專利名稱：電解電容器用鋁蝕刻板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將鋁板蝕刻而形成的電解電容器用鋁蝕刻板。
背景技術(shù)：
近年來，隨著個人計算機、信息設(shè)備等電子設(shè)備的數(shù)字化、高頻率化的進步，對于 電解電容器，除了扁平化(low profile)、低阻抗化、低ESR之外，還要求低ESL化、高電容 化。為對應(yīng)這些要求，電解電容器的開發(fā)得到了發(fā)展，但電解電容器的低阻抗化、低ESR化 較多地依賴于功能性高分子等固體電解質(zhì)和在蝕刻部位填充(浸滲)固體電解質(zhì)的技術(shù)。 因此在現(xiàn)有技術(shù)中，所使用的是例如對厚度為70 120 y m的鋁箔蝕刻約30 35 y m左右 的深度而得的鋁箔，若為該深度，那么即使對于現(xiàn)有的固體電解質(zhì)、浸滲技術(shù)，在浸滲性方 面也不會發(fā)生大的問題。但是，對厚度為70 120 ii m的鋁箔蝕刻約30 35 y m左右的深度而得的電極箔， 不能夠獲得足夠的靜電電容。因此，在制作電解電容器時，將多片電極箔疊層使用，其結(jié)果 為，制造成本增大并且電解電容器的厚度尺寸增大，不能夠?qū)崿F(xiàn)扁平化。因此，提出通過使鋁箔厚度增厚并且進行較深的蝕刻而提高靜電電容、減少電極 箔的層疊片數(shù)的方法(參照專利文獻1)。專利文獻1 日本特開2005-150705號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專利文獻1所記載的方法中，存在如下問題在使鋁箔厚度增厚并且使蝕 刻部分加深時，固體電解質(zhì)不能充分地在蝕刻部位浸滲，即使蝕刻比率(etching ratio)高 也不能夠得到足夠的靜電電容。另外也存在如果不能夠在蝕刻部位填充足夠的固體電解 質(zhì)，則ESR將增大等問題。鑒于以上問題，本發(fā)明的目的在于提供，在蝕刻比率高、且浸滲了固體電解質(zhì)的情 況下能夠得到高靜電電容的電解電容器用鋁蝕刻板。本申請的發(fā)明者們，作為能夠準(zhǔn)確地規(guī)定蝕刻比率足夠高、且浸滲率足夠高這一 條件的參數(shù)，著眼于蝕刻部位的單位體積重量，通過將該值設(shè)定在規(guī)定范圍內(nèi)，提供在浸滲 了固體電解質(zhì)的情況下也能夠得到高靜電電容的電解電容器用鋁蝕刻板。在本說明書中， “鋁蝕刻板”是指厚度為150 ym以上的鋁板。也就是說，本發(fā)明是對鋁板進行使用交流的電化學(xué)蝕刻來擴大表面積而形成的電 解電容器用鋁蝕刻板，其特征在于，蝕刻部位的體積密度為0. 6 1. 2。在本發(fā)明中，通過使用交流對鋁板進行電化學(xué)蝕刻，在利用蝕刻對每1平方毫米 穿孔數(shù)千 數(shù)十萬的海綿狀坑(pit)時，使蝕刻部位的體積密度為0. 6 1. 2，因為具有足 夠的表面積、且固體電解質(zhì)的浸滲性較好，因此即使在浸滲了固體電解質(zhì)的情況下也能夠 得到高靜電電容?；谝韵碌睦碛?，浸滲了固體電解質(zhì)的情況下的靜電電容不能夠僅由蝕刻比率來充分地規(guī)定。蝕刻比率能夠通過在將電解電容器用鋁蝕刻板陽極氧化之后、在己二酸銨水 溶液中對靜電電容進行測定而求取。但是在將電解電容器用鋁蝕刻板陽極氧化之后，浸滲 了固體電解質(zhì)之后的靜電電容(在電解電容器中使用的狀態(tài)下的靜電電容)由蝕刻比率和 固體電解質(zhì)的浸滲性決定，大致與以下的值蝕刻比率X固體電解質(zhì)的浸滲性(浸滲率)成比例。浸滲率也被稱作電容出現(xiàn)率(capacitance reproduction ratio),表示 在已二酸銨水溶液中測定的靜電電容在浸滲了固體電解質(zhì)的狀態(tài)下能夠出現(xiàn)至什么程度。一般地，在蝕刻電量較小的情況下，蝕刻量淺，固體電解質(zhì)容易填充，但蝕刻比率 低。與此相對，在蝕刻電量較大的情況下，蝕刻加深，蝕刻比率提高，但固體電解質(zhì)難以被填 充至深處，因此浸滲率處于降低的趨勢。于是，浸滲了固體電解質(zhì)之后的靜電電容，在浸滲 性高、但蝕刻比率低的情況下，不能夠在浸滲了固體電解質(zhì)后得到高靜電電容，在蝕刻比率 高、但浸滲率低的情況下，也不能夠得到高靜電電容。另外，在基于蝕刻的電量、從鋁板的狀態(tài)開始蝕刻而減少的量進行規(guī)定的情況下， 不能夠?qū)ξg刻部位的三維形狀進行充分地規(guī)定，不能夠充分地控制浸滲了固體電解質(zhì)之后 的靜電電容。例如在形成有大量微小的坑的情況下，蝕刻比率增高，但固體電解質(zhì)難以被填 充至深處，因此浸滲率下降，其結(jié)果是浸滲了固體電解質(zhì)后不能夠得到高靜電電容。與此相 對，在形成有許多較大的坑的情況下，固體電解質(zhì)容易填充，但蝕刻比率較低，因此在浸滲 了固體電解質(zhì)后不能夠得到高靜電電容。然而在本發(fā)明中，以蝕刻部位的體積密度進行規(guī)定，因此能夠準(zhǔn)確地規(guī)定蝕刻部 位的三維形狀，能夠準(zhǔn)確地控制浸滲了固體電解質(zhì)后的靜電電容。在此，對蝕刻部位的體積密度與蝕刻比率、浸滲率和浸滲了固體電解質(zhì)的情況下 的靜電電容的關(guān)系，分別以圖1中的虛線L1、點劃線L2、和實線L3表示。根據(jù)該圖可知，在 蝕刻部位的體積密度增大時，蝕刻比率上升(參照虛線L1)、浸滲率下降(參照點劃線L2)， 因此浸滲了固體電解質(zhì)的情況下的靜電電容如實線L3所示地變化。也就是說，當(dāng)蝕刻部位 的體積密度不足0. 6時，固體電解質(zhì)容易填充但蝕刻比率低，當(dāng)蝕刻部位的體積密度超過 1. 2時，蝕刻比率高但固體電解質(zhì)難以被填充至深處。因此，蝕刻部位的體積密度為0. 6 1.2是重要的。在本發(fā)明中，上述蝕刻部位的厚度(深度)為lOOiim以上，優(yōu)選為120iim以上。 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，蝕刻比率高、且固體電解質(zhì)容易被填充至深處的蝕刻部位能夠直至深處都存 在，因此浸滲了固體電解質(zhì)后的靜電電容高。應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器用鋁蝕刻板能夠作為使用功能性高分子作為電解質(zhì) 的鋁電解電容器的陽極使用。也就是說，應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器用鋁蝕刻板，在表面形 成有電介質(zhì)膜，在該電介質(zhì)膜上形成有功能性高分子層，能夠使用在電解電容器中。


圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器電極用鋁蝕刻板中的蝕刻部位的單位體 積重量與蝕刻比率、浸滲率和在浸滲了固體電解質(zhì)的情況下的靜電電容的關(guān)系的說明圖。圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器電極用鋁蝕刻板的截面照片的圖。圖3是使用應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器電極用鋁蝕刻板制作電解電容器時的說明圖。符號說明1電解電容器用鋁蝕刻板2 芯部3蝕刻部位
具體實施例方式以下，作為本發(fā)明的實施方式，對應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器用鋁蝕刻板的結(jié)構(gòu) 和制造方法進行說明。本發(fā)明是對鋁板進行使用交流的電化學(xué)蝕刻來擴大表面積而形成的電解電容器 用鋁蝕刻板，其特征在于，蝕刻部位的體積密度為0.6 1.2。另外，蝕刻部位的厚度為 100 ym以上，優(yōu)選為120iim以上。本實施方式的電解電容器用鋁蝕刻板是對鋁純度為99. 98質(zhì)量％以上的鋁板進 行蝕刻而形成的。通過使用這樣純度的鋁板，韌性高并且制造電解電容器時的處理更加容 易。鋁純度不足下限值時，硬度增加而韌性下降，有可能在處理中發(fā)生破裂等損傷，因此不 作為優(yōu)選。向蝕刻處理供應(yīng)的鋁板的厚度只要根據(jù)目的的不同而設(shè)定為多種厚度即可，例如 150 iim至1mm，但通常使用300 400 y m的厚度。接著，作為一次電解處理，在低濃度鹽酸 水溶液中對鋁板實施交流蝕刻。作為前置處理，優(yōu)選通過對鋁板進行脫脂洗凈、輕度蝕刻， 實施表面氧化膜的除去。一次電解處理中作為電解液使用的低濃度鹽酸水溶液，例如為含有比例1.5 2. 5摩爾/升的鹽酸和0. 05 0. 5摩爾/升的硫酸的水溶液，以下述條件，即，溶液溫度 40 55°C，頻率10 25Hz，交流波形為正弦波形、矩形波形、交直流疊加波形等，電流密度 為40 50A/dm2，處理時間為30 60秒的條件進行蝕刻處理，在鋁板表面穿孔大量的坑。在實施一次電解處理之后實施主電解處理，以海綿狀穿孔并進行蝕刻。在該主電 解處理中使用的電解液，例如為含有比例4 6摩爾/升的鹽酸和0. 05 0. 5摩爾/升 的硫酸的水溶液，以下述條件，即溶液溫度為比一次處理更低的20 35°C，頻率為30 60Hz，交流波形為正弦波形、矩形波形、交直流疊加波形等，電流密度為比一次電解處理更 低的20 30A/dm2，處理時間設(shè)定為能夠處理至規(guī)定的蝕刻部位厚度的時間，對在一次電解 處理中穿孔的坑進一步穿孔。采用這樣的方法，能夠減少對鋁板表面的坑的形成沒有貢獻 的溶解，將大量穿孔了特定大小的徑長的坑的海綿狀的蝕刻部位直至深處形成。在進行一次電解處理之后，進行主電解處理之前也可以為了使主電解處理可靠進 行而用交直流疊加波形，使在一次電解處理中穿孔的坑表面活性化，再轉(zhuǎn)移到主電解處理。 在該處理中，以占空比為約0. 7 0. 9、電流密度為12 17A/dm2的條件進行60秒左右的 蝕刻處理。使用這樣的電解蝕刻方法能夠形成厚度70 y m以上、優(yōu)選形成100 u m以上的海 綿狀的蝕刻部位。在此，若使蝕刻部位的體積密度為0. 6 1. 2，則形成具有以下的坑的徑長、數(shù)量 的蝕刻部位。坑的徑長、數(shù)量能夠由圖像分析裝置測定。即，對被蝕刻的表面在深度方向 上按每隔規(guī)定的間隔進行研磨之后，用圖像分析裝置對各研磨面的孔徑和數(shù)量進行測定，
5通過計算出0.01 ly met的坑數(shù)的所占的比例，能夠測定各層中特定大小徑長的坑所占 的比例，在本發(fā)明中能夠判定，對蝕刻部位均勻地穿孔子大量特定大小徑長的坑。即，能夠 首次得到如下電解電容器用鋁蝕刻板至少單面具有在深度方向上從表面起70 pm以上、 100P m以上甚至120 pm以上的蝕刻部位，通過在平面截面上以圖像分析裝置進行測定，存 在的0. 01 1 y met的坑數(shù)是各個面的總坑數(shù)的70%以上、優(yōu)選75%以上，若使用這樣的 電解電容器用鋁蝕刻板，能夠?qū)崿F(xiàn)ESR低的電解電容器。不足O.OOliimct的坑對提高靜電 電容沒有貢獻，因此設(shè)定圖像分析裝置進行測定的徑長為0. OOlumct以上。關(guān)于蝕刻部位的厚度，至少在單面，優(yōu)選在兩面的各個面形成在深度方向上從表 面起70iim以上、優(yōu)選100 iim以上，進一步優(yōu)選120 y m以上的蝕刻部位，在蝕刻部位的厚 度不足上述值的情況下，在考慮靜電電容時需要增加疊層數(shù)，不能夠期待電解電容器的小 型化。若坑徑超過1 ii met的坑大量存在將使靜電電容下降。優(yōu)選為0. 1 ii met以下。通 過使這樣的大小的坑的存在量為各面的總坑數(shù)的70%以上、優(yōu)選75%以上，能夠制造ESR 低的電解電容器。更優(yōu)選的是80%以上。使特定大小的坑的測定位置為比距離表面20 ym的位置更深的位置，這是因為在 表面附近存在在電解蝕刻時對擴大表面積沒有貢獻的溶解，會使坑與坑連接從而使坑徑不 必要地增大。另外，因為蝕刻部位與芯部的邊界面存在凹凸而不恒定，所以使測定位置為比 確定蝕刻深度的位置(蝕刻部位與芯部的邊界)接近表面10 y m的較淺的位置。作為固體電解質(zhì)，沒有特別的限定，只要是公知的固體電解質(zhì)即可，例如能夠使用 聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等。另外，在應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器用鋁蝕刻板的鋁純度為99. 98質(zhì)量％以上、 含有粒徑等效于球時為0. 01 1. 0 i! met的含F(xiàn)e金屬間化合物的數(shù)量為1 X 107 lO^Vcm3 時，不僅能夠提高上述特定大小徑長的坑所占的比例，而且能夠制作ESR更低的電容器。這 是因為金屬間化合物越多粒徑越小，化學(xué)處理膜(chemical conversion film)在坑表面以 均勻的厚度形成，固體電解質(zhì)更容易浸滲。對于鋁純度為99. 98質(zhì)量％以上的鋁板的A1以外的元素，其含有量沒有限定，但 作為優(yōu)選的組成Fe50ppm以下、優(yōu)選40ppm以下，Cu40ppm以下，Si60ppm以下、優(yōu)選40ppm 以下即可。這是因為，若Fe、Si超過上限值，則產(chǎn)生含有Fe、Si的粗金屬間化合物的結(jié)晶 物和析出物，泄漏電流增大。在Si的情況下還會產(chǎn)生單體Si，因此以同樣的理由不作為優(yōu) 選。若Cu超過上限值，會使基體(matrix)的腐蝕電位大幅度提高，因此存在不能夠進行合 適的蝕刻的可能。與此相對斤6的5 5(^ !11的含有量會產(chǎn)生六11/6、六1丨6、六1丨6、六1寸6-51、六1-爾6、 M)-Si (M為其他金屬)等金屬間化合物，因為容易成為交流蝕刻的坑的起點而優(yōu)選。Cu的 5 40ppm的含有量，在存在Fe的基礎(chǔ)上能夠使基體的腐蝕電位穩(wěn)定化，容易穿孔特定大 小的坑，因而優(yōu)選。作為其他的元素，使Ni、Ti、&各自為lOppm以下、優(yōu)選為3ppm以下即 可。另外，其他的雜質(zhì)優(yōu)選為3ppm以下。由此，在上述交流蝕刻方法中容易海綿狀穿孔特 定大小徑長的坑，很可能是因為雜質(zhì)容易成為坑的起點。因此，優(yōu)選的是，鋁板的組成為鋁純度99. 98質(zhì)量％以上，含有Fe5 50ppm、 Cu5 40ppm，并且剩余部分為不可避免的雜質(zhì)，含有換算為球形時粒徑為0. 01 1. 0 ii m小的含F(xiàn)e金屬間化合物的數(shù)量為1X107 lCT/cm3。這樣的高純度的鋁通過精煉電解一次原料金屬而制成。作為此時使用的精煉方 法，廣泛采用三層液電解法、結(jié)晶分異法，通過這些精煉法，鋁以外的元素的大部分被除去。 但是對于Fe和Cu，由于能夠不作為雜質(zhì)、而是作為微量合金元素使用，所以在對精煉后的 各元素的含有量進行測定、Fe和Cu的含有量不足規(guī)定量的情況下，能夠在板坯(slab)鑄 造時通過在熔融物中添加Al-Fe、Al-Cu母合金來調(diào)節(jié)Fe或Cu的含有量。為了得到上述含有粒徑等效于球時為0. 01 1. 0 ii met的含F(xiàn)e金屬間化合物的 數(shù)量為IX 107 lCT/cm3的鋁板，例如能夠列舉下述方法，即，在將鋁純度為99. 98質(zhì)量％ 以上、調(diào)整了 Fe含有量的鋁熔融物半連續(xù)鑄造得到板坯后，以530°C以上的溫度進行均質(zhì) 化處理，通過在板溫度區(qū)域相當(dāng)于含F(xiàn)e金屬間化合物容易析出的范圍(300 400°C)內(nèi)軋 制3個以上道次，或僅通過對保持30分鐘以上60分鐘以下的熱軋板進行冷軋，形成為規(guī)定 的厚度，向蝕刻供應(yīng)。特別是，在將上述組成的鋁熔融物如上所述地鑄造、滾軋時能夠容易 地得到優(yōu)選大小、且包含規(guī)定數(shù)量的Fe的金屬間化合物。包含F(xiàn)e的金屬間化合物的大小 和數(shù)量能夠以圖像分析裝置測定。含F(xiàn)e金屬間化合物的粒徑在等效于球時若不足0. 01 P m ，在公知的方法中具有 難以成為蝕刻坑的核的傾向。另外若超過1.0 y met則在組裝電容器時，容易對泄漏電流 產(chǎn)生影響。另外若粒徑等效于球時為0.01 1.0 y met的含F(xiàn)e金屬間化合物的數(shù)量不足 1 X 107/cm3,特定大小的坑所占的比例變少，若超過1 X 1010/cm3則過剩的溶解變多。(實施例)圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器電極用鋁蝕刻板的截面照片的圖。圖3是 使用應(yīng)用了本發(fā)明的電解電容器電極用鋁蝕刻板制作電解電容器時的說明圖。將鋁熔融物半連續(xù)鑄造得到厚度為560mm的板坯，以550°C加熱10小時進行均 勻處理，在熱軋工序中以350°C保持不同的保持時間，接著進行熱軋和滾軋使之成為厚度 0. 4mm的鋁板。其組成如表1所示。[表 1](單位質(zhì)量ppm) 使用上述厚度0. 4mm的A1純度99. 98質(zhì)量％以上的鋁板，以下述條件進行兩面蝕 刻處理，得到如圖2所示的電解電容器用鋁蝕刻板。該電解電容器用鋁蝕刻板1在芯部2 的兩側(cè)具備蝕刻部位3。(蝕刻條件)在以10 %苛性蘇打水溶液實施輕度的蝕刻處理而脫脂、除去表面氧化物后，作為 一次蝕刻處理，在作為電解液的含有2摩爾/升的鹽酸和0. 02摩爾/升的硫酸的水溶液 中，以溶液溫度50°C、頻率20Hz、交流正弦波交流、電流密度45A/dm2、處理時間45秒進行處 理，對鋁板表面穿孔大量的坑。接著作為主電解處理，在作為電解水溶液的含有6摩爾/升 的鹽酸和0. 05摩爾/升的硫酸的水溶液中，以液溫30°C，頻率能夠任意設(shè)定為各種值、例 如50Hz，正弦波交流、電流密度為25A/dm2，能夠?qū)μ幚頃r間進行各種改變，對一次處理中穿 孔的坑進一步穿孔，得到各種厚度的海綿狀蝕刻部位，測定該蝕刻部位的厚度。其結(jié)果如表 2 7所示。(體積密度的測定方法)對于蝕刻了各種厚度的蝕刻板(含有中央的芯部)，對高、寬、蝕刻厚度、芯部厚度 以及總質(zhì)量進行測定，令芯部的密度為2. 7，對蝕刻部位的體積密度進行計算。其結(jié)果如表 2 7所示。(坑徑的測定)接著對坑徑和其比例利用圖像分析裝置進行測定。測定以如下方式進行將試料 的蝕刻深度方向上距表面20 ym的面、和比確定蝕刻深度的位置(蝕刻部位與芯部的邊界) 接近表面?zhèn)?0 y m的更淺處的位置之間的面間距離4等分而形成5個面(但是在單面的蝕 刻層的厚度為35 y m的情況下為2個面)，從表面起依次在每個面的位置進行研磨，對各表 面以圖像分析裝置進行測定。關(guān)于坑徑和其比例，使各測定面上的10點的平均值為該測定 面的值。對2個面或5個面測定的結(jié)果之中，換算為圓形時的坑徑為0.01 lii met的坑 數(shù)相對于該測定面內(nèi)的全坑數(shù)所占的比例最少的值如表2 7所示。接著，將電解電容器用鋁蝕刻板在己二酸銨水溶液中進行5V化學(xué)表面處理，接著 如下述所示，將聚吡咯按照常法浸滲形成功能性高分子層，制作2. 5V/330UF的電解電容 器，測定ESR(lOOKHz)、靜電電容、泄漏電流。其結(jié)果如表2 7所示。(聚吡咯的浸滲)在浸滲聚吡咯時，在坑內(nèi)滴下吡咯單體的乙醇溶液，并滴下過硫酸銨和2-萘磺酸 鈉水溶液，進行化學(xué)聚合，形成由聚吡咯構(gòu)成的預(yù)涂層。接著將該電極板浸漬于含有吡咯單 體和2-萘磺酸鈉的乙腈電解液中，使先形成的化學(xué)聚合聚吡咯層的一部分與不銹鋼線接 觸成為陽極，另一方面以不銹鋼板作為陰極進行電解聚合，形成作為功能性高分子層的電 解聚合聚吡咯。此外，取代聚吡咯，使用聚噻吩、聚苯胺也能夠得到同等的特性。(電解電容器的制作方法)當(dāng)使用蝕刻后的上述電解電容器用鋁蝕刻板制作電解電容器時，如圖3所示，在對兩面已蝕刻的電解電容器用鋁蝕刻板1進行陽極氧化之后，使電解電容器用鋁蝕刻板1 的側(cè)端面露出，對該芯部2的側(cè)端面4，接合引線等陽極引線6。作為接合方法使用將光斑 直徑聚焦至不足芯部的厚度的激光熔接5。光斑直徑為20 100小。接著，在進行了上述陽極氧化的電解電容器用鋁蝕刻板1的表面形成上述功能性 高分子層，之后在形成了該功能性高分子層的蝕刻板的表面用碳膏、銀膏等形成陰極，構(gòu)成 電極體，如上所述地測定ESR(lOOKHz)、靜電電容、泄漏電流。其結(jié)果如表2 7所示。[表 2]
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〔0078〕油 到，進咔賽賀珣砘鵁Hsi抖！2-r3-r4-r5-r6-r7-l,^哲 ESR高、靜電電容低、泄漏電流高。另外可知體積密度較小的試料編號2-6、3-6、4-6、5-6、6-6、 7-6的靜電電容低。產(chǎn)業(yè)上的可利用性在本發(fā)明中，通過使用交流對鋁板進行電化學(xué)蝕刻，在利用蝕刻對每1平方毫米 穿孔數(shù)千 數(shù)十萬的海綿狀坑時，使蝕刻部位的體積密度為0. 6 1. 2，因為具有足夠的表 面積、且固體電解質(zhì)的浸滲性較好，因此在浸滲了固體電解質(zhì)的情況下也能夠得到高靜電 電容。
權(quán)利要求
一種電解電容器用鋁蝕刻板，是對鋁板實施使用交流的電化學(xué)蝕刻來擴大表面積而形成的，其特征在于蝕刻部位的體積密度為0.6～1.2。
2.如權(quán)利要求1所述的電解電容器用鋁蝕刻板，其特征在于 所述蝕刻部位的厚度為100 y m以上。
3.如權(quán)利要求1所述的電解電容器用鋁蝕刻板，其特征在于 所述蝕刻部位的厚度為120m以上。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的電解電容器用鋁蝕刻板，其特征在于 作為使用功能性高分子作為電解質(zhì)的鋁電解電容器的陽極使用。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的電解電容器用鋁蝕刻板，其特征在于在已實施所述電化學(xué)蝕刻的面上形成有電介質(zhì)膜，該電介質(zhì)膜上形成有功能性高分子
全文摘要
本發(fā)明提供一種電解電容器用鋁蝕刻板。當(dāng)制造在蝕刻比率高且浸滲了固體電解質(zhì)的情況下也能夠得到高靜電電容的電解電容器用鋁蝕刻板時，對鋁純度為99.98質(zhì)量％以上的鋁板，進行使用交流的電化學(xué)蝕刻，得到蝕刻部位(3)的體積密度為0.6～1.2的電解電容器用鋁蝕刻板(1)。對于蝕刻部位(3)，在對比距離表面20μm的位置更深的位置的平面截面以圖像分析裝置進行測定時，在各測定面，存在該測定面內(nèi)的總坑數(shù)的70％以上的換算為圓形時的坑徑為0.01～1μmφ的坑數(shù)，在蝕刻比率高、且浸滲了固體電解質(zhì)的情況下也能夠得到高靜電電容。
文檔編號H01G9/04GK101861633SQ20078010155
公開日2010年10月13日 申請日期2007年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者吉田祐也, 小林達由樹, 片野雅彥, 磯部昌司 申請人:日本輕金屬株式會社