專(zhuān)利名稱(chēng)：功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片彎曲的解決方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片接觸制程方法，且特別涉及一種功率 場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法。
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功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片在曝光后的顯影制程時(shí)，會(huì)發(fā)生微影機(jī)器的真空泵無(wú) 法把晶片吸住，制程被終止，晶片被報(bào)廢的情況，原因是功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片 發(fā)生了彎曲的現(xiàn)象。而晶片彎曲的原因主要是接觸制程中有一道工序?yàn)橹谱鹘?觸凹陷區(qū)的制程，它是在接觸蝕刻之后，在硅層上還要挖一定深度，以隔開(kāi)該 接觸凹陷區(qū)兩側(cè)的離子注入?yún)^(qū)域，該凹陷區(qū)用以形成接觸區(qū)引出導(dǎo)線與外部元 件相接觸。有些功率場(chǎng)效應(yīng)管的設(shè)計(jì)是成條狀設(shè)計(jì)的，功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片的溝 槽和凹陷區(qū)都是條狀而且方向相同，溝槽和凹陷區(qū)都是要蝕刻硅層的，而在蝕
刻硅層的過(guò)程中很可能造成晶片的彎曲。請(qǐng)參考圖1和圖2，圖1所示為現(xiàn)有技 術(shù)中功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片進(jìn)行接觸制程中利用光阻進(jìn)行離子注入的示意圖，圖2 所示為現(xiàn)有技術(shù)中功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片進(jìn)行接觸制程中蝕刻凹陷區(qū)的示意圖。 以蝕刻形成凹陷區(qū)這一制程來(lái)說(shuō)，在現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體基底100上的凹槽110 之間的區(qū)域上放置一特征尺寸例如為0.7um的光阻130，其中上述凹槽中灌注有 多晶硅120，然后再對(duì)該光阻130兩側(cè)的區(qū)域140進(jìn)行離子注入，以P型半導(dǎo)體 基底100為例，注入的離子為N型離子，之后進(jìn)行一高溫制程，在高溫制程中， 兩部分區(qū)域140的N型離子會(huì)擴(kuò)散而部分連接到一起，這就需要對(duì)連接到一起 的這部分進(jìn)行蝕刻以形成凹陷接觸區(qū)150,而這種蝕刻必須挖穿相連部分的N 型離子區(qū)域140才能保證器件的正常工作，對(duì)于使用0.7um特征尺寸的光阻130 的晶片來(lái)說(shuō)需要蝕刻4000A深度的硅層，然而在功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片蝕刻如此 深度的硅層很容易造成晶片的彎曲。本發(fā)明的目的在于提供一種功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度 的方法，該方法可有效減少晶片彎曲的程度，保證功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片制程的順 利完成。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片
彎曲程度的方法，其包括下列步驟提供P型半導(dǎo)體基底；在上述P型半導(dǎo)體 基底表面放置具有設(shè)定特征尺寸的光阻；對(duì)上述P型半導(dǎo)體基底的上述光阻的 兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子注入；拿掉光阻并對(duì)上述N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕 刻形成凹陷區(qū)，其中上述光阻的設(shè)定特征尺寸為大于等于1.3um。
進(jìn)一步的，其中上述P型半導(dǎo)體基底具有多個(gè)凹槽區(qū)域，上述凹槽中灌注 有多晶硅。
進(jìn)一步的，其中上述光阻放置于兩個(gè)凹槽之間的上述P型半導(dǎo)體基底的中 間表面。
進(jìn)一步的，其中在上述N型離子注入步驟之后更包括高溫制程。
進(jìn)一步的 ，其中上述蝕刻形成凹陷區(qū)的步驟為蝕刻上述兩個(gè)N型離子注入 區(qū)域的中間部分，以4吏得上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域^皮凹陷區(qū)隔離開(kāi)。
進(jìn)一 步的，其中上述凹陷區(qū)用以形成接觸區(qū)引出導(dǎo)線與外部元件相接觸。
進(jìn)一步的，其中上述凹陷區(qū)的深度為小于等于1000A。
本發(fā)明提出的功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法，在P 型半導(dǎo)體基底表面》文置具有設(shè)定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，對(duì)上述P型 半導(dǎo)體基底的上述光阻的兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子注入，然后拿掉光阻并對(duì)上述 N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)，以使得上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū) 域被凹陷區(qū)隔離開(kāi)，本發(fā)明所使用的光阻的特征尺寸從先前技術(shù)的0.7um增加 到1.3um以上，這樣因?yàn)檩^大特征尺寸的光阻的遮蔽，在離子注入之后，能夠 加大了兩側(cè)N離子注入?yún)^(qū)域的距離，就算在高溫工序之后，兩側(cè)擴(kuò)散的離子相 連的部分也比較少，這樣就能夠減少凹陷接觸區(qū)的蝕刻深度，可將凹陷區(qū)的深 度從4000A縮減到IOOOA以下，這樣就可以有效的減少晶片彎曲的程度，從而 保證了功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片制程的順利完成。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中晶片進(jìn)行接觸制程中利用光阻進(jìn)行離子注入的示意圖。
圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中晶片進(jìn)行接觸制程中蝕刻凹陷區(qū)的示意圖。 圖3所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中晶片進(jìn)行接觸制程中利用光阻進(jìn)行離子 注入的示意圖。
圖4所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中晶片進(jìn)行接觸制程中蝕刻凹陷區(qū)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉較佳具體實(shí)施例并配合所附圖式說(shuō)明 如下。
本發(fā)明提出的功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法，其包 括下列步驟提供P型半導(dǎo)體基底；在上述P型半導(dǎo)體基底表面放置具有設(shè)定 特征尺寸的光阻；對(duì)上述P型半導(dǎo)體基底的上述光阻的兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子 注入；拿掉光阻并對(duì)上述N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)，其中上 述光阻的設(shè)定特征尺寸為大于等于1.3um。
請(qǐng)參考圖3和圖4,圖3所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中晶片進(jìn)行接觸制程中 利用光阻進(jìn)行離子注入的示意圖，圖4所示為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中晶片進(jìn)行 接觸制程中蝕刻凹陷區(qū)的示意圖。從圖3和圖4中可以看出，本發(fā)明所提供的P 型半導(dǎo)體基底200具有多個(gè)凹槽區(qū)域210，而凹槽210中灌注有多晶硅220,將 具有設(shè)定特征尺寸的光阻230放置在上述兩個(gè)凹槽210之間的上述P型半導(dǎo)體 基底200的中間表面上，接著對(duì)上述光阻230兩側(cè)的P型半導(dǎo)體基底200區(qū)域 進(jìn)行N離子注入，形成兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域240，而之間的區(qū)域因?yàn)楣庾?30 的遮蔽不會(huì)被注入N型離子，同時(shí)由于本發(fā)明較佳實(shí)施例所采用的光阻230的 特征尺寸為大于等于1.3um，即比現(xiàn)有技術(shù)所采用的0.7um的光阻要大，所以?xún)?個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域240相隔的距離比較大，即使在隨后的高溫制程之后，兩 個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域240也不會(huì)因?yàn)閿U(kuò)散而連接到一起或者僅有很少的部分連 接。然后去除上述光阻230以進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)250的步驟，蝕刻上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域240的中間部分，以使得上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域240被凹 陷區(qū)250隔離開(kāi)，其中上述凹陷區(qū)250是用以形成接觸區(qū)引出導(dǎo)線與外部元件 相接觸的區(qū)域，由于本發(fā)明較佳實(shí)施例所采用的光阻230的特征尺寸為大于等 于1.3um,即比現(xiàn)有4支術(shù)所采用的0.7um的光阻要大，同時(shí)兩個(gè)N型離子注入 區(qū)域240也沒(méi)有連接到一起或者僅有很少的部分連接，因此僅需要蝕刻很少深 度的硅層就能形成合格的凹陷接觸區(qū)，按照本發(fā)明較佳實(shí)施例進(jìn)行的蝕刻上述 凹陷區(qū)的深度為小于等于IOOOA。
本發(fā)明提出的功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法，在P 型半導(dǎo)體基底表面放置具有設(shè)定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，對(duì)上述P型 半導(dǎo)體基底的上述光阻的兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子注入，然后拿掉光阻并對(duì)上述 N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)，以使得上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū) 域被凹陷區(qū)隔離開(kāi)，本發(fā)明所使用的光阻的特征尺寸從先前技術(shù)的0.7um增加 到1.3um以上，這樣因?yàn)檩^大特征尺寸的光阻的遮蔽，在離子注入之后，能夠 加大了兩側(cè)N離子注入?yún)^(qū)域的距離，就算在高溫工序之后，兩側(cè)擴(kuò)散的離子相 連的部分也比較少，這樣就能夠減少凹陷接觸區(qū)的蝕刻深度，可將凹陷區(qū)的深 度從4000A縮減到IOOOA以下，這樣就可以有效的減少晶片彎曲的程度，從而 保證了功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片制程的順利完成。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于包括下列步驟提供P型半導(dǎo)體基底；在上述P型半導(dǎo)體基底表面放置具有設(shè)定特征尺寸的光阻；對(duì)上述P型半導(dǎo)體基底的上述光阻的兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子注入；拿掉光阻并對(duì)上述N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)，其中上述光阻的設(shè)定特征尺寸為大于等于1.3um。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中上述 P型半導(dǎo)體基底具有多個(gè)凹槽區(qū)域，上述凹槽中灌注有多晶硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中上述 光阻放置于兩個(gè)凹槽之間的上述P型半導(dǎo)體基底的中間表面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中在上 述N型離子注入步驟之后更包括高溫制程。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中上述 蝕刻形成凹陷區(qū)的步驟為蝕刻上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域的中間部分，以使得 上述兩個(gè)N型離子注入?yún)^(qū)域-陂凹陷區(qū)隔離開(kāi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中上述 凹陷區(qū)用以形成接觸區(qū)引出導(dǎo)線與外部元件相接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少晶片彎曲程度的方法，其特征在于其中上述 凹陷區(qū)的深度為小于等于1000A。
全文摘要
本發(fā)明提出的功率場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法，在P型半導(dǎo)體基底表面放置具有設(shè)定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，對(duì)P型半導(dǎo)體基底的光阻的兩側(cè)區(qū)域進(jìn)行N型離子注入，然后拿掉光阻并對(duì)N型離子注入?yún)^(qū)域之間進(jìn)行蝕刻形成凹陷區(qū)，本發(fā)明所使用的光阻的特征尺寸從先前技術(shù)的0.7um增加到1.3um以上，這樣因?yàn)檩^大特征尺寸的光阻的遮蔽，在離子注入之后，能夠加大了兩側(cè)N離子注入?yún)^(qū)域的距離，就算在高溫工序之后，兩側(cè)擴(kuò)散的離子相連的部分也比較少，這樣就能夠減少凹陷接觸區(qū)的蝕刻深度，有效的減少晶片彎曲的程度，從而保證了功率場(chǎng)效應(yīng)管晶片制程的順利完成。
文檔編號(hào)H01L21/335GK101593695SQ20081003838
公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者隆 呂, 心 王 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司