專利名稱：：濕敏表面的化學(xué)機(jī)械拋光和為此的組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光用于加工高級(jí)光學(xué)、光子或微電子設(shè)備，其中所述組合物為微乳液。
背景技術(shù)：
：化學(xué)機(jī)械拋光(CMP-慨卞-旦仏雙Kj'子沖乂bW刻)為用于加工高級(jí)光子、微機(jī)電((MEM))和微電子設(shè)備，如半導(dǎo)體晶片的乂>^口一支術(shù)。參見例^口C7zem/ca/-A^c/2"w,'ca/7Voce認(rèn)./7g(SpringerSeriesinMaterialsScience),MichaelR.Oliver,SpringerPubl.,(March24,2006》Af/crac/z(pFa6".ca"0/7,PeterVanZant,McGraw-Hill(2004);C/7，z'ca/臉c/7鹿/ca//)6//>s"/z/wg/57//cow/Voces57'wg，F(xiàn)o/w附e<5J(SemiconductorsandSemimetals),Eds.ShinHwaLiandRobertO.Miller,AcademicPress(1999);C7ze脂'cflf/Mec/zam'ca/尸/簡(jiǎn)arz'zWo/7o/jWz'croe/ec/rom'cM"^/oAs1，Steigerwaldetal.,JohnWiley&Sons(1997)。在典型的化學(xué)機(jī)械拋光過程中，旋轉(zhuǎn)晶片保持器以使晶片與拋光墊或CMP墊接觸。在傳統(tǒng)CMP方法中一個(gè)關(guān)4建消井€品是CMP墊或拋光墊。將CMP墊安裝在旋轉(zhuǎn)臺(tái)板上。將拋光介質(zhì)如研磨漿料施涂至晶片和墊之間。拋光漿料的實(shí)例為在本
技術(shù)領(lǐng)域：
中已知的，例如美國(guó)專利7，091,164;7,108，506和7,112,123。用于金屬CMP的研磨漿料通常包含氧化劑、研磨顆粒、絡(luò)合劑和鈍化劑。無(wú)研磨CMP方法也是已知的，例如參見美國(guó)專利6,800，218和6，415,697。在無(wú)研磨體系中，將研磨顆粒從拋光介質(zhì)中去除。用于介電CMP的研磨漿料通常包含研磨顆粒和化學(xué)添加劑，所述研磨顆粒和化學(xué)添加劑幫助除去表面階梯高度和穩(wěn)定顆粒分散體。CMP漿料或溶液經(jīng)常是水類。水類漿料或溶液的優(yōu)點(diǎn)包括降低生產(chǎn)成本和環(huán)境友好。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，水類漿料或溶液進(jìn)行良好，因?yàn)橐獟伖獾谋砻嫱ǔ?duì)水是惰性的。然而，對(duì)于一些應(yīng)用，要拋光的表面可能是對(duì)水敏感的，或表面可能為對(duì)潮濕反應(yīng)性的。例如，無(wú)機(jī)鹽表面在水存下下可能溶解。對(duì)于這些表面，使用水類漿料將起到反作用。更具體地，水與濕敏表面之間的接觸將極大地引起高的靜態(tài)蝕刻率。該各向同性溶解對(duì)CMP方法是有害的。該直接接觸的直接結(jié)果可導(dǎo)致階梯高度下降效率的損失或去除表面粗糙度的能力的損失。此外，拋光表面延長(zhǎng)暴露于水或潮濕也將導(dǎo)致在表面上形成一層薄霧，即模糊不清的外觀而不是透明或清晰表面。因此，在本領(lǐng)域中，仍存在對(duì)這樣的CMP溶液或漿料的需求，所述CMP溶液或漿料適合于通常應(yīng)用，也適合于當(dāng)拋光表面對(duì)潮濕敏感或反應(yīng)的應(yīng)用。還期望如果CMP溶液或漿料具有高的材料去除速率(MRR)，同時(shí)仍保持可接受的拋光/平坦化特征。還期望如果漿料能夠?qū)崿F(xiàn)具有抵抗環(huán)境侵襲的保護(hù)層的拋光表面。在本申請(qǐng)中的任何文件的引用或確認(rèn)不是承認(rèn)該文件可作為本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種CMP溶液或漿料，其適合用于化學(xué)機(jī)械拋光的方法。本發(fā)明的該目的和其他目的通過提供CMP溶液實(shí)現(xiàn)，所述CMP溶液為具有反相膠束體系的微乳液，其包括0)分散相；(b)連續(xù)相；和(c)表面活性劑。本發(fā)明的另一目的是提供CMP漿料，其包括添加至CMP溶液的固體材誶牛。本發(fā)明的另一目的是提供制備CMP溶液或漿料的方法，其包括混合單個(gè)分散相、連續(xù)相和表面活性劑組分。本發(fā)明的另一目的是提供化學(xué)機(jī)械拋光方法，其包括使用本發(fā)明的CMP溶液或漿料。本發(fā)明的目的是以有效率的成本有效方式，致力于至少一些這些CMP漿料的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。令人驚訝的是，本發(fā)明的這些目的能夠作為濕敏或反應(yīng)性表面的拋光劑，還能夠^提供選自以下組成的組的至少一個(gè)附加益處高的材料去除速率、實(shí)現(xiàn)高階梯高度(stepheight)下降效率和在拋光表面上提供保護(hù)性表面活性劑層。注意，在本公開，特別是權(quán)利要求和/或段落中，術(shù)語(yǔ)如"包括"等可具有將其歸于美國(guó)專利法中的意義，例如他們可指"包括"、"包含"、"含有"等；術(shù)語(yǔ)如"基本由……組成"具有將其歸于美國(guó)專利法中的意義，例如他們?cè)试S沒有明確列舉的元素，但不包括在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)現(xiàn)的，或影響本發(fā)明的基本或新的特征的元素。注意，如在說明書和所附權(quán)利要求中使用的，單數(shù)形式包括多個(gè)對(duì)象，除非清楚地明確地限于一個(gè)對(duì)象。為了本說明書的目的，除非另外說明，表示用于本il明書和權(quán)利要求中的成分的量、反應(yīng)條件和其他參數(shù)的所有的數(shù)，在一切情況下均理解為由術(shù)語(yǔ)"約"修正。因此，除非相反的指出，在以下說明書和所附權(quán)利要求中列出的數(shù)值參數(shù)為近似值，其可依賴于通過本發(fā)明尋求要獲得的期望性質(zhì)而改變。至少，不試圖限制等同于權(quán)利要求范圍的教條的應(yīng)用，各數(shù)值參數(shù)應(yīng)至少根據(jù)報(bào)導(dǎo)的有效數(shù)字并通過應(yīng)用常*見的舍入#支術(shù)(roundingtechniques)來構(gòu)建。此處所有數(shù)范圍包括所有數(shù)值和在列舉的數(shù)范圍內(nèi)變動(dòng)的所有數(shù)值的范圍。雖然列出本發(fā)明的寬范圍的數(shù)范圍和參數(shù)為近似值，但具體實(shí)例中列出的數(shù)值盡可能精確地報(bào)導(dǎo)。然而，任何數(shù)值固有地包含一定的誤差，所述誤差由在各測(cè)試測(cè)量中發(fā)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差必然導(dǎo)致的。除非另外說明，所有"重量％"是基于組合物、溶液或漿料的總重量。此外注意，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，本發(fā)明不意欲包括任何之前公開的產(chǎn)品、制造該產(chǎn)品的方法或使用該產(chǎn)品的方法，其滿足USPTO(35U.S.C.112,firstparagraph)或EPO(Article83oftheEPC)的書面描述和授權(quán)要求，因此申請(qǐng)人保留權(quán)利，由此公開放棄任何之前描述的產(chǎn)品、制造該產(chǎn)品的方法或使用該產(chǎn)品的方法。7如此處介紹的，將本發(fā)明的各實(shí)施方案和實(shí)施例理解為本發(fā)明的示例，且不限于此，且其對(duì)于本發(fā)明的范圍為非限定性的。這些和其他實(shí)施方案公開于，或顯而易見于，并包括于以下詳細(xì)描述。與附圖結(jié)合可最好地理解以下詳細(xì)描述，該詳細(xì)描述通過實(shí)施例給出，但不旨在將本發(fā)明僅限于所描述的具體實(shí)施方案，其中圖l描述了具有頭(極性)基團(tuán)朝外，尾(疏水性的)基團(tuán)朝內(nèi)的水連續(xù)相的規(guī)則膠束體系；圖2描述了具有頭(極性)基團(tuán)朝內(nèi)，尾(疏水性的)基團(tuán)朝外的油連續(xù)相的反相月交束體系；圖3描述了由具有相反電荷的雙層表面活性劑覆蓋的拋光表面；圖4描述了由具有相反電荷的雙層混合表面活性劑覆蓋的拋光表面，所述相反電荷增強(qiáng)堆積密度和保護(hù)不受潮濕。圖5描述了用于三元體系的相圖，其包含戊醇(標(biāo)記為CoS)、水和十二烷基硫酸鹽(標(biāo)記為表面活性劑)。為了可讀容易，僅描述許多可能相的兩個(gè)(微乳液相標(biāo)記為膠束，反相微乳液標(biāo)記為反相"交束)。具體實(shí)施例方式本發(fā)明描述了設(shè)計(jì)為拋光和保護(hù)濕敏表面的CMP溶液或漿料的配方。CMP溶液的化學(xué)組成是在由水、油和表面活性劑組分組成的相圖的L2區(qū)域中的微乳液。該區(qū)域典型地包含反相膠束。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，CMP溶液為具有反相月交束體系的微乳液，其包括(a)分散相；(b)連續(xù)相；和(c)表面活性劑。微乳液為熱力學(xué)穩(wěn)定的均勻的單相，在本
技術(shù)領(lǐng)域：
中已很好；也對(duì)苗述(參見例^口,//"W(iZjooAo/M/croe柳w/Wow6"c/ewce7fec/mo/og_y,Editor:PromodKumar，CRCPress(1999);M/ce〃es，緒cwwj/Ay/ows，Mcmo/ayery，Editor:DineshO.Shah,CRCPress(1998);7Wz^/"W^4，//cWo那o/A/7croeww/s/o"s(^wr/"c/aw/Sc/ewceiSe〃-"」,Editors:SolansandKuneida，CRCPress(1996);Mz'craemw/w'owS"/e腐「5W/ac/aw/5WewceSerZe化H丄.Rosano，CRCPress(1987);Af/croemMAs/ows^SVrw"紅eD"(3/Mz'cs，Editor:PierreBothorel，Author:StigFribergCRCPress(1987))。在規(guī)則微乳液中，水為典型地連續(xù)相，表面活性劑類膠束可包含為分散相的一些油。在反相膠束體系中，油或有機(jī)層為典型地連續(xù)相，可俘獲一些水的表面活性劑類膠束現(xiàn)在為分散相。當(dāng)反相膠束體系與濕敏表面直接接觸時(shí)，俘獲于膠束中的水與濕敏表面之間的平均接觸時(shí)間通常比在規(guī)則膠束體系中短^曰々付多。當(dāng)將該設(shè)計(jì)用于拋光/平坦化濕敏表面時(shí)，將表面暴露于少量水中，所述水能夠?qū)⒈砻娓淖優(yōu)楦浀膶硬⑷菀讬C(jī)械地去除。雖然不希望受理論束縛，在突出區(qū)域，膠束體系的破壞大于較低區(qū)域，這是因?yàn)榧羟辛驕囟仍龈?。此外，反相膠束體系表面活性劑分子豐富。當(dāng)適當(dāng)設(shè)計(jì)時(shí)，表面與帶電的頭基團(tuán)之間的吸引力可足夠強(qiáng)，以使表面活性劑分子層形成于拋光的表面上。表面活性劑的層可為單層或多層。圖l示意性地說明了規(guī)則膠束體系的化學(xué)排列。圖2說明了反相膠束體系。圖3說明了具有遺留的保護(hù)性表面活性劑層的表面。重要的是注意，當(dāng)表面活性劑具有與拋光表面相反的電荷時(shí)，該保護(hù)層是最有效的。此外，基于我們之前的研究，當(dāng)使用一系列混合的表面活性劑時(shí)，可以在表面上形成具有更大堆積密度的雙層，甚至給出抵抗潮濕侵襲的更大的保護(hù)(圖4)。該反相膠束體系的化學(xué)組成可通過本領(lǐng)域中的常規(guī)技術(shù)來實(shí)驗(yàn)測(cè)定。相界可實(shí)-驗(yàn)測(cè)定并作為制備反相膠束體系的指導(dǎo)。該體系的實(shí)例示于圖5中，圖5顯示了表面活性劑如十二烷基硫酸鹽(SDS)、油或助表面活性劑如戊醇，和水形成三元體系。通過實(shí)驗(yàn)測(cè)定的相界可在相圖中描述。標(biāo)記為L(zhǎng)2的區(qū)域典型地用于反相膠束體系。另一方面，Ll通常用于描述規(guī)則膠束體系。在相圖中不能描述固體分散相，因?yàn)橄鄨D是特定體系的熱力學(xué)行為的反映。當(dāng)固體顆粒本身為分離相，并將永不會(huì)與分散相達(dá)到平衡時(shí)，認(rèn)為該體系是熱力學(xué)不穩(wěn)定的。對(duì)于該體系，將不存在相應(yīng)的相區(qū)域，雖然該體系是長(zhǎng)期動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定的。在CMP溶液的一個(gè)實(shí)施方案中，微乳液為L(zhǎng)2樣i乳液。在L2微乳液的一個(gè)實(shí)施方案中，分散相的量為約5至約40重量％,連續(xù)相的量為約30%至約94重量％,表面活性劑的量為約1至約30重量％。在L2微乳液的另一個(gè)實(shí)施方案中，分散相的量為約8至約25重量％，連續(xù)相的量為約55%至約89重量％,表面活性劑的量為約3至約20重量％。在L2微乳液的另一個(gè)實(shí)施方案中，分散相的量為約10至約15重量％,連續(xù)相的量為約73%至約82重量％,表面活性劑的量為約8至約12重量％。在CMP溶液的一個(gè)實(shí)施方案中，分散相包括^旦不限于水、胺、醇或其混合物。在分散相的一個(gè)實(shí)施方案中，分散相為水。分散相應(yīng)具有與待拋光的表面相容或反應(yīng)的pH。例如，為了拋光強(qiáng)堿性表面，酸性分散相將增強(qiáng)反應(yīng)性。另一方面，堿性分散相將調(diào)整反應(yīng)性至期望水平。更具體地，本質(zhì)上為典型地堿性的第I、II或III族金屬氧化物將與酸性分散相反應(yīng)。在CMP溶液的一個(gè)實(shí)施方案中，連續(xù)相的組成包括^旦不限于油、烴、醇、胺或其混合物。在連續(xù)相的一個(gè)實(shí)施方案中，該相由醇組成。在連續(xù)相的一個(gè)實(shí)施方案中，該相由戊醇組成。通常，連續(xù)相對(duì)應(yīng)于待拋光的表面應(yīng)是惰性的。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，表面活性劑為陰離子、陽(yáng)離子或非離子表面活性劑。參見例3d,Tl/cC"/c/zeo"'sFo/wwe7:五附w/s(/iie^s1cfeDe/ergew^s(1995NorthAmericanEdition)(MCPublishingCo.,175RockRoad,GlenRock,N.J.07452》在CMP溶液的另一實(shí)施方案中，表面活性劑為帶電的表面活性劑，其實(shí)施方案中，電荷為陰離子表面活性劑。在陰離子表面活性劑的另一實(shí)施方案中，表面活性劑包括但不限于羧酸鹽、硫酸鹽、磺酸鹽、磷酸鹽和它們的任何組合。在陰離子表面活性劑的另一實(shí)施方案中，表面活性劑為十二烷基硫酸鈉(SDS)。選擇的表面活性劑，當(dāng)與分散和連續(xù)相組合時(shí)，必須能夠形成反相膠束，必須能夠從分散相保護(hù)拋光表面。按照相同的基本原則，采用的表面活性劑可為陽(yáng)離子或非離子的，只要它們能夠形成穩(wěn)定的反相膠束體系即可。在CMP溶液的另一實(shí)施方案中，該溶液沒有研磨劑或基本沒有研磨劑，所述研磨劑可選自低于1重量％,低于0.1重量％和低于0.01重量％的范圍。本發(fā)明的另一實(shí)施方案指向制造本發(fā)明的CMP溶液的方法。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，將本發(fā)明的CMP溶液與固相組合以形成CMP漿料。在CMP漿料的一個(gè)實(shí)施方案中，固相包括但不限于二氧化硅、氧化鋁、鈰土、二氧化鈦、金剛石、聚合物或非聚合有機(jī)固體。在固相的另一實(shí)施方案中，該相為二氧化石圭類材4牛。在CMP漿料的另一實(shí)施方案中，二氧化硅類材料為熱解法二氧化硅。本發(fā)明的另一實(shí)施方案是用于化學(xué)機(jī)械拋光表面的方法，其包括墊制備如調(diào)節(jié)、基材裝載、拋光和后拋光清潔。拋光方法包括在拋光漿料的存在下，使基材的至少部分表面與基材的至少部分拋光層保持滑動(dòng)摩擦接觸，直到去除基材表面選擇的部分。在化學(xué)機(jī)械拋光方法的一個(gè)實(shí)施方案中，所述表面包括但不限于第I、II和III族金屬氧化物，第V、VI和VII族化合物，或子或微電子設(shè)備的那些表面。在化學(xué)機(jī)械拋光方法的另一實(shí)施方案中，材料去除速率可在選自以下組成的組的范圍內(nèi)變動(dòng)幾埃至許多微米每分鐘，約5A至約100微米每分鐘，和約50A至約10微米每分鐘。在化學(xué)機(jī)械拋光方法的另一實(shí)施方案中，階梯高度下降效率為在約50%至約100%的范圍內(nèi)。在階梯高度下降效率的另一實(shí)施方案中，該范圍為約60%至約95%。在階梯高度下降效率的另一實(shí)施方案中，范圍為約65%至約90%。在化學(xué)機(jī)械拋光方法的另一實(shí)施方案中，拋光后的表面粗糙度為約(RJ為約l至約15nm。在表面粗糙度的另一實(shí)施方案中，Ra為約5至約10nm。在表面粗糙度的另一實(shí)施方案中，Ra為約6.5至約7.5nm。此外，表面粗糙度的這些范圍也可與暴露于100。/。RH后的Ra的程度相結(jié)合。暴露時(shí)間可從選自以下范圍的時(shí)間段選擇約6小時(shí)至約7天，約12小時(shí)至約4天和約24小時(shí)至約3天。在這些暴露時(shí)間后Ra可選自以下范圍約2至約20nm,約5至約15nm以及約8至約10nm。在化學(xué)機(jī)械拋光方法的另一實(shí)施方案中，該方法在拋光表面上沉積表面活性劑的薄層。此為典型地表面活性劑分子的單或雙層。該層的厚度為2-4nm的量級(jí)。上述實(shí)施方案的各種組合也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。將通過以下非限定實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明。實(shí)施例1(L2微乳液)十二烷基硫酸鈉(SDS)的溶液通過在13.0克DI(去離子)水中溶解10.0克SDS來制備。向上述溶液中，添加77.0克戊醇。然后將該溶液使用0.4fim濾紙過濾。將二磷酸鉀(KDP)晶體的樣品固定在自制載體上，然后用臺(tái)式拋光器(benchtoppolisher)(StruerLabopol-5)在聚氨酉旨?jí)|(IC1000，Rohm&Haas)上拋光。下壓力設(shè)定在約3-5psi。臺(tái)速度設(shè)定在50-150rpm。將漿料流速調(diào)整為約60mL/min。拋光3分鐘后，然后將樣品用戊醇清潔，然后空氣干燥。然后基于拋光后的重量損失計(jì)算材料去除速率。下表列出了在各種條件下的去除速率。表l.KDP晶體的材料去除速率(MRR)下壓力(PSI)臺(tái)速度(rpm)MRR(nm/min)350347031005890410080101001030015012000515012010實(shí)施例2向950克描述于實(shí)施例1中的溶液(10°/。水，13%SDS和77。/。戊醇，所有重量％基于溶液的總重量)中，加入50克熱解法二氧化硅(Degussa200)。然后將所得漿料用于與實(shí)施例l中描述的類似的拋光中。在各種條件下的去除速率列于表2中。表2.KDP晶體的材料去除速率下壓力(PSI)臺(tái)速度(rpm)MRR(證/mirO41001203010015300515017900實(shí)施例3除了水的下降量(3克)之外，根據(jù)與實(shí)施例l中描述的步驟相同的步驟制備溶液。在表1中的一個(gè)測(cè)試條件下(5psi下壓力，150rpm臺(tái)速度和60mL/min的漿料流速)測(cè)試一系列拋光。對(duì)于KDP樣品材料去除速率和階梯高度改變每30秒檢測(cè)。表3列出了隨時(shí)間材料去除和階梯高度下降。14表3.對(duì)于實(shí)施例3的隨拋光時(shí)間的材料去除和階梯高度下降<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>實(shí)施例4(比較)除了溶液在LI相之外，根據(jù)與實(shí)施例1中描述的步驟相同的步驟制備溶液。更具體地，戊醇和水的相對(duì)量是相反的(77%水，13%SDS和10。/o戊醇，所有重量百分比基于溶液的總重量)。在該溶液中，存在^L則膠束。不象實(shí)施例1-3,待拋光的表面與水直接接觸。在列于表l中的一個(gè)條件下(5psi下壓力，150rpm臺(tái)速度和60mL/min的漿沖牛流速)測(cè)試一系列拋光。每30秒后4企測(cè)KDP樣品的去除速率和階梯高度變化。表4列出了材料去除和階梯高度下降。表4.對(duì)于實(shí)施例4的隨拋光時(shí)間的材料去除和階梯高度下降<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>Ll微乳液導(dǎo)致階梯高度下降效率相對(duì)于在實(shí)施例3中測(cè)試的L2微乳液下降約71.80/0(77.70/。-21.9%/77.7%x100%)。實(shí)施例5除了表面活性劑的選擇之外，根據(jù)與實(shí)施例1中描述的步驟相同的步驟制備溶液。不使用帶負(fù)電荷的表面活性劑SDS,將帶正電荷的表面活性劑十二烷基三甲基溴化銨(DTAB)作為代替品。使用巴斯夫普盧蘭尼克(BASPluronic)103以代表非離子表面活性劑。在列于表l的條件(5psi下壓力，150rpm臺(tái)速度和60mL/min的漿料流速，lmin拋光)下進(jìn)行一系列拋光。然后測(cè)試拋光的KDP樣品在拋光后的表面粗糙度(Ra)。表面粗糙度使用針筆輪廓曲線儀(stylusprofilometer)(AmbiosXP)測(cè)定。然后將樣品保存在具有100。/。相對(duì)濕度(RH)的室內(nèi)，以測(cè)試由表面活性劑分子形成的保護(hù)層的效果。表5列出了表面粗糙度結(jié)果。表5.表面粗糙度對(duì)(vs.)在拋光期間使用的表面活性劑<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>很清楚，SDS產(chǎn)生最有效的保護(hù)層。這是表面活性劑分子(負(fù)的)和拋光表面(正的)之間的相反電荷之間的吸引的直接結(jié)果。雖然為說明的目的以上已描述本發(fā)明的特定實(shí)施方案，對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來說，顯而易見的是，進(jìn)行本發(fā)明的細(xì)節(jié)的許多改變，而不背離如在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明。本發(fā)明的范圍意欲由所附權(quán)利要求和其等同物所限定。權(quán)利要求1.一種用于拋光表面的CMP溶液，其為具有反相膠束體系的微乳液，其包括(a)分散相；(b)連續(xù)相；和(c)表面活性劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP溶液，其中所述樣i乳液為L(zhǎng)2孩i乳液。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMP溶液，其中分散相的量為約5至約40重量％,連續(xù)相的量為約30%至約94重量％，表面活性劑的量為約1至約30重量％。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMP溶液，其中分散相的量為約8至約25重量％,連續(xù)相的量為約55%至約89重量％,表面活性劑的量為約3至約20重量％。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CMP溶液，其中分散相的量為約10至約15重量％,連續(xù)相的量為約73%至約82重量％,表面活性劑的量為約8至約12重量％。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CMP溶液，其中所述分散相選自由水、胺、醇和其混合物組成的組；所述連續(xù)相選自由油、烴、醇、胺和其混合物組成的組；所述表面活性劑選自由陰離子、陽(yáng)離子和非離子表面活性劑組成的組，其中所述表面活性劑當(dāng)與分散和連續(xù)相組合時(shí)形成反相膠束并從分散相保護(hù)拋光表面。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMP溶液，其中在所述溶液中研磨劑的量為低于0.01重量％。8.—種CMP漿料，其包括添加至權(quán)利要求1的CMP溶液的固體材料。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMP漿料，其中所述固體材料選自由以下組成的組二氧化硅、氧化鋁、鈰土、二氧化鈦、金剛石、聚合物和非聚合有機(jī)固體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的CMP漿料，其中所述CMP溶液為權(quán)利要求7的CMP;容液。11.一種化學(xué)4幾械拋光基材表面的方法，其包括以下步驟將權(quán)利要求1的CMP溶液或權(quán)利要求8的漿料施涂至表面，并在CMP溶液或漿料存在下，使基材的至少部分表面與至少部分拋光層保持滑動(dòng)摩擦接觸，直到去除基材表面選擇的部分。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述材料去除速率為約50A至約10微米每分鐘。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述階梯高度下降效率為約65%至約90%。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中拋光后的表面粗糙度(RJ為約6.5至約7.5nm。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中暴露于100%相對(duì)濕度(RH)的后拋光導(dǎo)致表面粗糙度(Ra)為約8至約10nm。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述方法在所述拋光表面上沉積具有2-4nm厚度的表面活性劑層。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述CMP溶液為權(quán)利要求7的CMP溶液。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述CMP漿料為權(quán)利要求10的CMP裝料。全文摘要本發(fā)明涉及用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP-也稱為化學(xué)機(jī)械平坦化)的組合物，所述化學(xué)機(jī)械拋光用于加工高級(jí)光學(xué)、光子或微電子設(shè)備，其中所述組合物為微乳液。文檔編號(hào)H01L21/461GK101536171SQ200780041666公開日2009年9月16日申請(qǐng)日期2007年11月7日優(yōu)先權(quán)日2006年11月8日發(fā)明者李玉卓申請(qǐng)人:圣勞倫斯納米科技有限公司