專利名稱：發(fā)光單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元，特別是關于一種具有密閉空間的發(fā)光 單元。
背景技術：
由于發(fā)光二極管(Lighi Emitting Diode, LED)具有高亮度及省電 等優(yōu)點，因此，隨著發(fā)光二極管的技術逐漸成熟，其應用領域也越來 越廣泛，例如光源及背光源。
請參照圖l所示， 一種現(xiàn)有的發(fā)光單元l包含一基板ll、多個發(fā) 光二極管晶粒12、 一封膠體13及一反射殼體(lamp house) 14。其中， 發(fā)光二極管晶粒12設置于基板11上，并利用打線接合(wire bonding) 的方式與基板11電性連接。封膠體13為透光材料，并用以密封保護 發(fā)光二極管晶粒12，反射殼體14用以反射集中發(fā)光二極管晶粒12的 出光方向。
在現(xiàn)有技術中，當發(fā)光二極管晶粒12發(fā)光時，其會產生大量的熱 能，且發(fā)光二極管晶粒12、固化后的封膠體13、基板11及反射殼體 14四者的材質的熱膨脹程度并不相同，因此將會造成夾置于發(fā)光二極 管晶粒12、封膠體13、基板11及反射殼體14之間的導線W，受到擠 壓或拉扯而產生變形或斷裂，進而可能造成發(fā)光二極管晶粒12無法發(fā) 光的情形，也會使得發(fā)光單元1產生缺陷。其中，熱膨脹程度不同所 造成的影響，尤其是在具有大面積封膠體的發(fā)光單元中更為嚴重。
另外，現(xiàn)有技術架構亦不能改善發(fā)光二極管散熱的問題。溫度最 高的PN界面(junction)仍包覆在高厚度的封膠體之中，因此只能通過熱傳導方式將熱導引至基板。
因此，如何提供一種能避免發(fā)光二極管晶粒的導線因殼體、封膠 體、發(fā)光二極管晶粒與基板四者之間熱膨脹程度不同而產生斷裂的發(fā) 光單元，以及能夠改善散熱的發(fā)光單元，已成為重要課題之一。

發(fā)明內容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足與缺陷， 提出一種能提高發(fā)光二極管晶粒的散熱效果的發(fā)光單元。
有鑒于上述課題，本發(fā)明的另一目的在于，提出一種能避免發(fā)光 二極管晶粒的導線因殼體、封膠體、發(fā)光二極管晶粒與基板的熱膨脹 程度不同而產生斷裂的發(fā)光單元。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光單元，具有一密閉空間，發(fā) 光單元包含至少一基板、多個發(fā)光二極管晶粒及一膠體或一流體。所
述的發(fā)光二極管晶粒設置于基板之上，并位于密閉空間，其中至少二 發(fā)光二極管晶粒為電性串聯(lián)或電性并聯(lián)。膠體或流體充填于密閉空間。
承上所述，本發(fā)明具有以下有益技術效果因依據(jù)本發(fā)明的一種 發(fā)光單元將發(fā)光二極管晶粒置于一密閉空間內，因此發(fā)光單元不需再 利用大面積且高厚度的封膠體將所述的多個發(fā)光二極管晶粒整個包 覆。發(fā)光二極管晶粒少了封膠體的阻隔后，其散熱路徑除經由下方基 板作散熱外，亦可直接經由上方散熱，通過膠體或流體的熱對流效應 則更可提高所述的發(fā)光二極管晶粒的散熱效果。并可避免發(fā)光二極管 晶粒與基板間連接的導線受拉扯或擠壓而產生變形或斷裂的情形。另 外，通過殼體可保護發(fā)光二極管晶粒不受水氣或灰塵等外界環(huán)境因素 的影響。又，本發(fā)明的發(fā)光單元仍可利用部分覆蓋單顆發(fā)光二極管晶 粒的封膠體作為提高發(fā)光二極管晶粒的出光效率及出光范圍的功能。另外，本發(fā)明的發(fā)光單元更可包含一反射層及一螢光轉換材料。 設置有反射層的透光殼體上除可增加固定方向的出光效率外，并可使 多個發(fā)光二極管晶粒所發(fā)出的光線先于透光殼體內進行混光，以使發(fā) 光單元能發(fā)出均勻的線光源。而螢光轉換材料則可用以改變發(fā)光單元 的出光顏色，以增加發(fā)光單元的應用范圍。


圖1為一種現(xiàn)有的發(fā)光單元示意圖； 圖2為本發(fā)明第一實施例的一種發(fā)光單元示意圖； 圖3為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光單元另一變化態(tài)樣示意圖； 圖4為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光單元又一變化態(tài)樣示意圖； 圖5A為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元示意圖，圖5B為沿圖5A 中的A-A直線的發(fā)光單元剖面圖6A及圖6B為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的一變化態(tài)樣示意
圖7為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的另一變化態(tài)樣示意圖8為本發(fā)明的反射層設置于基板上的變化態(tài)樣示意圖9為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的又一變化態(tài)樣示意圖IOA及圖IOB為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元示意圖11為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元的變化態(tài)樣示意圖12為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元的另一變化態(tài)樣示意圖。
圖中符號說明
1、 2、 2A、 3、 4、 5發(fā)光單元
11、 22、 22A、 32、 42基板
12、 23、 33、 43、 53發(fā)光二極管晶粒
13、 26封膠體
14、 L反射殼體
21、 21A、 31透光殼體
211、 211A、 311、 411、 511密閉空間24、 34、 44、 54流體
25、 45連接電極
412、 413殼體元件
51、 51A中空殼體
37、 37A 37D、 47反射層
371開口部
38、 48螢光轉換材料
A-A直線
S透鏡結構
T螢光體膠帶
Tl黏著層
T2螢光層
W導線
具體實施例方式
以下將參照相關附圖，說明依據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元及其制造 方法，其中相同元件以相同標號表示。
第一實施例
請參照圖2所示，本發(fā)明第一實施例的一種發(fā)光單元2具有一密 閉空間211,發(fā)光單元2包含至少一基板22、多個發(fā)光二極管晶粒23 及一膠體或一流體24，其中膠體例如為液態(tài)膠體或彈性膠體，而流體 24例如為油質流體。另外，于本實施例中，發(fā)光單元2更包含一透光 殼體21。
透光殼體21可具有一透光部及一非透光部，意即透光殼體21可 部分透光、部分不透光，當然，透光殼體21亦可全部透光。其中，透 光部的材質例如為高分子聚合材料、玻璃或石英的至少其中之一，而 非透光部的材質例如為高分子聚合材料、陶瓷，或金屬的至少其中之 一。于本實施例中，透光殼體21以透明高分子聚合材料為例作說明，而高分子聚合材料選自聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚碳酸酯 (polycarbonate, PC)、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯樹脂(methylstyrene, MS)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)或丙烯晴 -丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)至少其中之一。 另外，若透光殼體21為金屬材質，則于發(fā)光二極管晶粒23的出光面 具有一開口，以使光線射出。由于金屬本身具有的高反射率、良好的 散熱效果及容易加工成型等優(yōu)點，由此可增加發(fā)光單元2的應用范圍。
利用高分子聚合材料的透光殼體21，其亦可摻雜多個散射體 (scattering center)，'以增加光擴散的效果。其中，散射體例如為散射 粒子或散射氣泡，而散射粒子的材料可利用與透光殼體21的折射率不 同的有機散射粒子或無機散射粒子，例如硫酸鋇(BaS04) 、 二氧化硅 (Si02)或氧化鋁(A1203)等。
基板22例如為一玻璃基板、 一樹脂基板、 一陶瓷基板或一金屬基 板，其并可與透光殼體21形成密閉空間211。
所述的發(fā)光二極管晶粒23可為一維排列、二維排列或陣列排列設 置于基板22之上，且發(fā)光二極管晶粒23可利用倒裝接合(flip-chip) 或打線接合(wire-bonding)方式與基板22電性連接，其中至少二發(fā)光 二極管晶粒23為電性串聯(lián)或電性并聯(lián)。于本實施例中，所述的發(fā)光二 極管晶粒23以二維排列打線接合方式設置于基板22。
發(fā)光二極管晶粒23的發(fā)射光譜例如為可見光范圍及/或紫外光范 圍，其中所述的發(fā)光二極管晶粒23的發(fā)射光譜若為可見光范圍，則發(fā) 光二極管晶粒23可選自紅光發(fā)光二極管晶粒、綠光發(fā)光二極管晶粒、 藍光發(fā)光二極管晶粒及其組合所構成的群組。
膠體或流體24充填于密閉空間211內，且膠體或流體24的折射 率大于1.3。另外，當透光殼體21的表面為曲面時，膠體或流體24的折射率可大于或等于透光殼體21，由此可造成集光的功能，使透光殼 體21的出光面形成類似凸透鏡的效果。
本實施例中，發(fā)光單元2更包含至少二連接電極25。所述的連接 電極25與發(fā)光二極管晶粒23電性連接，且連接電極25可設置于基板 22的一端或是分別設置于基板22的兩端。其中，連接電極25設置于 透光殼體21的外部。在本實施例中，所述的連接電極25以設置于基 板22的一端為例。
承上所述，由于所述的發(fā)光二極管晶粒23位于透光殼體21的密 閉空間211，因此，本實施例的發(fā)光單元2不需再利用大面積且高厚度 的封膠體來包覆發(fā)光二極管晶粒23。發(fā)光二極管晶粒23少了封膠體的 阻隔后，其散熱路徑除經由下方基板22作散熱外，亦可直接經由上方 散熱，通過液態(tài)膠體、彈性膠體或油質流體的熱對流效應則更可提高 所述的發(fā)光二極管晶粒23的散熱效果。另外，通過透光殼體21可保 護發(fā)光二極管晶粒23不受水氣或灰塵等外界環(huán)境因素的影響，并可避 免發(fā)光二極管晶粒23與基板22間連接的導線，受拉扯或擠壓而產生 變形或斷裂的情形。
另外，請參照圖3所示，發(fā)光單元2A亦可利用直條型基板22A 與透光殼體21A,由此即可設置更多的發(fā)光二極管晶粒23于基板22A 上，以增加應用范圍。其中密閉空間211A中亦充填膠體或流體24。
本實施例的發(fā)光單元亦可利用部分覆蓋單顆發(fā)光二極管晶粒的封 膠體作為提高發(fā)光二極管晶粒的出光效率及出光范圍的功能。請參照 圖4所示，發(fā)光單元2更包含至少一封膠體26，其覆蓋所述的發(fā)光二 極管晶粒23的至少其中之一的至少一部分面積，意即，封膠體26并 未完全包覆發(fā)光二極管晶粒23。其中，封膠體26可覆蓋發(fā)光二極管晶 粒23的出光面，或覆蓋發(fā)光二極管晶粒23與至少一導線W的接觸點， 且封膠體26未完全覆蓋導線W。封膠體26可為一多層折射率材料結構，其材料特性為隨著與各發(fā) 光二極管晶粒23的距離由近到遠，材料的折射率由大至小作排列。因 此，通過封膠體26多層折射率材料結構的特性，即可避免所述的發(fā)光 二極管晶粒23接口之間容易發(fā)生全反射所導致的出光效率下降，進而 使發(fā)光單元2的出光效率提高。
第二實施例
請同時參照圖5A及圖5B所示，其中圖5B為沿圖5A中的A-A 直線的發(fā)光單元3剖面圖，本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元3與第一實 施例的差異在于發(fā)光單元3更包含一反射部及至少一螢光轉換材料 38。其中，反射部可以為透光殼體31的一部分，或是如本實施例所述 外加一反射層37。
反射層37設置于透光殼體31的外表面，其并具有至少一開口部 371，且開口部371對應于所述的發(fā)光二極管晶粒33的一出光面。反 射層37的材料選自反射頻譜為紫外光波段(200-400nm)、可見光藍 光波段(400-480nm)或可見光全波段(400-780nm)其中之一，且其 反射率至少大于50%以上。另外，反射層37亦可利用氧化鋁(A1203)、 二氧化鈦(Ti02)或硫酸鋇(BaS04)等材料以涂布或印刷來形成于透 光殼體31的外表面，或將上述材料加入塑料材料中，再以壓出成形、 注塑成形等方式形成反射層37。又，或亦可通過一反射膜片、 一鏡片 或一多層鍍膜材料于透光殼體31的外表面來達成。
螢光轉換材料38可設置于至少部分的透光殼體31的部分外表面、 部分內表面及/或直接摻雜于透光殼體31內。于本實施例中，螢光轉換 材料38對應設置于開口部371的透光殼體31的外表面。且螢光轉換 材料38為選自一黃色螢光轉換材料、 一紅色螢光轉換材料、 一綠色螢 光轉換材料或一藍色螢光轉換材料的至少其中之一。通過反射層37的設置可集中發(fā)光單元3的出光方向，且可利用反 射層37使所述的發(fā)光二極管晶粒33發(fā)出的光線先于透光殼體31內進 行混光后再射出，以使發(fā)光單元3能發(fā)出均勻的光源。又，通過螢光 轉換材料38則可改變發(fā)光單元3的出光顏色。另外，充填于密閉空間 311的液態(tài)膠體、彈性膠體或油質流體34則同樣可用來增加所述的發(fā) 光二極管晶粒33的散熱效果。
另外，請參照圖6A所示，反射層37A亦可設置于透光殼體31的 內表面，且反射層37A亦具有開口部371，其對應于所述的發(fā)光二極 管晶粒33的出光面，而螢光轉換材料38亦可設置于對應于開口部371 的透光殼體31的內表面或外表面。于此則以設置于對應于開口部371 的透光殼體31的內表面為例作說明。又，請參照圖6B所示，亦可同 時于透光殼體31的內表面及外表面設置反射層37B及反射層37C。需 注意的是，設置于透光殼體31的內表面及外表面的反射層37B及反射 層37C為錯位設置，但應避免覆蓋住出光用的開口部371。
請參照圖7所示，螢光轉換材料亦可改以利用一螢光體膠帶 (phosphor tape) T來取代，螢光體膠帶T設置于至少部分的透光殼體 31的外表面及/或內表面，于此螢光體膠帶T是以熟貼設置于透光管體 31的外表面為例作說明。螢光體膠帶T例如具有一黏著層Tl及一螢 光層T2,螢光層T2中則摻雜有螢光體，以改變出光顏色。其中需注 意的是，螢光體膠帶T依不同的需求可有不同的組成。
另外，上述的反射層是以設置于透光殼體為例說明，然而，反射 層亦可設置于基板的表面。請參照圖8所示，基板32的一表面設置有 多個發(fā)光二極管晶粒33，而與上述實施例相同，發(fā)光二極管晶粒33可 以倒裝接合或打線接合于基板32之上，于此以倒裝接合為例。 一反射 層37D設置基板32上的所述的發(fā)光二極管晶粒33的周圍。利用反射 層37D將由發(fā)光二極管晶粒33所射至基板32的光線反射，由此可增 加所述的發(fā)光二極管晶粒33所發(fā)出光線的利用率。其中若基板32為透明基板，則反射層37D亦可設置于與發(fā)光二極管晶粒33相對的另一 表面。反射層37D的材質與上述實施例中的反射層的材質相同，于此 不再贅述。
另外，請參照圖9所示，基板32上所述的發(fā)光二極管晶粒33周 邊亦可設置有一反射殼體(lamp house) L，由此可用以反射集中發(fā)光 二極管晶粒33的出光方向。
第三實施例
請同時參照囪IOX及圖IOB所示，本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元 4與第一實施例的差異在于發(fā)光單元4的密閉空間411由二殼體元件 412、 413所構成?；?2的上設置有多個發(fā)光二極管晶粒43及二連 接電極45,所述的發(fā)光二極管晶粒43以二維方式排列，基板42夾置 于二殼體元件412、 413之間。其中， 一反射層47可設置或形成于基 板42之上，另外，反射層47亦可設置于所述的殼體元件412、 413至 少其中之一的部分外表面及/或部分內表面，而一螢光轉換材料48則可 設置或形成于殼體元件412、 413至少其中之一，于本實施例以設置于 殼體元件412為例，然其非限制性，其變化態(tài)樣亦可參照上述實施例， 當然螢光轉換材料亦可改以利用螢光體膠帶來取代。另外，殼體元件 412、 413的至少其中之一可具有一反射部及一透光部。
殼體元件412、 413亦可部分透光、部分不透光，亦可全部透光， 例如于基板42下的殼體元件413可為不透光，然其非用以限制本發(fā)明。 又，殼體元件412、 413的至少其中之一可具有多個散射體，散射體的 材質已于第一實施例中詳述，于此不再贅述。
所述的殼體元件412、 413在對應設置后，利用膠合或熔合等方式 結合，以形成密閉空間411。其中，膠合方式包含封膠后紫外光固化、 封膠后熱固化或封膠后自然干燥等。另外，所述的殼體元件412、 413 亦可先以鎖合或卡合結合后，再以膠合或熔合方式作結合。同樣的，密閉空間411內充填液態(tài)膠體、彈性膠體或油質流體44，由于液態(tài)膠 體、彈性膠體或油質流體44的性質已于第一實施例中詳述，于此不再 贅述。
另外，請參照圖11所示，發(fā)光單元5的密閉空間511亦可由一中 空殼體51所形成。其中，中空殼體51可具有一反射部，中空殼體51 可部分透光、部分不透光，亦可全部透光。中空殼體51亦可具有一反 射層及一螢光轉換材料，設置于部分的中空殼體51的一外表面及/或一 內表面，當然螢光轉換材料亦可改以利用螢光體膠帶來取代。另外， 中空殼體51的截面形狀非限制性，其例如可為圓形、橢圓形、三角形、 四邊形、多邊形或不規(guī)則形，依不同的設計可有不同的變化態(tài)樣，且 中空殼體51可與前述實施例相同具有多個散射體。密閉空間511內則 同樣可充填液態(tài)膠體、彈性膠體或油質流體54來增加所述的發(fā)光二極 管晶粒53的散熱效果。
另外，請參照圖12所示，若于所述的發(fā)光二極管晶粒53出光面 上的殼體形狀為三角形、四邊形、多邊形或不規(guī)則形等，則對應各發(fā) 光二極管晶粒53上的殼體的外表面或內表面可具有一透鏡結構S，通 過透鏡結構S以使發(fā)光二極管晶粒53所發(fā)出的光產生聚光或散光的效 果。于此以透鏡結構S設置于中空殼體51A的外表面為例作說明，然 其非限制性。
綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元將發(fā)光二極管晶粒置于 一密閉空間內，因此發(fā)光單元不需再利用大面積且高厚度的封膠體將 所述的多個發(fā)光二極管晶粒整個包覆。發(fā)光二極管晶粒少了封膠體的 阻隔后，其散熱路徑除經由下方基板作散熱外，亦可直接經由上方散 熱，通過液態(tài)膠體、彈性膠體或油質流體的熱對流效應則更可提高所 述的發(fā)光二極管晶粒的散熱效果。另外，通過殼體可保護發(fā)光二極管 晶粒不受水氣或灰塵等外界環(huán)境因素的影響，并可避免發(fā)光二極管晶 粒與基板間連接的導線受拉扯或擠壓而產生變形或斷裂的情形。又，本發(fā)明的發(fā)光單元亦可利用部分覆蓋單顆發(fā)光二極管晶粒的封膠體作 為提高發(fā)光二極管晶粒的出光效率及出光范圍的功能。
另外，本發(fā)明的發(fā)光單元更可包含一反射層及一螢光轉換材料。 設置有反射層的透光殼體上除可增加固定方向的出光效率外，并可使 多個發(fā)光二極管晶粒所發(fā)出的光線先于透光殼體內進行混光后射出。 而螢光轉換材料則可用以改變發(fā)光單元的出光顏色，以增加發(fā)光單元 的應用范圍。螢光轉換材料更可改以利用螢光體膠帶來取代，來增加 制程效率及產品可靠度。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神 與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于權利要求書的范 圍中。
權利要求
1. 一種發(fā)光單元，具有一密閉空間，其特征在于，包含至少一基板；多個發(fā)光二極管晶粒，設置于該基板之上，并位于該密閉空間，其中所述的發(fā)光二極管晶粒至少其中之二為電性串聯(lián)或電性并聯(lián)；以及一膠體或一流體，充填于該密閉空間。
2. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，所述的發(fā)光二極'管晶'粒 為一維排列、二維排列或陣列排列設置于該基板。
3. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含一透光殼體，其與該基板結合形成該密閉空間。
4. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，該透光殼體具有多個透 鏡結構，其分別對應各發(fā)光二極管晶粒。
5. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，該透光殼體具有一反射部。
6. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含一反射層，設置于部分的該透光殼體的一外表面及/或一內表面。
7. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光轉換材料，設置于該透光殼體的至少部分的外表面及/ 或至少部分的內表面及/或摻雜于該透光殼體。
8. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光體膠帶，設置于該透光殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內表面。
9. 如權利要求1所述的發(fā)光單元，其中，更包含-至少二殼體元件，其中該密閉空間形成于所述的殼體元件之間。
10. 如權利要求9所述的發(fā)光單元，其中，所述的殼體元件的至 少其中之一具有一透光部。
11. 如權利要求IO所述的發(fā)光單元，其中，該透光部具有多個透鏡結構，其分別對應各發(fā)光二極管晶粒。
12. 如權利要求9所述的發(fā)光單元，其中，所述的殼體元件的至 少其中之一具有一反射部。
13. 如權利要求9所述的發(fā)光單元，其中，更包含-一反射層，設置于所述的殼體元件的至少其中之一的部分外表面及/或部分內表面。
14. 如權利要求9所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少一螢光轉換材料，設置于所述的殼體元件的至少其中之一的部分外表面及/或部分內表面及/或摻雜于所述的殼體元件。
15. 如權利要求9所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光體膠帶，設置于所述的殼體元件的至少其中之一的部 分外表面及/或部分內表面。
16. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含一中空殼體，其中該密閉空間形成于該中空殼體中。
17. 如權利要求16所述的發(fā)光單元，其中，該中空殼體具有多個透鏡結構，其分別對應各發(fā)光二極管晶粒。
18. 如權利要求16所述的發(fā)光單元，其中，該中空殼體具有一反 射部。
19. 如權利要求16所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一反射層，設置于部分的該中空殼體的一外表面及/或一內表面。
20. 如權利要求16所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光轉換材料，設置于該中空殼體的至少部分的外表面及/ 或至少部分的內表面及/或摻雜于該中空殼體。
21. 如權利要求16所述的發(fā)光單元，其中，更包含-至少一螢光體膠帶，設置于該中空殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內表面。
22. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含一反射層，設置于該基板。
23. 如權利要求1所述的發(fā)光單元，其中，該膠體或該流體的折 射率大于1.3。
24. 如權利要求1所述的發(fā)光單元，其中，所述的發(fā)光二極管晶 粒的發(fā)射光譜包含可見光范圍及/或紫外光范圍。
25. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一螢光轉換材料，摻雜于該膠體或該流體內。
26. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少一封膠體，其覆蓋所述的發(fā)光二極管晶粒的至少其中之一的至少一部分面積。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元，具有一密閉空間，發(fā)光單元包含至少一基板、多個發(fā)光二極管晶粒及一膠體或一流體。所述的發(fā)光二極管晶粒設置于基板的上，并位于密閉空間，其中所述的發(fā)光二極管晶粒的至少其中之二為電性串聯(lián)或電性并聯(lián)。膠體或流體充填于密閉空間。
文檔編號H01L25/00GK101452921SQ20081008047
公開日2009年6月10日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權日2007年12月6日
發(fā)明者薩文志 申請人:啟萌科技有限公司