專利名稱：：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。技術(shù)背景有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括絕緣基板、設(shè)置在絕緣基板上的第一電極(陽極)、至少包括設(shè)置在第一電極上的發(fā)射層(EML)的有機(jī)層.，以及設(shè)置在有機(jī)層上的第二電極(陰極)。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)在第一電極和第二電極之間施加電壓時，空穴和電子注入到有機(jī)層內(nèi)，注入到有機(jī)層中的空穴和電子重新相互結(jié)合從而產(chǎn)生受激子(excitons),受激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)從而發(fā)射光。傳統(tǒng)的底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置通常使用鋁層作為第二電極(陰極)，具有適當(dāng)?shù)姆瓷渎室约肮瘮?shù)(workfunction)。然而，很難提供使用鋁層的高品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，因為鋁層可能具有不合適的驅(qū)動電壓、電流和發(fā)光效率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明一發(fā)面提供了一種能夠通過形成陰極電極以包括除了鎂鋁(Mg-Ag)合金層之外的具有反射特性的金屬層如鋁層從而改進(jìn)了驅(qū)動電壓和發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的一發(fā)面提供了一種能夠通過形成陰極電極以包括具有反射特性的金屬層如鎂銀合金層和鋁層從而改進(jìn)驅(qū)動電壓和發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的實施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板；設(shè)置在基板上的第一電極；設(shè)置在第一電極上并且包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及設(shè)置在有機(jī)層上并且包含第一金屬層和第二金屬層的第二電極，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法包括提供一種基板；在基板上形成第一電極；在第一電極上形成包含有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及在有機(jī)層上相繼形成第--金屬層和第二金屬層。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板；設(shè)置在基板上的第一電極；設(shè)置在第一電極上并且包含第一有機(jī)發(fā)射層的第一有機(jī)層；設(shè)置在第一有機(jī)層上并且包含第一金屬層和第二金屬層的第二電極；設(shè)置在第二電極上并且包舍第二有機(jī)發(fā)射層的第二有機(jī)層；以及設(shè)置在第二有機(jī)層上的第三電極,:，附圖以及說明示出了本發(fā)明的示范性實施例，與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。圖4是示范性實施例1和比較例1的壽命對比曲線圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。具體實施方式在以下的詳細(xì)描述中，僅以說明的方式示出和描述了本發(fā)明的某些實施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的那樣，本發(fā)明可以包含多種不同的形式并且不應(yīng)解釋為限于這里給出的實施例。并且在本申請的文本中，當(dāng)稱一個元件在另一個元件"上"時，它可以直接在另一個元件上或者間接在另一個元件上而具有一個或者多個插入元件插在它們之間。在整篇說明書中相同的標(biāo)號表示相同的元件。圖]是有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。如圖1所示，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括由塑料、絕緣玻璃等形成的透明絕緣基板100。透明絕緣基板lmmOO可以包括半導(dǎo)體層、柵極電極以及源極和漏極電極。第一電極1:10形成在透明絕緣基板100上。第一電極11Q可以由從包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)以及氧化鋅(ZnO)的一組材料中選擇出來的材料形成。然后，使用低分子淀積(lowmoleculedeposition)法或者激光誘導(dǎo)熱成像(laserinducedthermalimaging)法在第一電極110上形成有機(jī)層120。有機(jī)層120包括有機(jī)發(fā)射層，并且可以進(jìn)一步包括從包括電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層、空穴傳輸層以及空穴阻擋層的一組中選擇出來的至少一個薄層。在有機(jī)層120的表面(或者整個表面)上形成用作第二電極金屬層的鋁層以形成第二電極130。該鋁層是薄金屬層，能夠反射作為其厚度的函數(shù)的從有機(jī)層120發(fā)出的光?？紤]到前面的描述，底發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置一般使用鋁層作為第二電極，其具有合適的反射率和功函數(shù),:，然而，很難提供高質(zhì)量的使用鋁層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，因為鋁層會具有不合適的驅(qū)動電壓、電流和發(fā)光效率。圖2所示的是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。在一個實施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是(或者包含')有機(jī)放光二極管(OLED)。參照圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括一基板200?；?00可以由絕緣玻璃、塑料以及/或者導(dǎo)電基板組成。這里，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括配置在基板200上的薄膜晶體管(薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極電極以及源極和漏極電極)以及/或者配置在基+反200上的電容。另外，第一電極材料淀積在基板200表面(或者整個表面)上并隨后被圖案化(paUerned)以形成第一電極210。這里，第一電極210可以由具有高功函lt(workfunction)的氧化銦錫(IT0)和/或者氧化銦鋅(IZ0)形成。在一個實施例中，ITO被用于形成第一電極210。在第一電極210上(或者基板200上)形成有機(jī)層220。有機(jī)層220至少包括發(fā)射層，并且可以進(jìn)一步包括從包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層的一組中選擇出來的至少一層。另外，有機(jī)層220可以通過低分子淀積法以及/或者激光誘導(dǎo)熱成像法來形成。在有機(jī)層220的表面(或者整個表面)上(或者在基板200上)形成第二電極230。第二電極230可以由第一金屬層231和第二金屬層232組成。這里，第一金屬層231由具有從9:1到1:9鎂銀(Mg:Ag)原子比的鎂銀(Mg-Ag)合金組成；并且在一個實施例中為8:1到1:8。第一金屬層2H可以具有從50到500埃(A)的厚度。在一個實施例中，考慮到第一金屬層23.1的電子注入特性，第一金屬層231的厚度超過50埃。另外一個實施例中，考慮到發(fā)光效率如驅(qū)動電壓等，第一金屬層231的厚度小于500埃。同樣，在底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的例子中，第二金屬層"2可以由從包括具有好的反射率特性(或者反射特性)的鋁、銀、鈦、鉬以及鈀的一組材料中選擇出來的金屬形成。在一個實施例中，使用有相對高反射率的鋁。這里，第二金屬層232的厚度范圍可以為300到3000埃。在一個實施例中，考慮到反射層功能(或特性)，第二金屬層232厚度超過300埃。在另外一個實施例中，考慮到加工時間和制造效率，第二金屬層232的厚度小于3000埃。另外，在雙發(fā)射結(jié)構(gòu)的例子中，第二金屬層232可以由從包括鋁、銀、鈦、鉬以及鈀的一組材料中選擇出來的金屬形成，以具有透射(transmissive)特性。這里，第二金屬層232可以具有相對薄的厚度從而讓光能夠通過金屬。在一個制造加工的實施例中，可以使用同步(siinu11aneous1y)地(或者同時(concurrently)地)淀積鎂和《艮金屬(或者共同淀積鎂和銀)的共同淀積(co-deposition)法形成第一金屬層231。另外，可以使用任何適當(dāng)?shù)牡矸e方法在淀積的第一金屬層231上形成第二金屬層232。這里，在圖2中，第--'電極210用作陽極，而第二電極230用作陰^f及。在另一個(或者備選的)實施例中，第二電極230用作陰極配置在有機(jī)層22G和基板200之間，而用作陽極的第一電極210配置在有機(jī)層220上，從而形成了一種反向結(jié)構(gòu)。結(jié)果，完成了根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置將參考圖3加以描述,:.圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。參考圖3，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括由塑料、絕緣玻璃等形成的基板30(h這里，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括配置在基板300上的薄膜晶體管(薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極電極、以及源極和漏極電極)以及/或者配置在基板300上的電容。另外，第一電極材料淀積在基板300表面(或者整個表面)上并且隨后圖案化以形成第一電極310。這里，第一電極310可以由具有高功函數(shù)的氧化銦錫(ITO)和/或者氧化銦鋅(IZ0)形成。在一個實施例中，IT(H皮用來形成第一電極310。另外，呈有源矩陣結(jié)構(gòu)的第一電極310可以和配置在下面的薄膜晶體管電連接。在第一電極310上(或者基板300上)形成第一有機(jī)層320。有機(jī)層320至少包括發(fā)射層，并且可以進(jìn)一步包括從包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層的一組中選擇出來的至少一層。在第一有機(jī)層320的表面(或者整個表面)上(或者在基板300上)形成第二電極330。第二電極330可以由第一金屬層331和第二金屬層332組成。這里，第一金屬層331由具有從9:l到l:9鎂銀原子比的鎂銀合金形成；并且在一個實施例中為從8:1到1:8。第一金屬層331可以具有從50到500埃范圍的厚度。在一個實施例中，考慮到第一金屬層331的電子注入特性，第一金屬層331的厚度超過50埃。在另外一個實施例中，考慮到發(fā)光效率如驅(qū)動電壓等，第一金屬層331的厚度小于500埃。同樣，第二金屬層332可以由從包括具有好的反射率特性的鋁、銀.、鈦、鉬以及鈀的一組材料中選擇出來的金屬形成。在一個實施例中，使用具有相對高反射率的鋁。這里，第二金屬層332的厚度范圍可以為31)0到3000埃。在--個實施例中，考慮到反射層功能(或特性)，第二金屬層332厚度超過300埃。在另外一個實施例中，考慮到加工時間和生產(chǎn)效率，第二金屬層332厚度小于3000埃。在一個制造加工的實施例中，第一金屬層331可以使用共同淀積法同步地(或者同時地)淀積鎂和銀金屬而形成。另外，可以使用任何適當(dāng)?shù)牡矸e方法在淀積的第一金屬層331上形成第二金屬層332。這里，圖3中，在第二電極330上形成第二有機(jī)層340。第二有機(jī)層MO至少包括發(fā)射層，并且可以進(jìn)一步包括從包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層的一組中選擇出來的至少一層(并且可以和第一有機(jī)層32O基本相同)。圖3中，在第二有機(jī)層340的表面(或者整個表面)上(或者在基板300上)也形成第三電極350。用作透射電極的第三電極35O可以由從包括ITO、IZO、ZnO以及它們的組合物(combinations)的一組材料中選擇出來的材料形成。在無源矩陣結(jié)構(gòu)的例子中，第三電極350可以電連接到第一電極310上從而和第一電極310—起被驅(qū)動，并且在無源矩陣結(jié)構(gòu)的例子中，第三電極350可以電連接到一個連接到第一電極310上的薄膜晶體管從而和第一電極310—起^皮驅(qū)動。在工作中，從第一電極310提供空穴，以及從第二電極33G提供電子從而從第一有機(jī)層320的有機(jī)層發(fā)光。這里，第二電極330的第二金屬層3"用作反射層向下(或者朝向基板300)發(fā)光。同樣(或者基本上在同時)，從第二電極33()提供電子，以及從第三電極350提供空穴從而從第二有機(jī)層34O的有機(jī)發(fā)射層發(fā)光。配置在第二有機(jī)層340下面的第二電極330的第二金屬層用作反射層向上(或者朝向第三電極350)發(fā)光。因此，可以實現(xiàn)向上和向下發(fā)光的雙發(fā)射顯示裝置結(jié)果，完成了根據(jù)圖3的雙發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面示意圖。參考圖5,有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板400?；?00可以由絕緣玻璃、塑料以及/或者導(dǎo)電基板形成。另外，緩沖層410配置在基板400上。半導(dǎo)體層420配置在緩沖層410上。半導(dǎo)體層420可以包括形成在半導(dǎo)體層420兩個相對側(cè)的源才及和漏極區(qū)；或421、423以及形成在源極和漏極區(qū)域421、423之間溝道區(qū)域422。在一個實施例中，半導(dǎo)體層420可以是薄膜晶體管的-一部分。薄膜晶體管可以是從非晶硅(amorphoussilicone)薄膜晶體管、聚硅酮(poly-si1icone)薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、微型硅(microsilicone)薄膜晶體管以及它們的等價物(equivalents)中選擇出來的任何一種合適的晶體管，但并不限于此。在一個實施例中，薄膜晶體管可以是從PMOS、雨OS以及其它們的等價物中選擇出來的任何一種MOS，但不限于此。柵極絕緣層430配置在半導(dǎo)體層420上。在一個實施例中，柵極絕緣層4:30也可以形成在位于半導(dǎo)體層420的外部周圍的緩沖層410上。柵極電極44G配置在柵極絕緣層430上。更具體地說，柵極電極440可以形成在柵極絕緣層430上以對應(yīng)于半導(dǎo)體層420的溝道部分422,:柵極電極440通過對溝道部分422上施加電場使得在溝道部分422中形成空穴或者電子溝道。層間電介質(zhì)層450配置在柵極電極440上。在一個實施例中，層間電介質(zhì)層450也可以形成在柵極電極440的外部周圍的柵絕緣層430上。源極和漏極電極461、462配置在層間電介質(zhì)層450上。在一個實施例中，每個源極和漏極電極包括配置用來穿過層間電介質(zhì)層4S0以接觸半導(dǎo)體層"0的導(dǎo)電觸點(elect"ca1lyconductivecontact)。也就是，半導(dǎo)體層420通過(或者由)導(dǎo)電觸點與源極和漏極電極461、462電耦合。絕緣層470配置在源極和漏極電極461、462上。絕緣層470可以包括保護(hù)層和平面(pianarization)層。另外，第一電極材料是淀積在絕緣層470上并且隨后被圖案化后形成第一電極510。這里，第一電極510可以由具有高功函數(shù)的氧化銦錫(ITO)和/或者氧化銦鋅(IZO)形成。在一個實施例中，IT0用于形成第一電極510。10有機(jī)層520配置在第一電極51()上。有機(jī)層52()至少包括發(fā)射層，并且可以進(jìn)一步包括從包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層的一組中選擇出來的至少一層。第二電極53()配置在有機(jī)層520上。第二電極530可以由第一金屬層531和第二金屬層532纟a成。這里，第一金屬層531可以由具有從9:1到1:9的鎂銀原子比的鎂銀合金形成；并且在一個實施例中為8:1到1:8。第一金屬層531可以具有50到500埃的厚度范圍。在一個實施例中，考慮到第一金屬層531的電子注入特性，第一金屬層531的厚度超過50埃。另外--個實施例中，考慮到發(fā)光效率諸如驅(qū)動電壓等，第一金屬層531的厚度小于500埃。同樣，在底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的例子中，第二金屬層532可以由從包括具有良好反射率特性(或者反射特性)的鋁、銀、鈦、鉬以及鈀的一組中選擇出來的金屬形成。在一個實施例中，使用具有相對高反射率的鋁。這里，第二金屬層532的厚度范圍可以為300到3000埃。在一個實施例中，考慮到反射層功能(或特性)，第二金屬層532的厚度超過300埃。在另外一個實施例中，考慮到加工時間和生產(chǎn)效率，第二金屬層532厚度小于3000埃。另外，在雙發(fā)射結(jié)構(gòu)的例子中，第二金屬層532可以由從包括鋁、4艮、鈦、鉬以及鈀的一組中選擇出來的金屬形成，以具有透射特性。這里，第二金屬層532可以具有相對薄的厚度從而讓光可以通過金屬。在一個制造加工的實施例中，第一金屬層531可以使用共同淀積法同步地(或者同時地)淀積鎂和銀金屬(或者共同淀積鎂和銀)而形成。另外，可以使用任何適當(dāng)?shù)牡矸e方法在淀積的第一金屬層531上形成第二金屬層532。這里，在圖5中，第一電極51O用作陽極，而第二電極53O用作陰極。在另一個(或者備選)實施例中，用作陰極的第二電極530配置在有機(jī)層520和基板400之間，而用作陽極的第一電極510配置在有機(jī)層520上，因此形成了一個反向結(jié)構(gòu)。此外，第一電極510可以和源極和漏極電極461、462二者中的至少一個通過穿過絕緣層470的導(dǎo)電通路(via)4"電連接。另外，像素限定層515可以配置在位于第一電極510、有機(jī)層520和/或第二電極530的外圍的絕緣層47O上以在紅色發(fā)光二極管、綠色發(fā)光二極管和藍(lán)色發(fā)光二級管之間限定邊界，并且從而限定像素間的發(fā)光邊界區(qū)域。這里，第二有機(jī)層(舉例來說，圖3的第二有機(jī)層340)可以配置在第二電極530上。同樣，第三電極(舉例來說，圖3的第三電極350)可以配置在第二有機(jī)層上，用作透射電極的第三電極可以由從包括ITO、IZO、ZnO以及它們的組合物的一組中選擇出來的材料形成。在無源矩陣結(jié)構(gòu)的例子中，第三電極可以電連接到第一電極51()從而和第一電極510—起被驅(qū)動，而在有源矩陣結(jié)構(gòu)的例子中，第三電極可以連接到與第一電極510連接的薄膜晶體管(舉例來說，包括半導(dǎo)體層420、柵極電極440以及源極和漏極電極461、462)從而和第一電極510—起被驅(qū)動。下面的示范性實施例更詳細(xì)地說明了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于這些示范性實施例。示范性實施例1由氧化銦錫(IT0)形成的第一電極淀積在基板上以具有130mn的厚度，由4,4',4"-三(N-3-曱基苯基-N-苯基1-氨基)-三苯胺(m-MTDATA)形成的空穴注入層淀積在第一電極上以具有130腿的厚度，而由n-溴丙烷(propylbromide)(圃形成的空穴傳輸層淀積為具有20nm的厚度。通過混合作為主體(host)的4,4'-雙(2,2，-二苯基乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯)(i)PVBi)和2wt"/。的作為摻雜劑的二萘嵌苯(peryleiie),在空穴傳輸層上淀積藍(lán)色發(fā)射層至具有20nm的厚度，并淀積由2-(4-聯(lián)苯基)+(4-叔丁基)-1，3，4-噁二唑(PBD)形成的電子傳輸層至具有30nm的厚度。然后，淀積由鎂銀層形成的電極(如第二電極230或者330)至具有160埃的厚度，以及在鎂銀層上淀積鋁層至具有1000埃的厚度。t匕壽交移寸1比較例1和示范性實施例1相似，除了淀積只由鋁層(而不是鎂銀層和鋁層)形成的電極(如電極130)至具有1000埃的厚度。示范性實施例2示范性實施例2基本和示范性實施例1一樣，除了綠色發(fā)射層是通過混合作為主體的8-三羥基喹啉鋁(Alq3)和3wt%的作為摻雜劑的可從三菱(Mitsubishi)獲得的DPT來形成，而不是通過混合作為主體的4，4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)-l，r-聯(lián)苯)(DPVBi)和2wt。/i的作為摻雜劑的二萘嵌苯(perylene)而形成的藍(lán)色發(fā)射層。比較例2比較例2基本和示范性實施例2—樣，除了淀積只由鋁層而不是鎂銀層/鋁層形成的電極(如電極130)至具有100()埃的厚度。示范性實施例3示范性實施例3基本和示范性實施例1.一樣，除了通過混合作為主體的4，4，-雙。卡唑基聯(lián)苯(CBP)和15wt%作為摻雜劑的PQIr(acac)形成具有40nm厚度的紅色發(fā)射層，代替通過由混合作為主體的4,4'-雙(2'2'-二苯基乙烯基)-1，r-聯(lián)苯)(DPVBi)和2wa作為摻雜劑的二萘嵌苯(perylene)形成的藍(lán)色發(fā)射層。比4交例3比較例3基本和示范性實施例3—樣，除了淀積只由鋁層而不是鎂銀層/鋁層形成的電極(如電極130)至具有1000埃的厚度。表1所示的是由示范性實施例1、2和3以及比較例1、2和3制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動電壓、電流消耗和發(fā)光效率的測量結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表1所示，以及通過比較示范性實施例1和比較例1、示范性實施例2和比較例2、示范性實施例3和比較例3可以認(rèn)識到，鎂銀層和鋁層的淀積結(jié)構(gòu)比傳統(tǒng)的只用鋁層形成的電極(如電極l30)在所有的紅、綠、藍(lán)發(fā)射層的驅(qū)動電壓、電流消耗和發(fā)光效率上都有所改進(jìn)。另外，圖4表示了示范性實施例1和比較例1的壽命曲線的比較。參考圖4，X軸為壽命曲線的測試時間，而Y軸表示在示范性實施例1的亮度設(shè)為100的情況下比較例1的相對亮度佳.。如圖4所示，可以認(rèn)識到，具有由鎂銀層和鋁層形成的電極(如電極230或330)的示范性實施例1比具有僅由鋁層形成的電極(如電極130)的比較例1顯示出更高的亮度和更長的壽命。如上所述，在第二電極'330中，鎂銀層形成的第一金屬層331改進(jìn)了電子注入特性以及由鋁層形成的第二金屬層332用作反射層或者透射層，從而可以比傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置在驅(qū)動電壓、電流消耗、壽命和發(fā)光效率得到改進(jìn)。從上文中可以看出，通過使用第二電極以包括具有反射特性的金屬層如鎂銀層和鋁層可以改進(jìn)每一紅、綠、藍(lán)發(fā)射層的驅(qū)動電壓、電流消耗、壽命和/或發(fā)光效率并且因而可以實現(xiàn)高品質(zhì)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。上文中，雖然通過某些示范性實施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于公開的實施例，相反，上文中的描述應(yīng)當(dāng)^f皮理解為旨在覆蓋在本發(fā)明的原理和實質(zhì)之中的各種變化和修改，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求和其等同來限定。權(quán)利要求1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括基板；設(shè)置在所述基板上的第一電極；設(shè)置在所述第一電極上并且包含有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及設(shè)置在所述有機(jī)層上并且包含第一金屬層和第二金屬層的第二電極。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一金屬層由鎂銀合金形成。3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述鎂銀合金具有的鎂銀原子比為乂人9:1到1:9。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二金屬層由從包括鋁、銀、鈦、鉬和鈀的一組材料中選擇出來的金屬形成。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所形成的所述第一金屬層具有從大約50埃到大約500埃的厚度。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所形成的所述第二金屬層具有從大約30(3埃到大約300G埃的厚度。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一金屬層位于所述第二金屬層與所述有機(jī)層之間。8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二電極為陰極。9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述有機(jī)層還包括從包括電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層以及空穴傳輸層的--組中選擇出來的至少一層,:.10.—種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括提供基板；在所述基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成包含有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；在所述有機(jī)層上相繼形成第一金屬層和第二金屬層11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一金屬層通過共同淀積鎂和銀而形成。12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一金屬層由具有從.9:1到1:9的鎂銀原子比的鎂和銀而形成。13.—種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括基板；設(shè)置在所述基板上的第一電極；設(shè)置在所述第一電極上并且包含第一有機(jī)發(fā)射層的第一有機(jī)層；設(shè)置在所述第一有機(jī)層上并且包含第一金屬層和第二金屬層的第二電極；設(shè)置在所述第二電極上并且包含第二有機(jī)發(fā)射層的第二有機(jī)層；以及設(shè)置在所述第二有機(jī)層上的第三電極。14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一金屬層由鎂銀合金形成。15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述鎂銀合金具有從9:1到1:9的鎂銀原子比。16.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二金屬層由從包括鋁、銀、鈦、鉬和鈀的一組材料中選擇出來的金屬形成。17.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所形成的所述第一金屬層具有從大約5()埃到大約5f)0埃的厚度。18.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所形成的所述第二金屬層具有從大約300埃到大約30G0埃的厚度。19.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一金屬層位于所述第二金屬層與所述有機(jī)層之間。20.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第三電極由從包括ITO、IZO和ZnO的一組材料中選擇出來的材料形成。21.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二電極是陰極。22.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，還包括與所述第一電極電連接的薄膜晶體管。23.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極與所述第三電極電連4妾。24.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，還包括與所述第一電極和所述第三電極電連接的薄膜晶體管以驅(qū)動所述第一電極和所述第三電極。全文摘要一種發(fā)光顯示裝置以及其制造方法，可以改進(jìn)驅(qū)動電壓和發(fā)光效率。OLED包括基板；設(shè)置在基板上的第一電極；設(shè)置在第一電極上并且包含有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層；以及設(shè)置在有機(jī)層上并且包含第一金屬層和第二金屬層的第二電極。文檔編號H01L51/50GK101262043SQ20081000558公開日2008年9月10日申請日期2008年2月13日優(yōu)先權(quán)日2007年3月7日發(fā)明者千民承,金美更申請人:三星Sdi株式會社