專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有 多層結(jié)構(gòu)的金屬信號(hào)線的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的平面顯示器技術(shù)中，大多以復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管搭配多條信號(hào)線形 成的像素?cái)?shù)組，像素?cái)?shù)組的各像素分別藉由來自信號(hào)線的控制信號(hào)控制本身 的薄膜晶體管，配合控制信號(hào)的工作頻率選擇性的接收數(shù)據(jù)。然而，隨著平面顯示器的尺寸增加，像素?cái)?shù)組中的信號(hào)線的電阻值也隨著增加。且隨著信號(hào)線重迭的區(qū)域增加，信號(hào)RC延遲的情形更為嚴(yán)重，導(dǎo)致 信號(hào)傳遞失真。因此，如何降低信號(hào)線的阻值以減輕信號(hào)失真，便成為決定大尺寸平面 顯示器質(zhì)量良窳的重要關(guān)鍵。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，是以雙層金屬形成信號(hào)線， 降低信號(hào)線的傳輸阻值，提供平面顯示器穩(wěn)定精確的信號(hào)傳輸質(zhì)量。此外， 本發(fā)明所提出的制造方法可以減少掩模工藝，大幅降低生產(chǎn)成本。根據(jù)本發(fā)明，提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線、 一數(shù)據(jù)線、 一主動(dòng)組 件、 一第一保護(hù)層、 一第二保護(hù)層及一像素電極。掃描線具有一第一掃描金 屬層及一第二掃描金屬層。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)排列并形成一交錯(cuò)處，其中 數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)金屬線段及一第二數(shù)據(jù)金屬層。第一數(shù)據(jù)金屬線段設(shè) 置于與交錯(cuò)處距一第一距離之處，第二數(shù)據(jù)金屬層設(shè)置于交錯(cuò)處及第一數(shù)據(jù)金屬線段上。主動(dòng)組件電性耦接數(shù)據(jù)線與掃描線，包括一柵極、 一絕緣層、 —溝道層、 一源極與一漏極。絕緣層部分位于柵極上，溝道層位于柵極上方 的絕緣層上。源極與漏極位于溝道層上，源極耦接數(shù)據(jù)線。第一保護(hù)層及第 二保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件并形成一第一接觸孔以露出部分漏極，第二保護(hù)層是 覆蓋于漏極的部分邊緣。像素電極越過第二保護(hù)層并藉由第一接觸孔與漏極 耦接。根據(jù)本發(fā)明，提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，提 供一基板。接著，形成一圖案化第一金屬層于基板上，包含一柵極、 一第一 掃描金屬層與一第一數(shù)據(jù)金屬線段。然后，形成一圖案化絕緣層于圖案化第 一金屬層上。接著，形成一圖案化半導(dǎo)體層于圖案化絕緣層上。然后，形成 一圖案化第二金屬層，包括一源極、 一漏極、 一第二掃描金屬層與一第二數(shù) 據(jù)金屬層，其中源極與漏極形成于圖案化半導(dǎo)體層上且與柵極構(gòu)成一主動(dòng)組 件。第一數(shù)據(jù)金屬線段及第二數(shù)據(jù)金屬層構(gòu)成一數(shù)據(jù)線且電性連接源極，第 一掃描金屬層與第二掃描金屬層構(gòu)成一掃描線且電性連接?xùn)艠O。接著，形成 一圖案化保護(hù)層，部分覆蓋于漏極的部分邊緣。然后，形成一圖案化透明導(dǎo)電層，圖案化透明導(dǎo)電層包含一像素電極，像素電極越過漏極的部分邊緣的圖案化保護(hù)層且電性連接于漏極。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明。


圖1繪示依照本發(fā)明實(shí)施例一的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖； 圖2A繪示實(shí)施例一的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2B繪示沿圖2A的剖面線AA'的剖面圖； 圖2C繪示沿圖2A的剖面線BB'的剖面圖；圖3A繪示實(shí)施例一的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3B繪示沿圖3A的剖面線AA，的剖面圖；圖3C繪示沿圖3A的剖面線BB'的剖面圖；圖4A繪示實(shí)施例一的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4B繪示沿圖4A的剖面線AA，的剖面圖；圖4C繪示沿圖4A的剖面線BB，的剖面圖；圖5A繪示實(shí)施例一的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5B繪示沿圖5A的剖面線AA'的剖面圖；圖5C繪示沿圖5A的剖面線BB'的剖面圖；圖5D-5I繪示實(shí)施例一的第四道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖；圖6繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖；圖7A繪示實(shí)施例二的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7B繪示沿圖7A的剖面線AA'的剖面圖；圖7C繪示沿圖7A的剖面線BB'的剖面圖；圖8A繪示實(shí)施例二的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8B繪示沿圖8A的剖面線AA'的剖面圖；圖8C繪示沿圖8A的剖面線BB'的剖面圖；圖8D-8G繪示實(shí)施例二的第二道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖；圖9A繪示實(shí)施例二的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9B繪示沿圖9A的剖面線AA'的剖面圖；圖9C繪示沿圖9A的剖面線BB'的剖面圖；圖IOA繪示實(shí)施例二的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖10B繪示沿圖10A的剖面線AA'的剖面圖；圖10C繪示沿圖10A的剖面線BB'的剖面圖；圖10D-10I繪示實(shí)施例二的第四道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖;圖11繪示依照本發(fā)明實(shí)施例三的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖；圖12A繪示實(shí)施例三的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖12B繪示沿圖12A的剖面線AA'的剖面圖； 圖12C繪示沿圖12A的剖面線BB'的剖面圖；圖13A繪示實(shí)施例三的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖13B繪示沿圖13A的剖面線AA'的剖面圖；圖13C繪示沿圖13A的剖面線BB'的剖面圖；圖13D-13G繪示實(shí)施例三的第二道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖；圖14A繪示實(shí)施例三的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖14B繪示沿圖14A的剖面線AA'的剖面圖；圖14C繪示沿圖14A的剖面線BB'的剖面圖；圖15A繪示實(shí)施例三的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖15B繪示沿圖15A的剖面線AA'的剖面圖；圖15C繪示沿圖15A的剖面線BB'的剖面圖；圖16A繪示實(shí)施例三的第五道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖16B繪示沿圖16A的剖面線AA'的剖面圖；圖16C繪示沿圖16A的剖面線BB'的剖面圖；圖17繪示依照本發(fā)明實(shí)施例四的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖；圖18A繪示實(shí)施例四的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖18B繪示沿圖18A的剖面線AA'的剖面圖；圖18C繪示沿圖18A的剖面線BB'的剖面圖；圖19A繪示實(shí)施例四的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖19B繪示沿圖19A的剖面線AA'的剖面圖；圖19C繪示沿圖19A的剖面線BB'的剖面圖；圖20A繪示實(shí)施例四的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖20B繪示沿圖20A的剖面線AA'的剖面圖；圖20C繪示沿圖20A的剖面線BB'的剖面圖；圖21A繪示實(shí)施例四的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖21B繪示沿圖21A的剖面線AA'的剖面圖；圖21C繪示沿圖21A的剖面線BB'的剖面圖；圖22A繪示實(shí)施例四的第五道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖22B繪示沿圖22A的剖面線AA'的剖面圖；圖22C繪示沿圖22A的剖面線BB'的剖面圖；以及圖22D-22I繪示實(shí)施例四的第五道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。附圖標(biāo)號(hào)10、 20、 30、 40:像素結(jié)構(gòu)100:基板101:顯示區(qū)域102、202、302、402:掃描線103、203、303、403:溝道層104、204、304、404:數(shù)據(jù)線105、205、305、405:阻擋層106、206、306、406:儲(chǔ)存電容106a、 206a、 306a、 406a:第一電容金屬層 106b、 206b、 306b、 406b:第二電容金屬層 108、 208、 308、 408:主動(dòng)組件 110、 111:圖案化第一 金屬層 112:柵極114:第一掃描金屬層 116:第一數(shù)據(jù)金屬線段 118:掃描焊墊 119:數(shù)據(jù)焊墊120、 121、 122、 220a、 320a、 420a:圖案化絕緣層130、 131、 132、 230a、 230b、 231b、 330a、 330b、 331b、 430:圖案化半導(dǎo)體層140、 141、 141a、 142、 240a、 2德、241b、 241c、 340a、 341b、 341c、440:圖案化奧姆接觸層150、 151、 157、 159、 250、 251、 257、 259、 350、 351、 351a、 351b、 351c、 357、 359、 450、 451、 451a、 451b、 451c、 457、 459:圖案化第二金屬層153、 253、 353、 453:源極154、 254、 354、 454:第二掃描金屬層354a、 354b、 354c、 454a、 454b、 454c:第二掃描金屬線段155、 255、 355、 455:漏極156、 256、 356、 456:第二數(shù)據(jù)金屬層 160、 260、 460:保護(hù)材料層160a、 161a、 162a、 163a、 260a、 261a、 262a、 263a、 360、 361、 362、 363、 460a、 461a、 462a、 463a:圖案化保護(hù)層 165、 265、 365、 367、 465、 467:接觸孔170、 170a、 170b、 170c、 270、 270a、 270b、 270c、 290、 290a、 290b、 290c、 390、 390a、 390b、 390c、 470、 470a、 470b、 470c:圖案化光刻膠層 180、 280、 480:透明導(dǎo)電層180a、 181a、 187a、 189a、 280a、 281a、 287a、 289a、 380、 381、 387、 389、 480a、 481a、 487a、 489a:圖案化透明導(dǎo)電層 182a、 282a、 382、 482a:像素電極 220、 320、 420:絕緣材料層 230、 330:半導(dǎo)體材料層 240、 340:奧姆接觸材料層具體實(shí)施方式
實(shí)施例一-請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例一的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。并請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A-2C，其分別繪示實(shí)施例一的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu) 的示意圖，以及沿圖2A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A。首先，如步驟11所示，提供基板100。接著，如步驟12 所示，以第一道掩模工藝形成圖案化第一金屬層110于基板100上。圖案化 第一金屬層110包含柵極112、第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116。 其中，第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116包圍顯示區(qū)域101并交 錯(cuò)排列形成交錯(cuò)處12，且第一數(shù)據(jù)金屬線段116是設(shè)置于與交錯(cuò)處12距第一 距離D1之處。此外，如圖2B所示，圖案化第一金屬層110更包括圖案化第 一金屬層111設(shè)置于基板100上。另外，如圖2A、 2C所示，圖案化第一金屬 層110更包括掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119設(shè)置于基板100上，并分別與第 —掃描金屬層114及第一數(shù)據(jù)金屬線段116電性連接。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A-3C，其分別繪示實(shí)施例一的第二道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖3A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。然后，如步驟13 所示，以第二道掩模工藝形成圖案化絕緣層120、圖案化半導(dǎo)體層130及圖案 化奧姆接觸層140。步驟13可以依序形成絕緣材料層(未繪示)、半導(dǎo)體材 料層(未繪示)及奧姆接觸材料層(未繪示)后經(jīng)由一次微影制程完成，詳 細(xì)步驟如下首先，沉積絕緣材料層于圖案化第一金屬層U0上；接著，依 序沉積半導(dǎo)體材料層及奧姆接觸材料層于絕緣材料層上；然后，形成圖案化 光刻膠層(未繪示)于奧姆接觸材料層及半導(dǎo)體材料層上；接著，蝕刻奧姆 接觸材料層、半導(dǎo)體材料層及絕緣材料層，以形成圖案化奧姆接觸層140、圖 案化半導(dǎo)體層130及圖案化絕緣層120;然后，去除圖案化光刻膠層。其中， 圖案化絕緣層120覆蓋柵極112、部分第一數(shù)據(jù)金屬線段116及第一掃描金屬 層114。此外，如圖3A及圖3C所示，圖案化絕緣層122、圖案化半導(dǎo)體層132及奧姆接觸層142是形成一阻擋層105跨越第一掃描金屬層114。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4A-4C，其分別繪示實(shí)施例一的第三道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖4A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。接著，如步驟14 所示，以第三道掩模工藝形成圖案化第二金屬層150。圖案化第二金屬層150 包括源極153、漏極155、第二掃描金屬層154與第二數(shù)據(jù)金屬層156。第一 數(shù)據(jù)金屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層156構(gòu)成數(shù)據(jù)線104且電性連接源極153。 第一掃描金屬層114與第二掃描金屬層154構(gòu)成掃描線102且電性連接?xùn)艠O 112。如圖4A-4C所示，數(shù)據(jù)線104與源極153耦接。數(shù)據(jù)線104包括第一數(shù) 據(jù)金屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層156，其中第二數(shù)據(jù)金屬層156設(shè)置于第一 數(shù)據(jù)金屬線段116及交錯(cuò)處12上。此外，如圖4A、圖4C所示，數(shù)據(jù)線104更包括跨越掃描線102的阻擋 層105，第二數(shù)據(jù)金屬層156設(shè)置于阻擋層105上。因此，數(shù)據(jù)線104可以藉 由阻擋層105與掃描線102電性隔絕，不會(huì)發(fā)生短路的情形。另外，步驟14中同時(shí)形成圖案化第二金屬層151于圖案化第一金屬層111 上，同時(shí)亦形成圖案化第二金屬層157、 159，分別與掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊 墊119耦接。然后，如步驟15所示，蝕刻圖案化奧姆接觸層141成為圖案化奧姆接觸 層141a。其中源極153與漏極155形成于圖案化半導(dǎo)體層131及圖案化奧姆 接觸層141a上，且與柵極112構(gòu)成一主動(dòng)組件108，亦即一薄膜晶體管。其 中，圖案化半導(dǎo)體層131及奧姆接觸層141a構(gòu)成溝道層103，位于柵極112 上方的圖案化絕緣層120上，如圖4B所示。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A-5C，其分別繪示實(shí)施例一的第四道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖5A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。接著，如步驟16 所示，以第四道掩模工藝形成一圖案化保護(hù)層160a覆蓋于漏極155的部分邊 緣。然后，如步驟17所示，形成一圖案化透明導(dǎo)電層180a，圖案化透明導(dǎo)電 層180a包含一像素電極182a。另外，圖案化透明導(dǎo)電層180a包含的圖案化 透明導(dǎo)電層187a、 189a分別與圖案化第二金屬層157、 159耦接。本實(shí)施例中，像素電極182a攀越漏極155的部分邊緣的圖案化保護(hù)層 162a后與漏極155電性連接，因此圖案化保護(hù)層162a的存在可使像素電極 182a與漏極155的電性接觸更佳，同時(shí)也可避免像素電極182a在形成過程中 斷線。較佳地，圖案化透明導(dǎo)電層180a的材料例如為銦錫氧化物(indiumoxide, ITO)o至于步驟16-17的詳細(xì)步驟，請(qǐng)參照?qǐng)D5D-5I,其繪示實(shí)施例一的第四道 掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。如圖5D所示，首先，形成保護(hù)材料層160。接著，如圖5E所示，形成圖案化光刻膠層170于保護(hù)材料層160上。圖 案化光刻膠層170包括具有厚度hl的圖案化光刻膠層170a，以及具有厚度 h2的圖案化光刻膠層170b，其中厚度hl大于厚度h2。本步驟可以使用半調(diào) 式掩膜(halftone mask)或灰調(diào)式掩膜(gray-tone mask)完成圖案化光刻膠層 170a。然后，如圖5F所示，蝕刻保護(hù)材料層160，以形成圖案化保護(hù)層160a。 圖案化保護(hù)層160a包括第一保護(hù)層161a及第二保護(hù)層162a，第一保護(hù)層161a 及第二保護(hù)層162a形成接觸孔165露出漏極155，第二保護(hù)層162a覆蓋于漏 極155的部分邊緣。此外，圖案化保護(hù)層160a包括第三保護(hù)層163a覆蓋于圖案化第二金屬層 151上。接著，如圖5G所示，灰化圖案化光刻膠層170，以露出第二保護(hù)層162a。 圖案化光刻膠層170經(jīng)灰化后移除圖案化光刻膠層170b，而原來的圖案化光 刻膠層170a則形成具有厚度h3的圖案化光刻膠層170c。然后，如圖5H所示，形成一透明導(dǎo)電層180，透明導(dǎo)電層180藉由接觸 孑U65耦接漏極155。接著，如圖5I所示，移除剩余的圖案化光刻膠層170c,以使剩余的圖案 化光刻膠層170c上的部分透明導(dǎo)電層180—并被移除，而形成圖案化透明導(dǎo) 電層180a。其中圖案化透明導(dǎo)電層180a包括覆蓋于圖案化第二金屬層151的 圖案化透明導(dǎo)電層181a，以及像素電極182a。至此，像素結(jié)構(gòu)10便告完成。 其中，移除剩余的圖案化光刻膠層170c的方法包括掀離制程，較佳地例如以 化學(xué)藥劑或激光剝離圖案化光刻膠層170c。如圖5A及圖5B所示，像素結(jié)構(gòu)10包括主動(dòng)組件108、第一保護(hù)層161a、 第二保護(hù)層162a、儲(chǔ)存電容106及像素電極182a。主動(dòng)組件108緊鄰交錯(cuò)處 12且電性耦接至掃描線102與數(shù)據(jù)線104，包括柵極112、圖案化絕緣層121、 溝道層103、源極153與漏極155。柵極112與掃描線102電性連接，圖案化 絕緣層121位于柵極112上，溝道層103位于柵極112上方的圖案化絕緣層 121上，源極153與漏極155位于溝道層103上，且源極153耦接數(shù)據(jù)線104。 其中信道層103包括圖案化奧姆接觸層141a及圖案化半導(dǎo)體層131,圖案化 奧姆接觸層141a設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層131上。如圖5B所示，第一保護(hù)層161a及第二保護(hù)層162a覆蓋主動(dòng)組件108并 形成接觸孔165以露出部分漏極155。第二保護(hù)層162a是覆蓋于漏極155的 部分邊緣。如圖5B所示，儲(chǔ)存電容106具有第一電容金屬層106a及第二電容金屬 層106b，第二電容金屬層106b設(shè)置于第一電容金屬層106a上方。第一電容 金屬層106a包含圖案化第一金屬層111與圖案化第二金屬層151，第二電容 金屬層106b包含圖案化透明導(dǎo)電層181a，連接像素電極182a的圖案化透明 導(dǎo)電層181a覆蓋第三保護(hù)層163a。第三保護(hù)層163a是作為電容絕緣層，介 于第一電容金屬層106a及第二電容金屬層106b之間。因此，本實(shí)施例中儲(chǔ) 存電容106是由金屬層(metal)、絕緣層(insulator)、透明導(dǎo)電層(例如為ITO) 所構(gòu)成，稱之為MII電容結(jié)構(gòu)。實(shí)施例二實(shí)施例二的像素結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例一的不同之處，在于第二道掩 模工藝中使用半調(diào)式掩膜或灰調(diào)式掩膜，使絕緣層及半導(dǎo)體層分別形成不同 的圖案。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。 并請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D7A-7C，其分別繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的第一道掩模工藝 的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖7A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7A。首先，如步驟21所示，提供基板100。接著，如步驟22 所示，以第一道掩模工藝形成圖案化第一金屬層110于基板100上。圖案化 第一金屬層110包含柵極112、第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116。 其中，第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116包圍顯示區(qū)域101并交 錯(cuò)排列形成交錯(cuò)處12，且第一數(shù)據(jù)金屬線段116是位于與交錯(cuò)處12距第一距 離D1之處。此外，如圖2B所示，圖案化第一金屬層110更包括圖案化第一 金屬層111設(shè)置于基板100上。另外，如圖7C所示，圖案化第一金屬層IIO 更包括掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119設(shè)置于基板100上，并分別與第一掃描 金屬層114及第一數(shù)據(jù)金屬線段116電性連接。基本上，步驟21-22與實(shí)施例 一的步驟11-12相同。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D8A-8C，其分別繪示實(shí)施例二的第二道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖8A的剖面線AA'及BB，的剖面圖。接著，如步驟23 所示，以第二道掩模工藝形成圖案化絕緣層220a、圖案化半導(dǎo)體層230b及圖 案化奧姆接觸層240b。步驟23與實(shí)施例一的步驟13的不同之處，在于使用 半調(diào)式掩膜或灰調(diào)式掩膜形成不同厚度的圖案化光刻膠層，使所形成的圖案 化絕緣層220a的圖案與圖案化半導(dǎo)體層230b及圖案化奧姆接觸層240b的圖 案不同。此外，圖案化絕緣層220覆蓋顯示區(qū)域101，并露出第一掃描金屬層 114、第一數(shù)據(jù)金屬線段116、圖案化第一金屬層111、掃描焊墊118及數(shù)據(jù) 焊墊119。此外，如圖8A所示，是形成一阻擋層205跨越第一掃描金屬層114。與實(shí)施例一的阻擋層105不同之處，在于阻擋層205中圖案化奧姆接觸層、圖 案化半導(dǎo)體層的圖案，與圖案化絕緣層的圖案不同。至于步驟23的詳細(xì)步驟，請(qǐng)參照?qǐng)D8D-8G，其繪示實(shí)施例二的第二道掩 模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。如圖8D所示，依序沉積絕緣材料層220、半導(dǎo)體 材料層230及奧姆接觸材料層240于圖案化第一金屬層110上。接著，形成 圖案化光刻膠層290于半導(dǎo)體材料層230上。圖案化光刻膠層290包括具有 厚度h4的圖案化光刻膠層290a與具有厚度h5的圖案化光刻膠層290b,其中 厚度h4大于厚度h5。然后，如圖8E所示，以圖案化光刻膠層290為一底版，蝕刻奧姆接觸材 料層240、半導(dǎo)體材料層230及絕緣材料層220，以形成圖案化奧姆接觸層 240a、圖案化半導(dǎo)體層230a及圖案化絕緣層220a。圖案化絕緣層220a露出 第一掃描金屬層114、第一數(shù)據(jù)金屬線段116、圖案化第一金屬層lll、掃描 焊墊U8及數(shù)據(jù)焊墊119，如圖8A所示。接著，如圖8F所示，灰化(ashing)具有厚度h5的圖案化光刻膠層290b, 以露出部分的圖案化奧姆接觸層240a及圖案化半導(dǎo)體層230a，并削減具有厚 度h4的圖案化光刻膠層290a，成為具有厚度h6的圖案化光刻膠層290c。然后，如圖8G所示，蝕刻露出部分的圖案化奧姆接觸層240a及圖案化 半導(dǎo)體層230a，以形成圖案化奧姆接觸層240b及圖案化半導(dǎo)體層230b，圖 案化奧姆接觸層240b及圖案化半導(dǎo)體層230b分別包括圖案化奧姆接觸層 241b及圖案化半導(dǎo)體層231b覆蓋于柵極121上方的圖案化絕緣層220a。接 著，去除剩余的該圖案化光刻膠層290c。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D9A-9C，其分別繪示實(shí)施例二的第三道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖9A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟26所示， 以第三道掩模工藝形成圖案化第二金屬層250。圖案化第二金屬層250包括源 極253、漏極255、第二掃描金屬層254與第二數(shù)據(jù)金屬層256。第一數(shù)據(jù)金 屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層256構(gòu)成一數(shù)據(jù)線204且電性連接源極253。第一掃描金屬層114與第二掃描金屬層254構(gòu)成一掃描線202且電性連接?xùn)艠O 112。此外，如圖9A、圖9C所示，第二數(shù)據(jù)金屬層256設(shè)置于阻擋層205及 交錯(cuò)處12上。另外，步驟24中同時(shí)形成圖案化第二金屬層251于圖案化第一金屬層111 上，同時(shí)亦形成圖案化第二金屬層257、 259，分別與掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊 墊119耦接。接著，如步驟25所示，蝕刻圖案化奧姆接觸層241b成為圖案化奧姆接 觸層241c。其中源極253與漏極255形成于圖案化半導(dǎo)體層231b及奧姆接觸 層241c上，且與柵極112構(gòu)成一主動(dòng)組件208，亦即一薄膜晶體管。其中， 圖案化半導(dǎo)體層231b及奧姆接觸層241c構(gòu)成溝道層203，如圖9B所示。如圖9A-9C所示，數(shù)據(jù)線204與源極253耦接。數(shù)據(jù)線204包括第一數(shù) 據(jù)金屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層256，第二數(shù)據(jù)金屬層256設(shè)置于第一數(shù)據(jù) 金屬線段116上。數(shù)據(jù)線204更包括跨越掃描線202的阻擋層205，第二數(shù)據(jù) 金屬層256設(shè)置于阻擋層205上。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIOA-IOC，其分別繪示實(shí)施例二的第四道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖10A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟26所示， 以第四道掩模工藝形成一圖案化保護(hù)層260a，部分覆蓋于漏極255的部分邊 緣。然后，如步驟27所示，形成一圖案化透明導(dǎo)電層280a,圖案化透明導(dǎo)電 層280a包含一像素電極282a，像素電極282a越過漏極255的部分邊緣的圖 案化保護(hù)層262a且電性連接于漏極255。另外，圖案化透明導(dǎo)電層280a包含 的圖案化透明導(dǎo)電層287a、 289a分別與圖案化第二金屬層257、 259耦接。如圖10B所示，像素電極282a越過第二保護(hù)層262a并藉由接觸孔265 與漏極255耦接。至于步驟26-27的詳細(xì)步驟，請(qǐng)參照?qǐng)DIOD-IOI，其繪示實(shí)施例二的第四道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。如圖10D所示，首先，形成保護(hù)材料層260。接著，圖10E所示，形成圖案化光刻膠層270于保護(hù)材料層260上。圖 案化光刻膠層270包括具有厚度hl的圖案化光刻膠層270a，以及具有厚度 h2的圖案化光刻膠層270b，其中厚度hl大于厚度h2。然后，如圖10F所示，蝕刻保護(hù)材料層260，以形成圖案化保護(hù)層260a。 圖案化保護(hù)層260a包括第一保護(hù)層261a、第二保護(hù)層262a及第三保護(hù)層 263a。第一保護(hù)層261a及第二保護(hù)層262a形成接觸孔265露出漏極255。其 中，第二保護(hù)層262a覆蓋于漏極255的部分邊緣，而第三保護(hù)層263a覆蓋圖 案化第二金屬層251。接著，如圖IOG所示，灰化圖案化光刻膠層270,以露出第二保護(hù)層262a。 圖案化光刻膠層270經(jīng)灰化后移除圖案化光刻膠層270b，而原來的圖案化光 刻膠層270a則形成具有厚度h3的圖案化光刻膠層270c。然后，如圖10H所示，形成一透明導(dǎo)電層280，透明導(dǎo)電層280藉由接 觸孔265耦接漏極255。接著，如圖101所示，移除剩余的圖案化光刻膠層270c，以使剩余的圖 案化光刻膠層270c上的部分透明導(dǎo)電層280 —并被移除，而形成圖案化透明 導(dǎo)電層280a。圖案化透明導(dǎo)電層280a包括像素電極282a以及圖案化透明導(dǎo) 電層281a，其中圖案化透明導(dǎo)電層281a覆蓋于第三保護(hù)層263a上。至此， 像素結(jié)構(gòu)20便告完成。其中，移除剩余的圖案化光刻膠層270c的方法包括 掀離制程，較佳地例如以化學(xué)藥劑或激光剝離圖案化光刻膠層270c。如圖10A及圖10B所示，像素結(jié)構(gòu)20包括主動(dòng)組件208、第一保護(hù)層261a、 第二保護(hù)層262a、第三保護(hù)層263a、儲(chǔ)存電容206、數(shù)據(jù)線202及像素電極 282a。主動(dòng)組件208緊鄰交錯(cuò)處12且電性耦接至掃描線202與數(shù)據(jù)線204， 包括柵極112、圖案化絕緣層220a、溝道層203、源極253與漏極255。柵極 112與掃描線202電性連接，圖案化絕緣層220a位于柵極112上，溝道層203 位于柵極112上方的圖案化絕緣層220a上，源極253與漏極255位于溝道層203上，且源極253耦接數(shù)據(jù)線204。其中溝道層203包括奧姆接觸層241c 及圖案化半導(dǎo)體層231b，奧姆接觸層241c設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層231b上。如圖101所示，第一保護(hù)層261a及第二保護(hù)層262a覆蓋主動(dòng)組件208并 形成接觸孔265以露出部分漏極255。第二保護(hù)層262a是覆蓋于漏極255的 部分邊緣。如圖101所示，儲(chǔ)存電容206具有第一電容金屬層206a及第二電容金屬 層206b，第二電容金屬層206b設(shè)置于第一電容金屬層206a上方。第一電容 金屬層206a包含圖案化第一金屬層111與圖案化第二金屬層251 ，第二電容 金屬層包含圖案化透明導(dǎo)電層281a。而電容絕緣層包含第三保護(hù)層263a，介 于第一電容金屬層206a及第二電容金屬層206b之間。因此，本實(shí)施例中儲(chǔ) 存電容206是由金屬層(metal)、絕緣層(insulator)、透明導(dǎo)電層(例如為ITO) 所構(gòu)成，稱之為MII電容結(jié)構(gòu)。實(shí)施例三實(shí)施例三的像素結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例一的不同之處，在于第二道掩 模工藝中使用半調(diào)式掩膜或灰調(diào)式掩膜，使絕緣層及半導(dǎo)體材料層形成不同 的圖案。另外，實(shí)施例三的像素結(jié)構(gòu)的保護(hù)層圖案及透明導(dǎo)電層的圖案，分 別以第四道掩模工藝及第五道掩模工藝定義完成。請(qǐng)參照?qǐng)D11，其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例三的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。并請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D12A-12C，其分別繪示實(shí)施例三的第一道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖12A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D12A。首先，如步驟31所示，提供基板100。接著，如步驟32 所示，以第一道掩模工藝形成圖案化金屬層110于基板100上。圖案化金屬 層110包含柵極112、第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116。其中， 第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116包圍顯示區(qū)域101并交錯(cuò)排列 形成交錯(cuò)處12，且第一數(shù)據(jù)金屬線段116是位于與交錯(cuò)處12距第一距離Dl 之處。此外，如圖12B所示，圖案化金屬層110更包括一第一電容金屬層111設(shè)置于基板100上。另外，如圖12C所示，圖案化金屬層110更包括掃描焊 墊118及數(shù)據(jù)焊墊119設(shè)置于基板100上，并分別與第一掃描金屬層114及 第一數(shù)據(jù)金屬線段116電性連接?；旧?，步驟31-32與實(shí)施例一的步驟11-12相同。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D13A-13C,其分別繪示實(shí)施例三的第二道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖13A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。接著，如步驟 33所示，以第二道掩模工藝形成圖案化絕緣層320a、圖案化半導(dǎo)體層330b 及圖案化奧姆接觸層340b。步驟33與實(shí)施例一的步驟13的不同之處，在于 使用半調(diào)式掩膜或灰調(diào)式掩膜形成不同厚度的圖案化光刻膠層，使圖案化絕 緣層320a的圖案與圖案化半導(dǎo)體層330b及圖案化奧姆接觸層340b的圖案不 同。此外，圖案化絕緣層320覆蓋顯示區(qū)域101，并露出第一掃描金屬層114、 第一數(shù)據(jù)金屬線段116、圖案化第一金屬層111 、掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119。此外，如圖13A所示，形成一阻擋層305跨越第一掃描金屬層114。至于步驟33的詳細(xì)步驟，請(qǐng)參照?qǐng)D13D-13G,其繪示實(shí)施例三的第二道 掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。如圖13D所示，依序沉積絕緣材料層320、半 導(dǎo)體材料層330及奧姆接觸材料層340于圖案化第一金屬層110上。接著， 形成圖案化光刻膠層390于半導(dǎo)體材料層330上。圖案化光刻膠層390包括 具有厚度h4的圖案化光刻膠層390a與具有厚度h5的圖案化光刻膠層390b， 其中厚度h4大于厚度h5。然后，如圖13E所示，以圖案化光刻膠層390為一底版，蝕刻奧姆接觸 材料層340、半導(dǎo)體材料層330及絕緣材料層320，以形成圖案化奧姆接觸層 340a、圖案化半導(dǎo)體層330a及圖案化絕緣層320a。圖案化絕緣層320a露出 第一掃描金屬層114、第一數(shù)據(jù)金屬線段116、圖案化第一金屬層lll、掃描 焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119。接著，如圖13F所示，灰化具有厚度h5的圖案化光刻膠層，0b,以露出 圖案化奧姆接觸層340a及圖案化半導(dǎo)體層330a,并削減具有厚度h4的圖案化光刻膠層390a，成為具有厚度h6的圖案化光刻膠層390c。然后，如圖13G所示，蝕刻露出部分的圖案化奧姆接觸層340a及圖案化 半導(dǎo)體層330a，以形成圖案化奧姆接觸層340b及圖案化半導(dǎo)體層330b。其 中，圖案化奧姆接觸層340b及圖案化半導(dǎo)體層330b分別包括圖案化奧姆接 觸層341a及圖案化半導(dǎo)體層331b位于柵極112上方的圖案化絕緣層320a上。 接著，去除剩余的圖案化光刻膠層390c。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D14A-14C，其分別繪示實(shí)施例三的第三道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖14A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟34所示， 以第三道掩模工藝形成圖案化第二金屬層350。圖案化第二金屬層350包括源 極353、漏極355、第二掃描金屬層354與第二數(shù)據(jù)金屬層356。第一數(shù)據(jù)金 屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層356構(gòu)成一數(shù)據(jù)線304且電性連接源極353。第 一掃描金屬層114與第二掃描金屬層354構(gòu)成一掃描線302且電性連接?xùn)艠O 112。步驟34中同時(shí)亦形成圖案化第二金屬層357、 359，分別與掃描焊墊118 及數(shù)據(jù)焊墊119耦接。如圖14A所示，第二掃描金屬層354包括分離的復(fù)數(shù)個(gè)第二掃描金屬線 段354a、 354b、 354c，其中第二掃描金屬線段354a、 354c與圖案化絕緣層320a 露出的第一掃描金屬層114耦接，第二掃描金屬線段354b則形成于圖案化絕 緣層320上與第一掃描金屬層114電性隔絕。另外，如圖14A所示，數(shù)據(jù)線304與源極353耦接。數(shù)據(jù)線304包括第 一數(shù)據(jù)金屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層356，第二數(shù)據(jù)金屬層356設(shè)置于第一 數(shù)據(jù)金屬線段116及交錯(cuò)處12上。數(shù)據(jù)線304更包括跨越掃描線302的阻擋 層305，第二數(shù)據(jù)金屬層356設(shè)置于阻擋層305上。另外，如圖14A所示，步驟34中同時(shí)形成圖案化第二金屬層351。圖案 化第二金屬層351包括分離的圖案化第二金屬層351a、 351b、 351c，其中圖 案化第二金屬層351a、351c與圖案化絕緣層320露出的圖案化第一金屬層111 耦接，圖案化第二金屬層351b則形成于圖案化絕緣層320a上與圖案化第一金屬層111電性隔絕。接著，如步驟35所示，蝕刻圖案化奧姆接觸層341b成為圖案化奧姆接 觸層341c。其中源極353與漏極355形成于圖案化半導(dǎo)體層331b及奧姆接觸 層341c上，且與柵極112構(gòu)成一主動(dòng)組件308，亦即一薄膜晶體管。其中， 圖案化半導(dǎo)體層331b及奧姆接觸層341c構(gòu)成溝道層303。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D15A-15C，其分別繪示實(shí)施例三的第四道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖14A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟36所示， 以第四道掩模工藝形成一圖案化保護(hù)層360。圖案化保護(hù)層360包括第一保護(hù) 層361及第二保護(hù)層362，第一保護(hù)層361及第二保護(hù)層362形成接觸孔365 露出漏極355，第二保護(hù)層362覆蓋于漏極355的部分邊緣。此外，圖案化保護(hù)層360更包括一第三保護(hù)層363覆蓋圖案化第二金屬 層351b，并形成接觸孔367露出圖案化第二金屬層351b。但本發(fā)明的技術(shù)不 限于此，第三保護(hù)層363也可僅覆蓋于圖案化第二金屬層351b的邊緣。另外，圖案化保護(hù)層360亦露出第二掃描金屬線段354b，以及圖案化第 二金屬層357、 359，以與后續(xù)形成的透明導(dǎo)電層耦接。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D16A-16C，其分別繪示實(shí)施例三的第五道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖16A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟37所示， 以第五道掩模工藝形成一圖案化透明導(dǎo)電層380，圖案化透明導(dǎo)電層380包含 像素電極382，像素電極382越過漏極355的部分邊緣的圖案化保護(hù)層362且 電性連接于漏極355。另外，圖案化透明導(dǎo)電層380包含的圖案化透明導(dǎo)電層 387、 389分別與圖案化第二金屬層357、 359耦接。此外，圖案化透明導(dǎo)電層380更包括圖案化透明導(dǎo)電層381、圖案化透明 導(dǎo)電層387及圖案化透明導(dǎo)電層389，分別與圖案化第二金屬層351b、圖案 化第二金屬層357及圖案化第二金屬層359耦接。至此，像素結(jié)構(gòu)30便告完成。如圖16A及圖16B所示，像素結(jié)構(gòu)30包括主動(dòng)組件308、第一保護(hù)層361、 第二保護(hù)層362、儲(chǔ)存電容306、數(shù)據(jù)線302及像素電極382。主動(dòng)組件308緊鄰交錯(cuò)處12且電性耦接至掃描線302與數(shù)據(jù)線304，包括柵極112、圖案 化絕緣層320a、溝道層303、源極353與漏極355。柵極112與掃描線302電 性連接，圖案化絕緣層320a位于柵極112上，溝道層303位于柵極112上方 的圖案化絕緣層320a上，源極353與漏極355位于溝道層303上，且源極353 耦接數(shù)據(jù)線304。如圖16B所示，儲(chǔ)存電容306具有第一電容金屬層306a及第二電容金屬 層306b，第二電容金屬層306b設(shè)置于第一電容金屬層306a上方。第一電容 金屬層306a包含圖案化第一金屬層111，第二電容金屬層306b包含圖案化第 二金屬層351b與圖案化透明導(dǎo)電層381。而電容絕緣層包含部分的圖案化絕 緣層320a，介于第一電容金屬層306a及第二電容金屬層306b之間。因此， 本實(shí)施例中儲(chǔ)存電容306是由金屬層(metal)、絕緣層(insulator)、金屬層(metal) 所構(gòu)成，稱之為MIM電容結(jié)構(gòu)。實(shí)施例四實(shí)施例四的像素結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例一的不同之處，在于像素結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體層圖案及絕緣層的圖案，分別以第二道掩模工藝及第三道掩模工藝 定義完成，而第二金屬層的圖案是以第四道掩模工藝定義完成。請(qǐng)參照?qǐng)D17,其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例四的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。 并請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D18A-18C，其分別繪示實(shí)施例四的第一道掩模工藝的像素結(jié) 構(gòu)的示意圖，以及沿圖18A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D18A。首先，如步驟41所示，提供基板IOO。接著，如步驟42 所示，以第一道掩模工藝形成圖案化金屬層110于基板100上。圖案化金屬 層110包含柵極112、第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116。其中， 第一掃描金屬層114與第一數(shù)據(jù)金屬線段116包圍顯示區(qū)域101并交錯(cuò)排列 形成交錯(cuò)處12，且第一數(shù)據(jù)金屬線段116是位于與交錯(cuò)處12距第一距離Dl 處。此外，如圖18B所示，圖案化金屬層110更包括一圖案化第一金屬層111 設(shè)置于基板100上。如圖18C所示，圖案化金屬層110更包括一掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119設(shè)置于基板100上，并分別與第一掃描金屬層114及第二掃 描金屬層116電性連接?；旧希襟E41-42與實(shí)施例一的步驟11-12相同。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D19A-19C圖，其分別繪示實(shí)施例四的第二道掩模工藝的像 素結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖19A的剖面線AA'及BB，的剖面圖。如步驟43所 示，以第二道掩模工藝形成圖案化絕緣材料層420、圖案化半導(dǎo)體層430及圖 案化奧姆接觸層440，其中圖案化半導(dǎo)體層430及圖案化奧姆接觸層440分別 包括位于柵極112上方的圖案化半導(dǎo)體層431及圖案化奧姆接觸層441。步驟 33與實(shí)施例一的步驟13的不同之處，在于僅定義出圖案化半導(dǎo)體層430及圖 案化奧姆接觸層440的圖案，也就是僅對(duì)半導(dǎo)體材料層及奧姆接觸材料層進(jìn) 行蝕刻。此外，如圖19A所示，形成一阻擋層405跨越第一掃描金屬層114。 請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D20A-20C，其分別繪示實(shí)施例四的第三道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖20A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟44所示， 以第三道掩模工藝將圖案化絕緣層420圖案化，以形成圖案化絕緣層420a。 圖案化絕緣層420a露出第一掃描金屬層114、第一數(shù)據(jù)金屬線段116、圖案 化第一金屬層lll、掃描焊墊118及數(shù)據(jù)焊墊119。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D21A-21C，其分別繪示實(shí)施例四的第四道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖21A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟45所示， 以第四道掩模工藝形成圖案化第二金屬層450。圖案化第二金屬層450包括源 極453、漏極455、第二掃描金屬層454與第二數(shù)據(jù)金屬層456。第一數(shù)據(jù)金 屬線段116及第二數(shù)據(jù)金屬層456構(gòu)成一數(shù)據(jù)線404且電性連接源極453。第 一掃描金屬層114與第二掃描金屬層454構(gòu)成一掃描線402且電性連接?xùn)艠O 112。步驟45中同時(shí)亦形成圖案化第二金屬層457、 459，分別與掃描焊墊118 及數(shù)據(jù)焊墊119耦接。郊圖21A所示，第二掃描金屬層454包括分離的復(fù)數(shù)個(gè)第二掃描金屬線 段454a、 454b、 454c，其中第二掃描金屬線段454a、 454c與圖案化絕緣層420a露出的第一掃描金屬層114耦接，第二掃描金屬線段454b則形成于圖案化絕 緣層420a上而與第一掃描金屬層114電性隔絕。此外，如圖21A所示，數(shù)據(jù)線404更包括跨越掃描線402的阻擋層4P5， 第二數(shù)據(jù)金屬層456設(shè)置于阻擋層405及交錯(cuò)處12上。另外，如圖21A所示，步驟45中同時(shí)形成圖案化第二金屬層451。圖案 化第二金屬層451包括分離的圖案化第二金屬層451a、 451b、 451c，其中圖 案化第二金屬層45la、451c與圖案化絕緣層420露出的圖案化第一金屬層111 耦接，圖案化第二金屬層451b則形成于圖案化絕緣層420a上而與圖案化第 一金屬層lll電性隔絕。接著，如步驟46所示，蝕刻圖案化奧姆接觸層441成為奧姆接觸層441a。 其中源極453與漏極455形成于圖案化半導(dǎo)體層431及奧姆接觸層441a上， 且與柵極112構(gòu)成一主動(dòng)組件408，亦即一薄膜晶體管。其中，圖案化半導(dǎo)體 層431及奧姆接觸層441a構(gòu)成溝道層403。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D22A-22C，其分別繪示實(shí)施例四的第五道掩模工藝的像素 結(jié)構(gòu)的示意圖，以及沿圖22A的剖面線AA'及BB'的剖面圖。如步驟47所示， 以第五道掩模工藝形成一圖案化保護(hù)層460a，部分覆蓋于漏極455的部分邊緣o然后，如步驟48所示，形成一圖案化透明導(dǎo)電層480a。圖案化透明導(dǎo)電 層480a包含一像素電極482a，像素電極482a越過漏極455的部分邊緣的圖 案化保護(hù)層462a且電性連接于漏極455。另外，圖案化透明導(dǎo)電層480a包含 的圖案化透明導(dǎo)電層487a、 489a分別與圖案化第二金屬層457、 459耦接。至于步驟47-48的詳細(xì)步驟，請(qǐng)參照?qǐng)D22D-221。如圖22D所示，其繪示 實(shí)施例四的第五道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖。首先，形成保護(hù)材料層460。接著，圖22E所示，形成圖案化光刻膠層470于保護(hù)材枓層460上。圖 案化光刻膠層470包括具有厚度hl的圖案化光刻膠層470a，以及具有厚度 h2的圖案化光刻膠層470b，其中厚度hl大于厚度h2。然后，如圖22F所示，蝕刻保護(hù)材料層460，以形成圖案化保護(hù)層460a。 圖案化保護(hù)層460a包括第一保護(hù)層461a、第二保護(hù)層462a及第三保護(hù)層 463a。第一保護(hù)層461a及第二保護(hù)層462a形成接觸孔465露出漏極455，且 第二保護(hù)層462a覆蓋于漏極455的部分邊緣。第三保護(hù)層463a形成接觸孔 467露出圖案化第二金屬層451b。但本發(fā)明的技術(shù)不限于此，第三保護(hù)層463a 也可僅覆蓋于圖案化第二金屬層451b的部分邊緣。接著，如圖22G所示，灰化圖案化光刻膠層470，以露出第二保護(hù)層462a 及第三保護(hù)層462a。圖案化光刻膠層470經(jīng)灰化后移除圖案化光刻膠層470b, 而原來的圖案化光刻膠層470a則形成具有厚度h3的圖案化光刻膠層470c。然后，如圖22H所示，形成一透明導(dǎo)電層480，透明導(dǎo)電層480藉由接 觸孔465耦接漏極455及圖案化第二金屬層451b。接著，如圖22I所示，移除剩余的圖案化光刻膠層470c，以使剩余的圖 案化光刻膠層470c上的部分透明導(dǎo)電層480 —并被移除，而形成圖案化透明 導(dǎo)電層480a。其中，圖案化透明導(dǎo)電層480a包括像素電極482a,以及與圖案 化第二金屬層451b耦接的圖案化透明導(dǎo)電層481a。至此，像素結(jié)構(gòu)40便告 完成。其中，移除剩余的圖案化光刻膠層470c的方法包括掀離制程，較佳地 例如以化學(xué)藥劑或激光剝離圖案化光刻膠層470c。如圖22A圖22B所示，像素結(jié)構(gòu)40包括主動(dòng)組件408、第一保護(hù)層461a、 第二保護(hù)層462a、儲(chǔ)存電容406、數(shù)據(jù)線402及像素電極482。主動(dòng)組件408 緊鄰交錯(cuò)處12且電性耦接至掃描線402與數(shù)據(jù)線404，包括柵極112、圖案 化絕緣層420a、溝道層403、源極453與漏極455。柵極112與掃描線402電 性連接，圖案化絕緣層420a位于柵極112上，溝道層403位于柵極112上方 的圖案化絕緣層420a上，源極453與漏極455位于溝道層403上，且源極453 耦接數(shù)據(jù)線404。其中溝道層403包括奧姆接觸層441a及圖案化半導(dǎo)體層431 ， 奧姆接觸層441a設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層431上。如圖22B所示，第一保護(hù)層461a及第二保護(hù)層462a覆兼主動(dòng)組件408并形成接觸孔465以露出部分漏極455。第二保護(hù)層462a是覆蓋于漏極455 的部分邊緣。如圖22B所示，儲(chǔ)存電容406具有第一電容金屬層406a及第二電容金屬 層406b，第二電容金屬層406b設(shè)置于第一電容金屬層406a上方。第一電容 金屬層406a包含圖案化第一金屬層111，第二電容金屬層406b包含圖案化第 二金屬層451b與圖案化透明導(dǎo)電層481a。而電容絕緣層包含部分的圖案化絕 緣層420a，介于第一電容金屬層406a及第二電容金屬層406b之間。因此， 本實(shí)施例中儲(chǔ)存電容406是由金屬層(metal)、絕緣層(insulator)、金屬層(metal) 所構(gòu)成，稱之為MIM電容結(jié)構(gòu)。本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，是以四道掩膜或五 道掩模工藝即可完成像素結(jié)構(gòu)，可以大幅降低生產(chǎn)成本。此外，本發(fā)明各實(shí) 施例的像素結(jié)構(gòu)使用雙層金屬構(gòu)成掃描線及數(shù)據(jù)線，可以大大降低信號(hào)線傳 輸阻值，減少信號(hào)衰減延遲的問題。另外，本發(fā)明各實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)于漏 極端邊緣形成保護(hù)層，可以讓透明導(dǎo)電層在形成過程中越過保護(hù)層與漏極接 觸，使漏極與像素電極的電性連接更佳，并避免像素電極在形成過程中產(chǎn)生 斷線的情形。綜上所述，雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本 發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前附的權(quán)利 要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一掃描線，具有一第一掃描金屬層及一第二掃描金屬層；一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯(cuò)排列并形成一交錯(cuò)處，其中該數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)金屬線段及一第二數(shù)據(jù)金屬層，該第一數(shù)據(jù)金屬線段設(shè)置于與該交錯(cuò)處距一第一距離之處，該第二數(shù)據(jù)金屬層設(shè)置于該交錯(cuò)處及該第一數(shù)據(jù)金屬線段上；一主動(dòng)組件，電性耦接該數(shù)據(jù)線及該掃描線，該電性耦接該數(shù)據(jù)線及該掃描線包括一柵極，其中該柵極與該掃描線電性連接；一絕緣層，部分位于該柵極上；一溝道層，位于該柵極上方的該絕緣層上；及一源極與一漏極，位于該溝道層上，該源極耦接該數(shù)據(jù)線；一第一保護(hù)層及一第二保護(hù)層，覆蓋該主動(dòng)組件并形成一第一接觸孔以露出部分該漏極，該第二保護(hù)層是覆蓋于該漏極的部分邊緣；以及一像素電極，越過該第二保護(hù)層并藉由該第一接觸孔與該漏極耦接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該信道層包括一奧姆接 觸層及一半導(dǎo)體層，該奧姆接觸層設(shè)置于該半導(dǎo)體上。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)更包括一儲(chǔ) 存電容，具有一第一電容金屬層及一第二電容金屬層，該第二電容金屬層設(shè) 置于該第一電容金屬層上方。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)更包括一第三保護(hù)層，部分覆蓋于該第二電容金屬層的邊緣。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極覆蓋該第三保護(hù)層。
6. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該儲(chǔ)存電容更包括一電 容絕緣層設(shè)置于該第一電容金屬層及該第二電容金屬層之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)更包括一第 三保護(hù)層覆蓋該第二電容金屬層的邊緣。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三保護(hù)層具有一第 二接觸孔，該像素電極藉由該第二接觸孔與該第二電容金屬層耦接。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該數(shù)據(jù)線更包括一跨越 一掃描線的阻擋層，該第二數(shù)據(jù)金屬層設(shè)置于該阻擋層上。
10. 如權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二掃描金屬層包括復(fù) 數(shù)個(gè)第二掃描金屬線段。
11. 一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，該制造方法包括-提供一基板；形成一圖案化第一金屬層于該基板上，包含一柵極、 一第一掃描金屬層 與一第一數(shù)據(jù)金屬線段；形成一圖案化絕緣層于該圖案化第一金屬層上； 形成一圖案化半導(dǎo)體層于該圖案化絕緣層上；形成一圖案化第二金屬層，包括一源極、 一漏極、 一第二掃描金屬層與 一第二數(shù)據(jù)金屬層，其中該源極與該漏極形成于該圖案化半導(dǎo)體層上且與該 柵極構(gòu)成一主動(dòng)組件，該第一數(shù)據(jù)金屬線段及該第二數(shù)據(jù)金屬層構(gòu)成一數(shù)據(jù) 線且電性連接該源極，該第一掃描金屬層與該第二掃描金屬層構(gòu)成一掃描線 且電性連接該柵極；形成一圖案化保護(hù)層，部分覆蓋于該漏極的部分邊緣；以及 形成一圖案化透明導(dǎo)電層，該圖案化透明導(dǎo)電層包含一像素電極，該像 素電極越過該漏極的部分邊緣的該圖案化保護(hù)層且電性連接于該漏極。
12. 如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中形成該圖案化絕緣層與形成該 圖案化半導(dǎo)體層的步驟包括沉積一絕緣材料層于該圖案化第一金屬層上；沉積一半導(dǎo)體層于該絕緣材料層上；形成一圖案化光刻膠層于該半導(dǎo)體層上；蝕刻該半導(dǎo)體層及該絕緣材料層，以形成該圖案化半導(dǎo)體層及該圖案化絕緣層；以及去除該圖案化光刻膠層。
13. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中形成該圖案化半導(dǎo)體層包括 形成一跨越該第一掃描金屬層的阻擋層；以及形成一溝道層，位于該柵極上方的該圖案化絕緣層上； 其中形成該圖案化第二金屬層，包括設(shè)置該第二數(shù)據(jù)金屬層于該阻擋層上。
14. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，該制造方法更包括形成一奧姆接觸 層于該圖案化半導(dǎo)體層上。
15. 如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中形成該圖案化保護(hù)層與形成該 圖案化透明導(dǎo)電層的步驟包括形成一保護(hù)材料層；形成一圖案化光刻膠層于該保護(hù)材料層上；蝕刻該保護(hù)材料層，以形成該圖案化保護(hù)層，該圖案化保護(hù)層包括一第 一保護(hù)層及一第二保護(hù)層，該第一保護(hù)層及該第二保護(hù)層形成一第一接觸孔 露出該漏極，該第二保護(hù)層覆蓋于該漏極的部分邊緣；灰化該圖案化光刻膠層，以露出該第二保護(hù)層；形成一透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層藉由該第一接觸孔耦接該漏極；以及 移除剩余的該圖案化光刻膠層，以使剩余的該圖案化光刻膠層上的該透 明導(dǎo)電層一并被移除，而形成該圖案化透明導(dǎo)電層。
16. 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其中移除該剩余的該圖案化光刻膠 層的方法包括掀離制程。
17. 如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中形成該圖案化絕緣層與形成該 圖案化半導(dǎo)體層的步驟包括-沉積一絕緣材料層于該圖案化第一金屬層上；沉積一半導(dǎo)體層于該絕緣材料層上；形成一圖案化光刻膠層于該半導(dǎo)體層上，該圖案化光刻膠層具有一第一厚度與一第二厚度；以該圖案化光刻膠層為一底版，蝕刻該半導(dǎo)體材料層及該絕緣材料層， 以形成該圖案化絕緣層，該圖案化絕緣層具有一開口露出該圖案化第一金屬 層；灰化該第二厚度的該圖案化光刻膠層，以露出部分的該半導(dǎo)體層； 蝕刻露出部分的該半導(dǎo)體層，以形成該圖案化半導(dǎo)體層；以及 去除剩余的該圖案化光刻膠層。
18. 如權(quán)利要求11所述的制造方法，該制造方法更包括形成一儲(chǔ)存電容 于該基板上，其中該儲(chǔ)存電容包括一第一電容金屬層、 一第二電容金屬層、 以及一 電容絕緣層設(shè)置于該第一 電容金屬層與該第二電容金屬層之間。
19. 如權(quán)利要求18所述的制造方法，其中該第一電容金屬層包含該圖案化第一金屬層與該圖案化第二金屬層，該第二電容金屬層包含該圖案化透明 導(dǎo)電層，而該電容絕緣層包含該圖案化保護(hù)層。
20. 如權(quán)利要求18所述的制造方法，其中第一電容金屬層包含該圖案化 第一金屬層，該第二電容金屬層包含電性耦接的該圖案化第二金屬層與該圖 案化透明導(dǎo)電層，而該電容絕緣層包含該圖案化絕緣層。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述的像素結(jié)構(gòu)包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一主動(dòng)組件、一第一保護(hù)層、一第二保護(hù)層及一像素電極。掃描線具有一第一掃描金屬層及一第二掃描金屬層。第一數(shù)據(jù)金屬線段與掃描線設(shè)置于與交錯(cuò)處距一第一距離之處，第二數(shù)據(jù)金屬層設(shè)置于交錯(cuò)處及第一數(shù)據(jù)金屬線段上。主動(dòng)組件電性耦接數(shù)據(jù)線及掃描線，包括一柵極、一絕緣層、一溝道層、一源極與一漏極。絕緣層部分位于柵極上，溝道層位于柵極上方的絕緣層上。源極與漏極位于溝道層上，源極耦接數(shù)據(jù)線。第一保護(hù)層及第二保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件并形成一第一接觸孔以露出部分漏極，第二保護(hù)層是覆蓋于漏極的部分邊緣。像素電極越過第二保護(hù)層并藉由第一接觸孔與漏極耦接。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101226932SQ20081008041
公開日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2008年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月18日
發(fā)明者廖金閱, 方國龍, 林祥麟 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司