專利名稱：光刻工藝的進(jìn)行方法及半導(dǎo)體制造的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用來制作半導(dǎo)體集成電路的光刻工藝，且特別涉及一種具 有化學(xué)清洗步驟的光刻工藝的進(jìn)行方法及半導(dǎo)體制造的方法。
背景技術(shù)：
光刻(photolithography)是一種將掩膜上的圖案投射轉(zhuǎn)移到襯底(例如半 導(dǎo)體晶片)上的技術(shù)。半導(dǎo)體光刻技術(shù)包含覆蓋一光刻膠層于半導(dǎo)體襯底表面 上，并將光刻膠層曝光以形成圖案等工藝。曝光后烘烤工藝(post-exposure bake; PEB)通常被用來打斷曝光后光刻膠的高分子結(jié)構(gòu)。接著將襯底送入顯 影反應(yīng)室，襯底表面包含被打斷的高分子光刻膠，在反應(yīng)室中以水性顯影液移 除溶于水性顯影液的光刻膠材料。 一般來說，光刻膠表面以浸置式(puddle) 顯影的方式涂覆顯影液(例如四甲基氫氧化銨，TMAH)，用以使曝光的光刻 膠顯影。接著以去離子水清洗襯底以去除溶解的光刻膠高分子，之后將襯底進(jìn) 行一旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝，襯底可再進(jìn)行下一工藝，例如一硬烤工藝，以去除光刻膠 表面的任何水氣。
然而傳統(tǒng)的工藝存在許多的問題。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展及更高密度的尺 寸需求，在襯底上的光刻膠層需要具有相對(duì)更細(xì)、更高的圖案結(jié)構(gòu)。在光刻工 藝中(特別是在旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝時(shí))，由于去離子水產(chǎn)生的毛細(xì)作用力，可能導(dǎo) 致此圖案結(jié)構(gòu)產(chǎn)生彎曲及/或斷裂。其中一個(gè)解決此問題的方法是導(dǎo)入超臨界 二氧化碳，通過還原氫鍵以降低表面張力。然而，此解決方案會(huì)顯著地提高此 工藝的成本。另一個(gè)解決的方法可包含利用具有修飾高分子的光刻膠材料以 使光刻膠更具疏水性，然而，此解決方案會(huì)降低顯影液的可濕性。傳統(tǒng)光刻工 藝的另一個(gè)問題是由光刻膠及光學(xué)分辨率的限制所導(dǎo)致的線邊緣粗糙度(line edge roughness; LER)，線邊緣粗糙度包括由理想的結(jié)構(gòu)到實(shí)際形成的結(jié)構(gòu)之 間產(chǎn)生的水平及垂直誤差。特別是關(guān)鍵尺寸的縮小，使得線邊緣粗糙度的問題 更嚴(yán)重，并且可能導(dǎo)致優(yōu)良率降低。傳統(tǒng)光刻工藝的另一問題是出現(xiàn)水痕(watermark)缺陷，例如在以去離子水清洗時(shí)，在光刻膠親水性表面的水可 能無法完全旋干而在光刻膠上留下水痕。光刻膠可以為疏水性的，特別是在分 離的、或非密集的圖案區(qū)域，水痕的產(chǎn)生對(duì)于優(yōu)良率及器件性能具有嚴(yán)重的影 響。
因此，需要一種改進(jìn)的方法來進(jìn)行光刻工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具有化學(xué)清洗步驟的光刻工藝 的進(jìn)行方法及半導(dǎo)體制造的方法，用以解決光刻工藝中清洗步驟造成的水痕， 并改善圖案化光刻膠結(jié)構(gòu)線邊緣粗糙度的問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種具有化學(xué)清洗步驟的光刻工藝的進(jìn)行 方法，包含提供一襯底，襯底上具有一光刻膠層，光刻膠層經(jīng)過曝光及顯影步 驟后，以一化學(xué)清洗溶液清洗曝光后的光刻膠層，并在使用完化學(xué)清洗溶液清 洗之后進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟。此化學(xué)清洗溶液包含一醇基化學(xué)藥劑，化學(xué)清洗 溶液可具有比純水低的表面張力， 一實(shí)施例中，醇基化學(xué)藥劑為異丁醇。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了另一種光刻工藝的進(jìn)行方法。此方法 包含提供具有一光刻膠層的襯底，此光刻膠層被曝光。應(yīng)用一化學(xué)清洗溶液于 此曝光的光刻膠層上，化學(xué)清洗溶液包含醇基化學(xué)藥劑。顯影經(jīng)曝光的光刻膠 層，且接著進(jìn)行旋轉(zhuǎn)風(fēng)干包含已顯影光刻膠層的襯底。在一實(shí)施例中，此化學(xué) 清洗溶液包含一醇基化學(xué)藥劑，也可應(yīng)用于顯影的光刻膠層。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明又提供了一種半導(dǎo)體制造的方法。此方法包含 提供一襯底，具有一圖案化光刻膠層。應(yīng)用一醇基化學(xué)藥劑于此圖案化光刻膠 層，并旋轉(zhuǎn)風(fēng)干在醇基化學(xué)藥劑處理后的襯底。在一實(shí)施例中，醇基化學(xué)藥劑 為異丁醇。
根據(jù)上述可知，本發(fā)明實(shí)施例的化學(xué)清洗步驟使用的化學(xué)清洗溶液，可在 旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟的過程中將水份完全帶走，而不會(huì)沉積在表面上形成水痕。此外， 化學(xué)清洗溶液的表面張力比去離子水低，可降低在旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟的過程中光刻 膠結(jié)構(gòu)的毛細(xì)作用力而減少缺陷的產(chǎn)生。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，下面 結(jié)合附圖詳細(xì)說明。


圖1示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的光刻工藝流程圖2a 2f示出依照?qǐng)D1所示的方法進(jìn)行光刻工藝的一半導(dǎo)體襯底的剖面
圖3示出依照本發(fā)明另一實(shí)施例的光刻工藝流程圖4a 4c示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的依照?qǐng)D3所示的方法進(jìn)行光刻工藝 的一半導(dǎo)體襯底的剖面圖。主要器件符號(hào)說明
100:方法102:步驟
104:步驟106:步驟
跳步驟110:步驟
112:步驟202:襯底
204:光刻膠206a:未曝光的光刻膠部分
206b:曝光的光刻膠部分208a:缺口部分
208b:殘余顆粒210:化學(xué)清洗溶液
300:方法302:步驟
304:步驟306:步驟
402:襯底404:圖案化光刻膠層
406:化學(xué)清洗溶液
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，且特別涉及一種具有化學(xué)清洗工 藝的光刻工藝。應(yīng)了解的是，下文中的特定實(shí)施例是舉例說明本發(fā)明的概念， 使本技術(shù)領(lǐng)域的人員可據(jù)以實(shí)施本發(fā)明。另外，還應(yīng)了解在本發(fā)明實(shí)施例中所 揭露的操作方法及裝置當(dāng)可包含某些已知的工藝或結(jié)構(gòu)。當(dāng)這些已知結(jié)構(gòu)或工 藝在實(shí)施例中提到時(shí)，其細(xì)節(jié)的部分的描述僅用于一般的討論。此外，附圖中 的同一器件以同一參考號(hào)重復(fù)使用是為了方便說明，而非用以代表示附圖中的 結(jié)構(gòu)或步驟的任何組合。
圖1示出依照本發(fā)明一實(shí)施例的光刻工藝方法100的流程圖。而圖2a 2f示出依照?qǐng)D1所示的方法于一半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行光刻工藝的不同步驟時(shí)，相對(duì) 應(yīng)半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)變化的剖面圖。
方法100從步驟102開始，首先提供一襯底。為了舉例說明，以一半導(dǎo)體
晶片構(gòu)成的襯底為例，描述此方法的細(xì)節(jié)。需要了解的是，其它的襯底及工藝
的例子也可應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施例，例如印刷電路板(printed circuit board; PCB)襯底、鑲嵌工藝(damascene process)、薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display; TFT-LCD)襯底及工藝。參照?qǐng)D2a，提供一襯 底202。
方法100的步驟104是將光刻膠沉積于襯底上。參照?qǐng)D2b，襯底202上 沉積了一層光刻膠204。襯底202可包含多層薄膜，例如一薄膜堆棧。光刻膠 204可包含一傳統(tǒng)的光刻膠層，并可以傳統(tǒng)方法沉積于襯底202上，例如以旋 轉(zhuǎn)涂層法(spin-on coating)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例，光刻膠204包含傳統(tǒng) 上可接受的193納米光刻膠材料。
在步驟106中，進(jìn)行一曝光操作及一曝光后烘烤工藝。參照?qǐng)D2c，對(duì)光 刻膠204圖案化以包含曝光的光刻膠部分206b及未曝光的光刻膠部分206a。 應(yīng)了解的是，不同的光刻膠材料均可應(yīng)用，為了舉例說明，在此以一正光刻膠 為例。曝光系統(tǒng)與烘烤系統(tǒng)可為分離的系統(tǒng)。
方法100的步驟108為進(jìn)行一顯影步驟，將襯底上的圖案化光刻膠顯影。 顯影工藝可包含將一水性四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液涂覆于襯底上，TMAH 可通過一浸置式工藝(puddle process)涂覆于襯底。此顯影工藝可移除光刻膠 的可溶部分。參照?qǐng)D2c和圖2d的示例，移除光刻膠的可溶部分，曝光的光刻 膠部分206b產(chǎn)生缺口部分208a，以在襯底202上形成掩膜圖案。顯影工藝之 后，已溶解的光刻膠材料的高分子聚合物仍可能存在于襯底202上，例如圖 2d所示的殘余顆粒208b。依照本發(fā)明的一實(shí)施例，于步驟108的顯影工藝后， 以去離子水清洗襯底。參照?qǐng)D2d，以去離子水清洗襯底202并清除殘余顆粒 208b。 一部分的殘余顆粒208b仍可能殘留在襯底202上，并可經(jīng)下文所示的 步驟移除。
方法100的步驟110為進(jìn)行一化學(xué)清洗步驟?；瘜W(xué)清洗步驟包含以一化學(xué) 清洗溶液清洗襯底，化學(xué)清洗溶液可包含一醇基的化學(xué)藥劑。依照本發(fā)明的一 實(shí)施例，化學(xué)清洗溶液包含大約0.1重量百分比以上的醇基化學(xué)藥劑。化學(xué)清洗溶液可具有小于純水的表面張力(也即當(dāng)25"C對(duì)純水的表面張力為
70dynes/cm，則此化學(xué)清洗溶液的表面張力在25。C時(shí)應(yīng)小于70dynes/cm)。 醇基化學(xué)藥劑可包含異丁醇(isobutyl alcohol; IBA)。依照本發(fā)明的一實(shí)施 例，此化學(xué)清洗溶液包含介于約5 10重量百分比的異丁醇。異丁醇在此可為 一優(yōu)良的醇基化學(xué)藥劑，原因包括成本的考慮。另一可選擇的實(shí)施例，使用的 醇基化學(xué)藥劑可包含其它不同種類的醇溶劑，例如乙醇(ethanol)、甲醇
(methanol)、異丙醇(isopropyl alcohol; IP A)、丙酮(acetone) 、 丁醇(butanol)、 第三丁醇(tert-butanol )、環(huán)己醇(cyclohexanol ) 、 二甲基二 丁醇
(2-methyl-2-butano1)、異戊醇(isopentyl alcohol)及/或二甲苯(xylene)。 依照本發(fā)明一實(shí)施例，此化學(xué)清洗溶液可包含異丁醇及一種或一種以上的醇溶 劑，例如甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、丁醇、第三丁醇、環(huán)己醇、二甲基二丁 醇、異戊醇(isopentyl alcohol)及/或二甲苯。依照本發(fā)明一實(shí)施例，此化學(xué) 清洗溶液包含異丁醇及一約9.5重量百分比的醇溶劑，例如甲醇、乙醇、異丙 醇、丙酮、丁醇、第三丁醇、環(huán)己醇、二甲基二丁醇、異戊醇及/或二甲苯。 除了醇基化學(xué)藥劑外，化學(xué)清洗溶液還可包含一化學(xué)添加劑，依照本發(fā)明的一 實(shí)施例，化學(xué)添加劑為一表面活性劑。
參照?qǐng)D2e，導(dǎo)入一化學(xué)清洗溶液210于襯底202上。依照本發(fā)明一實(shí)施 例，化學(xué)清洗溶液210是動(dòng)態(tài)的分配于襯底202上。本發(fā)明的另一可選擇的實(shí) 施例中，化學(xué)清洗溶液210可填充于襯底202?；瘜W(xué)清洗溶液210可從襯底202 上移除殘余顆粒208b。在一實(shí)施例中，化學(xué)清洗溶液210及去離子水清洗溶 液從襯底202上移除殘余顆粒208b。參照?qǐng)D4a 4c，化學(xué)清洗溶液210可改 善未曝光的光刻膠部分206a的線邊緣粗糙度(LER)?；瘜W(xué)清洗溶液210可 減少水痕的產(chǎn)生，經(jīng)過化學(xué)清洗溶液210的處理后，可使襯底202的曝光表面 及未曝光的光刻膠部分206a具有親水性，舉例來說，可允許水(例如去離子 水清洗步驟中的使用的水)擴(kuò)散進(jìn)入未曝光的光刻膠部分206a的親水性表面， 而不會(huì)沉積在表面上形成水痕。
方法100的步驟110的化學(xué)清洗步驟的配置將在下文單獨(dú)說明。化學(xué)清洗 步驟可于方法100的任一個(gè)步驟中或多個(gè)步驟中使用。依照本發(fā)明的實(shí)施例， 于步驟106的曝光后烘烤工藝之后及步驟108的顯影工藝之前使用一第一化學(xué) 清洗溶液，在顯影工藝之后使用一第二化學(xué)清洗溶液。在一實(shí)施例中， 一化學(xué)清洗溶液與顯影液實(shí)質(zhì)上同時(shí)使用。在一實(shí)施例中，于方法100中的步驟108 的顯影工藝后及步驟112的旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝之前包含一去離子水清洗步驟。在去
離子水清洗步驟之前及/或之后可進(jìn)行一化學(xué)清洗步驟。方法ioo的每一個(gè)實(shí) 施例中使用的化學(xué)清洗溶液可實(shí)質(zhì)類似于步驟iio所述的化學(xué)清洗溶液。
方法100的步驟112為進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝。參照?qǐng)D2e及2f，在旋轉(zhuǎn)風(fēng) 干工藝之前，可在襯底202上使用化學(xué)清洗溶液210清洗襯底表面，之后化學(xué) 清洗溶液210可經(jīng)旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝去除。在一實(shí)施例中，去離子水清洗步驟中殘 留在襯底202的去離子水可以旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝去除。相比較于在傳統(tǒng)光刻工藝 中，旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝之前可能出現(xiàn)于襯底上的純?nèi)ルx子水，化學(xué)清洗溶液210 可具有較低的表面張力。化學(xué)清洗溶液210可降低在旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟的過程中， 在未曝光的光刻膠部分206a的結(jié)構(gòu)上的毛細(xì)作用力，如此可降低缺陷產(chǎn)生， 例如未曝光的光刻膠部分206a的結(jié)構(gòu)斷裂或彎曲。接著可在移除未曝光的光 刻膠部分206a之前，于襯底202上進(jìn)行進(jìn)一步的工藝，可包含一硬烤步驟、
濕法蝕刻及/或離子注入。
參照?qǐng)D3，方法300為本發(fā)明另一可選擇的實(shí)施例，為一包含化學(xué)清洗步 驟的光刻工藝。方法300由步驟302開始，提供一具有圖案化光刻膠層的襯底。 在光刻膠層被移除之前，光刻膠的一圖案化層包含任何已經(jīng)被曝光的光刻膠 層，其曝光工藝可以如圖1所示的曝光步驟106進(jìn)行(此光刻膠的圖案化層可 進(jìn)行或不進(jìn)行曝光后烘烤步驟)。舉例來說，提供的光刻膠的圖案化層可為已 經(jīng)曝光、顯影、清洗、去離子水清洗、化學(xué)清洗及/或旋轉(zhuǎn)風(fēng)干的結(jié)構(gòu)，或已 經(jīng)進(jìn)行過硬烤，或已經(jīng)完成顯影后檢查(after development inspection; ADI)， 或以參照?qǐng)D1所揭示的方法100制造而成。
方法300的步驟304為一化學(xué)清洗步驟?；瘜W(xué)清洗步驟包含以一含醇基化 學(xué)藥劑的化學(xué)清洗溶液清洗圖案化光刻膠層。在一實(shí)施例中，化學(xué)清洗溶液可 具有小于純水的表面張力(也即當(dāng)25。C時(shí)純水的表面張力為70dynes/cm，則 此化學(xué)清洗溶液的表面張力在25'C時(shí)應(yīng)小于70dynes/cm)。醇基化學(xué)藥劑可 包含異丁醇(isobutyl alcohol; IBA)，依照本發(fā)明的一實(shí)施例，此化學(xué)清洗 溶液包含介于約5 10重量百分比的異丁醇。異丁醇在此可為一優(yōu)良的醇基化 學(xué)藥劑，原因包括成本的考慮。另一可選擇的實(shí)施例，使用的醇基化學(xué)藥劑可 包含其它不同種類的醇溶劑，例如乙醇、甲醇、異丙醇、丙酮、丁醇、第三丁醇、環(huán)己醇、二甲基二丁醇、異戊醇及/或二甲苯。
一實(shí)施例中，此化學(xué)清洗 溶液包含異丁醇及一約9.5重量百分比的醇溶劑，例如甲醇、異丙醇、丙酮、 丁醇、第三丁醇、環(huán)己醇、二甲基二丁醇、異戊醇及/或二甲苯。除了醇基化 學(xué)藥劑外，化學(xué)清洗溶液還可包含一化學(xué)添加劑，依照本發(fā)明的一實(shí)施例，化
學(xué)添加劑為一表面活性劑，例如商業(yè)配方的3M Novec fluid HFE-7000、 HFE-7100、 HFE-7200、 HFE-7500或HFE-71IPA; 3M Fluorinert FC-72、 FC-84、 FC-77、 FC-3255、 FC-40或FC-70; 3M Novec 4200、 3M Novec 4300、 3M FC-4432、 3M FC-4430、 3M FC-4434及或其它的表面活性劑。 一實(shí)施例中， 浸置處理時(shí)間介于約1秒 約100秒之間。另一可選擇的實(shí)施例，化學(xué)清洗溶 液是動(dòng)態(tài)的分配在圖案化光刻膠上。
方法300的步驟306為將具有圖案化光刻膠的襯底進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)風(fēng)干工藝。 依照方法300的一實(shí)施例，于化學(xué)清洗步驟304之后、旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟306之前 進(jìn)行一去離子水清洗步驟，方法300的優(yōu)點(diǎn)可包括改善圖案化光刻膠結(jié)構(gòu)的線 邊緣粗糙度。在一實(shí)施例中，可使用方法300來改善在襯底上形成集成電路結(jié) 構(gòu)(例如以等離子體蝕刻形成柵極或?qū)щ娋€、或離子注入形成源極/漏極)之 前的顯影后檢査(ADI)中所確定的圖案化光刻膠結(jié)構(gòu)的線邊緣粗糙度。
參照?qǐng)D4a 4c， 一襯底402包含一圖案化光刻膠層404。襯底402可類似 于圖2a 2f所述的襯底202，圖案化光刻膠層404可類似于圖2a 2f所述的 未曝光的光刻膠部分206a，其形成方式也類似于圖2a 2f所述，且圖案化光 刻膠層404包含線邊緣粗糙的結(jié)構(gòu)。依照本發(fā)明的一實(shí)施例，步驟304為一化 學(xué)清洗步驟?；瘜W(xué)清洗步驟包含利用一化學(xué)清洗溶液406，此化學(xué)清洗溶液406 含有如參照?qǐng)D3說明中所述的醇基化學(xué)藥劑。如圖4b所示，化學(xué)清洗溶液406 可包圍圖案化光刻膠層的結(jié)構(gòu)，且化學(xué)清洗溶液406可溶解圖案化光刻膠層 404的高分子聚合物及/或在圖案化光刻膠層404上提供物理性的表面應(yīng)力。因 此，化學(xué)清洗溶液406可使圖案化光刻膠層404表面平滑，而降低其線邊緣粗 糙度。接著進(jìn)行方法300的步驟306，旋轉(zhuǎn)風(fēng)干圖4b所示的圖案化光刻膠層 404及襯底402，之后圖案化光刻膠層404可包含如圖4c所示的改良后的線邊 緣粗糙度。
雖然本發(fā)明已以多個(gè)實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的改變與變形，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以后附的權(quán)利要求書的界定為準(zhǔn)。
本發(fā)明以一實(shí)施例揭露一光刻工藝的進(jìn)行方法，此方法包含提供一襯底， 襯底上具有一光刻膠層，光刻膠層經(jīng)過曝光及顯影步驟。應(yīng)用一化學(xué)清洗溶液 于曝光后的光刻膠層，此化學(xué)清洗溶液包含一醇基化學(xué)藥劑。在使用完化學(xué)清 洗溶液清洗之后進(jìn)行一旋轉(zhuǎn)風(fēng)干步驟?；瘜W(xué)清洗溶液可具有比純水低的表面張 力，在一實(shí)施例中，醇基化學(xué)藥劑為異丁醇。
本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種光刻工藝的進(jìn)行方法。此方法包含提供 具有一光刻膠層的襯底，此光刻膠層被曝光。應(yīng)用一化學(xué)清洗溶液于此曝光的 光刻膠層上，化學(xué)清洗溶液包含醇基化學(xué)藥劑。顯影經(jīng)曝光的光刻膠層，且接 著進(jìn)行旋轉(zhuǎn)風(fēng)干包含己顯影光刻膠層的襯底。在一實(shí)施例中，此化學(xué)清洗溶液 包含一醇基化學(xué)藥劑，也可應(yīng)用于顯影的光刻膠層。
在一實(shí)施例中，進(jìn)行光刻工藝的方法包含提供一襯底，具有一圖案化光刻 膠層。應(yīng)用一醇基化學(xué)藥劑于此圖案化光刻膠層，并旋轉(zhuǎn)風(fēng)干在醇基化學(xué)藥劑 處理后的襯底。在一實(shí)施例中，醇基化學(xué)藥劑為異丁醇。
權(quán)利要求
1、一種光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，包含提供一襯底，該襯底上包含一光刻膠層；曝光該光刻膠層；顯影該曝光后的光刻膠層；應(yīng)用一化學(xué)清洗溶液于該顯影后的光刻膠層，其中該化學(xué)清洗溶液包含一醇基化學(xué)藥劑；以及在該化學(xué)清洗溶液的應(yīng)用后旋轉(zhuǎn)風(fēng)干該襯底。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述醇基 化學(xué)藥劑包含異丁醇，該異丁醇的含量約為5 10重量百分比。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述醇基 化學(xué)藥劑包含異丁醇，所述化學(xué)清洗溶液還包含一藥劑，是選自于由乙醇、 異丙醇、丙酮、丁醇、第三丁醇、環(huán)己醇、二甲基二丁醇、異戊醇及二甲苯 所組成的族群。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述醇基 化學(xué)藥劑是選自于由乙醇、異丙醇、丙酮、異丁醇、丁醇、第三丁醇、環(huán)己 醇、二甲基二丁醇及異戊醇所組成的族群。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述化學(xué) 清洗溶液包含一表面活性劑。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，還包含以 去離子水清洗所述顯影后的光刻膠層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述化學(xué) 清洗溶液的表面張力低于純水。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述化學(xué) 清洗溶液包含水及至少0.1重量百分比的醇基化學(xué)藥劑。
9、 一種光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，包含 提供一襯底，該襯底上包含一光刻膠層； 曝光該光刻膠層；應(yīng)用一第一化學(xué)清洗溶液于該曝光后的光刻膠層，其中該第一化學(xué)清洗溶液包含一醇基化學(xué)藥劑；顯影該曝光后的光刻膠層；以及 旋轉(zhuǎn)風(fēng)干該具有顯影后光刻膠層的襯底。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述醇 基化學(xué)藥劑包含異丁醇，異丁醇的含量約為5 10重量百分比。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，所述醇 基化學(xué)藥劑是選自于由乙醇、異丁醇、異丙醇、丙酮、丁醇、第三丁醇、環(huán) 己醇、二甲基二丁醇及異戊醇所組成的族群。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻工藝的進(jìn)行方法，其特征在于，還包含 在該顯影后的光刻膠層上應(yīng)用一第二化學(xué)清洗溶液，其中該第二化學(xué)清洗溶 液包含一醇基化學(xué)藥劑。
13、 一種半導(dǎo)體制造的方法，包含 提供一襯底，該襯底上包含一圖案化光刻膠層； 應(yīng)用一醇基化學(xué)藥劑于該圖案化光刻膠層，以及 旋轉(zhuǎn)風(fēng)干該襯底。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于，應(yīng)用所述 醇基化學(xué)藥劑包含浸置所述醇基化學(xué)藥劑于所述圖案化光刻膠之上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于，所述醇基 化學(xué)藥劑包含異丁醇。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光刻工藝的進(jìn)行方法及半導(dǎo)體制造的方法，本發(fā)明的一實(shí)施例中，提供一襯底包含一光刻膠層，并使光刻膠層曝光。曝光的光刻膠層再進(jìn)行顯影，應(yīng)用一化學(xué)清洗步驟于此曝光的光刻膠層。此化學(xué)清洗步驟包含以一醇基的清洗溶液清洗襯底后，將襯底旋轉(zhuǎn)風(fēng)干。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101303970SQ200810000750
公開日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月10日
發(fā)明者張慶裕, 林進(jìn)祥 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司