專利名稱：具有晶粒接收凹孔之晶圓級影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，特定而言系有關(guān)于具有內(nèi)含晶 粒接收凹孔之載版(基板)以用于接收影像傳感器晶粒之晶圓級封裝 結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
于半導(dǎo)體組件之領(lǐng)域中，組件之密度持續(xù)增加且組件之尺寸持續(xù) 縮小。為配合上述情況，如此高密度組件中封裝或互連技術(shù)之需求亦日益增加。傳統(tǒng)上，覆晶封裝(flip-chip)附著方法中焊錫凸塊數(shù)組系形成于晶粒之表面。焊錫凸塊之形成可利用焊錫復(fù)合材料透過防焊層(solder mask)而予以施行，以用于產(chǎn)生期望之焊錫凸塊形態(tài)。芯 片封裝之功能包含功率分配、信號分配、散熱、保護(hù)及支撐等。當(dāng)半 導(dǎo)體變?yōu)楦訌?fù)雜，傳統(tǒng)封裝技術(shù)例如導(dǎo)線架封裝、軟性封裝、剛性 封裝技術(shù)已無法滿足欲產(chǎn)生具較高密度組件之較小芯片之需求。此外，因傳統(tǒng)封裝技術(shù)必須將晶圓上之晶粒分割成各別之晶粒且 接著各別封裝該晶粒，故此類技術(shù)對于制造程序而言系為耗時(shí)。因芯 片封裝技術(shù)系大為受到集成電路發(fā)展之影響，故當(dāng)電子裝置之尺寸變 為高要求時(shí)，封裝技術(shù)亦系如此。由于上述之理由，封裝技術(shù)之趨勢 系朝向現(xiàn)今之錫球數(shù)組(BGA)、覆晶封裝(覆晶錫球數(shù)組(FC-BGA))、 芯片尺寸封裝(CSP)、晶圓級封裝(WLP)。 「晶圓級封裝」(WLP)系被了 解為晶圓上整體封裝、所有互連及其它程序步驟系于分離成晶粒之前 施行。 一般而言，于完成所有組裝程序或封裝程序之后，獨(dú)立之半導(dǎo) 體封裝系與具數(shù)個(gè)半導(dǎo)體晶粒之晶圓分開。該晶圓級封裝具有極小之 尺寸并結(jié)合極佳之電子特性。晶圓級封裝(WLP)技術(shù)系為高級封裝技術(shù)，藉其晶粒系于晶圓上 予以制造及測試，且接著藉切割而分離以用于在表面黏著生產(chǎn)線中組 裝。因晶圓級封裝技術(shù)利用整個(gè)晶圓作為目標(biāo)，而非利用單一芯片或晶粒，因此于進(jìn)行分離程序之前，封裝及測試皆己完成。此外，晶圓級封裝(WLP)系如此之高級技術(shù)，因此線接合、晶粒黏著及底部填充 之程序可予以忽略。藉利用晶圓級封裝技術(shù)，可減少成本及制造時(shí)間 且晶圓級封裝之最終結(jié)構(gòu)尺寸可相當(dāng)于晶粒大小，故此技術(shù)可滿足電 子裝置之微型化需求。雖晶圓級封裝技術(shù)具有上述優(yōu)點(diǎn)，然而仍存在一些影響晶圓級封 裝技術(shù)之接受度之問題。例如，雖利用晶圓級封裝技術(shù)可減少集成電 路與互連基板間之熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配，然而當(dāng)組件尺寸縮小，晶圓級封裝結(jié)構(gòu)之材料間之熱膨脹系數(shù)差異變?yōu)榱硪辉斐山Y(jié)構(gòu)之機(jī) 械不穩(wěn)定之關(guān)鍵因素。再者，于此晶圓級芯片尺寸封裝中，形成于半 導(dǎo)體晶粒上之?dāng)?shù)個(gè)接合墊系透過牽涉到重分布層(RDL)之習(xí)用重分布程序予以重分布進(jìn)入數(shù)個(gè)區(qū)域數(shù)組形之金屬墊。焊錫球系直接熔接于 金屬墊上，而金屬墊系用重分布程序以區(qū)域數(shù)組形式形脫 一般而言， 所有經(jīng)堆棧之重分布層系形成于晶粒上之積層上。因此，封裝之厚度 會增加。其可能與減少芯片尺寸之需求相抵觸。關(guān)于利用芯片直接封裝(COB)或具線接合結(jié)構(gòu)之有引線芯片封裝 (LCC)之傳統(tǒng)封裝影像傳感器組件之方法受困于制程期間之產(chǎn)量問 題，其系由于微透鏡區(qū)域上無法于制程程序后移除之粒子污染。因lt匕本發(fā)明提供無需堆棧積層及重分布層之?dāng)U散型晶圓級封裝 結(jié)構(gòu)，以減少封裝厚度，以便克服上述問題，且亦提供較佳之電路板 級溫度循環(huán)測試可靠度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明系提供具有晶粒接收凹孔之晶圓級影像傳感器封裝結(jié) 構(gòu)。本具有晶粒接收凹孔之晶圓級影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)包含基板，其 具有形成于基板上層內(nèi)之晶粒接收凹？L其中終端墊系形成于工件之 上表面及外部上。晶粒系藉由黏膠設(shè)置于晶粒接收凹孔內(nèi)，而介電層 系形成于晶粒及基板上。重分布金屬層(RDL)系形成于介電層上且耦 合至晶粒。此領(lǐng)域之技藝者應(yīng)注意，開孔系形成于介電層及頂部保護(hù)層內(nèi)以 暴露晶粒之微透鏡區(qū)域以用于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體影像傳感器(CIS)。最后，涂布有紅外線濾光片之透明蓋系選擇性形成于微透鏡區(qū)域上以用于保護(hù)。保護(hù)層(膜)系涂布于影像傳感器芯片之微透鏡區(qū)域上，其具有防 水及防油性，可避免微透鏡區(qū)域上之粒子污染。保護(hù)層(膜)之厚度較佳為約O. 1微米至0.3微米，且其反射率接近空氣之反射率l。制程 程序可以旋涂玻璃(SOG)技術(shù)執(zhí)行，且可以硅晶圓形式或板晶圓形式 進(jìn)行，最好系以硅晶圓形式以避免于隨后之程序期間受到粒子污染。 保護(hù)層之材料可為二氧化硅、三氧化二鋁或氟聚合物。介電層包含彈性介電層、硅介電型材料、苯環(huán)丁烯(BCB)或聚 亞酰胺(PI)。硅介電型材料包含硅氧烷聚合物(SINR)、道康寧(Dow Corning)WL5000系列及其結(jié)合。另則，介電層包含感光層?；逯牧习袡C(jī)環(huán)氧型耐高溫玻璃纖維板(FR5)、雙馬來酰 亞胺三氮雜苯樹脂(BT)、印刷電路板(PCB)、合金或金屬。合金包含 鎳鐵合金(Alloy42)，由42%之鎳及58%之鐵所組成，或柯弗合金 (Kover)，由29%之鎳、17%之鈷及54%之鐵所組成。另則，基板之材 料可為玻璃、陶瓷或硅。


圖1系為根據(jù)本發(fā)明之?dāng)U散型晶圓級封裝結(jié)構(gòu)之橫切面示意圖。 圖1A系為根據(jù)本發(fā)明之?dāng)U散型晶圓級封裝之保護(hù)層之示意圖。 圖2系為根據(jù)本發(fā)明之?dāng)U散型晶圓級封裝結(jié)構(gòu)之橫切面示意圖。 圖3系為根據(jù)本發(fā)明之板形擴(kuò)散型晶圓級封裝結(jié)構(gòu)之橫切面示意圖。圖4系為根據(jù)本發(fā)明之晶圓級影像傳感器封裝方法之流程圖。 圖中2基板4晶粒接收凹孔 8終端墊 12保護(hù)層14晶粒附著材料(黏膠材料) 16晶粒18介電層20接合墊(接觸墊/金屬墊/輸出入焊墊)22接觸連通金屬24重分布層26頂端保護(hù)層28切割線30導(dǎo)電球40開孔42微透鏡區(qū)域44透明蓋50保護(hù)層(膜)涂料201步驟202步驟203步驟204步驟205步驟206步驟207步驟208步驟209步驟210步驟具體實(shí)施方式
本發(fā)明將以較佳之實(shí)施例及觀點(diǎn)加以詳細(xì)敘逸而此類敘述系解 釋本發(fā)明之結(jié)構(gòu)及程序，只用以說明而非用以限制本發(fā)明之權(quán)利要 求。因此，除說明書中之較佳實(shí)施例之外，本發(fā)明亦可廣泛實(shí)行于其 它實(shí)施例。本發(fā)明系揭露晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其方法，其利用形成進(jìn)入基板內(nèi) 之晶粒接收凹孔。感光材料系涂布于晶粒及預(yù)形成之基板上。感光材 料之材質(zhì)較佳系由彈性材料所形成。圖1系根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施例顯示擴(kuò)散型晶圓級封裝(FO-WLP)之橫切面示意圖。如圖1所示，擴(kuò)散型晶圓級封裝(FO-WLP)結(jié)構(gòu)包含 基板2，其具有晶粒接收凹孔4形成于其中以接收晶粒16。終端墊8 系設(shè)置于基板2之上表面上且大體上與微透鏡位于同一平面。晶粒16系設(shè)置于基板2上之晶粒接收凹孔4內(nèi)且藉由黏膠(晶粒 附著)材料14固定。如此領(lǐng)域之技藝者所熟知，接觸墊(接合墊)20 系形成于晶粒16上。感光層或介電層18系形成于晶粒16上且充填 入晶粒16及凹孔4側(cè)壁間之空隙內(nèi)。復(fù)數(shù)開孔系透過光微影蝕刻程 序或曝光及顯影程序形成于介電層18內(nèi)。重分布層(RDL)24，亦稱為 導(dǎo)線24，系藉由移除形成于介電層18上之選定部分金屬層而予以形 成于介電層18上，其中重分布層(RDL)24系透過輸出入焊墊(接合 墊)20與晶粒16保持電性連接。部分之重分布層之材料系充填入介 電層18內(nèi)之開孔中，藉此形成接觸連通金屬22及接合墊20。頂端 保護(hù)層26系形成以覆蓋重分布層(RDL)24。另一保護(hù)層12，例如防 焊環(huán)氧物(solder mask印oxy)，系形成于基板2之下表面之下。介電層18系形成于晶粒16及基板2之上方且充填入晶粒2周圍 之空隙內(nèi)。上述結(jié)構(gòu)系構(gòu)成平面閘格數(shù)組(LGA)型封裝(周圍型)。此領(lǐng)域之技藝者應(yīng)注意，開孔40系形成于介電層18及頂端保護(hù) 層26內(nèi)以暴露晶粒16之微透鏡區(qū)域42，以用于互補(bǔ)型金屬氧化物 半導(dǎo)體影像傳感器(CIS)。如圖1A所示，保護(hù)層(膜)涂料50可形成 于微透鏡區(qū)域42上之微透鏡上。開孔40 —般系藉由此領(lǐng)域之技藝者 所熟知之光微影蝕刻程序形成。于一實(shí)施例中，開孔40之下部分可 于連通開孔形成期間開啟。開孔40之上部分系于頂端保護(hù)層26淀積 之后形成。另則，整體之開孔40系于頂端保護(hù)層26形成之后藉由光 微影蝕刻形成。保護(hù)層(膜)系涂布于影像傳感器芯片之微透鏡區(qū)域 上，其具有防水及防油性，可避免微透鏡區(qū)域上之粒子污染。保護(hù)層 (膜)之厚度較佳為約0. 1微米至0. 3微米，且其反射率接近空氣之反 射率1。制程程序可以旋涂玻璃(SOG)技術(shù)執(zhí)行，且可以硅晶圓形式 或板晶圓形式進(jìn)行，最好系以硅晶圓形式以避免于隨后之程序期間受 到粒子污染。保護(hù)層之材料可為二氧化硅、三氧化二鋁或氟聚合物。最后，涂布有紅外線濾光片(IR filter)之透明蓋44系選擇性形 成于微透鏡區(qū)域42上以用于保護(hù)。透明蓋44可由玻瑰石英等組脫一替代實(shí)施例可參閱圖2。導(dǎo)電球30系形成于終端墊8之上方。 此類型稱為錫球數(shù)組(BGA)型?；?之材料較佳為有機(jī)基板，例如 具已定義凹孔之環(huán)氧型耐高溫玻璃纖維板(FR5)、玻璃纖維板(FR4)、 雙馬來酰亞胺三氮雜苯樹脂(BT)、印刷電路板(PCB)或具預(yù)蝕刻電路 之鎳鐵合金(Alloy42)。具高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)之有機(jī)基板為環(huán)氧 型耐高溫玻璃纖維板(FR5)或雙馬來酰亞胺三氮雜苯樹脂(BT)型基 板。鎳鐵合金(Alloy42)系由42%之鎳及58%之鐵所組成?？赂ズ辖?(Kover)亦可予以利用，其系由29%之||> 17%之鈷及54%之鐵所組成。 玻璃、陶瓷或硅因具較低之熱膨脹系數(shù)(CTE)故可予以利用為基板?；蹇蔀閳A形例如晶圓型，其半徑可為200毫米、300毫米或以 上?；逡嗫蔀榫匦卫缑姘逍?。圖3系顯示用于板晶圓型之基板2 之橫切面示意圖。于圖3之上部分中，圖1之封裝單元系以數(shù)組形式 排列。切割線28系定義于封裝單元之間以用于分離每一單元。本發(fā)明之一實(shí)施例中，介電層18較佳為彈性介電材料，其系以 含硅介電型材料組成，包含硅氧烷聚合物(SINR)、道康寧(Dow Corning)WL5000系列及其結(jié)合。另一實(shí)施例中，介電層18系由包含 苯環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧樹脂、聚亞酰胺(PI)或樹脂之材料所組成。 其較佳為感光層以簡化制程。本發(fā)明之一實(shí)施例中，彈性介電層為一種具有大于100 (Ppm/°C) 之熱膨脹系數(shù)、約40%之伸長率(最好30%至50%)及介于塑料及橡膠 之間之硬度之材料。彈性介電層18之厚度系取決于在溫度循環(huán)測試 期間累積于重分布層/介電層界面內(nèi)之應(yīng)力。本發(fā)明之一實(shí)施例中，重分布層24之材料包含鈦/銅/金合金或 鈦/銅/鎳/金合金，其厚度系于2微米至15微米之間。鈦/銅合金系 藉由濺鍍技術(shù)形成作為種子金屬層，且銅/金或銅/鎳/金合金系藉由 電鍍技術(shù)形成。利用電鍍程序形成重分布層可使重分布層具有足夠之 厚度以抵抗溫度循環(huán)期間之熱膨脹系數(shù)不匹配。金屬墊20可為鋁或 銅或其結(jié)合。若擴(kuò)散型晶圓級封裝(FO-WLP)結(jié)構(gòu)利用硅氧垸聚合物 (SINR)作為彈性介電層且利用銅作為重分布層之金屬，根據(jù)未圖示 于此之應(yīng)力分析，累積于重分布層/介電層界面內(nèi)之應(yīng)力則會降低。如圖1及圖2所示，重分布層(RDL)24系從晶粒擴(kuò)散出且朝位于工件(載板或基板)上部分上之終端墊8向上連通。其與于晶粒上堆棧 積層因而增加封裝厚度之先前技術(shù)不同。上述先前技術(shù)系違反減少晶 粒封裝厚度之規(guī)則。反之，終端墊系位于工件之外表面上。因此，晶 粒封裝之厚度明顯銳減。本發(fā)明之封裝將較先前技術(shù)為薄。此外，基 板系于封裝之前預(yù)先備妥。晶粒接收凹孔4系預(yù)先定義。因此，生產(chǎn) 率將較以前得到大幅改善。本發(fā)明揭露無需于重分布層(RDL)上堆棧 積層之?dāng)U散型晶圓級封裝(FO-WLP)。本發(fā)明之程序包含提供對準(zhǔn)工具，其具有對準(zhǔn)圖型形成于其上。 接著，圖樣化黏著劑系予以印刷于工具上(用以黏附晶粒之表面)，接 續(xù)為利用具覆晶功能之取放精密對準(zhǔn)系統(tǒng)以重分布己知良好晶粒于 工具上使其具期望之間距。圖樣化黏著劑將黏著芯片于工具i之后， 印刷晶粒附著材料于晶粒背側(cè)上。接著，板結(jié)合劑系用以將基板結(jié)合 至晶粒背側(cè)上?；逯媳砻娉伎字庖囵ぶ趫D樣化黏著劑上。 其后，可施行真空固化，且從板晶圓分離該工具。另則，亦可利用具良好對準(zhǔn)之晶粒結(jié)合機(jī)器，而晶粒附著材料系 分配于基板之凹孔上。晶粒附著材料系經(jīng)過熱固化以確保晶粒被附著 于基板上。一旦晶粒重分布于基板上，則施行潔凈程序以濕式清洗及/或干 式清洗清潔晶粒表面。其后步驟為涂布介電材料于板上。之后，施行 真空程序以確保無氣泡存于板內(nèi)。接著，施行光微影蝕刻程序以開啟 通孔、鋁接合墊、微透鏡區(qū)域及/或切割線(選擇性)。之后，執(zhí)行離 子清洗(plasma clean)步驟以清洗通孔及鋁接合墊之表面。下一步驟 為濺鍍鈦/銅作為種子金屬層，及接著涂布光阻(PR)于介電層及種子 金屬層上以用于形成重分布金屬層圖形。接續(xù)，進(jìn)行電鍍程序以形成 銅/金或銅/鎳/金作為重分布層金屬，隨后剝除光阻(PR)及進(jìn)行金屬 濕蝕刻以形成重分布層金屬導(dǎo)線。其后，涂布或印刷頂端保護(hù)層及開 啟微透鏡區(qū)域及切割線(選擇性)。于設(shè)置球或印刷焊錫糊劑后，施行熱回融程序以回焊于基板側(cè)上 (用于錫球數(shù)組)。利用垂直式探針卡(probe card)施行板晶圓級最終 測試。于測試之后，切割基板以分離封裝成獨(dú)立單元。接著，封裝單 元系各別取放至托盤或巻帶及滾動(dòng)條上。本發(fā)明之優(yōu)點(diǎn)為基板系預(yù)先備妥預(yù)形成凹？L凹孔尺寸系等于晶粒尺寸于每一側(cè) 約加100微米。藉由填充彈性介電材料可用作為應(yīng)力緩沖釋放區(qū)域，以吸收硅晶粒與基板(耐高溫玻璃纖維板(FR5)、雙馬來酰亞胺三氮雜 苯樹脂(BT))間熱膨脹系數(shù)不匹配所造成之熱應(yīng)力。由于應(yīng)用簡化之 積層于晶粒表面上方，故封裝生產(chǎn)率將會增加(制造循環(huán)時(shí)間減少)。 終端墊系形成于與晶粒主動(dòng)面(預(yù)先形成)同平面之平面上。晶粒放置 程序系與現(xiàn)行程序相同。本發(fā)明不需核心黏膠(樹脂、環(huán)氧化合物、 硅膠等)填充程序。于板型制程期間無熱膨脹系數(shù)不匹配之問題，且 晶粒及基板例如耐高溫玻璃纖維板(FR5)間之深度只有約25微米至 30微米(用于晶粒附著材料之厚度)。于晶粒附著于基板之凹孔上后， 晶粒及基板可處于同一水平面。唯獨(dú)含硅型介電材料(最好為硅氧烷 聚合物(SINR))系涂布于晶粒主動(dòng)面及基板(最好為耐高溫玻璃纖維 板(FR5)或雙馬來酰亞胺三氮雜苯樹脂(BT))表面上。由于介電層(硅 氧垸聚合物(SINR))為感光層，故只利用光屏蔽程序即得以開啟接 觸連通結(jié)構(gòu)。硅氧烷聚合物(SINR)涂布期間之真空程序系用以消除氣 泡問題。于基板與晶粒結(jié)合一體之前，晶粒附著材料系印刷于晶粒之 背側(cè)上。封裝及電路板級二者之可靠度系較先前技術(shù)為佳，特別于電 路板級溫度循環(huán)測試，乃因基板及印刷電路主機(jī)板之熱膨脹系數(shù)為相 同，故無熱機(jī)械應(yīng)力作用于焊錫凸塊/球上。成本得降低且程序步驟 簡化。亦易于形成多重晶粒封裝(例如雙晶粒封裝)。于本發(fā)明之另一實(shí)施例中，如圖4所示，本晶圓級影像傳感器封 裝方法包含于步驟201提供基板，其具有形成于基板之上層內(nèi)之晶粒 接收凹孔，其中終端墊形成于基板之上表面上。其后，于步驟202利 用取放精密對準(zhǔn)系統(tǒng)重分布己知良好之影像傳感器芯片于工具上，使 其具期望之間距。接著，于步驟203附著黏膠材料于晶粒背側(cè)上。之 后，于步驟204結(jié)合基板至晶粒背側(cè)上，固化黏膠材料，分離工具， 涂布介電材料于基板上以及施行真空程序。其后，于步驟205開啟連 通結(jié)構(gòu)、微透鏡區(qū)域及輸出入焊墊。接著，于步驟206濺鍍種子金屬 層于介電層、連通結(jié)構(gòu)及輸出入焊墊上。之后，于步驟207形成重分 布金屬層于介電層上。其后，于步驟208形成頂端保護(hù)層于重分布金屬層上。接著，于步驟209開啟頂端保護(hù)層以開啟微透鏡區(qū)域。之后， 本晶圓級影像傳感器封裝方法可選擇性包含步驟210形成透明蓋，其 涂布有紅外線濾光片且設(shè)置于微透鏡區(qū)域上。雖本發(fā)明之較佳實(shí)施例己敘述如上，然而，此領(lǐng)域之技藝者將得 以了解，本發(fā)明不應(yīng)受限于所述之較佳實(shí)施例。更確切言之，此領(lǐng)域之技藝者可于后附權(quán)利要求書所定義之本發(fā)明之精神及范圍內(nèi)做若 干改變或修改。
權(quán)利要求
1.一種影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含一基板，其具有形成于該基板之上層內(nèi)之一晶粒接收凹孔，其中終端墊系形成于該基板之上表面上；一晶粒，其具有一微透鏡區(qū)域且黏置于該晶粒接收凹孔內(nèi)；一介電層，其形成于該晶粒及該基板上；以及一重分布導(dǎo)電層，其形成于該介電層上，其中該重分布導(dǎo)電層系耦合至該終端墊，其中該介電層具有一開孔以暴露該微透鏡區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還 包含一導(dǎo)電球，其耦合至該終端墊。
3. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其 中該介電層包含一彈性介電層或一感光層。
4. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其 中該介電層之材料包含含硅介電型材料、苯環(huán)丁烯(BCB)或聚 亞酰胺(PI)，其中該含硅介電型材料包含硅氧垸聚合物(SINR)、道康寧(Dow Corning)WL5000系列或其結(jié)合。
5. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其 中該重分布導(dǎo)電層之材料包含鈦和銅和金合金或鈦和銅和鎳和全合全
6. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其 中該基板之材料包含環(huán)氧型耐高溫玻璃纖維板(FR5)、玻璃纖維 板(FR4)、雙馬來酰亞胺三氮雜苯樹脂(BT)、印刷電路板(PCB)、 合金、金屬、玻璃、硅或陶瓷，其中該合金包含鎳鐵合金 (Alloy42) (42%鎳-58%鐵)或柯弗合金(Kover) (29%鎳-17%鈷 -54%鐵)。
7. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還 包含一保護(hù)層，其形成于該微透鏡區(qū)域上以保護(hù)微透鏡免于粒 子污染，其中該保護(hù)層之材料包含二氧化硅、三氧化鋁或氟聚 合物，其中該保護(hù)層具有防水及防油性。
8. 根據(jù)權(quán)利請求1所述之影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還 包含一透明蓋，其涂布有紅外線濾光片且形成于該微透鏡區(qū)域 之上。
9. 一種用于形成半導(dǎo)體組件封裝之方法，其特征在于包含 提供一基板，其具有形成于該基板之上層內(nèi)之晶粒接收凹孔，其中終端墊系形成于該基板之上表面上；利用取放精密對準(zhǔn)系統(tǒng)重分布已知良好之影像傳感器芯片于工 具上，使其具期望之間距；附著黏膠材料于晶粒背側(cè)上；結(jié)合該基板至該晶粒背側(cè)上，固化該黏膠材料，分離該工具，涂 布介電材料于該基板上以及施行真空程序；開啟連通結(jié)構(gòu)、微透鏡區(qū)域及輸出入焊墊； 濺鍍種子金屬層于該介電層、該連通結(jié)構(gòu)及該輸出入焊墊上； 形成重分布金屬層于該介電層上； 形成頂端保護(hù)層于該重分布金屬層上；以及 開啟該頂端保護(hù)層以開啟該微透鏡區(qū)域。
10. 根據(jù)權(quán)利請求9所述之用于形成半導(dǎo)體組件封裝之方法，其特 征在于還包含形成透明蓋，其涂布有紅外線濾光片且設(shè)置于 該微透鏡區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明系提供具有晶粒接收凹孔之晶圓級影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其方法。本具有晶粒接收凹孔之晶圓級影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)包含基板，其具有形成于基板上層內(nèi)之晶粒接收凹孔，其中終端墊系形成于基板之上表面上，與微透鏡同平面。晶粒系藉由黏膠設(shè)置于晶粒接收凹孔內(nèi)，而介電層系形成于晶粒及基板上。重分布金屬層(RDL)系形成于介電層上且耦合至晶粒。開孔系形成于介電層及頂部保護(hù)層內(nèi)以暴露晶粒之微透鏡區(qū)域以用于影像傳感器芯片。保護(hù)層(膜)系涂布于微透鏡區(qū)域上，其具有防水及防油性以避免粒子污染。涂布有紅外線濾光片之透明蓋系選擇性形成于微透鏡區(qū)域上以用于保護(hù)。
文檔編號H01L23/48GK101252141SQ20081000725
公開日2008年8月27日 申請日期2008年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月21日
發(fā)明者張瑞賢, 楊文焜, 王東傳 申請人:育霈科技股份有限公司