專利名稱：自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件制造領域的檢測工藝，具體地說，涉及一種自對準
硅化物(self-aligned-silicidation， SAB )工藝的監(jiān)控方法。
背景技術：
在半導體器件的制造過程中， 一般采用自對準硅化物工藝在金屬氧化半導 體(MOS)器件源/漏極和柵極的表面形成一層硅化物薄膜，以減少對應部分的 寄生電阻。隨著半導體器件小型化和集成化的發(fā)展，單一電路板上集成的電路 越來越多，封裝越來越緊密，導致每一器件上PN結隔離區(qū)域很小，進而導致 PN結產生較大的漏電流和寄生電阻影響器件的電學性能。因此，自對準硅化物 工藝成為影響MOS器件電學性能的關鍵工藝之一。
硅化物的厚度以及退火的溫度都會對源/漏極和柵極的電阻產生較大的影 響。因此對金屬硅化物制備工藝進行監(jiān)控是非常重要的?，F有的監(jiān)控方法是對 形成的硅化物的厚度進行控制。但是對應精密度較高的MOS器件來說，硅化物 的厚度已經很薄，對硅化物工藝的控制變得越來越重要。
因此，提供一種有效的自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法是亟待解決的技術問題。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術問題是提供可有效檢驗自對準硅化物工藝是 否有問題的監(jiān)控方法。
為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法。 所述監(jiān)控方法是在形成有金屬硅化物的源漏極區(qū)施加正向電壓，測量源漏極區(qū) 的正向導通電流；然后判斷測量的正向導通電流是否在允許值范圍內，若前者 超出后者，則說明自對準硅化物工藝存在問題；若前者未超出后者，則說明自 對準硅化物工藝符合要求。與現有技術相比，本發(fā)明提供的監(jiān)控方法利用PN結的單向導電性對自對準 硅化物工藝進行控制，通過正向導通電流的大'J、來判斷硅化物工藝是否存在問 題，準確性較高，且步驟簡單易操作。


圖1至圖4是PMOS器件進行自對準硅化物工藝各步驟時縱截面示意圖； 圖5是本發(fā)明提供監(jiān)控方法的電路示意圖。
具體實施例方式
以下結合附圖對本發(fā)明自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法的 一 實施例進行描 述，以期進一步理解本發(fā)明的目的、具體結構特征和優(yōu)點。
為了更好地描述本發(fā)明提供的監(jiān)控方法，以下以圖l所示的PMOS器件為 例對自對準硅化物工藝進行筒單描述。參閱圖1結合圖2和圖3, PMOS器件包 括P阱襯底1、在P阱襯底1上進行源漏極輕摻雜形成源漏極區(qū)2、 3以及形成 于P阱村底1底表面的氧化層(二氧化硅)4。對氧化層4進行涂光刻膠5、曝 光、顯影步驟，將除源漏極區(qū)2、 3外的其他區(qū)域的光刻膠5去除。然后進行蝕 刻步驟，將未被光刻膠5覆蓋的氧化層4去掉(如圖2所示)。進一步地，進行 淀積金屬(例如鈷、銅、鎳)步驟，然后進行退火步驟，淀積的金屬與未被氧 化層4覆蓋的襯底的硅發(fā)生反應形成一定厚度的金屬硅化物6 (如圖3所示)； 再次進行退火步驟調整金屬硅化物6的結構。
本發(fā)明提供的監(jiān)控方法是對源漏極區(qū)形成的PN結的正向導通電流進行測 量，根據正向導通電流的大小判斷形成在源漏極區(qū)表面的金屬硅化物6是否符 號工藝要求，測量電路如圖5所示。該監(jiān)控方法一般應用在晶圓完成后道制造 后，在晶圓的測試區(qū)域進行，晶圓具有分別與源漏極區(qū)連接2、 3的兩焊墊8， 焊墊8通過金屬互連線(未圖示)、鴒插塞7 (如圖4所示)、金屬硅化物6實現 與源漏極區(qū)2、 3的電性連接。該監(jiān)控方法是在源漏極區(qū)2、 3上連接上正向電 壓(直流電源9),將電源的正極連接在左邊的焊墊8上即與源極區(qū)2 (P區(qū))電 性連接，負極連接在右邊的焊墊8上即與漏極區(qū)3 (N區(qū))電性連接，該電路中 串聯一個限流電阻10。然后，采用電流計11測量形成有金屬硅化物6的源漏極區(qū)(PN結)之間的正向導通電流；然后將測量的正向導通電流與允許值進行比 較，如果前者未超出后者，則說明自對準硅化物工藝達到了工藝要求；如果前 者超出后者，則說明現有的自對準硅化物工藝存在問題，需要根據正向導通電 源與允許值的差值來調整優(yōu)化自對準硅化物工藝。
上述描述，僅是對本發(fā)明較佳實施例的具體描述，并非對本發(fā)明的任何限 定，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據上述揭示內容進行簡單修改、 添加、變換，且均屬于權利要求書中保護的內容。
權利要求
1.一種自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法，其用于驗證采用自對準硅化物工藝后形成于晶圓源漏極區(qū)表面的金屬硅化物是否符合要求，其特征在于，所述監(jiān)控方法是在形成有金屬硅化物的源漏極區(qū)施加正向電壓，測量源漏極區(qū)的正向導通電流；然后判斷測量的正向導通電流是否在允許值范圍內，若前者超出后者，則說明自對準硅化物工藝存在問題；若前者未超出后者，則說明自對準硅化物工藝符合要求。
2. 如權利要求1所述的自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法，其特征在于，所述監(jiān)控 方法在晶圓完成后道制程后進行，其中所述正向電壓的兩端分別連接在與源漏 極區(qū)電性連接的焊墊上。
3. 如權利要求2所述的自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法，其特征在于，所述焊墊 通過晶圓的金屬互連線、鴒插塞、金屬硅化物與源漏極區(qū)電性連接。
4. 如權利要求1所述的自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法，其特征在于，所述測量 源漏極區(qū)正向導通電流的電路中串聯一個限流電阻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種自對準硅化物工藝的監(jiān)控方法，涉及半導體領域的檢測工藝。所述監(jiān)控方法是在形成有金屬硅化物的源漏極區(qū)施加正向電壓，測量源漏極區(qū)的正向導通電流；然后判斷測量的正向導通電流是否在允許值范圍內，若前者超出后者，則說明自對準硅化物工藝存在問題；若前者未超出后者，則說明自對準硅化物工藝符合要求。與現有技術相比，本發(fā)明提供的監(jiān)控方法利用PN結的單向導電性對自對準硅化物工藝進行控制，通過正向導通電流的大小來判斷硅化物工藝是否存在問題，準確性較高，且步驟簡單易操作。
文檔編號H01L21/00GK101494158SQ200810033050
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月24日 優(yōu)先權日2008年1月24日
發(fā)明者張步新, 媛 王 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司