專利名稱：用于在處理室中限定處理排除和處理執(zhí)行的區(qū)域的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體制造，以及更具體地，涉及用于在用 于制造半導(dǎo)體晶片的處理室中限定處理排除(process exclusion )和 處理執(zhí)行(process performance )的區(qū)域的裝置，其中，某一處理(例 如蝕刻)被排除在這些晶片的中央?yún)^(qū)域之外，并且允許在晶片中央 區(qū)i或外部的邊》彖環(huán)境(edge environ )上扭j亍蝕刻處理。
背景技術(shù)：
真空處理室用于從基片蝕刻材料以及在基片上沉積材料。這些 基片是例如半導(dǎo)體晶片。通常，期望在晶片的中央?yún)^(qū)域發(fā)生準(zhǔn)確的 處理(和由此的器件的高產(chǎn)量)。在晶片的頂部或上部表面的處于 該晶片的中間區(qū)域與圍繞該中央?yún)^(qū)域的外圍邊纟彖之間的 一部分上 處理該晶片的嘗試經(jīng)歷了許多困難。這樣的困難影響顯著，以致在 該上部表面的中央?yún)^(qū)域和圍繞該中央?yún)^(qū)域的晶片邊緣之間限定"邊緣排除區(qū)域"。還沒有進(jìn)行過在邊緣排除區(qū)域提供可接受器件的嘗試。另外，在中央?yún)^(qū)i或的所期望的處理期間，不期望的沉積物、材 料、或者處理副產(chǎn)物(統(tǒng)稱"不期望材料")，聚積或發(fā)生在該晶片 上部表面的邊緣排除區(qū)域上、在圍繞該晶片外圍邊緣的邊緣區(qū)域 上，以及在該邊緣區(qū)域之下的晶片相對(底部)表面的底部區(qū)域上。 這三個區(qū)域并不^皮處理以形成器件。邊^(qū)彖排除區(qū)域、邊緣區(qū)域和底 部區(qū)域統(tǒng)稱為"邊緣環(huán)境"。這些不希望的材料通常會聚集在邊緣 環(huán)境上。這種聚積是如此廣以至于中央?yún)^(qū)域所需的處理必須中斷， 這是因為，通常需要保持該邊緣環(huán)境充分地清潔，以避免材料微粒 剝落，其可能再次沉積回到該晶片上部表面的反應(yīng)性器件區(qū)域上。 這種剝落可能發(fā)生在多個晶片處理或傳輸操作過程中。因此，在用 于制造集成電路器件芯片的多個處理操作過程中，通常期望周期性 地從被處理的晶片清潔(如，蝕刻)該邊緣環(huán)境或監(jiān)視清潔度(即， 在蝕刻中)。中斷中央?yún)^(qū)域所需的處理，以沖丸4亍這種周期性清潔， 以期乂人該邊纟彖環(huán)境(例如，乂人整個邊纟彖環(huán)境)去除不期望的材料， 以及例如，以纟丸行這種去除而不損傷這些器件。然而，隨著試圖對晶片進(jìn)行更準(zhǔn)確的處理，這種周期性清潔的 規(guī)格要求經(jīng)歷變化，例如，從一批晶片到另一批晶片。例如，在批 與批之間，這些失見格要求可限定對邊鄉(xiāng)彖環(huán)境的不同部分進(jìn)^f亍清潔處 理。用于這種清潔的現(xiàn)有裝置已經(jīng)不易適于這種變化的規(guī)格要求， 從而在試圖有效地#1行從每批晶片更準(zhǔn)確地去除不期望材料時，會 出王見問題。考慮到上述情況，所需要的是用于邊緣環(huán)境清潔并且易于適應(yīng) 該變化的規(guī)J各要求的裝置。還需要的是其配置為有效地在每批晶片 上執(zhí)行不期望材料的更準(zhǔn)確去除的裝置，盡管清潔各批次的規(guī)格要 求可能在批與批之間變化。進(jìn)一步需要的是快速配置用于從該邊緣環(huán)境去除不期望材料的裝置，該配置適應(yīng)這種去除規(guī)格要求的寬泛 變化，通過這種配置該裝置變得能夠〗又從該邊緣環(huán)境的現(xiàn)場指定的 部分去除不期望的材料，以及能夠不損傷該中央?yún)^(qū)域。并且，不管 如何進(jìn)行配置，使用這種配置的裝置均應(yīng)當(dāng)使得從該邊緣環(huán)境的整 個現(xiàn)場指定部分精確地(例如，均一地)去除不期望的材料，而不 從中央?yún)^(qū)域去除材坤+并且不損傷該中央?yún)^(qū)域。發(fā)明內(nèi)容總的來說，本發(fā)明的實施方式通過提供一種半導(dǎo)體制造裝置而 滿足這些需求，該裝置配置為在用于制造半導(dǎo)體晶片的處理室中限 定分開的處理排除和處理才丸行區(qū)域。該裝置可以配置為某一處理 (如蝕刻)被排除在這些晶片的中央?yún)^(qū)域之外，并且處理(如蝕刻) 僅允許在晶片上的邊緣環(huán)境執(zhí)行。另外，這些需求可通過用于邊緣 環(huán)境清潔的裝置來滿足，該裝置可容易地適應(yīng)這種變化的夫見格要 求。這些裝置可通過配置為有效地執(zhí)4亍在每批晶片上這些不期望的 材料更準(zhǔn)確的去除來滿足這些需求，即使用于清潔的這些規(guī)格要求 可能在批與批之間變化。為了滿足這些需求，該裝置可配置為適應(yīng) 用于這種去除的規(guī)格要求的寬泛變化，以及能夠僅從邊緣環(huán)境的現(xiàn) 場指定部分去除不期望的材料，并且能夠不損傷該中央?yún)^(qū)域。并且，不管如何進(jìn)行配置，使用這種配置的裝置可導(dǎo)致從該邊緣環(huán)境的整 個現(xiàn)場指定部分去除不期望的材料，而不從該中央?yún)^(qū)域去除材料并 且不損傷該中央?yún)^(qū)域。例如，該配置的裝置可才艮據(jù)不同類型晶片的 規(guī)格要求而允許從不同半徑長度的邊緣環(huán)境去除不期望的材料。本發(fā)明的實施方式可在處理室中建立多個位置關(guān)系?；卓膳?置為具有第一基準(zhǔn)表面以支承待處理(如通過蝕刻)的晶片。電極 可配置為具有第二基準(zhǔn)表面。這些位置關(guān)系可相對于該第一基準(zhǔn)表 面和該第二基準(zhǔn)表面建立。驅(qū)動器可配置為具有安裝在該基底上的 線性運動組件，以及具有連接在該線性運動組件和該電極之間的聯(lián)動裝置。該聯(lián)動裝置可調(diào)整為限定該第一和第二基準(zhǔn)表面之間期望 的方位。該線性運動組件和該聯(lián)動裝置可配置為當(dāng)該線性運動組件 移動該上部電才及時{呆持期望的方4立，/人而該第一和第二基準(zhǔn)表面相 對-波此乂人第 一位置關(guān)系移動到第二位置關(guān)系。
本發(fā)明的其它實施方式可4是供蝕刻室。下部電才及可支承該晶 片。頂部電極可具有不被供電的中央?yún)^(qū)域。該中央?yún)^(qū)域可配置為當(dāng) 該晶片由該下部電極支承時設(shè)為緊密接近該晶片的中央?yún)^(qū)域。處理 室的環(huán)形區(qū)域可限定在該頂部電才及和該底部電才及之間，該環(huán)形區(qū)域
限定反應(yīng)性蝕刻》也帶(active etching zone )。該反應(yīng)性蝕刻i也帶可配 置為能夠蝕刻該晶片的特有邊緣環(huán)境。頂部蝕刻限定環(huán)可配置為限 定該反應(yīng)性蝕刻地帶至少一部分，該部分對應(yīng)該沿頂部長度延伸的 特有邊纟彖環(huán)境的一部分，并且該延伸長度沿該晶片的上部表面徑向 延伸，該頂部長度在該反應(yīng)性蝕刻地帶內(nèi)。底部蝕刻限定環(huán)可配置 為限定該反應(yīng)性蝕刻地帶至少一部分，該部分對應(yīng)沿該晶片底部表 面的底部長度延伸的特有邊緣環(huán)境的 一部分，并且該底部長度在該 反應(yīng)性蝕刻i也帶內(nèi)。
本發(fā)明的其它實施方式可提供用于在配置為用于蝕刻晶片的 處理室中限定非反應(yīng)性蝕刻地帶和反應(yīng)性蝕刻地帶的裝置。底部電 極可配置為在處理室中支承該晶片，該晶片具有被暴露以用于處理 的晶片上部表面的上部邊緣環(huán)境。該底部電極可進(jìn)一步配置為支承 該晶片，該晶片具有被暴露以用于蝕刻的上部邊緣環(huán)境內(nèi)的晶片上 部表面的中央?yún)^(qū)i或。頂部電4及可配置為具有只于應(yīng)該晶片中央?yún)^(qū)i或的 中央?yún)^(qū)i或。該頂部電4及可進(jìn)一步配置為具有頂部々蟲刻限定環(huán)。該頂 部蝕刻限定環(huán)可進(jìn)一步配置為限定在該晶片上部邊緣環(huán)境之上的 上部腔。該頂部電一及可以為這樣的配置，即該頂部電纟及相對于該底 部電極的處于第二位置關(guān)系，從而該中央?yún)^(qū)域與該中央?yún)^(qū)域通過均 一的薄間隔(thin space)分開，該間隔配置為將蝕刻排除在由該均一薄間隔限定的非反應(yīng)性蝕刻地帶之外。該頂部電極可以進(jìn)一步這
樣配置，即當(dāng)頂部電才及處于第二位置關(guān)系中時，該上部腔相對于該 晶片的上部邊^(qū)彖環(huán)境定向，以在該室中限定該反應(yīng)性蝕刻;也帶的上 部，從而允許對該上部邊纟彖環(huán)境進(jìn)4于蝕刻。


通過參考下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的實施方式將容易
理解，在這些附圖中，相同的標(biāo)號代表相同的結(jié)構(gòu)元件，并且其中
圖1是本發(fā)明一個實施方式的處理室的示意性正一見圖，其中在 基底(4口底部電4及或卡盤)和上部(或頂部)電才及之間建立多個^f立 置關(guān)系。
圖2A是圖1放大部分的視圖，其中說明了在該底部電極的第 一基準(zhǔn)表面和該頂部電極的第二基準(zhǔn)表面之間的這些位置關(guān)系中 的一個。
圖2B是圖2A中沿線2B-2B的橫截面圖，說明了限定在該底 部電才及和該底部電才及之間的蝕刻區(qū)i或的環(huán)形構(gòu)造。
圖2C是圖2B中沿線2C-2C的橫截面圖，說明了頂部電極的 放大視圖，該頂部電極利用中央?yún)^(qū)域的第二基準(zhǔn)表面配置成與該第 一基準(zhǔn)表面處于第二位置關(guān)系，其顯示出用于蝕刻所有邊緣環(huán)境的 環(huán)形蝕刻區(qū)域的一個實施方式，包括兩個電極環(huán)的構(gòu)造，該電極環(huán) 提供該區(qū)域一個大體上C形的橫截面構(gòu)造。
圖2D是類似于圖2C的4黃截面#見圖，i兌明了另一個頂部電招^ 的》文大一見圖，該頂部電才及與該第一基準(zhǔn)表面為第二位置關(guān)系，其顯 示出配置有兩個電極環(huán)的環(huán)形蝕刻區(qū)域的另 一個實施方式，該實施方式提供該區(qū)域的另 一個4黃截面構(gòu)造，用于僅蝕刻該邊緣環(huán)境的頂 部和邊纟彖。
圖2E是類似于圖2C和2D的橫截面視圖，說明了頂部電極的 另 一個放大視圖，該頂部電極與該第 一基準(zhǔn)表面為第二位置關(guān)系， 其顯示出配置有兩個電才及環(huán)的環(huán)形蝕刻區(qū)i或的另 一個實施方式，該 實施方式^是供該區(qū)域的另 一個4黃截面構(gòu)造，用于4義蝕刻該邊緣環(huán)境 的底部和邊纟彖。
圖2F是類似于圖2C的橫截面視圖，說明了圖2C所示的環(huán)的 構(gòu)造形態(tài)。
圖3是類似圖2F的4黃截面一見圖，顯示出一個實施方式的該頂 部和該底部邊纟彖限定環(huán)，其中一組環(huán)配置為可去除并且可由配置為 尺寸與該第 一組不同的第二組頂部和底部邊纟彖限定環(huán)替換，以便能 夠通過用第二組替換第 一組而蝕刻該晶片不同的部分。
圖4是圖1中沿線4-4的平面—見圖，顯示出圍繞驅(qū)動器多個部 分的晶片軸的間隔，其通過可調(diào)整聯(lián)動裝置的多個部分，有效地將 這些基準(zhǔn)表面移動至這些位置關(guān)系。
圖5是圖4沿線5-5放大的橫截面視圖，以實線顯示出該聯(lián)動 裝置的一個截面，其處于松開的狀態(tài)以利于調(diào)整以便相對于該第二 基準(zhǔn)表面定位該第一基準(zhǔn)表面，以及以虛線說明該聯(lián)動裝置處于緊 固狀態(tài)以保持相對于該第二基準(zhǔn)表面定位的第 一基準(zhǔn)表面。
圖6是圖4中沿線6-6的4黃截面一見圖，顯示出該驅(qū)動器的多個 部分中一個的構(gòu)造。從下面與該附圖結(jié)合的詳細(xì)的描述，本發(fā)明實施方式的其它方 面和優(yōu)點將變得顯而易見，這些描述作為示例i兌明本發(fā)明實施方式 的原J里。
具體實施例方式
在下面的描述中，闡述多個具體的細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明實施方 式的徹底理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，顯然，本發(fā)明可 利用這些具體細(xì)節(jié)的某些或全部來實施。在有的情況下，公知的處 理才乘作將不會詳細(xì)描述，以便不會混淆本發(fā)明。
通過才是供半導(dǎo)體制造裝置而對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行描述，以 滿足上述需求，這些裝置配置為在用于制造這些半導(dǎo)體晶片的處理 室中限定分開的處理排除和處理執(zhí)行區(qū)域。對于處理排除，這些裝 置可配置成某一處理(如蝕刻)排除在這些晶片的中央?yún)^(qū)域之外。
對于處理^U亍，如蝕刻的處理可允^H又在晶片上的邊纟彖環(huán)境4丸^f亍。
并且還通過4是供用于邊緣環(huán)境清潔的裝置對本發(fā)明的實施方 式進(jìn)行描述，以滿足這些需求，這些裝置可容易地適應(yīng)變化的規(guī)格 要求。因此，這種裝置通過可配置為在每批晶片上執(zhí)行不期望材料 的更準(zhǔn)確的去除來滿足這些需求，即使用于清潔每批的規(guī)格要求可 能變化，例如，批與批之間。為了滿足這些需求，這些配置的裝置 可適應(yīng)用于這些去除^見格要求的寬泛變化，并且能夠4又,人該邊纟彖環(huán) 境指定部分去除不期望的材料，并且能夠不損傷該中央?yún)^(qū)域。并且， 不管如何進(jìn)4于配置，4吏用配置的裝置可〗吏得從該邊緣環(huán)境的整個現(xiàn) 場指定部分精確地(例如，均一地)去除不期望的材料，而不從該 中央?yún)^(qū)域去除材料并且不損傷該中央?yún)^(qū)域。例如，該可轉(zhuǎn)換的裝置 可允許根據(jù)不同類型晶片的規(guī)格要求從邊緣環(huán)境不同的半徑長度 去除不期望的材料。圖1顯示了處理室50，其中可建立多個位置關(guān)系?？偟膩韎兌， 這些位置關(guān)系可在該室50中基底52和頂部電才及53之間建立。更 詳細(xì)地，該基底52可配置有下部電極(或卡盤)54,該下部電極 54具有第一基準(zhǔn)表面56以支承待處理(如通過適于從該晶片去除 不期望材料的蝕刻或者其它需要的處理)的晶片58。該頂部電擬_ 53可配置具有第二基準(zhǔn)表面60。該頂部電4及配置成為處理該-波支 承的晶片提供電源。
圖2A顯示了圖1的》文大部分。圖2A i兌明在該第一基準(zhǔn)表面 56和第二基準(zhǔn)表面60之間或相對于該第一基準(zhǔn)表面56和該第二基 準(zhǔn)表面60的第一位置關(guān)系。為了建立這些關(guān)系，圖1顯示了驅(qū)動 器62，在一個實施方式中，其配置為安裝在該基底52上的線性驅(qū) 動器(如楔塊)組件64。圖1還顯示了連接在該楔塊組件和電極 53之間的耳關(guān)動裝置66?？蓪β?lián)動裝置66進(jìn)行調(diào)整以〗更限定在該第 一和第二基準(zhǔn)表面56和60之間的需要的方位，例如，該第一和第 二基準(zhǔn)表面56和60相互平4亍并且中心對準(zhǔn)。4關(guān)動裝置66可配置 為當(dāng)線性驅(qū)動器組件64移動頂部電極53時保持需要的方位(例如， 平行或中心對準(zhǔn))。圖2A的放大視圖顯示了移動頂部電極53可導(dǎo) 至丈第一和第二基準(zhǔn)表面56和60相只于于^皮此移動，這兩個基準(zhǔn)表面 可從第一位置關(guān)系(圖2A)到第二位置關(guān)系(圖2C),然后再返回。
圖2A顯示了具有中央?yún)^(qū)域68的頂部電極53。如括弧68E的 一部分所示的中央?yún)^(qū)域68徑向延伸。圖2B的4黃截面一見圖顯示了中 央?yún)^(qū)域68為環(huán)形，并且晶片58的中心位于軸X。該中央?yún)^(qū)域不祐: 供電并且可由安裝在頂部電極53上的插入件69 S己置。插入件69 可由介電材料如陶資制造。由68X標(biāo)識的中央?yún)^(qū)域68的一部分進(jìn) 一步徑向向外延伸并超出插入件69,這將在以下進(jìn)4亍描述。
圖2A顯示了配置有第二基準(zhǔn)表面60的插入件69。因此，通 過安裝在頂部電極53的插入件69，插入件提供了該頂部電極的第二基準(zhǔn)表面60。在圖2A所示的第一位置關(guān)系中，當(dāng)該晶片由安裝 在基底52上的底部電極54支承時，該第二基準(zhǔn)表面60通過間隔 72與晶片58中央?yún)^(qū)域70的第一基準(zhǔn)表面56分開。間隔72配置為 徑向穿過插入件69和晶片58，并且在垂直方向(箭頭74)延伸， 該垂直延伸在上下兩個方向上都是足夠(大)的，從而 一，間隔 72配置為允許進(jìn)入到在底部電極54上的晶片58，以用于將晶片裝 載在該底部電4及上以及乂人該底部電4及上去除晶片；二，間隔72還 配置為在頂部電才及53和底部電才及54上的晶片58之間才是供正常大 小的處理(或蝕刻)地帶76。利用這個間隔72，如果頂部電才及53 被供電，則等離子會在該正常大小地帶76內(nèi)點燃。可以理解的是 利用在頂部電才及和晶片之間的正常大小處理地帶76(由該第一位置 關(guān)系產(chǎn)生)，這種等離子將會進(jìn)入中央?yún)^(qū)域70。然后，可以理解間 隔72(和正常大小地帶76)可以是處理室腔77的一部分。在圖2A 中，括弧70E限定了中央?yún)^(qū)域70左邊和中央范圍，其延伸至晶片 58的中心軸X，并且圖2B顯示了中央?yún)^(qū)i或70的全部范圍。圖2A 顯示了當(dāng)需要的處理用于僅從該晶片邊緣環(huán)境80去除不期望的材 料78、并且不用于從該中央?yún)^(qū)域70 (器件可能在晶片上的此區(qū)域) 去除不期望的材料78和任何其它材料時，在正常大小處理地帶76 內(nèi)的等離子將是不可接受的，因為這些器件必須不受損傷(例如， 被等離子損傷)。
本發(fā)明的實施方式避免了對這些器件的損傷，并且限制了等離 子作用到將經(jīng)歷處理的邊緣環(huán)境80上。圖2C顯示了第二位置關(guān)系， 并且說明了當(dāng)晶片由底部電極54支承時，第二基準(zhǔn)表面60緊密靠 近晶片58的中央?yún)^(qū)域70。括弧70E表示中央?yún)^(qū)域70的半徑范圍 的一部分，其從晶片58的軸X延伸。第二基準(zhǔn)表面60因此緊密接 近第一基準(zhǔn)表面56。該第二基準(zhǔn)表面60也幾乎4姿觸該晶片的上部 表面82，例如，第二基準(zhǔn)表面60可通過下面限定的間隔84與晶片 表面82分開。因此，在該第二位置關(guān)系中，所描述的間隔72(圖2A)并不存在。其結(jié)果是，當(dāng)頂部電4及53的某些部分通電時，不 允許等離子進(jìn)入晶片58的中央?yún)^(qū)域70，并且在頂部電才及53的中央 區(qū)域68和下部電才及54上晶片58的中央?yún)^(qū)i或70之間，不存在正常 大小處理(蝕刻)地帶76。因此，等離子可不在中央?yún)^(qū)域68和中 央?yún)^(qū)域70之間點燃。代之以室腔77的間隔72以及正常大小地帶 76，圖2C顯示了當(dāng)表面56和60為緊密接近狀態(tài)時，間隔84是軸 向薄的(axially-thin )，并且將室腔77限定為配置有在晶片的中央 區(qū)域70和頂部電才及53的中央?yún)^(qū)域68之間的非反應(yīng)性蝕刻；也帶86。 由薄間隔84限定的地帶86稱為"非反應(yīng)性"蝕刻地帶，因為中央 區(qū)域70和中央?yún)^(qū)域68如此靠近以致等離子不能在薄間隔84內(nèi)點 燃。因此，在間隔84內(nèi)沒有蝕刻發(fā)生，從而可能在晶片58中央?yún)^(qū) 域70上的器件不會被損傷。由第二基準(zhǔn)表面60與第一基準(zhǔn)表面56 的緊密接近產(chǎn)生了中央?yún)^(qū)域70和中央?yún)^(qū)域68的這種間隔，并且可 將非反應(yīng)性地帶86配置為具有在電一及53移動方向上(即，X軸方 向)例如大約0.010英寸至0.020英寸的尺寸，并且具有大約正負(fù) 0.002英寸的尺寸/>差。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的避免對器件的這種損傷的實施方式，下面 描述限制等離子作用在待經(jīng)歷處理(例如，蝕刻)的邊緣環(huán)境上的 實施方式。 一般意義上，每個不同的實施方式可形成該邊緣環(huán)境不 同的構(gòu)造，從而，每個特定的邊緣環(huán)境可描述為"特有的，，并且可 符合不同于上述的規(guī)格要求。圖2B和2C顯示了包括晶片外圍邊緣 卯的邊緣環(huán)境80的一個實施方式。邊緣90與晶片的軸X徑向間 隔開，例如，對于300mm晶片58，與軸X的徑向間隔為150mm。 晶片的上部表面82從邊緣90向內(nèi)徑向延伸，并且包括中央?yún)^(qū)域70。 晶片的底部表面92在邊緣90下面，與上部表面82相對，并且也 從邊緣90向內(nèi)徑向延伸。圖2B顯示了邊緣環(huán)境80沿上部表面82 的外部環(huán)形部分/人邊》泉90向內(nèi)4圣向延4申。該外吾P環(huán)形部分相只于于 軸X是徑向的。下面描述的這些徑向向內(nèi)部分的量與該邊緣環(huán)境不同的實施方式有關(guān)，并且這些實施方式可包4舌上述限定在中央?yún)^(qū)域70和邊緣90之間的邊緣排除區(qū)域的不同實施方式。為了表示邊緣 排除區(qū)域是上部表面82的一部分，邊緣排除區(qū)域在圖2B中由 82EEA標(biāo)識，并因此也是邊鄉(xiāng)彖環(huán)境80的一部分。如上所述，該邊 纟彖排除區(qū)域82EEA圍繞中央?yún)^(qū)域70,并且在對中央?yún)^(qū)域70的處理 中，并不試圖在該區(qū)域82EEA上提供可接受的器件。為清楚描述，在圖2C中，線96表示該邊緣環(huán)境80的一個實 施方式的范圍，在每個實施方式中，該邊緣環(huán)境配置成作為晶片的 外部末端的環(huán)形表面部分。晶片軸X位于該環(huán)形部分的中心。圖 2C顯示了環(huán)形邊緣環(huán)境80 (即，邊緣90,以及表面82和92的部 分)的一個實施方式，該邊緣環(huán)境80聚集有不期望的材料78。圖 2B顯示了在區(qū)域82EEA和邊緣90上的該材料的一些。在邊緣環(huán) 境80的所有實施方式中，環(huán)形邊纟彖環(huán)境(該環(huán)形部分包4舌邊緣90， 以及表面82和92的部分)并不被處理以形成器件，并且不被蝕刻 以去除材料78。換句話說，僅有邊緣環(huán)境80將^皮蝕刻，而并不蝕 刻中央?yún)^(qū)域70，因為在那個區(qū)域70的器件將^皮蝕刻損傷。而且， 期望從邊纟彖環(huán)境80均一去除不期望的材料78，從而徹底去除晶片 外部環(huán)形部分周圍的材料78，即，從邊緣環(huán)境80徹底去除材料。 該去除是晶片軸X周圍均一的去除。如上述規(guī)格要求所限定，每個 不同的規(guī)格要求可形成邊緣環(huán)境不同的構(gòu)造，從而每個具體特定的 邊緣環(huán)境是"特有的"。該具體特定的邊緣環(huán)境因此被稱為"現(xiàn)場 指定"邊緣環(huán)境80。圖1顯示出處理室50限定室腔77，室腔77封入頂部電極53 的下部部分和該下部電才及54。圖2C還顯示了伴隨該第二位置關(guān)系 的建立，處理室50的室腔77可配置為具有環(huán)形或輪狀的蝕刻區(qū)域 100，其限定在上部電才及53和下部電4及54之間。蝕刻區(qū)域100限 定反應(yīng)性蝕刻地帶102,在圖2C以點劃線102L顯示。如下面更完整描述的那樣，一^t化情況下，本發(fā)明的實施方式使具有該反應(yīng)性蝕刻地帶102的蝕刻區(qū)域變得可配置。區(qū)域100的示例性4黃截面在圖2C中由線102L限定。在一個實 施方式中，圖2C中顯示的環(huán)形蝕刻區(qū)域100配置成具有反應(yīng)性蝕 刻地帶102,反應(yīng)性蝕刻地帶102具有示例性的大體上C形的一黃截 面。這個C形圍繞(或包圍)該環(huán)形邊纟彖環(huán)境80的一個實施方式 (例如，由線96所標(biāo)識)延伸，并且從一端Cl延伸至相對端C2。 作為參考，在圖2A中，顯示了標(biāo)識反應(yīng)性蝕刻地帶102的線102L 的C1端。在圖2B的4黃截面中，Cl端和線102L顯示為環(huán)形并且 圍繞該軸X延伸。圖2B中還顯示了線102L相對該邊》彖卯徑向向 外，以表示環(huán)形(或4&狀的)蝕刻區(qū)域100的半徑大小(或范圍)。 反應(yīng)性蝕刻i也帶102還顯示為鄰近邊*彖環(huán)境80。在圖2A中，剖面 線2B-2B在Cl端和C2端之間也與線102L相交。在圖2C所示的實施方式中，該區(qū)域100示例性的大體上C形 橫截面是等離子點燃區(qū)域。在圖2C中，具有該示例性橫截面的區(qū) 域100顯示為鄰近上部表面82的頂部長度Ll。只于于該示例'性的C 形斗黃截面，Ll才示i口、上部表面82的徑向延伸部分，需要乂人該部分中 去除不期望的材料78。區(qū)域100也顯示為鄰近該晶片58的邊緣卯。 對于該示例性的C形4黃截面，邊纟彖卯也是邊纟彖環(huán)境的一部分，需 要從這部分去除該不期望的材料78。該示例性的區(qū)域100從Cl沿 上部表面82的長度Ll,圍繞外圍邊緣90延伸至晶片的底部表面 92。區(qū)域100沿底部表面92的底部長度L2延伸至C2。對于該示 例寸生的C形4黃截面，L2標(biāo)識邊纟彖環(huán)境80下部表面92的徑向延伸 部分，需要從這部分去除不期望的材料78。在這個實施方式中，晶 片58的邊緣環(huán)境80因此包括長度Ll和L2以及邊緣卯，并且為 了容易描述，在圖2C中標(biāo)識為"80-C",其是特有的邊緣環(huán)境80 中的一個。因此，可以理解的是，由區(qū)域100限定的反應(yīng)性蝕刻地帶102在圖2C中顯示出在線102L內(nèi)從C1端徑向向外，鄰近并且 圍繞該環(huán)形邊緣環(huán)境80-C延伸至C2，以能夠從這個示例性的特有 的邊緣環(huán)境80-C去除不期望的材料。反應(yīng)性蝕刻地帶102的這個 實施方式因此對應(yīng)于該特有的邊緣環(huán)境80-C。回顧圖2C的實施方式，下部電才及54和上部電才及53的組合構(gòu) 造將環(huán)形蝕刻區(qū)域100限定為在基底52和頂部電極53之間的環(huán)形 處理室區(qū)域。該區(qū)域100限定該反應(yīng)性蝕刻地帶102,其為室腔77 的一部分。以這種方式，并且與本發(fā)明的多個實施方式相一致，圖 2C的實施方式配置為環(huán)形蝕刻區(qū)域100和反應(yīng)性蝕刻地帶102圍 繞非反應(yīng)性蝕刻地帶86延伸并與非反應(yīng)性蝕刻地帶86分開。圖2C顯示了在上述的示例性環(huán)形蝕刻區(qū)域100的Cl端和示 例性非反應(yīng)性蝕刻地帶86之間的邊界B。并且，盡管非反應(yīng)性蝕 刻地帶86沒有在圖2B中顯示出，圖2B表示了該邊界B的半徑位 置，并且將該邊界顯示為環(huán)形并鄰近該線102L的Cl端，該線102L 標(biāo)識反應(yīng)性蝕刻地帶102。根據(jù)晶片規(guī)格要求，邊界B可相對于軸 X徑向設(shè)置，并且大體上從頂部電極53插入件69的外部向外。參考圖2C至2E，可以理解的是，不同的處理^L格要求可限定 用于制造不同類型晶片的不同的特征。例如，不同的規(guī)格要求可要 求不同的第一晶片類型具有一組長度L1&L2。例如，對于圖2C中 示例性的C形4黃截面，可以指定長度L1和L2的^直。長度L1(頂 部長度)可主要限定上部晶片表面82的部分，不期望的材料78將 乂人這個部分中^皮均一;也去除，以及其次限定上部晶片表面82的部 分，這部分在中央?yún)^(qū)域70的處理期間不4妾收器件。該部分可對應(yīng) 于上述邊緣排除區(qū)域82EEA,其也是邊緣環(huán)境80-C的一部分。長 度L2 (底部長度)可主要限定下部晶片表面92的部分，不期望的 材料78將從這個部分被均一地去除。為了提供對晶片58上不期望 的材料78將從其中^L均一去除的這些部分的一^:參考，長度Ll和L2的每個也可描述為邊緣排除區(qū)域82EEA的限定部分，例如，長 度Ll限定頂部邊緣排除區(qū)域，而長度L2限定底部邊緣排除區(qū)域。 因此，長度Ll和L2可因此組合以限定表面82， 90和92的量，必 須均一地清理這些表面任何不期望的材料78?？梢?guī)定第二晶片類型具有各個頂部和底部長度Ll和L2的不同 的組。例如， 一組的Ll和L2的每個可具有不等于零、^f旦是不同于 另一組的值。并且，如圖2D所示，L2可由一組規(guī)^各要求限定為具 有零值(因此圖中未顯示)并且L1為非零值。Ll值可不同于另一 組L1的相應(yīng)值。在L2-零的例子中，并非必須清理下部表面92任 何不期望的材料78。與圖2D的例子相反，圖2E顯示了 Ll可由一 組規(guī)^各要求限定為具有零值(因此圖中未顯示)并且L2為非零值。 這里，L2值可不同于另一組的L2的相應(yīng)值。在L1:零的例子中， 將不必清除上部表面82任何不期望的材料78。通常，因為4艮可能 頂部表面82在處理完成時在其上具有不期望的材料78， Ll的值相 比于L2的值不太可能為零。為容易適應(yīng)這種變化的規(guī)格要求，上部電極53和下部電極54 可配置為從該每批晶片58有效地執(zhí)行對不期望材料78的更精確去 除，即使這種用于清潔每批的規(guī)格要求可能在批與批之間變化。這 可稱為兼容這種示例性的不同規(guī)格要求。為了這種兼容，本發(fā)明的 實施方式，可包括多個(或一組)頂部蝕刻限定環(huán)。為了清楚i兌明， 圖2F的實施方式顯示了這種組的一種環(huán)110 (即，顯示了頂部(或 上部)組)，并且顯示了這種組的另一種環(huán)120 (即顯示了底部(或 下部)組)，每個組各用于該圖2C的實施方式。(一個頂部組的) 示例性的頂部蝕刻限定環(huán)110可配置為具有環(huán)形形狀并且設(shè)定的尺 寸限定該頂部長度L1的一個值，該長度位于晶片的頂部表面82上。 示例性的環(huán)110限定晶片58的中央?yún)^(qū)i或70的部分68X,并因it匕通 過延伸非反應(yīng)性區(qū)域86，從插入件69徑向向外延伸中央?yún)^(qū)域70。(另一頂部組的)另一個示例性的頂部蝕刻限定環(huán)110可配置成限 定該頂部長度L1不同的值。更詳細(xì)地，圖2F顯示了頂部蝕刻限定環(huán)110,其配置為具有延 伸部分112,其位于該晶片的上部表面82上。利用配置為距軸X 的半徑為R69的插入件69,該部分112具有軸向范圍(或徑向長 度)R112。該部分112緊密接近晶片58的中央?yún)^(qū)域70(見括弧70E ), 并因此爿尋該薄間隙84 乂人中央?yún)^(qū)i或68徑向朝外延伸至非反應(yīng)性i也帶 80的半徑RIZ。 乂人這個意義上，該中央68是可通過選擇半徑部分 的半徑長度R112的值來配置，其中該半徑部分由該環(huán)110的部分 112所限定。并且，中央?yún)^(qū)域70 (圖2B)的全部半徑范圍因此也可 通過選4奪半徑長度R112以及R69的值來配置。為了允許蝕刻該特有的邊緣環(huán)境80,頂部電極53的頂部蝕刻 限定環(huán)110進(jìn)一步配置具有頂部環(huán)形凹室114。頂部環(huán)形凹室114 配置為具有處于軸向74 (圖2A)隔開的壁116，以允許蝕刻區(qū)域 100的Cl端(圖2C )交疊該上部邊^(qū)彖環(huán)境80。以這種方式，通過 選4奪半徑RIZ (包括長度R112和半徑R60)，可確定以下的結(jié)果 邊界B的半徑位置，和非反應(yīng)性蝕刻地帶86的半徑范圍。詳細(xì)地， 在期望的方位，并且頂部電極53處于第二位置關(guān)系時(圖2C)， 頂部環(huán)形凹室114由此限定室腔77的上部腔部分118。上部腔部分 118交疊(或?qū)?yīng))晶片58的上部邊^(qū)彖環(huán)境區(qū)域80EEA。室腔77 的上部腔部分118相對于上部邊纟彖環(huán)境80EEA定向，以限定環(huán)形 蝕刻區(qū)i或100和反應(yīng)性蝕刻i也帶102的上部，乂人而允許對上部邊纟彖 環(huán)境80EEA進(jìn)行蝕刻。-波上部腔部分118中的等離子蝕刻的上部 邊》彖環(huán)境80EEA的半徑部分對應(yīng)沿圖2D所示的長度Ll暴露于等 離子的晶片表面82。相反;也，參考如圖2E所示的環(huán)110的實施方式。如上所述， 在圖2E的實施方式中，Ll可由一組規(guī)格要求限定為具有零值(因此圖未示)。圖2E因此顯示出RIZ為這樣的配置，即環(huán)110交疊晶 片58的上部邊緣環(huán)境80EEA，并將該緊密4妄近間隔84延伸至晶片 58的邊鄉(xiāng)彖90。如果Y吏用如圖2E所示的環(huán)110的實施方式，晶片的 上部邊鄉(xiāng)彖環(huán)境80EEA將因此不^皮蝕刻。詳細(xì)地，圖2E的環(huán)110將 反應(yīng)性蝕刻地帶102中的等離子排除在非反應(yīng)性地帶86之外，如 圖中所表示，地帶102的Cl端沒有進(jìn)入該非反應(yīng)性地帶86。并且為了兼容這種示例性的不同的規(guī)格要求，本發(fā)明的實施方 式還可包纟舌多個(或一纟且)底部蝕刻限定環(huán)120。為允"i午蝕刻該特 有的底部邊緣環(huán)境80,圖2F顯示了這種底部組的此種環(huán)120的一 個實施方式。該示例性的( 一個底部組的)底部蝕刻限定環(huán)120可 配置為限定沿晶片底部表面92的底部長度L2的一個值。另一個示 例性的(另一個底部組的)底部蝕刻限定環(huán)120可配置為限定不同 的示例性底部長度L2。例如， 一個組的每個底部長度L2可具有非 零值，但是不同于另一組長度L2的值。詳細(xì)參考圖2F底部電才及54的底部蝕刻限定環(huán)120配置為具有 底部環(huán)形凹室122。底部環(huán)形凹室122配置為具有3巨該軸X徑向定 位的壁124以4是供長度L2。凹室122進(jìn)一步配置為具有與晶片58 在軸向74 (圖2A )間隔開的壁126，以允許區(qū)域100的C2端(圖 2C和2E)穿過下部邊緣環(huán)境80延伸。在需要的平行方向，并利用 在第二位置關(guān)系(圖2C和2F)的下部電才及，底部環(huán)形凹室122限 定室月空77的下部月空部分128。下部月空部分128在晶片58下部邊^(qū)彖 環(huán)境區(qū)域80的下部表面92之下。室腔77的下部腔部分128相對 于下部邊纟彖環(huán)境80定向，以限定環(huán)形蝕刻區(qū)i或100和反應(yīng)性蝕刻 地帶102的下部部分，A人而允許對下部邊纟彖環(huán)境80進(jìn)4于蝕刻。在 下部月空部分128中，等離子所蝕刻的下部邊鄉(xiāng)彖環(huán)境80的部分只于應(yīng) 沿圖2C和2F所示的長度L2暴露于等離子的晶片表面92。與圖2C和2F中所示的下部環(huán)120的實施方式相反，圖2D顯 示了當(dāng)晶片的下部表面92沒有進(jìn)行任何蝕刻時可使用的下部環(huán)120 的實施方式。此時，下部長度L2的值為零，該底部蝕刻限定環(huán)120 沒有下部月空部分128,因jt匕未顯示出L2。相反i也，圖2D實施方式 的壁124顯示為與晶片58的邊纟彖卯徑向朝外間隔開。結(jié)果，線102L 的C2端靠近邊^(qū)彖90并且線102L不在晶片下面延伸。在這種情況 下，反應(yīng)性蝕刻地帶102將為示例性的顛倒的L形，并且圖2D中 環(huán)120的這個實施方式將反應(yīng)性蝕刻地帶102的等離子排除在非反 應(yīng)性地帶86之外，如圖中所表示，地帶102的C2端沒有在晶片之 下延伸?？梢岳斫獾氖?，通過使用選取的環(huán)110和120的一種，底部電 才及54和頂部電才及53可配置為選耳又的頂部蝕刻限定環(huán)110安裝在電 極53上，并且選取的底部環(huán)120安裝在底部電極54上。在示例性 的C形反應(yīng)性蝕刻地帶102的例子中，這個構(gòu)造限定晶片的頂部邊 緣排除區(qū)域82EEA的蝕刻的量，該量與長度L1相一致，并且圍繞 軸X延伸。這個示例性的構(gòu)造也限定晶片底部邊緣排除區(qū)域82EEA 的蝕刻的量，這個量與長度L2—致并且圍繞該軸X延伸。這個示 例性的構(gòu)造還限定該晶片排除區(qū)域82EEA的邊緣卯的蝕刻，該蝕 刻圍繞軸X延伸。圖3顯示了基底52和頂部電極53,各配置為〗吏頂部蝕刻限定 環(huán)110和底部々蟲刻限定環(huán)120的每個能夠纟皮另一個相應(yīng)的頂部和底 部蝕刻限定環(huán)替換，以限定晶片58的頂部和底部邊緣環(huán)境80的相 應(yīng)的蝕刻量(例如，各相應(yīng)的長度Ll和L2)。各相應(yīng)的量(長度 L1和L2)顯示為平行于該第一和第二基準(zhǔn)表面56和60延伸。圖 3也顯示了該第二位置關(guān)系，并且各個第一和第二基表面56和60 平4亍。 一組頂部環(huán)的每個頂部蝕刻限定環(huán)110、和一組底部環(huán)的每 個底部獨刻限定環(huán)120,配置為該第一和第二基準(zhǔn)表面平行并且中心對準(zhǔn)，以及頂部電才及53的中央?yún)^(qū)i或68緊密4妄近在該基準(zhǔn)表面第 二位置關(guān)系中的晶片的中央?yún)^(qū)域70，由此產(chǎn)生下面的結(jié)果。在圍繞 所有圍繞軸X的每個環(huán)的所有頂部蝕刻限定環(huán)110和底部蝕刻限定 環(huán)120之間具有均一的距離D。該均一的距離D使所有圍繞軸X 的晶片58的特有的邊緣環(huán)境80的頂部和底部能夠被均一地蝕刻。 該距離D的均一性與上述具有中央?yún)^(qū)域70和中央?yún)^(qū)域68相靠近的 薄間隔84 —5丈，如上述限定為大約0.010至大約0.020英寸的間隔。這些環(huán)110和120的構(gòu)造結(jié)合鄰近沖幾構(gòu)的構(gòu)造，容易l吏頂部蝕 刻限定環(huán)110和該底部蝕刻限定環(huán)120^皮相應(yīng)的另一個頂部和底部 蝕刻限定環(huán)所^^換。例如，在圖3中顯示的頂部環(huán)110配置為一個 具有大體上T形一黃截面的環(huán)面，以限定肩部130。插入件69徑向地 位于頂部環(huán)110內(nèi)，并且配置為具有下部環(huán)形凸緣132，該凸緣132 圍繞該軸X環(huán)狀延伸并且在環(huán)110的肩部130下面徑向延伸。利用 插入件69牢固地并且可移除地安裝在該頂部電極53上，該插入件 69將環(huán)110保持在頂部電極53的部分134。因此， 一個環(huán)110的移 除以及利用另 一個環(huán)110的替換可通過移除該插入件69、以及在替 換該環(huán)IIO后，插入件69與該上部電極53重新裝配而容易地完成。 插入件69的這種移除和重新裝配可以通過例如扣件完成，該扣件 可/人該部分134移除并且重新插入該部分134。在圖3中，下部環(huán) 120示為抵靠在該下部電極54上。因此， 一個環(huán)120的移除以及用 另一個環(huán)120的替換可通過將晶片從下部電極54移除、以及在該 環(huán)120替換后，將另一個晶片58設(shè)在下部電極54上而完成。上述各頂部蝕刻限定環(huán)110 #皮另 一個頂部蝕刻限定環(huán)的替換也 可以是如下所描述的方式。例如，圖2F實施方式的頂部蝕刻限定 環(huán)110可稱為"第一"頂部蝕刻限定環(huán)110-1 (并且為了說明清楚 而沒有顯示，但是在圖2A-2F和3中由標(biāo)號110表示)。該第一頂 部限定環(huán)110-1可配置為將薄間隔84從中央?yún)^(qū)域68徑向朝外延伸具有第一值的距離RU2。對應(yīng)延伸距離R112而調(diào)整長度Ll。頂 部蝕刻限定環(huán)110也可包括稱之為"第二，，頂部蝕刻限定環(huán)110-2(并且為了說明清楚而沒有顯示，但是在圖2A-2F和3中由標(biāo)號110 表示)。例如，圖2F實施方式的第二頂部蝕刻限定環(huán)110-2可配置 為將薄間隔84從中央?yún)^(qū)域68延伸具有第二值的距離R112 (稱為"R2")。對應(yīng)延伸距離R2而調(diào)整長度L1。在環(huán)110的另一個實施 方式中，當(dāng)Ll為零時，R112的值從插入件69擴展至邊緣90。各 第一頂部蝕刻限定環(huán)110-1和第二頂部蝕刻限定環(huán)110-2可如上所 述配置為可插入頂部電才及53以及乂人頂部電才及53移除。第二3巨離 R2 (以及因此該長度L1)可不同于該第一距離Rl (及因此該長度 L2 )， 乂人而該特有的上部邊纟彖環(huán)境80的蝕刻范圍(例如，徑向范圍)， 可才艮據(jù)該示例性的第一或第二頂部蝕刻限定環(huán)110-1或110-2中哪 一個與頂部電極53裝配而選擇。根據(jù)所需要的R112的值的范圍， 額外的環(huán)110可配置為具有不同的3巨離R112。上述各底部蝕刻限定環(huán)120由另一個底部蝕刻限定環(huán)120的替 換也可具有如圖3所示的方式。例如，參考環(huán)120的圖2C的實施 方式，圖3所示的底部蝕刻限定環(huán)120可稱為"第一"底部蝕刻限 定環(huán)120-1 (并且為了說明清楚而沒有顯示，但是在圖2A， 2C， 2D, 2F和3中由標(biāo)號120表示)。第一底部蝕刻限定環(huán)120-1可配置為 具有半徑長度BR，以限定具有第一值的長度L2，其稱為L2-1，并 對應(yīng)稱為BR-1的長度。底部蝕刻限定環(huán)120也可包括稱為"第二" 底部蝕刻限定環(huán)120-2 (并且為了i兌明清楚而沒有顯示，4旦是在圖 2A， 2C, 2D， 2F和3中由標(biāo)號120表示)。第二底部蝕刻限定環(huán) 120-2可配置為具有半徑長度BR，以限定具有第二值的長度L2， 其稱為L2-2，并對應(yīng)稱為BR-2的長度。第二長度BR-2具有的值 可與第一長度BR-1的值不同，從而第二長度L2-2可與第一長度 L2-l不同。各第一底部蝕刻限定環(huán)120-1和第二底部蝕刻限定環(huán) 120-2可配置為能夠如上述插在該底部電極54上并且從該底部電極54移除。按照這種方式，該特有的下部邊緣環(huán)境80的蝕刻范圍(例 如，徑向范圍)可沖艮據(jù)第一或第二底部蝕刻限定環(huán)120-1或120-2 中的哪一個插在該底部電極54上而選擇?？梢岳斫獾氖?，環(huán)IIO和120可由4氐4元等離子影響的材津牛構(gòu)成。 例如，這樣的材料可取自下面的組氧化鋁、鍍4乙鋁、碳化硅、氮 化鋇、石友化鋇、碳、鉆石、石墨、石英和氧化4乙。更詳細(xì)地參考該驅(qū)動62，圖2B顯示了在圍繞該晶片58的環(huán) 形路徑中延伸的環(huán)形蝕刻區(qū)域100，蝕刻限定環(huán)110和120也繞該 環(huán)形^各徑延伸。如圖2C中顯示的;也帶86的部分所表示，非反應(yīng)性 蝕刻地帶86也乂人軸X徑向穿過該晶片58延伸以及在該中央?yún)^(qū)域 70和由中央?yún)^(qū)域68限定的第二基準(zhǔn)表面60之間軸向延伸。為了確 保對圍繞軸X的邊緣環(huán)境80的均一蝕刻，表面56和60之間的位 置關(guān)系將成為并保持平行和中心對準(zhǔn)。這意味著當(dāng)表面56和60處 于第 一和第二位置關(guān)系的每個中以及在這些關(guān)系之間移動過程中， 頂部電一及53的移動(通過4關(guān)動裝置66和驅(qū)動器62的楔塊組件64 ) l呆持表面56和60平4亍和中心對準(zhǔn)。這種平4亍和中心對準(zhǔn)為所描述 的不期望的材料78的均一的去除提供了 (l)晶片58上部表面82 的中央?yún)^(qū)域70均 一地緊密接近頂部電極53的中央?yún)^(qū)域68,以及(2 ) 邊緣環(huán)境80在該環(huán)形蝕刻區(qū)域100相對于軸X居中，以用于對不 期望的材料78進(jìn)行均一的蝕刻。在使用處理室50之前，調(diào)整聯(lián)動裝置66以建立表面56和60 的平行位置關(guān)系。參考圖4的平面視圖，所示的聯(lián)動裝置66配置 成圍繞該軸X以120度間隔隔開的三個部分180。聯(lián)動裝置的各個 部分180與固定在頂部電極53的第一臂182配合。圖4和5顯示 了臂182,其從頂部電極53水平延伸進(jìn)入聯(lián)動裝置部分180。當(dāng)如 下所述的聯(lián)動裝置部分180松開時，臂182根據(jù)當(dāng)?shù)谝缓偷诙鶞?zhǔn) 表面56和60平行時該頂部電才及53如何設(shè)置而在該爭〉開的聯(lián)動裝置部分180內(nèi)定向。因此，每個臂182可在各自的聯(lián)動裝置部分180 內(nèi)不同地定向。參考圖5，利用該臂定向原理，顯示了典型的具有 定向臂182的聯(lián)動裝置部分180的垂直部分。圖5以實線顯示了該 部分180的+〉開狀態(tài)，以及以虛線顯示了該部分180的緊固狀態(tài)， 以將聯(lián)動裝置66與頂部電極53和楔塊組件64固定，從而適于蝕 刻操作。參考圖5，定向臂182顯示為水平延伸，并且與調(diào)整塊184固 定。塊184配置為具有鉆孔186，以容納用于轉(zhuǎn)動的調(diào)整器螺桿190。 該轉(zhuǎn)動相對于塊184和臂182上下移動螺桿190。螺桿l卯與鎖定 元件194固定。該螺桿的上下移動也使鎖定元件194上下移動。為 了使聯(lián)動裝置部分180滿足調(diào)整所需的條件，螺桿190初始地轉(zhuǎn)動， 以^吏鎖定元件194位于上面位置(圖示為實線)。通過轉(zhuǎn)動螺桿l卯， 可從上面位置向下移動鎖定元件194，直至鎖定元件194從臂182 移開并且4妾觸到線形驅(qū)動組件64。注意不要^f吏螺桿l卯的轉(zhuǎn)動超過 鎖定元件194只是4妄觸到組件64的要求，/人而上部電極53的方位 沒有變4匕。為了S尋鎖定元4牛194鎖定于線形馬區(qū)動纟且4牛，該元4牛194 配置為具有與例如在線形驅(qū)動組件64中的螺紋孔對齊的孔196,從 而，螺4丁 198可4尋鎖定元4牛194與組4牛64固定。如上所述，每個聯(lián)動裝置部分180可以是相同的。因此，在另 外兩個隔開的位置提供與上述的用于一個聯(lián)動裝置部分180相同的 結(jié)構(gòu)。該螺4干190的轉(zhuǎn)動可發(fā)生在每個部分180， 乂人而頂部電才及53 的方位不會被任何聯(lián)動裝置部分180改變。并且，該鎖定元件194 進(jìn)行相同的擰緊操作，從而每個聯(lián)動裝置部分180與各自線形驅(qū)動 組件64固定。以這種方式，表面56和60所建立的平4亍和中心對 準(zhǔn)的位置關(guān)系沒有改變，并且多個部分180相配合，以將頂部電極 53與各自線形驅(qū)動紐J牛64固定，同時4呆持表面56和60建立的平 ^f亍和中心對準(zhǔn)的位置關(guān)系。利用與線形驅(qū)動組件64固定的聯(lián)動裝置部分180，可操作驅(qū)動 器62。參考圖6，顯示了線形驅(qū)動組件64 —個楔塊組件的實施方 式，其包括組件64的三個楔塊部分中一個代表性的楔塊部分200。 該部分200如圖4所示圍繞軸X定位。每個斜塊部分200可以相同。 因此，在另外兩個隔開的位置提供與所述的用于一個殺+塊部分200 相同的結(jié)構(gòu)。該一個示例性的部分200配置為具有通過螺4丁 198與 鎖定元件194固定的第一楔塊元件202。鎖定元件194將楔塊元件 202《呆持為垂直移動，《旦第一楔塊元件202可與該鎖定元件194 一 起自由上下移動，以相應(yīng)地移動臂182和頂部電極53。該上下移動 是在第二楔塊元件204動作的情況下進(jìn)行的，第二楔塊元件204與 固定在該基底52的滑塊206連接。啟動馬達(dá)208，以在滑塊206上 移動第二楔塊元件204,從而向上推動該第一楔塊元件202的第一 斜面210，例如，通過該第二楔塊元件204的第二斜面212。相反 地，反向地啟動馬達(dá)208使得表面212允許第一楔塊元件202向下 移動。如上所述，所述的用于楔塊部分200的相同結(jié)構(gòu)處于三個隔開 的位置。并且，例如可通過來自公共總管214的液壓流體啟動每個 楔塊部分200的馬達(dá)208，從而相同的流體壓力應(yīng)用于每個馬達(dá)并 且相同的向上和向下運動同時應(yīng)用于每個如圖6所示的第一楔塊元 件202。以這種方式，頂部電極53上下移動，從而所建立的表面 56和60平4亍和中心對準(zhǔn)的^立置關(guān)系沒有改變，并且頂部電才及53移 動的同時，保持所建立的表面56和60平行和中心對準(zhǔn)的位置關(guān)系。從圖1和6可以理解，通過馬達(dá)208向左移動第二楔塊元件 204,第一楔塊元件202向上移動，并且將頂部電才及53和第二基準(zhǔn) 表面60從第一基準(zhǔn)表面56向上移開，從而進(jìn)入第一位置關(guān)系(圖 2A)。相反地，通過馬達(dá)208在圖1和6中向右移動第二楔塊元件 204,允許第一楔塊元件202向下移動，以允許頂部電纟及和第一基準(zhǔn)表面60向下朝向第一基準(zhǔn)表面56移動，從而進(jìn)入該第二位置關(guān)系。以這種方式，由第一楔塊元件202和第二楔塊元件204的角形 形狀，楔塊組件64配置為將驅(qū)動力通過聯(lián)動裝置66施加到頂部電 極53。這個力相等地通過每個聯(lián)動裝置部分180作用，以保持需要 的方位。該方位使得表面56與60平行(這導(dǎo)致上部晶片表面82 也平4亍于基準(zhǔn)表面60),并JU吏表面56與60中心只于準(zhǔn)(以相乂于于 軸X使環(huán)形蝕刻地帶102居中)。該方位通過移動第一楔塊元件202 維持，殺+塊元件202驅(qū)動耳關(guān)動裝置66以移動頂部電才及53?；仡櫼?上描述， 一個這樣的移動可以是頂部電極53移動第二基準(zhǔn)表面60， 從而進(jìn)入第二位置關(guān)系(圖2C),其中第二位置關(guān)系是指第二基準(zhǔn) 表面60緊密接近第一基準(zhǔn)表面56，并因此晶片58的上部表面82 也緊密接近第二基準(zhǔn)表面60,以限定在處理室50中的非反應(yīng)性蝕 刻地帶86。如上所述，間隔84 (限定中央?yún)^(qū)域70和中央?yún)^(qū)i或68 的間隔)由第二基準(zhǔn)表面60與第一基準(zhǔn)表面56的緊密接近所形成。 所述的頂部電極53將第二基準(zhǔn)表面60移動入該第二位置關(guān)系(圖 2C)的移動，可在移動方向(即，X軸方向)上將非反應(yīng)性蝕刻地 帶86配置為具有大約0.010英寸到大約0.020英寸的尺寸。利用所 描述的多個聯(lián)動裝置部分180和楔塊部分200，在移動方向上可才是 供尺寸公差在大約正負(fù)0.002英寸內(nèi)的這種尺寸。在在移動方向上， 間隔84的該尺寸在上部電才及53和下部電才及54的相》于移動(例如， 表面56和60之間的位置關(guān)系保持平行和中心對準(zhǔn)而產(chǎn)生該相對移 動)過程中是可重復(fù)的，以確保對圍繞軸X的邊*彖環(huán)境80的均一 蝕刻?？梢岳斫獾氖?，可才是供不同于楔塊組件的線性驅(qū)動組件64的 其它實施方式。例如，垂直定向的氣動馬達(dá)可用于替^該楔塊紐/f牛， 并且通過耳關(guān)動裝置66驅(qū)動上部電才及53?；仡櫼陨厦枋?，本發(fā)明的實施方式通過才是供半導(dǎo)體制造裝置滿 足了上述需求，該裝置配置為用于在用于制造半導(dǎo)體晶片的處理室 中限定分開的處理排除和處理才丸4亍區(qū)域。分開的處理排除區(qū)i或可配置為由聯(lián)動裝置部分180的構(gòu)造所產(chǎn)生的非反應(yīng)性蝕刻地帶86,通 過聯(lián)動裝置部分180,頂部電才及53與該驅(qū)動器62相連4妾，而不改 變所建立的表面56和60平4亍和中心對準(zhǔn)的位置關(guān)系。并且，多個 聯(lián)動裝置部分180相配合，以將頂部電極53與線性驅(qū)動組件64固 定，同時保持所建立的表面56和60的位置關(guān)系。通過示例性的馬 達(dá)208移動該示例性的楔塊元件204,可利于將分開的處理-排除區(qū) 域配置為非反應(yīng)性蝕刻地帶86，上述移動是為了移動頂部電才及53 和第二基準(zhǔn)表面60，從而允許頂部電極和第二基準(zhǔn)表面60向下朝 向該第一基準(zhǔn)表面移動而進(jìn)入第二位置關(guān)系，通過第二位置關(guān)系限 定非反應(yīng)性蝕刻地帶86。根據(jù)上述規(guī)格要求，分開的處理執(zhí)行區(qū)域可配置為在其中僅允 許在特有的邊緣環(huán)境80上執(zhí)行晶片蝕刻的區(qū)域。這種蝕刻已^皮描 述為允許在區(qū)域100內(nèi)(即在反應(yīng)蝕刻地帶102內(nèi))的蝕刻。在一 個實施方式中，為了符合一個示例性的規(guī)格要求，該示例性的大體 上C形4黃截面是等離子點燃區(qū)域。該示例性區(qū)域100從Cl沿上部 表面82的長度L1圍繞外部邊^(qū)彖卯延伸至晶片的底部表面92。該 示例性的區(qū)域100沿底部表面90的底部長度L2延伸至C2。因此， 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，由區(qū)域100限定的反應(yīng)性蝕刻地帶102可 配置為在線102L內(nèi)從C1端徑向朝外，鄰近并且圍繞環(huán)形邊多彖環(huán)境 80延伸至C2端，以能夠根據(jù)適用的規(guī)格要求去除不期望的材并牛78。 在環(huán)形蝕刻區(qū)域100的Cl端和非反應(yīng)性蝕刻地帶86之間的邊界B 表示這些處理排除和處理扭J亍區(qū)域在處理室50中是分開的。因此， 這些實施方式被配置成蝕刻排除在這些晶片的中央?yún)^(qū)域70之外， 并且允許僅在晶片58上特有的邊緣環(huán)境80上執(zhí)行蝕刻。回顧以上描述，蝕刻室50的一個實施方式可包4舌用于支J義晶 片58的下部電極54。上部電極53可具有未凈皮供電的中央?yún)^(qū)i或68, 中央?yún)^(qū)域68配置為當(dāng)晶片由該下部電極支7"R時緊密4妄近晶片58的 中央?yún)^(qū)域70。環(huán)形區(qū)域100可限定在頂部電極53和底部電沖及54之 間，以限定反應(yīng)性蝕刻地帶102，該地帶可配置成能夠蝕刻晶片的 特有的邊纟彖環(huán)境80。頂部蝕刻限定環(huán)110可配置為限定反應(yīng)性蝕刻 地帶102的至少一部分，該部分對應(yīng)沿晶片頂部82的頂部長度L1 延伸的特有的邊緣環(huán)境80的一部分。頂部長度L1在反應(yīng)性蝕刻地 帶102中。底部蝕刻限定環(huán)120可配置為限定反應(yīng)性蝕刻i也帶102 的一部分，該部分對應(yīng)沿晶片58底部92的底部長度L2延伸的特 有的邊緣環(huán)境80的一部分。底部長度L2在反應(yīng)性蝕刻地帶102中。 根據(jù)如上根據(jù)圖2F和3所描述的適用的規(guī)格要求，來限定特有的 邊纟彖環(huán)緊80的該部分。本發(fā)明的實施方式可容易地配置為用于根據(jù)適用的規(guī)格要求， 乂人整個特有的邊全彖環(huán)境80 (即，圍繞該包圍該中央?yún)^(qū)域70的上部 晶片表面82的環(huán)形邊緣區(qū)域，以及圍繞該晶片邊緣，以及在沿底 部表面92的邊主彖區(qū)域的下面，該邊緣區(qū)域靠近晶片58的邊》彖卯) 均一地去除不期望的材料78，并由此滿足了上述需要。這種均一去 除不從中央?yún)^(qū)域70去除材料，也不損傷該中央?yún)^(qū)域。聯(lián)動裝置部 分180的運轉(zhuǎn)使得所建立的表面56和60的平行和中心對準(zhǔn)的位置 關(guān)系沒有改變，并且多個部分180的運轉(zhuǎn)相配合，將頂部電4及53 與基底52固定，同時保持所建立的表面56和60平行和中心對準(zhǔn) 的位置關(guān)系，因此這些耳關(guān)動裝置部分180有助于滿足這些需求。例 如，通過在軸X周圍建立和〗呆持表面56和60的均一的緊密4妾近， 從而限定該室腔77的軸向薄間隔84配置為具有在晶片中央?yún)^(qū)域70 和頂部電極53中央?yún)^(qū)域68之間的均一地圍繞軸X的非反應(yīng)性蝕刻 地帶86。通過將本發(fā)明的實施方式配置為根據(jù)用于不同類型晶片的規(guī)j格要求，從每個特有的邊緣環(huán)境80的不同半徑長度去除不期望的 材料78,這也滿足了上述需求。例如，以上提及了相對于該軸X 在徑向延伸的^:個長度，包^r限定上部晶片表面82 —部分的頂部 長度Ll (不期望的材料78從該部分均一地去除)，以及包括限定該 下部晶片表面92 —部分的底部長度L2(不期望的材料78從該部分 均一地去除)。環(huán)110和120，以及這種環(huán)的組，因此可提供不同于 距離R112的第一值(以及由此提供長度L1的不同值)的距離R112 的第二值(以及由此提供該長度L1的特有值)，從而上部邊緣環(huán)境 80的蝕刻范圍(例如，半徑范圍)可根據(jù)第一和第二頂部蝕刻限定 環(huán)110-1或110-2的哪一個與頂部電極53裝配來選4奪。并且，對于 參考圖3描述的底部環(huán)120,示例性的第二長度BR-2可具有不同 于第 一 長度BR-1值的特有的值，從而該示例性的第二長度L2-2可 不同于該示例性的第一長度L2-l。以這種方式，下部邊纟彖環(huán)境80 的蝕刻徑向范圍可才艮據(jù)第一或第二底部蝕刻限定環(huán)120-1或120-2 哪一個插入卡盤54來選4奪。并且，^是供的環(huán)IIO和120是容易替換的構(gòu)造。這使從一個環(huán) (例如環(huán)110 (或120))到另一個環(huán)110 (或120)的轉(zhuǎn)變變得容易 以經(jīng)濟的方式完成。例:io, ^^換環(huán)IIO和120的一個或者兩個的方 法可^吏成本顯著降〗氐。因此，環(huán)110和120 ^f吏其對于^^換該分開的 頂部或底部電極54和54的任何其它部分是必要的，例如，不需要 替換整個電極本身，或者電極53和54的任何重要部件。而是，僅 頂部蝕刻環(huán)110和底部蝕刻限定環(huán)120的一個或者兩個需要分別由 另一個頂部和底部蝕刻限定環(huán)110或120替換，以限定晶片58的 頂部和底部邊緣排除區(qū)域80的蝕刻量的相應(yīng)的特有值。這些量的 相應(yīng)值相對于相應(yīng)的第一和第二基準(zhǔn)表面56和60平4亍延伸。因此， 可完成環(huán)110和120的替換而不替換電極53和底部電極54除了環(huán) 110和/或120之外的任何部分。由這種替換導(dǎo)致的顯著低的成本也是因為可方使J也去除各個換110和120的每個，并且^弄換上另 一個 不同構(gòu)造的環(huán)。如上所述，為了替換環(huán)110，可取出插入件69，然 后在^,:換上新環(huán)110之后，同一4翁入件69與上部電才及53重新裝配。盡管為了清楚理解的目的，相當(dāng)詳細(xì)地描述所闡述的發(fā)明，可 以理解的可在所附4又利要求的范圍內(nèi)實施確定的變4匕和{奮改。因 此，這些實施方式應(yīng)該理解為說明性的而不是限制性的，并且本發(fā) 明并不限于這里給出的細(xì)節(jié)，而是可在所附權(quán)利要求的范圍和等同 物內(nèi)修改。
權(quán)利要求
1.一種用于限定處理室中非反應(yīng)性蝕刻和反應(yīng)性蝕刻地帶的裝置，所述處理室配置為用于蝕刻晶片，所述裝置包括下部電極，其配置為在所述處理室中支承晶片，其中所述晶片上部表面的上部邊緣環(huán)境被暴露以用于處理，所述下部電極進(jìn)一步配置為支承所述晶片，并且其中所述晶片上部表面的中央?yún)^(qū)域位于所述被暴露以用于處理的上部邊緣環(huán)境內(nèi)，所述中央?yún)^(qū)域的半徑范圍根據(jù)每個待處理的不同晶片的規(guī)格要求而不同；以及頂部電極，其配置為具有對應(yīng)所述中央?yún)^(qū)域的第一半徑范圍的中央?yún)^(qū)域，其中所述第一半徑范圍小于第二半徑范圍，并且所述第二半徑范圍小于第三半徑范圍，所述頂部電極進(jìn)一步配置為分別容納第一和第二頂部蝕刻限定環(huán)，各所述頂部蝕刻限定環(huán)配置為具有圍繞所述中央?yún)^(qū)域的環(huán)形形狀，所述環(huán)形形狀具有T形橫截面形狀以限定具有連續(xù)一體構(gòu)造的中央徑向延伸部分，從而將所述中央?yún)^(qū)域的第一半徑范圍徑向延伸離開所述中央?yún)^(qū)域，所述T形橫截面形狀進(jìn)一步限定圍繞所述中央?yún)^(qū)域的內(nèi)部徑向延伸肩部，所述T形橫截面形狀進(jìn)一步限定外部上部腔，所述外部上部腔根據(jù)待處理的相應(yīng)的晶片的規(guī)格要求而位于所述晶片的上部邊緣環(huán)境上，所述頂部電極構(gòu)造使得所述頂部電極可相對于所述下部電極具有第二位置關(guān)系，從而在所述下部電極上支承的所述晶片的所述第一半徑范圍的中央?yún)^(qū)域被均一的薄間隔從所述中央?yún)^(qū)域間隔開，所述薄間隔配置為將蝕刻排除在由所述均一薄間隔所限定的非反應(yīng)性蝕刻地帶之外，所述頂部電極的所述中央?yún)^(qū)域配置為具有凸緣，所述凸緣具有在分別被容納在所述頂部電極上的第一和第二環(huán)中的每個的所述內(nèi)部徑向延伸肩部下方的徑向延伸，所述凸緣配置為將相應(yīng)的所述環(huán)保持在所述頂部電極上，從而各相應(yīng)地被分別容納的所述第一和所述第二環(huán)的中央徑向延伸區(qū)域被設(shè)置，其中所述連續(xù)的一體構(gòu)造根據(jù)在所述頂部電極的凸緣上哪個環(huán)被分別容納，而將所述第一半徑范圍的連續(xù)的一體延伸限定為與所述相應(yīng)的第二半徑范圍或第三半徑范圍相等，從而對于由每個待處理的不同晶片相應(yīng)的規(guī)格要求所規(guī)定的中央?yún)^(qū)域的每個不同的半徑范圍，這些環(huán)中的一個將所述均一的薄間隔延伸超出所述第一半徑范圍以將蝕刻排除在由所述均一的薄間隔限定的所述非反應(yīng)性蝕刻地帶之外，所述均一的薄間隔對應(yīng)根據(jù)所述晶片規(guī)格要求的相應(yīng)的第二或第三半徑范圍，所述頂部電極構(gòu)造進(jìn)一步使得當(dāng)所述頂部電極處于所述第二位置關(guān)系時，由各自被容納的相應(yīng)的第一和第二頂部蝕刻限定環(huán)所限定的外部上部腔相對于對應(yīng)所述被容納的環(huán)的相應(yīng)晶片的上部邊緣環(huán)境而定向以限定所述處理室的上部部分以及上部反應(yīng)性蝕刻地帶，從而允許相應(yīng)晶片的上部邊緣環(huán)境的蝕刻。
2. —種用于限定處理室中非反應(yīng)性蝕刻和反應(yīng)性蝕刻地帶的裝 置，所述處理室配置為用于蝕刻晶片，所述裝置包括下部電極，其配置為在所述處理室中支承所述晶片，其 中所述晶片的上部表面的上部邊^(qū)^環(huán)境凈皮暴露以用于處理，所 述下部電極進(jìn)一步配置為支承所述晶片，并且其中所述晶片的 所述上部表面的中央上部區(qū)域位于^皮暴露以用于處理的所述 上部邊》彖環(huán)境內(nèi)，所述下部電才及進(jìn)一步配置為在所述處理室中 支承所述晶片，并且其中所述晶片的外圍邊緣和下部邊緣環(huán)境 ^皮暴露以用于處理，所述外圍邊鄉(xiāng)彖鄰近所述上部邊》彖環(huán)境，并 且所述下部邊*彖環(huán)境在所述上部邊纟彖環(huán)境下方，所述中央上部區(qū)域以及所述下部邊緣環(huán)境的半徑范圍#4居每個不同的待處 理晶片的類L才各要求而各不同；以及頂部電才及，配置為具有對應(yīng)所述中央?yún)^(qū)i或的第一半徑范 圍的中央?yún)^(qū)域，其中所述第一半徑范圍小于第二半徑范圍，并 且所述第二半徑范圍小于第三半徑范圍，所述頂部電才及進(jìn)一步 配置為分別容納第 一和第二頂部蝕刻限定環(huán)，各所述頂部蝕刻 限定環(huán)配置為具有圍繞所述中央?yún)^(qū)域的環(huán)形形狀，所述環(huán)形形 狀具有T形才黃截面形狀以限定具有連續(xù)一體構(gòu)造的中央徑向 延伸部分，從而將所述中央?yún)^(qū)域的第 一半徑范圍徑向延伸離開 所述中央?yún)^(qū)域，所述T形沖黃截面形狀進(jìn)一步限定圍繞所述中 央?yún)^(qū)域的內(nèi)部徑向延伸肩部，所述T形4黃截面形狀進(jìn)一步限 定外部上部腔，所述外部上部腔根據(jù)相應(yīng)的待處理晶片的規(guī)格 要求而位于所述晶片的上部邊纟彖環(huán)境上，所述頂部電才及構(gòu)造4吏 得所述頂部電極可相對于所述下部電極具有第二位置關(guān)系從 而在所述下部電極上支承的所述晶片的第一半徑范圍的中央 區(qū)域被均一的薄間隔從所述中央?yún)^(qū)域間隔開，所述薄間隔配置 為將蝕刻排除在由所述均 一薄間隔所限定的非反應(yīng)性蝕刻地 帶之夕卜；所述下部電極進(jìn)一步配置為分別容納第一和第二底部蝕 刻限定環(huán)，每個所述底部蝕刻限定環(huán)配置為限定下部腔，每個 所述底部蝕刻限定環(huán)的構(gòu)造進(jìn)一 步侵j尋當(dāng)所述頂部電才及相對 于所述下部電4及具有第二位置關(guān)系時，由每個所述底部蝕刻限 定環(huán)所限定的下部3空相對于所述晶片的下部邊纟彖環(huán)境定向以 限定所述處理室的下部部分和下部反應(yīng)性蝕刻；也帶，,人而允i午 蝕刻所述晶片^皮暴露的外圍邊緣以及所述晶片的下部邊緣環(huán) 境，根據(jù)每個不同的待處理晶片的規(guī)格要求，所述下部邊緣環(huán) 境的不同半徑范圍與外圍邊緣有關(guān)，并且為第四和第五半徑范 圍，其中所述第四半徑范圍小于所述第五半徑范圍，分別容納所述第一和第二底部蝕刻限定環(huán)的所述下部電極的構(gòu)造為臺 階狀，各所述底部蝕刻限定環(huán)配置為具有圍繞所述下部電才及的 環(huán)狀形狀并且支承在所述臺階上，所述環(huán)形形狀的相應(yīng)的底部 環(huán)具有底部才黃截面形狀以限定具有相應(yīng)的連續(xù) 一體構(gòu)造的徑 向延伸部分，從而徑向地限定所述下部邊纟彖環(huán)境的相應(yīng)的第四 和第五半徑范圍中的一個，所述底部橫截面形狀根據(jù)待處理的 相應(yīng)晶片的規(guī)格要求進(jìn)一步限定在所述晶片的下部邊緣環(huán)境下方的下部腔的半徑范圍；所述頂部電極的中央?yún)^(qū)域配置為具有凸緣，所述凸緣具 有在各分別凈皮容納在所述頂部電才及上的第 一和第二環(huán)的內(nèi)部 徑向延伸肩部下方的徑向延伸，所述凸緣配置為將所述相應(yīng)的 環(huán)4呆持在所述頂部電纟及上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述凸緣進(jìn)一步配置，從而各相應(yīng)地分別被容納的第一 和第二環(huán)的所述中央徑向延伸部分祐:i殳置，其中所述連續(xù)的一 體構(gòu)造#4居在所述頂部電4及的凸纟彖上哪個所述環(huán)纟皮相應(yīng)i也容 納，而^1尋所迷第一半徑范圍的連續(xù)的一體延伸限定為與所述相 應(yīng)的第二半徑范圍或第三半徑范圍相等，從而對于由每個待處理的不同晶片相應(yīng)的規(guī)格要求所規(guī)定的所述中央?yún)^(qū)域的每個 不同的半徑范圍，由所述凸緣保持的所述環(huán)中相應(yīng)的一個將所 述均一的薄間隔延伸超出所述第一半徑范圍，以將蝕刻排除在 由所述均一的薄間隔限定的所述非反應(yīng)性蝕刻地帶之外，所述 均 一 的薄間隔對應(yīng)根據(jù)所述晶片的規(guī)格的相應(yīng)的第二或第三半徑范圍；以及所述頂部電纟及構(gòu)造進(jìn)一 步4吏得當(dāng)所述頂部電極處于所述 第二位置關(guān)系時，由相應(yīng)地被容納的所述第 一和第二頂部蝕刻 限定環(huán)所限定的所述外部上部l空相對于對應(yīng)所述^皮容納的環(huán)的所述相應(yīng)晶片的上部邊緣環(huán)境而定向以限定所述處理室的 上部部分以及上部反應(yīng)性蝕刻i也帶，A人而允i午各所述晶片的上 部邊纟彖環(huán)境的蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于在處理室中限定處理排除和處理執(zhí)行的區(qū)域的裝置。在處理室中建立位置關(guān)系。上部電極配置為具有第一表面以支承晶片，以及一個具有第二表面的電極。線性驅(qū)動器安裝在該基底上，以及聯(lián)動裝置連接在該驅(qū)動器和該上部電極之間。聯(lián)動裝置調(diào)節(jié)限定在這些表面之間需要的方位。當(dāng)該組件移動該上部電極并且這些表面相對于彼此移動時，該線性驅(qū)動器和聯(lián)動裝置保持需要的方位。限定在這些電極之間的環(huán)形蝕刻區(qū)域使沿該晶片頂部和底部延伸的晶片邊緣排除區(qū)域能夠蝕刻。可移除的蝕刻限定環(huán)被配置為限定沿待蝕刻的晶片的頂部和底部每個的特有的長度。這些表面的位置關(guān)系能夠?qū)⑽g刻限制在具有那些特有長度的排除區(qū)域。
文檔編號H01L21/3065GK101236901SQ20081000709
公開日2008年8月6日 申請日期2008年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月2日
發(fā)明者安德魯·D·貝利三世, 杰克·陳, 格雷戈里·S·塞克斯頓, 金允尚 申請人:朗姆研究公司