專利名稱：新型晶片固定結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固定結(jié)構(gòu)，特別涉及一種用于在導(dǎo)線架或晶片載座上固定 發(fā)光晶片的新型晶片固定結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，固定發(fā)光晶片都是通過(guò)使用傳統(tǒng)的導(dǎo)線架或晶片載座來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而 且傳統(tǒng)的導(dǎo)線架或晶片載座的底部為一個(gè)整體平面的平面固晶區(qū)域，但是由于 發(fā)光晶片的厚度均不相同，當(dāng)發(fā)光晶片固定在傳統(tǒng)的導(dǎo)線架或晶片載座的平面 固晶區(qū)域中并導(dǎo)電發(fā)光時(shí)，使各個(gè)發(fā)光晶片之間的發(fā)光角度不盡相同，造成由 于各個(gè)發(fā)光晶片之間的發(fā)光角度差異過(guò)大而引起發(fā)光晶片之間發(fā)光后的混光 不均勻。
以傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片和GAN材質(zhì)發(fā)光晶片為例(參見圖1)， 由于傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片的厚度遠(yuǎn)大于GAN材質(zhì)發(fā)光晶片的厚度，在 其固定在晶片載座或?qū)Ь€架上并導(dǎo)電發(fā)光時(shí)，3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片的發(fā)光角度 就明顯大于GAN材質(zhì)發(fā)光晶片的發(fā)光角度，造成在3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片和 GAN材質(zhì)發(fā)光晶片在發(fā)光時(shí)的混光不均勻。
明顯的，現(xiàn)有用于固定發(fā)光晶片的導(dǎo)線架或晶片載座，在固定不同厚度的 發(fā)光晶片時(shí)，由于發(fā)光晶片的厚度不同，致使通電發(fā)光后的發(fā)光角度也不同， 造成發(fā)光時(shí)各個(gè)發(fā)光晶片的混光不均勻，無(wú)法滿足現(xiàn)有使用的需要；因此，特 別需要一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，使不同發(fā)光晶片在固定導(dǎo)電發(fā)光時(shí)的發(fā)光角度 相同，發(fā)光晶片在發(fā)光時(shí)混光均勻，彌補(bǔ)現(xiàn)有的導(dǎo)線架或晶片載座的不足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，彌補(bǔ)現(xiàn)有的導(dǎo)線架或晶片載 座的不足，使不同發(fā)光晶片在固定導(dǎo)電發(fā)光時(shí)的發(fā)光角度相同，發(fā)光晶片在發(fā) 光時(shí)混光均勻。本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)
一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，它包括晶片載座和發(fā)光晶片，所述晶片載座上設(shè) 有平面固晶區(qū)域，其特征在于，在所述晶片載座的平面固晶區(qū)域中設(shè)有一凹陷 固晶區(qū)域，所述的發(fā)光晶片固定在相應(yīng)的固晶區(qū)域中。
所述晶片載座為現(xiàn)有的導(dǎo)線架或晶片載座。
所述晶片載座為平臺(tái)狀、杯狀或其它任意形狀。
所述凹陷固晶區(qū)域位于所述平面固晶區(qū)域上的任意位置，所述凹陷固晶區(qū) 域?yàn)槿我庑螤睢?br> 所述發(fā)光晶片為復(fù)數(shù)個(gè)，分別固定在所述平面固晶區(qū)域和凹陷固晶區(qū)域中。
所述平面固晶區(qū)域上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)凹陷固晶區(qū)域。 所述發(fā)光晶片通過(guò)沖壓或蝕刻等方式固定在所述固晶區(qū)域上。 本發(fā)明的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，通過(guò)在晶片載座的平面固晶區(qū)中設(shè)置凹陷固 晶區(qū)域，在平面固晶區(qū)域和凹陷固晶區(qū)域分別以沖壓或蝕刻等方式固定不同厚 度的發(fā)光晶片，使發(fā)光晶片之間的發(fā)光高度一致，進(jìn)而完善發(fā)光晶片的發(fā)光角 度，使其發(fā)光時(shí)混光效果均勻，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。


圖1是現(xiàn)有的固定發(fā)光晶片的晶片載座的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解， 下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
如圖2所示， 一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，它包括晶片載座1和發(fā)光晶片，晶 片載座1上設(shè)有平面固晶區(qū)域11，在晶片載座1的平面固晶區(qū)域11中設(shè)有一 凹陷固晶區(qū)域12，平面固晶區(qū)域11和凹陷固晶區(qū)域12分別用來(lái)固定不同厚度 的發(fā)光晶片。
在本實(shí)施例中，所述發(fā)光晶片包括GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21和傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22;由于傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22的厚度大于GAN材 質(zhì)發(fā)光晶片21的厚度，傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22固定在平面固晶區(qū)域 11上，GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21固定在凹陷固晶區(qū)域12中，使傳統(tǒng)的3 4元材 質(zhì)發(fā)光晶片22的固晶位置與GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21的固晶位置在高度上有一 定的落差，使傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22與GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21的發(fā)光 高度一致，進(jìn)而使GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21和傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22 的發(fā)光角度達(dá)成一致，使其發(fā)光時(shí)混光效果均勻。
在本發(fā)明的新型晶片固定結(jié)構(gòu)中，晶片載座1為現(xiàn)有的導(dǎo)線架或晶片載座， 晶片載座1為平臺(tái)狀、杯狀或其它任意形狀；所述發(fā)光晶片為復(fù)數(shù)個(gè)，可以包 含復(fù)數(shù)個(gè)GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21和復(fù)數(shù)個(gè)傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā)光晶片22，相 應(yīng)的，平面固晶區(qū)域11上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)凹陷固晶區(qū)域12，傳統(tǒng)的3 4元材質(zhì)發(fā) 光晶片22固定在平面固晶區(qū)域11上，GAN材質(zhì)發(fā)光晶片21固定在凹陷固晶 區(qū)域12中，凹陷固晶區(qū)域12可以位于平面固晶區(qū)域11上的任意位置，凹陷 固晶區(qū)域12也可為任意形狀，這些都不影響本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其發(fā)明目的。
所述發(fā)光晶片通過(guò)沖壓或蝕刻等方式固定在平面固晶區(qū)域11和凹陷固晶 區(qū)域12上。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè) 的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中 描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明 還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)，本 發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1、一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，它包括晶片載座和發(fā)光晶片，所述晶片載座上設(shè)有平面固晶區(qū)域，其特征在于，在所述晶片載座的平面固晶區(qū)域中設(shè)有一凹陷固晶區(qū)域，所述的發(fā)光晶片固定在相應(yīng)的固晶區(qū)域中。
2、 如權(quán)利要求1所述的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶片載座 為平臺(tái)狀、杯狀或其它任意形狀。
3、 如權(quán)利要求1所述的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光晶片 為復(fù)數(shù)個(gè)，分別固定在所述平面固晶區(qū)域和凹陷固晶區(qū)域中。
4、 如權(quán)利要求1所述的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平面固晶 區(qū)域上設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)凹陷固晶區(qū)域。
5、 如權(quán)利要求1所述的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹陷固晶 區(qū)域位于所述平面固晶區(qū)域上的任意位置，所述凹陷固晶區(qū)域?yàn)槿我庑螤睢?br> 6、 如權(quán)利要求1所述的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光晶片 通過(guò)沖壓或蝕刻等方式固定在所述固晶區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種新型晶片固定結(jié)構(gòu)，彌補(bǔ)現(xiàn)有的導(dǎo)線架或晶片載座的不足，使不同發(fā)光晶片在固定導(dǎo)電發(fā)光時(shí)的發(fā)光角度相同，發(fā)光晶片在發(fā)光時(shí)混光均勻，它包括晶片載座和發(fā)光晶片，所述晶片載座上設(shè)有平面固晶區(qū)域，在所述晶片載座的平面固晶區(qū)域中設(shè)有一凹陷固晶區(qū)域，所述的發(fā)光晶片固定在相應(yīng)的固晶區(qū)域中，本發(fā)明的新型晶片固定結(jié)構(gòu)，通過(guò)在晶片載座的平面固晶區(qū)中設(shè)置凹陷固晶區(qū)域，在平面固晶區(qū)域和凹陷固晶區(qū)域分別以沖壓或蝕刻等方式固定不同厚度的發(fā)光晶片，使發(fā)光晶片之間的發(fā)光高度一致，進(jìn)而完善發(fā)光晶片的發(fā)光角度，使其發(fā)光時(shí)混光效果均勻，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101562173SQ20081003599
公開日2009年10月21日 申請(qǐng)日期2008年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月14日
發(fā)明者李誠(chéng)模 申請(qǐng)人:東泰升電子(上海)有限公司