專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于例如液晶裝置等電光裝置中的電光裝置用基板、具備該電光裝置用J4l的電光裝置、以及具備該電光裝置的例如液晶投影機(jī)等 電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
這種電光裝置，構(gòu)成為在141上具備像素電極、用于選擇驅(qū)動(dòng)該像 素電極的掃描線、數(shù)據(jù)線、和作為像素開(kāi)關(guān)用元件的TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)，能夠有源矩陣驅(qū)動(dòng)。而且，在14l上，在各像 素形成有導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜等各種功能膜疊層的疊層結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電膜、半 導(dǎo)體膜等各種功能膜分別構(gòu)成這些掃描線、數(shù)據(jù)線、TFT等。在該疊層結(jié) 構(gòu)中的例如最上層配置像素電極。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)l中公開(kāi)的那樣，以高對(duì)比度化等為目的，在基板上 的疊層結(jié)構(gòu)中的TFT與像素電極之間設(shè)置存儲(chǔ)電容。而且，夾持存儲(chǔ)電容 的電介質(zhì)膜的兩個(gè)電極之中的、位于下側(cè)電極的上層側(cè)的上側(cè)電極，通過(guò) 開(kāi)孔于電介質(zhì)膜的接觸孔電連接于TFT。該接觸孔，在電光裝置的制造過(guò)程中，在形成上側(cè)電極之前，例如， 通過(guò)在電介質(zhì)膜上涂敷了抗蝕劑之后隔著該抗蝕劑對(duì)電介質(zhì)膜實(shí)施蝕刻而 開(kāi)設(shè)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2001-281684號(hào)7>才艮若依照于如上述的疊層結(jié)構(gòu)，則在將接觸孔開(kāi)設(shè)于電介質(zhì)膜的工序中， 必需在電介質(zhì)膜上形成及剝離抗蝕劑，有可能發(fā)生電介質(zhì)膜的表面由于構(gòu)成抗蝕劑的材料的殘留等而被污染、或者由于削減電介質(zhì)的表面而導(dǎo)致電 介質(zhì)膜的膜厚從設(shè)計(jì)值偏離的情況。本來(lái)，為了使存儲(chǔ)電容的性能、可靠 性提高，對(duì)于電介質(zhì)膜要求嚴(yán)格的界面控制?？墒?，對(duì)于電介質(zhì)膜來(lái)說(shuō)，存在以下技術(shù)問(wèn)題當(dāng)在形成上側(cè)電極之前實(shí)施開(kāi)設(shè)接觸孔等的加工時(shí)， 由于如上述的污染、膜厚的偏差，電介質(zhì)膜的膜質(zhì)有可能劣化。即，若依 照于如上述的疊層結(jié)構(gòu)，則由于電介質(zhì)膜的膜質(zhì)的劣化，會(huì)導(dǎo)致電介質(zhì)膜 的耐壓降低、漏電流增大。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于例如上述問(wèn)題而發(fā)明的，目的在于提供能夠提高構(gòu)成存 儲(chǔ)電容的電介質(zhì)膜的膜質(zhì)、可以顯示高質(zhì)量的圖像的電光裝置用基板，具 備這種電光裝置用基板的電光裝置，以及具備這種電光裝置的電子設(shè)備。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的電光裝置用基板，其特征在于，在基板 上，具備互相交叉地延伸的數(shù)據(jù)線及掃描線；設(shè)置在每個(gè)像素的晶體管， 該每個(gè)像素對(duì)應(yīng)于前述數(shù)據(jù)線與掃描線的交叉處；存儲(chǔ)電容，其在前述基 板上配置于前述晶體管的上層側(cè)，從下層側(cè)開(kāi)始按順序疊層有固定電位側(cè) 電極、電介質(zhì)膜及像素電位側(cè)電極；像素電極，其配置于前述存儲(chǔ)電容的 上層側(cè)，設(shè)置在前述每個(gè)像素中并與前述像素電位側(cè)電極電連接；和導(dǎo)電 膜，其夾著層間絕緣膜配置于前述像素電位側(cè)電極的上層側(cè)，通過(guò)開(kāi)孔于前述層間絕緣膜的第1接觸孔而電連接于前述像素電位側(cè)電極，并將前迷 像素電位側(cè)電極與前述晶體管電中繼連接；前述像素電極兼作前述導(dǎo)電膜。若依照于采用了本發(fā)明的電光裝置用^1的電光裝置，則當(dāng)其工作時(shí)， 通過(guò)掃描線向晶體管依次供給掃描信號(hào)。從數(shù)據(jù)線通過(guò)晶體管向像素電極 和存儲(chǔ)電容寫(xiě)入圖像信號(hào)。由此，可以進(jìn)行多個(gè)像素中的有源矩陣驅(qū)動(dòng)等 預(yù)定種類(lèi)的工作。此時(shí)，由于存儲(chǔ)電容的存在，像素電極中的電位保持特 性提高，可以提高對(duì)比度、閃爍這樣的顯示特性。在此，存儲(chǔ)電容，在像素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極間夾持電介質(zhì) 膜。在本發(fā)明中，固定電位側(cè)電極，作為下側(cè)電極而形成；像素電位側(cè)電 極，作為在基板上的疊層結(jié)構(gòu)中配置于下側(cè)電極的上層側(cè)的上側(cè)電極而形成。像素電位側(cè)電極，與配置于該像素電位側(cè)電極的上層側(cè)的像素電極電 連接。電介質(zhì)膜，例如形成于非開(kāi)口區(qū)域，該非開(kāi)口區(qū)域位于每個(gè)像素的 開(kāi)口區(qū)域之間的間隙。固定電位側(cè)電極，當(dāng)如上述的電光裝置的工作時(shí)， 無(wú)關(guān)于圖像數(shù)據(jù)的內(nèi)容地至少在每個(gè)預(yù)定期間內(nèi)電位固定。即，固定電位 側(cè)電極，如接地電位或者大地電位那樣，相對(duì)于時(shí)間軸完全固定于一定電 位。或者，固定電位側(cè)電極，也可以如共用電極電位或者對(duì)向電極電位那 樣，例如以在圖像信號(hào)中的奇數(shù)場(chǎng)期間固定于第1固定電位、并在偶數(shù)場(chǎng)期間固定于第2固定電位的方式，相對(duì)于時(shí)間軸在每個(gè)一定期間固定于一 定電位。在本發(fā)明中尤其是，具備配置于存儲(chǔ)電容的上層側(cè)、對(duì)像素電位側(cè)電 極與晶體管進(jìn)行電中繼連接(換言之，對(duì)像素電位側(cè)電極及晶體管間的電 連接進(jìn)行中繼)的導(dǎo)電層。即，導(dǎo)電層，夾著層間絕緣膜配置于像素電位 側(cè)電極的上層側(cè)，通過(guò)開(kāi)孔于該層間絕緣膜的笫l接觸孔電連接于像素電 位側(cè)電極。進(jìn)而，導(dǎo)電層例如通過(guò)至少貫通層間絕緣膜及電介質(zhì)膜而開(kāi)設(shè) 的笫2接觸孔，電連接于配置于存儲(chǔ)電容的下層側(cè)的晶體管。另外，像素 電極，通過(guò)兼作像素電極的導(dǎo)電層而與像素電位側(cè)電極電連接，并對(duì)像素 電位側(cè)電極與晶體管進(jìn)行電中繼連接。因而，若依照于本發(fā)明的構(gòu)成，則當(dāng)制造電光裝置用基板時(shí)，用于對(duì) 導(dǎo)電層與像素電位側(cè)電極進(jìn)行互相電連接的第l接觸孔，在形成作為上側(cè) 電極的像素電位側(cè)電極之后(即，存儲(chǔ)電容的形成后)，開(kāi)孔于配置于像 素電位側(cè)電極的上層側(cè)的層間絕緣膜。進(jìn)而，例如，用于對(duì)導(dǎo)電層與配置 于存儲(chǔ)電容的下層側(cè)的晶體管進(jìn)行電連接的笫2接觸孔，與第l接觸孔同 樣地，也在存儲(chǔ)電容的形成后，例如通過(guò)與開(kāi)設(shè)第l接觸孔的工序相同的 工序，貫通層間絕緣膜及電介質(zhì)膜地開(kāi)設(shè)。從而，可以避免為了開(kāi)設(shè)用于將像素電位側(cè)電極電連接于其下層側(cè)的 晶體管的接觸孔，進(jìn)行在電介質(zhì)膜的表面涂敷并且除掉抗蝕劑的處理。由 此，能夠防止電介質(zhì)膜的表面由于抗蝕劑的涂敷、除掉受污染或被削減的 情況。即，當(dāng)制造電光裝置用基板時(shí)，能夠提高電介質(zhì)膜的界面控制的精 度，或者能夠防止形成電介質(zhì)膜之后該電介質(zhì)膜的膜質(zhì)的劣化。由此，能夠減少或者防止發(fā)生存儲(chǔ)電容的工作不良，例如由于電介質(zhì)膜的耐壓降低 導(dǎo)致產(chǎn)生泄漏電流。結(jié)果，若依照于本發(fā)明的電光裝置用基板，則可以提 供能進(jìn)行高質(zhì)量的顯示且可靠性高的電光裝置。如以上說(shuō)明那祥，若依照于本發(fā)明的電光裝置用基板，則可以使各像 素中的構(gòu)成存儲(chǔ)電容的電介質(zhì)膜的膜質(zhì)提高，能夠減少或者防止存儲(chǔ)電容 的工作不良的發(fā)生。并且，若依照于該方式，像素電位側(cè)電極，通過(guò)開(kāi)孔于其上層側(cè)的第 1接觸孔而電連接于像素電極，并通過(guò)像素電極與晶體管電連接。因而， 較之在像素電位側(cè)電極的上層側(cè)(例如，基板上的疊層結(jié)構(gòu)中的像素電位 側(cè)電極與像素電極之間)另外設(shè)置像素電極之外的導(dǎo)電層的構(gòu)成，可以使 像素的疊層結(jié)構(gòu)、或各種構(gòu)成要件的配置中的構(gòu)成即配置構(gòu)成筒略化。在本發(fā)明的電光裝置用g的其他方式中，前述存儲(chǔ)電容配置于前述 數(shù)據(jù)線的上層側(cè)。若依照于該方式，則可以更大地確保存儲(chǔ)電容的容量，并使像素電極 的電位穩(wěn)定化。即，假設(shè)在存儲(chǔ)電容在基板上配置于數(shù)據(jù)線的下層側(cè)的情況下，即在 數(shù)據(jù)線配置于存儲(chǔ)電容的上層側(cè)的情況下，必需避開(kāi)用于對(duì)配置于存儲(chǔ)電 容的上層側(cè)的數(shù)據(jù)線、與配置于存儲(chǔ)電容的下層側(cè)的晶體管之間進(jìn)行電連 接的接觸孔的配置處，形成存儲(chǔ)電容?？墒牵粢勒沼谠摲绞?，則可以在用于對(duì)數(shù)據(jù)線與晶體管之間進(jìn)行電連接的接觸孔的上層側(cè)，以在WL上俯 視觀察與該接觸孔相重疊的方式形成存儲(chǔ)電容。從而，能夠在基板上的具 有更大面積的區(qū)域形成存儲(chǔ)電容，能夠使存儲(chǔ)電容的電容值增大。并且，在基板上的疊層結(jié)構(gòu)中，能夠使存儲(chǔ)電容介于像素電極與數(shù)據(jù) 線之間而進(jìn)行配置。進(jìn)而，著眼于存儲(chǔ)電容與數(shù)據(jù)線在基板上的疊層結(jié)構(gòu) 中的配置關(guān)系，可以使固定電位側(cè)電極介于像素電位側(cè)電極與數(shù)據(jù)線之間。 從而，在基板上的疊層結(jié)構(gòu)中，能夠使得像素電極或像素電位側(cè)電極不接 近于數(shù)據(jù)線。并且，通過(guò)使固定電位側(cè)電極介于像素電極或像素電位側(cè)電 極與數(shù)據(jù)線之間而進(jìn)行配置，與未介有固定電位側(cè)電極的構(gòu)成相比較，可 以減少來(lái)自數(shù)據(jù)線的電磁干擾。由此，能夠防止像素電極或像素電位側(cè)電極的電位由于來(lái)自數(shù)據(jù)線的電磁干擾而進(jìn)行變動(dòng)，或者使電位的變動(dòng)減小 為不會(huì)發(fā)生可辨認(rèn)程度的顯示不良。在上述的存儲(chǔ)電容配置于數(shù)據(jù)線的上層側(cè)的方式中，也可以具備中繼 電極，該中繼電極與構(gòu)成前述固定電位側(cè)電極及前述數(shù)據(jù)線之中至少一方 的導(dǎo)電膜由同一膜構(gòu)成、并對(duì)前述導(dǎo)電膜與前述晶體管進(jìn)行電中繼連接。在該情況下，通過(guò)中繼電極來(lái)電中繼連接導(dǎo)電膜與晶體管，所以能夠 避免因?qū)щ娔ぜ熬w管間的層間距離變長(zhǎng)而難以用一個(gè)接觸孔連接兩者的 情況。進(jìn)而，通過(guò)中繼電極，可以降低導(dǎo)電膜及晶體管間(換言之，像素 電位側(cè)電極及晶體管間)的電阻(即，使之低電阻化)。另外，較之在分 別與固定電位側(cè)電極及數(shù)據(jù)線互不相同的層配置中繼電極的構(gòu)成，能夠使 像素的疊層結(jié)構(gòu)、各種構(gòu)成要件的配置構(gòu)成簡(jiǎn)略化。并且，也能夠在形成 固定電位側(cè)電極或數(shù)據(jù)線的同 一 時(shí)機(jī)形成中繼電極，可以使制造過(guò)程進(jìn)一 步筒略化。還有，本發(fā)明中的所謂"同一膜"，是指在制造工序中的同一時(shí)機(jī)形 成的膜，是同一種類(lèi)的膜，并且所謂"由同一膜構(gòu)成"，并非要求作為一 張膜而相連續(xù)，基本上只要是同一膜之中相互分割的膜部分就足矣。在上述的具備中繼電極的方式中，也可以前述中繼電極，包括與前 述固定電位側(cè)電極由同一膜構(gòu)成的一個(gè)中繼電極；前述導(dǎo)電膜及前述一個(gè) 中繼電極，通過(guò)貫通前述層間絕緣膜及前述電介質(zhì)膜而開(kāi)設(shè)的第2接觸孔 互相電連接。在該情況下，因?yàn)槟軌蛉菀椎厥沟趌及第2接觸孔在同一時(shí)機(jī)開(kāi)設(shè)， 所以可以使制造過(guò)程進(jìn)一步簡(jiǎn)略化。即，在該情況下，導(dǎo)電膜及一個(gè)中繼 電極間的層間距離，與導(dǎo)電膜及像素電位側(cè)電極間的層間距離相比，例如 僅長(zhǎng)電介質(zhì)膜的膜厚量。可是，因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜，具有比例如像素電位側(cè)電 極的膜厚薄的膜厚，所以即使在同一時(shí)機(jī)開(kāi)設(shè)第l及第2接觸孔，也能夠 避免在通過(guò)第2接觸孔對(duì)導(dǎo)電膜及一個(gè)中繼電極進(jìn)行互相電連接的同時(shí)第 1接觸孔貫通像素電位側(cè)電極的情況。在上述的中繼電極包括一個(gè)中繼電極的方式中，也可以構(gòu)成為前述 像素電位側(cè)電極，具有比前述數(shù)據(jù)線及前述固定電位側(cè)電極各自的膜厚薄的膜厚。若這樣構(gòu)成，則例如即使在對(duì)層間絕緣膜實(shí)施了 CMP (Chemical Mechanical Polishing,化學(xué)機(jī)械拋光)處理等平坦化處理的情況下，也能 夠容易地使笫l及第2接觸孔在同一時(shí)機(jī)開(kāi)設(shè)。即，即使導(dǎo)電膜及一個(gè)中 繼電極間的層間距離，與導(dǎo)電膜及像素電位側(cè)電極間的層間距離相比，僅 長(zhǎng)出像素電位側(cè)電極的膜厚與電介質(zhì)膜的膜厚的合計(jì)膜厚量，因?yàn)橄袼仉?位側(cè)電極具有比數(shù)據(jù)線、固定電位側(cè)電極的膜厚薄的膜厚，所以能夠避免 在通過(guò)第2接觸孔對(duì)導(dǎo)電膜及一個(gè)中繼電極進(jìn)行互相電連接的同時(shí)第l接 觸孔貫通像素電位側(cè)電極的情況。在本發(fā)明的電光裝置用基板的其他方式中，前述像素電位側(cè)電極及前 述固定電位側(cè)電極，分別由金屬膜構(gòu)成。若依照于該方式，則像素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極，分別由包括 金屬材料的金屬膜所形成。即，這些電極分別既可以由單層的金屬膜所形 成，也可以將金屬膜及由其他的導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜疊層多層而形成。從而，能夠使像素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極的各自的電阻較之例 如由包括多晶硅的導(dǎo)電材料形成它們的情況較低地，通過(guò)(Metal Insulator Metal，金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)形成存儲(chǔ)電容。由此，可以使電介質(zhì)膜 由具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料(即，高k材料)而形成。因而，能夠更 大地確保存儲(chǔ)電容的電容。在上述的像素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極由金屬膜構(gòu)成的方式中， 也可以構(gòu)成為在前述a上，具備電連接于前述固定電位側(cè)電極的電容 線。在該情況下，通過(guò)使電容線與固定電位側(cè)電極一體地由同 一膜形成， 能夠降低電容線的電阻(即，能夠低電阻化)，能夠使電容線的電位及固 定電位側(cè)電極的電位穩(wěn)定化。在此，電容線，例如，沿掃描線或數(shù)據(jù)線延伸的方向，以被沿掃描線 配置的像素或被沿?cái)?shù)據(jù)線配置的像素所共有的方式呈帶狀的圖形形狀形 成，或者以被沿掃描線配置的像素和沿?cái)?shù)據(jù)線配置的像素所共有的方式呈 柵格狀的圖形形狀形成。從而，若依照于如此的電容線的構(gòu)成，則在基板上電容線的配置面積，與掃描線、數(shù)椐線同等地，變得比較大。因而，通 過(guò)與固定電位側(cè)電極一體地形成該電容線，可以更大地確保存儲(chǔ)電容的電 容值。并且，即使電容線的配置面積變大，也可以通過(guò)與固定電位側(cè)電極 一體地由同一膜形成，使電阻成為低電阻。在上述的像素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極由金屬膜構(gòu)成的方式中，也可以構(gòu)成為前述數(shù)據(jù)線由金屬膜構(gòu)成。在該情況下，能夠降低數(shù)據(jù)線的電阻，能夠使數(shù)據(jù)線的電位穩(wěn)定化。進(jìn)而，^^素電位側(cè)電極及固定電位側(cè)電極、以及數(shù)據(jù)線，能夠由在基 板上互相夾著層間絕緣膜所配置的3層金屬膜分別形成。如已說(shuō)明的那樣， 像素電位側(cè)電極、固定電位側(cè)電極以及數(shù)據(jù)線各自既可以由單層的金屬膜 所形成，也可以將金屬膜及由其他的導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜疊層多層所形 成。從而，通過(guò)在基板上在晶體管的上層側(cè)配置3層金屬膜，可以通過(guò)這 3層金屬膜對(duì)從比其上層側(cè)所入射的光更可靠地進(jìn)行遮光。結(jié)果，能夠降 低晶體管的光泄漏電流。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的電光裝置具備上述的本發(fā)明的電光裝置 用基板(其中，包括該基板的各種方式)。若依照于本發(fā)明的電光裝置，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的電光裝置用 基板，所以能夠提供可以顯示高質(zhì)量的圖像的電光裝置。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述的本發(fā)明的電光裝置。若依照于本發(fā)明的電子設(shè)備，則因?yàn)榫邆渖鲜龅谋景l(fā)明的電光裝置， 所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行高質(zhì)量的顯示的投影型顯示裝置、便攜電話機(jī)、 電子筆記本、文字處理器、取景器型或監(jiān)視器直視型磁帶錄像機(jī)、工作站、 可視電話機(jī)、POS終端、觸摸面板等，還有將電光裝置用作曝光頭的打印 機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)等圖像形成裝置等的各種電子設(shè)備。并且，作為本發(fā) 明中的電子設(shè)備，還可以實(shí)現(xiàn)例如電子紙等的電泳裝置等。本發(fā)明的作用及其他的優(yōu)點(diǎn)可從以下說(shuō)明的具體實(shí)施方式
中看出。


圖l是本實(shí)施方式中的液晶裝置的概略俯視圖。圖2是圖1的H-H，剖面圖。圖3是本實(shí)施方式中的液晶裝置的多個(gè)像素部的等效電路圖。 圖4是表示本實(shí)施方式中的液晶裝置的像素部的構(gòu)成的俯視圖。 圖5是圖4的A-A，線剖面圖。圖6是表示作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機(jī)的構(gòu)成的俯#見(jiàn)圖。符號(hào)說(shuō)明6a…數(shù)據(jù)線，9a…像素電極，10…TFT陣列基板，10a…圖像顯示區(qū) 域，11a…掃描線，30…TFT， 41、 42、 43…層間絕緣膜，70…存儲(chǔ)電容， 71…上側(cè)電極，75…電介質(zhì)膜，81、 83、 85、 87、 89…接觸孑L， 300...電容 線，300a…下側(cè)電極，330…第2中繼電極，660…第1中繼電極具體實(shí)施方式
在以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖而進(jìn)行說(shuō)明。在以下的實(shí)施 方式中，例示出了作為本發(fā)明的電光裝置之一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型的TFT 有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置。首先，關(guān)于本實(shí)施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)成，參照?qǐng)D1及圖2進(jìn) 行說(shuō)明。圖1，是從對(duì)向基板之側(cè)看TFT陣列基板與形成于其上的各構(gòu)成要件 的液晶裝置的概略俯視圖；圖2，是圖1的H-H，剖面圖。在圖1及圖2中，本實(shí)施方式中的液晶裝置，具備對(duì)向配置的TFT陣 列基板10與對(duì)向基板20。 TFT陣列基板IO，例如是石英基板、玻璃基板、 硅基板等透明基板。對(duì)向基板20,例如是由與TFT陣列基板10相同的材 料構(gòu)成的透明基板。在TFT陣列基板10與對(duì)向基板20之間封入液晶層 50。 TFT陣列基板10與對(duì)向基板20,通過(guò)設(shè)置于密封區(qū)域的密封材料52 相互粘接，該密封區(qū)域位于圖像顯示區(qū)域10a的周?chē)?。密封材?2，用于使兩基板相貼合，由例如紫外線固化樹(shù)脂、熱固化 樹(shù)脂等構(gòu)成，在制造過(guò)程中在涂敷于TFT陣列基板10上之后，通過(guò)紫外 線照射、加熱等被固化。并且，例如在密封材料52中，散布用于使TFT陣列基板10與對(duì)向M 20的間隔(基板間間隙)成為預(yù)定值的玻璃纖維 或者玻璃珠等間隙材料56。本實(shí)施方式中的液晶裝置，適用作投影機(jī)的液 晶光閥，這樣用小型部件進(jìn)行放大顯示。與配置有密封材料52的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)并行地，在對(duì)向基板20側(cè)設(shè) 置有對(duì)圖像顯示區(qū)域10a的框緣區(qū)域進(jìn)行限定的遮光性的框緣遮光膜53。 但是，如此的框緣遮光膜53的一部分或全部，也可以設(shè)置于TFT陣列基 板10側(cè)作為內(nèi)置遮光膜。在TFT陣列基板10上的、位于圖像顯示區(qū)域10a的周?chē)闹苓厖^(qū)域， 分別形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI、采樣電路7、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104、外部電 路連接端子102。在TFT陣列基板10上的周邊區(qū)域中，在密封區(qū)域的外周側(cè)，數(shù)據(jù)線 驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接端子102,沿TFT陣列^^反10的一條邊地 設(shè)置。在TFT陣列MlO上的周邊區(qū)域中的、位于密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū) 域，沿圖像顯示區(qū)域10a的一邊、以被框緣遮光膜53覆蓋的方式配置采樣 電路7，所述圖像顯示區(qū)域10a的一邊沿著TFT陣列基板10的一邊。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104,沿與TFT陣列基板10的一邊相鄰的2邊、以 被框緣遮光膜53覆蓋的方式設(shè)置。進(jìn)而，為了電連接這樣設(shè)置于圖像顯示 區(qū)域10a的兩側(cè)的二個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，沿TFT陣列基板10的剩余 一邊、以被框緣遮光膜53覆蓋的方式設(shè)置多條布線105。在TFT陣列基板10上的周邊區(qū)域中，在對(duì)向于對(duì)向基板20的4個(gè)角 部的區(qū)域配置上下導(dǎo)通端子106，并在該TFT陣列基板10及對(duì)向基板20 間對(duì)應(yīng)于上下導(dǎo)通端子106地設(shè)置上下導(dǎo)通材料，該上下導(dǎo)通材料電連接 于該端子106。在圖2中，在TFT陣列基板10上形成疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)作入有 作為驅(qū)動(dòng)元件的像素開(kāi)關(guān)用TFT、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線。在圖像顯示區(qū) 域10a，在像素開(kāi)關(guān)用TFT、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層，矩陣狀地設(shè) 置由ITO (Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素 電極9a。在像素電極9a上，形成取向膜16。還有，在本實(shí)施方式中，像 素開(kāi)關(guān)元件除了 TFT之外，也可以由各種晶體管構(gòu)成。另一方面，在對(duì)向基板20中的與TFT陣列基板10相對(duì)向的對(duì)向面上， 形成遮光膜23。遮光膜23，由例如遮光性金屬膜等形成，在對(duì)向基板20 上的圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)，圖形化為例如柵格狀等。然后，在遮光膜23 上(圖2中為遮光膜23的下側(cè))，與多個(gè)像素電極9a相對(duì)向地、呈例如 整面狀地形成由ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的對(duì)向電極21，進(jìn)而在對(duì)向電極 21上(圖2中為對(duì)向電極21的下側(cè))形成取向膜22。液晶層50，例如由混合了一種或多種類(lèi)型的向列型液晶的液晶構(gòu)成， 在這一對(duì)取向膜之間取預(yù)定的取向狀態(tài)。而且，當(dāng)液晶裝置的工作時(shí)，通 過(guò)分別施加電壓，在像素電極9a與對(duì)向電極21之間形成液晶保持電容。還有，雖然在此并未圖示，但是在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù)線 驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之外，也可以形成先行于圖像信號(hào)地 向多條數(shù)據(jù)線分別供給預(yù)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)的預(yù)充電電路，用于在 制造過(guò)程中、出廠時(shí)對(duì)該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等進(jìn)行檢查的檢查電路等。接下來(lái)，關(guān)于本實(shí)施方式中的液晶裝置的像素部的電構(gòu)造，參照?qǐng)D3 而進(jìn)行說(shuō)明。圖3是構(gòu)成本實(shí)施方式的液晶裝置的圖像顯示區(qū)域的、形成為矩陣狀 的多個(gè)像素中的各種元件、布線等的等效電路圖。在圖3中，在構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a的形成為矩陣狀的多個(gè)像素中， 分別形成像素電極9a及作為本發(fā)明所涉及的"晶體管"之一例的TFT30。 TFT30，電連接于像素電極9a，在液晶裝置工作時(shí)對(duì)像素電極9a進(jìn)行開(kāi) 關(guān)控制。供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a，電連接于TFT30的源。寫(xiě)入于數(shù)椐線6a的圖傳-信號(hào)Sl、 S2..... Sn，既可以按該順序順次按線進(jìn)行供給，也可以以相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a為一組按組進(jìn)行供給。在TFT30的柵電連接掃描線lla。本實(shí)施方式的液晶裝置，在預(yù)定的定時(shí)，向掃描線lla脈沖性地將掃描信號(hào)Gl、 G2..... Gm按該順序順次按線施加。像素電極9a電連接于TFT30的漏，通過(guò)將作為開(kāi)關(guān)元件的 TFT30的開(kāi)關(guān)閉合一定期間，在預(yù)定的定時(shí)寫(xiě)入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號(hào)S1、 S2.....Sn。通過(guò)4象素電極9a寫(xiě)入于作為電光物質(zhì)之一例的液晶中的預(yù)定電平的圖像信號(hào)Sl、 S2.....Sn，在與形成于對(duì)向基板20(參照?qǐng)D2)的對(duì)向電極21之間保持一定時(shí)間。構(gòu)成液晶層50 (參照?qǐng)D2)的液晶，其分子集合的取向、秩序由于所 施加的電壓電平而發(fā)生變化，由此能夠?qū)膺M(jìn)行調(diào)制，進(jìn)行灰度等級(jí)顯示。 若為常白模式，則入射光的透射率與以各像素為單位地施加的電壓相應(yīng)地 減少，若為常黑模式，則入射光的透射率與以各像素為單位地施加的電壓 相應(yīng)地增加，從整體來(lái)看從液晶裝置出射具有相應(yīng)于圖像信號(hào)的對(duì)比度的 光。在此，為了防止所保持的圖像信號(hào)發(fā)生泄漏，附加有存儲(chǔ)電容70，該 存儲(chǔ)電容相對(duì)于形成在像素電極9a與對(duì)向電極21 (參照?qǐng)D2)之間的液晶 保持電容并聯(lián)連接。存儲(chǔ)電容70，是作為相應(yīng)于圖像信號(hào)的供給而暫時(shí)保 持各像素電極9a的電位的保持電容而起作用的電容元件。存儲(chǔ)電容70的 一個(gè)電極(即，后迷的上側(cè)電極71)，與像素電極9a并聯(lián)地連接于TFT30 的漏，另一個(gè)電極(即，后述的下側(cè)電極300a)，連接于電位固定的電容 線300以成為定電位。借助存儲(chǔ)電容70，像素電極9a中的電位保持特性 提高，可以提高顯示特性、如對(duì)比度提高、閃爍減少等。還有，如后述地，存儲(chǔ)電容70還作為遮擋向TFT30進(jìn)行入射的光的 內(nèi)置遮光膜而起作用。并且，電容線300,沿?cái)?shù)據(jù)線6a的延伸方向(即， Y方向)地布線。接下來(lái)，關(guān)于實(shí)現(xiàn)上述的工作的像素部的具體構(gòu)成，參照?qǐng)D4或圖5 而進(jìn)行說(shuō)明。圖4，是表示像素部的構(gòu)成的俯視圖，圖5，是圖4的A-A'線剖面圖。 還有，在圖4或圖5中，為了使各層、各構(gòu)件成為可在附圖上辨認(rèn)的程度 的大小，因該各層、各構(gòu)件而使比例尺不同。并且，在圖4或圖5中，僅 說(shuō)明了參照?qǐng)Dl或圖2說(shuō)明了的構(gòu)成中的、TFT陣列基板10側(cè)的構(gòu)成， 從而為了說(shuō)明方便，在圖4、 5中省略了位于像素電極9a的上側(cè)的部分的 圖示。在圖4中，著眼于圖像顯示區(qū)域10a的多個(gè)像素部之中的一個(gè)像素部、 示出了其主要構(gòu)成。在圖5中，從TFT陣列基板10到像素電極9a的部分構(gòu)成本發(fā)明所涉及的"電光裝置用基板"的一例。在圖4中，用于對(duì)像素電極9a進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的掃描線lla、數(shù)據(jù)線6a、存 儲(chǔ)電容70、 TFT30等布線和電路元件的主要構(gòu)成要件，在TFT陣列基板 IO上俯視看，配置于非開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，該非開(kāi)口區(qū)域?qū)⑴c像素電極9a對(duì)應(yīng) 的各像素的開(kāi)口區(qū)域(即，在各像素中，透射或反射實(shí)際參于顯示的光的 區(qū)域)包圍。在圖4中，關(guān)于非開(kāi)口區(qū)域，示出了掃描線lla、數(shù)據(jù)線6a 等布線、存儲(chǔ)電容70、 TFT30等電路元件等的主要構(gòu)成，并圖示出了像素 電極9a相對(duì)于它們的配置關(guān)系。如圖4所示，分別沿像素電極9a的縱向、橫向邊界而設(shè)置數(shù)據(jù)線6a 及掃描線lla。即，掃描線lla沿圖4中X方向延伸，數(shù)據(jù)線6a以與掃描 線lla相交叉的方式沿圖4中Y方向延伸。像素電極9a，由ITO膜等透 明導(dǎo)電膜構(gòu)成，在TFT陣列基板10上矩陣狀地設(shè)置多個(gè)。分別在掃描線lla與數(shù)據(jù)線6a的相交叉之處，設(shè)置有在溝道區(qū)域la， 對(duì)向配置有柵電極3a的像素開(kāi)關(guān)用的TFT30。柵電極3a，與掃描線lla 一體地形成。如圖5所示，在TFT陣列基板10上，上述的像素電極9a等各種構(gòu)成 要件呈疊層結(jié)構(gòu)。并且，各種構(gòu)成要件，從下開(kāi)始按順序包括包括下側(cè) 遮光膜110的第1層、包括TFT30等的第2層、包括數(shù)據(jù)線6a等的第3 層、包括存儲(chǔ)電容70等的第4層、包括像素電極9a等的第5層。并且， 在第1層及第2層之間設(shè)置基底絕緣膜12,在第2層及第3層之間設(shè)置第 l層間絕緣膜41,在第3層及第4層之間設(shè)置第2層間絕緣膜42，在第4 層及第5層之間設(shè)置第3層間絕緣膜43，防止各種構(gòu)成要件間發(fā)生短路。以下，從作為最下層的第l層開(kāi)始按順序詳細(xì)說(shuō)明疊層結(jié)構(gòu)。 (第1層的構(gòu)成一下側(cè)遮光膜110等一 )在第1層設(shè)置有下側(cè)遮光膜110。下側(cè)遮光膜110,夾著基底絕緣膜12配置于半導(dǎo)體層la的下層，例 如由鵠(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)等高熔點(diǎn)金屬材料等這樣的遮 光性導(dǎo)電性材料構(gòu)成。下側(cè)遮光膜110，如圖4所示，例如沿掃描線lla 的延伸方向(即，X方向)形成，即，對(duì)應(yīng)于各掃描線lla地在圖像顯示區(qū)域10a形成為帶狀。借助這樣的下側(cè)遮光膜110，則能夠?qū)Ψ祷毓庵械?行進(jìn)到TFT30的光進(jìn)行遮光，返回光例如是因TFT陣列基板10的背面反 射引起的，或是在多板式投影機(jī)等中從其他液晶裝置發(fā)出、穿過(guò)合成光學(xué) 系統(tǒng)的光。(第2層的構(gòu)成一掃描線、TFT等一 ) 在第2層，設(shè)置掃描線11a及TFT30。 在圖4及圖5中，TFT30包括半導(dǎo)體層la及柵電極3a。 半導(dǎo)體層la,例如由多晶硅構(gòu)成，如圖4所示，沿掃描線lla的延伸 方向(即，X方向)而延伸。更具體地說(shuō)，半導(dǎo)體層la，包括具有沿X方 向的通道長(zhǎng)度的溝道區(qū)域la，，并且沿X方向還配置數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 ld、數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc及像素電極側(cè)源漏 區(qū)域le。數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le，以溝道區(qū)域la， 為基準(zhǔn)，沿X方向基本鏡像對(duì)稱(chēng)地所形成。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb,形成 于溝道區(qū)域la，和數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld之間。像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc， 形成于溝道區(qū)域la，和像素電極側(cè)源漏區(qū)域le之間。數(shù)椐線側(cè)LDD區(qū)域 lb、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū) 域le，是通過(guò)例如離子注入法等的雜質(zhì)注入在半導(dǎo)體層la注入雜質(zhì)而成 的雜質(zhì)區(qū)域。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc，分別作 為雜質(zhì)比數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le少的低濃度雜質(zhì) 區(qū)域。借助這樣的雜質(zhì)區(qū)域，能夠在TFT30不工作時(shí)減少流過(guò)源區(qū)域及漏 區(qū)域的截止電流，并且能夠抑制在TFT30工作時(shí)流過(guò)的導(dǎo)通電流降低。還有，TFT30，雖然優(yōu)選具有LDD結(jié)構(gòu)，但是可以為在數(shù)據(jù)線側(cè)LDD 區(qū)域lb、〗象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc不進(jìn)行雜質(zhì)注入的偏置結(jié)構(gòu)，也可以為 以柵電極作為掩模、高濃度地注入雜質(zhì)而形成數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域及像素電 極側(cè)源漏區(qū)域的自調(diào)整型。并且，半導(dǎo)體層la既可以是非單晶層也可以是 單晶層。在單晶層的形成時(shí)，能夠采用貼合法等公知的方法。通過(guò)使半導(dǎo) 體層la成為單晶層，尤其是能夠謀求周邊電路的高性能化。如圖4所示，柵電極3a,作為掃描線lla的一部分而形成。掃描線lla， 例如由導(dǎo)電性多晶硅構(gòu)成，以沿X方向延伸的方式、夾著絕緣膜2形成在半導(dǎo)體層la的上層側(cè)，即，掃描線lla在圖像顯示區(qū)域10a中形成為帶狀。 柵電極3a，通過(guò)掃描線lla中的、在半導(dǎo)體層la上重疊于溝道區(qū)域la， 的部分而形成。更具體地說(shuō)，如圖4及圖5所示，在掃描線lla上，避開(kāi) 半導(dǎo)體層la的配置處地開(kāi)設(shè)有開(kāi)孔llh,在該開(kāi)孔llh之間重疊于溝道區(qū) 域la，的部分作為柵電極3a而形成。第1層與第2層之間，通過(guò)基底絕緣膜12而被層間絕緣?；捉^緣膜 12，例如由氧化硅膜等構(gòu)成。基底絕緣膜12，形成于TFT陣列基板10的 整面，由此具有防止因TFT陣列基板10的表面拋光時(shí)的粗糙、清洗后殘 留的污漬等導(dǎo)致像素開(kāi)關(guān)用的TFT30產(chǎn)生特性變化的功能。 (第3層的構(gòu)成一數(shù)據(jù)線等一 )在第3層，設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及第1中繼電極660。數(shù)據(jù)線6a由金屬膜形成，該金屬膜含金屬材料例如鋁(Al)。該金屬 膜，例如，既可以由多層構(gòu)成，該多層中包括由鋁構(gòu)成的層，也可以由單 層構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a，通過(guò)開(kāi)孔于第1層間絕緣膜41的接觸孔81，電連接 于TFT30的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld。第1中繼電極660，為本發(fā)明中的"第2中繼電極"之一例，通過(guò)開(kāi) 孔于第1層間絕緣膜41的接觸孔83而電連接于TFT30的像素電極側(cè)源漏 區(qū)域le。第1中繼電極660,與后述的第2中繼電極330及像素電極9a — 起，對(duì)構(gòu)成存儲(chǔ)電容70的上側(cè)電極71與TFT30之間的電連接進(jìn)行中繼，第1中繼電極660，與數(shù)據(jù)線6a由同一膜形成。第1中繼電極660， 如圖4所示，在TFT陣列14110上俯視觀察，并非形成為具有與數(shù)據(jù)線 6a相連續(xù)的平面形狀，而是形成為從圖形上看各者之間被分開(kāi)。由此，第 1中繼電極660與數(shù)據(jù)線6a在同一層中通過(guò)第2層間絕緣膜42被互相電 絕緣。通過(guò)這樣將數(shù)據(jù)線6a與第1中繼電極660用同一膜形成，與分別由 不同材料形成它們的情況相比較，使像素的構(gòu)成簡(jiǎn)略化，并且還能夠削減 制造過(guò)程中的工序數(shù)而簡(jiǎn)略化。第2層與第3層之間，通過(guò)第1層間絕緣膜41而層間絕緣。第1層間 絕緣膜41,例如通過(guò)NSG (無(wú)摻入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃)所形成。另外，在第 1層間絕緣膜41 ，能夠采用PSG (磷硅酸鹽玻璃)、BSG (硼硅酸鹽玻璃)、BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)等珪酸鹽玻璃、氮化硅、氧化硅等。 (第4層的構(gòu)成一存儲(chǔ)電容等一)在第4層，設(shè)置存儲(chǔ)電容70及第2中繼電極330。在存儲(chǔ)電容70中，夾著電介質(zhì)膜75對(duì)向配置有作為固定電位側(cè)電極 的下側(cè)電極300a和作為像素電位側(cè)電極的上側(cè)電極71，該下側(cè)電極與電 容線300 —體地形成，該上側(cè)電極電連接于TFT30的像素電極側(cè)源漏區(qū)域 le及像素電極9a。如圖4所示，下側(cè)電極300a，作為沿Y方向延伸地形成的電容線300 的一部分而形成。換言之，電容線300與下側(cè)電極300a同一膜一體地形成。電介質(zhì)膜75，例如由膜厚5 300nm左右的比較薄的氮化硅(SiN )膜 所形成。從使存儲(chǔ)電容70增大的觀點(diǎn)出發(fā)，只要可充分得到膜的可靠性， 電介質(zhì)膜75越薄越好。上側(cè)電極71，通過(guò)開(kāi)孔于笫3層間絕緣膜43的、作為本發(fā)明中的"第 l接觸孔"之一例的接觸孔89而與像素電極9a電連接。存儲(chǔ)電容70具有MIM結(jié)構(gòu)。即，上側(cè)電極71及下側(cè)電極300a分別 由金屬膜形成，該金屬膜含作為金屬材料的鋁。因而，與假設(shè)上側(cè)電極71 或者下側(cè)電極300a由含例如多晶硅的導(dǎo)電材料所形成的情況相比較，能夠 降低上側(cè)電極71及下側(cè)電極300a的各自的電阻。進(jìn)而，可以使電介質(zhì)膜 75由具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料(即，高k材料)而形成。因而，能夠 更大地確保存儲(chǔ)電容70的電容。在本實(shí)施方式中尤其是，因?yàn)殡娙菥€300與下側(cè)電極300a通過(guò)同一膜 一體地形成，所以能夠減小電阻，能夠使電容線300的電位及下側(cè)電極300a 的電位穩(wěn)定化。更具體地說(shuō)，電容線300，俯視觀察，如圖4所示，沿例 如與數(shù)據(jù)線6a的延伸方向相同方向、即Y方向延伸，并對(duì)應(yīng)于各數(shù)據(jù)線 6a而在圖像顯示區(qū)域10a形成為例如帶狀。而且，雖然其詳細(xì)的構(gòu)成省略 了圖示，但是電容線300，優(yōu)選從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域10a 開(kāi)始延設(shè)于其周?chē)c定電位源電連接，成為固定電位。作為如此的定電 位源，例如，既可以是供給于數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101的正電源或負(fù)電源等定 電位源，也可以是供給于對(duì)向基板20的對(duì)向電極21的對(duì)向電極電位。從而，電容線300的配置面積在TFT陣列基板10上占據(jù)較大以與數(shù) 據(jù)線6a相等。因而，可以更大地確保存儲(chǔ)電容70的電容。而且，即使電 容線300的配置面積很大，通過(guò)將其與下側(cè)電極300a由同 一膜一體地形成， 也能夠減小電阻。另夕卜，通過(guò)如此一體地形成電容線300與下側(cè)電才及300a， 與分別由不同材料形成它們的情況相比較，能夠使像素的構(gòu)成簡(jiǎn)略化，并 能夠削減制造過(guò)程中的工序數(shù)而筒略化。第2中繼電極330，為本發(fā)明中的"第2中繼電極"或者"一個(gè)中繼 電極"之一例，與下側(cè)電極300a由同一膜(即，金屬膜)形成。因而，與 假設(shè)分別由不同材料形成下側(cè)電極300a與第2中繼電極330情況相比較， 能夠使像素的構(gòu)成簡(jiǎn)略化，并且還能夠削減制造過(guò)程中的工序數(shù)而簡(jiǎn)略化。第2中繼電極330，通過(guò)開(kāi)孔于第2層間絕緣膜42的接觸孔85而電 連接于第1中繼電極660。進(jìn)而，第2中繼電極330，通過(guò)開(kāi)孔于第3層間 絕緣膜43的、作為本發(fā)明中的"第2接觸孔"之一例的接觸孔87而電連 接于像素電極9a。第3層及第4層之間，通過(guò)第2層間絕緣膜42 4皮層間絕緣。第2層間 絕緣膜42，例如通過(guò)NSG所形成。另外，關(guān)于第2層間絕緣膜42，能夠 采用PSG、 BSG、 BPSG等硅酸鹽玻璃、氮化硅、氧化硅等。 (第5層的構(gòu)成一像素電極等一 )在第5層，設(shè)置像素電極9a。像素電極9a，設(shè)置于縱橫劃分排列的各個(gè)像素，在其邊界數(shù)據(jù)線6a 及掃描線lla排列成柵格狀。像素電極9a，例如由ITO等的透明導(dǎo)電膜構(gòu) 成。像素電極9a，通過(guò)開(kāi)孔于第3層間絕緣膜43的接觸孔89電連接于存 儲(chǔ)電容70的上側(cè)電極71。第4層及第5層之間，通過(guò)第3層間絕緣膜43被層間絕緣。第3層間 絕緣膜43，例如通過(guò)NSG所形成。另外，關(guān)于第3層間絕緣膜43，能夠 采用PSG、 BSG、 BPSG等珪酸鹽玻璃、氮化硅、氧化硅等。第3層間絕 緣膜43的表面進(jìn)行了 CMP等平坦化處理。在本實(shí)施方式中尤其是，像素電極9a作為中繼電極(或者中繼層)而 起作用，與第l中繼電極660及第2中繼電極330 —起對(duì)TFT30與存儲(chǔ)電容70 (更確切地說(shuō)是作為像素電位側(cè)電極而起作用的上側(cè)電極71 )之間的 電連接進(jìn)行中繼。即，像素電極9a，兼有作為對(duì)像素電位進(jìn)行保持的像素 電極的本來(lái)功能和作為中繼電極的功能。更具體地說(shuō)，像素電極9a，如上所述，通過(guò)接觸孔89而電連接于上 側(cè)電極71，并通過(guò)開(kāi)孔于第3層間絕緣膜43的接觸孔87而電連接于笫2 中繼電極330。因而，存儲(chǔ)電容70的上側(cè)電極71通過(guò)開(kāi)孔于第3層間絕 緣膜43的接觸孔89而電連接于像素電極9a，該像素電極9a從上層側(cè)向 下層側(cè)按順序通過(guò)接觸孔87、第2中繼電極330、接觸孔85、第1中繼電 極660及接觸孔83，電連接于TFT30的像素電極側(cè)源漏區(qū)域le。因?yàn)檫@樣構(gòu)成，所以當(dāng)制造本實(shí)施方式中的液晶裝置時(shí)，用于將4象素 電極9a與上側(cè)電極71相互電連接的接觸孔89，在形成了上側(cè)電極71之 后(即，形成存儲(chǔ)電容70后)，在配置于上層電極71的上層側(cè)的笫3層 間絕緣膜43中開(kāi)設(shè)。并且，用于對(duì)像素電極9a與第2中繼電極330進(jìn)行 電連接的接觸孔87，與接觸孔89同樣地，也在形成存儲(chǔ)電容70后，通過(guò) 開(kāi)設(shè)接觸孔89的工序的同一工序，貫通第3層間絕緣膜43及電介質(zhì)膜75 地開(kāi)設(shè)。從而，可以避免為了開(kāi)設(shè)用于將上側(cè)電極71電連接于比其下層側(cè)的 TFT30的接觸孔，進(jìn)行在電介質(zhì)75的表面涂敷并且除掉抗蝕劑的處理。 結(jié)果，能夠防止電介質(zhì)膜75的表面由于抗蝕劑的涂敷、除掉受污染或削減 的情況。即，在制造本實(shí)施方式的液晶裝置時(shí)，能夠提高電介質(zhì)膜75的界 面控制的精度，或者能夠防止在形成電介質(zhì)膜70后電介質(zhì)膜75的膜質(zhì)劣 化。由此，能夠減少或者防止發(fā)生存儲(chǔ)電容70的工作不良、例如由于電介 質(zhì)膜75的耐壓降低導(dǎo)致產(chǎn)生泄漏電流。結(jié)果，若依照于本實(shí)施方式中的液 晶裝置，則可以進(jìn)行高質(zhì)量的顯示，并可以提供可靠性高的液晶裝置。還有，也可以構(gòu)成為在上側(cè)電極71的上層側(cè)，另外于像素電極9a 地設(shè)置第3中繼電極，通過(guò)該第3中繼電極，中繼上側(cè)電極71與第2中繼 電極330之間的電連接，并中繼上側(cè)電極71與像素電極9a之間的電連接。 但是，如本實(shí)施方式地，通過(guò)兼作中繼電極地形成像素電極9a，在上側(cè)電 極71的上層側(cè)，能夠簡(jiǎn)化像素的疊層結(jié)構(gòu)、或各種構(gòu)成要件的配置所涉及的構(gòu)成即配置構(gòu)成，并且還可以使制造過(guò)程進(jìn)一步簡(jiǎn)略化。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中尤其是，在第3層及第4層，以通過(guò)第2層間 絕緣膜42或者電介質(zhì)膜75而互相電絕緣的方式配置分別構(gòu)成上側(cè)電極71 及下側(cè)電極300a的3層金屬膜。從而，在TFT陣列基板10上、在TFT30 的上層側(cè)配置3層金屬膜，由此通過(guò)這3層金屬膜可以對(duì)從其上層側(cè)入射 的光更可靠地進(jìn)行遮光。結(jié)果，能夠降低TFT30的光泄漏電流。另夕卜，在本實(shí)施方式中尤其是，第1中繼電極660及第2中繼電極330 分別與數(shù)據(jù)線6a及下側(cè)電極300a由同一膜形成、并配置于同層，由此能 夠防止在上側(cè)電極71及TFT30間的電連接中繼中，由于這些中繼電極660 及330的各自的電阻導(dǎo)致該中繼所涉及的電阻變大。在本實(shí)施方式中尤其是，在圖5中，存儲(chǔ)電容70配置于數(shù)據(jù)線6a的 上層側(cè)，可以更大地確保存儲(chǔ)電容70的電容，并使像素電極9a的電位穩(wěn) 定化。在此，假設(shè)在TFT陣列基板10上，在存儲(chǔ)電容70的上層側(cè)配置數(shù)據(jù) 線6a的情況下，必需避開(kāi)用于對(duì)數(shù)據(jù)線6a與TFT30進(jìn)行電連接而開(kāi)設(shè)的 接觸孔81的配置處，對(duì)存儲(chǔ)電容70進(jìn)行配置。相對(duì)于此，通過(guò)存儲(chǔ)電容 70配置于數(shù)據(jù)線6a的上層側(cè)，如圖4所示，可以在用于數(shù)據(jù)線6a及TFT30 的電連接的接觸孔81的上層側(cè)，與其相重疊而配置存儲(chǔ)電容70。從而， 能夠在TFT陣列基板10上的更大面積上形成存儲(chǔ)電容70，能夠使其電容 增力口。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中尤其是，在像素的疊層結(jié)構(gòu)中，介于像素電極 9a及數(shù)據(jù)線6a之間而配置存儲(chǔ)電容70。若著眼于存儲(chǔ)電容70與數(shù)據(jù)線 6a的配置關(guān)系，則在疊層方向上在上側(cè)電極71與數(shù)據(jù)線6a之間介有下側(cè) 電極300a。從而，在TFT陣列基板10上能夠配置成像素電極9a或上 側(cè)電極71在疊層結(jié)構(gòu)中不接近于數(shù)據(jù)線6a。另外，通過(guò)使下側(cè)電極300a 介于像素電極9a或上側(cè)電極71與數(shù)據(jù)線6a之間而進(jìn)行配置，與并未介有 下側(cè)電極的構(gòu)成相比較，可以進(jìn)一步減少來(lái)自數(shù)據(jù)線6a的電磁干擾。因而， 能夠防止由于來(lái)自數(shù)據(jù)線6a的電磁干擾導(dǎo)致像素電極9a或上側(cè)電極71 的電位發(fā)生變動(dòng)，或者能夠使電位的變動(dòng)減小至不會(huì)產(chǎn)生可辨認(rèn)程度的顯示不良。在圖5中，在本實(shí)施方式中尤其是，構(gòu)成上側(cè)電極71的金屬膜的膜厚 dl，比分別構(gòu)成數(shù)據(jù)線6a及下側(cè)電極300a的金屬膜的膜厚d2及d3薄。因而，能夠容易地在同一時(shí)機(jī)開(kāi)設(shè)接觸孔89及接觸孔87。即，當(dāng)通 過(guò)同一工序開(kāi)設(shè)接觸孔89及接觸孔87，即便像素電極9a及第2中繼電極 330間的層間距離H2比像素電極9a及上側(cè)電極71間的層間距離Hl長(zhǎng)出 相應(yīng)于上側(cè)電極71的膜厚dl和電介質(zhì)膜75的膜厚的合計(jì)膜厚的量，因?yàn)?上側(cè)電極71的膜厚dl比數(shù)據(jù)線6a的膜厚d3、下側(cè)電極71的膜厚d2薄， 所以能夠避免在通過(guò)接觸孔87而將像素電極9a及第2中繼電極330相互 電連接的同時(shí)接觸孔89貫通上側(cè)電極71的情況。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方 式中，通過(guò)使上側(cè)電極71的膜厚dl比下側(cè)電極300a的膜厚d2、數(shù)據(jù)線 6a的膜厚d3薄，接觸孔89的深度Hl與接觸孔87的深度H2之差變小， 所以能夠容易地在同一時(shí)機(jī)開(kāi)設(shè)2種接觸孔87及89。從而，可以使液晶 裝置的制造過(guò)程進(jìn)一 步簡(jiǎn)略化。還有，如圖4所示，上側(cè)電極71因?yàn)樵O(shè)置于每個(gè)像素，所以與共同i殳 置于沿Y方向排列的多個(gè)像素中的數(shù)據(jù)線6a相比較，其在TFT陣列基板 10上的配置面積小。并且，在下側(cè)電極300a與電容線一體地形成的情況 下，與電容線300的配置面積相比較，上側(cè)電才及71的配置面積較小。因而， 即使將上側(cè)電極71的膜厚dl設(shè)得薄，也可以使其電阻成為比數(shù)據(jù)線6a、 電容線300相對(duì)^f氐的電阻。如以上說(shuō)明地，依照于本實(shí)施方式中的液晶裝置，可以使構(gòu)成各像素 中的存儲(chǔ)電容70的電介質(zhì)膜75的膜質(zhì)提高，能夠減少或者防止存儲(chǔ)電容 70的工作不良的發(fā)生。結(jié)果，可以進(jìn)行圖像顯示區(qū)域10a中的高質(zhì)量的圖 像顯示，并可以提供可靠性高的液晶裝置。電子設(shè)備接下來(lái)，說(shuō)明將上述的作為電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備 的情況。在此，圖6是表示投影機(jī)的構(gòu)成例的俯視圖。在以下，關(guān)于將該 液晶裝置用作光閥的投影機(jī)而進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示，在投影機(jī)1100內(nèi)部，設(shè)置由卣素?zé)舻劝咨庠礃?gòu)成的燈單元1102。從該燈單元1102所射出的投影光，通過(guò)配置于光導(dǎo)1104內(nèi)的 4片鏡體1106及2片分色鏡1108而分離成RGB三原色，入射于作為與各 原色對(duì)應(yīng)的光閥的液晶面板1110R、 1110B及1110G。液晶面板1110R、 1110B及1110G的構(gòu)成，與上述的液晶裝置同等， 由從圖像信號(hào)處理電路供給的R、 G、 B原色信號(hào)所分別驅(qū)動(dòng)。然后，通 過(guò)這些液晶面板所調(diào)制了的光，從3個(gè)方向入射于分色棱鏡1112。在該分 色棱鏡1112中，R及B光折射卯度，另一方面G光則直行。從而，合成 各色的圖像，然后通過(guò)投影透鏡1114在屏幕等投影彩色圖像。在此，著眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G產(chǎn)生的顯示像， 由液晶面板1110G產(chǎn)生的顯示^象，必需相對(duì)于由液晶面4反1110R、 1110B 產(chǎn)生的顯示像進(jìn)行左右翻轉(zhuǎn)。還有，因?yàn)樵诜稚R1108的作用下向液晶面板1110R、1110B及1110G 入射對(duì)應(yīng)于R、 G、 B各原色的光，所以不必設(shè)置濾色器。還有，除了參照?qǐng)D6而進(jìn)行了說(shuō)明的電子設(shè)備之外，還可舉出可移動(dòng) 型個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話機(jī)、液晶電視機(jī)、取景器型、監(jiān)視器直視型磁帶 錄像機(jī)、汽車(chē)導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本、臺(tái)式計(jì)算器、文字處理機(jī)、 工作站、可視電話機(jī)、POS終端、具備有觸摸面板的裝置等。而且，不用 說(shuō)當(dāng)然可以應(yīng)用于這些各種電子設(shè)備中。并且，本發(fā)明除了以上述的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明的液晶裝置以外，還 可以應(yīng)用于反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器(PDP)、場(chǎng)致 發(fā)射型顯示器(FED、 SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字微鏡器件(DMD )、 電泳裝置等中。本發(fā)明，并不限于上述的實(shí)施方式，在不違反從權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū) 整體所讀取的發(fā)明的要旨或思想的范圍內(nèi)可以適當(dāng)改變，與該改變相應(yīng)的電光裝置用基板、具備該電光裝置用基板的電光裝置、以及具備該電光裝 置的電子設(shè)備也包括于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置用基板，其特征在于，在基板上，具備互相交叉地延伸的數(shù)據(jù)線及掃描線；設(shè)置在每個(gè)像素的晶體管，該每個(gè)像素對(duì)應(yīng)于前述數(shù)據(jù)線與掃描線的交叉處；存儲(chǔ)電容，其在前述基板上配置于前述晶體管的上層側(cè)，從下層側(cè)開(kāi)始按順序疊層有固定電位側(cè)電極、電介質(zhì)膜及像素電位側(cè)電極；像素電極，其配置于前述存儲(chǔ)電容的上層側(cè)，設(shè)置在前述每個(gè)像素中并與前述像素電位側(cè)電極電連接；和導(dǎo)電膜，其夾著層間絕緣膜配置于前述像素電位側(cè)電極的上層側(cè)，通過(guò)開(kāi)孔于前述層間絕緣膜的第1接觸孔而電連接于前述像素電位側(cè)電極，并將前述像素電位側(cè)電極與前述晶體管電中繼連接；前述像素電極兼作前述導(dǎo)電膜。
2. 按照權(quán)利要求1所述的電光裝置用141，其特征在于 前述存儲(chǔ)電容配置于前述數(shù)據(jù)線的上層側(cè)。
3. 按照權(quán)利要求2所迷的電光裝置用基板，其特征在于具備中繼電極，該中繼電極與構(gòu)成前述固定電位側(cè)電極及前述數(shù)據(jù)線 之中至少一方的導(dǎo)電膜由同一膜構(gòu)成，并將前迷導(dǎo)電膜與前述晶體管電中 繼連接。
4. 按照權(quán)利要求3所述的電光裝置用141，其特征在于 前述中繼電極包括一個(gè)中繼電極，該一個(gè)中繼電極與前述固定電位側(cè)電極由同一膜構(gòu)成；前述導(dǎo)電膜及前述一個(gè)中繼電極，通過(guò)貫通前述層間絕緣膜及前述電 介質(zhì)膜而開(kāi)孔的第2接觸孔互相電連接。
5. 按照權(quán)利要求4所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述像素電位側(cè)電極，具有比前述數(shù)據(jù)線及前述固定電位側(cè)電極各自的膜厚薄的膜厚。
6. 按照權(quán)利要求1 5中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征在于前述像素電位側(cè)電極及前述固定電位側(cè)電極分別由金屬膜構(gòu)成。
7. 按照權(quán)利要求6所述的電光裝置用基板，其特征在于 在前述基板上，具備電連接于前述固定電位側(cè)電極的電容線。
8. 按照權(quán)利要求6或7所述的電光裝置用基板，其特征在于 前述數(shù)據(jù)線由金屬膜構(gòu)成。
9. 一種電光裝置，其特征在于具備權(quán)利要求1 8中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置用基板。
10. —種電子設(shè)備，其特征在于 具備權(quán)利要求9所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置用基板、電光裝置以及電子設(shè)備，目的在于在例如液晶裝置等電光裝置中，使構(gòu)成設(shè)置于各像素的存儲(chǔ)電容的電介質(zhì)膜的膜質(zhì)提高。電光裝置用基板，具備設(shè)置于基板(10)上的每個(gè)像素中的晶體管(30)；存儲(chǔ)電容(70)，其在基板上配置于晶體管的上層側(cè)，從下層側(cè)開(kāi)始按順序疊層固定電位側(cè)電極(300a)、電介質(zhì)膜(75)及像素電位側(cè)電極(71)；和像素電極(9a)，夾著層間絕緣膜(43)配置于存儲(chǔ)電容的上層側(cè)，設(shè)置于每個(gè)像素、并通過(guò)開(kāi)孔于層間絕緣膜的第1接觸孔(89)而電連接于像素電位側(cè)電極，并且還作為對(duì)像素電位側(cè)電極與晶體管進(jìn)行電中繼連接的中繼電極而起作用。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101241284SQ200810005528
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月8日
發(fā)明者石井達(dá)也 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社