專利名稱：光傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管光傳感器。
背景技術(shù)：
通常，提及光傳感器，公知一種具有形成于柵極絕緣膜之下的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的晶體管型結(jié)構(gòu)。 一種由于將光傳感器安裝到絕緣襯底上的必要性而采用非晶硅作為光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體薄膜的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)也是眾所周知的。
日本專利申請K0KAI公開文本No. 8-213584公開了這樣一種薄膜晶體管型光傳感器。JP08-213584中公開的光傳感器具有由遮光導(dǎo)電材料構(gòu)成的底部柵電極，該電極形成于底部柵極絕緣膜的下面，而所述底部柵極絕緣膜則形成于由非晶硅構(gòu)成的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的下面。此外，在這一常規(guī)結(jié)構(gòu)中，在所述半導(dǎo)體薄膜上形成頂部柵極絕緣膜，在所述頂部柵極絕緣膜上提供由透光導(dǎo)電材料構(gòu)成的頂部柵電極。此外，在一對由n型非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸層上提供由遮光導(dǎo)電材料構(gòu)成的源電極和漏電極，其中，所述一對歐姆接觸層位于頂部柵極絕緣膜下面的半導(dǎo)體薄膜的上表面的兩側(cè)。在這種情況下，源電極和漏電極的相對的端面相互平行，其間的距離對應(yīng)于溝道長度。由于JP 08-213584中公開的光傳感器中的源電極和漏電極的這種結(jié)構(gòu)，所述源電極和漏電極的相互面對并且相互平行的端部尤其將阻擋否則會(huì)沿斜向照射到所述光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體薄膜上的光。這樣將不可能確保足夠的光敏度(光電流/暗電流的比率)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的光傳感器包括用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜(5)，其具有細(xì)長的平面形狀，并且包括沿所述細(xì)長形狀的縱向延伸的第一側(cè)部和沿所述縱向延伸的第二側(cè)部。源電極(9)沿所述縱向延伸，并且
7包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5)的第一側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(9b， 9c)，漏電極(10)沿所述縱向延伸，并且包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5)的第二側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(10b， 10c)。所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)的至少其中之一包括沿所述縱向布置并且與所述半導(dǎo)體薄膜(5)重疊的突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口部分(9c， 10c)。在所述半導(dǎo)體薄膜(5)與所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)的至少其中之一之間形成歐姆接觸層(7， 8)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖(假設(shè)所有的元件都是可透視的)；
圖2A是沿圖1的"ILtIIa"線截取的截面圖；圖2B是沿圖1的"IIb-IIb"線截取的截面圖3是圖1、圖2A和圖2B中所示的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的平面
圖4是圖1、圖2A和圖2B所示的歐姆接觸層的平面圖；圖5是用于說明根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的相對于光強(qiáng)(照度)的Vg-Id特性的曲線圖；.
圖6是用于說明對比設(shè)備的相對于光強(qiáng)(照度)的Vg-Id特性的曲線
圖7是用于說明由圖5和圖6獲得的根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和對比設(shè)備的相對于光強(qiáng)(照度)的截止電流特性的曲線圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖(假設(shè)所有的元件都是可透視的)；
圖9A是沿圖8的IXfIXA線截取的截面圖9B是沿圖8的IXB-IXB線截取的截面圖10是圖8、 9A和9B所示的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的平面圖11是圖8、 9A和9B所示的歐姆接觸層的平面圖12是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖(假設(shè)所有的元件都是可透視的)；
圖13A是沿圖12的XIII八-XIIlA線截取的截面圖； 圖13B是沿圖12的XIIIB-XIIlB線截取的截面圖； 圖14是圖12、13A和13B所示的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的平面以及
圖15是圖12、 13A和13B所示的歐姆接觸層的平面圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施例)
圖1-4示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一 實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖。圖2A是沿圖1的"II廠IIa"線截取的截 面圖。圖2B是沿圖1的"IIb-IIb"線截取的截面圖。
根據(jù)第一實(shí)施例的光傳感器包括由玻璃等構(gòu)成的襯底1。在襯底1的上 表面上提供由鉻等構(gòu)成的條狀柵電極2和連接至柵電極2的柵極線3。
在襯底1的上表面上提供由氮化硅等構(gòu)成的柵極絕緣膜4，所述柵極絕 緣膜4覆蓋柵電極2和柵極線3。在柵極絕緣膜4的上表面上提供由本征非 晶硅構(gòu)成的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜5，并且該半導(dǎo)體薄膜5位于柵電極 2之上。
沿溝道長度L的方向，在半導(dǎo)體薄膜5的上表面的中央部分上(即， 在半導(dǎo)體薄膜5的溝道區(qū)之上)提供由氮化硅等構(gòu)成的條狀溝道保護(hù)膜6。 沿溝道長度L的方向在溝道保護(hù)膜6的上表面的相應(yīng)側(cè)上并且在處于所述 相應(yīng)側(cè)的所述半導(dǎo)體薄膜5的上表面上提供由n型非晶硅構(gòu)成的歐姆接觸 層7和8。
分別在歐姆接觸層7和8的上表面上并且在處于歐姆接觸層7和8附 近的所述柵極絕緣膜4的上表面的部分上提供由鉻等構(gòu)成的源電極9和漏 電極10。在柵極絕緣膜4的上表面的部分上提^^由鉻等構(gòu)成的待分別連接 至源電極9和漏電極10的源極線11和漏極線12。在柵極絕緣膜4的上表 面上提供由氮化硅構(gòu)成的覆蓋膜13，以覆蓋溝道保護(hù)膜6、源電極9、漏電 極10、源極線11和漏極線12 (參考圖2A和2B)。
在下文中將說明半導(dǎo)體薄膜5、歐姆接觸電極7和8以及源電極9和漏電極10的平面形狀。
如圖1所示，源電極9和漏電極10具有大致為齒梳形的平面形狀，其 包括條狀部分9a和10a以及方形突出部分9b和10b。在條狀部分9a的與 條狀部分10a相對的一側(cè)等間隔設(shè)置方形突出部分9b，在條狀部分10a的 與條狀部分9a相對的一側(cè)等間隔設(shè)置方形突出部分10b。在突出部分9b之 間提供方形缺口部分9c，在突出部分10b之間提供方形缺口部分10c。源 電極9的所有突出部分9b和漏電極10的所有突出部分10b沿溝道寬度方 向(垂直于溝道長度方向L的縱向)具有相同的寬度W1，源電極9的所有 缺口部分9c和源電極10的所有缺口部分10c沿溝道寬度方向具有相同的 寬度W2。將突出部分9b (缺口部分9c)的相應(yīng)側(cè)邊部分布置到與相對的突 出部分10b (缺口部分10c)的相應(yīng)側(cè)邊部分對準(zhǔn)的位置。
如圖3所示，半導(dǎo)體薄膜5包括設(shè)置在溝道保護(hù)膜6下面的條狀部分 5a (參考圖2B)，并且包括在條狀部分5a的相應(yīng)側(cè)上沿縱向等間隔設(shè)置的 方形突出部分5b和5c。突出部分5b和5c沿溝道寬度方向與源電極9和漏 電極10的突出部分9b和10b具有相同的寬度Wl。沿縱向在突出部分5b之 間等間隔設(shè)置方形缺口部分5d，沿縱向在突出部分5c之間等間隔設(shè)置方形 缺口部分5e。缺口部分5d和5e沿溝道寬度方向與源電極9和漏電極10的 缺口部分9c和10c具有相同的寬度W2。
將缺口部分5d和5e設(shè)置在分別對應(yīng)于圖1所示的源電極9和漏電極 10的缺口部分9c和10c的位置上。將突出部分5b和5c設(shè)置在分別對應(yīng)于 圖1所示的源電極9和漏電極10的突出部分9b和10c的位置上。
半導(dǎo)體薄膜5的位于缺口部分5d和5e的基底(base)處的端面與溝 道保護(hù)膜6的沿圖1所示的溝道長度L方向的兩個(gè)端面處于相同位置(參 考圖2B)。此外，半導(dǎo)體薄膜5的沿溝道長度L的方向處于突出部分5b和 5c的末端處的端面與分別處于圖1所示的缺口部分9c和10c的基底處的源 電極9的端面(圖l的左端面)和漏電極10的端面(圖l中的右端面)處 于相同的位置(盡管突出部分5b和5c實(shí)際上分別設(shè)置在突出部分9c和10c 的下面)。因而，源電極9的外側(cè)端面(圖1的右端面)和漏電極10的外 側(cè)端面(圖1的左端面)沿溝道長度L的方向位于半導(dǎo)體薄膜5的兩個(gè)端 面的外側(cè)。
10如圖4所示，歐姆接觸層7和8分別包括沿溝道寬度W的方向(垂直 于溝道長度方向的縱向)等間隔設(shè)置的方形部分(分立的島)7a和8a。方 形部分7a和8a與半導(dǎo)體薄膜5的突出部分5b和5c以及源電極9和漏電 極10的突出部分9b和10b具有相同的寬度Wl。在方形部分7a之間提供空 間7b，在方形部分8a之間提供空間8b?？臻g7b和8b沿溝道寬度方向與 半導(dǎo)體薄膜5的缺口部分5d和5e以及源電極9和漏電極10的缺口部分9c 和10c具有相同的寬度W2。
空間7b和8b設(shè)置在分別與圖1所示的源電極9和漏電極10的缺口部 分9c和10c相同的位置上。方形部分7a和8a僅分別設(shè)置在圖1所示的源 電極9和漏電極10的突出部分9b和10b下。
因而，如上所述，在根據(jù)第一實(shí)施例的光傳感器中，(由諸如鉻的遮光 導(dǎo)電材料構(gòu)成的)源電極9的缺口部分9c、歐姆接觸層7中的空間7b以及 半導(dǎo)體薄膜5的缺口部分5d設(shè)置在相同的位置上；(由諸如鉻的遮光導(dǎo)電 材料構(gòu)成的)漏電極10中的缺口部分10c、歐姆接觸層8的空間8b以及半 導(dǎo)體薄膜5的缺口部分5e設(shè)置在相同的位置上。這些缺口部分起著透光部 分的作用，因而不僅能夠提高直接從正上方照射到半導(dǎo)體薄膜5上的光的 量，還能夠提高從斜向(具體而言，從上方沿圖1所示的右側(cè)和左側(cè)傾斜 地)照射到半導(dǎo)體薄膜5上的光的量。
如圖2B所示，在半導(dǎo)體薄膜5上對應(yīng)于缺口部分5d、(空間7b)、 9c、 缺口部分5e、(空間8b)和10c的部分處未形成源電極9和漏電極10。但 是，由于在對應(yīng)于突出部分9b和10b的部分處設(shè)置于源電極9和漏電極10 下的歐姆接觸層7和8的邊緣效應(yīng)(溝道邊沿效應(yīng))的作用下電流將流入 半導(dǎo)體薄膜5，因而盡管在半導(dǎo)體薄膜5中形成了缺口部分5d和5e，仍然 有足夠量的光電流流入到半導(dǎo)體薄膜5內(nèi)。
但是，如果缺口部分5d、 5e、 9c和10c以及空間7b和8b中的每者沿 溝道寬度W方向的寬度W2增大到某一程度，在邊緣效應(yīng)的作用下，電流流 量就要降低。相應(yīng)地，半導(dǎo)體薄膜5的每一缺口部分的寬度W2優(yōu)選等于或 短于溝道長度L。此外， 一般而言，將源電極9和漏電極10之間的沿圖1 所示的溝道長度方向的距離Ll大致設(shè)置為允許在對源電極9和漏電極10 構(gòu)圖時(shí)實(shí)施蝕刻工藝的最小尺寸(一般為幾nm)。半導(dǎo)體薄膜5的每一缺口部分沿溝道寬度方向的寬度W2不受特定限 制，而是優(yōu)選將其大致設(shè)置為允許在對半導(dǎo)體薄膜5進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)實(shí)施蝕刻 工藝的最小尺寸，從而令人滿意地獲得上述邊緣效應(yīng)。因而，優(yōu)選將半導(dǎo) 體薄膜5的每一缺口部分沿溝道寬度方向的寬度W2以及源電極9和漏電極 IO之間的沿溝道長度方向的距離LI 二者設(shè)置為(用于進(jìn)行構(gòu)圖的)最小特 征尺寸。換言之，它們優(yōu)選具有同樣的尺寸，或者大致具有同樣的尺寸。
接下來將說明實(shí)驗(yàn)實(shí)例。制備了一種設(shè)備(在下文中將其稱為根據(jù)本 發(fā)明的設(shè)備)作為光傳感器，其中溝道寬度W為20000 u m;寬度W1 (例 如，源電極9和漏電極10的每一突出部分9b和10b沿溝道寬度W的方向 的寬度)為6um;寬度W2 (例如，每一缺口部分5d和5e沿溝道寬度方向 的寬度)為4um;溝道長度L為9um;距離Ll為4 P m。
此外，還制備了一種設(shè)備(在下文中將其稱為對比設(shè)備)作為用于對 比的光傳感器，其不具有半導(dǎo)體薄膜5、歐姆接觸層7和8、源電極9以及 漏電極10的缺口部分或空間5d、 5e、 7b、 8b、 9c和10c。
也就是說，在這一對比設(shè)備中，源電極和漏電極是簡單的條狀部件， 其沿溝道長度L方向的尺寸等于源電極9和漏電極10在對應(yīng)于突出部分9b 和10b的位置上沿溝道長度L的方向的尺寸。此外，在對比設(shè)備中，用于 光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜是簡單的條狀構(gòu)件，其沿溝道長度L的方向的尺寸 等于半導(dǎo)體薄膜5在對應(yīng)于突出部分5b和5c的位置上沿溝道長度L的方 向的尺寸。此外，在對比設(shè)備中， 一對歐姆接觸層是簡單的條狀構(gòu)件，其 沿溝道長度L的方向的尺寸等于方形部分7a和8a沿溝道長度L的方向的 尺寸。
當(dāng)在分別將源極電壓和漏極電壓設(shè)為0V和10V的情況下檢査根據(jù)本發(fā) 明的設(shè)備和對比設(shè)備的對應(yīng)于O lx、 100 lx、 1000 lx、 10000 lx和100000 lx的光強(qiáng)(照度)的Vg-Id特性時(shí)，獲得了圖5 (根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備)和 圖6 (對比設(shè)備)所示的結(jié)果。當(dāng)在分別將源極、漏極和柵極電壓設(shè)置為 0V、 10V和-10V的情況下獲得對應(yīng)于所述光強(qiáng)(照度)的截止電流時(shí)，獲 得了圖7所示的結(jié)果。參考圖7，實(shí)線和虛線分別表示根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和 對比設(shè)備的結(jié)果。
從圖7顯然可以看出，盡管通過實(shí)線表示的根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備中的暗電流的值(O lx)通常等于通過虛線表示的對比設(shè)備中的暗電流的值(O lx)， 但是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備中的光電流的值(100到10000 lx)比通過虛線表 示的對比設(shè)備中的光電流的值(100到10000 lx)大大約一個(gè)數(shù)量級。也 就是說，與對比設(shè)備相比，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的感光度(光電流/暗電流的 比率)提高了大約一個(gè)數(shù)量級。 (第二實(shí)施例)
圖8-11示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二 實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖。圖9A是沿圖8的IX八-IXA線截取的截面圖。 圖9B是沿圖8的IXB-IXe線截取的截面圖。圖10是圖8、 9A和9B所示的用 于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的平面圖。圖11是圖8、 9A和9B所示的歐姆接 觸層的平面圖。
采用相同的附圖標(biāo)記表示與上文中參考第一實(shí)施例描述的元件相同的 元件。采用"'"標(biāo)示第二實(shí)施例中與第一實(shí)施例中的對應(yīng)元件不同的結(jié) 構(gòu)元件的附圖標(biāo)記。
根據(jù)第二實(shí)施例的光傳感器與圖1到圖4所示的根據(jù)第一實(shí)施例的光 傳感器的不同之處在于，根據(jù)第二實(shí)施例，在源電極和漏電極的下面設(shè)置 歐姆接觸層和用于進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜，從而在設(shè)置于所述半導(dǎo)體 薄膜的一部分之上的歐姆接觸層之上提供所有的源電極，并且在設(shè)置于所 述半導(dǎo)體薄膜的一部分之上的歐姆接觸層之上提供所有的漏電極。
也就是說，如圖10所示，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體薄膜5'具有這樣 的結(jié)構(gòu)，其中，在比圖3所示的條狀部分5a寬的條狀部分5a'內(nèi)將為方形 孔的缺口部分5d，按照等間隔布置成一行，并且在所述條狀部分5a'內(nèi)按 照等間隔將為方形孔的缺口部分5e'布置成另一行。每一缺口部分5d'與 源電極9的每一缺口部分9c沿溝道長度和寬度方向具有相同的尺寸，并且 將缺口部分5d'分別設(shè)置在對應(yīng)于缺口部分9c的位置上。每一缺口部分 5e'與漏電極10的每一缺口部分10c沿溝道長度和寬度方向具有相同的尺 寸，并且將缺口部分5e'分別設(shè)置在對應(yīng)于缺口部分10c的位置上。
此外，如圖11所示，歐姆接觸層7'和8'分別具有與圖8所示的源 電極9和漏電極10大致相同的齒梳狀平面形狀。此外，歐姆接觸層7'的 每一缺口部分7b'沿溝道長度和寬度方向與源電極9的每一缺口部分9c具有相同的尺寸，并且將缺口部分7b'分別設(shè)置到對應(yīng)于缺口部分9c的位置 上。歐姆接觸層8'的每一缺口部分8b'沿溝道長度和寬度方向與漏電極 10的每一缺口部分10c具有相同的尺寸，并且將缺口部分8b'分別設(shè)置到 對應(yīng)于缺口部分10c的位置上。
因而，就這一結(jié)構(gòu)而言，如圖8和圖9所示，將所有的源電極9都設(shè) 置在歐姆接觸層7'之上，其中，所述歐姆接觸層7'設(shè)置在半導(dǎo)體薄膜5' 的一部分之上，并且將所有的漏電極10都設(shè)置在歐姆接觸層8'之上，其 中，所述歐姆接觸層8'設(shè)置在半導(dǎo)體薄膜5'的一部分之上。
應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)第二實(shí)施例的源極線ll'和漏極線12'中的每者具有 三層結(jié)構(gòu)，包括從底部依次形成的本征非晶硅膜、n型非晶硅膜和由鉻等構(gòu) 成的金屬膜。
(第三實(shí)施例)
圖12-15示出了本發(fā)明的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。圖12是根據(jù)本發(fā)明的第 三實(shí)施例的光傳感器的透視平面圖。圖13A是沿圖12的XIII八-XIIlA線截取 的截面圖。圖13B是沿圖12的XIIIb-XIIlB線截取的截面圖。圖14是圖12、 13A和13B所示的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜的平面圖。圖15是圖12、 13A 和13B所示的歐姆接觸層的平面圖。
采用相同的附圖標(biāo)記表示與上文中參考第一實(shí)施例描述的元件相同的 元件。采用"""標(biāo)示與第一實(shí)施例中的對應(yīng)元件不同的結(jié)構(gòu)元件的附圖 標(biāo)記。
具體而言，根據(jù)第三實(shí)施例的光傳感器與圖1到圖4所示的根據(jù)第一 實(shí)施例的光傳感器的不同之處在于，根據(jù)第三實(shí)施例，用于光電轉(zhuǎn)換的半 導(dǎo)體薄膜5"具有如圖14所示的簡單的條狀形狀，歐姆接觸層7"和8"中 的每者具有如圖15所示的簡單的條狀形狀。也就是說，半導(dǎo)體薄膜5"以 及歐姆接觸層7"和8"不具有缺口部分，因而，根據(jù)第三實(shí)施例，只有源 電極9和漏電極10具有缺口部分9c和10c。 (其他實(shí)施例)
根據(jù)上述實(shí)施例，溝道長度L為9um，溝道寬度W相當(dāng)大，即，大到 20000um。但是，所給出的溝道長度L和溝道寬度W的值只是例子，本發(fā) 明不限于此，可以根據(jù)需要選擇適當(dāng)?shù)闹怠＠?，可以減小溝道寬度W。在減小溝道寬度w時(shí)，源電極、漏電極等可以具有一個(gè)或幾個(gè)缺口部分。
此外，根據(jù)上述實(shí)施例，所述光傳感器屬于具有溝道保護(hù)膜6的溝道 保護(hù)膜類型。但是，本發(fā)明不限于此，其還適用于(例如)沒有溝道保護(hù) 膜6的溝道邊沿型光傳感器。在這種情況下，為了確保溝道長度L，可以將 源電極9和漏電極10的突出部分9b和10b的相對的端面之間的距離設(shè)為 等于溝道長度L。
權(quán)利要求
1、一種光傳感器，包括用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜(5；5’；5”)，其具有細(xì)長的平面形狀，并且包括沿所述細(xì)長形狀的縱向延伸的第一側(cè)部和沿所述縱向延伸的第二側(cè)部；源電極(9)，其沿所述縱向延伸，并且包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5；5’；5”)的所述第一側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(9b，9c)；漏電極(10)，其沿所述縱向延伸，并且包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5；5’；5”)的所述第二側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(10b，10c)；以及形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5；5’；5”)與所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b，9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b，10c)的至少其中之一之間的歐姆接觸層(7，8；7’，8’；7”，8”)其特征在于所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b，9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b，10c)的所述至少其中之一包括多個(gè)突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之間的缺口部分(9c，10c)，其中，所述多個(gè)突出部分(9b，10b)沿所述縱向布置且與所述半導(dǎo)體薄膜(5；5’；5”)重疊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，源電極(9)的側(cè) 邊部分(9b， 9c)和漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)都具有突出部 分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口部分(9c， 10c)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")是對應(yīng)于所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和 所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)的所述至少其中之一的突出部 分(9b， 10b)形成的。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")具有設(shè)置在所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5") 的第一側(cè)部和第二側(cè)部之間的溝道區(qū)，所述溝道區(qū)具有沿縱向的溝道寬度 和沿垂直于所述縱向的方向的溝道長度；并且每一所述缺口部分(9c， 10c)沿所述溝道寬度方向的尺寸不超過所述溝道長度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光傳感器，其特征在于還包括形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的所述溝道區(qū)上的溝道保護(hù)膜。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光傳感器，其特征在于，所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部 分(10b， 10c)都具有突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口部分(9c， 10c);并且每一所述缺口部分(9c， 10c)沿所述溝道寬度方向的尺寸等于所述源 電極(9)的突出部分(9b)之一的末端和相對的漏電極(10)的突出部分 (10b)的末端之間的距離。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5，)具有對應(yīng)于所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10) 的側(cè)邊部分(10b， 10c)的所述至少其中之一中的缺口部分(9c， 10c)的 缺口部分(5d， 5e; 5d，， 5e，)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")包括對應(yīng)于所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c) 和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)的所述至少其中之一的突出 部分(9b， 10b)而布置的分立的島。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)都具有突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口部分(9c， 10c);并且所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")從所述第一側(cè)部到所述第二側(cè)部的寬度不小于所述源電極(9)的缺口部分(9c， 10c)之一的基底和所述漏電極 (10)的相對的一個(gè)缺口部分(9c， 10c)的基底之間的距離。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層 (7'， 8')具有齒梳形狀，該齒梳形狀具有對應(yīng)于所述源電極(9)的側(cè)邊部分(9b， 9c)和所述漏電極(10)的側(cè)邊部分(10b， 10c)的所述至少 其中之一中的缺口部分(9c， 10c)的缺口部分(7c'， 8c')。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層 (7"， 8")包括形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5")的第一側(cè)部上的第一條狀構(gòu)件和形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5")的第二側(cè)部上的第二條狀構(gòu)件。
12、 一種光傳感器，包括用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")，其具有細(xì)長的平面形狀， 并且包括沿所述細(xì)長形狀的縱向延伸的第一側(cè)部、沿所述縱向延伸的第二 側(cè)部以及設(shè)置于所述第一側(cè)部和所述第二側(cè)部之間的溝道區(qū)；歐姆接觸層(7， 8; 7'， 8，； 7"， 8")，其沿所述縱向延伸，并且分別 形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的所述第一側(cè)部和所述第二側(cè)部上；源電極(9)，其形成于所述歐姆接觸層(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")中 的第一個(gè)上，從而沿所述縱向延伸；以及漏電極(10)，其形成于所述歐姆接觸層(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")中 的第二個(gè)上，從而沿所述縱向延伸，其特征在于所述源電極(9)包括按照一定間隔布置并且與所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5';5")的第一側(cè)部重疊的突出部分(9b， 10b)，并且所述漏電極(10)包括按照一定間隔布置并且與所述半導(dǎo)體薄膜(5;5'; 5")的第二側(cè)部重疊的突出部分(9b， 10b)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的光傳感器，其特征在于，所述源電極(9) 和所述漏電極(10)具有設(shè)置于所述突出部分(9b， 10b)之間并且不與所 述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")重疊的缺口部分(9c， 10c)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層 (7， 8; 7，， 8'; 7"， 8")形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5，; 5")的除了所述溝道區(qū)之外的區(qū)域和所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的對應(yīng)于所述源電極(9)和所述漏電極(10)的缺口部分(9c， 10c)的區(qū)域上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的光傳感器，其特征在于，每一歐姆接觸層 (7， 8)包括對應(yīng)于所述源電極(9)和所述漏電極(10)之一的突出部分而布置的分立的島。
16、 一種光傳感器，包括用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")，其具有細(xì)長的平面形狀，并且包括沿所述細(xì)長形狀的縱向延伸的第一側(cè)部、沿所述縱向延伸的第二側(cè)部以及設(shè)置于所述第一側(cè)部和所述第二側(cè)部之間的溝道區(qū)；歐姆接觸層(7， 8; 7，， 8，；.7"， 8")，其沿所述縱向延伸，并且分別 形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的第一側(cè)部和第二側(cè)部上；源電極(9)，其形成于所述歐姆接觸層(7， 8; 7'， 8'; 7"， 8")中 的第一個(gè)上，從而沿所述縱向延伸；以及漏電極(10)，其形成于所述歐姆接觸層(7， 8; 7'， 8'; 7"， 8")中 的第二個(gè)上，從而沿所述縱向延伸，其特征在于所述源電極(9)包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的第一側(cè)部重疊的突出部分(9b， 10b)和設(shè)置于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口 部分(9c， 10c)，從而使所述突出部分(9b， 10b)和所述缺口部分(9c， 10c)按照一定間隔交替設(shè)置，每一所述缺口部分(9c， 10c)的寬度小于 每一所述突出部分(9b， 10b)的寬度，并且所述漏電極(10)包括與所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的第二側(cè)部重疊的突出部分(9b， 10b)和設(shè)置于所述突出部分(9b， 10b)之間的缺口 部分，從而使所述突出部分(9b， 10b)和所述缺口部分(9c， 10c)按照 一定間隔交替設(shè)置，每一所述缺口部分(9c， 10c)的寬度小于每一所述突 出部分(9b， 10b)的寬度。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光傳感器，其特征在于，所述歐姆接觸層 (7， 8; 7'， 8，； 7"， 8")形成于所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5，； 5")的除了所述溝道區(qū)之外的區(qū)域和所述半導(dǎo)體薄膜(5; 5'; 5")的對應(yīng)于所述源電極(9)和所述漏電極(10)的缺口部分(9c， 10c)的區(qū)域上。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光傳感器，其特征在于，每一歐姆接觸層 (7， 8)包括對應(yīng)于所述源電極(9)和所述漏電極(10)之一的突出部分而布置的分立的島。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的光傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體薄膜 (5; 5'; 5")的寬度不小于所述源電極(9)的缺口部分(9c)之一的基底和所述漏電極(10)的相對的一個(gè)缺口部分(10c)的基底之間的距離。
全文摘要
一種光傳感器，包括具有第一側(cè)部和第二側(cè)部的用于光電轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體薄膜(5)。源電極(9)沿所述半導(dǎo)體薄膜(5)的縱向延伸，并且具有與所述半導(dǎo)體薄膜(5)的第一側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(9b，9c)，漏電極(10)沿所述縱向延伸，并且具有與所述半導(dǎo)體薄膜(5)的第二側(cè)部重疊的側(cè)邊部分(10b，10c)。源電極和漏電極(9，10)的側(cè)邊部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之間的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述縱向布置，并且與所述半導(dǎo)體薄膜(5)重疊。在所述半導(dǎo)體薄膜(5)與所述源和漏電極(9，10)的側(cè)邊部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之間形成歐姆接觸層(7，8)。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK101517746SQ20078003514
公開日2009年8月26日 申請日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者小林啟和, 山口郁博, 松本廣 申請人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社