專(zhuān)利名稱(chēng)：熱敏電阻及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種熱敏電阻(thermistor)及其制造方法，且特別是有關(guān)于 一種以半導(dǎo)體為材料的熱敏電阻及其制造方法。
背景技術(shù)：
熱敏電阻是一種電阻元件，其是利用元件受熱而發(fā)生電阻變化，進(jìn)而造成元 件兩端電壓的改變。詳言之，根據(jù)熱敏電阻的電阻值隨溫度變化的情形，主要可將 熱敏電阻分成兩大類(lèi)電阻值與溫度成反比變化的負(fù)溫度系數(shù)(negative temperature coefficient, NTC)熱敏電阻以及電阻值與溫度成正比變化的正溫度 系數(shù)(positive temperature coefficient, PTC)熱敏電阻兩種。其中，負(fù)溫度系 數(shù)熱敏電阻可作為電路元件，而被廣泛應(yīng)用于溫度控制、溫度測(cè)量及溫度補(bǔ)償?shù)阮I(lǐng) 域。
請(qǐng)參照?qǐng)Dl，其繪示傳統(tǒng)的一種熱敏電阻的剖面示意圖。傳統(tǒng)的熱敏電阻ioo 包括一基板110、 一第一電極120、 一第二電極130、 一熱敏電阻層(thermistor layer) 140、兩外部電極(external electrode) 150、兩背面電極160以及一保護(hù)層 170。其中，基板110具有第一表面112、于第一表面112對(duì)向側(cè)的第二表面114 及連接第一表面112與第二表面的兩個(gè)端面116。第一電極120與第二電極130配 置于基板110之第一表面112上，這些背面電極160配置于基板110之第二表面 114上，熱敏電阻層140配置于第一表面112上且電性連接第一電極120與第二電 極130。熱敏電阻層140覆蓋部分第一電極120與部分第二電極130。保護(hù)層170 覆蓋部分第一電極120、部分第二電極130與熱敏電阻層140。這些外部電極150 分別由第一表面112上的第一電極120與第二電極130經(jīng)過(guò)其中的一端面116延伸 且電性連接至第二表面114上的這些背面電極160。
一般而言，常見(jiàn)的熱敏電阻是采用電子陶瓷技術(shù)或陶瓷厚膜技術(shù)所制造出來(lái) 的。然而，無(wú)論是使用電子陶瓷技術(shù)或是陶瓷厚膜技術(shù)，都需經(jīng)過(guò)繁復(fù)的制造步驟，
4且制造出來(lái)的熱敏電阻結(jié)構(gòu)也很復(fù)雜。此外，使用上述方式制造熱敏電阻往往會(huì)造 成產(chǎn)品的良率較低，致使影響電阻值隨溫度變化的性質(zhì)及整體的電性表現(xiàn)。而且，
若要使用傳統(tǒng)的制造方法改善熱敏電阻的產(chǎn)品特性也容易受到局限。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種熱敏電阻，其電阻值范圍寬，并具有較高的溫度 靈敏度，而可以提升整體的電性表現(xiàn)。
本發(fā)明提供一種熱敏電阻的制造方法，可確保電阻值的一致性，并能夠大量 生產(chǎn)且降低成本。
本發(fā)明提出一種熱敏電阻，包括半導(dǎo)體基體和兩電極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體基體的材 料是經(jīng)過(guò)重金屬摻質(zhì)摻雜補(bǔ)償?shù)膿诫s半導(dǎo)體，而具有負(fù)溫度系數(shù)的特性。兩電極結(jié) 構(gòu)分別配置于半導(dǎo)體基體的兩對(duì)向端。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的重金屬摻質(zhì)為選自銅、金、鉬、銀、鎳、鐵、 錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩組成之群組。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體基體為硅基體、砷化鎵基體或銻化鎵 基體，其中硅基體摻雜有磷或硼。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述的熱敏電阻基體中，重金屬摻質(zhì)濃度為介于
1013 tom/cm3至1017 atom/cm3之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各電極結(jié)構(gòu)包括一端頭電極及一外電極，端 頭電極配置于半導(dǎo)體基體及外電極之間。而各電極結(jié)構(gòu)還包括一內(nèi)電極，配置于半 導(dǎo)體基體與外電極之間。而外電極及內(nèi)電極的材料包括鎳錫、錫銀或鎳錫鉛，端頭 電極的材料例如是鎳或銀。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，熱敏電阻還包括絕緣保護(hù)層，至少覆蓋電極結(jié)構(gòu)以 外區(qū)域的半導(dǎo)體基體。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的熱敏電阻例如是表面粘著式熱敏電阻(surface mount technology device, SMD)或熱敏電阻珠。
本發(fā)明另提出一種熱敏電阻的制造方法。首先，提供一半導(dǎo)體晶圓。接著， 進(jìn)行一摻雜制程，于半導(dǎo)體晶圓中注入一重金屬摻質(zhì)，使半導(dǎo)體晶圓形成高補(bǔ)償?shù)?熱敏電阻基體，而具有負(fù)溫度系數(shù)的特性。之后，切割半導(dǎo)體晶圓，以形成多個(gè)熱敏電阻基體，各熱敏電阻基體為管芯結(jié)構(gòu)。隨之，分別于各管芯結(jié)構(gòu)的兩對(duì)向端形 成電極結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的重金屬摻質(zhì)為選自銅、金、鉑、銀、鎳、鐵、 錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩所組成的群組。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體晶圓為硅晶圓、砷化鎵晶圓或銻化鎵 晶圓，其中硅晶圓摻雜有磷或硼。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的重金屬摻質(zhì)濃度為介于1013 atom/cm3至1017 atom/cm3之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在切割半導(dǎo)體晶圓之前，還包括于熱敏電阻基體的 兩對(duì)向表面分別形成一導(dǎo)電膜，此導(dǎo)電膜是作為各電極結(jié)構(gòu)中的端頭電極。而各電 極結(jié)構(gòu)的形成方法包括于各管芯結(jié)構(gòu)的兩對(duì)向端分別形成一外電極，使端頭電極配 置于熱敏電阻基體及外電極之間，且外電極與端頭電極耦接。此外，更包括于熱敏 電阻基體與外電極之間形成一內(nèi)電極。上述之外電極及內(nèi)電極的材料包括鎳錫、錫 銀或鎳錫鉛，導(dǎo)電膜的材料例如是鎳或銀。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括形成絕緣保護(hù)層，至少覆蓋電極結(jié)構(gòu)以外區(qū) 域的熱敏電阻基體。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的熱敏電阻例如是表面粘著式熱敏電阻或熱敏 電阻珠。
本發(fā)明的熱敏電阻及其制造方法因采用半導(dǎo)體材料做為基材，因此元件的電 阻值范圍寬、溫度靈敏度高，并具有較佳的電性表現(xiàn)。
再者，本發(fā)明的熱敏電阻及其制造方法可整合至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程中，因此
有助于確保熱敏電阻的良率，并能夠降低制造成本。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合 附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是傳統(tǒng)的一種熱敏電阻的剖面示意圖。
圖2至圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的熱敏電阻的管芯結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。
6圖6是沿著圖5中i-r線段的剖面示意圖。
圖7是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的熱敏電阻的剖面示意圖。 圖8是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的熱敏電阻的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2至圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的熱敏電阻的管芯結(jié)構(gòu)的制造流程示意 圖。圖6是沿著圖5中I-I'線段的剖面示意圖。須注意的是，以下所述的制造方法 僅是形成多種類(lèi)型的熱敏電阻中的一種，其主要是為了詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的方法在形 成作為熱敏電阻基體的管芯結(jié)構(gòu)的制作流程，以使此熟悉該項(xiàng)技術(shù)者能夠據(jù)以實(shí) 施，但并非用以限定本發(fā)明的范圍。至于其他構(gòu)件如電極、保護(hù)層等構(gòu)件的配置、 形成方式及順序，均可依所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所知的技術(shù)制作，而不限 于下述實(shí)施例所述。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，提供一半導(dǎo)體晶圓200，半導(dǎo)體晶圓200的厚度約介于150 pm 至600 pm之間。半導(dǎo)體晶圓200例如是硅晶圓、砷化鎵(GaAs)晶圓、銻化鎵(GaSb) 晶圓或是以其他合適的半導(dǎo)體材料所形成的晶圓。當(dāng)半導(dǎo)體晶圓200為硅晶圓時(shí)， 硅晶圓內(nèi)會(huì)摻雜有五價(jià)的磷或三價(jià)的硼，以使其形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。 詳言之，無(wú)論使用N型半導(dǎo)體或者P型半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體晶圓200的材料，則后 續(xù)預(yù)形成的熱敏電阻均為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。
在本實(shí)施例中，將以摻雜有磷的N型半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體晶圓200的材料、后 續(xù)形成的熱敏電阻則以負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，以使熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者 能夠據(jù)以實(shí)施，但并非用以限定本發(fā)明的范圍。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2，對(duì)半導(dǎo)體晶圓200進(jìn)行摻雜制程206，于半導(dǎo)體晶圓200中 摻雜注入一重金屬摻質(zhì)。在一實(shí)施例中，重金屬摻質(zhì)為選自銅、金、鉑、銀、鎳、 鐵、錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩所組成的群組，且摻入的重金屬摻質(zhì)濃 度約介于1013 atom/cmS至1017 atom/cn^之間。而將重金屬摻質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體晶圓 200中的摻雜制程206例如是擴(kuò)散法，于半導(dǎo)體晶圓200的上、下表面分別重?fù)诫s 以使重金屬摻質(zhì)可以快速均勻地分布在半導(dǎo)體晶圓200中，并使半導(dǎo)體晶圓200 的全部材料獲得充份的補(bǔ)償。而充分被重金屬摻質(zhì)補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體晶圓200則形成具 有負(fù)溫度系數(shù)特性的熱敏電阻基體212。特別說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的熱敏電阻基體212是由被重金屬摻質(zhì)充分補(bǔ)償 的N型半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，而可被視為一種本征半導(dǎo)體，因此熱敏電阻基體212 的電阻值基本上是由半導(dǎo)體材料的電阻值來(lái)決定，且其具有特殊的熱阻效應(yīng)。在熱 敏電阻基體212中，載子(電子)在深能階大部分都被捕獲，此時(shí)因?yàn)樽杂奢d子很少， 使得熱敏電阻基體212具有很高的電阻值。亦即，在絕對(duì)溫度為OK的條件下，熱 敏電阻基體212的電阻值會(huì)接近本征半導(dǎo)體的電阻值。當(dāng)溫度高于絕對(duì)溫度0K時(shí)， 載子會(huì)被熱能激發(fā)而躍遷到導(dǎo)帶，因而使自由載子增加，并同時(shí)使熱敏電阻基體 212的電阻值隨之減小。因此，可以使熱敏電阻基體212呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)的特性。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，于熱敏電阻基體212的兩對(duì)向外表面分別形成導(dǎo)電膜214，此導(dǎo) 電膜經(jīng)合金化形成N+區(qū)域會(huì)與熱敏電阻基體212之間的接觸面形成歐姆接觸 (Ohmic contact),而能夠降低接觸面的接觸電阻，有助于提升后續(xù)所形成的電極的 電性表現(xiàn)。導(dǎo)電膜214的厚度約介于5pm至20^im之間。導(dǎo)電膜214的材料例如 是鎳、銀或是其他合適的金屬或合金，且其形成方法可以是物理氣相沉積法或化學(xué) 氣相沉積法。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電膜214的材料為銀，且其形成方法為濺鍍法。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4、圖5與圖6，切割半導(dǎo)體晶圓200，以形成多個(gè)管芯結(jié)構(gòu)220。 各個(gè)管芯結(jié)構(gòu)220包括熱敏電阻基體212以及導(dǎo)電膜214，其中導(dǎo)電膜214配置在 熱敏電阻基體212兩端頭外側(cè)，以作為端頭電極。在一實(shí)施例中，管芯結(jié)構(gòu)220 的尺寸為0.6x0.3x0.3 mm、 0.6x0.3x0.2 mm、 1.0x0.5x0.3 mm或1.0x0.5x0.2 mm。
值得一提的是，半導(dǎo)體晶圓200的材料電阻率、重金屬摻質(zhì)的濃度以及管芯 結(jié)構(gòu)220的幾何尺寸都會(huì)影響到后續(xù)形成的熱敏電阻的電性表現(xiàn)，其中又以重金屬 摻質(zhì)的濃度最為重要。因此，通過(guò)改變上述三種參數(shù)能夠輕易地控制后續(xù)預(yù)形成的 熱敏電阻，而獲得具有不同電阻值或B常數(shù)(Bconstant)的各類(lèi)熱敏電阻。
圖7是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的熱敏電阻的剖面示意圖。在一實(shí)施例中，使 用管芯結(jié)構(gòu)220所制造的熱敏電阻為表面粘著式熱敏電阻(surface mount technology device, SMD)，如圖7所示。詳言之，表面粘著式熱敏電阻的形成方法包括下列步 驟先將上述步驟所形成的管芯結(jié)構(gòu)220排列在特定的模具中，再以厚膜制程(thick film process)于熱敏電阻基體212兩端的表面印刷內(nèi)電極234，接著再將其放入爐中 進(jìn)行燒結(jié)制程(sintering process)而使內(nèi)電極234固化。內(nèi)電極234的材料例如是鎳 錫、錫銀、鎳錫鉛或是其他合適的導(dǎo)體。在此實(shí)施例中，內(nèi)電極234的材料為電極用的銀膠。內(nèi)電極234的厚度約介于0.5 pm到20 pm之間。固化后的內(nèi)電極234 會(huì)與導(dǎo)電膜214形成電性導(dǎo)通，以利后續(xù)形成所需的電極結(jié)構(gòu)。之后，以厚膜印刷 及適當(dāng)?shù)墓袒绞皆趦?nèi)電極234與導(dǎo)電膜214以外的區(qū)域形成一層絕緣保護(hù)層 232，以覆蓋熱敏電阻基體212。絕緣保護(hù)層232是用來(lái)保護(hù)熱敏電阻基體212被 破壞或防止在后續(xù)電鍍制程中被鍍上金屬材料。在一實(shí)施例中，絕緣保護(hù)層232 的材料為熱固型高分子材料，其可以是環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、丙烯酸酯(acrylate)、聚酰 亞胺(polyimide)或是其他種類(lèi)的高分子聚合物。隨之，于管芯結(jié)構(gòu)220的兩端分別 形成外電極230，也就是在位于熱敏電阻基體212兩端頭的內(nèi)電極234與導(dǎo)電膜 214(端頭電極)外側(cè)形成外電極230。外電極230的材料包括鎳錫鍍層、錫銀鍍層、 鎳錫鉛鍍層或是其他合適的金屬鍍層。外電極230的形成方法例如是將管芯結(jié)構(gòu) 220放入滾鍍槽中進(jìn)行電鍍，以分別將所需的金屬鍍層一一電鍍至管芯結(jié)構(gòu)220的 兩端。外電極230的厚度約介于3Hm至20pm之間。外電極230例如是透過(guò)導(dǎo)電 膜214及內(nèi)電極234而與熱敏電阻基體212電性連接，而外電極230、導(dǎo)電膜214 與內(nèi)電極234則共同作為熱敏電阻的電極結(jié)構(gòu)。
圖8是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的熱敏電阻的剖面示意圖。在另一實(shí)施例中， 使用管芯結(jié)構(gòu)220所制造的熱敏電阻也可以是熱敏電阻珠的結(jié)構(gòu)，如圖8所示。熱 敏電阻珠的形成方法是先通過(guò)在圖5的管芯結(jié)構(gòu)220兩端的導(dǎo)電膜214表面分別焊 上電極外引線240作為外電極。電極外引線240例如是鎳線或銅包鎳線。熱敏電阻 體212兩端頭可以分別通過(guò)導(dǎo)電膜214與各側(cè)的電極外引線240電性連接，而電極 外引線240與導(dǎo)電膜214則共同作為熱敏電阻的電極結(jié)構(gòu)。之后，在整個(gè)管芯結(jié)構(gòu) 220的外側(cè)形成絕緣保護(hù)層242，以覆蓋管芯結(jié)構(gòu)220及與管芯結(jié)構(gòu)220連接的部 分電極外引線240。絕緣保護(hù)層232可以為環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃、聚甲基丙烯酸 (polymethacrylic acid, PMA)或是其他合適的絕緣材料。
在此 說(shuō)明的是，在形成如圖7或圖8所示的熱敏電阻結(jié)構(gòu)之后，還可以繼續(xù)
進(jìn)行測(cè)試步驟及封裝步驟，以完成篩選及包裝產(chǎn)品。至于完成后續(xù)步驟的細(xì)節(jié)，當(dāng) 為熟知本領(lǐng)域的技術(shù)人員所周知，故于此不再贅述。
綜上所述，本發(fā)明的熱敏電阻及其制造方法通過(guò)在半導(dǎo)體晶圓中摻雜重金屬
摻質(zhì)，藉以形成高補(bǔ)償型的摻雜半導(dǎo)體，再將半導(dǎo)體晶圓切割至所需的尺寸，以進(jìn)
行后續(xù)制備熱敏電阻的步驟，因此由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的熱敏電阻可以具有較佳的電性表現(xiàn)。
此外，本發(fā)明的熱敏電阻的制造方法可整合于現(xiàn)行的半導(dǎo)體制程中，而能夠 以簡(jiǎn)單手段大量生產(chǎn)電性表現(xiàn)優(yōu)異的熱敏電阻，有助于降低制程所需的成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)與
潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
10
權(quán)利要求
1.一種熱敏電阻，包括一半導(dǎo)體基體，其中該半導(dǎo)體基體的材料是經(jīng)過(guò)一重金屬摻質(zhì)摻雜補(bǔ)償?shù)膿诫s半導(dǎo)體，而具有負(fù)溫度系數(shù)的特性；以及兩電極結(jié)構(gòu)，分別配置于該半導(dǎo)體基體的兩對(duì)向端。
2. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，該重金屬摻質(zhì)為選自銅、金、鉬、銀、鎳、鐵、錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩所組成d群組。
3. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，該半導(dǎo)體基體為一硅基體、一砷化鎵基體或一銻化鎵基體。
4. 如權(quán)利要求3所述的熱敏電阻，其特征在于，該硅基體摻雜有磷或硼。
5. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，該重金屬摻質(zhì)濃度為介于1013 atom/cm3至1017 atom/cm3之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，各該些電極結(jié)構(gòu)包括一端頭電極及一外電極，該端頭電極配置于該半導(dǎo)體基體及該外電極之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的熱敏電阻，其特征在于，各該些電極結(jié)構(gòu)還包括一內(nèi)電極，配置于該半導(dǎo)體基體與該外電極之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的熱敏電阻，其特征在于，該外電極及該內(nèi)電極的材料包括鎳錫、錫銀或鎳錫鉛。
9. 如權(quán)利要求6所述的熱敏電阻，其特征在于，該端頭電極的材料為鎳或銀。
10. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，還包括一絕緣保護(hù)層，至少覆蓋該些電極結(jié)構(gòu)以外區(qū)域的該半導(dǎo)體基體。
11. 如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，該熱敏電阻為表面粘著式熱敏電阻或熱敏電阻珠。
12. —種熱敏電阻的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體晶圓；進(jìn)行一摻雜制程，于該半導(dǎo)體晶圓中注入一重金屬摻雜，使該半導(dǎo)體晶圓形成高補(bǔ)償?shù)囊粺崦綦娮杌w，而具有負(fù)溫度系數(shù)的特性；切割該半導(dǎo)體晶圓，以形成多個(gè)管芯結(jié)構(gòu)；以及 分別于各該些管芯結(jié)構(gòu)的兩對(duì)向端形成兩電極結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該重金屬摻質(zhì) 為選自銅、金、鉑、銀、鎳、鐵、錳、鉬、鎢、鈦、鋅、汞、鎘、鉻及釩所組成的 群組。
14. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體晶圓 為一硅晶圓、 一砷化鎵晶圓或一銻化鎵晶圓。
15. 如權(quán)利要求14所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該硅晶圓原始 摻雜有磷或硼。
16. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該重金屬摻質(zhì) 濃度為介于1013 atom/cm3至1017 atom/cm3之間。
17. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，在切割該半導(dǎo) 體晶圓之前，還包括于該熱敏電阻基體的兩對(duì)向表面分別形成一導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜 是作為各該些電極結(jié)構(gòu)中的一端頭電極。
18. 如權(quán)利要求17所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，各該些電極結(jié) 構(gòu)的形成方法包括于各該些管芯結(jié)構(gòu)的兩對(duì)向端分別形成一外電極，使該端頭電極 配置于該熱敏電阻基體及該外電極之間，且該外電極與該端頭電極耦接。
19. 如權(quán)利要求18所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，還包括于該熱 敏電阻基體與該外電極之間形成一內(nèi)電極。
20. 如權(quán)利要求19所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該外電極及該 內(nèi)電極的材料包括鎳錫、錫銀或鎳錫鉛。
21. 如權(quán)利要求17所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電膜的材 料為鎳或銀。
22. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，還包括形成一 絕緣保護(hù)層，至少覆蓋該些電極結(jié)構(gòu)以外區(qū)域的該熱敏電阻基體。
23. 如權(quán)利要求12所述的熱敏電阻，其特征在于，該熱敏電阻為表面粘著式 熱敏電阻或熱敏電阻珠。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種熱敏電阻，包括半導(dǎo)體基體和兩電極結(jié)構(gòu)。其中，半導(dǎo)體基體的材料是經(jīng)過(guò)重金屬摻質(zhì)摻雜補(bǔ)償?shù)膿诫s半導(dǎo)體，而具有負(fù)溫度系數(shù)的特性。兩電極結(jié)構(gòu)分別配置于半導(dǎo)體基體的兩對(duì)向端。
文檔編號(hào)H01C7/04GK101515496SQ20081003369
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月19日
發(fā)明者付佳旭, 劉蓓珍, 方 胡 申請(qǐng)人:付佳旭;胡 方;劉蓓珍