專利名稱：一種有機頂發(fā)光器件的陰極及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子顯示器件技術(shù)，特別是涉及一種有機頂發(fā)光器件的陰極制造技術(shù)。
背景技術(shù)：
有機頂發(fā)光器件是一種正在發(fā)展中的技術(shù)，所謂頂發(fā)光就是有機層產(chǎn)生的光不 經(jīng)過基板玻璃出射，而是穿過發(fā)光有機層上面的陰極出射，因此陰極必須要足夠透 明，才會有比較高的出光效率。目前陰極的結(jié)構(gòu)主要是一層很薄的金屬層和一層銦 錫氧化物層復合而成，由于需要透光性好，金屬必須做得很薄，通常在5納米到40 納米。銦錫氧化物是一層透明導電層，它主要的作用是提高陰極的導電性和出光效 率。但銦錫氧化物層一般是采用濺射的工藝來制作的，而濺射過程中被濺射出來的 粒子能量較高，粒子將會轟擊金屬層和發(fā)光有機層，由于金屬層很薄，粒子很容易 穿過金屬層破壞發(fā)光有機層，同時濺射過程產(chǎn)生紫外線也會使有機發(fā)光器件的性能 遭到破壞。所以這種陰極在實際制作中很難避免這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能避 免對金屬層下面的發(fā)光有機層造成破壞的有機頂發(fā)光器件的陰極及其制造方法。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的一種有機頂發(fā)光器件的陰極，包括一 金屬層，其特征在于，在陰極的金屬層上附加一層含有氧空位氧化物的金屬氧化物 層。
進一步的，所述的金屬氧化物的金屬包括鋁、鎂、銀、鋅、鎵、鈣、鈦、釩、
3銦、錫、銅。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所提供的一種有機頂發(fā)光器件陰極的制造方法， 包括在有機發(fā)光層上蒸鍍一層(陰極)金屬層，其特征在于，然后在金屬層上熱蒸 鍍一層含有氧空位的金屬氧化物，即在蒸鍍金屬的過程中，在真空腔內(nèi)加入一定含 量的氧氣，使蒸鍍的金屬轉(zhuǎn)變?yōu)楹醒蹩瘴坏难趸铩?br> 進一步的，所述的金屬氧化物的金屬包括鋁、鎂、銀、鋅、鎵、鈣、鈦、釩、 銦、錫、銅。
利用本發(fā)明提供的有機頂發(fā)光器件的陰極及其制造方法，由于在陰極金屬層上 采用蒸鍍的方法制造一層金屬氧化物層，這層氧化物具有一定的導電性，它可以增 加陰極的導電性，而且氧化物是透明的，可以提高陰極的出光效率；從而可以替代 銦錫氧化物層的功能，即提高陰極的導電性和出光效率；由于這一制造(熱蒸鍍) 過程不會產(chǎn)生高能粒子和紫外線，避免了對金屬層下面的發(fā)光有機層所造成的破壞。


圖1是本發(fā)明實施例有機頂發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明另一實施例有機頂發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合

對本發(fā)明的實施例作進一步詳細描述，但本實施例并不用于 限制本發(fā)明，凡是采用本發(fā)明的相似結(jié)構(gòu)、方法及其相似變化，均應列入本發(fā)明的 保護范圍。
如圖1所示，本發(fā)明實施例所提供的一種有機頂發(fā)光器件的陰極，包括一金屬 層4，其特征在于，在陰極的金屬層上附加一層含有氧空位氧化物的金屬氧化物層， 由于含有氧空位，這層氧化物具有一定的導電性，它可以增加陰極的導電性，而且 氧化物是透明的，可以提高陰極的出光效率。所述的金屬氧化物的金屬可以是鋁，鎂，銀，鋅，鎵，鈣，鈦，釩，銦，錫，銅。
本發(fā)明實施例所提供的一種有機頂發(fā)光器件陰極的制造方法，包括在有機發(fā)光 層3上蒸鍍一層(陰極)金屬層4，其特征在于，然后再在金屬層4上熱蒸鍍一層 含有氧空位的金屬氧化物，即在蒸鍍金屬的過程中，在真空腔內(nèi)加入一定含量的氧 氣，使蒸鍍的金屬轉(zhuǎn)變?yōu)楹醒蹩瘴坏难趸?。所述的金屬氧化物的金屬可以是鋁， 鎂，銀，鋅，鎵，鈣，鈦，釩，銦，錫，銅。這一制造(熱蒸鍍)過程不會產(chǎn)生高 能粒子和紫外線，不會破壞金屬下面的有機層。
本發(fā)明的一種實施方式是在光刻好陽極2的基板1上依次沉積空穴注入層、
空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等構(gòu)層器件的發(fā)光部分的有機層3，然后再在上 面蒸鍍一層1納米的氟化鋰和15納米的鋁膜，構(gòu)成陰極的金屬層部分4，然后在蒸 鋁的過程中加入0.001帕的氧氣，使鋁轉(zhuǎn)變成含有氧空位的氧化鋁，在金屬層4上 面形成一層50納米的氧化鋁5。最終的器件如圖1所示。
本發(fā)明的另一實施方式是在光刻好陽極2的基板1上依次沉積空穴注入層、 空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等構(gòu)層器件的發(fā)光部分的有機層3，然后再在上 面蒸鍍一層1納米的氟化鋰和15納米的鋁膜，構(gòu)成陰極的金屬層部分4，然后再蒸 鋅，在蒸鋅過程中加入壓力為0.005帕的氧氣，使鋅轉(zhuǎn)變成含有氧空位的氧化鋅， 在金屬層4上面形成一層100納米的氧化鋅5'。最終的器件如圖2所示。
權(quán)利要求
1、一種有機頂發(fā)光器件的陰極，包括一金屬層，其特征在于，在陰極的金屬層上附加一層含有氧空位氧化物的金屬氧化物層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機頂發(fā)光器件的陰極，其特征在于，所述的金屬氧 化物的金屬包括鋁、鎂、銀、鋅、鎵、鈣、鈦、釩、銦、錫、銅。
3、 一種權(quán)利要求1所述的有機頂發(fā)光器件陰極的制造方法，包括在有機發(fā)光層 上蒸鍍一層(陰極)金屬層，其特征在于，然后在金屬層上熱蒸鍍一層含有氧空位 的金屬氧化物，即在蒸鍍金屬的過程中，在真空腔內(nèi)加入氧氣，使蒸鍍的金屬轉(zhuǎn)變 為含有氧空位的氧化物。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機頂發(fā)光器件陰極的制造方法，其特征在于，所述 的金屬氧化物的金屬包括鋁、鎂、銀、鋅、鎵、鈣、鈦、釩、銦、錫、銅。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有機頂發(fā)光器件的陰極及其制造方法，涉及電子顯示器件技術(shù)領(lǐng)域；所要解決的是避免對發(fā)光有機層造成破壞的制造陰極的技術(shù)問題；該制造方法，包括在有機發(fā)光層上蒸鍍一層(陰極)金屬層，然后在金屬層上熱蒸鍍一層含有氧空位的金屬氧化物，即在蒸鍍金屬的過程中，在真空腔內(nèi)加入一定含量的氧氣，使蒸鍍的金屬轉(zhuǎn)變?yōu)楹醒蹩瘴坏难趸?。所述的金屬氧化物的金屬包括鋁、鎂、銀、鋅、鎵、鈣、鈦、釩、銦、錫、銅。本發(fā)明的陰極制造方法能有效地避免對金屬層下面的發(fā)光有機層造成的破壞。
文檔編號H01L51/52GK101483222SQ200810032548
公開日2009年7月15日 申請日期2008年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者劍 林, 科 陳 申請人:上海廣電電子股份有限公司