專利名稱：具高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝方法及結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片的封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種
具有高效率側(cè)向發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光
二極管芯片的封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖l所示，其為現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝方法的流程圖。由流程圖中
可知，現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝方法，其步驟包括首先，提供數(shù)個封裝完成的
發(fā)光二極管(packaged LED) (S800);接著，提供一條狀基板本體(stripped substrate body)，其上具有一正極導(dǎo)電軌跡(positive electrode trace)與一負(fù)極 導(dǎo)電軌跡(negative electrode trace) (S802);最后，依序?qū)⒚恳粋€封裝完成 的發(fā)光二極管(packagedLED)設(shè)置在該條狀基板本體上，并將每一個封裝完 成的發(fā)光二極管(packagedLED)的正、負(fù)極端分別電性連接于該條狀基板本 體的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡(S804)。
然而，關(guān)于上述現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝方法，由于每一顆封裝完成的發(fā)光 二極管(packaged LED)必須先從一整塊發(fā)光二極管封裝切割下來，然后再以 表面黏著技術(shù)(SMT)制程，將每一顆封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED) 設(shè)置于該條狀基板本體上，因此無法有效縮短其制程時間，再者，發(fā)光時，該 等封裝完成的發(fā)光二極管(packagedLED)的間會有暗帶(dark band)現(xiàn)象存 在，對于使用者視線仍然產(chǎn)生不佳效果。
請參閱圖2所示，其為現(xiàn)有發(fā)光二極管應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。由圖中 可知，當(dāng)現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片D應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光時(例如使用于筆記型計 算機屏幕的導(dǎo)光板M的側(cè)向光源)，由于筆記型計算機屏幕的導(dǎo)光板M非常薄 的關(guān)系，該發(fā)光二極管芯片D的基座S 1的長度《1則必須相對的縮短。換言 之，由于該基座S 1的長度《1太短的關(guān)系，現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片D將無法 得到有效的散熱效果，進(jìn)而產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。是以，由上可知，目前現(xiàn)有的發(fā)光二極管的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，顯然具 有不便與缺失存在，而待加以改善者。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種具有高效率側(cè)向發(fā)光效果
(high-e伍ciency lateral light-emitting effect)的發(fā)光二極管芯片的封裝方法及 其封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā)光區(qū)域，而 無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生，并且本發(fā)明通過芯片直 接封裝(Chip On Board, COB)制程并利用壓模(die mold)的方式，以使得 本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而能進(jìn)行大量生產(chǎn)。再者，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設(shè) 計更適用于各種光源，諸如背光模塊、裝飾燈條、照明用燈、或是掃描儀光源 等應(yīng)用，皆為本發(fā)明所應(yīng)用的范圍與產(chǎn)品。
另外，本發(fā)明的封裝膠體通過特殊模具的壓模過程，以使得本發(fā)明的發(fā)光 二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果，因此本發(fā)明 不會有散熱不足的情況發(fā)生。換言之，本發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更 能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具有高效 率側(cè)向發(fā)光效果(high-e伍ciency lateral light-emitting effect)的發(fā)光二極管芯 片的封裝方法，其包括下列步驟首先，提供一基板單元；接著，通過矩陣 (matrix)的方式，分別電性連接地設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片于該基板單元上， 以形成數(shù)排橫向發(fā)光二極管芯片排；然后，通過一第一模具單元，將一封裝膠 體縱向地覆蓋在所有橫向發(fā)光二極管芯片排上，其中該封裝膠體的上表面具有 數(shù)個相對應(yīng)該等橫向發(fā)光二極管芯片排的膠體弧面。
接下來，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該封裝膠體， 以形成數(shù)個彼此分開地覆蓋于每一排橫向發(fā)光二極管芯片排上的條狀封裝膠 體，其中每一個條狀封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個條狀封裝膠 體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface);
然后，通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板單元及該等條狀封裝 膠體上并且填充于每二個條狀封裝膠體之間；最后，沿著每兩個縱向發(fā)光二極 管芯片之間，橫向地切割該框架單元及該基板單元，以形成數(shù)條光棒，并且使得該框架單元被切割成數(shù)個分別只讓每一條光棒上的條狀封裝膠體的膠體出
光面(colloid light-exiting surface)露出的框架層。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具有高效 率側(cè)向發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光二極管芯 片的封裝方法，其包括下列步驟首先，提供一基板單元；接著，通過矩陣 (matrix)的方式，分別電性連接地設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片于該基板單元上， 以形成數(shù)排橫向發(fā)光二極管芯片排；然后，通過一第--模具單元，將數(shù)個條狀 封裝膠體橫向地分別覆蓋該等橫向發(fā)光二極管芯片排上，其中每一個條狀封裝 膠體的上表面具有一膠體弧面，并且每一個條狀封裝膠體的側(cè)表面具有一形成 于該膠體弧面前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface)。
緊接著，通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板單元及該等條 狀封裝膠體上并且填充于每二個條狀封裝膠體之間；最后，沿著每兩個縱向發(fā) 光二極管芯片之間，橫向地切割該框架單元及該基板單元，以形成數(shù)條光棒， 并且使得該框架單元被切割成數(shù)個分別只讓每一條光棒上的條狀封裝膠體的 膠體出光面(colloid light-exiting surface)露出的框架層。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具有高效 率偵'J向發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)二極管芯 片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一基板單元、 一發(fā)光單元(light-emitting unit)、 一封 裝膠體單元(package colloid unit)、及一框架單元。
其中，該發(fā)光單元具有數(shù)個電性地設(shè)置于該基板單元上的發(fā)光二極管芯 片。該封裝膠體單元具有一覆蓋于該等發(fā)光二極管芯片上的條狀封裝膠體，其 中該條狀封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一膠體出光面 (colloid light-exiting surface)。該框架單元為一層覆蓋于該基板單元上并包覆 該條狀封裝膠體而只露出該膠體出光面(colloid light-exiting surface)的框架層 (frame layer)。
因此，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā)光區(qū)域，而無 暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生。并且，本發(fā)明通過芯片直 接封裝(Chip On Board, COB)制程并利用壓模(die mold)的方式，以使得 本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而能進(jìn)行大量生產(chǎn)。再者，由于本發(fā)明的發(fā) 光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此，本
10發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝方法的流程圖2為現(xiàn)有發(fā)光二極管應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意圖3為本發(fā)明封裝方法的第一實施例的流程圖3 a至圖3 f分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程立體示意
圖3A至圖3F分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的封裝流程剖面示意
圖4為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過覆晶(flip-chip)的方式實現(xiàn)電性連接 的示意圖5為本發(fā)明圖3C未灌入封裝膠體前的示意圖6為本發(fā)明封裝方法的第二實施例的流程圖-，
圖6 a為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程立體示意圖6A為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程剖面示意圖；以及
圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
D發(fā)光二極管芯片
M導(dǎo)光板
S 1基座
《1長度
1基板單元10基板本體
10 A金屬層
10 B電木層
11正極導(dǎo)電軌跡
12負(fù)極導(dǎo)電軌跡
1 ,基板單元11 ,正極導(dǎo)電軌跡12' 負(fù)極導(dǎo)電軌跡
2橫向發(fā)光二極管芯片排 2 G 發(fā)光二極管芯片
201正極端
202負(fù)極端
20發(fā)光二極管芯
201正極乂而
202'負(fù)極端
3 封裝膠體30條狀封裝膠體
300膠體弧面
301膠體前端面
302膠體出光面
4 框架單元40框架層
W 導(dǎo)線
B 錫球
M1第一模具單元M11第一上模具
M110第一通道
M12第一下模具
G凹槽
G10o模具弧面
G101模具前端面
M1 '第一模具單元M11'第一上模具
M110 '第一通道
M12'第一下模具
G100'模具弧面
G101'模具前端面
M 2 第二模具單元M21第二上模具
M210 第二通道
M22第二下模具
L 1 光棒
D 發(fā)光二極管芯片M 導(dǎo)光板 S 2 基座
《2 長度
具體實施例方式
請參閱圖3、圖3a至圖3f、及圖3A至圖3F所示。圖3為本發(fā)明封裝 方法的第一實施例的流程圖，圖3 a至圖3 d分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實 施例的封裝流程示意圖，圖3A至圖3D分別為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例 的封裝流程剖面示意圖。由圖3的流程圖可知，本發(fā)明的第一實施例提供 -種 具有高效率側(cè)向發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光 二極管芯片的封裝方法，其包括下列步驟
首先，請配合圖3 a及圖3 A所示，提供一基板單元1 ，其具有--基板本 體(substrate body) 1 0、及分別形成于該基板本體1 O上的數(shù)個正極導(dǎo)電軌 跡(positive electrode trace) 1 1與婁女個負(fù)豐及導(dǎo)電車九跡(negative electrode trace) 1 2 (S100)。
其中，該基板本體l O包括一金屬層(metal layer) 1 0 A及一成形在該 金屬層l 0 A上的電木層(bakelite layer) 1 0 B (如圖3a及圖3A所示)。 再者，依不同的設(shè)計需求，該基板單元l 0可為一印刷電路板(PCB)、 一軟 基板(flexible substrate)、 一鋁基板(aluminum substrate)、 一陶瓷基板(ceramic substrate)、或一銅基板(copper substrate)。此外，該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡1 1 、 1 2可采用鋁線路(aluminum circuit)或銀線路(silver circuit)，并且該正、 負(fù)極導(dǎo)電軌跡l 1、 1 2的布局(layout)可隨著不同的需要而有所改變。
接著，請配合圖3b及圖3B所示，通過矩陣(matrix)的方式，分別電性 連接地設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片2 0于該基板本體1 0上，以形成數(shù)排橫向發(fā) 光二極管芯片排2 ，其中每一個發(fā)光二極管芯片2 Q具有分別電性連接于該基 板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡l 1、 1 2的一正極端(positive electrode side) 2 0 1與一負(fù)極端(negative electrode side) 2 0 2 (S102)。
此外，以本發(fā)明的第一實施例而言，每一個發(fā)光二極管芯片2 Q的正、負(fù) 極端2 0 1、 2 0 2通過兩相對應(yīng)的導(dǎo)線W并以打線(wire-bounding)的方式， 以與該基板單元l的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡l 1、 1 2產(chǎn)生電性連接。再者，每一排橫向發(fā)光二極管芯片排2以一直線的排列方式設(shè)置于該基板單元1的基板
本體l Q上，并且每一個發(fā)光二極管芯片2 O可為一藍(lán)色發(fā)光二極管芯片 (blue LED)。
當(dāng)然，上述該等發(fā)光二極管芯片2 O的電性連接方式非用以限定本發(fā)明， 例如請參閱圖4所示(本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過覆芯的方式實現(xiàn)電性連接 的示意圖)，每一個發(fā)光二極管芯片2 0 '的正、負(fù)極端2 0 1' 、 2 0 2' 通過數(shù)個相對應(yīng)的錫球B并以覆晶(flip-chip)的方式，以與該基板單元l ' 的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡l 1 ' 、 12'產(chǎn)生電性連接。另外，依據(jù)不同的設(shè)計需 求，該等發(fā)光二極管芯片(圖未示)的正、負(fù)極端可以串聯(lián)(parallel)、并聯(lián) (serial)、或串聯(lián)加并聯(lián)(parallel/serial)的方式，以與該基板單元(圖未示) 的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
然后，請配合圖3c、圖3C及圖5所示，通過一第一模具單元M1，將 一封裝膠體3縱向地覆蓋在所有橫向發(fā)光二極管芯片排2上，其中該封裝膠體 3的上表面具有數(shù)個相對應(yīng)該等橫向發(fā)光二極管芯片排2的膠體弧面3 0 0， 并且該封裝膠體3具有數(shù)個設(shè)置于該等相對應(yīng)膠體弧面3 0 0前端的膠體前 端面(colloid lateral surface) 3 0 1 (S104)。
其中，該第一模具單元M 1由一第一上模具(first upper mold) Ml l及 一用于承載該基板本體l O的第一下模具(first lower mold) Ml 2所組成， 并且該第一上模具M(jìn) 1 1具有第-一通道(first channel) M 1 1 0 ，其中該第一 通道M1 1 O具有數(shù)個凹槽(concave groove) G，而每一個凹槽G的上表面 及前表面分別具有一個相對應(yīng)該膠體弧面3 0 0的模具弧面(mold cambered surface) G 1 0 0及一個相對應(yīng)該膠體前端面(colloid lateral surface) 3 0 1 的模具前端面(mold lateral surface) G 1 0 1 。再者，該封裝膠體3可依據(jù)不 同的使用需求，而選擇為由一硅膠(silicon)與一熒光粉(fluorescent powder) 所混合形成的熒光膠體(fluorescentresin)、或由一環(huán)氧樹脂(epoxy)與一熒 光粉(fluorescentpowder)所混合形成的熒光膠體(fluorescentresin)。
緊接著，請配合圖3d及圖3D所示，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片2 0之間，橫向地切割該封裝膠體3，以形成數(shù)個彼此分開地覆蓋于每一排橫向 發(fā)光二極管芯片排2上的條狀封裝膠體3 0 ，其中每一個條狀封裝膠體3 0的 上表面為該膠體弧面3 0 0，并且每一個條狀封裝膠體3 0具有一形成于該膠體弧面3 0 0前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface) 3 0 2 (S106)。
然后，請配合圖3e及圖3E所示，通過一第二模具單元M2，將一框架 單元4覆蓋于該基板本體1 Q及該等條狀封裝膠體3 O上并且填充于每二個 條狀封裝膠體3 0之間(S108)。其中，該第二模具單元M2由一第二上模具 (second upper mold) M 2 1及一用于承載該基板本體1 0的第二下模具 (second lower mold) M2 2所組成，并且該第二上模具M(jìn) 2 1具有一條相對 應(yīng)該框架單元4的第二信道(second channel) M2 1 0 ，此外該第二通道M 210的尺寸與該框架單元4的尺寸相同。
最后，請再參閱圖3e，并配合圖3 f及圖3F所示，沿著每兩個縱向發(fā) 光二極管芯片2 0之間，橫向地切割該框架單元4及該基板本體1 0，以形成 數(shù)條光棒L 1 ，并且使得該框架單元4被切割成數(shù)個分別只讓每一條光棒L 1 上的條狀封裝膠體3 0的膠體出光面(colloid light-exiting surface) 3 0 2露出 的框架層4 0 (S110)。其中，該等框架層4 0系可為不透光框架層(opaque frame layer)，例如白色框架層(white frame layer)。
請參閱圖6、圖6 a 、及圖6A所示。圖6為本發(fā)明封裝方法的第二實施 例的流程圖，圖6 a為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程示意圖， 圖6A為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的部分封裝流程剖面示意圖。由圖6的 流程圖可知，第二實施例的歩驟(S200至S202)及(S206至S210)分別與 第一實施例的步驟(S100至S102)及(S106至S110)相同。亦即，步驟S200 等同于第一實施例的圖3 a及圖3 A的示意圖說明；步驟S202等同于第一實施 例的圖3 b及圖3 B的示意圖說明。步驟S206等同于第一實施例的圖3 d及圖 3 D的示意圖說明。步驟S208等同于第一實施例的圖3 e及圖3 E的示意圖說 明步驟S210等同于第一實施例的圖3 f及圖3 F的示意圖說明。
再者，于步驟S202與S206之間，本發(fā)明的第二實施例更進(jìn)一步包括首 先，請參閱圖6a及圖6A所示，通過一第一模具單元M1'，將數(shù)個條狀封 裝膠體3 0橫向地分別覆蓋該等橫向發(fā)光二極管芯片排2上，其中每一個條狀 封裝膠體3 0的上表面具有一膠體弧面3 0 0，并且每一個條狀封裝膠體3的 側(cè)表面具有一形成于該膠體弧面3 0 0前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface) 3 0 2 (S206)。
其中，該第一模具單元M1'由一第一上模具(first upper mold) Ml 1'及一用于承載該基板本體l 0的第一下模具(first lower mold) Ml 2'所 組成，并且該第一上模具M(jìn) 1 1 '具有數(shù)個第一通道(first channel) M 1 1 0 '，其中每一個第一通道M1 1 0'的上表面及前表面分別具有一個相對應(yīng)該 膠體弧面3 0 0的模具弧面(mold cambered surface) G 1 0 0 '及一個相對 應(yīng)該膠體前端面(colloid lateral surface) 3 0 2的模具前端面(mold lateral surface) G 1 0 1 '，并且每一個第一通道M 110'的尺寸與每一個條狀封 裝膠體3 Q的尺寸相同。
請參閱圖7所示，其為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光 的示意圖。由圖中可知，當(dāng)本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D應(yīng)用于側(cè)向發(fā)光時(例 如使用于筆記型計算機屏幕的導(dǎo)光板M的側(cè)向光源)，該發(fā)光二極管芯片D 的基座S 2的長度《2可依散熱的需要而加長(不像現(xiàn)有一樣受導(dǎo)光板M厚度 的限制)。換言之，由于該基座S 2的長度《2可依散熱的需要而加長，因此 本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D將可得到有效的散熱效果，進(jìn)而可避免發(fā)光二極管 芯片D因過熱而燒壞的情形。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā)光區(qū)域， 而無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生，并且本發(fā)明通過芯片 直接封裝(Chip On Board, COB)制程并利用壓模(die mold)的方式，以使 得本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而能進(jìn)行大量生產(chǎn)。再者，由于本發(fā)明的 發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)于直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此， 本發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更能顧到應(yīng)用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于，包括下列步驟提供一基板單元；通過矩陣的方式，分別電性連接地設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片于該基板單元上，以形成數(shù)排橫向發(fā)光二極管芯片排；通過一第一模具單元，將一封裝膠體縱向地覆蓋在所有橫向發(fā)光二極管芯片排上，其中該封裝膠體的上表面具有數(shù)個相對應(yīng)該等橫向發(fā)光二極管芯片排的膠體弧面；沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該封裝膠體，以形成數(shù)個彼此分開地覆蓋于每一排橫向發(fā)光二極管芯片排上的條狀封裝膠體，其中每一個條狀封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個條狀封裝膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板單元及該等條狀封裝膠體上并且填充于每二個條狀封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該框架單元及該基板單元，以形成數(shù)條光棒，并且使得該框架單元被切割成數(shù)個分別只讓每一條光棒上的條狀封裝膠體的膠體出光面露出的框架層。
2 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板單元為一印刷電路板、 一軟基板、 一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。
3 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導(dǎo)電軌跡與一負(fù)極導(dǎo)電軌跡。
4 、根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板本體包括一金屬層及一成形在該金屬層上的電木層。
5 、根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡為鋁線路或銀線路。
6 、根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡的一正極端與一負(fù)極端。
7 、根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過兩相對應(yīng)的導(dǎo)線并以打線的方式，以與該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
8 、根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過數(shù)個相對應(yīng)的錫球并以覆芯的方式，以與該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
9 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一排橫向發(fā)光二極管芯片排以-直線的排列方式設(shè)置于該基板單元上。
10 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該第一模具單元由一第一上模具及一用于承載該基板單元的第一下模具所組成，并且該第一上模具具有第一通道，其中該第一通道具有數(shù)個凹槽，而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應(yīng)該膠體弧面的模具弧面及一個相對應(yīng)該膠體前端面的模具前端面。
11 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該封裝膠體為由一硅膠與一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
12 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該封裝膠體為由一環(huán)氧樹脂與一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
13 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該第二模具單元由一第二上模具及一用于承載該基板單元的第二下模具所組成，并且該第二上模具具有 -條相對應(yīng)該框架單元的第二信道，此外該第二通道的尺寸與該框架單元的尺寸相同。
14 、根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該框架層為不透光框架層。
15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
16、一種具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于，包括下列步驟提供一基板單元；通過矩陣的方式，分別電性連接地設(shè)置數(shù)個發(fā)光二極管芯片于該基板單元上，以形成數(shù)排橫向發(fā)光二極管芯片排；通過一第一模具單元，將數(shù)個條狀封裝膠體橫向地分別覆蓋該等橫向發(fā)光二極管芯片排上，其中每一個條狀封裝膠體的上表面具有一膠體弧面，并且每一個條狀封裝膠體的側(cè)表面具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板單元及該等條狀封裝膠體上并且填充于每二個條狀封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該框架單元及該基板單元，以形成數(shù)條光棒，并且使得該框架單元被切割成數(shù)個分別只讓每一條光棒上的條狀封裝膠體的膠體出光面露出的框架層。
17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板單元為一印刷電路板、 一軟基板、 一鋁基板、 一陶瓷基板、或一銅基板。
18、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導(dǎo)電軌跡與一負(fù)極導(dǎo)電軌跡。
19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該基板本體包括一金屬層及一成形在該金屬層上的電木層。
20、根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡為鋁線路或銀線路。
21、根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡的一正極端與一負(fù)極端。
22、根據(jù)權(quán)利要求21所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過兩相對應(yīng)的導(dǎo)線并以打線的方式，以與該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
23、根據(jù)權(quán)利要求21所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過數(shù)個相對應(yīng)的錫球并以覆芯的方式，以與該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
24、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一排橫向發(fā)光二極管芯片排以一直線的排列方式設(shè)置于該基板單元上。
25、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該第一模具單元由一第一上模具(及一用于承載該基板單元的第一下模具所組成，并且該第一上模具具有數(shù)個第一通道，其中每一個第一通道的上表面及前表面分別具有一個相對應(yīng)該膠體弧面的模具弧面及一個相對應(yīng)該膠體前端面的模具前端面，并且每一個第一通道的尺寸與每一個條狀封裝膠體的尺寸相同。
26、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個條狀封裝膠體為由一硅膠與一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
27、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于每一個條狀封裝膠體為由一環(huán)氧樹脂與一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
28、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該第二模具單元由一第二上模具及一用于承載該基板單元的第二下模具所組成，并且該第二上模具具有一條相對應(yīng)該框架單元的第二信道，此外該第二通道的尺寸與該框架單元的尺寸相同。
29、根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于該框架層為不透光框架層。
30、根據(jù)權(quán)利要求29所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片的封裝方法，其特征在于，該不透光框架層為白色框架層。
31 、 一種具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元；一發(fā)光單元，其具有數(shù)個電性地設(shè)置于該基板單元上的發(fā)光二極管芯片；一封裝膠體單元，其具有一覆蓋于該等發(fā)光二極管芯片上的條狀封裝膠體，其中該條狀封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一膠體出光面；以及一框架單元，其為一層覆蓋于該基板單元上并包覆該條狀封裝膠體而只露出該膠體出光面的框架層。
32、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板單元為一印刷電路板、 一軟基板、 一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。
33、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導(dǎo)電軌跡與一負(fù)極導(dǎo)電軌跡。
34、根據(jù)權(quán)利要求33所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板本體包括一金屬層及一成形在該金屬層上的電木層。
35、根據(jù)權(quán)利要求33所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡為鋁線路或銀線路。
36、根據(jù)權(quán)利要求33所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡的一正極端與一負(fù)極端。
37、根據(jù)權(quán)利要求36所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過兩相對應(yīng)的導(dǎo)線并以打線的方式，以與該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
38、根據(jù)權(quán)利要求36所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負(fù)極端通過數(shù)個相對應(yīng)的錫球并以覆芯的方式，以與該正、負(fù)極導(dǎo)電軌跡產(chǎn)生電性連接。
39、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該等發(fā)光二極管芯片以一直線的排列方式設(shè)置于該基板單元上。
40、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該等發(fā)光二極管芯片以數(shù)條直線的排列方式設(shè)置于該基板單元上。
41、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該條狀封裝膠體為由一硅膠與-一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
42 、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該條狀封裝膠體為由一環(huán)氧樹脂與一熒光粉所混合形成的熒光膠體。
43、根據(jù)權(quán)利要求31所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該框架層為不透光框架層。
44、根據(jù)權(quán)利要求43所述的具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
全文摘要
一種具有高效率側(cè)向發(fā)光效果的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一發(fā)光單元(light-emitting unit)、一封裝膠體單元(package colloid unit)、及一框架單元。其中，該發(fā)光單元具有數(shù)個電性地設(shè)置于該基板單元上的發(fā)光二極管芯片。該封裝膠體單元具有一覆蓋于該等發(fā)光二極管芯片上的條狀封裝膠體，其中該條狀封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一膠體出光面(colloid light-exiting surface)。該框架單元為一層覆蓋于該基板單元上并包覆該條狀封裝膠體而只露出該膠體出光面(colloid light-exiting surface)的框架層(frame layer)。
文檔編號H01L21/50GK101477954SQ20081000008
公開日2009年7月8日 申請日期2008年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月3日
發(fā)明者吳文逵, 巫世裕, 汪秉龍 申請人:宏齊科技股份有限公司