專利名稱：真空處理裝置、真空處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過預(yù)備真空室、真空輸送室將半導(dǎo)體晶 圓從常壓氣氛輸送到真空處理室，并在該真空處理室中對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理的真空處理裝置和使用該真空處理裝置的真 空處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，具有對(duì)作為半導(dǎo)體基板的晶圓進(jìn)行蝕刻處理或成膜處理、灰化(ashing)處理等規(guī)定真空 處理的工序，作為實(shí)施上述工序的裝置，公知有采用所謂多腔 室的真空處理裝置，即，使多個(gè)真空處理室與共用的真空氣氛 輸送室連接，通過預(yù)備真空室連接該真空輸送室和大氣氣氛輸 送室。圖14表示上這樣的真空處理裝置。在該裝置中，托架10內(nèi) 的晶圓由常壓氣氛輸送室ll的第1輸送臂12取出，由該輸送臂 12將晶圓輸送到常壓氣氛的預(yù)備真空室13。接著，將預(yù)備真空 室13內(nèi)的氣氛切換為規(guī)定的真空氣氛之后，由第2輸送臂14從 預(yù)備真空室13取出晶圓，通過真空輸送室15將該晶圓搬入規(guī)定 的真空處理室16,在此，對(duì)晶圓進(jìn)行真空處理。之后，由第2 輸送臂14通過真空輸送室15將晶圓輸送到真空氣氛預(yù)備真空 室13,將預(yù)備真空室13內(nèi)的氣氛切換為常壓氣氛之后，用第l 輸送臂12通過輸送室ll將晶圓送回到托架IO。然而，在這樣的真空處理裝置中，在將晶圓輸送到真空處 理室16之前，對(duì)晶圓進(jìn)行對(duì)位，例如在上述裝置中，對(duì)位機(jī)構(gòu) 17連接于輸送室11。在該構(gòu)成中，用第1輸送臂12將從托架10取出的晶圓輸送到對(duì)位機(jī)構(gòu)17,另外，對(duì)位后的晶圓由上述第 1輸送臂12輸送到預(yù)備真空室13。但是，若將對(duì)位機(jī)構(gòu)17設(shè)置在大氣輸送區(qū)域中，則第l輸 送臂12必須相對(duì)于托架10、預(yù)備真空室13和對(duì)位機(jī)構(gòu)17這3個(gè) 位置進(jìn)行晶圓的交接，存在該輸送臂12的負(fù)荷大，輸送效率變 差這樣的問題。另外，在對(duì)位之后，按照第l輸送臂12—預(yù)備 真空室13—第2輸送臂空處理室16這樣的路徑輸送晶 圓，因此，在輸送到真空處理室16之前，在第1輸送臂12和第2 輸送臂14之間進(jìn)行晶圓的交接，輸送次數(shù)變多。因此，還存在 在輸送中產(chǎn)生錯(cuò)位的機(jī)會(huì)多、交接到真空處理室16時(shí)的位置精 度可能變差這樣的問題。可是，例如在真空輸送室中設(shè)置對(duì)位^^構(gòu)的構(gòu)成也是眾所 周知的。在該構(gòu)成中，通過設(shè)置在上述真空輸送室內(nèi)的第2輸 送臂從預(yù)備真空室向真空輸送室輸送晶圓，由該輸送臂將晶圓 輸送到對(duì)位機(jī)構(gòu)。而且，對(duì)位后的晶圓由上述第2輸送臂輸送 到規(guī)定的真空處理室。因此，即使在真空輸送部分i殳置對(duì)位機(jī) 構(gòu)，上述第2輸送臂也必須相對(duì)于預(yù)備真空室、對(duì)位機(jī)構(gòu)和真 空處理室這3個(gè)位置進(jìn)行晶圓的交接，因此，與在大氣輸送區(qū) 域設(shè)置對(duì)位機(jī)構(gòu)的情況相同，同樣存在裝置的生產(chǎn)率降低這樣 的問題。另一方面，有時(shí)為了下一工序而在預(yù)備真空室中對(duì)晶圓進(jìn) 行預(yù)冷卻或者預(yù)加熱。專利文獻(xiàn)l公示了 一種技術(shù)通過向保 持有晶圓的密閉空間導(dǎo)入氣體來冷卻晶圓，通過設(shè)置在晶圓上 方一側(cè)的加熱燈加熱晶圓。但是，該專利文獻(xiàn)l不是著眼于本 發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，該文獻(xiàn)l的構(gòu)成，也不能解決本發(fā) 明的技術(shù)問題。專利文獻(xiàn)l:日本特開平11-214478號(hào)公報(bào)(圖3)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而作出的，本發(fā)明的目的在于提供 一種能夠減輕輸送臂的負(fù)荷、增大生產(chǎn)率，并以高對(duì)位精度將 晶圓輸送到真空處理室的技術(shù)。為此，本發(fā)明的等離子處理裝置為真空處理裝置，由設(shè)置 在常壓氣氛中的第l輸送臂相對(duì)于預(yù)備真空室交接作為半導(dǎo)體基板的晶圓，并由設(shè)置在真空輸送室中的第2輸送臂在上述預(yù) 備真空室與真空處理室之間輸送上述晶圓，在該真空處理室內(nèi) 對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理，該預(yù)備真空室可在常壓氣氛和真空 氣氛之間進(jìn)行切換，其特征在于， 上述預(yù)備真空室包括調(diào)溫板，用于載置晶圓并對(duì)該晶圓調(diào)整溫度；旋轉(zhuǎn)臺(tái)，被設(shè)置成載置晶圓并繞垂直軸線自由旋轉(zhuǎn)，該旋 轉(zhuǎn)臺(tái)在上升位置和下降位置之間進(jìn)行升降，并與上述第1輸送 臂以及第2輸送臂交接晶圓，在該上升位置處將晶圓保持在從 調(diào)溫板浮上來的位置，在該下降位置處該旋轉(zhuǎn)臺(tái)沒入于上述調(diào) 溫板，并將晶圓載置到該調(diào)溫板上；位置數(shù)據(jù)獲取部，用于獲取在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上載置的晶圓周 緣的位置數(shù)據(jù)；運(yùn)算單元，基于由上述位置數(shù)據(jù)獲取部獲取的位置數(shù)據(jù)， 運(yùn)算晶圓中心位置和晶圓朝向；控制單元，基于該單元的運(yùn)算結(jié)果，控制上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋 轉(zhuǎn)以對(duì)準(zhǔn)晶圓朝向，并控制上述第2輸送臂，使得在晶圓中心 和真空處理室的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將上述晶圓交接 到上述載置部。在此，上述調(diào)溫板可以是冷卻板，用于對(duì)載置在該調(diào)溫板上的真空處理后的晶圓進(jìn)行冷卻。此外，可以是上述位置數(shù)據(jù) 獲取部包括檢測部，該檢測部對(duì)借助上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)而旋轉(zhuǎn)的真空 處理前的晶圓的周緣位置進(jìn)行光學(xué)檢測，上述位置數(shù)據(jù)是使晶 圓旋轉(zhuǎn)方向位置和晶圓周緣位置相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。此外，可以是上述位置數(shù)據(jù)獲取部具有檢測部，該檢測部 對(duì)載置于上述調(diào)溫板上的真空處理后的晶圓周緣的至少三處位置進(jìn)行光學(xué)檢測，該真空處理裝置還包括運(yùn)算單元，基于由 該位置數(shù)據(jù)獲取部獲得的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓的中心位置；控 制單元，基于該運(yùn)算單元的運(yùn)算結(jié)果來控制上述第l輸送臂， 使得將晶圓載置到上述第1輸送臂所設(shè)定的載置位置上?？梢詷?gòu)成為上述位置數(shù)據(jù)獲取部具有發(fā)光部和受光部， 該發(fā)光部設(shè)置在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上方一側(cè)或者下方一側(cè)，該受光部 在上述調(diào)溫板下方 一 側(cè)或者上方 一 側(cè)設(shè)于上述發(fā)光部的光軸 上，在上述調(diào)溫板上形成有用于使上述發(fā)光部的光透射過的透 光部。此外，上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)可以構(gòu)成為具有從旋轉(zhuǎn)中心部呈放 射狀延伸的多個(gè)棒狀部，上述調(diào)溫板可以做成為加熱板，用于 對(duì)載置到該調(diào)溫板上的真空處理前的晶圓進(jìn)行預(yù)加熱。此外，本發(fā)明的真空處理方法，由設(shè)置在常壓氣氛中的第 l輸送臂相對(duì)于預(yù)備真空室交接作為半導(dǎo)體基板的晶圓，并由 設(shè)置在真空輸送室中的第2輸送臂將上述晶圓在上述預(yù)備真空 室與真空處理室之間輸送，在該真空處理室內(nèi)對(duì)上述晶圓進(jìn)行 真空處理，該預(yù)備真空室可在常壓氣氛和真空氣氛之間進(jìn)行切 換，其特征在于，該真空處理方法包括如下步驟由上述第l輸送臂將上述晶圓搬入上述預(yù)備真空室，并將 該晶圓載置于設(shè)于調(diào)溫板上方一側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；一邊由上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)使晶圓旋轉(zhuǎn)， 一邊由位置數(shù)據(jù)獲取部獲 取上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)；接著，基于上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓朝向，為 了對(duì)準(zhǔn)該朝向而控制上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)；基于上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓的中心位置，控制上述第2輸送臂，使得在該晶圓中心和真空處理室的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將該晶圓交接到上述載置部。在此，優(yōu)選是一邊對(duì)預(yù)備真空室進(jìn)行減壓， 一邊實(shí)施獲取上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)的步驟。此外，可以進(jìn)行如下步驟 由上述第2輸送臂將真空處理后的晶圓搬入上述預(yù)備真空室， 并將該晶圓載置于設(shè)于調(diào)溫板上方一側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；使上述旋 轉(zhuǎn)臺(tái)下降，將上述真空處理后的晶圓交接到調(diào)溫板上，將該晶 圓載置到調(diào)溫板上并進(jìn)行冷卻。也可以進(jìn)行如下步驟將真空 處理后的晶圓載置到調(diào)溫板上，獲取該晶圓周緣的至少三處位 置的位置數(shù)據(jù)；基于上述位置數(shù)據(jù)來運(yùn)算晶圓的中心位置，控 制上述第l輸送臂，使得將晶圓載置到上述第l輸送臂所設(shè)定的 載置位置上。另外，本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)，用于真空處理裝置，存儲(chǔ)在計(jì) 算機(jī)上工作的計(jì)算機(jī)程序，該真空處理裝置通過預(yù)備真空室及 真空輸送室將作為半導(dǎo)體基板的晶圓輸送到真空處理室，在該 真空處理室中對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理，該預(yù)備真空室能夠在 常壓氣氛和真空氣氛之間進(jìn)行切換，其特征在于，上述計(jì)算機(jī)程序編入上述步驟以便實(shí)施權(quán)利要求8 11中 任一項(xiàng)所述的真空處理方法。根據(jù)本發(fā)明，由第l輸送臂從常壓氣氛將晶圓載置到預(yù)備 真空室內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，接著，通過位置數(shù)據(jù)獲取部對(duì)該旋轉(zhuǎn)臺(tái) 上的晶圓獲取晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)，基于該位置數(shù)據(jù)對(duì)晶圓的 朝向進(jìn)行對(duì)位，并通過真空輸送室的第2輸送臂取出上述旋轉(zhuǎn) 臺(tái)上的晶圓，并將晶圓輸送到真空處理室的載置部上，以便進(jìn)行晶圓的中心對(duì)位。因此，第l輸送臂以及第2輸送臂的訪問位 置較少，因而，能夠減輕這些輸送臂的負(fù)荷，提高生產(chǎn)率。另 外，進(jìn)行了朝向?qū)ξ缓椭行膶?duì)位后的晶圓被第2輸送臂從預(yù)備 真空室取出之后，立即被輸送到真空處理室，因此，能夠以對(duì) 位精度較高的狀態(tài)輸送到真空處理室。


圖l為表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的真空處理裝置的俯視圖。圖2為表示設(shè)于上述真空處理裝置中的預(yù)備真空室的一個(gè)例子的剖視圖。圖3 (a)、 (b)為表示設(shè)于上述預(yù)備真空室中的調(diào)溫板和 旋轉(zhuǎn)臺(tái)的立體圖和俯視圖。圖4為表示上述真空處理裝置的控制部的 一 個(gè)例子的構(gòu)成圖。圖5為用于說明上述真空處理裝置的作用的步驟圖。 圖6為用于說明上述真空處理裝置的作用的步驟圖。 圖7 ( a )、 ( b )為用于說明上述真空處理裝置的作用的剖 視圖。圖8 ( a )、 ( b )為用于說明上述真空處理裝置的作用的剖 視圖。圖9 (a)、 (b)為用于說明上述真空處理裝置的作用的剖 視圖。圖IO為用于說明上述真空處理裝置的作用的剖視圖。 圖ll為表示上述真空處理裝置的另 一例子的檢測部的俯 視圖。圖12為用于說明上述真空處理裝置的另 一例子的作用的步驟圖。圖13為表示上述真空處理裝置的另 一例子的剖視圖。 圖14為表示以往的真空處理裝置的俯視圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照?qǐng)Dl,對(duì)本發(fā)明的真空處理裝置的一個(gè)實(shí)施方 式進(jìn)行說明。在圖1中，20為容納許多張晶圓W的多個(gè)、例如3 個(gè)密閉型托架，這些托架20通過門GT沿圖中X方向并列地連接 于第1輸送室21的一側(cè)壁部。另外，兩個(gè)預(yù)備真空室22、 23沿 圖中X方向并列地通過閘閥Gl連接于第l輸送室21的 一 壁部， 該壁部與連接例如托架20的壁部相對(duì)。將上述第1輸送室21調(diào)整為常壓氣氛，該常壓氣氛可以為 大氣氣氛，也可以為惰性氣體的常壓氣氛。另外，在第l輸送 室21內(nèi)部設(shè)有第l輸送臂Al,該第1輸送臂A1被構(gòu)成為沿著例 如托架20的排列方向(圖中X方向)自由移動(dòng)、自由升降、繞 垂直軸線自由^^轉(zhuǎn)、自由進(jìn)退，從而相對(duì)于4乇架20和預(yù)備真空 室22、 23進(jìn)行晶圓W的交接。上述預(yù)備真空室22、 23在輸送晶圓W時(shí)調(diào)整氣氛，通過閘 閥G2連接形成真空輸送室的第2輸送室24。另外，多個(gè)、例如4 個(gè)真空處理室25 28通過閘閥G3連接于第2輸送室24。例如， 使用成膜裝置、退火裝置、蝕刻裝置等作為真空處理室25 28。在上述第2輸送室24內(nèi)部設(shè)有第2輸送臂A2 ，該第2輸送臂 A2被構(gòu)成為沿著例如圖中Y方向自由移動(dòng)、自由升降、繞垂直 軸線自由旋轉(zhuǎn)、自由進(jìn)退，從而相對(duì)于預(yù)備真空室22、 23和真 空處理室25 28進(jìn)行晶圓W的交接。這樣，由第1輸送臂A1通過 閘閥Al相對(duì)于預(yù)備真空室22、 23交接晶圓W,同時(shí)由第2輸送 臂A2通過閘閥A2相對(duì)于預(yù)備真空室22、 23交接晶圓W。接著，參照?qǐng)D2、圖3說明上述預(yù)備真空室22、 23。圖中的 30為腔室，31為將形成于腔室30上表面的開口部覆蓋的蓋體。 在腔室30側(cè)壁上形成與第1輸送室21連通的開口部32、并形成 與第2輸送室22連通的開口部33,這些開口部32、 33分別通過 上述閘閥G1、 G2自由開閉。在腔室3 0內(nèi)部設(shè)有形成為例如圓板狀的調(diào)溫4反4,該調(diào)溫 板4用于將作為半導(dǎo)體基板的晶圓W載置到上表面來調(diào)整溫度。 該調(diào)溫板4通過例如接觸其底部地設(shè)置的調(diào)溫機(jī)構(gòu)42來調(diào)整溫 度。該調(diào)溫機(jī)構(gòu)42通過使調(diào)整為規(guī)定溫度的調(diào)溫流體在例如流 路42a內(nèi)流通，從而調(diào)節(jié)上述調(diào)溫板4的溫度，這樣，如下所述， 調(diào)溫板4在冷卻晶圓W時(shí)被用作冷卻板，在加熱晶圓W時(shí)被用作 力口熱板。另外，在調(diào)溫板4的大致中心，以貫通上述調(diào)溫板4的方式 設(shè)有驅(qū)動(dòng)軸51,在該驅(qū)動(dòng)軸51上表面安裝旋轉(zhuǎn)臺(tái)5。該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5 被構(gòu)成為在調(diào)溫板4的上方一側(cè)，保持晶圓W背面?zhèn)鹊乩@垂直 軸線旋轉(zhuǎn)。另外，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5用于在上述第1輸送臂A1和第2輸 送臂A2之間交接晶圓W,并用于將晶圓W交接到調(diào)溫板4。因此，將該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5的形狀設(shè)定為，在與第1輸送臂A1以及 第2輸送臂A2之間交接晶圓W時(shí)，不與這些輸送臂A1、 A2發(fā)生 干涉，例如，在該例子中，如圖3所示，在構(gòu)成旋轉(zhuǎn)中心的驅(qū) 動(dòng)軸51上安裝3根保持臂52 54,這些保持臂52 54從上述驅(qū)動(dòng) 軸51向調(diào)溫板4的周緣部呈放射狀延伸，形成多個(gè)棒狀部。在 這些保持臂52 54前端設(shè)有突起52a 54a,在該突起52a 54a 上載置晶圓W。另一方面，對(duì)于第1以及第2輸送臂A1、 A2，以圖3(b) 中所示第1輸送臂A1為例進(jìn)行說明，通過具有例如兩個(gè)臂部的 叉50保持晶圓W,設(shè)定旋轉(zhuǎn)臺(tái)5的大小、形狀，使得旋轉(zhuǎn)臺(tái)5位于該叉50的內(nèi)側(cè)。上述驅(qū)動(dòng)軸51的下端 一 側(cè)貫通腔室30的底壁，在腔室30 外側(cè)的下方 一側(cè)連接于驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)55。該驅(qū)動(dòng)才幾構(gòu)55具有由例如 電動(dòng)機(jī)M1構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)56、以及具有滾珠絲杠機(jī)構(gòu)57a和導(dǎo) 軌57b的升降機(jī)構(gòu)57。圖中58為0形密封圈、59為磁性密封構(gòu) 件，這些構(gòu)件用于使驅(qū)動(dòng)軸51以相對(duì)于腔室30保持氣密性的狀 態(tài)旋轉(zhuǎn)以及升降。另外，在調(diào)溫板4的表面形成有具有將旋轉(zhuǎn)臺(tái)5容納在內(nèi)部 的大小的凹部41，這樣，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5在上升位置和下降位置之 間自由升降，在該上升位置處將晶圓W保持在從調(diào)溫板4浮上來 的位置，在該下降位置處載置有晶圓W的旋轉(zhuǎn)臺(tái)5沒入調(diào)溫板4 內(nèi)部、使晶圓W載置到該調(diào)溫板4上。另外，在調(diào)溫板4的周緣 部形成有突部40。如上所述，旋轉(zhuǎn)臺(tái)5被構(gòu)成為使保持著晶圓W的輸送臂 Al、 A2從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上方一側(cè)下降，從而，從上述輸送臂A1、 A2 將晶圓W交接到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上，并使輸送臂A1、 A2從載置有晶圓 W的旋轉(zhuǎn)臺(tái)5下方一側(cè)上升，從而，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5將晶圓W交接到 輸送臂A1、 A2。另外，使載置有晶圓W的旋轉(zhuǎn)臺(tái)5下降，沒入 調(diào)溫板4的凹部41中，從而，從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5將晶圓W交接到調(diào)溫板 4上，并使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5從載置著晶圓W的調(diào)溫板4內(nèi)部上升，從而， 從調(diào)溫板4將晶圓W交接到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5。另外，上述預(yù)備真空室22、 23具有用于檢測晶圓W周緣位 置的位置數(shù)據(jù)獲取部。上述位置數(shù)據(jù)獲取部可以使用例如具有 光學(xué)檢測晶圓W周緣位置的檢測部的構(gòu)件，例如檢測部可以使 用由透射型光傳感器構(gòu)成的線傳感器(line sensor) 6。上述 線傳感器6具有發(fā)光部61和受光部62,上述發(fā)光部61設(shè)置在例 如蓋體31的上部，向載置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上的晶圓W的包括周緣在內(nèi)的測定區(qū)域輸出光，另一方面，受光部62設(shè)置在發(fā)光部61光 軸上、與發(fā)光部61相對(duì)的位置，從而接收從上述發(fā)光部61發(fā)出 的光，在該例子中，受光部62設(shè)置在腔室30底壁的外側(cè)。如上所述，由于發(fā)光部61和受光部62隔著調(diào)溫^反4地設(shè)置， 因此，在調(diào)溫一反4中的由發(fā)光部61的光軸形成的區(qū)域，形成有 透光部43。另外，在腔室30底壁以及蓋體31上的由發(fā)光部61 的光軸形成的區(qū)域，也分別形成有透光部30a、 31a。在該例子 中，上述透光部30a、 31a、 43由缺口部形成，但也可以由玻璃 等透光材料形成上述光軸形成區(qū)域。這樣，在發(fā)光部61和受光 部62之間形成用于檢測晶圓W周緣部的光軸，設(shè)定發(fā)光部61以 及受光部62的位置、光軸形成區(qū)域?qū)挾龋瑥亩馆d置到旋轉(zhuǎn)臺(tái) 5上的晶圓W的周緣區(qū)域位于該光軸上。在此，在該例子中，使載置晶圓W的旋轉(zhuǎn)臺(tái)5以規(guī)定旋轉(zhuǎn)速 度旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，從線傳感器6向輸送到真空處理室25 28之前的 真空處理前的晶圓W周緣區(qū)域發(fā)光，從而來檢測晶圓W的周緣 位置，該旋轉(zhuǎn)速度和線傳感器6的檢測值被輸出到下述控制部 7。另外，為了使預(yù)備真空室22、 23內(nèi)從常壓氣氛減壓到真空 氣氛，使預(yù)備真空室22、 23通過排氣路72以及閥Vl而與真空 泵71連接，同時(shí)，為了使真空氣氛的預(yù)備真空室22、 23從真空 氣氛升壓到常壓氣氛，使預(yù)備真空室22、 23通過供給路74以及 閥V2而與惰性氣體、例如氮?dú)獾墓┙o源73連接。另外，如圖l、圖2所示，在該真空處理裝置中設(shè)有例如由 計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部7，該控制部7具有由程序、存儲(chǔ)器、CPU 構(gòu)成的數(shù)據(jù)處理部，在上述程序中編入命令(各步驟)，從而， 從控制部7向真空處理裝置各部分發(fā)送控制信號(hào)，按照下述輸 送順序進(jìn)行。該程序存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)、例如軟盤、小型盤、硬盤、MO (光磁盤)等存儲(chǔ)部71A中，安裝到控制部7。在此，在預(yù)備真空室22、 23中，通過控制部7在下述時(shí)候 向各部分發(fā)送控制信號(hào)，即，打開以及關(guān)閉閘閥G1、 G2時(shí)， 在第1以及第2輸送臂A1、 A2與旋轉(zhuǎn)臺(tái)5之間交接晶圓W時(shí)，在 旋轉(zhuǎn)臺(tái)5與調(diào)溫板4之間交接晶圓W時(shí)，調(diào)整調(diào)溫板4的溫度時(shí)， 切換腔室30內(nèi)的常壓氣氛和真空氣氛時(shí)，由線傳感器6檢測位 置時(shí)等時(shí)。另外，上述程序也包括用于進(jìn)行晶圓W對(duì)位的程序，如圖4 所示，該程序包括基于旋轉(zhuǎn)臺(tái)5的上述旋轉(zhuǎn)速度和線傳感器6 的檢測值，獲取使晶圓W旋轉(zhuǎn)方向位置和晶圓W周緣位置相對(duì) 應(yīng)的數(shù)據(jù)的位置獲取單元72A;基于該晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)， 運(yùn)算晶圓W中心位置和晶圓朝向、即槽口位置的第l運(yùn)算單元 73A;基于上述槽口位置，控制旋轉(zhuǎn)臺(tái)5旋轉(zhuǎn)以校對(duì)晶圓朝向的 旋轉(zhuǎn)臺(tái)控制單元74A;第2輸送臂控制單元75,基于上述晶圓W 的中心位置控制第2輸送臂A2 ，使得由第2輸送臂A2在真空處 理室25~28的晶圓W載置部的中心與晶圓W中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下 將該晶圓W交接到上述載置部。在該例子中，位置數(shù)據(jù)獲取部 由構(gòu)成沖企測部的線傳感器和位置獲取單元72A構(gòu)成。而且，圖4 中的70為總線。接著，參照?qǐng)D5~圖IO對(duì)本發(fā)明的真空處理裝置的作用進(jìn)行 說明。首先，對(duì)在真空處理之前的輸送晶圓W進(jìn)行說明。將容 納了許多張晶圓W的密閉型托架20搬入第l輸送室21,打開門 GT,由第1輸送臂A1取出上述托架20內(nèi)的晶圓W。接著，如圖 7(a)所示，打開常壓氣氛的預(yù)備真空室22 (或者23)的閘閥 Gl，由第1輸送臂A1通過開口部32將該晶圓W搬入預(yù)備真空室 22 ( 23 )內(nèi)(步驟S1 )。在此，在預(yù)備真空室22 ( 23 )中，使 旋轉(zhuǎn)臺(tái)5位于上述上升位置。然后，由第1輸送臂A1將上述晶圓W載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上后，使第1輸送臂A1退出，關(guān)閉閘閥G1 (步驟S2)。而且，為了方便圖示，在圖7~圖IO中省略了蓋體31。接著，如圖7 (b)所示，打開閥V1、通過真空泵71開始向 預(yù)備真空室22 ( 23 )內(nèi)排放真空氣體(步驟S3),同時(shí)，使旋 轉(zhuǎn)臺(tái)5以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并使線傳感器6工作，通過位置 獲取單元72A獲取晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)(步驟S4)。然后，由 第1運(yùn)算單元73A基于上述位置數(shù)據(jù)運(yùn)算求出晶圓W的中心位 置和槽口位置(步驟S5)。接著，如圖8(a)所示，由控制部7的旋轉(zhuǎn)臺(tái)控制單元74A 基于上述運(yùn)算結(jié)果，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5旋轉(zhuǎn)來對(duì)上述槽口進(jìn)行對(duì)位， 以對(duì)準(zhǔn)該槽口位置(步驟S6 )。然后，如圖8(b)所示，將預(yù) 備真空室22( 23 )內(nèi)減壓至規(guī)定的真空氣氛之后，打開閘閥G2， 使第2輸送臂A2通過開口部33進(jìn)入預(yù)備真空室22 ( 23 )內(nèi)。這 時(shí)，由控制部7的第2輸送臂控制單元75基于上述運(yùn)算結(jié)果控制 第2輸送臂A2，使得第2輸送臂A2在真空處理室25 28的晶圓W 載置部中心與晶圓W中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將該晶圓W交接到上述 載置部。在該例子中，控制上述輸送臂A2，從而使該輸送臂A2 在晶圓W中心對(duì)位于在第2輸送臂A2所設(shè)定的載置位置上的狀 態(tài)下從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5取下晶圓W (步驟S7)。這樣，在將晶圓W的中心位置和槽口對(duì)位的狀態(tài)下，將晶 圓W從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5交接到第2輸送臂A2，該第2輸送臂A2通過開口 部33從預(yù)備真空室22 ( 23 )退出之后，關(guān)閉閘閥G2。另一方 面，由第2輸送臂A2將該晶圓W輸送到規(guī)定的真空處理室25(或 者26~28中的任意 一 個(gè))(步驟S8 ),在上述真空處理室25 (26~28)中實(shí)施規(guī)定的真空處理(步驟S9)。接著，對(duì)在真空處理之后的輸送晶圓W進(jìn)行說明。如圖9 (a)所示，由第2輸送臂A2將在上述規(guī)定真空處理室25(26~28)內(nèi)處理后的晶圓W從該真空處理室25 ( 26~28)搬 出(步驟Sll)，通過開口部33將該晶圓W搬入預(yù)備真空室23(或者22)內(nèi)(步驟S12)。這時(shí)，上述預(yù)備真空室23 ( 22 )被 設(shè)定為規(guī)定的真空氣氛，之后，打開閘閥G2，但在此之前，使 旋轉(zhuǎn)臺(tái)5位于上述上升位置。而且，由第2輸送臂A2將晶圓W載 置到上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上之后，使第2輸送臂A2退出，關(guān)閉閘閥G2(步驟S13)。接著，如圖9(b)所示，關(guān)閉閥Vl,打開閥V2，開始從 惰性氣體供給源73向預(yù)備真空室23 ( 22 )內(nèi)導(dǎo)入惰性氣體、例 如氮?dú)?步驟S14)。另一方面，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5下降到上述下降位 置，將晶圓W交接到被冷卻至規(guī)定溫度、例如20。C 3(TC左右 的調(diào)溫板4上(步驟S15 )。在此，完成真空處理后纟皮搬入到預(yù) 備真空室23( 22 )時(shí)的晶圓W的溫度為例如200。C 40(TC左右， 將該晶圓W載置在調(diào)溫板4上規(guī)定時(shí)間，從而將該晶圓W冷卻到 例如小于100。C (步驟S16)。在該情況下，調(diào)溫板4被用作冷卻 板。如上所述，將晶圓W冷卻到小于100。C的原因在于為了 控制晶圓W的滑動(dòng)，第1輸送臂A1的保持部由橡膠形成，但若 晶圓W的溫度為100 。C以上，則會(huì)由于熱而使上述橡膠變質(zhì)， 另外，若在密閉型托架20中容納溫度為100°C以上的晶圓W, 則晶圓W會(huì)由于某些原因而受到污染。接著，如圖10所示，使預(yù)備真空室23 ( 22 )內(nèi)退回到常壓 氣氛，將晶圓W的溫度冷卻到例如小于100。C的溫度之后，打 開閘閥Gl,使第1輸送臂A1通過開口部32進(jìn)入預(yù)備真空室23 (22)內(nèi)。這時(shí)，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5位于上述上升位置，將晶圓W從 調(diào)溫板4交接到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5 (步驟S17)。然后，將晶圓W從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5交接到第1輸送臂A1，保持著晶 圓W的第1輸送臂A1通過開口部32從預(yù)備真空室23 ( 22 )退出之后，關(guān)閉閘閥G1。另一方面，由第1輸送臂A1通過第l輸送室21將晶圓W送回到規(guī)定的托架(步驟S18)。在這樣的真空處理裝置中，在預(yù)備真空室22、 23中設(shè)置旋 轉(zhuǎn)臺(tái)5,該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5用于在第1輸送室21的第1輸送臂A1、第2輸 送室24的第2輸送臂A2之間交接晶圓W,對(duì)于真空處理之前的 晶圓W,在將晶圓W載置到該旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上時(shí)，使用線傳感器6獲 取晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)，基于該位置數(shù)據(jù)，對(duì)晶圓W的中心 和槽口進(jìn)行對(duì)位。因此，即使對(duì)晶圓W進(jìn)行對(duì)位，第1輸送臂A1只要對(duì)密閉 型托架20和旋轉(zhuǎn)臺(tái)5這兩個(gè)位置輸送晶圓W即可，另外，第2輸 送臂A2只要對(duì)旋轉(zhuǎn)臺(tái)5和真空處理室25 ( 26~28)這兩個(gè)位置 輸送晶圓W即可。這樣，第1輸送臂A1以及第2輸送臂A2的訪 問位置都為兩個(gè)，因此，可以減輕兩個(gè)輸送臂的負(fù)擔(dān)，增大輸 送效率。另外，晶圓W在預(yù)備真空室22 ( 23 )中進(jìn)行對(duì)位之后，由 第2輸送臂A 2從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5取下，保持該狀態(tài)直接被輸送到規(guī)定的 真空處理室25 ( 26~28)。因此，向真空處理室25 ( 26~28)的 晶圓載置部交接晶圓W時(shí)的、對(duì)位后的交接次數(shù)為l次即可，因 此，由交接操作導(dǎo)致錯(cuò)位的可能性小、中心和槽口的對(duì)位精度 高，在該狀態(tài)中，可以向真空處理室25 ( 26~28)的晶圓載置 部輸送晶圓W。另外，由于在使預(yù)備真空室22 ( 23 )從常壓氣 氛切換為真空氣氛的期間，對(duì)晶圓W進(jìn)行對(duì)位，因此，即使在 真空處理前進(jìn)行對(duì)位，也不需要特別預(yù)備對(duì)位所需時(shí)間，從這 一點(diǎn)上，可以提高生產(chǎn)率。接著，對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施方式進(jìn)行說明。該例子適用于 對(duì)真空處理后的晶圓W也進(jìn)行對(duì)位的情況，例如，在該例子中， 如圖ll所示，沿著晶圓W周緣設(shè)置3個(gè)構(gòu)成檢測部的透光型傳感器、例如線傳感器6A、 6B、 6C,以檢測晶圓W周緣的至少3 處位置。這些線傳感器6A、 6B、 6C分別具有發(fā)光部61和受光 部62,在調(diào)溫板4的由發(fā)光部61的光軸形成的區(qū)域中，對(duì)應(yīng)各 個(gè)發(fā)光部61地形成未圖示的透光部。這些線傳感器6A 6C的檢測值被輸出到控制部7,控制部7 包括基于線傳感器6A 6C的檢測值來運(yùn)算晶圓W中心位置的 位置數(shù)據(jù)的第2運(yùn)算單元，基于該運(yùn)算結(jié)果控制輸送臂A1、以 使晶圓W載置于第1輸送臂A1所設(shè)定的載置位置上的第l輸送 臂控制單元。在此，晶圓W載置于第1輸送臂A1上所設(shè)定的載 置位置上是指，在晶圓W的中心位置被對(duì)位的狀態(tài)下，將該晶 圓W載置到第1輸送臂A1上。在該例子中，對(duì)于輸送晶圓W,在真空處理之前輸送晶圓 W(圖5的步驟S1 S9)以及在真空處理之后將晶圓W交接到調(diào) 溫板4之前的輸送晶圓W (圖6的步驟S11 S15)與上述實(shí)施方 式相同，因此，通過圖12對(duì)上述步驟S15之后的輸送晶圓W進(jìn) 行說明。將真空處理后的晶圓W搬入預(yù)備真空室23(22),通過旋轉(zhuǎn) 臺(tái)5將該晶圓W交接到調(diào)溫板4 (步驟S15 )。與此同時(shí)，通過調(diào) 溫板4冷卻晶圓W，同時(shí)使3個(gè)線傳感器6A 6C工作，獲取調(diào)溫 板4上的晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)(步驟S21 )。然后，由第2運(yùn)算 單元基于上述位置數(shù)據(jù)運(yùn)算求出晶圓W的中心位置數(shù)據(jù)(步驟 S22)。接著，使預(yù)備真空室23 ( 22 )內(nèi)退回到常壓氣氛，將晶圓 W的溫度冷卻到例如小于100。C的溫度之后，打開閘閥Gl,使 第1輸送臂A1通過開口部32進(jìn)入預(yù)備真空室23 ( 22)內(nèi)。這時(shí)， 使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5位于上述上升位置，從調(diào)溫板4將晶圓W交接到旋轉(zhuǎn) 臺(tái)5(步驟S23)。然后，由控制部7的第l輸送臂控制單元控制上述輸送臂A1，使得在晶圓W中心對(duì)位于第1輸送臂A1所設(shè)定的載置位置上的狀態(tài)下，該輸送臂A1從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5取下晶圓W。 這樣，在晶圓W中心被對(duì)位的狀態(tài)下，將晶圓W從旋轉(zhuǎn)臺(tái)5交接 到第1輸送臂A1 (步驟S24)。保持著晶圓W的第1輸送臂A1通 過開口部32從預(yù)備真空室23 ( 22 )退出之后，關(guān)閉閘閥Gl， 另 一方面，第1輸送臂A1通過第1輸送室21將晶圓W送回到規(guī)定 的托架。如上所述，通過在預(yù)備真空室23 ( 22 )中對(duì)真空處理后的 晶圓W中心進(jìn)行對(duì)位，能夠使晶圓W以對(duì)位狀態(tài)容納在托架20 內(nèi)，下一個(gè)工序中的晶圓W中心位置的對(duì)位操作變得容易。另外，在將晶圓W載置到調(diào)溫板4上的狀態(tài)下，使用3個(gè)線 傳感器6A 6C進(jìn)行上述對(duì)位，因此，可以一邊通過調(diào)溫板4冷 卻晶圓W, —邊進(jìn)行上述對(duì)位，與分別實(shí)施晶圓W冷卻和上述 對(duì)位的情況相比，可以不需要另外花費(fèi)對(duì)位所需時(shí)間，能夠縮 短處理時(shí)間，提高生產(chǎn)率。這時(shí)，由于晶圓W的大小隨溫度而 發(fā)生變化，因此，為了高精度求出晶圓W的中心位置數(shù)據(jù)，需 要在晶圓W周緣的至少3處位置檢測上述周緣的位置數(shù)據(jù)，但在 晶圓尺寸變化可能性小的情況下，也可以在晶圓W周緣的2處位 置檢測上述周緣的位置數(shù)據(jù)，求出晶圓W的中心位置數(shù)據(jù)。另外，在可以不太關(guān)注生產(chǎn)率的情況下，與對(duì)真空處理之 前的晶圓W進(jìn)行的對(duì)位相同，可以是將晶圓W載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5 上，獲取晶圓W周緣的1處位置的位置數(shù)據(jù)來對(duì)晶圓W進(jìn)行對(duì) 位，在該情況下，不需要設(shè)置其余兩個(gè)線傳感器6B、 6C。在上述說明中，本發(fā)明也可以在預(yù)備真空室22、 23中，對(duì) 真空處理前的晶圓W進(jìn)行預(yù)備加熱。在該情況下，例如由旋轉(zhuǎn) 臺(tái)5從第1輸送臂A1接收晶圓W之后，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5下降，將晶圓 W交接到加熱至規(guī)定溫度的調(diào)溫板4上，在上述調(diào)溫板4上載置規(guī)定時(shí)間，從而，對(duì)晶圓W進(jìn)行預(yù)備加熱。接著，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上升，從調(diào)溫板4接收晶圓W之后，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)5在調(diào)溫板4的上 方一側(cè)旋轉(zhuǎn)，如上所述，獲得晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)，在晶圓 W對(duì)位之后，由第2輸送臂A2將該晶圓W輸送到規(guī)定的真空處 理室25~28。在此，在預(yù)備真空室22、 23中對(duì)真空處理前的晶圓W進(jìn)行 預(yù)備加熱、或者對(duì)真空處理后的晶圓W進(jìn)行冷卻這樣的任一種 處理，也可以對(duì)真空處理前的晶圓W進(jìn)行預(yù)備加熱，再對(duì)真空 處理后的晶圓W進(jìn)行冷卻，在該情況下，也可以使用相同的預(yù) 備真空室22、 23進(jìn)4于真空處理前的預(yù)備加熱和真空處理后的冷 卻，也可以將兩個(gè)預(yù)備真空室22、 23中的一個(gè)作為真空處理前 預(yù)備加熱晶圓W專用的預(yù)備真空室，將另外一個(gè)作為真空處理 后冷卻晶圓W專用的預(yù)備真空室。另外，也可以在腔室30底壁內(nèi)側(cè)或蓋體31內(nèi)側(cè)設(shè)置上述線 傳感器6、 6A 6C的發(fā)光部61以及受光部62,如圖13所示，也 可以在調(diào)溫板4和旋轉(zhuǎn)臺(tái)5之間設(shè)置受光部62,不在調(diào)溫^反4上 形成透光部43。在該情況下，受光部62借助支承臂63從腔室30 的側(cè)壁部自由進(jìn)退，在纟企測位置時(shí)進(jìn)入到與發(fā)光部61相對(duì)的位 置，在除此之外的其他時(shí)間位于調(diào)溫板4的外方。另外，檢測 部也可以使用反射型光傳感器，在該情況下，發(fā)光部和受光部 被設(shè)置成，使受光部位于發(fā)光部的光軸上。另外，位置數(shù)據(jù)獲取部也可以組合CCD照相機(jī)和光源，拍 攝晶圓W周緣的局部來獲取上述周緣的位置數(shù)據(jù)，也可以通過 CCD照相機(jī)拍攝整個(gè)晶圓W,根據(jù)圖像獲取晶圓W周緣的位置 數(shù)據(jù)。在該情況下，不需要在獲取晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)時(shí)使 晶圓W旋轉(zhuǎn)，但要求在對(duì)晶圓W的槽口進(jìn)行對(duì)位時(shí)，由旋轉(zhuǎn)臺(tái)5 使上述晶圓旋轉(zhuǎn)。另外，在上述例子中， 一邊從預(yù)備真空室22、 23抽真空，一邊獲取晶圓w周緣的位置數(shù)據(jù)，這對(duì)于提高生產(chǎn)率是有效的，但眾所周知，若設(shè)定為真空氣氛，則腔室30會(huì)發(fā)生變形，如上 所述，若腔室30發(fā)生變形，則線傳感器的光軸產(chǎn)生錯(cuò)位而不能 進(jìn)行正確測定，因此，也可以是例如由第1輸送臂A1將晶圓W 搬入到預(yù)備真空室22、 23,并載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái)5上，獲取晶圓W 周緣的位置數(shù)據(jù)，接著，開始從預(yù)備真空室22、 23抽真空，在 該抽真空的過程中對(duì)晶圓W的槽口進(jìn)行對(duì)位；也可以是由第1 輸送臂A1將晶圓W搬入預(yù)備真空室22、 23中，并載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái) 5上之后，開始從預(yù)備真空室22、 23抽真空，通過抽真空約束 腔室30的變形，從而獲取晶圓W周緣的位置數(shù)據(jù)。另外，對(duì)于真空處理前的晶圓W,只要基于晶圓W中心的 位置數(shù)據(jù)來控制上述第2輸送臂，使得在晶圓中心與真空處理 室的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，將該晶圓交接到上述載置 部即可，不需要控制該第2輸送臂，使得在上述第2輸送臂的載 置晶圓的中心和上述晶圓中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，使上述第2輸送 臂接收晶圓。另一方面，對(duì)于真空處理后的晶圓W,晶圓W在下一個(gè)工 序中返回到托架20內(nèi)，因此，控制上述第l輸送臂，使得在上 述晶圓的中心位置與第l輸送臂的設(shè)定載置位置對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài) 下，該第l輸送臂接收晶圓；也可以使其他單元連接第l輸送室 21,在將真空處理后的晶圓W返回到托架20之前，由第l輸送 臂A1將該晶圓W輸送到上述其他單元時(shí)，基于晶圓W中心的位 置數(shù)據(jù)控制上述第l輸送臂，使得在晶圓中心與上述其他單元 的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下，將該晶圓交接到上述載置部。
權(quán)利要求
1.一種真空處理裝置，由設(shè)置在常壓氣氛中的第1輸送臂相對(duì)于預(yù)備真空室交接作為半導(dǎo)體基板的晶圓，并由設(shè)置在真空輸送室中的第2輸送臂將上述晶圓在上述預(yù)備真空室與真空處理室之間輸送，在該真空處理室內(nèi)對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理，該預(yù)備真空室可在常壓氣氛和真空氣氛之間進(jìn)行切換，其特征在于，上述預(yù)備真空室包括調(diào)溫板，用于載置晶圓并對(duì)該晶圓調(diào)整溫度；旋轉(zhuǎn)臺(tái)，被設(shè)置成載置晶圓并繞垂直軸線自由旋轉(zhuǎn)，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)在上升位置和下降位置之間進(jìn)行升降，并與上述第1輸送臂以及第2輸送臂交接晶圓，在該上升位置處將晶圓保持在從調(diào)溫板浮上來的位置，在該下降位置處該旋轉(zhuǎn)臺(tái)沒入到上述調(diào)溫板中，并將晶圓載置到該調(diào)溫板上；位置數(shù)據(jù)獲取部，用于獲取在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上載置的晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)；運(yùn)算單元，基于由上述位置數(shù)據(jù)獲取部獲取的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓中心位置和晶圓朝向；控制單元，基于該單元的運(yùn)算結(jié)果，控制上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)以對(duì)準(zhǔn)晶圓朝向，并控制上述第2輸送臂，使得在晶圓中心和真空處理室的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將上述晶圓交接到上述載置部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的真空處理裝置，其特征在于，上 述調(diào)溫板為冷卻板，用于對(duì)載置在該調(diào)溫板上的真空處理后的 晶圓進(jìn)行冷卻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的真空處理裝置，其特征在 于，上述位置數(shù)據(jù)獲取部包括檢測部，該檢測部對(duì)借助上述旋 轉(zhuǎn)臺(tái)而旋轉(zhuǎn)的真空處理前的晶圓的周緣位置進(jìn)行光學(xué)檢測，上述位置數(shù)據(jù)是使晶圓旋轉(zhuǎn)方向位置和晶圓周緣位置相對(duì)應(yīng)的數(shù) 據(jù)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的真空處理裝置，其 特征在于，上述位置數(shù)據(jù)獲取部具有檢測部，該檢測部對(duì)載置 于上述調(diào)溫板上的真空處理后的晶圓周緣的至少三處位置進(jìn)行 光學(xué)檢測，該真空處理裝置還包括運(yùn)算單元，基于由該位置 數(shù)據(jù)獲取部獲得的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓的中心位置；控制單元， 基于該單元的運(yùn)算結(jié)果來控制上述第l輸送臂，使得將晶圓載 置到上述第l輸送臂上所設(shè)定的載置位置上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的真空處理裝置，其特征在 于，上述位置數(shù)據(jù)獲取部具有發(fā)光部和受光部，該發(fā)光部設(shè)置 在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上方一側(cè)或者下方一側(cè)，該受光部在上述調(diào)溫板 下方一側(cè)或者上方一側(cè)設(shè)于上述發(fā)光部的光軸上，在上述調(diào)溫 板上形成有用于使來自上述發(fā)光部的光透射過的透光部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的真空處理裝置，其 特征在于，上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)具有從旋轉(zhuǎn)中心部呈放射狀延伸的多個(gè) 才奉狀部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l、 3-6中任意一項(xiàng)所述的真空處理裝置， 其特征在于，上述調(diào)溫板為加熱板，用于對(duì)載置到該調(diào)溫板上 的真空處理前的晶圓進(jìn)行預(yù)備加熱。
8. —種真空處理方法，由設(shè)置在常壓氣氛中的第l輸送臂 相對(duì)于預(yù)備真空室交接作為半導(dǎo)體基板的晶圓，并由設(shè)置在真 空輸送室中的第2輸送臂將上述晶圓在上述預(yù)備真空室與真空 處理室之間輸送，在該真空處理室內(nèi)對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理， 該預(yù)備真空室可在常壓氣氛和真空氣氛之間進(jìn)行切換，其特征 在于，該真空處理方法包括如下步驟由上述第l輸送臂將上述晶圓搬入上述預(yù)備真空室，并將該晶圓載置于設(shè)于調(diào)溫板上方 一 側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；一邊由上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)使晶圓旋轉(zhuǎn)， 一邊由位置數(shù)據(jù)獲取部獲取上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)；接著，基于上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓朝向，為了校對(duì)該朝向而控制上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)；基于上述晶圓周緣的位置數(shù)據(jù)，運(yùn)算晶圓的中心位置，控 制上述第2輸送臂，使得在該晶圓中心和真空處理室的晶圓載 置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將該晶圓交接到上述載置部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空處理方法，其特征在于，在 一邊對(duì)預(yù)備真空室進(jìn)行減壓， 一邊實(shí)施獲取上述晶圓周緣的位 置數(shù)據(jù)的步驟。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或者9所述的真空處理方法，其特征在 于，包括如下步驟由上述第2輸送臂將真空處理后的晶圓搬入上述預(yù)備真空 室，并將該晶圓載置于設(shè)于調(diào)溫板上方一側(cè)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；使上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)下降，將上述真空處理后的晶圓交接到調(diào)溫 板上，將該晶圓載置到調(diào)溫板上并進(jìn)行冷卻。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8 10中任意一項(xiàng)所述的真空處理方法， 其特征在于，包括如下步驟將真空處理后的晶圓載置到調(diào)溫板上，獲取該晶圓周緣的 至少三處位置的位置數(shù)據(jù)；基于上述位置數(shù)據(jù)來運(yùn)算晶圓的中心位置，控制上述第1 輸送臂，使得將晶圓載置到上述第l輸送臂上所設(shè)定的載置位 置上。
12. —種存儲(chǔ)介質(zhì)，用于真空處理裝置，該存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ) 在計(jì)算機(jī)上動(dòng)作的計(jì)算機(jī)程序，該真空處理裝置通過預(yù)備真空 室及真空輸送室將作為半導(dǎo)體基板的晶圓輸送到真空處理室，在該真空處理室中對(duì)上述晶圓進(jìn)行真空處理，該預(yù)備真空室能 夠在常壓氣氛和真空氣氛之間進(jìn)行切換，其特征在于，上述計(jì)算機(jī)程序中編入了用于實(shí)施權(quán)利要求8 11中任一 項(xiàng)所述的真空處理方法的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空處理裝置、真空處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。減輕輸送臂的負(fù)荷、提高生產(chǎn)率，并以高對(duì)位精度向真空處理室輸送晶圓。通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)(5)在與第1輸送臂(A1)及第2輸送臂(A2)之間交接晶圓，對(duì)于真空處理前的晶圓(W)，一邊使上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)(5)旋轉(zhuǎn)，一邊使用線傳感器(6)獲取晶圓(W)周緣的位置數(shù)據(jù)?；谠撐恢脭?shù)據(jù)，求得晶圓中心和晶圓朝向的位置；基于該晶圓的朝向，控制上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)以對(duì)準(zhǔn)晶圓朝向；基于上述晶圓的中心位置控制上述第2輸送臂(A2)，使得在該晶圓中心和真空處理室的晶圓載置部中心對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)下將上述晶圓交接到上述載置部。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101241840SQ20081000644
公開日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月5日
發(fā)明者近藤圭祐 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社