專利名稱：判斷哪個光刻工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種判斷哪一光刻工藝工序造成低良率的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路制造工藝中，光刻工藝是十分重要的一道工藝。完成一個完整的芯片需要很多道光刻。而因硅片尺寸在不斷變大，光刻工藝中的曝光通常是以曝光面積為單位進行的，將一整個硅片中多個相鄰的芯片作為一個曝光面積(英文為shot)，以此曝光面積為單元依次曝光已完成整個硅片上全部圖形的定義。而在實際的工藝工程中，時常會發(fā)生一些原因不明的以曝光面積為單位的低良率或者是電性參數(shù)不良等情況，因在制備中需要進行很多道光刻工序，故單單從低良率或是電性的參數(shù)上面來看，卻難以確定是哪一道特定的光刻工序造成的低良率問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種判斷哪一道光刻工藝工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法，其能通過簡單的步驟判斷出具體的造成低良率的光刻工序。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的判斷哪個光刻工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法，包括如下步驟 1)取試驗硅片，選取任一個低良率的曝光面積為對象，進行其中一個具體光刻工序的試驗，在進行光刻曝光之前，使原曝光面積向任意方向偏移整數(shù)個芯片的位置形成新的曝光面積； 2)在相同條件下對所述新的曝光面積進行曝光顯影，之后進行良率測定； 3)比較新的曝光面積的良率損失和原曝光面積的良率損失是否一致，如兩個良率
損失一致，則可以判定為是由該特定光刻工序造成的低良率問題；如果新曝光面積的良率
損失與原曝光面積的良率損失的不一致則說明，良率損失與該層光刻工序無關(guān)聯(lián)。 本發(fā)明的方法能夠使導致低良率的工程，清晰明了的通過偏移曝光面積的位置的
光刻試驗，將具體造成低良率的光刻工序定義出來，對此類問題的決絕是十分具有針對性
的。且操作簡單無須附加條件，成本低。
具體實施例方式
本發(fā)明的判斷哪個光刻工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法，用于半導體制備中出現(xiàn)以曝光面積為單位的低良率的情況下，可包括如下步驟 1)選取任一個位置的低良率的曝光面積為對象，取硅片作試驗片進行光刻工藝，在所懷疑的光刻工序上光刻曝光之前，人為的修改光刻機的曝光布局(即曝光面積的位置)，使原曝光面積向任意方向偏移整數(shù)個芯片的位置形成新的曝光面積向些特定的位置上，產(chǎn)生光刻布局移動。進行其中一個具體光刻工序的光刻試驗(該具體光刻工序的選取可根據(jù)經(jīng)驗來排除，也可全部光刻工序均作試驗)；
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2)在相同條件下對所述新的曝光面積進行曝光顯影，之后進行良率測定； 3)比較新的曝光面積的良率損失和原曝光面積的良率損失是否一致，如兩個良率
損失一致，則可以判定為是由該特定光刻工序造成的低良率問題；如果新曝光面積的良率
損失與原曝光面積的良率損失的不一致則說明，良率損失與該層光刻工序無關(guān)聯(lián)。 上述所取的硅片并無特殊的要求。而在實際操作中，光刻布局移動(即曝光面積
的偏移)，一般只需在光刻文件制作中人為的加入即可，操作簡單。在特定位置的選擇上一
般有一些原則一般不選擇在預對準的地方；一般不選擇后續(xù)該工序量測的地方。當曝光
完成之后，移動光刻布局的地方只需顯微鏡檢查一下是否有明顯位錯即可，在以后工序不
必特別觀測，直到硅片檢測量率和電性參數(shù)，最后觀測良率的硅片圖形與偏移的工序是否
存在相關(guān)性，即可顯而易見的得出結(jié)論如低良率的情況繼續(xù)出現(xiàn)在偏移后的曝光面積上，
則可判定該光刻工序與低良率的出現(xiàn)無關(guān)，反之相反。 本發(fā)明的方法可以在一片硅片上多次進行試驗。且在正常工序上不會影響良率偏移的方向上可以使多向性的，可以更具實際情況變化。該方法在應用上一般左右的偏移用于與線寬有關(guān)的實驗中，而上下或者是斜方向的偏移用于工序與工序之間對準有關(guān)的實驗。該方法的應用可以使用在光刻技術(shù)的所以機型不僅僅限于ASML， CAN0N， NIDEK等常用機型，只要是一般的曝光機皆可。該方法的同樣可以應用所有光刻技術(shù)的所有尺寸的硅片上面，不僅限于6寸、8寸、12寸甚至是以后更大的硅片上面。該方法能應用在任何工藝的產(chǎn)品上面不受產(chǎn)品本身工藝要求的限制，能夠應用在180nm 130nm甚至是以后更精細的線寬的產(chǎn)品上面。該方法同樣不受產(chǎn)品本身工藝平臺要求的限制，能夠應用在邏輯產(chǎn)品，記憶體產(chǎn)品甚至是以后更先進的產(chǎn)品上面。該方法不會影響到硅片的整體流程，同時可以夾雜任何試驗，而不會影響到該方法的應用和結(jié)果的考察。同時該方法可以使用于各種重復單元的工藝制造，不僅僅局限有光刻工藝。在以后新研發(fā)的工藝中只要存在重復單元工藝即可。
權(quán)利要求
一種判斷哪個光刻工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法，其特征在于，包括如下步驟1)取試驗硅片，選取任一個低良率的曝光面積為對象，進行其中一個具體光刻工序的試驗，在進行光刻曝光之前，使原曝光面積向任意方向偏移整數(shù)個芯片的位置形成新的曝光面積；2)在相同條件下對所述新的曝光面積進行曝光顯影，之后進行良率測定；3)比較新的曝光面積的良率損失和原曝光面積的良率損失是否一致，如兩個良率損失一致，則可以判定為是由該特定光刻工序造成的低良率問題；如果新曝光面積的良率損失與原曝光面積的良率損失的不一致則說明，良率損失與該層光刻工序無關(guān)聯(lián)。
2. 按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述步驟一中曝光面積偏移的方法為使 原曝光面積向其位置的上方、下方、左側(cè)、右側(cè)、斜上方或斜下方偏移整數(shù)個芯片的位置形 成新的曝光面積。
3. 按照權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述方法在所有尺寸的硅片均可使用。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種判斷哪個光刻工序造成以曝光面積為單位的低良率的方法，包括1)取試驗硅片，選取任一個低良率的曝光面積為對象，進行其中一個具體光刻工序的試驗，在進行光刻曝光之前，使原曝光面積向任意方向偏移整數(shù)個芯片的位置形成新的曝光面積，形成與原曝光面積的一個布局差；2)在相同條件下對所述新的曝光面積進行曝光顯影，之后并進行良率測定；3)比較新曝光面積的良率和原曝光面積的良率損失的一致性，如兩個良率的損失是一致的，則判定為由該特定光刻工序造成的低良率。
文檔編號H01L21/027GK101750900SQ20081004410
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者洪雪輝, 董英毅, 邵紅光 申請人:上海華虹Nec電子有限公司