專利名稱：影像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管顯示器(LED display)技術(shù)領(lǐng)域的影像顯示 系統(tǒng)，特別是涉及一種具有可抑制啟使電壓(threshold voltage)偏移，同 時可防止開口率下降的自發(fā)光顯示裝置的影像顯示系統(tǒng)，以及一種具有該 自發(fā)光顯示裝置的影像顯示系統(tǒng)制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子產(chǎn)品發(fā)展技術(shù)的進(jìn)步及其日益廣泛的應(yīng)用，像是移動 電話、個人數(shù)位助理(PDA)及筆記型電腦的問市，使得與傳統(tǒng)顯示器相比具 有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器(flat panel display, FPD)的需 求與日俱增，成為目前作重要的電子應(yīng)用產(chǎn)品之一。在平面顯示器當(dāng)中，由 于有機(jī)電激發(fā)光裝置(organic electroluminescent/1 ight-emitting， 0ELD/0LED)具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高應(yīng)答速度以及制程容易等特 性，使得0LED無疑的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
平面顯示技術(shù)的主要趨勢之一在于開發(fā)出具有高發(fā)光效率及長使用壽 命的0LED,因而發(fā)展出使用薄膜晶體管作為驅(qū)動元件的主動矩陣式有機(jī)電 激發(fā)光裝置(active matrix 0LED)。
主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光裝置(AM0LED)通常使用多晶硅或非晶硅做為 薄膜晶體管的主動層(active layer)。然而，在操作期間，主動層中的電子 容易陷入于柵極介電層中而造成啟使電壓(threshold vol tage， Vth;即閾 值電壓，以下均稱為啟使電壓)的偏移。由于0LED的亮度(luminance)取決 于注入電;;克(inject current, Id)的大小，且啟^吏電壓增力口會造成注入電;^ 的下降而使0LED受到影響。
由此可見，上述現(xiàn)有的影像顯示系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有 不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠 商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展 完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè) 者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的影像顯示系統(tǒng)，實屬當(dāng) 前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的影像顯示系統(tǒng)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類 產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極 加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的影像顯示系統(tǒng)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)
4有的影像顯示系統(tǒng)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反 復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的影像顯示系統(tǒng)存在的缺陷，而提供一種 新型結(jié)構(gòu)的影像顯示系統(tǒng)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由在像素(畫素) 結(jié)構(gòu)中額外增加一驅(qū)動薄膜晶體管并藉由施加一偏壓，以回復(fù)陷入于4冊極 介電層中的電子，進(jìn)而防止啟使電壓的偏移，非常適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的影像顯示系統(tǒng)，所要解 決的技術(shù)問題是使其藉由將額外增加的驅(qū)動薄膜晶體管疊置于原驅(qū)動薄膜
晶體管上，可以增加像素(畫素)的開口率(aperture ratio),從而更加適于 實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種影像顯示系統(tǒng)，其包括一自發(fā)光顯示裝置，包括 一陣列 基板，其具有一像素(即畫素，以下均稱為像素)區(qū)； 一發(fā)光二極管，設(shè)置于 該陣列基板的該像素區(qū)； 一第一驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極 管，且包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層；以及 一第二驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊置 于該主動層上的一第二柵極；其中在同一畫面周期下，該第一柵極耦接至 一第一電壓，而該第二柵極耦接至不同于該第一電壓的一第二電壓。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。 前述的影像顯示系統(tǒng)，其中所述的自發(fā)光顯示裝置更包括 一第 一儲存 電容，包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一電極及一第二電極，且 該第一電極電性連接至該第一柵極；以及一第二儲存電容，包括該第二電 極及疊置于該第二電極上的一第三電極，且該第三電極電性連接至該第二 柵極。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其更包括 一自發(fā)光顯示面板，包括該自發(fā)光顯 示裝置；以及一控制器，耦接至該自發(fā)光顯示裝置，用以控制該自發(fā)光顯示 裝置而使該自發(fā)光顯示裝置根據(jù)輸入來提供影像。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括一電子裝置，其包括該自發(fā)光顯 示面板。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其中所述電子裝置包括筆記型電腦、手機(jī)、數(shù) 位相機(jī)、個人數(shù)位助理、桌上型電腦、電視機(jī)、車上型顯示器、或可攜式 數(shù)位影碟播放器。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種影像顯示系統(tǒng)，其包括一自發(fā)光顯示裝置，包括 一陣列基板，其具有一像素區(qū)； 一發(fā)光二極管，設(shè)置于該陣列基板的該像素區(qū)； 一第 一驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括疊置于該陣列基板 的該像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層； 一第二驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接 至該發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊置于該主動層上的一第二柵極； 一第 一儲存電容，包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一電極及一第二 電極，且該第一電極電性連接至該第一柵極；以及一第二儲存電容，包括該 第二電極及疊置于該第二電極上的一第三電極，且該第三電極電性連接至 該第二柵極。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其中在同一畫面周期下，該第一柵極耦接至一第 一電壓，而該第二柵極耦接至一第二電壓，且該第一電壓與該第二電壓具 有相同的大小及相反的極性。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其更包括 一自發(fā)光顯示面板，包括該自發(fā)光顯 示裝置；以及一控制器，耦接至該自發(fā)光顯示裝置，用以控制該自發(fā)光顯 示裝置而使該自發(fā)光顯示裝置根據(jù)輸入來提供影像。前述的影像顯示系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括一電子裝置，其包括該自發(fā)光顯 示面板。
前述的影像顯示系統(tǒng)，其中所述電子裝置包括筆記型電腦、手機(jī)、數(shù) 位相機(jī)、個人數(shù)位助理、桌上型電腦、電視機(jī)、車上型顯示器、或可攜式 數(shù)位影碟播放器。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案 可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實施例提供一種影像顯示系統(tǒng)，其包括一自發(fā) 光顯示裝置。此自發(fā)光顯示裝置，包括 一陣列基板、 一發(fā)光二極管、 一第 一驅(qū)動薄膜晶體管、以及一第二驅(qū)動薄膜晶體管。該陣列基板具有一像素 區(qū)，發(fā)光二極管設(shè)置于陣列基板的像素區(qū)。該第 一驅(qū)動薄膜晶體管電性連接 至發(fā)光二極管，且包括疊置于陣列基板的像素區(qū)上的 一第 一柵極及一主動 層。該第二驅(qū)動薄膜晶體管電性連接至發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊 置于主動層上的一第二柵極。其中，在同一畫面周期下，第一柵極耦接至 一第一電壓，而第二柵極耦接至不同于第一電壓的一第二電壓。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實施例還提供一種影像顯示系統(tǒng)，其包 括一自發(fā)光顯示裝置。此自發(fā)光顯示裝置，包括 一陣列基板、 一發(fā)光二 極管、 一第一驅(qū)動薄膜晶體管、 一第二驅(qū)動薄膜晶體管、 一第一儲存電容 以及一第二儲存電容。該陣列基板具有一像素區(qū)，發(fā)光二極管設(shè)置于陣列 基板的像素區(qū)。該第一驅(qū)動薄膜晶體管電性連接至發(fā)光二極管，且包括疊 置于陣列基板的像素區(qū)上的一 第 一柵極及一主動層。該第二驅(qū)動薄膜晶體管電性連接至發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊置于主動層上的一第二柵 極。該第一儲存電容包括疊置于陣列基板的像素區(qū)上的一第一電極及一第 二電極，且第一電極電性連接至第一柵極。該第二儲存電容包括第二電極 及疊置于第二電極上的一第三電極，且第三電極電性連接至第二柵極。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明影像顯示系統(tǒng)至少具有下列的優(yōu)點(diǎn)及有益效果1、 本發(fā)明的影像顯示系統(tǒng)，由于發(fā)光二極管是由第一及第二驅(qū)動薄膜 晶體管輪流驅(qū)動，且利用未進(jìn)行驅(qū)動的薄膜晶體管將電子送回主動層中，而 可避免啟使電壓發(fā)生偏移。因此，本發(fā)明藉由在像素(畫素)結(jié)構(gòu)中額外增 加一驅(qū)動薄膜晶體管并藉由施加一偏壓，以回復(fù)陷入于柵極介電層中的電 子，進(jìn)而能夠有效的防止啟使電壓的偏移，非常適于實用。2、 再者，本發(fā)明的影像顯示系統(tǒng)，由于第二驅(qū)動薄膜晶體管及第二儲存電容是分別疊置于第 一驅(qū)動薄膜晶體管及第 一儲存電容上，故像素區(qū)的 開口率不會因增加驅(qū)動薄膜晶體管及儲存電容的數(shù)量而下降。因此，本發(fā)明藉由將額外增加的驅(qū)動薄膜晶體管疊置于原驅(qū)動薄膜晶體管上，可以增加 像素(畫素)的開口率(aperture ratio)，從而更加適于實用。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種影像顯示系統(tǒng)，其包括一自發(fā)光顯示 裝置。此自發(fā)光顯示裝置，包括 一陣列基板、 一發(fā)光二極管、第一及第 二驅(qū)動薄膜晶體管。陣列基板具有一像素區(qū)，發(fā)光二極管設(shè)置于陣列基板 的像素區(qū)。第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管電性連接至發(fā)光二極管。第一驅(qū)動 薄膜晶體管包括疊置于陣列基板的像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層。第 二驅(qū)動薄膜晶體管包括該主動層及疊置于主動層上的一第二柵極。在同一 畫面周期(frame)下，第一柵極耦接至一第一電壓，而第二柵極耦接至不同 于第一電壓的一第二電壓。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實用價值，其不論 在產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了 好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的影像顯示系統(tǒng)具有增進(jìn)的突出功效，從而更 加適于實用，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)"i兌明如下。


圖1A至圖1G是繪示根據(jù)本發(fā)明實施例的具有自發(fā)光顯示裝置的影像 顯示系統(tǒng)及其制造方法的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖2是繪示圖1G中自發(fā)光顯示裝置的等效電路圖。7圖3A、圖3B及圖3B-1是繪示圖1G中自發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動薄膜晶體 管操作示意圖。圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的影像顯示系統(tǒng)的方塊示意圖。100:陣列基板(下基板)102:緩沖層104、114:導(dǎo)電層104a、 114a:柵極104b、 108b、 114b:電才及106、 112:絕緣層107:半導(dǎo)體層108:主動層108a:源極/漏極區(qū)108c:輕摻雜漏極區(qū)110光阻圖案層111重離子布才直115輕離子布植116內(nèi)層介電層118平坦層119介層洞120源才及/漏杉U導(dǎo)電層)300自發(fā)光顯示裝置400自發(fā)光顯示面板500控制器600電子裝置Cl:第一儲存電容C2:第二儲存電容D:發(fā)光二極管DT1:第一驅(qū)動薄膜晶體管DT2第二驅(qū)動薄膜晶體管g:電子P:像素區(qū)VI、V2:電壓Vdd、 Vss:電壓源具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的影像顯示系統(tǒng)其具體 實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖 式的較佳實施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當(dāng);了解，'然而所附圖式僅是提:參考與說明之用，并:用來對本發(fā)明加以 限制。以下配合實施例說明本發(fā)明的影像顯示系統(tǒng)及其制造方法。請參閱圖1G及圖2所示，其中圖1G為本發(fā)明的一影像顯示系統(tǒng)的實施例，是繪示根 據(jù)本發(fā)明實施例的具有自發(fā)光顯示裝置的影像顯示系統(tǒng)及其制造方法的結(jié) 構(gòu)剖面示意圖；圖2是圖1G中自發(fā)光顯示裝置的等效電路圖，是繪示出圖1G 結(jié)構(gòu)的電性連接關(guān)系圖(或等效電路圖)。此影像顯示系統(tǒng)包括 一自發(fā)光 顯示裝置300，例如一有激電機(jī)發(fā)光裝置(0LED)。本發(fā)明較佳實施例的一影 像顯示系統(tǒng)，包括一下基板(以下稱作陣列基板)100以及一相對設(shè)置的上基 板(圖中未示)。該陣列基板100與上基板，可以為透明基板，例如玻璃、石英、或是其他透明材料。通常陣列基板100包括復(fù)數(shù)由掃描線及數(shù)據(jù)(資料) 線所定義而成的復(fù)數(shù)像素區(qū)。此處，為了簡化圖式，僅繪示出其中一像素 區(qū)P。再者，上述的陣列基板100的像素區(qū)P上設(shè)置有一發(fā)光二極管D(未繪 示于圖1G)、第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管DT1及DT2、以及第一及第二儲存 電容C1及C2;其中該第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1,可以為N型或P型。在本實施例中，是以 N型薄膜晶體管(NTFT)作為范例進(jìn)行說明。該第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1,其 包括一柵極104a、 一絕緣層(作為柵極介電層)106、 一具有源極/漏極區(qū) 108a及輕摻雜漏極(lightly doped drain, LDD)區(qū)108c的主動層108、以 及電性連接至源極/漏極區(qū)108a的源極/漏極(漏極即為汲極，本文均稱為漏 極)120。柵極104a及主動層108依序疊置于陣列基板100的像素區(qū)P上。該第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2，可以為N型或P型。在本實施例中，是以 N型薄膜晶體管(NTFT)作為范例進(jìn)行說明。該第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2，其 包括一柵極114a、 一絕緣層(作為柵極介電層)112、主動層108、以及源 極/漏極120。柵極114a疊置于主動層108上，且大體對準(zhǔn)于柵極104a。在 本實施例中，第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管DT1及DT2共用主動層108及源 極/漏極120。該第一儲存電容C1，包括二電極104b及108b以及位于其間的一絕緣 層(作為電容介電層)106。 二電極104b及108b依序疊置于陣列基板100的 像素區(qū)P上。該第二儲存電容C2，包括二電極108b及114b以及位于其間的一絕緣 層(作為電容介電層)112。電極114b疊置于電極108b上，且大體對準(zhǔn)于電 極104b。在本實施例中，第一及第二儲存電容Cl及C2共用電極108b。再 者，電極108b延伸自主動層108。亦即，電極108b與主動層108由同一材料 層定義而成，例如， 一多晶硅或非晶硅層。請參閱圖2所示，上述的第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管DT1及DT2的輸 入端電性連接至第一及第二儲存電容C1及C2的電極(即，電極108b),且耦 接至一電壓源Vdd。再者，第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管DT1及DT2的輸出端 電性連接至發(fā)光二極管D,而該發(fā)光二極管D耦接至低于電壓源Vdd電位的 一電壓源Vss。第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1的控制端(即，柵極104a)電性連接 至第一儲存電容C1的另一電極(即，電極104b)，而第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2 的控制端(即，柵極114a)電性連接至第二儲存電容C2的另一電極(即，電極 114b)。在本實施例中，當(dāng)自發(fā)光顯示裝置300進(jìn)行操作時，在同一畫面周期 (frame)下，第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1的柵極104a耦接至一電壓VI，而第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2的柵極114a耦接至一電壓V2，其中電壓VI與電壓 V2可具有相同的大小及相反的極性。請參閱圖3A、圖3B及圖3B-1所示，是繪示圖1G中自發(fā)光顯示裝置 300的驅(qū)動薄膜晶體管DT1及DT2的操作示意圖。如圖3A所示，在一畫面 周期下，第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1的柵極104a耦接至一電壓Vl，其極性為 負(fù)，而第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2的柵極114a是耦接至一電壓V2，其極性為 正。因此，電場E方向為由上而下，如圖中箭頭所示，且由第二驅(qū)動薄膜 晶體管DT2驅(qū)動發(fā)光二極管D。如此一來，位于主動層108的電子e會陷入 于第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2的柵極介電層112中，導(dǎo)致第二驅(qū)動薄膜晶體 管DT2容易在下一次驅(qū)動時啟使電壓發(fā)生偏移。因此，在下一個畫面周期 時，將電壓VI的極性轉(zhuǎn)為正，而電壓V2的極性轉(zhuǎn)為負(fù)，使電場E方向為由下 而上，如圖中箭頭所示，且由第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1驅(qū)動發(fā)光二極管D。如 此一來，陷入于柵極介電層112中的電子e會回到主動層108，防止第二驅(qū) 動薄膜晶體管DT2在下一次驅(qū)動時啟使電壓發(fā)生偏移，如圖3B所示。雖然位于主動層108的電子e會在此畫面周期下陷入于第一驅(qū)動薄膜 晶體管DT1的柵極介電層106中(如圖3B-1所示)，導(dǎo)致第一驅(qū)動薄膜晶體 管DT1容易在下一次驅(qū)動時啟使電壓發(fā)生偏移，但是可藉由在下一畫面周 期下將電壓VI的極性轉(zhuǎn)為負(fù)，而電壓V2的極性轉(zhuǎn)為正，使電場E方向為由 上而下(即，由第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2驅(qū)動發(fā)光二極管D)。如此一來，陷入 于柵極介電層106中的電子e會回到主動層108,防止第一驅(qū)動薄膜晶體管 DT1在下一次驅(qū)動時啟使電壓發(fā)生偏移。在其他的實施例中，電壓V1與電 壓V2亦可具有相同的極性及不同的大小，并可藉由相似的方法來避免啟使 電壓發(fā)生偏移。請參閱圖1A至圖1G所示，是繪示出根據(jù)本發(fā)明實施例的具有自發(fā)光顯 示裝置的影像顯示系統(tǒng)及其制造方法的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖1A所示，提 供一陣列基板IOO，例如透明玻璃或是石英，其具有一像素區(qū)P。在陣列基 板100上依序形成一緩沖層102及一導(dǎo)電層104。該緩沖層102可為一單層 結(jié)構(gòu)，例如為一氧化硅層或是一氮化硅層。其亦可為多層結(jié)構(gòu)，例如由一氧 化硅層與一氮化硅層所構(gòu)成。導(dǎo)電層104可為一金屬層，例如鋁(A1)、銀 (Ag)、鉬(Mo)、鋁釹(AlNd)合金、或是其組合所構(gòu)成。導(dǎo)電層104可藉由 現(xiàn)有習(xí)知的沉積纟支術(shù)所形成，例如濺鍍法。請參閱圖1B所示，對導(dǎo)電層104實施微影及蝕刻制程，以在像素區(qū)P中 定義出用于驅(qū)動薄膜晶體管的柵極104a及用于儲存電容的一電極l(Mb。之 后，在緩沖層102上依序形成一絕緣層106及一半導(dǎo)體層107，并覆蓋柵極 104a及電極104b。覆蓋柵極104a的絕緣層106作為柵極介電層，而覆蓋電 極104b的絕緣層106作為電容介電層。絕緣層106可為一單層結(jié)構(gòu)，例如10為一氧化硅層或是一氮化硅層。其亦可為多層結(jié)構(gòu)，例如由一氧化硅層與
一氮化硅層所構(gòu)成。半導(dǎo)體層107可為多晶硅層或非晶硅層。
請參閱圖1C所示，可在柵極104a上方的半導(dǎo)體層107上形成一光阻 圖案層110,接著利用光阻圖案層110作為布植罩幕，以對半導(dǎo)體層107實 施重離子布值111，而在柵極104a上方的絕緣層106上形成具有源極/漏 極區(qū)108a的主動層108，并且在電極104b上方的絕緣層106上形成電極 108b，其中電極104b、電極108b及絕緣層106是構(gòu)成一第一儲存電容Cl。
請參閱圖1D所示，在去除光阻圖案層IIO之后，在主動層108及延伸 自主動層108的電極108b上方依序形成一絕緣層112及一導(dǎo)電層114。絕 緣層112可為一單層結(jié)構(gòu)，例如為一氧化硅層或是一氮化硅層。其亦可為 多層結(jié)構(gòu)，例如由一氧化硅層與一氮化硅層所構(gòu)成。導(dǎo)電層114可為一金 屬層，例如鋁(A1)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鋁釹(AlNd)合金、或是其組合所構(gòu) 成，并可以藉由現(xiàn)有習(xí)知沉積技術(shù)所形成，例如濺鍍法。覆蓋主動層108的 絕緣層112作為柵極介電層，而覆蓋電極108b的絕緣層112作為電容介電 層。
請參閱圖IE所示，對導(dǎo)電層114實施微影及蝕刻制程，以在主動層108 上方的絕緣層112上形成柵極114a，并且在電極108b上方的絕緣層112上 形成電極114b，其中，柵極114a大體對準(zhǔn)柵極104a,而電極114b大體對 準(zhǔn)電極104b。電極108b、電極114b及絕緣層112是構(gòu)成一第二儲存電容 C2。接著，利用柵極114a作為布植罩幕，以對主動層108實施輕離子布值 115,而在其中形成輕摻雜漏極(lightly doped drain, LDD)區(qū)lOSc，其相鄰 于源極/漏極區(qū)108a。
請參閱圖IF所示，在絕緣層112上依序形成一內(nèi)層介電(interlayer dielectric, ILD)層116及一平坦層(或保護(hù)層)118，并覆蓋4冊極114a及電 極114b。之后，依序蝕刻平坦層118、 ILD層116、及絕緣層112,以在其中 介層洞119而露出源極/漏極區(qū)108a。
請參閱圖1G所示，在介層洞119填入導(dǎo)電層120，以電性連接至源極/ 漏極區(qū)108a。導(dǎo)電層120可為一金屬層，例如鋁(A1)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鋁 釹(AlNd)合金、或是其組合所構(gòu)成，用以作為薄膜晶體管的源極/漏極。在 本實施例中，柵極104a、絕緣層106、主動層108、以及源極/漏極120是構(gòu) 成一第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1,而柵極114a、絕緣層112、主動層108、以 及源極/漏極120是構(gòu)成第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2。
根據(jù)上述本實施例，由于發(fā)光二極管D由第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管 DT1及DT2輪流驅(qū)動，且利用未進(jìn)行驅(qū)動的薄膜晶體管將電子e送回主動層 108中，因此可避免啟使電壓發(fā)生偏移。再者，由于第二驅(qū)動薄膜晶體管DT2 及第二儲存電容C2分別疊置于第一驅(qū)動薄膜晶體管DT1及第 一儲存電容Cl上，因此像素區(qū)P的開口率不會因增加驅(qū)動薄膜晶體管及儲存電容的數(shù)量而 下降。
請參閱圖4所示，是繪示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的影像顯示系統(tǒng)的方 塊示意圖，是繪示出本發(fā)明另一實施例的影像顯示系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)可實 施成一自發(fā)光顯示裝置或是一電子裝置，例如筆記型電腦、手機(jī)、數(shù)位相 機(jī)、個人數(shù)位助理(PDA)、桌上型電腦、電視機(jī)、車上型顯示器、或可攜式 數(shù)位影碟(DVD)播放器。在其他實施例中，上述的自發(fā)光顯示裝置可以并入 一顯示面板中，其可為一自發(fā)光顯示面板。如圖4所示，自發(fā)光顯示面板 400包括一繪示于圖1G的自發(fā)光顯示裝置300。在其他實施例中，自發(fā)光 顯示面板可并入于電子裝置中。如圖4所示，電子裝置600包括具有自 發(fā)光顯示裝置300的自發(fā)光顯示面板400以及一控制器500耦接至自發(fā)光 顯示裝置300,其中控制器500是用以控制自發(fā)光顯示裝置300而根據(jù)輸入 來提供影像。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
1、一種影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其包括一自發(fā)光顯示裝置，包括一陣列基板，其具有一像素區(qū)；一發(fā)光二極管，設(shè)置于該陣列基板的該像素區(qū)；一第一驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層；以及一第二驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊置于該主動層上的一第二柵極；其中在同一畫面周期下，該第一柵極耦接至一第一電壓，而該第二柵極耦接至不同于該第一電壓的一第二電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中所述的自發(fā)光顯示裝置更包括一第一儲存電容，包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一電極及一第二電極，且該第一電極電性連接至該第一柵極；以及一第二儲存電容，包括該第二電極及疊置于該第二電極上的一第三電極，且該第三電極電性連接至該第二柵極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其更包括一自發(fā)光顯示面板，包括該自發(fā)光顯示裝置；以及一控制器，耦接至該自發(fā)光顯示裝置，用以控制該自發(fā)光顯示裝置而使該自發(fā)光顯示裝置根據(jù)輸入來提供影像。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中該系統(tǒng)包括一電子裝置，其包括該自發(fā)光顯示面板。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中所述的電子裝置包括筆記型電腦、手機(jī)、數(shù)位相機(jī)、個人數(shù)位助理、桌上型電腦、電視機(jī)、車上型顯示器、或可攜式數(shù)位影碟播放器。
6、 一種影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其包括一自發(fā)光顯示裝置，包括一陣列基板，其具有一像素區(qū)；一發(fā)光二極管，設(shè)置于該陣列基板的該像素區(qū)；一第一驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層；一第二驅(qū)動薄膜晶體管，電性連接至該發(fā)光二極管，且包括該主動層及疊置于該主動層上的一第二柵極；一第一儲存電容，包括疊置于該陣列基板的該像素區(qū)上的一第一電極及一第二電極，且該第一電極電性連接至該第一柵極；以及一第二儲存電容，包括該第二電極及疊置于該第二電極上的一第三電極，且該第三電極電性連接至該第二柵極。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中在同一畫面周期下，該第一柵極耦接至一第一電壓，而該第二柵極耦接至一第二電壓，且該第一電壓與該第二電壓具有相同的大小及相反的極性。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其更包括一自發(fā)光顯示面板，包括該自發(fā)光顯示裝置；以及一控制器，耦接至該自發(fā)光顯示裝置，用以控制該自發(fā)光顯示裝置而使該自發(fā)光顯示裝置根據(jù)輸入來提供影像。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中該系統(tǒng)包括一電子裝置，其包括該自發(fā)光顯示面板。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的影像顯示系統(tǒng)，其特征在于其中所述的電子裝置包括筆記型電腦、手機(jī)、數(shù)位相機(jī)、個人數(shù)位助理、桌上型電腦、電視機(jī)、車上型顯示器、或可攜式數(shù)位影碟播放器。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種影像顯示系統(tǒng)，包括一自發(fā)光顯示裝置。此自發(fā)光顯示裝置包括一陣列基板、一發(fā)光二極管、第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管；陣列基板具有一像素區(qū)，發(fā)光二極管設(shè)于陣列基板像素區(qū)。第一及第二驅(qū)動薄膜晶體管電性連接至發(fā)光二極管。第一驅(qū)動薄膜晶體管包括疊置于陣列基板像素區(qū)上的一第一柵極及一主動層。第二驅(qū)動薄膜晶體管包括該主動層及疊置于主動層上的一第二柵極。在同一畫面周期下，第一柵極耦接至一第一電壓，第二柵極耦接至不同于第一電壓的一第二電壓。本發(fā)明藉由額外增加驅(qū)動薄膜晶體管并藉由施加一偏壓以回復(fù)陷入柵極介電層中電子，能防止啟使電壓偏移，另可增加像素開口率。
文檔編號H01L27/32GK101521218SQ200810006329
公開日2009年9月2日 申請日期2008年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月26日
發(fā)明者劉侑宗, 李淂裕 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司