專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種具多域配向效果的薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有利用介電異向性(dielectric anisotropy)為負(fù)的負(fù)型液晶材料，構(gòu)成垂 直配向(vertical alignment)的液晶配向方式，因未施加電壓時(shí)液晶分子即以垂 直基板方式排列，故可提供良好的對(duì)比(contrast)表現(xiàn)，然而，通常垂直配向 式液晶顯示器(vertically aligned LCD)為形成多域分割效果，其所匹配的結(jié)構(gòu) 會(huì)有些許漏光或是多域分割配置能力不足的情形。
圖8為剖面示意圖，顯示一現(xiàn)有多域垂直配向液晶顯示器(multi-domain vertically aligned LCD; MVALCD)的設(shè)計(jì)。如圖8所示，其于上、下基板102、 104上分別形成凸體(bump)106，其上再形成覆蓋凸體(bump)106的垂直配向 膜108,使垂直配向的液晶分子112于未施加電壓時(shí)即具有朝不同方向傾斜 的預(yù)傾角，藉以控制施加電壓后的液晶分子112傾斜方向。當(dāng)施加電壓后， 液晶層即可分割為多個(gè)分別具不同傾斜方向的液晶微小區(qū)域，以有效改善不 同觀察角度的灰階顯示狀態(tài)下的視角特性，再者，作為提供預(yù)傾角的區(qū)域邊 界規(guī)制結(jié)構(gòu)(regulationstructure)并不限定為凸體106，亦可如圖9所示，于基 板上形成凹面結(jié)構(gòu)114亦可。
如圖8及圖9所示，形成凸體106或凹面結(jié)構(gòu)114方式雖可達(dá)到制造多 個(gè)液晶微小區(qū)域的效果，然而，在未施加電壓(Voff)的狀態(tài)下，比較穿透光 I,及12的光路可知，因該區(qū)域邊界規(guī)制結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致液晶配向并非完全垂直， 故行經(jīng)傾斜液晶分子的穿透光12光路會(huì)具有多余的光程差值(And^O)而造 成漏光，因此，另需透過外貼補(bǔ)償膜方式將漏光消除以提高對(duì)比。
圖IO為一剖面示意圖，顯示另一多域垂直配向液晶顯示器的設(shè)計(jì)。如圖IO所示，禾l」用于基板202的透明電極204上所形成的開縫(slit)206，可控制 液晶分子208于施加電壓后的傾倒方向，然而，于電極204處形成開縫206 的方式，須仔細(xì)考慮開縫206本身寬度以及兩開縫206之間的距離等等，否 則通過開縫206產(chǎn)生使液晶分子208傾倒的力量容易不足，再者，該形成開 縫206的設(shè)計(jì)，造成液晶分子208往左右任一方向轉(zhuǎn)動(dòng)的能量相等，而使液 晶分子208于空間中的配向分布產(chǎn)生不連續(xù)的錯(cuò)向缺陷(disclination)，該錯(cuò)向 缺陷區(qū)域210于開縫206上方及兩開縫206間皆容易形成，而降低整體光穿 透率。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在提供一種薄膜晶體管陣列基板，其能以簡化的驅(qū) 動(dòng)架構(gòu)及較低成本獲得良好的多域配向效果。
依本發(fā)明的一實(shí)施例， 一種薄膜晶體管陣列基板包含一絕緣基板及形成 于絕緣基板上的復(fù)數(shù)掃描線、復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)線及復(fù)數(shù)像素單元。復(fù)數(shù)像素單元配 合掃描線及數(shù)據(jù)線以區(qū)隔出各個(gè)像素單元并定義出一行方向及一列方向。各 個(gè)像素單元包含一薄膜晶體管及一像素電極。薄膜晶體管與掃描線及數(shù)據(jù)線 電性連接，像素電極具有至少一由邊緣往內(nèi)部延伸的開口及至少一沿列方向 延伸的延伸部。像素電極的延伸部延伸進(jìn)入于列方向相鄰的另一像素電極的 開口內(nèi)，且同一掃描線于列方向間隔控制所述的這些像素單元。
依本發(fā)明的另一實(shí)施例， 一種薄膜晶體管陣列基板包含一絕緣基板及形 成于絕緣基板上的復(fù)數(shù)掃描線、復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)線及復(fù)數(shù)像素單元。復(fù)數(shù)像素單元 配合掃描線及數(shù)據(jù)線以區(qū)隔出各個(gè)像素單元且依橫向及縱向分別定義出 一行 方向及一列方向。各個(gè)像素單元包含一薄膜晶體管及一像素電極。薄膜晶體 管與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接，像素電極具有至少一由邊緣往內(nèi)部延伸的開 口及至少一沿列方向延伸的延伸部。位于同一行的兩相鄰像素單元的薄膜晶 體管分別搭接兩相鄰的不同掃描線，且位于同一列的兩相鄰像素單元的薄膜 晶體管亦分別搭接兩相鄰的不同掃描線，以供每個(gè)像素單元的電壓極性與其四周相鄰的像素單元不同。
通過本發(fā)明的設(shè)計(jì)，僅需利用一般薄膜晶體管制造工藝，即能形成可產(chǎn) 生邊緣電場及多域配向效果的像素電極布局。和現(xiàn)有利用凸體或凹面結(jié)構(gòu)的
域邊界規(guī)制結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相比，本發(fā)明于未施加電壓(Voff)的狀態(tài)下各個(gè)液晶分 子均呈垂直配向，故不會(huì)產(chǎn)生多余的光程差值(And-O)而可避免漏光現(xiàn)象產(chǎn) 生。再者，和現(xiàn)有于電極處形成開縫的方式相較，本發(fā)明通過輔助電極與像 素電極的不同極性所產(chǎn)生的邊緣電場效應(yīng)，可提供較強(qiáng)的液晶分子傾倒力量， 以增加顯示區(qū)域有效面積且有效提升液晶顯示器整體光穿透率。另一方面， 本發(fā)明通過同列相鄰的像素電極延伸部以產(chǎn)生邊緣電場的配向設(shè)計(jì)，需使每 個(gè)像素電極均與其四周相鄰的像素電極具相反極性。因此，通過同一掃描線 交替搭接其上方及下方像素單元的薄膜晶體管的設(shè)計(jì)，以線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式即 可獲得每個(gè)像素電極均與其四周相鄰的像素電極具相反極性的效果，而不需 使用耗費(fèi)較大功率且驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)較復(fù)雜的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制，獲得降低成本及省 電的效果。再者，因本發(fā)明僅利用水平延伸電極區(qū)段作為配向電極，如此可 以對(duì)開口率影響最小的方式獲得多域配向效果。
圖1為依本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示一薄膜晶體管陣列基板的平面示意圖。
圖2為圖1簡化后的平面示意圖。
圖3為沿圖1的A-A'線切割而得的剖面圖。
圖4為顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖。
圖5為圖4簡化后的平面示意圖。
圖6為顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖。
圖7為圖6簡化后的平面示意圖。
圖8為剖面示意圖，顯示一現(xiàn)有多域垂直配向液晶顯示器的設(shè)計(jì)。 圖9為剖面示意圖，顯示另一現(xiàn)有多域垂直配向液晶顯示器的設(shè)計(jì)。 圖IO為一剖面示意圖，顯示另一多域垂直配向液晶顯示器的設(shè)計(jì)。附圖標(biāo)號(hào)-
10 薄膜晶體管陣列基板
11 絕緣基板
12、 14、 16、 22、 24、 26 像素電極
121、 122、 141、 161 像素電極延伸部
12P、 14P、 16P、 22P、 24P、 26P 像素單元
12a、 12b、 14a、 14b、 16a、 16b、 22a、 22b 像素電極區(qū)塊
13 柵極區(qū)域
15 儲(chǔ)存電容下電極
17 源/漏極區(qū)域
19 絕緣層
21 平坦化層
23 儲(chǔ)存電容上電極
32、 34、 36、 62、 64、 66、 72、 74、 76 掃描線 42、 44、 46 數(shù)據(jù)線 52、 54 開口
72a、 72b、 74a、 74b、 76a、 76b、 641、 642、 643 掃描線區(qū)段
102、 104 基板
106 凸體
108 垂直配向膜
112 液晶分子
114 凹面結(jié)構(gòu)
202 基板
204 電極
206 開縫
208 液晶分210 錯(cuò)向缺陷區(qū)域
T、 Tl、 T2、 T3 薄膜晶體管
具體實(shí)施例方式
有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式 的實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語， 例如上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用
的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明。
圖1為依本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示一薄膜晶體管陣列基板10的平面示意 圖。如圖1所示， 一絕緣基板(圖未示)上形成復(fù)數(shù)道相互平行的掃描線32、 34、 36，及相互平行的數(shù)據(jù)線42、 44、 46，且兩相鄰的掃描線正交于兩相鄰 的數(shù)據(jù)線而圈圍出一像素單元分布區(qū)域，如薄膜晶體管T的主動(dòng)元件形成于 掃描線與數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處且電連接掃描線及數(shù)據(jù)線，復(fù)數(shù)像素單元12P、 14P、
16P、 22P、 24P、及26P沿橫向及縱向規(guī)則排列于絕緣基板，而定義出復(fù)數(shù) 像素單元列及復(fù)數(shù)像素單元行。
圖2為圖1簡化后的平面示意圖，以清楚顯示薄膜晶體管陣列基板的像 素電極結(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)時(shí)的電壓極性。如圖2所示，每個(gè)像素電極12、 14、 16、 22、 24或26具有一由邊緣往內(nèi)部延伸的開口而分隔為兩個(gè)區(qū)塊，以像素電 極12為例，其中央部份具有一開口 52而分隔為兩個(gè)區(qū)塊12a及12b，再者， 各個(gè)像素電極具有一水平延伸區(qū)段延伸進(jìn)入同一列的相鄰像素電極的開口 內(nèi)，例如像素電極14的延伸部141延伸進(jìn)入相鄰像素電極12的開口 52內(nèi)， 像素電極16的延伸部161延伸進(jìn)入相鄰像素電極14的開口 54內(nèi)，且依本實(shí) 施例的設(shè)計(jì)，薄膜晶體管T交替分布于同一列像素單元的頂側(cè)與底側(cè)，
且同一掃描線并非控制整列的像素電極，而是輪流控制上方及下方的像 素電極。于一實(shí)施例中，薄膜晶體管T的柵極連接對(duì)應(yīng)的掃描線，源極連接 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極則連接液晶電容Clc及儲(chǔ)存電容Cs(圖未示)，當(dāng)掃描信 號(hào)的掃描電壓施加于薄膜晶體管的柵極時(shí)，數(shù)據(jù)在線所載的數(shù)據(jù)電壓會(huì)經(jīng)由薄膜晶體管T的漏極并施加在與漏極連接的液晶電容Clc及儲(chǔ)存電容Cs上;
以掃描線34為例，掃描線34經(jīng)由薄膜晶體管T依序搭接上方的像素電極12、 下方的像素電極24、上方的像素電極16，使三者驅(qū)動(dòng)時(shí)具有相同的電壓極性， 因此，當(dāng)以線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)該像素結(jié)構(gòu)時(shí)，因掃描線32、掃描線34、掃 描線36分別交替控制其上方及下方的像素電極，使每個(gè)像素電極均與其四周 相鄰的像素電極具相反電壓極性；藉此，以具正極性的像素電極區(qū)塊12b為 例，其與上方相鄰的像素電極延伸部141(負(fù)極性)、右側(cè)像素電極14(負(fù)極性)、 及下方像素電極22具不同極性而產(chǎn)生邊緣電場，獲得每個(gè)像素電極區(qū)塊均具 多域配向的效果。
通過本發(fā)明的設(shè)計(jì)，僅需利用一般薄膜晶體管制造工藝，即能形成可產(chǎn) 生邊緣電場及多域配向效果的像素電極布局，和現(xiàn)有利用凸體或凹面結(jié)構(gòu)的 域邊界規(guī)制結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相較，本發(fā)明于未施加電壓(Voff)的狀態(tài)下各個(gè)液晶分 子均呈垂直配向，故不會(huì)產(chǎn)生多余的光程差值(AncNO)而可避免漏光現(xiàn)象產(chǎn) 生，再者，和現(xiàn)有于電極處形成開縫的方式相較，本發(fā)明通過輔助電極與像 素電極的不同極性所產(chǎn)生的邊緣電場效應(yīng)，可提供較強(qiáng)的液晶分子傾倒力量， 以增加顯示區(qū)域有效面積且有效提升液晶顯示器整體光穿透率，另一方面， 本發(fā)明通過同列相鄰的像素電極延伸部以產(chǎn)生邊緣電場的配向設(shè)計(jì)，需使每 個(gè)像素電極均與其四周相鄰的像素電極具相反極性。
因此，通過同一掃描線交替搭接其上方及下方像素單元的薄膜晶體管的 設(shè)計(jì)，以線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式即可獲得每個(gè)像素電極均與其四周相鄰的像素電極 具相反極性的效果，而不需使用耗費(fèi)較大功率且驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)較復(fù)雜的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)控制，獲得降低成本及省電的效果，且因本發(fā)明僅利用水平延伸電極區(qū)段 作為配向電極，如此可以對(duì)開口率影響最小的方式獲得多域配向效果。
圖3為沿圖1的A-A'線切割而得的剖面圖。如圖3所示， 一第一金屬層 (Metal 1 layer)Ml沉積于絕緣基板11上并圖案化形成掃描線(未圖標(biāo))、薄膜 晶體管的柵極區(qū)域13及儲(chǔ)存電容下電極15, —具介電效果的絕緣層19覆蓋該第一金屬層Ml，且一第二金屬層(Metal 2 layer)M2形成于絕緣層19上， 且圖案化形成數(shù)據(jù)線42、薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域17、及儲(chǔ)存電容上電極 23， 一平坦化層21設(shè)置于絕緣層19上，以覆蓋薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域 17及儲(chǔ)存電容上電極23，透明導(dǎo)電膜沉積于平坦化層21上并圖案化形成像 素電極，且如圖示相鄰像素電極延伸部141延伸進(jìn)入像素電極12的開口內(nèi)。 圖4為顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖，圖5為圖4簡化后的平面 示意圖，以清楚顯示該實(shí)施例的像素電極結(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)時(shí)的電壓極性。請(qǐng)同時(shí) 參考圖4及圖5，于本實(shí)施例中，像素單元12P、 14P、 16P、 22P、 24P及26P 排列成兩道橫向的像素單元列，位于同一像素單元列的兩相鄰像素單元其薄 膜晶體管的分布區(qū)域相同，且各個(gè)像素電極開口位置與薄膜晶體管T分布區(qū) 域疊合，同一掃描線交替出現(xiàn)水平及垂直區(qū)段以環(huán)繞像素電極區(qū)塊，且輪流 搭接該掃描線上方及下方像素單元的薄膜晶體管，以掃描線64為例，如圖5 清楚所示，掃描線64先由像素電極區(qū)塊12b左側(cè)垂直向下延伸至另一像素電 極區(qū)塊22a底側(cè)后，改向右水平延伸一個(gè)像素單元距離抵達(dá)像素電極區(qū)塊22a 右側(cè)，接著改向上延伸至像素電極區(qū)塊12b頂側(cè)后改向右水平延伸一個(gè)像素 單元距離，之后沿此一規(guī)則持續(xù)圍繞像素電極區(qū)塊，同樣地，掃描線62也以 相同規(guī)則于像素電極區(qū)塊12a及與其水平相鄰的電極區(qū)塊周圍延伸，且掃描 線66也以相同規(guī)則于像素電極區(qū)塊22b及與其水平相鄰的電極區(qū)塊周圍延 伸，換言之，本實(shí)施例以同一像素單元行中兩相鄰像素單元的兩薄膜晶體管 間的區(qū)域構(gòu)成一待圍繞單元區(qū)塊，同一掃描線則延伸進(jìn)入像素電極內(nèi)部連續(xù) 圍繞各個(gè)單元區(qū)塊.且線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下，因掃描線64的水平區(qū)段641、 642 及643分別經(jīng)由薄膜晶體管T1、 T2、及T3搭接像素電極22、 14及26，使 像素電極22、 14及26均具相同第一電壓極性例如是負(fù)極性，另一方面，以 相同規(guī)則環(huán)繞單元區(qū)塊的掃描線62搭接像素電極12、 16，掃描線66搭接像 素電極24，故像素電極12、 16及24均具另一相同第二電壓極性例如是正極 性；因此，通過本實(shí)例掃描線圍繞單元區(qū)塊的配置方式，以線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式即可獲得每個(gè)像素電極均與其四周相鄰的像素電極具相反極性的效果，而不 需使用耗費(fèi)較大功率且驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)較復(fù)雜的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制，同樣可獲得降低 成本及省電的效果，且依本實(shí)施例的設(shè)計(jì)，因作為配向電極的像素電極延伸 部與薄膜晶體管分布區(qū)域疊合，故可獲得進(jìn)一步提高開口率的效果。
圖6為顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的平面示意圖，圖7為圖6簡化后的平面 示意圖，以清楚顯示該實(shí)施例的像素電極結(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)時(shí)的電壓極性。如圖6 所示，于本實(shí)施例中，每一掃描線包含兩個(gè)區(qū)段，例如掃描線72包含兩個(gè)區(qū) 段72a、 72b，掃描線74包含兩個(gè)區(qū)段74a、 74b，掃描線76包含兩個(gè)區(qū)段 76a、 76b，每一像素單元的信號(hào)控制區(qū)域橫跨兩道掃描線區(qū)段，且該兩道掃 描線區(qū)段分別屬于兩相鄰掃描線，舉例而言，位于同一列的像素單元12P、 14P的信號(hào)控制區(qū)域橫跨兩道掃描線區(qū)段72b及74a，掃描線區(qū)段72b搭接像 素單元14P的薄膜晶體管且掃描線區(qū)段74a搭接像素單元12P的薄膜晶體管， 位于另一列的像素單元22P、 24P的信號(hào)控制區(qū)域同樣橫跨兩道掃描線區(qū)段 74b及76a，掃描線區(qū)段74b搭接像素單元24P的薄膜晶體管且掃描線區(qū)段 76a搭接像素單元22P的薄膜晶體管，于此位于上一列像素單元信號(hào)控制區(qū) 域下方的掃描線區(qū)段(例如74a)與下一列像素單元信號(hào)控制區(qū)域上方的掃描 線區(qū)段(74b)為同一掃描線的兩個(gè)不同區(qū)段，該兩個(gè)區(qū)段連接處可設(shè)于顯示區(qū) 內(nèi)部或外部均可。
于線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模式下，兩相鄰掃描線所控制的像素電極具有相反電壓極 性，例如當(dāng)掃描線72所控制的像素電極具有正極性，則掃描線74所控制的 像素電極具有負(fù)極性、且掃描線76所控制的像素電極具有正極性，因此依上 述的掃描線配置及搭接方式，可使像素單元12P為負(fù)極性、像素單元14P為 正極性、像素單元22P為正極性、且像素單元24P為負(fù)極性。再者，依本實(shí) 施例的設(shè)計(jì)，如圖7所示，每個(gè)像素電極12、 14、 16、 22、 24、 26中央部份 具有一邊緣往內(nèi)部延伸的開口而分隔為兩個(gè)區(qū)塊，例如像素電極12通過開口 分隔為區(qū)塊12a、 12b，且每一像素電極具有兩個(gè)水平延伸部(例如延伸部121、122)延伸進(jìn)入于列方向上相鄰的另一像素電極的開口內(nèi)，且分別鄰近上下兩 個(gè)電極區(qū)塊，例如像素電極區(qū)塊14a(正極性)四周鄰近相反極性的像素電極延 伸部121(負(fù)極性)及電極區(qū)塊12a、 16a(負(fù)極性)，故本實(shí)施例可獲得于線反轉(zhuǎn) 驅(qū)動(dòng)方式下每個(gè)像素電極區(qū)塊均與其四周鄰近的像素電極區(qū)塊或像素電極延 伸部具相反極性的效果，如此同樣不需使用耗費(fèi)較大功率且驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)較復(fù)雜 的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制即可獲得多域配向效果，且依本實(shí)施例的設(shè)計(jì)，因作為配 向電極的像素電極延伸部與薄膜晶體管分布區(qū)域疊合，故可獲得進(jìn)一步提高 開口率的效果。
須注意上述各個(gè)實(shí)施例將一像素電極分隔為兩個(gè)電極區(qū)塊的方式僅為例 示之用，本發(fā)明的設(shè)計(jì)可視實(shí)際需求搭配不同數(shù)目的分隔電極區(qū)塊。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。另外，本發(fā)明的任 一實(shí)施例或權(quán)利要求范圍不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。 此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā) 明的權(quán)利范圍。
權(quán)利要求
1. 一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的薄膜晶體管陣列基板包含一絕緣基板；復(fù)數(shù)掃描線，形成于所述的絕緣基板表面；一絕緣層，形成于所述的這些掃描線及所述的絕緣基板表面；復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)線，形成于所述的絕緣層表面；及復(fù)數(shù)像素單元，配合所述的這些掃描線及所述的這些數(shù)據(jù)線以區(qū)隔出各所述的像素單元并定義出一行方向及一列方向，各所述的像素單元包含一薄膜晶體管，與所述的掃描線及所述的數(shù)據(jù)線電性連接；及一像素電極，具有至少一由邊緣往內(nèi)部延伸的開口及至少一沿所述的列方向延伸的延伸部，所述的像素電極的所述的延伸部延伸進(jìn)入于列方向相鄰的另一像素電極的開口內(nèi)，且同一掃描線于列方向間隔控制所述的這些像素單元。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于同一行 的兩相鄰像素單元的薄膜晶體管分別搭接兩相鄰的不同掃描線，且位于同一 列的兩相鄰像素單元的薄膜晶體管亦分別搭接兩相鄰的不同掃描線，以使每 個(gè)像素單元的電壓極性與其四周相鄰的像素單元不同。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的 像素電極開口位于所述的像素電極的中央部份，且所述的薄膜晶體管位于所 述的像素電極的一側(cè)。
4. 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的這些掃描線的走向與所述的列方向相同，且同一掃描線輪流搭接其上方及下方像 素單元的薄膜晶體管。
5. 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于同一像素單元列的兩相鄰像素單元其薄膜晶體管于像素單元中的形成位置不同。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的像素電極經(jīng)由所述的開口分隔為一第一電極區(qū)塊及一第二電極區(qū)塊，位于同 一列的像素單元的薄膜晶體管交替設(shè)置于所述的第一及第二電極區(qū)塊，且同 一掃描線搭接于同列的所述的第一或第二電極區(qū)塊的所述的薄膜晶體管，以 形成間隔搭接相同列的像素電極。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的 薄膜晶體管分布區(qū)域與所述的像素電極開口位置疊合。
8. 如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，同一掃描線 具有與所述的列方向相同走向的復(fù)數(shù)第一區(qū)段、及與所述的行方向相同走向 的復(fù)數(shù)第二區(qū)段，所述的第一與所述的第二區(qū)段交替出現(xiàn)，且同一掃描線經(jīng) 由所述的這些第一區(qū)段輪流搭接所述的掃描線上方及下方像素單元的薄膜晶 體管。
9. 如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于同一列 的像素單元的兩相鄰像素單元其薄膜晶體管于像素單元中的形成位置相同。
10. 如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，同一掃描 線圍繞同一行的像素單元行中兩相鄰像素單元的兩薄膜晶體管間的區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的像 素電極開口位于所述的像素電極的中央部份，所述的像素電極經(jīng)由所述的開 口分隔為一上電極區(qū)塊及一下電極區(qū)塊，且所述的掃描線圍繞的兩薄膜晶體 管間區(qū)域包含分屬不同像素電極的一上電極區(qū)塊及一下電極區(qū)塊。
12. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，同一 像素單元的信號(hào)控制區(qū)域橫跨有分別屬于兩相鄰掃描線的一第一掃描線區(qū)段 及一第二掃描線區(qū)段。
13. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，同一 掃描線具有一第一掃描線區(qū)段及一第二掃描線區(qū)段，所述的第一掃描線區(qū)段橫跨一第一像素單元列且所述的第二掃描線區(qū)段橫跨與所述的第一像素單元 列相鄰的一第二像素單元列。
14. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述的第一掃描線區(qū)段搭接所述的第一像素單元列中第奇數(shù)個(gè)像素單元的薄膜晶體 管，且所述的第二掃描線區(qū)段搭接所述的第二像素單元列中第偶數(shù)個(gè)像素單 元的薄膜晶體管。
15. 如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述 的像素電極經(jīng)由所述的開口分隔為一第一電極區(qū)塊及一第二電極區(qū)塊，且所 述的像素電極具有兩個(gè)沿列方向延伸且分別鄰近所述的第一及所述的第二區(qū) 塊的延伸部。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板，所述的薄膜晶體管陣列基板包含一絕緣基板、復(fù)數(shù)掃描線、數(shù)據(jù)線及像素單元。復(fù)數(shù)像素單元配合掃描線及數(shù)據(jù)線以區(qū)隔出各個(gè)像素單元并定義出一行方向及一列方向。各個(gè)像素單元包含一薄膜晶體管及一像素電極。薄膜晶體管與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接，像素電極具有至少一由邊緣往內(nèi)部延伸的開口及至少一沿列方向延伸的延伸部。像素電極的延伸部延伸進(jìn)入于列方向相鄰的另一像素電極的開口內(nèi)，且同一掃描線于列方向間隔控制所述的這些像素單元。本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板，能以簡化的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)及較低成本獲得良好的多域配向效果。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101483179SQ200810003420
公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者劉錦璋, 王義方, 王文俊 申請(qǐng)人:勝華科技股份有限公司