專利名稱：多柵極晶體管制作方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種多柵極晶體管制作方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)進(jìn)步，集成電路的應(yīng)用范圍日益擴(kuò)大，集成電路性能的要求越來 越高。為此，在傳統(tǒng)單柵極晶體管的基礎(chǔ)上，業(yè)界提出各種多柵極晶體管結(jié)構(gòu)。 為了描述方便，下面選用一種三柵極晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，并不能據(jù)此限定本 申請(qǐng)只是針對(duì)該類三柵極晶體管，例如本申請(qǐng)還可以但不限于針對(duì)雙柵極，環(huán) 柵極晶體管及其他類型的三柵極晶體管等多柵極晶體管。
圖1為一種三柵極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中標(biāo)號(hào)10為村底，可以由硅、 鍺或砷化鎵等材料形成；標(biāo)號(hào)11代表隔離層，用于將三個(gè)柵電介質(zhì)層隔離， 隔離層11可以但不限于采用淺溝槽隔離(STI, Shallow Trench Isolation)形成； 標(biāo)號(hào)12, 13及14分別代表三個(gè)柵電介質(zhì)層，可以由氧化物、氮化物、氮氧化 物、高K電介質(zhì)材料、或這些材料的組合等形成。三個(gè)柵電介質(zhì)層的厚度可以 相同，也可以不同，若假設(shè)三個(gè)柵電介質(zhì)層的厚度分別為tl, t2及t3,且tl〉t2〉t3, 則現(xiàn)有技術(shù)中，該三4冊(cè)極晶體管的制作流程如下
圖2A 2E為現(xiàn)有三柵極晶體管制作的過程示意圖，為清楚起見，這里主 要描述三柵極晶體管制作過程中，形成柵電介質(zhì)層的過程，由于此處柵電介質(zhì) 層由氧化物形成，故改稱為柵氧化層(Gate-ox, Gate-oxide)。結(jié)合圖2A 2E 可知，現(xiàn)有技術(shù)中，三柵極晶體管的制作過程為
步驟al，在襯底10上形成隔離層11后，進(jìn)行預(yù)清洗(Pre-cln,Pre-clean);步驟a2,在襯底10上，制作出厚度為tl的三個(gè)Gate-ox21; 步驟a3,通過光照(photo)及濕法刻蝕(wetetch),去除步驟a2中制作 的第二個(gè)Gate-ox 21,準(zhǔn)備制作厚度t2的Gate-ox 22; 步驟a4，進(jìn)行Pre-cln; 步驟a5，制作出厚度為t2的Gate-ox 22;
步驟a6,通過photo及Wetetch，去除步驟a2中制作的第三個(gè)Gate-ox21， 準(zhǔn)備制作厚度為t3的Gate-ox23; 步驟a7，進(jìn)行Pre-cln; 步驟a8 ，制作出厚度為t3的Gate-ox 23 。
才艮據(jù)上述流程可知，在制作出Gate-ox 22后，為了制作Gate-ox 23 ， Gate-ox 22還需要進(jìn)行兩次清洗，即步驟a6中的Wet-etch及步驟a7中的Pre-cln。由 于在清洗過程中，為了去除表面的金屬玷污、有機(jī)物玷污及附著的顆粒等待去 除物質(zhì)，通常會(huì)將表面腐蝕溶解，使得其上的待去除物質(zhì)隨之脫離，因此經(jīng)過 所述兩次清洗過程后，Gate-ox22的厚度通常會(huì)大幅度下降，與t2相差較大， 且Gate-ox22中Nitrogen的含量將大大降低，這都使得晶體管的功耗等性能大 大降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了多柵極晶體管制作方法及系統(tǒng)，以提高多柵極晶體管性能。 本發(fā)明提供了一種多柵極晶體管制作方法，所述晶體管的各個(gè)柵極對(duì)應(yīng)有 各自的柵電介質(zhì)層；在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間，有 多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程；該制作方法包括采用所述多 個(gè)清除流程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)，所述多個(gè)清除流程中， 除所述部分清除流程外的其他清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能本發(fā)明還提供了 一種多柵極晶體管制作系統(tǒng)，所述晶體管的備個(gè)柵極對(duì)應(yīng)有各自的柵電介質(zhì)層；該制作系統(tǒng)包括清除單元，用于在制作當(dāng)前柵電介質(zhì) 層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間，有多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除 流程的情況下，采用所述多個(gè)清除流程中的部分清除流程，清除所述待清除物 質(zhì)。本發(fā)明實(shí)施例在制作多柵極晶體管時(shí)，通過在制作不同柵電介質(zhì)層的過程 之間的，多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程中，選擇部分清除流程 來清除待清除物質(zhì)，從而在完成清除任務(wù)的前提下，減少了清除次數(shù)，降低了 清除流程對(duì)已制作的柵電介質(zhì)的負(fù)面影響，例如在^h電介質(zhì)為氧化物的情況 下，Gate-ox的厚度降低及Nitrogen含量降低等負(fù)面影響，獲得性質(zhì)較好的柵 電介質(zhì)層，進(jìn)而使得晶體管的性能大大提高。


圖1為一種三4冊(cè)極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A 2E為現(xiàn)有三4冊(cè)極晶體管制作的過程示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的多柵極晶體管制作方法示意圖；圖4A為本發(fā)明實(shí)施例中第一種多4冊(cè)極晶體管制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B為本發(fā)明實(shí)施例中第二種多柵極晶體管制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)背景技術(shù)的分析可知，在各個(gè)柵電介質(zhì)層的制作過程之間，由于需要 進(jìn)行多次清洗過程，且多次清洗過程會(huì)對(duì)已制作的柵電介質(zhì)層的厚度，及其內(nèi) 的粒子濃度等造成負(fù)面影響，從而會(huì)造成多柵極晶體管性能下降，因此如果能 夠減少清洗次數(shù)或清洗過程中的某些操作步驟，使得清洗過程帶來的所述負(fù)面影響下降，則將有利于獲得較好的柵電介質(zhì)層，從而提高多柵極晶體管的性能。 基于上述考慮，本發(fā)明實(shí)施例提出如下多柵極晶體管的制作方法，可以實(shí) 現(xiàn)上述思路。圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的多柵極晶體管制作方法示意圖，由該圖可知， 本發(fā)明實(shí)施例提出的多柵極晶體管制作方法，包括步驟100，在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間，在有多 個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程時(shí)，采用所述多個(gè)清除流程中的部 分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)。其中所述多個(gè)清除流程中，除所述部分清 除流程外的其他清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能夠忽略。所述多個(gè)能夠用于清除待清除物質(zhì)的清除流程可以是相同流程，例如背景 技術(shù)提到的Pre-cln及wet-etch中，均包含標(biāo)準(zhǔn)清洗流程-1 (SC-1, Standard Clean-l)，即在制作Gate-ox 22及制作Gate-ox 23之間，有兩個(gè)能夠用于清除 相同待清除物質(zhì)的清除流程SC-1。其中SC-1為本領(lǐng)域?qū)I(yè)術(shù)語，通常指的是 采用氨水(NH4OH)和雙氧水(H202)混合溶液，來清除待清洗物質(zhì)的流程， 能夠清除附著在硅片表面的顆粒。此外所述多個(gè)清除流程也可以不完全相同。在所述多個(gè)清除流程是相同流程時(shí)，由于可以根據(jù)清除流程的名稱等標(biāo)識(shí) 信息，很容易地可以很簡(jiǎn)單就能夠從多柵極晶體管復(fù)雜的制作流程中，確定出 所述多個(gè)清除流程，從而使得本發(fā)明實(shí)施例提出的方案才喿作簡(jiǎn)便，有利于方案 的推廣使用，而且使得方案需要消耗的資源較少，提高了資源的利用率。在所述多個(gè)清除流程不完全相同時(shí)，可以盡可能多的找出能夠用于清除相 同待清除物質(zhì)的清除流程，從而可能減少的清除流程也就越多，對(duì)清除流程帶 來的負(fù)面影響的降低程度也就越大，進(jìn)而更大程度上提高了多柵極晶體管的性 能。所述多個(gè)能夠用于清除待清除物質(zhì)的清除流程中，存在如下兩種流程一 是對(duì)自身對(duì)應(yīng)的后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能夠忽略的清除流程，二是對(duì)自身 對(duì)應(yīng)的后續(xù)流程的執(zhí)行效果有較大影響，該影響不能忽略的清除流程，其中所述后續(xù)流程指的是所述多個(gè)清除流程中，各個(gè)流程與自身對(duì)應(yīng)的下一個(gè)清除 流程中間的流程，例如Pre-cln中的SC-1與wet-etch中的SC-1之間的流程都 屬于Pre-cln中的SC-1的后續(xù)流程。此外對(duì)于所述多個(gè)清除流程中的最后一個(gè) 清除流程沒有對(duì)應(yīng)下一個(gè)清除流程，則其后續(xù)流程可以為其后續(xù)所有或部分流 程。另外各個(gè)清除流程對(duì)自身對(duì)應(yīng)的后續(xù)流程的影響能否忽略可以有多種確定 方式，例如可以基于試驗(yàn)確定，也可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)或理論分析等方式確定。 根據(jù)上述分類，為了達(dá)到減少清除流程，又不能對(duì)其他流程造成較大影響 的目的，則可以采用上述第二種清除流程來清除待清除物質(zhì)，即所述部分清除 流程為第二種流程；也可以采用上述第二種清除流程及部分第 一種清除流程來 清除待清除物質(zhì)，即所述部分清除流程為第二種清除流程與部分第一種清除流 程。兩者的區(qū)別在于前者大幅度降低清除流程對(duì)柵電介質(zhì)層的負(fù)面影響，大大 提高多柵極晶體管性能；而后者通過減少清除流程提高的多柵極晶體管性能， 可能不及前者通過減少清除流程提高的多柵極晶體管的性能。此外雖然后者通 過減少清除流程提高的多柵極晶體管性能，可能不及前者通過減少清除流程提 高的多柵極晶體管的性能，不過由于它保留了部分第一種清除流程，所以能夠 降低由于第一種清除流程減少，而可能帶來的，即使是可以忽略的，對(duì)其他流 程執(zhí)行效果的負(fù)面影響，也就可能會(huì)從另一方面彌補(bǔ)，后者與前者在提高晶體 管性能方面的差距。所述部分清除流程可以由多種方式，在所述多個(gè)能夠用于清除相同待清除 物質(zhì)的清除過程中確定出來。所述部分清除過程可以是預(yù)先確定的，例如可以 在多柵極晶體管制作前，就確定出所述部分清除流程，從而在制作過程中，直 接根據(jù)已確定出的部分清除流程清除待清除物質(zhì)即可，提高了制作多柵極晶體 管的效率。當(dāng)然也可以是在多柵極晶體管制作過程中，所述多個(gè)清除過程開始 前，通過對(duì)各個(gè)清除流程進(jìn)行分析，在所述多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì) 的清除過程中，確定出部分清除流程，節(jié)約了預(yù)先確定部分清除物質(zhì)所需的各另外在制作出多柵極晶體管后，還可以根據(jù)制作出的多柵極晶體管的質(zhì) 量，重新確定所述部分清除流程，例如在發(fā)現(xiàn)如果所述多個(gè)清除過程中的其他 清除流程被確定在所述部分清除流程內(nèi)，可以進(jìn)一步提高多柵極晶體管性能 時(shí)，則可以將所述其他清除流程添加到所述部分清除流程內(nèi)，即重新確定了所 述部分清除流程。這樣可以根據(jù)實(shí)際情況，來對(duì)所述部分清除流程進(jìn)行調(diào)整， 從而優(yōu)化了多柵極晶體管制作方法，提高了多柵極晶體管的性能。下面通過具體實(shí)施例對(duì)上述方案進(jìn)行詳細(xì)闡述。仍然以制作背景技術(shù)中的三柵極晶體管為例，其柵電介質(zhì)層為柵氧化層，此處將通過在制作Gate-ox 22與Gate-ox 23之間的，多個(gè)能夠用于清除相同待 清除物質(zhì)的清除流程中，選擇部分清除流程來清除待清除物質(zhì)，來P爭(zhēng)低所述清 除流程對(duì)Gate-ox 22的厚度及其Nitrogen濃度等的負(fù)面影響，從而獲得較好的 Gate-ox22,提高該三柵極晶體管的性能。表1現(xiàn)有清洗過程Gate-ox23的制作流程本實(shí)施例的清洗過程制作出Gate-ox 22PhotoNLB75APRRMMSC1MWet誦etchNLB75APRRMMNCRRCAMPre-clnNCRRCAM制作Gate-ox 23表1為本發(fā)明實(shí)施例中Gate-ox23的制作流程示意表，表中右框?yàn)楸景l(fā)明 實(shí)施例中的清洗過程，左框?yàn)楝F(xiàn)有清洗過程，中框?yàn)樵谥谱鞒鯣ate-ox22后， 制作Gate-ox23的過程。由該表可知，在制作Gate-ox 22與Gate-ox 23間，有 兩個(gè)清洗過程Wet-etch及Pre-cln。這兩個(gè)清洗過程通常又是由多個(gè)流程構(gòu)成， 根據(jù)流程不同，Wet-etch及Pre-cln的過程有多種組成方式。假設(shè)Wet-etch的過10程為NLB75APRRMMSC1M,則表明該Wet-etch的過程包括SC-1清除流程； 假設(shè)Pre-cln的過程為NCRRCAM,則表明該P(yáng)re-cln過程包括CR流程和RCA 流程，CR及RCA流程均是業(yè)界公知的清洗流程。其中CR流程通常使用碌u 酸(H2S04)及雙氧水H202的混合液清除待清除物質(zhì)，而RCA流程包括SC-1 清除流程及SC-2清除流程，SC-1清除流程的概念上文已有介紹，SC-2清除流 程則使用氯化氫(HC1)及雙氧水(H202)的混合溶液來清除待清除物質(zhì)。于 是可以看出，在制作Gate-ox 22及Gate-ox 23之間，有兩個(gè)用于清除相同待清 除物質(zhì)的清除過程，即Wet-etch中的SC-1和Pre-cln中的SC-l。由于Pre-cln中.的SC-l清除流程并不會(huì)影響其后續(xù)流程CR的執(zhí)行效果， 即使有影響也可以忽略，而Wet-etch中的SC-l對(duì)其后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影 響則不能夠忽略，因此可以用Wet-etch中的SC-l清除對(duì)應(yīng)的待清除物質(zhì)，以 避免Pre-cln中SC-l對(duì)Gate-ox 22帶來的負(fù)面影響，并獲得性質(zhì)較好的Gate-ox 22,從而提高晶體管的性能。其中與上述技術(shù)方案術(shù)語對(duì)應(yīng)，本實(shí)施例中，所 述多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程為Pre-cln中的SC-l及 Wet-etch中的SC-1，所述部分清除流程為Wet-etch中的SC-l。本發(fā)明實(shí)施例還提出了多柵極晶體管制作系統(tǒng)，以提高多柵極晶體管的性 能。根據(jù)所述部分清除流程中，各清除流程是否均不能夠忽略對(duì)自身后續(xù)流程 的執(zhí)行效果的影響，本發(fā)明實(shí)施例提出兩種多柵;〖及晶體管制作系統(tǒng)。圖4A為本發(fā)明實(shí)施例中第一種多柵極晶體管制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，所 述多柵極晶體管的各柵極各自對(duì)應(yīng)有柵電介質(zhì)層，結(jié)合該圖可知，所述系統(tǒng)包 括清除單元41,用于在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間， 有多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程的情況下，采用所述多個(gè)清除 流程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)。清除流程確定單元42，用于根據(jù)制作出來的多柵極晶體管的質(zhì)量，在所述 多個(gè)清除流程中，重新確定所述部分清除流程，用于后續(xù)多柵極晶體管的制作。第一選擇單元43,用于在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的 執(zhí)行效杲的影響，不能夠忽略的清除過程；以及
第一確定單元44,用于將第一選擇單元44選擇出的清除過程，確定為所 述部分清除過程。
其中清除流程確定單元42用于重新確定所述部分清除流程，可以根據(jù)實(shí) 際生產(chǎn)狀況對(duì)所述部分清除流程進(jìn)行調(diào)整，從而可以確定出更為合理的所述部 分清除流程，能夠進(jìn)一步提高多柵極晶體管的性能，當(dāng)然由于可以預(yù)先確定出 所述部分清除流程，而且通常情況下也無需進(jìn)行調(diào)整，因此該清除流程確定單 元42是可選的。
此外通過第一選擇單元43及第一確定單元44選擇出的所述部分清除流 程，由于均不能夠忽略對(duì)自身后續(xù)流程執(zhí)行效果的影響，即已經(jīng)盡可能減少了 清除流程，所以極大的降低了清除流程對(duì)柵電介質(zhì)層的負(fù)面影響，從而大大提 高了多柵極晶體管的性能。當(dāng)然由于還可以通過別的方式選擇出所述部分清除 流程，且也無需一定要使得所述部分清除流程，均不能夠忽略對(duì)自身后續(xù)執(zhí)行 效果的影響，因此第一選擇單元43及第一確定單元44也是可選的。
圖4B為本發(fā)明實(shí)施例中第二種多斥冊(cè)極晶體管制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，所 述多柵極晶體管的各柵極各自對(duì)應(yīng)有柵電介質(zhì)層，結(jié)合該圖可知，所述系統(tǒng)包 括
清除單元41,用于在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間， 有多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程的情況下，采用所述多個(gè)清除 流程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)。
清除流程確定單元42，用于才艮據(jù)制作出來的多4冊(cè);〖及晶體管的質(zhì)量，在所述 多個(gè)清除流程中，重新確定所述部分清除流程，用于后續(xù)多柵極晶體管的制作。
第二選擇單元45,用于在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的 執(zhí)行效果的影響，不能夠忽略的清除過程；以及
第二確定單元46,用于將第二選擇單元45選擇出的清除流程，及未選擇出的清除流程中的一部分，確定為所述部分清除流程。
基于類似理由，該系統(tǒng)中，清除流程單元42是可選的。 其中通過第二選擇單元45及第二確定單元46選擇出的所述部分清除流 程，并非均不能夠忽略對(duì)自身后續(xù)流程執(zhí)行效果的影響，即所述部分清除流程 包含了 一些能夠忽略對(duì)自身后續(xù)流程執(zhí)行效果的影響的清除流程，雖然這樣使 得第二種系統(tǒng)通過減少清除流程提高的多柵極晶體管性能，可能不及第一種系 統(tǒng)通過減少清除流程提高的多4冊(cè)極晶體管的性能，不過由于它保留了 一些能夠 忽略對(duì)自身后續(xù)流程執(zhí)行效果的影響的清除流程，所以能夠降低由于這種清除 流程減少，而可能帶來的，即使是可以忽略的，對(duì)其他流程執(zhí)行效果的負(fù)面影 響，也就可能會(huì)從另一方面提高晶體管的性能。同樣，所述第二選擇單元45 及第二確定單元46是可選的。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā) 明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
1權(quán)利要求
1、一種多柵極晶體管的制作方法，所述晶體管的各個(gè)柵極對(duì)應(yīng)有各自的柵電介質(zhì)層；在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間，有多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程；其特征在于，該制作方法包括采用所述多個(gè)清除流程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)，所述多個(gè)清除流程中，除所述部分清除流程外的其他清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能夠忽略。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分清除流程是預(yù)先確 定的。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括根據(jù)制作出來的多柵 極晶體管的質(zhì)量，在所述多個(gè)清除流程中，重新確定所述部分清除流程，用于 后續(xù)多柵極晶體管的制作。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)清除流程為相同流程。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)清除流程不完全相同。
6、 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述多 個(gè)清除流程均為標(biāo)準(zhǔn)清洗流程-1 。
7、 如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述部 分清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響均不能夠忽略。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括 在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響不能夠忽略的清除過程；以及將選擇出的所述清除過程，確定為所述部分清除過程。
9、 如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述部分清除流程，并非均不能夠忽略對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)^f于效果的影響。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括 在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響，不能夠忽略的清除過程；以及將選擇出的所述清除流程，及未選擇出的清除流程中的一部分，確定為所 述部分清除流程。
11、 一種多柵極晶體管制作系統(tǒng)，所述晶體管的各個(gè)柵極對(duì)應(yīng)有各自的柵 電介質(zhì)層；其特征在于，該制作系統(tǒng)包括清除單元，用于在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)^f冊(cè)電介質(zhì)層之間，有 多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程的情況下，采用所述多個(gè)清除流 程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)。所述多個(gè)清除流程中，除所述部 分清除流程外的其他清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能夠忽略？
12、 如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括清除流程確定單元， 用于根據(jù)制作出來的多才冊(cè)極晶體管的質(zhì)量，在所述多個(gè)清除流程中，重新確定 所述部分清除流程，用于后續(xù)多柵極晶體管的制作。
13、 如權(quán)利要求11或12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述部分清除流程， 對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響均不能夠忽略。
14、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括 第一選擇單元，用于在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響，不能夠忽略的清除過程；以及第一確定單元，用于將第一選擇單元選擇出的清除過程，確定為所述部分 清除過程。
15、 如權(quán)利要求11或12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述部分清除流程， 并非均不能夠忽略對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響。
16、 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括 第二選擇單元，用于在所述多個(gè)清除流程中，選擇出對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響，不能夠忽略的清除過程；以及第二確定單元，用于將第二選擇單元選擇出的清除流程，及未選擇出的清 除流程中的一部分，確定為所述部分清除流程。
全文摘要
本發(fā)明公開了多柵極晶體管制作方法及系統(tǒng)，以提高多柵極晶體管的性能。所述晶體管的各個(gè)柵極對(duì)應(yīng)有各自的柵電介質(zhì)層，該方法包括當(dāng)在制作當(dāng)前柵電介質(zhì)層和制作下一個(gè)柵電介質(zhì)層之間，有多個(gè)能夠用于清除相同待清除物質(zhì)的清除流程時(shí)，采用所述多個(gè)清除流程中的部分清除流程，清除所述待清除物質(zhì)；所述多個(gè)清除流程中，除所述部分清除流程外的其他清除流程，對(duì)各自后續(xù)流程的執(zhí)行效果的影響能夠忽略。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101656203SQ200810041880
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者何永根 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司