專利名稱：：一種消除Cu_xO電阻存儲器形成電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，工業(yè)領(lǐng)域，尤其是一種工業(yè)無線傳感網(wǎng)絡(luò)信息表時間同步的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及處理方法。
背景技術(shù)：
：隨著時代的發(fā)展，工業(yè)自動化也越來越普遍，同時在工業(yè)環(huán)境當(dāng)中的各種水、電、氣等各類公共供給表的用量也越來越大。因此統(tǒng)計這些表具信息的抄表方法也越來越多，現(xiàn)有的比較傳統(tǒng)的也是最普遍的抄表方式主要是人工抄表，工作人員到每個工廠車間，到廠房設(shè)備上，按照表具上的數(shù)字去統(tǒng)計數(shù)據(jù)，因此這種人工抄表方法靈活性差，會產(chǎn)生抄表的不準(zhǔn)確，而且效率非常低，時間成本和經(jīng)濟(jì)成本高，數(shù)據(jù)匯總工作量大。已經(jīng)出現(xiàn)的智能化工廠車間對各種表具也提出了很多要求，不僅要在計量上要很精確，而且表具的統(tǒng)計都有了脈沖或數(shù)字輸出。例如電表的表盤上都有一個脈沖計數(shù)，若干個脈沖數(shù)等于一度電。而且表具有傳感探頭，會把機械的轉(zhuǎn)數(shù)轉(zhuǎn)變成電脈沖，相當(dāng)于一個數(shù)字信號，這樣使得表具有了數(shù)字輸出。把表具輸出的數(shù)字脈沖通過電路接口做適當(dāng)轉(zhuǎn)換，存儲在數(shù)字芯片上，然后從數(shù)字芯片上讀取數(shù)值。現(xiàn)有的一些比較智能的適合生活使用的抄表方法當(dāng)中，有的是利用電力線方法抄表，這種方法需要基于電力線，因此電力線載波有很大的要求，而且需要特殊的裝置來傳輸數(shù)據(jù)，成本高。有的是基于電信網(wǎng)絡(luò)和英特網(wǎng)通過電話線、CDMA網(wǎng)絡(luò)、GSM網(wǎng)絡(luò)、GPRS、藍(lán)牙、ADSL等，所以需要和電信運營商的合作，構(gòu)架成本高，時間長，這些方法不僅在運營上需要很多的考慮，同時，這些技術(shù)也很難滿足苛刻的工業(yè)環(huán)境的要求。設(shè)置該孤立節(jié)點為自身網(wǎng)絡(luò)的一個數(shù)據(jù)采集器，發(fā)出確認(rèn)幀進(jìn)行確認(rèn)。因此，本發(fā)明數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及處理方法，成本低，處理精確。最后所應(yīng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明實施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明實施例技術(shù)方案的精神和范圍。為示意圖不應(yīng)該被認(rèn)為嚴(yán)格反映了幾何尺寸的比例關(guān)系。在此參考圖是本發(fā)明的理想化實施例的示意圖，本發(fā)明所示的實施例不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于圖中所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括所得到的形狀，比如制造引起的偏差。例如干法刻蝕得到的曲線通常具有彎曲或圓潤的特點，但在本發(fā)明實施例圖示中，均以矩形表示，圖中的表示是示意性的，但這不應(yīng)該被認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍。圖8a為根據(jù)本發(fā)明一種消除CuxO電阻存儲器形成電壓方法的實施例的剖面圖的一部分。參考圖8a，所示為集成于雙大馬士革銅互連工藝中形成的CUxO電阻存儲器結(jié)構(gòu)示意圖，PMD層104形成MOS器件之上，它可以是摻磷的氧化硅PSG等介質(zhì)材料，在PMD層104中形成鵒栓塞903，鎢栓塞903連接第一層銅引線和MOS管源極或者漏極。PMD層104上形成第一層刻蝕終止層201,可以為Si3N4、SiON、SiCN;刻蝕終止層上104上形成第一層層間介質(zhì)層101，它可以為Si02或摻F或C的SiCh等低k介質(zhì)材料。501和502為形成于第一層介質(zhì)層104溝槽中的銅引線，501為其上表層不需要圖形氧化形成CuxO存儲介質(zhì)的銅引線，502為其上表層需要圖形氧化形成CuxO存儲介質(zhì)的銅引線，需要形成QixO存儲介質(zhì)的銅引線502形成CuxO存儲器的金屬下電極；銅引線和第一層層間介質(zhì)層101之間為防止銅擴(kuò)散的擴(kuò)散阻擋層401，可以是TaN、Ta/TaN復(fù)合層或是Ti/TiN復(fù)合層，或是其它起到同樣作用的導(dǎo)電材料，如TiSiN、WNx、WNxCy、TiZr/TiZrN等。第一層銅引線502上部為CuxO存儲介質(zhì)層702，是通過圖形氧化銅引線，再經(jīng)退火形成形成，其中1<x《2。第一層銅引線501、502上為蓋帽層203，CuxO存儲介質(zhì)層702上方是形成于蓋帽層203的孔洞300以及形成于孔洞300之中的上電極800，蓋帽層203可以為Si3N4、SiON等介質(zhì)材料，起銅的擴(kuò)散阻擋作用和防止銅的電遷移等作用，同時在這里起形成孔洞300自對準(zhǔn)形成上電極800的作用；CuxO電阻存儲器上電極800和CuxO存儲介質(zhì)702的尺寸及其圖案相同，并且其尺寸小于第一層銅引線502的寬度(也即形成第一層銅線溝槽的寬度)。上電極800之上為不需要氧化形成CuxO存儲介質(zhì)的銅引線501之上為銅栓塞600，銅栓塞600之上為形成于溝槽之中的第二層銅引線601在501之上的銅栓塞主要起連接第一層銅引線和第二層銅引線601的作用，在800之上的銅栓塞主要起連接電阻存儲器和第二層銅引線601的作用，形成于上電極800之上的通孔901的尺寸小于孔洞302的尺寸。102、103分別為第二層間絕緣介質(zhì)層和第三層層間絕緣層，可以為Si02或摻F或C具有表面圖案鍵盤的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有表面圖案鍵盤的制造方法。技術(shù)背景目前商業(yè)產(chǎn)品的價值，除展現(xiàn)于優(yōu)質(zhì)的技術(shù)層次之外，更不可或缺的是，對外表質(zhì)感呈現(xiàn)的追求及貼近產(chǎn)品使用者使用的要求。由此，外觀設(shè)計、印刷、處理設(shè)置都是整體形象與價值的一部分。在商業(yè)競爭激烈的筆記本電腦領(lǐng)域，各知名品牌自然不會放過產(chǎn)品整體外觀的設(shè)計與制造，藉以彰顯品牌價值。目前此類筆記本電腦的鍵盤，占據(jù)筆記本電腦開啟后表面相當(dāng)大比例，且其按壓面是最常為人的手指所接觸的部分。常見的鍵盤制造的制程步驟依序包含l.制成鍵帽本體;2.取下鍵帽并安裝于鍵盤基板上；3.噴涂底漆；4.烘烤底漆；5.制作預(yù)印圖案的鏤空網(wǎng)版；6.利用網(wǎng)版印刷技術(shù)將圖案噴涂于鍵帽按壓面上；7.噴涂保護(hù)漆；8.烘烤保護(hù)漆。一方面，鍵盤本身形象欠缺變化；另一方面，設(shè)于該鍵盤按鍵上用以標(biāo)示按鍵功能的圖案，由于手指經(jīng)常性的接觸與摩擦，常因經(jīng)久而使用導(dǎo)致圖案脫落或模糊。不但視覺上極不美觀，并造成對于鍵盤分布不夠熟悉的使用者的操作困擾。中國臺灣第496829號發(fā)明專利為目前業(yè)界針對制作該類鍵盤的常見改進(jìn)方式，其采取一種移印方法，如圖1所示，在咬花鍵盤筆記本電腦10咬花鍵盤11按鍵咬花鍵帽111的按壓面上，轉(zhuǎn)印一層保護(hù)涂料，形成均勻覆蓋鍵帽按壓面的保護(hù)膜層，以保護(hù)按鍵上的符號圖案，令咬花鍵帽111上的圖案更為牢固耐用，且可降低保護(hù)膜層制造的不良率。如圖2所示，該移印方法的裝置包括一具有咬花刻痕的咬花印刷版12，用以涂覆一保護(hù)涂料；以及設(shè)有復(fù)數(shù)移印頭的一移印模塊13，用以按壓于涂覆有保護(hù)涂料的咬花印刷版12的咬花面，使保護(hù)涂料附著于移印頭，轉(zhuǎn)印至咬花鍵盤ll的咬花鍵帽lll的具咬花刻痕按壓面，而形成保護(hù)膜層。咬花印刷版12與一般光滑表面印刷版的不同之處在于咬花印刷版12并不是沾取一層均勻涂料，由于該咬花鍵帽111的按壓面與咬花印刷版12具有類似的咬花刻紋特性，使移印頭與按壓面分離時保護(hù)涂料均勻牢附。該技術(shù)的流程如圖3所示，該常見改進(jìn)技術(shù)令制作鍵盤的制程步驟改變并增添為包含90.模具置入模料沖壓制成一具咬花面之鍵帽；91.取下鍵帽并將鍵帽安裝至鍵盤基板上；92.噴涂底漆；93.烘烤底漆；94.制作預(yù)印圖案的鏤空網(wǎng)版；95.利用網(wǎng)版印刷技術(shù)將圖案印制在鍵帽按壓面上；96.將保護(hù)涂料涂覆在具有咬花刻痕之印刷版；97.移印模塊將保護(hù)涂料轉(zhuǎn)印至具有咬花刻痕之鍵帽按壓面；98.利用移印模塊沾取咬花印刷版版面上保護(hù)涂料；99.烘烤保護(hù)漆。然而，此種鍵盤制造過程不僅上完底漆需烘烤，上完保護(hù)漆又需烘烤，若要印刷具復(fù)數(shù)顏色圖案的鍵盤必須多次分色印刷，且需加上一轉(zhuǎn)印制程，底漆一圖案一保護(hù)漆三層的噴涂、轉(zhuǎn)印過程，流程相當(dāng)繁復(fù)，成本因而提升；再者，其表面圖案上方仍僅留存一層保護(hù)漆，保護(hù)圖案的效果并未相較于較早的常見技術(shù)改良太多；尤其噴涂過程污染嚴(yán)重，明顯違反舉世保護(hù)環(huán)境的潮流。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是提出一種使印制于鍵盤上的圖案更為經(jīng)久耐用，并能精簡生產(chǎn)時間及制程而有效提升產(chǎn)能，且制造簡便致大幅降低成本的具有表面圖案鍵盤的制造方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之二是提出一種具有植入射出成型印花表面按鍵的鍵盤。圖9為退火前后，存儲器第一次編程時的形成電壓，在退火前，存儲器的形成電壓在9V左右，退火后，形成電壓顯著降低為2V左右，器件性能得到明顯改善。本發(fā)明的另一實施例，如圖6b所示，上電極800通過刻蝕，實現(xiàn)圖形化。參考文獻(xiàn)[1]丄Maimon，E.Spall，R.Quinn，S.Schnur，"Chalcogenide-basednonvolatilememorytechnology",7EE五/Voce^'wg51o/^ray/"ceCo"，ewce,p.2289,2001.[2]A.Beck，J.G,Bednorz，Ch.Gerber，C.Rossel，andD.Widmer，"Reproducibleswitchingeffectinthinoxidefilmsformemoryapplications",jpp/.P/zw.Ze仏Vol.77，p.139,2000;C.Y.Liu,RH.Wu，A.Wang，W.Y.Jang,J.C.Young，K.Y.Chiu,andT.YTseng,"Bistableresistiveswitchingofasputter-depositedCr隱dopedSrZr03memoryfilm",vol.26,p.351，2005.[3]J.R.Contreras，H.Kohlstedt，U.Pooppe，R,Waser,C.Buchal,andN.A.Pertsev，"Resistiveswitchinginmetal-ferroelectric-metaljunctions",^!;p/.尸/zys.vol.83,p.4595，2003.[4]A.Asamitsu,Y,Tomioka，H.Kuwahara，andY.Tokura，"Currentswitchingofresistivestatesinmagnetoresistivemanganites"，7VaZw廠e(Xowcto^)vol.388，p.50,1997.[5]I.GBaek,M.S.Lee,S.Seo,M.J.Lee，D.H.Seo,,S,Suh，J,C.Park,S.O.Park,H.S.Kim，I.K.Yoo，U陽InChung，andJ.T.Moon，"Highlyscalablenon-volatileresistivememoryusingsimplebinaryoxidedrivenbyasymmetricunipolarvoltagepulses",/EDMrec/z.Dz.g.p,587(2004).權(quán)利要求1、一種消除CuxO電阻存儲器形成電壓的方法，其特征在于生長完CuxO存儲介質(zhì)后，在N2、Ar、forminggas或真空缺氧氣氛中進(jìn)行退火，退火溫度控制在100～600℃之間，表層CuO會由于缺氧而被還原成Cu2O，從而消除第一次編程時的形成電壓，降低寫操作電流、電壓，保護(hù)表層CuO下面的具有電阻轉(zhuǎn)換特性的CuxO存儲介質(zhì)免受大電流破壞；這里1＜x≤2。全文摘要本發(fā)明屬微電子
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體是一種消除Cu_xO電阻存儲器形成電壓的方法。生長完Cu_xO存儲介質(zhì)后，在N₂、Ar、forminggas或真空等缺氧氣氛中進(jìn)行退火，表層CuO會由于缺氧而被還原成Cu₂O，從而消除存儲器第一次編程時的形成電壓，降低寫操作電流、電壓，保護(hù)表層CuO下面的具有電阻轉(zhuǎn)換特性的Cu_xO存儲介質(zhì)免受大電流破壞。本發(fā)明方法工藝簡便，成本低，可顯著改善Cu_xO電阻存儲器的疲勞特性。文檔編號H01L27/24GK101232076SQ20081003276公開日2008年7月30日申請日期2008年1月17日優(yōu)先權(quán)日2008年1月17日發(fā)明者呂杭炳,林殷茵,陳邦明申請人:復(fù)旦大學(xué)