專利名稱：一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片制造工藝中的晶圓檢測方法，且特別涉及一種擋片回收的檢測方法。
背景技術(shù)：
.芯片制造工藝中在晶圓棒的中間段切割出來的晶圓品質(zhì)較高，稱為生產(chǎn)晶圓，用于半導(dǎo)體芯片制造。在晶圓棒的頭尾兩端所切割出的晶圓，出現(xiàn)瑕瘋的
幾率較高，大多用作非生產(chǎn)用途，稱為測試晶圓如控片(ControlWafer)以及擋片(Dummy Wafer)。
半導(dǎo)體晶圓廠內(nèi)設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)前，均需以測試晶圓來量測爐管溫度，金屬層，化學(xué)品濃度，沉積厚度，半導(dǎo)體裝置的制造工序有大約超過100道程序，因此需要大量的測試晶圓，然而測試晶圓十分昂貴所以需要盡可能的多次反復(fù)使用。
例如為了解機(jī)臺未來制成的晶圓產(chǎn)品是否在合格的范圍之內(nèi)，需要使用控片去試作，并量測所得結(jié)果如厚度，平坦度，微粒數(shù)等等，控片使用一次就要進(jìn)入回收流程，通常當(dāng)控片多次使用后將不能再次當(dāng)作控片使用，此時(shí)可將其回收當(dāng)作擋片再次使用，擋片的用途主要有兩種， 一種是用來暖機(jī)，即機(jī)臺在長期閑置后，機(jī)臺內(nèi)條件不好，這時(shí)先跑一些擋片，等機(jī)臺正常后才跑產(chǎn)品晶圓；另 一種是用來補(bǔ)足機(jī)臺內(nèi)應(yīng)擺芯片而未擺的空位置，如將晶圓送至爐管進(jìn)行氧化制程時(shí)，若生產(chǎn)晶圓數(shù)量不足時(shí)需要以擋片補(bǔ)足，否則可能影響制程平坦度等，或者是當(dāng)一批晶圓進(jìn)入爐管的時(shí)候，因?yàn)榫е蹆深^的氣流以及雜物的濃度會比中間大而且溫度由于受輻射影響也會比中間大，這就嚴(yán)重影響了 一致性，所以要在兩邊加擋片來抵消這種效應(yīng)。擋片也可重復(fù)使用，把表面的薄膜洗掉之后也是可以再利用的，但是經(jīng)過多次使用后的擋片很有可能會報(bào)廢，如晶圓背面的劃傷等，特別是在蝕刻和薄膜區(qū)域。原因主要是這兩個區(qū)的機(jī)臺卡盤不能吸住背面狀況比較糟糕的晶圓。因此需要對使用過的擋片進(jìn)行檢測，以決定
3該使用過的擋片是否可以再次使用。現(xiàn)有技術(shù)中檢測擋片是否可以再次使用的方法通常為人工量測擋片的厚度并且查看擋片背面的污染度和光滑度，例如有無劃傷以及面積較大的缺陷，若背面情況不合格則直接將擋片丟棄報(bào)廢，但這種方法過于主觀使得大量原本可再次回收利用的擋片被認(rèn)定報(bào)廢而丟棄造成浪費(fèi)，同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)中并無將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)再次回收利用的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出 一種芯片制造工藝中的擋片回收的^r測方法，用以翻轉(zhuǎn)使用過的擋片并檢測其正面，通過獲得的測試數(shù)據(jù)來判斷上述使用過的擋片是否可以再次回收利用。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括獲取^f吏用后的擋片，將上述擋片翻轉(zhuǎn)，；險(xiǎn)測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)，根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
進(jìn)一步的，其中上述判斷步驟為將上述檢測數(shù)據(jù)與底限數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，然后根據(jù)比較結(jié)果判斷上述擋片是否可以回收利用。
進(jìn)一步的，其中上述檢測步驟包括檢測上述擋片的厚度。進(jìn)一步的，其中上述檢測步驟更包括檢測上述擋片正面的翹曲度。進(jìn)一歩的，其中上述擋片為回收后的控片，上述回收后的控"為微粒值不合格的控片。
進(jìn)一步的，其中上述擋片回收的檢測方法更包括對利用上述擋片制造的產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢查，獲得缺陷數(shù)據(jù)并根據(jù)上述缺陷數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
本發(fā)明的擋片回收的檢測方法，自動將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)并自動檢測上述擋片的厚度以及正面的翹曲度，通過檢測獲得的數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以再次回收利用，避免了因?yàn)槭褂眠^的擋片背面情況不合格而直接丟棄報(bào)廢，而是將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)并檢測其正面情況以再次回收利用，從而節(jié)約了大量擋片，滿足了芯片制造程序需要大量擋片的要求，提高了擋片使用率，同時(shí)大大降低了生產(chǎn)成本。


圖l所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的流程4圖2所示為本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉較佳具體實(shí)施例并配合所附圖式說明如下。
請參考圖1，圖1所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的流程圖。本發(fā)明提出一種芯
片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括步驟10:獲取使用后的擋片，步驟20:將上述擋片翻轉(zhuǎn)，步驟30:檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)，步驟40:根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例，上述擋片回收的檢測方法中的步驟30:檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)更包括步驟31: 4全測上述擋片，獲得厚度數(shù)據(jù)以及步驟32:檢測上述擋片的正面，獲得翹曲度數(shù)據(jù)。上述判斷步驟為將上述檢測數(shù)據(jù)與底限數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，然后根據(jù)比較結(jié)果判斷上述擋片是否可以回收利用。上述擋片可為回收后的控片，上述回收后的控片為微粒值不合格的控片。
再請參考圖2，圖2所示為本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的流程圖。根據(jù)本發(fā)明又一較佳實(shí)施例，本發(fā)明提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括步驟100:獲取使用后的擋片，步驟200:將上述擋片翻轉(zhuǎn)，步驟300:檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)，步驟400:對利用上述擋片制造的產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢查，獲得缺陷數(shù)據(jù)；步驟500:根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。上述擋片回收的4企測方法中的步驟300:檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)更包括步驟310:檢測上述擋片，獲得厚度數(shù)據(jù)以及步驟320:檢測上述擋片的正面，獲得翹曲度數(shù)據(jù)。上述判斷步驟為將上述沖企測數(shù)據(jù)和缺陷數(shù)據(jù)與底限數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，然后根據(jù)比較結(jié)果判斷上述擋片是否可以回收利用。上述擋片可為回收后的控片，上述回收后的控片為微粒值不合格的控片。
在芯片制造工藝中使用控片去試作，并量測所得結(jié)果如厚度，平坦度，微粒數(shù)等等，可以了解機(jī)臺未來制成的晶圓產(chǎn)品是否在合格的范圍之內(nèi)，控片使用一次就要進(jìn)入回收流程，在回收流程中對上述使用過的控片進(jìn)行;險(xiǎn)測，獲得上述使用過的控片微粒值，通過上述微粒值判斷上述使用過的控片是否可以再次回收利用，當(dāng)上述微粒不合格時(shí)可將上述使用過的控片當(dāng)作擋片使用而不需要丟 棄。擋片也同樣可重復(fù)使用，但是經(jīng)過多次使用后的擋片很有可能會報(bào)廢，如 擋片晶圓背面的劃傷等，特別是在蝕刻和薄膜區(qū)域。原因主要是這兩個區(qū)的機(jī) 臺卡盤不能吸住背面狀況比較糟糕的擋片晶圓。但是正常情況下，由于擋片晶 圓正面沒有機(jī)械手的傳送磨插，所以正面狀況會很好。把這些擋片晶圓翻轉(zhuǎn)過 來可以滿足蝕刻和薄膜區(qū)域機(jī)臺的需求，擋片晶圓翻轉(zhuǎn)過來之后，保持擋片晶 圓背面朝上進(jìn)機(jī)臺。這樣由于機(jī)臺里面的卡盤與擋片晶圓狀況很好的正面接觸， 不會出現(xiàn)問題。擋片背面雖然狀況糟糕，但是它不與機(jī)臺卡盤接觸，不會影響 機(jī)臺正常程序。因此需要對使用過的擋片進(jìn)行檢測，以決定該使用過的擋片是 否可以翻轉(zhuǎn)后再次使用。本發(fā)明獲取到使用過的擋片后使用探測裝置將上述使 用過的擋片翻轉(zhuǎn)，然后對上述擋片進(jìn)行正面檢測，從而獲得擋片的厚度數(shù)據(jù)和 正面的翹曲度數(shù)據(jù)，再將上述厚度數(shù)據(jù)和翹曲度數(shù)據(jù)和上述擋片的底限數(shù)據(jù)進(jìn) 行比較，當(dāng)上述厚度數(shù)據(jù)和翹曲度數(shù)據(jù)并未超過底限范圍時(shí)判定上述擋片可以 再次回收使用，反之則判定上述擋片已經(jīng)報(bào)廢應(yīng)該丟棄。上述擋片回收的檢測 方法更包括對利用上述擋片制造的產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢查，并才艮據(jù)上述缺陷數(shù)據(jù)判 斷上述擋片是否可以回收利用，即利用晶圓缺陷探測裝置對產(chǎn)品晶圓的表面進(jìn) 行掃描從而獲得缺陷數(shù)據(jù)，當(dāng)上述缺陷數(shù)據(jù)在可接受范圍之內(nèi)時(shí)認(rèn)定上述擋片 是合格的，反之則認(rèn)為上述擋片已經(jīng)報(bào)廢應(yīng)該丟棄，這種缺陷檢查只是首次進(jìn) 行擋片回收檢測實(shí)驗(yàn)所必需的數(shù)據(jù)證明,而不是每次翻轉(zhuǎn)擋片晶圓都要做的必要 檢查，即判斷合格之后再進(jìn)行擋片回收檢測時(shí)直接翻轉(zhuǎn)，然后檢查數(shù)據(jù)在可接 受的范圍內(nèi)就可以。
綜上所述，本發(fā)明的擋片回收的檢測方法，自動將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)并自 動檢測上述擋片的厚度以及正面的翹曲度，通過檢測獲得的數(shù)據(jù)判斷上述擋片 是否可以再次回收利用，避免了因?yàn)槭褂眠^的擋片背面情況不合格而直接丟棄 報(bào)廢，而是將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)并檢測其正面情況以再次回收利用，從而節(jié)約 了大量擋片，滿足了芯片制造程序需要大量擋片的要求，提高了擋片使用率， 同時(shí)大大降低了生產(chǎn)成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測方法包括獲取使用后的擋片；將上述擋片翻轉(zhuǎn)；檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)；根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述判斷步驟 為將上述檢測數(shù)據(jù)與底限數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，然后根據(jù)比較結(jié)果判斷上述擋片是否 可以回收利用。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測步驟 包括檢測上述擋片的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述檢測步驟 更包括檢測上述擋片正面的翹曲度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述擋片為回 收后的控片，上述回收后的控片為微粒值不合格的控片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋片回收的檢測方法，其特征在于上述擋片回收 的檢測方法更包括對利用上述擋片制造的產(chǎn)品進(jìn)行缺陷檢查，獲得缺陷數(shù)據(jù)并 根據(jù)上述缺陷lt據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。
全文摘要
本發(fā)明提出一種芯片制造工藝中的擋片回收的檢測方法，其包括獲取使用后的擋片，將上述擋片翻轉(zhuǎn)，檢測上述擋片的正面，獲得相關(guān)檢測數(shù)據(jù)，根據(jù)上述檢測數(shù)據(jù)判斷上述擋片是否可以回收利用。其中上述檢測數(shù)據(jù)包括厚度和翹曲度。將使用過的擋片翻轉(zhuǎn)并檢測其正面情況以再次回收利用，從而節(jié)約了大量擋片，滿足了芯片制造程序需要大量擋片的要求，提高了擋片使用率，同時(shí)大大降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L21/00GK101556898SQ20081003590
公開日2009年10月14日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者萬世偉, 張福全, 軍 王 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司