專利名稱：高性能有機電致發(fā)光材料及在有機電致發(fā)光器件中的應用的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光技術領域，具體涉及一類以三苯胺為核、稠/雜環(huán)芳 香基團外圍取代的有機電致發(fā)光材料，及其該類材料在制備高效率、高穩(wěn)定性的 有機電致發(fā)光器件方面的應用。
背景技術：
有機電致發(fā)光現象的發(fā)現已有40余年的歷史。1965年Gumee等首次發(fā)表了 關于有機電致發(fā)光器件的專利(U.S. Pat. No. 3,172,862, 3,173,050)。 1973年 Dresner也發(fā)表了有機電致發(fā)光器件的專利(U.S. Pat. No. 3,170,167)。在這些發(fā) 明中多芳環(huán)有機化合物如蒽、并四苯、并五苯等被用于有機電致發(fā)光材料。早期 的器件結構主要為單層結構，有機發(fā)光層的厚度大于1 mm,器件的開啟電壓在 200 V以上。由于有機電致發(fā)光器件的開啟電壓太高(>200V)，限制了其進一步 研究應用。
直到1987年，美國的Kodak公司Tang等首先發(fā)明了超薄多層器件結構，使 得器件的開啟電壓大大降低(U.S. Pat. No. 4,356,429)。其器件的基本特征為 以導電玻璃為襯底，先蒸鍍上一層空穴注入層(100nm)，同時也是傳輸層，然后 旋涂上一層有機電子傳輸層，同時也是電子發(fā)光層，最后蒸鍍上一層金屬作為負 極，該器件開啟電壓為20 V，亮度為5 cd/m2。之后Kodak公司VanSlyke等采用 芳香多胺為空穴傳輸層制備器件，使器件性能大大提高，亮度可達340cd/m2。這 些研究工作發(fā)表后，立刻引起了人們對有機電致發(fā)光材料和器件研究的重視，并 引領有機電致發(fā)光材料的研究進入了一個嶄新的時代。
有機電致發(fā)光器件(OLED)具有材料選擇范圍廣、能耗低、超薄、全固化、 響應速度快、主動發(fā)光、可大面積柔性顯示、以及加工成本低等諸多優(yōu)點，有望 成為繼陰極射線顯示技術(CRT)和液晶顯示技術(LCD)后最具競爭力的第三 代平板顯示技術。此外，隨著世界能源日趨緊缺，有機電致發(fā)光技術在發(fā)展白光 照明方面也有著重大的應用前景。因此，許多大公司競相投入，力爭率先發(fā)展， 盡早取得自主知識產權，占領巿場。如美國的杜邦顯示公司、柯達公司、摩托 羅拉、英國的CDT公司、荷蘭菲利普、德國的西門子公司、日本的先鋒、NEC、 東芝、索尼、中國臺灣的錸寶公司、韓國的三星公司，以及國內的北京維信諾、 京東方、上海歐德、深圳先科等。
然而，有機電致發(fā)光器件進一步發(fā)展以及大規(guī)模商業(yè)化的基礎和關鍵是有機發(fā)光材料，特別是高性能(高效率、高穩(wěn)定性等)、低成本的三基色有機發(fā)光材
料。作為全彩色OLED顯示，不僅需要發(fā)光材料有高的電致發(fā)光(紅、綠、藍) 效率、好的色純度，還需要電致發(fā)光器件具有高的穩(wěn)定性(長壽命)。目前，國際 上最好的紅色熒光(0.67， 0.23)材料的效率為11 cd/A，壽命超過100,000h;最 好的綠色熒光(0.29， 0.64)材料的效率為21 cd/A，壽命超過100,000h;最好 的藍色熒光(0.14， 0.16)材料的效率為7 cd/A，壽命僅僅12,000h(S/D Symp. D/g. Tec/ .， 2006, 7: 37-40.)。由此可見，綠色發(fā)光材料基本上已經滿足了商業(yè)化 的要求。但是，由于紅色發(fā)光和藍色發(fā)光材料分別具有較窄和較寬的電子能隙， 導致其發(fā)光層在器件結構中能級不匹配、載流子傳輸不平衡，從而影響了它們的 發(fā)光效率和穩(wěn)定性的提高。因此，迄今為止，具備商業(yè)化前景的高性能紅色和藍 色發(fā)光材料仍然缺乏，尤其是藍光材料，其發(fā)光效率和穩(wěn)定性距離實用化程度還 有很大差距。
目前，有機小分子藍光材料的研究主要集中在以下幾類體系芳基取代蒽類、 二苯乙烯基芳基類、芴類、茈類，以及芳胺類、有機硅類和有機硼類等體系。
多環(huán)芳香化合物由于大的7l共軛程度和一定的分子平面剛性，通常具有較高的發(fā)光
效率，如蔥是最早研究的藍色電致發(fā)光材料，其具有深藍色發(fā)光。但是由于多環(huán) 芳香化合物平面剛性結構，使得其存在諸多問題。比如，薄膜容易結晶、穩(wěn)定性差；平面分子間強的7I-7t相互作用導致的熒光猝滅，固態(tài)發(fā)光效率低等問題。為了 解決以上問題，人們普遍采用的方法是進行大的側基取代，把發(fā)光中心包圍保護
起來，形成外柔內剛的結構特征；利用外圍取代基團的空間位阻，抑制發(fā)光中心
的分子間聚集，從而降低固體的熒光猝滅。
與之相反，我們采用的是內柔外剛的設計思想。即釆用柔性的三苯胺基團為 中心，稠(雜)環(huán)芳香化合物以大的二面角(芳香化合物平面與三苯胺苯環(huán)平面)
的二面角近似等于90。)沿分子短軸方向外圍取代包圍三苯胺中心核，這種剛性聯
接使分子形成三維立體結構，更類似于金屬配合物中金屬原子與配體所形成的三 維立體分子構型。這種三維立體結構同樣可以達到阻止平面剛性的芳香分子間聚 集的目的，降低熒光猝滅效率。而且，這種三維立體結構具有更高的熱穩(wěn)定性(相 對于通常釆用外圍基團取代方法構筑的外柔內剛結構，具有更高的玻璃化轉變溫
度Tg)。更重要的是設計的所有分子都具有空間局域分離的最高占有軌道 (HOMO)、最低空軌道(LUMO)電子云分布特征，這種HOMO、 LUMO分離
特征不但賦予有機發(fā)光分子高的電致發(fā)光器件效率，更重要的是可以提高器件的 穩(wěn)定性能(主要依賴于發(fā)光材料的電化學穩(wěn)定性)。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一類高性能有機電致發(fā)光材料，以及該類材料在制備高 效率、高穩(wěn)定性的有機電致發(fā)光器件方面的應用。 1、高性能有機電致發(fā)光材料的設計合成
本發(fā)明所提供的以三苯胺為核，稠/雜環(huán)芳香基團外圍取代的一類具有分子內 電子和空穴捕獲位點分離特征的有機發(fā)光分子結構通式如下
<formula>formula see original document page 8</formula>
本發(fā)明中有機發(fā)光分子的內核為三苯胺基團，外圍基團R可以為取代或未取 代的稠/雜環(huán)芳香基團，稠/雜環(huán)芳香基團C原子數目為6 50個。分別組成三苯胺 基團與稠/雜環(huán)芳香基團之間數目比例為1:1、 1:2和1:3的單臂TPA-(R》、雙臂 TPA-(R)2和三臂TPA-(R)3化合物，分別對應于線型、角型和星型分子結構；
外圍基團R優(yōu)選為取代或未取代的苯、萘、蒽、四并苯、五并苯、菲、芘、 茈、屈、苊烯、苯并菲、苯并芘、喹啉、異喹啉、喹唑啉、萘并噻二唑、鄰二氮 菲、吖啶、菲啶、苯并菲啶、吩噻嗪、吡啶并喹啉等，以三苯胺為核形成線型、 角型和星型分子結構；
外圍基團R進一步優(yōu)選為取代或未取代的萘、蒽、菲、芘、萘并噻二唑、鄰 二氮菲、喹啉、吖啶和吡啶并喹啉等，以三苯胺為核形成線型、角型和星型分子 結構；
經更進一步優(yōu)選，外圍基團R為取代或未取代的萘、蒽、菲、芘、萘并噻二 唑、鄰二氮菲、喹啉、吖啶和吡啶并喹啉的三臂星型化合物TPA-(R)3; R的結構 式如下所示
TPA-(R)，
TPA鍾(R)2
TPA-(R)3<formula>formula see original document page 9</formula>
設計分子結構的外圍稠/雜環(huán)芳香基團R上的取代基團丫廣丫3可以相同也可以
不相同，可以為氫原子、鹵素原子、羥基、氨基、氰基、酯基、羧基、鹵代垸基、 烷基、烷氧基、硅烷基、芳基、芳垸基、芳氧基、芳硫基、芳胺基和芳族雜環(huán)基
等；
優(yōu)選的取代基團Y廣丫3可以相同也可以不相同，可以為氫原子、鹵素原子(F、 Cl、 Br、 1)、氨基、氰基、三氟甲基、垸基(1~10碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)鏈)、 垸氧基(1~10碳原子直鏈、支鏈或環(huán)鏈)、苯基、聯苯基、間位三聯苯、三苯基 苯、芴基、萘基、菲基、蒽基、二苯胺基和雜環(huán)芳基(吡啶、噻吩、呋喃、喹啉、 吲哚、吡嗪、吡唑和惡唑)等。
進一步優(yōu)選的取代基團Y廣丫3可以相同也可以不相同，可以為氫原子、氟原 子、氨基、氰基、三氟甲基、烷基(1~6碳原子，直鏈、支鏈或環(huán)鏈)、垸氧基(1~6 碳原子，直鏈、支鏈或環(huán)鏈)、苯基、聯苯基、間位三聯苯、三苯基苯、芴基、萘 基、二苯胺基和雜環(huán)芳基(咔唑、噻吩、呋喃、喹啉、吲哚、吡嗪、吡唑和惡唑) 等。更進一步優(yōu)選的取代基團Y廣丫3可以相同也可以不相同，可以為氫原子、氟 原子、氨基、氰基、三氟甲基、甲基、乙基、己基、叔丁基、甲氧基、苯基、間 位三聯苯、三苯基苯、芴基、萘基、二苯胺基、噻吩、喹啉、吡嗪、吡唑和惡唑 等。
為了清楚敘述本發(fā)明的內容，下面具體敘述本發(fā)明涉及的化合物類型中進一 步優(yōu)選的結構，其中R^9分別為外圍稠/雜環(huán)芳香基團萘、蒽、菲、芘、萘并噻
二唑、鄰二氮菲、喹啉、吖啶、吡啶并喹啉，R2'為10-苯基蒽，R2"為10- (3， 5-
二苯基)苯基蒽。
三(4- (1-萘基)苯基)胺 三(4- (9-蒽基)苯基)胺
TPA-(R士 TPA-(R2)3
三(4- (9-菲基)苯基)胺 三(4- (l-芘基)苯基)胺
TPA-(R3)3 TPA-(R4)3
10三(4- (4-萘并[2，3-c][l，2, 5] 噻二唑基)苯基)胺
TPA畫(Rsh
三(4- (5-鄰二氮菲基)苯基)胺
TPA-(R6)3
三(4- (5-喹啉基)苯基)胺
TPA-(R7)3
三(4- (9-吖啶基)苯基)胺
TPA-(R8)3
ii三(4- (5-[3，2-g]吡啶并喹啉基)苯基)胺三(4- (10-苯基-9-蒽基)苯基)胺
TPA-(R9)3 TPA-(R2')3
三(4- (10- (3， 5-二苯基)苯基-9-蒽基)苯基)胺
TPA-(R2")3
本發(fā)明化合物的主要設計思想是優(yōu)選利用分子內核三苯胺的苯環(huán)與外圍取 代的稠/雜環(huán)芳香基團上鄰位氫之間強烈的排斥相互作用，來構筑三苯胺基團和外 圍稠/雜環(huán)芳香基團之間大的扭曲角度，達到打斷分子內核與外圍取代基團之間的 電子共軛效應，保持各自電子結構性質相對獨立，形成空間局域分離的最高占有
軌道(HOMO)、最低空軌道(LUMO)電子云特征。具體說，HOMO局域于三苯胺基團上，LUMO局域于外圍的稠/雜環(huán)芳香基團上(見附圖1)。相應地，這種
HOMO、 LUMO局域分離的電子云特征意味著空穴和電子注入、傳輸和捕獲位點 的分離，以及氧化、還原電化學位點的分離。
因本發(fā)明所設計的化合物中空穴和電子注入、傳輸和捕獲位點的分離，易于 通過空穴和電子捕獲基團比例調節(jié)，促進載流子注入、傳輸和捕獲的平衡，提高
空穴和電子的復合效率，使得該類材料具有高的電致發(fā)光效率；同時，利用空間
局域分離的HOMO、 LUMO電子云分布特征，實現了氧化和還原部位的分離，易 于單獨調控氧化態(tài)(陽離子)和還原態(tài)(陰離子)的穩(wěn)定性(電化學穩(wěn)定性)，提 高材料帶電狀態(tài)的穩(wěn)定性(主要依賴于三苯胺陽離子的穩(wěn)定性)，進而達到提高器 件穩(wěn)定性的目的。另一方面，通過調控分子內剛性和柔性基團的比例，提高材料 的熱穩(wěn)定性(提高玻璃化轉變溫度)，以及改善成膜穩(wěn)定性能。從而，發(fā)展一類具 有高效率、載流子平衡遷移和高穩(wěn)定性的綜合性能優(yōu)異的新型有機電致發(fā)光材料 體系。
綜上所述，該類材料的高效率和高穩(wěn)定性特點，可廣泛用于制備高效率、高 穩(wěn)定性的有機電致發(fā)光器件。
本發(fā)明所涉及的以三苯胺為核、取代或未取代的稠/雜環(huán)芳香基團外圍取代的 化合物，可以通過優(yōu)選的Suzuki偶聯反應方法合成，具體優(yōu)選采用稠(雜)環(huán)芳 基硼酯(或硼酸)與溴代苯胺反應制得，具體合成反應步驟見具體實施方式
部分。
2、有機發(fā)光材料在制備電致發(fā)光器件中的應用
本發(fā)明的化合物可以用作電致發(fā)光材料制備電致發(fā)光器件，尤其是可以用于 電致發(fā)光器件的活性層。所謂活性層就是在一定驅動電壓下可以發(fā)光或具有電荷 注入、傳輸性能的有機薄膜層?；钚詫涌梢詾榭昭▊鬏攲?、有機發(fā)光層、電子傳 輸層。電致發(fā)光器件帶有一個或多個活性層，在這些活性層中至少包含一種或多 種本發(fā)明所述的化合物。本發(fā)明的化合物作為電致發(fā)光材料，可以優(yōu)選單獨作為 發(fā)光層，或者作為摻雜染料，混合在其他母體材料中用作發(fā)光層。
有機電致發(fā)光器件的基本結構如圖8所示基片/陽極/空穴注入層/空穴 傳輸層/有機發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。
基片為有機和無機透明材料，這里優(yōu)選用玻璃。
陽極材料一般可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化錫鋅和氧化鋅等金屬氧化物， 或者為金、銀、銅等具有高功函的金屬，我們優(yōu)選ITO作為陽極。
空穴注入層可以為旋涂而成的PEDOT:PSS層，或者蒸鍍酞箐銅(CuPc)、 m-MTDATA、 2-TNATA等其他空穴注入材料，厚度為10~80 nm;空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層中至少有一種是本發(fā)明所述的化合物。 空穴傳輸層一般為三苯胺類材料，本發(fā)明中空穴傳輸層優(yōu)選為NPB，厚度為
30~60 nm。
電子傳輸層可以是唑類化合物、金屬螯合物、喹啉衍生物、喔啉衍生物、二 氮蒽衍生物、二氮菲衍生物、含硅的雜環(huán)化合物等，厚度為10 200nm。在進一 步的優(yōu)選的實施方式中，蒸鍍的電子傳輸層可以是唑類化合物、金屬螯合物、喹 啉衍生物、二氮菲衍生物等，厚度為10 100nm。在更進一步的優(yōu)選的實施方式 中，電子傳輸層可以是唑類化合物、金屬螯合物、二氮菲衍生物等(如BCP、 PBD、 TAZ、 Alq3、 TPBi等)，厚度為10 ~ 80 nm。本發(fā)明中電子注入和傳輸層優(yōu)選為 TPBI。
發(fā)光層為本發(fā)明所述的有機藍色發(fā)光化合物，厚度一般為10~60nm。 陰極材料一般釆用鋰、鎂、鋁、鋇、鈣等低功函的金屬，或者為它們與銅、 銀和金的合金，也可以是LiF、 KF、 CsF、 BaF2、 Li2C03、 Cs2C03、 CaC03、 BaC03 與上述金屬組成的復合電極，電極厚度為10~2000 nm。在進一步優(yōu)選的實施方式 中，陰極材料依次選擇為LiF層和鋁層的雙層結構，厚度分別為0.1~5 nm和 5CM80 nm。
本發(fā)明的對象可用于制備帶有一個或多個活性層的電致發(fā)光器件，而且這些 活性層中至少含有一種或多種本發(fā)明的化合物。優(yōu)選的發(fā)光器件結構包括依次復 合的ITO層、PEDOT:PSS層、NPB層、本發(fā)明的發(fā)光材料層、TPBI層、LiF層、
鋁層o


圖1:理論計算的TPA-(R03、 TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3、 TPA-(R10)3的前線軌 道電子云分布圖2: (a) TPA-(R!)3、 (b)TPA-(R2)3、 (c)TPA-(R3)3的氫核磁譜圖，橫坐標是 化學位移(ppm);
圖3: TPA國(Fl03、 TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3的DSC禾口熱失重(TGA)曲線； 圖4: TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3的電化學工作曲線；
圖5: (a) TPA-(F^)3、 (b)TPA-(R2)3、 (c)TPA-(R3)3的溶液吸收(UV)和發(fā)射 (PL)光譜圖6: TPA-(R"3、 TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3的電致發(fā)光光譜； 圖7:電致發(fā)光器件電流密度-電壓曲線，TPA-(R+、 TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3 為發(fā)光層，器件結構為ITO /PEDOT:PSS /NPB (40 nm) /發(fā)光層(30 nm) /TPBI(40 nm) /LiF (0.5 nm) /Al (150 nm);
圖8:本發(fā)明所述的化合物應用于發(fā)光器件的結構示意圖。
如圖1所示，由于三苯胺基團與外圍稠環(huán)芳香基團之間大的扭曲角度，打斷
了它們之間的電子的離域，形成空間局域分離的HOMO-LUMO電子云特征。具體 說，HOMO局域于三苯胺基上，LUMO局域于外圍的蒽、萘、菲芳香基團上。
如圖2所示，(a)為TPA-(R03的氫核磁譜圖；(b)為TPA-(R2)3的氫核磁譜 圖；(C)為TPA-(R3)3的氫核磁譜圖。以上數據表明我們得到了需要的目標化合物， 并且其純度滿足OLED器件制備要求。
如圖3所示，在氮氣保護下，加熱速率10。C min—卩條件下測得TPA-(R^3、 TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3的玻璃化溫度(Tg)分別為11CTC、 180°C、 16CTC。因此， 薄膜具有高的熱穩(wěn)定性。
如圖4所示，TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3分別有一對可逆的氧化峰，氧化電位與三 苯胺(TPA)的氧化電位基本一致。在還原區(qū)域，TPA-(R2)3、 TPA-(Rs)3分別有一 對可逆的還原峰，還原電位與蒽(R2)、菲(R3)的還原電位基本一致。由此計算 的HOMO能級與三苯胺的HOMO能級近似；LUMO能級分別對應于蒽、萘和菲 的LUMO能級。以上電化學測定結果證實了該類分子體系HOMO-LUMO分別由 不同基團提供，具有HOMO-LUMO空間局域分離的電子云特征。
如圖5所示，(a)、 (b)、 (c)分別為TPA-(F^)3、 TPA-(R2)3、 TPA-(Rs)3在氣 仿溶劑中測定的溶液吸收(UV)和發(fā)射(PL)光譜圖，濃度均為1.0x1(T5摩爾/ 升。UV吸收峰位分別為340 nm; 388 nm和345.5 nm; PL發(fā)射峰位分別為.-426 nm; 464 nm和425nm。說明這三種發(fā)光材料都是藍色發(fā)光。
如圖6所示，在器件結構ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/發(fā)光層(30nm)/TPBI (40 nm)/UF (0.5 nm)/AI (150 nm)下測得的TPA-(R出、TPA-(R2)3、 TPA-(R3)3電 致發(fā)光光譜圖，EL發(fā)射峰位分別為432 nm、 468 nm和428nm，與薄膜的PL 譜基本保持一致。
如圖7所示，根據不同發(fā)光層的有機電致發(fā)光器件的電流密度對電壓依賴特 性可知，此曲線是典型的半導體二極管電流-電壓特征曲線，且開啟電壓低(小于 等于4伏)。
如圖8所示，本發(fā)明所采用的器件結構為多層有機電致發(fā)光器件結構。
具體實施例方式
實施例1: TPA-(R山的合成
化合物1: 9- (4,4,5，5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷)-萘的合成量取1.4毫升(2.09克)單溴代萘，溶于約50毫升精制四氫呋喃(THF)中， 置于低溫反應儀中至-78"C，慢慢注射4.1毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)，
一小時后注射5.0毫升硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得淺土紅色混濁液。 水洗，然后乙醚萃取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑， 濾液旋干再用石油醚二氯甲垸(4: 1)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。
產率52%。
化合物2:三(4-溴苯基)胺的合成
稱取8.0克三苯胺，加入約60毫升氯仿溶解，避光冰水浴攪拌下慢慢滴加5.2 毫升液溴(Br2)后攪拌一小時，再室溫攪拌一小時。得灰綠色混濁液，加入100 毫升乙醇和水(1:1)混合液，用氯仿萃取3-4次，合并有機相并干燥過夜。過濾 干燥劑，濾液減壓旋干，再用乙醇進行重結晶提純的純白色晶體。產率86%。
TPA-(R^3:三(4- (1-萘基)苯基)胺的合成
稱取216.9毫克三(4-溴苯基)胺和457.2毫克萘硼化產物于圓底燒瓶，再加 入4.5毫升精制甲苯和3.0毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入52 毫克三苯基膦鈀Pd(PPh3)4催化劑，氮氣保護下油浴控溫9(TC避光反應2天。得 黒褐色混液。水洗，用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過 濾干燥劑，旋干濾液，用石油醚:二氯甲垸(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目 標產物TPA-(R03。產率43%。元素分析按化學式C48H33N計算C,92,42%; H， 5.33%; N, 2.25%;實驗值C, 92.24%; H， 5.98%; N, 2.14%。
2
實施例2: TPA-(R2)3的合成
化合物3: 9- (4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼垸)-蒽的合成 稱取2.57克單溴代蒽，溶于約120毫升精制四氫呋喃(THF)中，置于低溫反應儀中至-78'C，慢慢注射4.1毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)， 一小時 后注射5.0毫升硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得到暗橙紅色混濁液。水洗， 然后乙醚萃取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂(MgS04)干燥過夜。過濾干燥 劑，濾液旋干再用石油醚:二氯甲烷(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。
產率63%。
TPA-(R2)3:三(4- (9-蒽基)苯基)胺的合成
稱取216.9毫克三(4-溴苯基)胺和547.2毫克蒽硼化產物于圓底燒瓶，再加 入4.5毫升精制甲苯和3.0毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入52 毫克三苯基膦鈀Pd(PPh3)4催化劑，氮氣保護下油浴控溫9(TC避光反應2天。得 墨綠色混液。水洗，用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過 濾干燥劑，旋干濾液，用石油醚:二氯甲烷(5:1)為洗脫劑走柱子，分離出純的目 標產物TPA-(R2)3。產率40。/。。質譜分子離子峰773.5。元素分析按化學式C60H39N 計算C, 93.11%; H， 5.08%; N, 1.81%;實驗值.-C, 92,73%; H， 5.22%; N, 1.70%。
八
2
實施例3: TPA-(R3)3的合成
化合物4: 9- (4，4，5，5-四甲基-1，3,2-二氧雜硼垸)-菲的合成 稱取2.0克單溴代菲，溶于約100毫升精制四氫呋喃(THF)中，置于低溫 反應儀中至-78'C，慢慢注射3.2毫升正丁基鋰(2.5摩爾/升)， 一小時后注射5.0
毫升硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得淺綠色混濁液。水洗，然后乙醚萃取 3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾液旋干再用石油醚: 二氯甲烷(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產率26%。
TPA-(R3)3:三(4- (9-菲基)苯基)胺的合成
稱取216.9毫克三(4-溴苯基)胺和547.2毫克菲硼化產物于圓底燒瓶，再加
17入4.5毫升精制甲苯和3.0毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入52 毫克三苯基膦鈀催化劑，氮氣保護下油浴控溫9(TC避光反應2天。得灰綠色混液。 水洗，用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，旋 干濾液，用石油醚:二氯甲烷(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物 TPA-(R3)3。產率40%。質譜分子離子峰773.6。元素分析按化學式C60H39N 計算C, 93.13%; H, 5.08%; N' 1.81%;實驗值C, 93.24%; H， 4.98%; N， 2,14%。
實施例4: TPA-(R4)3的合成
TPA-(FU)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴代芘，經過硼化， 得芘的氧硼烷，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應，產物為三(4- (1-芘基)苯基)胺，產率44%。質譜顯示分子離子峰852。元素分析，按分子式 Ce6H45N計算，C: 93.03%, H: 5.32%, N: 1.64%;實驗值C: 93.41%， H: 5.21%, N: 1.24%。
18實施例5: TPA-(Rs)3的合成
TPA-(R5)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴代萘并噻二唑，經 過硼化，得萘并噻二唑的氧硼烷，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應， 產物為三(4- (4-萘并[2,3-c][1，2,5]噻二唑基)苯基)胺。產率54%。質譜顯示 分子離子峰798.0。元素分析，按分子式C48H27N7S3算，C: 72.25%， H: 3.41%, N: 12.29%， S: 12.05%;實驗值C: 72.60%， H: 3.68%， N: 12.46%， S:
11.82%。
實施例6: TPA-(Reh的合成
TPA-(Re)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴代鄰二氮菲，經過 硼化，得鄰二氮菲的氧硼垸，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應，產物 為三(4- (5-鄰二氮菲基)苯基)胺。產率64%。質譜顯示分子離子峰779.9。
元素分析，按分子式C54hb3N7計算，C: 83.16%， H: 4.26%' N: 12.57%;實
驗值C: 83.46%, H: 4.81%， N: 12.87%。
19實施例7: TPA-(R力3的合成
TPA-(R7)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴喹啉，經過硼化， 得喹啉的氧硼烷，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應，產物為三(4-(5-喹啉基)苯基)胺。產率45%。質譜顯示分子離子峰626.8。元素分析，按 分子式C45H3oN4計算，C: 86.24%， H: 4.82%， N: 8.94%;實驗值C: 86,65%， H: 4.90%， N: 8.61%。
2
實施例8: TPA-(Rs)3的合成
TPA-(R8)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴代吖啶，經過硼化， 得吖啶的氧硼烷，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應，產物為三(4-(9-吖啶基)苯基)胺。產率54%。質譜顯示分子離子峰776.9。元素分析，按
分子式C57H3sN4計算，C: 88.12%， H: 4.67%， N: 7.21%;實驗值C: 88.54%，
H: 4.90%， N: 7.02%。
20實施例9: TPA-(Rg)3的合成
TPA-(R9)3的合成方法與實施例1、 2、 3類似，原料為單溴代吡啶并喹啉，經 過硼化，得二氮雜蒽的氧硼垸，再與三(4-溴苯基)胺發(fā)生Suzuki偶聯反應，產 物為三(4- (5-[3，2-g]吡啶并喹啉基)苯基)胺。產率64%。質譜顯示分子離子 峰779,9。元素分析，按分子式C54H3sN7計算，C: 83.16%, H: 4.26%， N: 12.57%;實驗值C: 83,28%, H: 4.49°/。， N: 12.91%。
實施例10: TPA-(R。3的合成
化合物5: 9-溴-10-苯基-蒽的合成
稱取4.03克9,10-二溴基-蒽和1.90克苯硼酸于圓底燒瓶，再加入約60毫升 精制甲苯和約30毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入280毫克三苯 基膦鈀催化劑，氮氣保護下油浴控溫90'C避光反應2天。得淺黃色混液。水洗， 用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，旋干濾液， 用環(huán)己烷為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產率53%。
化合物6: 9- (4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷)-10-苯基-蒽的合成 稱取900毫克9-溴-10-苯基-蒽，溶于約100毫升精制四氫呋喃(THF)中， 置于低溫反應儀中至-78'C，慢慢注射1.2毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)， 一小時后注射1.5毫升硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得橘紅色混濁液。水 洗，然后乙醚萃取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾 液旋干再用石油醚:二氯甲垸(10:3)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產
率50%。TPA-(R2')3:三(4- (10-苯基-9-蒽基)苯基)胺的合成
稱取144.6毫克三(4-溴苯基)胺和456.0毫克化合物6于圓底燒瓶，再加 入3.0毫升精制甲苯和2.0毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入35 毫克三苯基膦鈀催化劑，氮氣保護下油浴控溫9(TC避光反應2天。得淺黃色粘稠 混液。水洗，用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥 劑，旋干濾液，用石油醚:二氯甲垸(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物 TPA-(R2')3。產率30%。質譜分子離子峰1002.3。元素分析按化學式C78H51N 計算C, 93.47%; H, 5.13%; N, 1.40%;實驗值C, 93.24%; H, 4.98%; N， 1.64%。
實施例11: TPA-( R2")3的合成
化合物7: 4,4,5,5-四甲基-1 ，3，2-二氧雜硼苯的合成
量取溴苯15毫升，加入150毫升精制四氫呋喃(THF)中，置于低溫反應 儀中攪拌至-78'C，慢慢注射85毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)， 一小時后 注射40克硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得橘紅色混濁液。水洗，然后乙醚 萃取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾液旋干再用正 己烷:三氯甲烷(1:1)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產率84%。
化合物8: 1-溴-(3， 5-二苯基)苯的合成
分別稱取10克1,3， 5-三溴苯和1.75克三苯基膦鈀催化劑置于圓底燒瓶中， 加入150毫升精制四氫呋喃(THF)，再加入16克化合物7和25毫升碳酸鉀水溶 液(2摩爾/升)，氮氣保護下油浴控溫65'C避光反應5小時。水洗，然后乙醚萃 取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾液旋干再用正己 烷:三氯甲烷(1:19)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物(白色固體)。產率 62%。化合物9: 1- (4,4,5，5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼垸)-3， 5-二苯基苯的合成 稱取6克化合物8溶于約150毫升精制四氫呋喃(THF)中，置于低溫反應 儀中至-78'C，慢慢注射25毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)，一小時后注射 6克硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得橘紅色混濁液。水洗，然后乙醚萃取 3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾液旋干，用過量甲醇 沖洗3-4次過濾，正己烷:三氯甲烷(1:1)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物 (白色固體)。產率94%。
化合物10: 9- (3， 5-二苯基苯)-蒽的合成
分別稱取1.5克化合物9， 1.2克9-溴蒽，0.1克醋酸鈀催化劑和0.1克三環(huán) 己基膦置于圓底燒瓶中，加入100毫升精制甲苯，再加入5毫升(20wt%)氫氧 化四乙基銨，氮氣保護下油浴控溫11(TC避光反應2小時。反應完畢，水洗，然后 三氯甲烷萃取3-4次，合并三氯甲垸液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾 液旋干，再溶解于三氯甲烷并加入甲醇，微黃色粉末再用正己烷:三氯甲垸(5:1) 為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產率89%。
化合物11: 9-溴-10- (3， 5-二苯基苯)-蒽的合成
分別稱取1.3克化合物10， 0.65克NBS置于圓底燒瓶中，加入100毫升三
氯甲烷，氮氣保護下油浴控溫6CTC避光反應半小時。反應完畢，濾液旋干，再溶 解于丙酮，再加入甲醇，用過量甲醇沖洗3-4次過濾，分離出純的目標產物。產
率95%。
化合物12: 9國(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷)-10- (3， 5-二苯基)苯基 -蒽的合成
稱取3.65克化合物11，溶于約100毫升精制四氫呋喃(THF)中，置于低溫 反應儀中至-78。C,慢慢注射4.1毫升正丁基鋰(n-BuLi) (2.5摩爾/升)，一小時 后注射5.0毫升硼酯，半小時后取出室溫攪拌2天。得橘紅色混濁液。水洗，然 后乙醚萃取3-4次，合并乙醚液，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥劑，濾液旋干 再用石油醚:二氯甲烷(10:3)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物。產率43%。
TPA-(R2")3:三(4- (10- (3， 5-二苯基)苯基-9-蒽基)苯基)胺的合成 稱取144.6毫克三(4-溴苯基)胺和549.6毫克化合物12于圓底燒瓶，再加入3.0毫升精制甲苯和2.0毫升碳酸鉀溶液(2摩爾/升)溶解原料，最后加入35 毫克三苯基膦鈀催化劑，氮氣保護下油浴控溫9(TC避光反應2天。得淺黃色粘稠 混液。水洗，用氯仿萃取3-4次，合并有機相，無水硫酸鎂干燥過夜。過濾干燥 劑，旋干濾液，用石油醚:二氯甲烷(5:2)為洗脫劑走柱子，分離出純的目標產物 TPA-(R2")3。產率40%。質譜分子離子峰1458.8。元素分析按化學式C114H75N 計算C, 93.86%; H, 5,18%; N, 0.96%;實驗值C, 93.44%; H， 4.98%; N， 1.14%。
實施例12:以TPA-(RA為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
我們用TPA-(R^3作為發(fā)光層制備了具有多層結構的非摻雜電致發(fā)光器件，器 件結構為ITO/PEDOT:PSS(60 nm)/NPB(40 nm)/發(fā)光層TPA-(R^3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/ LiF(0.5 nm)/AI(150 nm),制備電致發(fā)光器件(OLED)的具體
實施步驟為
(1) 將ITO電極玻璃板在KESH-1281A玻璃清洗劑中超聲處理，然后在去 離子水中沖洗，接著用丙酮-乙醇(1:3)混合溶劑進行超聲處理除油， 在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水分，用紫外光清洗機照射10分鐘；
(2) 在上述ITO玻璃板上旋涂PEDOT(PEDOT由德國拜耳公司直接購買) 層作為空穴注入層，旋涂速率為1500轉/min,旋涂膜厚為60nm;(3) 將上述覆蓋有PEDOT層的ITO玻璃置于真空腔內，抽真空至9x1(T3 1x10—5Pa，在上述空穴注入層上面，蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍 速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm;
(4) 在空穴傳輸層上面，繼續(xù)蒸鍍本發(fā)明設計的有機發(fā)光材料TPA-(R^， 蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為30nm;
(5) 在發(fā)光層TPA-(RA上面，繼續(xù)蒸鍍一層TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍 速率為0.1nm/s,蒸鍍膜厚為40nm;
(6) 最后，在電子傳輸層上面，依次蒸鍍LiF和Al層，作為陰極，蒸鍍速 率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為0.5nm和150nm。
該電致發(fā)光器件發(fā)光峰位為432nm， CIE坐標(0.16， 0.06)，是深藍色發(fā)光， 開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達3083cd/m2，流明效率為0.98 cd/A。
實施例13:以TPA-(R2)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R2)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R2)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位468nm， CIE坐標(0.15， 0.18)， 是天藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達24910 cd/m2,流明效率為4.54 cd/A。
實施例14:以TPA-(R3)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R3)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R3)3 (30 nm)ATPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位428nm， CIE坐標(0.16， 0.07)， 是深藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達11970 cd/m2，流明效率為5.28 cd/A，外量子效率為8.7%。
實施例15:以TPA-(FU)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R4)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R4)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位514nm， CIE坐標(0.32， 0.65)，
是綠色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達20500 cd/m2，流明效率為3.52C氛
實施例16:以TPA-(R5)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R5)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R5)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位620nm， CIE坐標(0.66， 0.32)， 是紅色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達6430 cd/m2，流明效率為5.58 cd/A。
實施例17:以TPA-(R6)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R6)3, 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R6)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位449nm， CIE坐標(0.15， 0.09)， 是藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達28910 cd/m2，流明效率為5.36 cd/A。
實施例18:以TPA-(R7)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R7)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R7)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF(0.5nm)/AI(150nm)。器件發(fā)光峰位462nm， CIE坐標(0.15， 0.19)， 是天藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達4860cd/m2，流明效率為1.27 cd/A。
實施例19:以TPA-(Rs)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R8)3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R8)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF (0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位478nm，色坐標(CIE) (0.26,0.35)， 是藍綠色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達35300 cd/m2，流明效率為7.69 cd/A。
實施例20:以TPA-(Rg)3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
26電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R9)3, 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R9)3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF(0.5nm)/AI(150nm)。器件發(fā)光峰位517nm， CIE坐標(0.31， 0.64)， 是綠色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達37800 cd/m2，流明效率為8.46 cd/A。
實施例21:以TPA-(R2')3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R2')3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R2')3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF(0.5 nm)/AI (150 nm)。器件發(fā)光峰位468nm， CIE坐標(0.15， 0.18)， 是天藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達29910 cd/m2，流明效率為7.83 cd/A。
實施例22:以TPA-(R2")3為發(fā)光層的電致發(fā)光器件
電致發(fā)光器件的制備步驟與實施例12相同，僅發(fā)光層材料更換為TPA-(R2")3， 發(fā)光器件結構為ITO/PEDOT:PSS/NPB (40 nm)/ TPA-(R2")3 (30 nm)/TPBI (40 nm)/LiF(0.5nm)/AI(150nm)。器件發(fā)光峰位468nm， CIE坐標(0.15， 0.18)， 是天藍色發(fā)光，開啟電壓為2.8伏，最大亮度可達32150 cd/m2，流明效率為9.54 cd/A。
通過對以上三苯胺為核，稠/雜環(huán)芳香基團外圍取代的一類有機發(fā)光分子的電 致發(fā)光器件性能研究，發(fā)現此類材料單獨用作發(fā)光層(非摻雜器件)，具有較高的 電致發(fā)光性能，特別是TPA-(R3)3具有目前藍色電致發(fā)光材料中最高的外量子效率 (8.7%)。此類材料也可用作摻雜染料摻雜在母體材料中作為有機電致發(fā)光器件的 發(fā)光層。該類發(fā)明的化合物應用于電致發(fā)光器件，具有開啟電壓低、亮度高、發(fā) 光效率高，穩(wěn)定性好等特點，是一類具有商業(yè)化前景的有機電致發(fā)光材料。
2權利要求
1、高性能有機電致發(fā)光材料，其結構式為如下所示的單臂線型TPA-(R)1、雙臂角型TPA-(R)2或三臂星型TPA-(R)3化合物或其中，外圍基團R為取代或未取代的稠/雜環(huán)芳香基團，稠/雜環(huán)芳香基團的C原子數目為6～50個。
2、 如權利要求1所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于外圍基團R為 取代或未取代的苯、萘、蒽、四并苯、五并苯、菲、芘、茈、屈、苊烯、苯 并菲、苯并芘、喹啉、異喹啉、喹唑啉、萘并噻二唑、鄰二氮菲、吖啶、菲 啶、苯并菲啶、吩噻嗪或吡啶并喹啉。
3、 如權利要求2所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于為三臂星型化 合物TPA-(R)s， R的結構式如下所示，<formula>formula see original document page 2</formula>外圍稠/雜環(huán)芳香基團R上的取代基團Y廣丫3相同或不相同，為氫原子、鹵素原子、羥基、氨基、氰基、酯基、羧基、鹵代烷基、垸基、垸氧基、硅 垸基、芳基、芳烷基、芳氧基、芳硫基、芳胺基或芳族雜環(huán)基。
4、 如權利要求3所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于外圍稠/雜環(huán)芳香基團R上的取代基團Y廣丫3相同或不相同，為氫原子、F、 Cl、 Br、 I、氨基、氰基、三氟甲基之一，或1 10個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)鏈烷基之一, 或1~10個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)鏈烷氧基之一，或苯基、聯苯基、間位 三聯苯、三苯基苯、芴基、萘基、菲基、蒽基、二苯胺基、吡啶、噻吩、呋 喃、喹啉、吲哚、吡嗪、吡唑、惡唑之一。
5、 如權利要求4所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于外圍稠/雜環(huán)芳 香基團R上的取代基團Y廣丫3相同或不相同，為1-6個碳原子的直鏈、支鏈 或環(huán)鏈垸基之一，或1 6個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)鏈烷氧基之一。
6、 如權利要求5所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于外圍稠/雜環(huán)芳 香基團R上的取代基團丫廣丫3相同或不相同，為甲基、乙基、己基、叔丁基 或甲氧基。
7、 如權利要求4所述的高性能有機電致發(fā)光材料，其特征在于其結構式如下 所示，<formula>formula see original document page 3</formula><formula>formula see original document page 4</formula>三(4- (5-[3,2-g]吡啶并喹啉基)苯基)胺三(4- (10-苯基-9-蒽基)苯基)胺TPA-(R9)3 、 TPA-(R2')3 或三(4- (10- (3， 5-二苯基)苯基-9-蒽基)苯基)胺TPA-(R2")3 °
8、 權利要求1所述的高性能有機電致發(fā)光材料在制備有機電致發(fā)光器件方面 的應用。
9、 如權利要求8所述的高性能有機電致發(fā)光材料在制備有機電致發(fā)光器件方 面的應用，其特征在于有機電致發(fā)光器件帶有一個或多個活性層，在這 些活性層中至少包含一種或多種高性能有機電致發(fā)光材料。
10、 如權利要求9所述的高性能有機電致發(fā)光材料在制備有機電致發(fā)光器件方面的應用，其特征在于高性能有機電致發(fā)光材料用作發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光技術領域，具體涉及一類以三苯胺為核、稠/雜環(huán)芳香基團外圍取代的有機電致發(fā)光材料，其結構式為如右所示的單臂線型、雙臂角型或三臂星型化合物，其中，外圍基團R為取代或未取代的稠/雜環(huán)芳香基團，稠/雜環(huán)芳香基團的C原子數目為6～50個。本發(fā)明的化合物可以用作電致發(fā)光材料制備電致發(fā)光器件，尤其是可以用于電致發(fā)光器件的活性層。
文檔編號H01L51/50GK101423757SQ20081005156
公開日2009年5月6日 申請日期2008年12月9日 優(yōu)先權日2008年12月9日
發(fā)明者劉丹丹, 詩 唐, 李維軍, 兵 楊, 沈方中, 海 許, 萍 路, 成 顧, 馬於光 申請人:吉林大學