dǎo)體裝置以半導(dǎo)體裝置44設(shè)置 下側(cè)而另一個半導(dǎo)體裝置設(shè)置在上側(cè)的方式重疊在半導(dǎo)體裝置44上 時,在半導(dǎo)體裝置44的前部外端子17與該另一個半導(dǎo)體裝置的連接 端子之間形成導(dǎo)電性,不需要通過焊線將半導(dǎo)體裝置44的半導(dǎo)體元件 12連接于后部外端子15。而且,用于制造根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體裝置44的方法與 用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置10的方法的不同之處僅 僅在于在第一步驟中形成引線框架圖形的格式,并且其制造工藝與制 造半導(dǎo)體裝置10的方法中的制造工藝是基本相同的。
      因此,在這里不再說明用于制造半導(dǎo)體裝置44的方法。
      順便說,在用于制造半導(dǎo)體裝置44的方法的第一步驟中形成的引 線框架圖形具有半導(dǎo)體元件12安裝在其上的元件安裝區(qū)域11、 一組后 部內(nèi)端子14、 一組后部外端子15、將對應(yīng)的后部內(nèi)端子14與后部外 端子15彼此連接的引線45、圍繞這些部件的外框架、以及將各后部內(nèi) 端子14和各后部外端子15與外框架連接的引線。
      當(dāng)完成第四步驟時,形成用于半導(dǎo)體裝置44的引線框架產(chǎn)品。該 引線框架產(chǎn)品包括位于內(nèi)部的元件安裝區(qū)域11、以區(qū)域陣列形狀設(shè)置 在其周邊上的一組后部內(nèi)端子14、以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在該后部內(nèi)端 子14的周邊上的一組后部外端子15、通過導(dǎo)體板16緊接地設(shè)置各后 部外端子15上方的一組前部外端子17、以及一體地與元件安裝區(qū)域 11、 一組后部內(nèi)端子14和一組后部外端子15的下側(cè)連接的連接部件 30。后部外端子15連接于對應(yīng)的前部外端子17。
      對應(yīng)的后部內(nèi)端子14和后部外端子15通過引線45彼此連接。
      在第六步驟中,如圖12所示,通過在半導(dǎo)體元件12的各電極焊 盤與對應(yīng)的后部內(nèi)端子14之間進(jìn)行電線焊接,半導(dǎo)體元件12和后部 內(nèi)端子14通過焊線13彼此連接,因此形成導(dǎo)電的電路。
      如圖13所示,根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體裝置46的特征在 于,后部外端子47、 49以具有多列的區(qū)域陣列圖形設(shè)置;與根據(jù)本發(fā)
      34明第一實施例的半導(dǎo)體裝置IO相比,僅僅在最外列處的各后部外端子 47連接于對應(yīng)的前部外端子48;并且除最外列之外的后部外端子49
      具有引線連接區(qū)域,連接到半導(dǎo)體元件12的焊線50固定到該引線連 接區(qū)域,并且該引線連接區(qū)域通過引線51分別與在最外列處的對應(yīng)的 后部外端子47連接。
      因此,通過將相同的附圖標(biāo)記給予相同的構(gòu)成部件而生去詳細(xì)說明。
      在半導(dǎo)體裝置46中,由于對應(yīng)的后部外端子47和49通過引線51 彼此連接,如果另一個半導(dǎo)體裝置以該半導(dǎo)體裝置46設(shè)置在下側(cè)而該 另一個半導(dǎo)體裝置設(shè)置在上側(cè)這樣的方式重疊在該半導(dǎo)體裝置46上, 則在半導(dǎo)體裝置46的前部外端子48與另一個半導(dǎo)體裝置的連接端子 之間形成導(dǎo)電性,半導(dǎo)體裝置46的半導(dǎo)體元件12和另一個半導(dǎo)體裝 置的半導(dǎo)體元件能夠協(xié)同地工作。
      而且,用于制造根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體裝置46的方法與 用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體裝置10的方法的不同之處僅 僅在于在第一步驟中形成的引線框架圖形的形狀和導(dǎo)體板52的形狀以 及重疊在其上的前部外端子48,并且其制造工藝與用于制造半導(dǎo)體裝 置10的方法中的制造工藝基本上相同。因此將不再說明用于制造半導(dǎo) 體裝置46的方法。
      現(xiàn)在,在用于制造半導(dǎo)體裝置46的方法的第一步驟中形成的引線 框架圖形具有半導(dǎo)體元件12安裝在其上的元件安裝部分11, 一組后部 內(nèi)端子14, 一組后部外端子47、 49,將對應(yīng)的后部外端子47、 49彼 此連接的引線51,圍繞這些部件的外框架,以及將各后部內(nèi)端子14和 各后部外端子47與外框架連接的引線。
      而且,導(dǎo)體板52形成為使得它們通過支撐引線與第二外框架(未示出)連接,并且緊接地重疊在各后部外端子47上。前部外端子48
      形成為使得它們通過支撐引線54與第三外框架53 (見圖14)連接, 并且重疊在各導(dǎo)體板52上。
      當(dāng)完成第四步驟時,形成用于半導(dǎo)體裝置46的引線框架產(chǎn)品。該 引線框架產(chǎn)品包括位于內(nèi)部的元件安裝部分11,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置 在其周邊上的一組后部內(nèi)端子14,以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在該后部內(nèi)端 子14的周邊上的一組后部外端子47、 49,通過導(dǎo)體板52緊接地設(shè)置 各后部外端子47的上方的一組前部外端子48,以及一體地與元件安裝 部分11、 一組后部內(nèi)端子14和一組后部外端子47、 49的下側(cè)連接的 連接部件30。
      對應(yīng)的后部外端子47和49通過引線51彼此連接。
      在第六步驟中,通過在半導(dǎo)體元件12的各電極焊盤與對應(yīng)的后部 內(nèi)端子14和后部外端子49之間進(jìn)行電線焊接,如圖14所示,半導(dǎo)體 元件12和后部內(nèi)端子14通過焊線13彼此連接,并且半導(dǎo)體元件12 通過引線50與位于里面一列處的后部外端子49彼此連接。因此,形 成導(dǎo)電的電路。
      已經(jīng)參考各種實施例說明了本發(fā)明。但是本發(fā)明不限于在上述實 施例中所描述的結(jié)構(gòu),而是包含可以認(rèn)為是權(quán)力要求所描述的主題范 圍內(nèi)的其他實施例或變化。
      例如,在上面描述的實施例中,雖然連接導(dǎo)體用單層導(dǎo)體板16形 成,但是能夠用選自銀、金和鈀或金凸點(diǎn)(bump)的一種貴金屬的厚 板層形成。
      在第三至第六實施例的方法中,半導(dǎo)體元件安裝在元件安裝部分 上。但是不設(shè)置元件安裝部分,可以露出半導(dǎo)體元件的底部。
      36具體地說,在第一步驟中,用以保護(hù)薄膜覆蓋的引線框架材料的 前后表面形成引線框架圖形,該每個引線框架圖形都具有一組后部內(nèi) 端子、 一組后部外端子、圍繞這些部件的外框架、以及將各后部內(nèi)端 子和各后部外端子連接于外框架的引線。在第三步驟中,除去保護(hù)薄 膜,將覆蓋帶固定于引線框架材料的后表面,并且用形成在前側(cè)上的 貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從前側(cè)對引線框架材料進(jìn)行第一次蝕 刻到預(yù)定的深度,從而突起整個外框架以及后部內(nèi)端子組和后部外端 子組的各自的上側(cè),并且在引線框架材料的中心處形成元件安裝區(qū)域。
      因此,在第二次蝕刻工藝中被除去的元件安裝區(qū)域能夠形成在中 心處,并且通過將半導(dǎo)體元件安裝在元件安裝區(qū)域上,并且通過第二 次蝕刻處理除去連接部件,露出半導(dǎo)體元件12的底部。因此,能夠有 效地向外部擴(kuò)散從半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱。
      而且,在第一和第三至第六實施例中,在元件安裝部分的后側(cè)上, 形成貴金屬鍍層。然而,如果從半導(dǎo)體元件產(chǎn)生很少量的熱,那么不 需要在元件安裝部分的后側(cè)上形成貴金屬鍍層。
      而且,在第三和第四實施例中,提供用于電線焊接于半導(dǎo)體元件 所必須的多個后部外端子,然而,能夠提供超過用于電線焊接所必須 的數(shù)目的后部外端子的數(shù)目。
      因此,能夠提供與安裝在半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件獨(dú)立的布線,
      使得通過特定組織(at issue)的半導(dǎo)體裝置,其他半導(dǎo)體裝置能夠彼
      此電連接。
      順便說,在上面描述的實施例中,兩片導(dǎo)體板重疊在引線框架材 料上以形成三層結(jié)構(gòu)。然而,三片或更多片導(dǎo)體板可以重疊在引線框 架材料上,已形成四層或更多層結(jié)構(gòu),或者一片導(dǎo)體板可以重疊在引
      37線框架材料上,以形成兩層結(jié)構(gòu)。
      其次,通過利用圖15,說明根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體裝置。 圖15示出在根據(jù)本發(fā)明第一至第六實施例的半導(dǎo)體裝置中的熱擴(kuò)
      散被特別改進(jìn)的情況。為了改進(jìn)熱擴(kuò)散,可以將散熱片55連接于半導(dǎo)
      體元件設(shè)置在其上的元件安裝部分11 (墊)。
      工業(yè)實用性
      按照根據(jù)權(quán)利要求1至7的半導(dǎo)體裝置、權(quán)利要求8至15中的引 線框架產(chǎn)品以及權(quán)利要求16至23中的用于制造半導(dǎo)體裝置的方法, 除了在底表面上形成的后部內(nèi)端子和后部外端子之外,設(shè)置與后部外 端子連接并且暴露于前表面的前部外端子。為此,能夠容易地并且以 低成本制造層疊的多芯片組件型半導(dǎo)體裝置,因此具有很大的工業(yè)實 用性。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體裝置,包括(1)在內(nèi)部設(shè)置的元件安裝部分;(2)一組后部內(nèi)端子,其通過焊線與所述半導(dǎo)體裝置的一些或全部相應(yīng)的電極焊盤連接,并且以區(qū)域陣列形狀設(shè)置以便露出底部的內(nèi)側(cè);(3)設(shè)置在這組后部內(nèi)端子的外側(cè)的一組后部外端子;(4)緊接地設(shè)置在后部外端子的上面、以便從前表面露出的一組前部外端子,其通過導(dǎo)體板分別與緊接地設(shè)置在其下面的后部外端子電連接;以及(5)密封樹脂,其密封所述半導(dǎo)體元件和焊線,以及所述后部內(nèi)端子、后部外端子和前部外端子的未露出部分,其中至少在所述后部內(nèi)端子、后部外端子和前部外端子的各端子表面上形成貴金屬鍍層。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述連接導(dǎo)體是一片 或重疊的兩片導(dǎo)體板。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2任何一項所述的半導(dǎo)體裝置,其中一些所 述電極焊盤連接于所述后部內(nèi)端子,而其余的電極焊盤通過其他的焊 線連接于所述后部外端子。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述其他焊線與其連 接的所述后部外端子具有焊線連接區(qū)域,所述其他焊線與該焊線連接 區(qū)域連接,該焊線連接區(qū)域與所述連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述其他的焊線連接 于在與所述連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域相同的區(qū)域中的所述后部外端子。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置,其中在所 述半導(dǎo)體元件的底部上設(shè)置元件安裝部分,并且在其后側(cè)上形成貴金 屬鍍層。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5的任何一項所述的半導(dǎo)體裝置,其中在所 述半導(dǎo)體元件的底部上不設(shè)置元件安裝部分,而是露出所述半導(dǎo)體元件的底表面。
      8. —種用于根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的引線框架產(chǎn)品,包括元件安裝部分;以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在其周邊上的所述一組后部內(nèi)端子; 以區(qū)域陣列形狀設(shè)置在這組后部內(nèi)端子的周邊上的所述一組后部 外端子;通過所述連接導(dǎo)體緊接地設(shè)置在各后部外端子之上的所述一組前 部外端子;以及一體地與所述元件安裝部分、后部內(nèi)端子以及后部外端子的下側(cè) 連接的連接部件,其暴露在后側(cè)上并且通過蝕刻工藝最終被除去。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線框架產(chǎn)品,其中除其下部區(qū)域之外 的元件安裝部分被預(yù)先蝕刻掉以形成元件安裝區(qū)域,并且所述元件安 裝區(qū)域的后側(cè)在所述連接部件的蝕刻工藝期間被露出并且除去。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求8和9中的任何一項所述的引線框架產(chǎn)品,其中 所述連接導(dǎo)體是一片或重疊的兩片導(dǎo)體板。
      11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任何一項所述的引線框架產(chǎn)品,其 中所述后部外端子以多列的區(qū)域陣列形狀設(shè)置,并且只有在最外一列 的所述后部外端子分別連接于對應(yīng)的前部外端子。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任何一項所述的引線框架產(chǎn)品,其 中所述后部外端子以多列的區(qū)域陣列形狀設(shè)置,并且所述后部外端子 分別連接于對應(yīng)的前部外端子。
      13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的引線框架產(chǎn)品,其中除其最外列之外的所述后部外端子都具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域,而且, 具有該焊線連接區(qū)域的所述后部外端子通過引線分別與在最外列的所述后部外端子連接。
      14. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任何一項所述的引線框架產(chǎn)品,其中除了所述連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域之外, 一些或全部所述后部外端 子具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域。
      15. 根據(jù)權(quán)利要求8至14中的任何一項所述的引線框架產(chǎn)品,其 中最終被去掉的外框架設(shè)置在外側(cè)上。
      16. —種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,包括如下步驟第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述半導(dǎo)體 元安裝在其上的元件安裝部分、所述一組后部內(nèi)端子、所述一組后部 外端子、以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在 所述前后保護(hù)薄膜中形成所述引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的所述引線框架圖形的所述引線框架 材料的前后表面上形成貴金電鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材 料的后表面上,并且利用形成在前表面上的所述貴金屬鍍層作為蝕刻 保護(hù)薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度, 從而分別突出外框架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端 子組和后部外端子組的各自的上側(cè);第四步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在所述引線框架材料的各后部外端子上,并連接于該后 部外端子,其中所述覆蓋帶已經(jīng)被除去,并且還將通過其他支撐引線 與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在所述導(dǎo)體板上,并連接于所述 導(dǎo)體板;第五步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述元件安裝部分上;第六步驟,在所述半導(dǎo)體元件的各焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi)端子 和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;第七步驟,樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、焊線、以及除所述各后部 內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及第八步驟,利用形成在所述引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層 作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述元件安裝 部分、后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使這些 部件彼此電獨(dú)立。
      17.—種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,包括如下步驟第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述后部內(nèi) 端子組,所述后部外端子組,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在所述前后保護(hù)薄膜中形成所述引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的所述引線框架圖形的所述引線框架材料的前后表面上形成貴金屬鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材料的后表面上,并且利用形成在前表面上的所述貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,從而分別突出外框架的一部分或全部,以及所述后部內(nèi)端子組和后部 外端子組的各自的上側(cè)。第四步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在所述引線框架材料的各后部外端子上,并且連接于該各后部外端子,其中所述覆蓋帶被除去,并且還將通過其他支撐引線 與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在所述導(dǎo)體板上,并連接于所述 導(dǎo)體板;第五步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述引線框架材料的中心處 的元件安裝區(qū)域上;第六步驟,在所述半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的所述后 部內(nèi)端子之間進(jìn)行電線焊接;第七步驟,樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、焊線、以及除所述各后部 內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及第八步驟,利用形成在所述引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層 作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述后部內(nèi)端 子、后部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋所述半導(dǎo)體元件的 后側(cè),因此使所述后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      18. 根據(jù)權(quán)利要求18和19中的任何一項所述的用于制造半導(dǎo)體裝 置的方法,其中所述后部外端子以多列的方式設(shè)置在所述后部內(nèi)端子的外側(cè),并且設(shè)置在外列上的所述后部內(nèi)端子的一部分或全部通過引 線分別連接于設(shè)置在內(nèi)列上的所述后部外端子。
      19. 一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,包括如下步驟第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述半導(dǎo)體 元安裝在其上的元件安裝部分,所述后部內(nèi)端子組,所述后部外端子 組,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在所述 前后保護(hù)薄膜中形成所述引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的所述引線框架材料 的前后表面上形成貴金屬鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材 料的后表面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù)薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,因而 分別突出外框架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組 和后部外端子組的各自的上側(cè)。第四步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述元件安裝部分上;第五步驟,在所述半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi) 端子和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料的各后部外端子上,并連接于所述該各 后部外端子,其中覆蓋帶被除去,并且還將通過其他支撐引線與第三 外框架連接的前部外端子設(shè)置在所述導(dǎo)體板上,并連接于所述導(dǎo)體板;第七步驟,樹脂密封所所述半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi) 端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及第八步驟,利用形成在所述引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬作為 蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述元件安裝部分、 后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使這些部件彼 此電獨(dú)立。
      20. —種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,包括第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述后部內(nèi) 端子組,所述后部外端子組,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn) 行顯影處理,從而在所述前后保護(hù)薄膜中形成所述引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的所述引線框架圖形的所述引線框架 材料的前后表面上形成貴金屬鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材 料的后表面上,并且利用形成在前表面上形成的貴金屬鍍層作為蝕刻 保護(hù)薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度, 因而分別突出外框架的一部分或全部,以及該后部內(nèi)端子組和后部外 端子組的各自的上側(cè)。第四步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述引線框架材料的中心處的元件安裝區(qū)域上;第五步驟,在所述半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi) 端子之間進(jìn)行電線焊接;第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在引線框架材料的各后部外端子上,并連接于該各后部 外端子,其中覆蓋帶在所述第四步驟、第五步驟或這個步驟中被除去, 并且還將通過其他支撐引線與第三外框架連接的前部外端子設(shè)置在所 述導(dǎo)體板上,并連接于所述導(dǎo)體板;第七步驟,樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、焊線、以及除各后部內(nèi)端 子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及第八步驟,利用形成在所述引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層 作為蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述后部內(nèi)端 子、后部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋所述半導(dǎo)體元件的 后側(cè),因此使所述后部內(nèi)端子、后部外端子和外框架彼此電獨(dú)立。
      21. —種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,其中所述 后部外端子具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域,該焊線連接區(qū)域 與所述連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開,該方法包括第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述半導(dǎo)體 元件安裝在其上的元件安裝部分,所述后部內(nèi)端子組,所述后部外端 子組,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn)行顯影處理,從而在所 述前后保護(hù)薄膜上形成所述引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的引線框架圖形的所述引線框架材料 的前后表面上形成貴金屬鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材 料的后表面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù) 薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,因而 分別突出外框架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組第四步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述元件安裝部分上;第五步驟,在半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的所述后部內(nèi) 端子和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在在除了引線框架材料的各后部外端子的焊線連接區(qū)域 之外的區(qū)域上,并連接于該區(qū)域,其中所述覆蓋帶在所述第四步驟、 第五步驟或這個步驟中被除去,并且還將通過其他支撐引線與第三外 框架連接的前部外端子設(shè)置在所述導(dǎo)體板上,并連接于所述導(dǎo)體板;第七步驟,樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、焊線、以及除所述各后部 內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域;以及第八步驟,利用形成在引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層作為 蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述元件安裝部分、 后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架的連接部件,因此使所述后部內(nèi) 端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      22.—種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的方法,其中所述 后部外端子具有其他焊線與其連接的焊線連接區(qū)域,該焊線連接區(qū)域 與所述連接導(dǎo)體與其連接的區(qū)域分開,該方法包括第一步驟,對具有每個用保護(hù)薄膜覆蓋的前后表面的引線框架材 料進(jìn)行引線框架圖形曝光處理,每個引線框架圖形都具有所述后部內(nèi) 端子組,所述后部外端子組,以及圍繞這些部件的外框架,并且還進(jìn) 行顯影處理,從而在所述前后保護(hù)薄膜上形成引線框架圖形;第二步驟,在具有如此形成的所述引線框架圖形的所述引線框架 材料的前后表面上形成貴金屬鍍層;第三步驟,除去所述保護(hù)薄膜,將覆蓋帶固定在所述引線框架材 料的后表面上,并且利用形成在前表面上的貴金屬鍍層作為蝕刻保護(hù) 薄膜,從前側(cè)對所述引線框架材料進(jìn)行蝕刻處理到預(yù)定的深度,因而 分別突出外框架的一部分或全部,以及元件安裝部分、后部內(nèi)端子組 和后部外端子組的各自的上側(cè)。第四步驟,將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述引線框架材料的中心處;第五步驟,在所述半導(dǎo)體元件的各電極焊盤和與其對應(yīng)的后部內(nèi) 端子和后部外端子之間進(jìn)行電線焊接;第六步驟,將通過支撐引線與第二外框架連接的一片或重疊的兩 片導(dǎo)體板設(shè)置在在除了引線框架材料的各后部外端子的焊線連接區(qū)域 之外的區(qū)域上,并連接于該區(qū)域,其中所述覆蓋帶在所述第四步驟、 第五步驟或這個步驟中被除去,并且還將通過其他支撐引線與第三外 框架連接的前部外端子設(shè)置在所述導(dǎo)體板上并連接于所述導(dǎo)體板;第七步驟,樹脂密封所述半導(dǎo)體元件、所有的所述焊線、以及除 所述各后部內(nèi)端子、各后部外端子的外部連接端子區(qū)域之外的區(qū)域; 以及第八步驟,利用形成在引線框架材料的后側(cè)上的貴金屬鍍層作為 蝕刻保護(hù)薄膜,進(jìn)行第二次蝕刻處理,以除去連接所述后部內(nèi)端子、 后部外端子以及外框架的連接部件,并且覆蓋所述半導(dǎo)體元件后側(cè), 因此使所述后部內(nèi)端子、后部外端子以及外框架彼此電獨(dú)立。
      23.根據(jù)權(quán)利要求16至22中的任何一項所述的用于制造半導(dǎo)體裝 置的方法,其中在所述引線框架材料的前后表面的每個上的貴金屬鍍 層用選自銀或金的一種貴金屬,直接地或者通過基礎(chǔ)電鍍層形成,而 且在所述前部外端子的端子表面上,選自包括銀、金或鈀的的一組的 貴金屬鍍層直接地或者通過基礎(chǔ)電鍍層形成。
      全文摘要
      一種半導(dǎo)體裝置(10),其包括半導(dǎo)體元件(12);通過焊線(13)連接于該半導(dǎo)體元件(12)并且以區(qū)域陣列方式設(shè)置以便暴露于底部的內(nèi)側(cè)的一組后部內(nèi)側(cè)端子(14);設(shè)置在這組后部內(nèi)端子(14)的外側(cè)的一組后部外端子(15);緊接地設(shè)置在后部外端子(15)的上方以從前表面暴露,并且通過連接導(dǎo)體(16)電連接于緊接地設(shè)置在其下面的后部外端子(15)的一組前部外端子(17);以及密封樹脂(18),用于密封半導(dǎo)體元件(12),焊線(13),所述后部內(nèi)端子(14)、所述后部外端子(15),以及所述前部外端子(17)的未暴露區(qū)域。至少在所述后部內(nèi)端子(14)、后部外端子(15)以及前部外端子(17)的相應(yīng)的端子表面上形成選貴金屬鍍層(19、19a)。
      文檔編號H01L23/12GK101517738SQ20078003394
      公開日2009年8月26日 申請日期2007年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月12日
      發(fā)明者平島哲之, 松永清, 鹽山隆雄 申請人:株式會社三井高科技
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