專利名稱：：一種半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法，特別是涉及一種由^f冊控PIN型二4l管(gatedp-I-ndiodes)所組成的穿隧場效電晶體(Tunnelfield-effecttransistors)之半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
：金屬IU匕半導(dǎo)體(Metal-oxide-semiconductor;MOS)為90納米集成電路技術(shù)出現(xiàn)后，最主流的一種技術(shù)。金屬氧化半導(dǎo)體可以依柵極電壓Vg及源漏極電壓Vds的不同，而在三種區(qū)域內(nèi)運作，分別為線性區(qū)、飽和區(qū)及次臨界區(qū)。當(dāng)柵極電壓Vg小于臨界電壓Vt時，將運作于次臨界區(qū)。次臨界擺幅代表關(guān)閉電晶體電流的難易度，因此為決定一金屬氧化半導(dǎo)體裝置的速度的重要參數(shù)。次臨界擺幅可由一公式表示m*kT/q，其中m為一與電容相關(guān)的參數(shù)。一金屬氧化半導(dǎo)體裝置的次臨界擺幅在室溫下具有一每10kT/q約改變60mV(60mV/decade)的限制，進(jìn)而限制了對操作電壓VDD及臨界電壓Vt的調(diào)降。此限制是因為載子的漂移與擴散移動機制。因此，現(xiàn)有的金屬氧化半導(dǎo)體無法在室溫下以較60mv/decade更快的速度開關(guān)。這個60mV/decade的次臨界擺幅限制亦適用于鰭式場效電晶體(FinFET)或絕緣層上覆硅(Silicon-on-insulator;SOI)裝置上的超薄體金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)電晶體(ultrathinbodyMOSFET)。然而，即4吏能夠在通道上能有更好的柵極控制，一鰭式場效電晶體或絕緣層上覆硅裝置上的超薄體金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)電晶體仍只能接近，但無法低于此60mv/decade的限制。在此限制之下，于低操作電壓下運作的納米工藝裝置將無法快速地開關(guān)。一穿隧場效電晶體被發(fā)明以解決上述的問題。圖1繪示了一個PIN型二極管組成的場效電晶體，稱為碰撞電離金屬氧化半導(dǎo)體(Impact-ionizationMOS;I-MOS)。碰撞電離金屬氧化半導(dǎo)體具有一重?fù)诫sP型(源極)區(qū)10及一重?fù)诫sN型(漏極)區(qū)12,此二區(qū)由一無摻雜通道區(qū)14所區(qū)隔。柵極16形成于無摻雜通道區(qū)14之上以控制無摻雜通道區(qū)14。碰撞電離金屬氧化半導(dǎo)體在源極區(qū)lO及柵極16的邊緣11間具有一偏移區(qū)18。當(dāng)無摻雜通道區(qū)14因柵極偏壓施加于柵極16而反轉(zhuǎn)時，偏移區(qū)18間的漏源極電壓下降而引發(fā)累增崩潰(Avalanchebreakdown)。在崩潰期間的"倍增崩潰(Avalanchemultiplication)，，適可為一內(nèi)部正回4受，因此次臨界擺幅可以在非常低的漏極電壓(如0.2V)下達(dá)到10mV/decade以下。如此的碰撞電離金屬氧化半導(dǎo)體對未來為達(dá)到低功率、高速開關(guān)及開關(guān)電流的高比值而產(chǎn)生的45納米工藝以下的金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)，提供了一個明確的方法。然而圖1所示的金屬氧化半導(dǎo)體具有一些缺點，其輸出特性與漏源極電壓有相當(dāng)大的互依性。更進(jìn)一步地，雖然借由累增機制可以使開關(guān)達(dá)到非常快的速度，但是偏移區(qū)18的關(guān)鍵寬度(criticalwidth)對柵極與源/漏極間的對準(zhǔn)誤差相當(dāng)敏感。這使得在開關(guān)期間，偏移區(qū)18的電場有相當(dāng)大的變化，進(jìn)而造成次臨界擺幅亦有相當(dāng)大的變化。更進(jìn)一步地，金屬氧化半導(dǎo)體裝置的累增機制對溫度十分敏感，而溫度變化亦會造成次臨界擺幅的變化。圖2描述了一由柵控PIN型二極管所形成的非對稱穿隧場效電晶體裝置，包括一重?fù)诫s漏極區(qū)102及一重?fù)诫s源極區(qū)104，此二區(qū)由一通道區(qū)103所區(qū)隔。漏極區(qū)102包括硅，而源極區(qū)104則包括硅鍺。通道區(qū)103由無雜質(zhì)硅(Intrinsicsilicon)所組成。柵極108控制通道區(qū)103。圖2所示的穿隧場效電晶體裝置具有與kT/q無關(guān)的次臨界擺幅及低關(guān)閉狀態(tài)電流(Off-statecurrent)。然而，如此的結(jié)構(gòu)只能改進(jìn)n-通道穿隧場效電晶體裝置的開啟電流，而無法改進(jìn)p-通道穿隧場效電晶體裝置的開啟電流。因此，如何設(shè)計一個使p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，乃為此領(lǐng)域所須努力解決的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。本發(fā)明的還一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用。本發(fā)明的還一目的在于，提供一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其p-通道及n-通道穿隧場效電晶體裝置均能提供高開啟電流、低關(guān)閉電流及可靠效能的穿隧場效電晶體結(jié)構(gòu)，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體裝置，包括一低能帶間隙層，包括一半導(dǎo)體材質(zhì)；一柵介電層，位于該低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于該柵介電層上；一與該柵介電層鄰接的一第一源/漏極區(qū)，其中該第一源/漏極區(qū)具有一第一傳導(dǎo)特性；以及一與該柵介電層鄰接的一第二源/漏極區(qū)，其中該第二源/漏極區(qū)具有一與該第一傳導(dǎo)特性相反的一第二傳導(dǎo)特性，且其中該低能帶間隙層位于該第一及該第二源/漏極區(qū)之間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一源/漏極區(qū)為重?fù)诫s，該第二源/漏極區(qū)為中度摻雜。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)包括一與該低能帶間隙層相同的半導(dǎo)體材質(zhì)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)間的能階大于該低能帶間隙層。前述的半導(dǎo)體裝置，其更包括一第一及一第二偏移半導(dǎo)體區(qū)域，該第一及該第二偏移半導(dǎo)體區(qū)更包括一與該低能帶間隙層相同的半導(dǎo)體材質(zhì)，其中該第一偏移半導(dǎo)體區(qū)位于該低能帶間隙層及該第一偏移半導(dǎo)體區(qū)間，該第二偏移半導(dǎo)體區(qū)位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)間。前述的半導(dǎo)體裝置，其更包括一第一重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)，位于該第一源/漏區(qū)及該低能帶間隙層之間，以及一第二重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)，位于該第二源/漏區(qū)及該低能帶間隙層之間，其中該第一及該第二重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)的深度實質(zhì)上小于各第一及第二源/漏區(qū)的深度。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層無雜質(zhì)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦^l家、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。前述的半導(dǎo)體裝置，在該低能帶間隙層下更包括一基板，其中該基本包括一與該低能帶間隙層不同的材質(zhì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體裝置，包括一半導(dǎo)體基板；一低能帶間隙層，位于該半導(dǎo)體基板上；一柵介電層，位于該低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于該柵介電層上；一對側(cè)壁層，分別位于該柵極的相反兩側(cè)的側(cè)壁；一第一源/漏極區(qū)及一第二源/漏極區(qū)位于該低能帶間隙層的相反兩側(cè)，其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有一能階，該能階大于該低能帶間隙層，且其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有相反的傳導(dǎo)特性；一第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)(Self-alignedoffsetregion),位于該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)相接，其中該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第一源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；以及一第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)相接，其中該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第二源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性，且其中該第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)包括一與該低能帶間隙層相同的材質(zhì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)為中度摻雜，且其中該第二源/漏極區(qū)及該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)為重?fù)诫s。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層及該第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)包括硅鍺，且其中該第一及第二源/漏極區(qū)實質(zhì)上包括硅。前述的半導(dǎo)體裝置，其中各第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有一內(nèi)邊緣及一外邊緣實質(zhì)上各與一覆蓋其上的側(cè)壁層(Spacers)的一內(nèi)邊緣及一外邊緣對齊。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的半導(dǎo)體基板包括二氧化硅、碳化硅、摻雜硅、未摻雜硅其中之一或其組合。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體裝置，其包括一半導(dǎo)體基板；一低能帶間隙層，位于該半導(dǎo)體基板上；一柵介電層，位于低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于柵介電層上；一對側(cè)壁層，分別位于該柵極的相反兩側(cè)的側(cè)壁；一第一源/漏極區(qū)及一第二源/漏極區(qū)位于該低能帶間隙層的相反兩側(cè)，其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有一能階，該能階大于該低能帶間隙層，且其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有相反的傳導(dǎo)特性；一第一源/漏極延伸區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)相接，其中該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第一源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；以及一第二源/漏極延伸區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)相接，其中該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第二源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性，且其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第一源/漏極延伸區(qū)為中度摻雜，且其中該第二源/漏極區(qū)及該第二源/漏極延伸區(qū)為重?fù)诫s。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層及該第一及第二源/漏極延伸區(qū)包括硅鍺，且其中該第一及第二源/漏極區(qū)實質(zhì)上包括硅。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的第一及第二源/漏極延伸區(qū)各延伸至一側(cè)壁層之下。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的其中各第一及第二源/漏極延伸區(qū)具有一部份位于該低能帶間隙層中。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。前述的半導(dǎo)體裝置，其中所述的半導(dǎo)體基板包括二氧化硅、碳化硅、摻雜硅、未摻雜硅其中之一或其組合。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括下列步驟提供一低能帶間隙層；形成一柵介電層于該低能帶間隙層上；形成一柵極于該柵介電層上；形成一與該柵介電層鄰接的第一源/漏極區(qū)，其中該第一源/漏極區(qū)具有一第一傳導(dǎo)特性；以及形成一與該柵介電層鄰接且位于該第一源/漏極區(qū)的相反側(cè)的第二源/漏極區(qū)，其中該第二源/漏極區(qū)具有一與該第一傳導(dǎo)特性相反的第二傳導(dǎo)特性。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的方法，其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟分別于該低能帶間隙層未被該柵極覆蓋的部份布植一n型雜質(zhì)及一p型雜質(zhì)。前述的方法，其中形成該柵介電層及該柵極的步驟更包括下列步驟形成一假性4冊極堆疊結(jié)構(gòu)(Dummygatestack);形成柵極側(cè)壁層于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；在形成該等柵極側(cè)壁層及該第一及該第二源/漏極區(qū)后，移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法(Chemicalmechanicalpolish)以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。前述的方法，其中所述的第一源/漏極區(qū)為重?fù)诫s，且該第二源/漏極區(qū)為中度摻雜。前述的方法，其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；布植該低能帶間隙層未被該柵極堆疊結(jié)構(gòu)覆蓋的部份，其中部份該柵極堆疊結(jié)構(gòu)另一側(cè)的該低能帶間隙層具有至少中度摻雜的雜質(zhì)，其中該雜質(zhì)具有相反的傳導(dǎo)特性；于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成^f冊極側(cè)壁層；利用該柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；以及以具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及第二半導(dǎo)體區(qū)。前述的方法，其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；實施實質(zhì)上互相垂直的一第一及一第二離子布植以將具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；以及偏斜地實施一第三及一第四離子布植以形成分別與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰接的一第一及一第二源/漏極延伸區(qū)，其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜且分別具有與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相同的傳導(dǎo)特性。前述的方法，其中所述的第一及該第二離子布植的實施所須的能量分別較該第三及該第四離子布植的實施所須的能量為高。前述的方法，于其中提供該低能帶間隙層的步驟更包括下列步驟磊晶成長一硅鍺層于一基板上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基板；形成一低能帶間隙層于該半導(dǎo)體基板上；形成一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)于該低能帶間隙層上；布植該低能帶間隙層未被該柵極堆疊結(jié)構(gòu)覆蓋的部份，其中部份該柵極堆疊結(jié)構(gòu)另一側(cè)的該低能帶間隙層具有至少中度摻雜的雜質(zhì)，其中該雜質(zhì)具有相反的傳導(dǎo)特性；在布植步驟后于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；以具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的方法，其中所述的蝕刻步驟更包括一電漿蝕刻的步驟。前述的方法，其中所述的蝕刻方法更包括下列步驟于該低能帶間隙層的曝露部份布植非晶態(tài)材質(zhì)以形成非晶態(tài)區(qū)；以及選擇性地蝕刻該等非晶態(tài)區(qū)。前述的方法，其中所述的其中移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的步驟更包括下列步驟形成一內(nèi)層介電層(Inter-layerdielectric;ILD);平坦化該內(nèi)層介電層的一上表面以與該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一上表面對齊；以及蝕刻該^^性;斷極堆疊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基板；形成一低能帶間隙層于該半導(dǎo)體基板上；形成一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)于該低能帶間隙層上；于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；實施實質(zhì)上互相垂直的一第一及該第二離子布植以將具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；以及偏斜地實施一第三及一第四離子布植以形成分別與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰接的一第一及一第二源/漏極延伸區(qū)，其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜且分別具有與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。前述的方法，'其中所述的第二及該i二離^布植的實施所須的1fe量分別較該第三及該第四離子布植的實施所須的能量為高。前述的方法，其中所述的第一及第二源/漏延伸區(qū)的深度實質(zhì)上小于各第一及第二源/漏區(qū)的深度。前述的方法，其中所述的蝕刻步驟更包括一電漿蝕刻的步驟。前述的方法，其中所述的蝕刻步驟為等向性的(isotropic)。前述的方法，其中所述的蝕刻方法更包括下列步驟于該低能帶間隙層的曝露部份布植非晶態(tài)材質(zhì)以形成非晶態(tài)區(qū)；以及選擇性地蝕刻該等非晶態(tài)區(qū)。前述的方法，其中移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的步驟更包括下列步驟形成一內(nèi)層介電層；平坦化該內(nèi)層介電層的一上表面以與該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一上表面對齊；以及獨刻該々i性柵極堆疊結(jié)構(gòu)。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有窄能階及強柵極耦合的穿隧場效電晶體至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置使一p-通道及n-通道的場效電晶體裝置均衡的效能，并降低漏電流，改進(jìn)次臨界擺幅及開啟電流的特性。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)i^明如下。圖1繪示一包括一偏移通道區(qū)，且由柵控PIN型二極管組成的碰撞電離金屬氧化半導(dǎo)體裝置。圖2繪示一穿隧場效電晶體，其中該源極區(qū)為石圭鍺組成，該漏極區(qū)為珪組成，且該通道區(qū)包括無雜質(zhì)硅。圖3至圖IO繪示本發(fā)明的第一實施例的制造過程中的剖面圖，其中源極區(qū)及漏極區(qū)由離子布植形成。圖IIA繪示穿隧接面的最大電場及柵介電層的介電常數(shù)的關(guān)系圖。圖11B繪示本發(fā)明的第一實施例的電流-電壓曲線。圖IIC繪示本發(fā)明的第一實施例的模擬能階圖。圖11D繪示本發(fā)明的第一實施例的金屬氧化半導(dǎo)體裝置與不同結(jié)構(gòu)及通道材質(zhì)的金屬氧化半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動電流的比較圖。圖12繪示非對稱n-通道及p-通道穿隧場效電晶體裝置的預(yù)期電流-電壓曲線。圖13繪示一由非對稱穿隧場效電晶體組成的反相器。圖14至圖19A繪示本發(fā)明的第二實施例的制造過程中的剖面圖，其中偏移區(qū)分別形成于一通道區(qū)及各源/漏極區(qū)之間。圖19B繪示本發(fā)明的第二實施例的模擬能階圖。圖20至圖26繪示本發(fā)明的第三實施例的制造過程中的剖面圖，其中至少為中度摻雜的源/漏極延伸區(qū)形成于通道區(qū)及源/漏區(qū)之間。圖27繪示本發(fā)明另一實施例，具有一前4冊才及(gate-first)結(jié)構(gòu)，其中一應(yīng)力才妄點々蟲亥'J纟冬止層(stressedcontactetchstoplayer)#皮開^成。10:重?fù)诫sP型(源極)區(qū)102:重?fù)诫s漏極區(qū)103:通道區(qū)104:重?fù)诫s源極區(qū)108:柵極11:邊緣12重?fù)诫sN型(漏極)區(qū)14:無摻雜通道區(qū)16柵極18:偏移區(qū)20基板20,:半導(dǎo)體層202:絕緣層203:覆硅層22低能帶間隙層24:々￡性柵介電層26假性柵極28:假性柵極遮罩30光刻膠32:漏才及區(qū)34光刻膠36:源極區(qū)38無雜質(zhì)通道區(qū)40:柵側(cè)壁層42源/漏金屬硅化物區(qū)44:第一層間介電層46光刻膠48:開口50柵介電層51"無柵極電壓施加傳導(dǎo)帶512:無柵極電壓施加價帶513:柵源極電壓為IV的傳導(dǎo)帶514:柵源極電壓為IV的價帶53:硅鍺無雜質(zhì)穿隧場效電晶體52:柵極532、533、534:具有硅通道的穿隧場效電晶體裝置的模擬結(jié)果55:起始點62:p通道穿隧場效電晶體裝置68:凹槽70:硅區(qū)72:n+區(qū)76:凹槽80:n+漏才及區(qū)84:n+漏極延伸區(qū)88:接點蝕刻終止層置的模擬結(jié)果535、536:傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體置的模擬結(jié)果54:穿隧場效電晶體裝置56、58、60:線條64:n通道穿隧場效電晶體裝置69:價電帶71:異質(zhì)結(jié)構(gòu)74:p+區(qū)78:硅區(qū)82:p+源極區(qū)86:p+源極延伸區(qū)卯柵極具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法其具體實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法，該穿隧場效電晶體由柵控PIN型二極管組成。本發(fā)明的一較佳的實施例的制造過程將在下面闡述，而更多不同的實施例也將被討論。在以下本發(fā)明不同的實施例中，一些參考數(shù)字將被用以指示各個元件。本發(fā)明的第一實施例在圖3至圖10中繪示。參照圖3，一基板20被提供。在本實施例中，基板20為一塊狀基板，包括一單晶半導(dǎo)體材質(zhì)，如硅，或一混合半導(dǎo)體材質(zhì)。于其他實施例中，基板20可包括超過一層的半導(dǎo)體層。舉例來說，基板20可為一絕緣層上覆硅或碳化硅(Silicononcarbide)結(jié)構(gòu)，包括絕緣層202覆硅層203。絕緣層202更可進(jìn)一步位于半導(dǎo)體層20,上。于其他的實施例中，基板20包括一絕緣體。低能帶間隙層22形成于基板20上。在以下的描述中，"低能帶間隙"一詞意指低于硅能階(U2eV)的能階。在一較佳的實施例中，低能帶間隙層22由硅鍺組成。于其他實施例中，亦可使用其他具有低能階的半導(dǎo)體材質(zhì)如，鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。因為低能帶間隙層22及下方的基板20的晶格常數(shù)可能不相符合，低能帶間隙層22將被限制。于其他實施例中，低能帶間隙層22即可形成一塊狀基板，而不須下方的基板20。在本實施例中，基板20的上層包括一晶狀半導(dǎo)體材質(zhì)，并借由磊晶成長(Epitaxialgrowth)于該基板20上長出低能帶間隙層22。更進(jìn)一步，如低能帶間隙層由硅鍺組成，鍺原子的比例最好小于80%。然而，最佳的鍺比例與所須的穿隧場效電晶體特性相關(guān)。舉例來說，如果較注重高速度開關(guān)的須求，則鍺的比例須要較高。但是，這將造成最終的穿隧場效電晶體的漏電流增加。相反地，如果對低功率消耗的須求高于對高速度開關(guān)的須求，低能帶間隙層22比較適合鍺比例較低的組成方式。較佳的低能帶間隙層22為無雜質(zhì)的。在本實施例中，低能帶間隙層22未摻雜任何雜質(zhì)。于其他本實施例中，低能帶間隙層22可以小于約1E15/cm3的濃度摻雜雜質(zhì)。圖4繪示了一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的形成，包括一假性柵介電層24、一假性柵極26及一假性柵極遮罩28。假性堆疊結(jié)構(gòu)可以在同一晶片上，與其他金屬氧化半導(dǎo)體裝置的柵極堆疊結(jié)構(gòu)同時被形成。柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括形成一柵介電層、形成一柵極于4冊介電層上、形成一柵極遮罩28于柵極上及圖形蝕刻堆疊層。光刻膠30被使用以進(jìn)行圖形蝕刻，接著一n型雜質(zhì)被布植，n型雜質(zhì)可為磷、砷其中之一或其組合。離子布植過程相對假性堆疊結(jié)構(gòu)可為垂直地或偏斜地。離子布植過程后，漏極區(qū)32被形成。漏極區(qū)32可實質(zhì)上對齊于假性柵極堆疊的邊緣，或在離子布植過程為偏斜的情況下，延伸至假性柵極堆疊的下方。接著光刻膠30被移除。參考圖5，光刻膠34被使用以進(jìn)行圖形蝕刻，覆蓋于漏極區(qū)32及部份假性柵極堆疊的上方。接著一p型雜質(zhì)被布植，p型雜質(zhì)可為硼、銦其中之一或其組合。同樣地，離子布植過程相對假性堆疊結(jié)構(gòu)可為垂直地或偏斜地。離子布植過程后，源極區(qū)36被形成。同樣地，源極區(qū)36可實質(zhì)上對齊于假性柵極堆疊的邊緣，或在離子布植過程為偏斜的情況下，延伸至假性柵極堆疊的下方。無雜質(zhì)通道區(qū)38接著在漏極區(qū)32及源極區(qū)36間的一未布植區(qū)被形成。在本實施例中，漏極區(qū)32及源極區(qū)36均為重?fù)诫s，且因此漏極區(qū)32被認(rèn)定為一n+區(qū)，源極區(qū)36被認(rèn)定為一p+區(qū)。在此，重?fù)诫s意指雜質(zhì)濃度大于102G/cm3。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以輕易得知重?fù)诫s一詞與不同的裝置種類、技術(shù)世代、最小特征尺寸及其他因素相關(guān)，因此并非用來限制本發(fā)明的范圍。最終形成的穿隧場效電晶體裝置為一雙極性場效電晶體裝置，意指可由柵極電壓為正或負(fù)以決定此穿隧場效電晶體裝置為n通道裝置或p通道裝置。本發(fā)明的另一實施例中，其中一漏極區(qū)32及源極區(qū)36為重?fù)诫s，而其他的則為中度摻雜(依雜質(zhì)形式而為n型區(qū)或p型區(qū))。中度摻雜一詞指雜質(zhì)濃度低于重?fù)诫s，如介于10,cr^至10,cm"司。如漏極區(qū)32為一n型區(qū)且源極區(qū)36為一p+型區(qū)，最終形成的穿隧場效電晶體將為一n通道場效電晶體，且將由正柵極電壓導(dǎo)通。相反地，如漏極區(qū)32為一n型區(qū)且源極區(qū)36為一p+型區(qū)，最終形成的穿隧場效電晶體將為一p通道場效電晶體，且將由負(fù)柵極電壓導(dǎo)通。圖6繪示了柵側(cè)壁層40及源/漏金屬硅化物區(qū)42的形成。柵側(cè)壁層40包括形成一柵介電層及蝕刻柵介電層以移除水平部份。源/漏金屬硅化物區(qū)42可由覆蓋形成一金屬層并實施退火處理以使金屬層與其下的硅起反應(yīng)作用而形成。未起反應(yīng)作用的金屬接著被移除。參照圖7,—第一層間介電層44被形成，接著實施一化學(xué)機械研磨法以使第一層間介電層44的上表面與假性柵極遮罩28的上表面相對齊。第一層間介電層44由常見的層間介電層材質(zhì)組成，如硼磷硅玻璃(Borophosphosilicateglass,BPSG)。其他元素如碳、氮、氧其中之一或其組合均可能為組成物質(zhì)之一。圖8中光刻膠46被使用以進(jìn)行圖形蝕刻，形成開口48，曝露出部份假性柵極遮罩28。接著如圖9所示，假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)被移除，曝露出無雜質(zhì)通道區(qū)38。其中假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的較佳移除方式為蝕刻。參照圖10，抓介電層50及柵極52被形成。形成的過程包括形成一4冊介電層、形成一柵極層及實施一化學(xué)機械研磨法以移除多余物質(zhì)。在一較佳的實施例中，柵介電層50包括一高介電常數(shù)k的介電物質(zhì)，其中k的較佳值介于7至60間。柵介電層50的較佳組成材質(zhì)包括高介電常數(shù)金屬氧化物如二氧化鉿、氮化珪、氧化硅、氮氧化硅其中之一或其組合。柵介電層50亦可包括一多于一層的混合結(jié)構(gòu)。柵極52可由已摻雜的多晶硅、金屬、金屬硅化物、多層膜其中之一或其組合而構(gòu)成。前述的制造過程敘述了穿隧場效電晶體裝置54的形成。其中利用高介電常數(shù)材質(zhì)的柵介電層的優(yōu)點在于可增加穿隧場效電晶體裝置54的驅(qū)動電流。圖IIA繪示了一模擬結(jié)果，表現(xiàn)出穿P逸接面的最大電場E,及柵介電層50的介電常數(shù)k的關(guān)系。線條56、58及60分別為當(dāng)柵源極電壓為IV、1.5V及2V時的結(jié)果。須注意的是，當(dāng)介電常數(shù)k增加，最大電場E匪的值亦跟著增加。然而當(dāng)介電常數(shù)k達(dá)到約60時，最大電場E隱的值開始滯止增加，甚至介電常數(shù)k再往上增加時其值反而下降?？深A(yù)期的是一具有固定厚度的高介電常數(shù)柵介電層52,其電流增益實質(zhì)上為一指數(shù)關(guān)系。然而其電容值僅為線性成長。因此穿隧場效電晶體裝置的驅(qū)動電流的增加量較電容的下降量為多(因此造成電阻電容延遲)。因此，高介電常數(shù)的材質(zhì)較適用。模擬結(jié)果亦表示出穿隧場效電晶體的驅(qū)動電流與鍺于無雜質(zhì)通道區(qū)38所占的比例相關(guān)。當(dāng)鍺的比例上升，驅(qū)動電流亦跟著增加。圖IIB繪示圖IO的實施例中，電流-電壓的特性模擬圖?？梢园l(fā)現(xiàn)的是，飽和驅(qū)動電流ID與漏極電壓VD的關(guān)系為互相獨立，而只受柵極電壓Vg影響。圖IIC繪示了如圖10所示的一對稱通道場效電晶體裝置的模擬能階圖，其中無雜質(zhì)通道由硅鍺所組成。線條51,及5l2分別為無柵極電壓施加時的一傳導(dǎo)帶(Conductionband)及一價電帶(Valenceband),而線條513及5U分別為柵源極電壓為1V時的一傳導(dǎo)帶(Conductionband)及一價電帶(Valenceband)。須注意的是，在柵極電壓施加后將發(fā)生強反轉(zhuǎn)(stronginversion)。強反轉(zhuǎn)使傳導(dǎo)帶513及價電帶514的距離縮短并因此使電子容易穿過價電帶514及傳導(dǎo)帶513間的能量障礙(參照箭頭515)。能量障礙即是因強反轉(zhuǎn)而變小。圖11D繪示了不同的裝置的驅(qū)動電流與柵極電壓的關(guān)系圖。底線53,為一硅鍺無雜質(zhì)穿隧場效電晶體裝置的模擬結(jié)果(具有40°/。的鍺)。該無雜質(zhì)穿隧場效電晶體裝置具有一金屬柵極及高介電常數(shù)(k=20)。其他的線條532至536為其他文獻(xiàn)所記栽及其實驗結(jié)果。線條532、533及534為具有硅通道的穿隧場效電晶體裝置的模擬結(jié)果，而535及536為傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體裝置的模擬結(jié)果。圖11D也呈現(xiàn)出在柵極電壓為IV下，本發(fā)明的實施例(底線53J具有比其他裝置更高的驅(qū)動電流。圖12繪示了非對稱p通道及n通道穿隧場效電晶體裝置的預(yù)測電流-電壓曲線。較佳地，當(dāng)負(fù)柵極電壓施加時，n通道穿隧場效電晶體裝置將無驅(qū)動電流產(chǎn)生，而正柵極電壓施加時，則n通道穿隧場效電晶體裝置將產(chǎn)生驅(qū)動電流。驅(qū)動電流將隨棚4及電壓的增加而增加。另一方面，當(dāng)正4冊才及電壓施加時，p通道穿隧場效電晶體裝置將無驅(qū)動電流產(chǎn)生，而負(fù)柵極電壓施加時，則p通道穿隧場效電晶體裝置將產(chǎn)生驅(qū)動電流。當(dāng)柵極負(fù)電壓的強度增加驅(qū)動電流也將增加。對p通道及n通道裝置來說，反向崩潰電壓實質(zhì)上等于或甚至大于VDD為較佳的情況。借由調(diào)整工作函數(shù)及源極區(qū)與漏極區(qū)的摻雜濃度，亦可調(diào)整驅(qū)動電流的起始點55。表1表示了具有不同通道材質(zhì)及柵介電層材質(zhì)的不同穿隧場效電晶體裝置的電性效能。表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>表1證明了具有硅鍺通道的穿隧場效電晶體裝置的效能整體來說十分具有竟?fàn)幜?，甚至可能比傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體裝置更佳。雖然具有硅鍺通道的穿隧場效電晶體裝置的漏電流較具有硅通道的穿隧場效電晶體裝置的漏電流大，但是具有硅鍺通道的穿隧場效電晶體裝置的驅(qū)動電流比具有硅通道的穿隧場效電晶體裝置的驅(qū)動電流亦較大。柵極52的工作函數(shù)亦影響了裝置效能，如同穿隧場效電晶體裝置54的電流-電壓曲線。為達(dá)到最佳的的電流-電壓曲線，漏極區(qū)32、源極區(qū)36、無雜質(zhì)通道區(qū)38的摻雜濃度，以及柵極52的工作函數(shù)都須被調(diào)整。如前段所述，一n通道穿隧場效電晶體裝置及一p通道穿隧場效電晶體裝置可以以分別重?fù)诫s漏極區(qū)32并中度摻雜源極區(qū)36,或重?fù)诫s源極區(qū)36并中度摻雜漏極區(qū)32來形成。圖13繪示一使用非對稱摻雜穿隧場效電晶體組成的反相器。此反相器包括p通道穿隧場效電晶體裝置62及n通道穿隧場效電晶體裝置64。括號標(biāo)記指示了各穿隧場效電晶體裝置的重?fù)诫s側(cè)。圖13所示的反相器基本上如同傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體裝置所組成的反相器一般地運作。當(dāng)施加一高輸入電壓Vin時，p通道穿隧場效電晶體裝置62關(guān)閉，而n通道穿隧場效電晶體裝置64開啟。相反地，當(dāng)施加一低輸入電壓Vin時，p通道穿隧場效電晶體裝置62開啟，而n通道穿隧場效電晶體裝置64關(guān)閉。輸入電壓Vin及n通道與p通道穿隧場效電晶體裝置的狀態(tài)的關(guān)系描述于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>圖14至圖19繪示了本發(fā)明的第二實施例的制造過程中的剖面圖。本實施例的初始步驟與圖3至圖5十分相像，并因此形成漏極區(qū)32、源極區(qū)36及通道區(qū)38。接著，如圖14所示，柵側(cè)壁層40利用如第一實施例所述的方法形成。在第15圖中，曝露的硅鍺區(qū)32及36被蝕刻，形成凹槽68。而其他被柵側(cè)壁層40所遮蔽的部份則留下，分別形成自我對準(zhǔn)偏移區(qū)33及37。蝕刻步驟可以等向地或非等向地利用電漿蝕刻曝露的硅鍺區(qū)32及36。于其他實施例中，蝕刻步驟亦可以由布植非晶態(tài)材質(zhì)如硅、鍺、氬或其他近似的材質(zhì)于低能帶間隙層的曝露部份以形成非晶態(tài)區(qū)，并選擇性地蝕刻非晶態(tài)區(qū)。硅鍺區(qū)32及36可被蝕刻直到下方的基板20曝露出來。于其他實施例中，只有一最上面部份的硅鍺區(qū)32及36被蝕刻。圖16中，硅磊晶成長于凹槽68,形成硅區(qū)70。較佳地，選擇性磊晶成長是借由一化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition)技術(shù)而實施，其中前驅(qū)物(precursors)包括含硅的氣體，如SiH4(硅烷)。圖17繪示了硅區(qū)70的離子布植。與偏移區(qū)33相接的硅區(qū)70為n型雜質(zhì)所重?fù)诫s，形成n+區(qū)72，而與偏移區(qū)37相接的硅區(qū)70為p型雜質(zhì)所重?fù)诫s，形成p+區(qū)74。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可輕易得知n+區(qū)72及p+區(qū)74的形成包括一以光罩為遮罩的工藝。圖18繪示了源/漏金屬硅化區(qū)42及層間介電層44的形成，可如第一實施例所述的方法及材質(zhì)以形成。接著，々支性柵極遮罩28、fi性柵極26及假性柵極介電層24被移除，且柵介電層50及柵極52被形成。最終的結(jié)構(gòu)如圖19A所示。同樣地，柵介電層50及柵極52可如第一實施例所述的方法及材質(zhì)以形成。圖19B繪示了一近似圖19A所示的穿隧場效電晶體裝置的模擬能階圖，除了圖19B的穿隧場效電晶體裝置具有一前柵極。須注意的是，價電帶69具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)71(heterogeneousstructures)。一般相信如此的異質(zhì)結(jié)構(gòu)對漏電流形成障礙，因此如圖19A的結(jié)構(gòu)的漏電流將明顯地降低。同樣地，如以源極側(cè)與漏極側(cè)(各包括一偏移區(qū)33或37及一接合摻雜區(qū)72或74)其中一區(qū)為重?fù)诫s而另一區(qū)為中度摻雜，而非兩區(qū)均重?fù)诫s，將形成非對稱穿隧場效電晶體。本實施例的一優(yōu)點為借由硅取代部份的源/漏區(qū)，自我對準(zhǔn)偏移硅鍺區(qū)與硅區(qū)相接，而因此形成一異質(zhì)結(jié)構(gòu)，關(guān)閉狀態(tài)的漏電流因而降低。模擬結(jié)果顯示，借由使用如此的結(jié)構(gòu)，漏電流將被降低達(dá)兩個級數(shù)之多。一可能的原因為接合的硅區(qū)形成一較高的能階障礙而遲滯了漏電流的發(fā)生。圖20至圖26繪示了本發(fā)明的第三實施例。參考圖20,低能帶間隙層22被形成于基板20上。一假性柵極堆疊，包括假性柵介電層24、假性柵極26及假性遮罩28，隨而被形成。接著，柵側(cè)壁層40如圖21所示被形成。圖22繪示了低能帶間隙層22的蝕刻，其中較佳的蝕刻過程為等向性的，可是凹槽76延伸至柵側(cè)壁層40之下。于其他實施例中，蝕刻過程可為非等向性的。凹槽76接著被磊晶成長的硅填滿，如圖23所示地形成硅區(qū)78。參考圖24，n+漏極區(qū)80及p+源極區(qū)82被形成。為形成n+漏極區(qū)80，須先形成一第一光刻膠(未圖示)覆蓋前述的結(jié)構(gòu)的一半并進(jìn)行圖形蝕刻，且進(jìn)行一離子布植以摻雜入n型雜質(zhì)。形成n+漏極區(qū)80后，第一光刻膠接著被移除，且一第二光刻膠被形成并覆蓋于前述結(jié)構(gòu)的另一半。接著進(jìn)行一離子布植以摻雜入p型雜質(zhì)，形成p+源極區(qū)82。第二光刻膠隨而被移除。此二離子布植過程的實施以實質(zhì)上互相垂直為佳。圖26繪示了n+漏極延伸區(qū)84及p+源極延伸區(qū)86的形成。為形成n+漏極延伸區(qū)84，一光刻膠被形成并進(jìn)行圖形蝕刻。接著實施一朝假性柵極堆疊方向偏斜的離子布植。此離子布植的能量以小于布植n+漏極區(qū)80的能量為佳。接著光刻膠被移除。同樣地，p+源極延伸區(qū)86亦以基本上同于n十漏極延伸區(qū)84的偏斜離子布植過程而被形成。參考圖26，層間介電層44、柵介電層50及柵極52依基本上與第一實施例相同的過程被形成。在前述的實施例中，結(jié)構(gòu)的左側(cè)是指漏極側(cè)而右側(cè)是指源極側(cè)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可輕易得知只要施加適當(dāng)?shù)碾妷?，源極側(cè)及漏極側(cè)可互換位置。并且，雖然第一、第二及第三實施例均使用后柵極的結(jié)構(gòu)，即在源/漏區(qū)形成后，以取代假性柵極堆疊的方式分別形成柵介電層及柵極，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可輕易得知前柵極的結(jié)構(gòu)亦可被使用。圖27繪示了一具有前柵極結(jié)構(gòu)的穿隧場效電晶體裝置的例子。接點86與漏極區(qū)32及源極區(qū)36電性連接。接點蝕刻終止層88形成于漏極區(qū)32、源極區(qū)36及柵極90之上。對p型穿隧場效電晶體裝置來說，接點蝕刻終止層提供了擠壓應(yīng)力，而對n型穿隧場效電晶體裝置來說，接點蝕刻終止層提供了拉伸應(yīng)力。一些對本發(fā)明的實施例中的穿隧場效電晶體裝置、傳統(tǒng)的金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體裝置及非對稱穿隧場效電晶體裝置進(jìn)行模擬而產(chǎn)生的比較結(jié)果如表3所示，其中傳統(tǒng)穿隧場效電晶體裝置具有一如圖2所示的非對稱結(jié)構(gòu)。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>其中第二列表示場效電晶體裝置為n型或p型，第三列顯示場效電晶體裝置的驅(qū)動電流。此電流值為各電流相對傳統(tǒng)n型金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體的電流比值。結(jié)果顯示本發(fā)明的實施例的驅(qū)動電流可與傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體相比擬。然而，本發(fā)明的實施例的漏電流明顯地較小。與傳統(tǒng)穿隧場效電晶體裝置相比，本發(fā)明的第一實施例雖然漏電流較高，但也具有較高的p通道驅(qū)動電流。本發(fā)明的第二及第三實施例的n通道裝置特性可與傳統(tǒng)穿隧場效電晶體裝置相比擬。然而，本發(fā)明的第二及第三實施例的p通道裝置特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)p通道穿隧場效電晶體裝置。本發(fā)明的實施例具有一些優(yōu)點。首先，穿隧場效電晶體裝置破除了傳統(tǒng)金屬氧化半導(dǎo)體的次臨界擺幅限制，因此可以達(dá)到非常高的開/關(guān)調(diào)流比值。第二，本發(fā)明的實施例可以在不犧牲開啟電流或關(guān)閉電流的情況下，應(yīng)用于p通道及n通道的穿隧場效電晶體裝置。第三，電流-電壓特性與溫度相關(guān)性較弱，因此可使用在高溫的情況下。最后，本發(fā)明對短通道效應(yīng)來說具有極佳的電阻特性，而只須一通道長度即可應(yīng)用于類比及數(shù)位電路上。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括一低能帶間隙層，包括一半導(dǎo)體材質(zhì)；一柵介電層，位于該低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于該柵介電層上；一與該柵介電層鄰接的一第一源/漏極區(qū)，其中該第一源/漏極區(qū)具有一第一傳導(dǎo)特性；以及一與該柵介電層鄰接的一第二源/漏極區(qū)，其中該第二源/漏極區(qū)具有一與該第一傳導(dǎo)特性相反的一第二傳導(dǎo)特性，且其中該低能帶間隙層位于該第一及該第二源/漏極區(qū)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)為重?fù)诫s，該第二源/漏極區(qū)為中度摻雜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)包括一與該低能帶間隙層相同的半導(dǎo)體材質(zhì)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)間的能階大于該低能帶間隙層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于更包括一第一及一第二偏移半導(dǎo)體區(qū)域，該第一及該第二偏移半導(dǎo)體區(qū)更包括一與該低能帶間隙層相同的半導(dǎo)體材質(zhì)，其中該第一偏移半導(dǎo)體區(qū)位于該低能帶間隙層及該第一偏移半導(dǎo)體區(qū)間，該第二偏移半導(dǎo)體區(qū)位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)間。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于更包括一第一重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)，位于該第一源/漏區(qū)及該低能帶間隙層之間，以及一第二重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)，位于該第二源/漏區(qū)及該低能帶間隙層之間，其中該第一及該第二重?fù)诫s源/漏延伸區(qū)的深度實質(zhì)上小于各第一及第二源/漏區(qū)的深度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層無雜質(zhì)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于在該低能帶間隙層下更包括一基板，其中該基本包括一與該低能帶間隙層不同的材質(zhì)。12.—種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括一半導(dǎo)體基板；一低能帶間隙層，位于該半導(dǎo)體基板上；一柵介電層，位于該低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于該柵介電層上；一對側(cè)壁層，分別位于該棚-極的相反兩側(cè)的側(cè)壁；一第一源/漏極區(qū)及一第二源/漏極區(qū)位于該低能帶間隙層的相反兩側(cè)，其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有一能階，該能階大于該低能帶間隙層，且其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有相反的傳導(dǎo)特性；一第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)相接，其中該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第一源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；以及一第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)相接，其中該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第二源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性，且其中該第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)包括一與該低能帶間隙層相同的材質(zhì)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)為中度摻雜，且其中該第二源/漏極區(qū)及該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)為重?fù)诫s。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層及該第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)包括硅鍺，且其中該第一及第二源/漏極區(qū)實質(zhì)上包括硅。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中各第一及第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有一內(nèi)邊緣及一外邊緣實質(zhì)上各與一覆蓋其上的側(cè)壁層的一內(nèi)邊緣及一外邊緣對齊。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體基板包括二氧化硅、碳化硅、摻雜硅、未摻雜硅其中之一或其組合。19.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括一半導(dǎo)體基板；一低能帶間隙層，位于該半導(dǎo)體基板上；一柵介電層，位于低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于柵介電層上；一對側(cè)壁層，分別位于該柵極的相反兩側(cè)的側(cè)壁；一第一源/漏極區(qū)及一第二源/漏極區(qū)位于該低能帶間隙層的相反兩側(cè)，其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有一能階，該能階大于該低能帶間隙層，且其中該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)具有相反的傳導(dǎo)特性；一第一源/漏極延伸區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第一源/漏極區(qū)相接，其中該第一自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第一源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；以及一第二源/漏極延伸區(qū)，位于該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)之間并與該低能帶間隙層及該第二源/漏極區(qū)相接，其中該第二自我對準(zhǔn)偏移區(qū)具有與該第二源/漏極區(qū)相同的傳導(dǎo)特性，且其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)及該第一源/漏極延伸區(qū)為中度摻雜，且其中該第二源/漏極區(qū)及該第二源/漏極延伸區(qū)為重?fù)诫s。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層及該第一及第二源/漏極延伸區(qū)包括硅鍺，且其中該第一及第二源/漏極區(qū)實質(zhì)上包括硅。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的第一及第二源/漏極延伸區(qū)各延伸至一側(cè)壁層之下。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中各第一及第二源/漏極延伸區(qū)具有一部份位于該低能帶間隙層中。24.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的低能帶間隙層包括硅鍺、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、砷化銦、銻化銦其中之一或其組合。25.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的柵介電層具有一值介于7至60的介電常數(shù)。26.根據(jù)權(quán)利要求19所述半導(dǎo)體裝置，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體基板包括二氧化硅、碳化硅、摻雜硅、未摻雜硅其中之一或其組合。27.—種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于該方法包括下列步驟提供一低能帶間隙層；形成一柵介電層于該低能帶間隙層上；形成一柵極于該柵介電層上；形成一與該柵介電層鄰接的第一源/漏極區(qū)，其中該第一源/漏極區(qū)具有一第一傳導(dǎo)特性；以及形成一與該柵介電層鄰接且位于該第一源/漏極區(qū)的相反側(cè)的第二源/漏極區(qū)，其中該第二源/漏極區(qū)具有一與該第一傳導(dǎo)特性相反的第二傳導(dǎo)特性。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟分別于該低能帶間隙層未被該柵極覆蓋的部份布植一n型雜質(zhì)及一p型雜質(zhì)。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中形成該柵介電層及該柵極的步驟更包括下列步驟形成一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成柵極側(cè)壁層于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；在形成該等柵極側(cè)壁層及該第一及該第二源/漏極區(qū)后，移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中所述的第一源/漏極區(qū)為重?fù)诫s，且該第二源/漏極區(qū)為中度摻雜。31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；布植該低能帶間隙層未被該柵極堆疊結(jié)構(gòu)覆蓋的部份，其中部份該柵極堆疊結(jié)構(gòu)另一側(cè)的該低能帶間隙層具有至少中度摻雜的雜質(zhì)，其中該雜質(zhì)具有相反的傳導(dǎo)特性；于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；以及以具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及第二半導(dǎo)體區(qū)。32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中形成該第一及該第二源/漏極區(qū)的步驟更包括下列步驟形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；實施實質(zhì)上互相垂直的一第一及一第二離子布植以將具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；以及偏斜地實施一第三及一第四離子布植以形成分別與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰接的一第一及一第二源/漏極延伸區(qū)，其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜且分別具有與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相同的傳導(dǎo)特性。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于其中所述的第一及該第二離子布植的實施所須的能量分別較該第三及該第四離子布植的實施所須的能量為高。34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于其中提供該低能帶間隙層的步驟更包括下列步驟磊晶成長一硅鍺層于一基板上。35.—種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基板；形成一低能帶間隙層于該半導(dǎo)體基板上；形成一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)于該低能帶間隙層上；布植該低能帶間隙層未被該柵極堆疊結(jié)構(gòu)覆蓋的部份，其中部份該柵極堆疊結(jié)構(gòu)另一側(cè)的該低能帶間隙層具有至少中度摻雜的雜質(zhì)，其中該雜質(zhì)具有相反的傳導(dǎo)特性；在布植步驟后于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；以具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于其中所述的蝕刻步驟更包括一電漿蝕刻的步驟。37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于其中所述的蝕刻方法更包括下列步驟于該低能帶間隙層的曝露部份布植非晶態(tài)材質(zhì)以形成非晶態(tài)區(qū)；以及選擇性地蝕刻該等非晶態(tài)區(qū)。38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于其中移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的步驟更包括下列步驟形成一內(nèi)層介電層；平坦化該內(nèi)層介電層的一上表面以與該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一上表面對齊；以及蝕刻該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)。39.—種形成一半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基板；形成一低能帶間隙層于該半導(dǎo)體基板上；形成一假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)于該低能帶間隙層上；于該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)壁層；利用該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)及該柵極側(cè)壁層做為一遮罩，蝕刻該低能帶間隙層以形成一凹槽；以一具有較該低能帶間隙層更高能階的半導(dǎo)體材質(zhì)填滿該凹槽，以形成一第一及一第二半導(dǎo)體區(qū)；實施實質(zhì)上互相垂直的一第一及該第二離子布植以將具有相反傳導(dǎo)特性的雜質(zhì)分別布植于該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)；以及偏斜地實施一第三及一第四離子布植以形成分別與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相鄰接的一第一及一第二源/漏極延伸區(qū)，其中該第一及該第二源/漏極延伸區(qū)至少為中度摻雜且分別具有與該第一及該第二半導(dǎo)體區(qū)相同的傳導(dǎo)特性；移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)；形成一柵介電層及一柵極層于移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)后所遺留的空間上；以及實施一化學(xué)機械研磨法以移除該柵介電層及該柵極層的多余部份，其中該柵介電層及該柵極層的剩余部份分別形成最終的柵介電層及柵極層。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于其中所述的第一及該第二離子布植的實施所須的能量分別較該第三及該第四離子布植的實施所須的能量為高。41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于其中所述的第一及第二源/漏延伸區(qū)的深度實質(zhì)上小于各第一及第二源/漏區(qū)的深度。42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于其中所述的蝕刻步驟更包括一電漿蝕刻的步驟。43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于其中所述的蝕刻步驟為等向性的。44.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于其中所述的蝕刻方法更包括下列步驟于該低能帶間隙層的曝露部份布植非晶態(tài)材質(zhì)以形成非晶態(tài)區(qū)；以及選擇性地蝕刻該等非晶態(tài)區(qū)。45.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于其中移除該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的步驟更包括下列步驟形成一內(nèi)層介電層；平坦化該內(nèi)層介電層的一上表面以與該假性柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一上表面對齊；以及蝕刻該々支性柵4及堆疊結(jié)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置及形成該半導(dǎo)體裝置的方法。該具低能帶間隙層的半導(dǎo)體裝置包括含一半導(dǎo)體材質(zhì)；一柵介電層，位于低能帶間隙層上；一柵極，覆蓋于柵介電層上；一與柵介電層鄰接的第一源/漏極區(qū)，其中第一源/漏極區(qū)具有一第一傳導(dǎo)特性；一與柵介電層鄰接的第二源/漏極區(qū)，其中第二源/漏極區(qū)具有一與第一傳導(dǎo)特性相反的第二傳導(dǎo)特性。低能帶間隙層位于第一及第二源/漏極區(qū)之間。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置使一p-通道及n-通道的場效電晶體裝置均衡的效能，并降低漏電流，改進(jìn)次臨界擺幅及開啟電流的特性。文檔編號H01L29/78GK101355102SQ200810000228公開日2009年1月28日申請日期2008年1月24日優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日發(fā)明者克里希那布瓦卡,后藤賢一申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司