專利名稱：發(fā)光單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元，特別是關于一種具有密閉空間的發(fā)光 單元。
背景技術：
由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有高亮度及省電 等優(yōu)點，因此，隨著發(fā)光二極管的技術逐漸成熟，其應用領域也越來 越廣泛，例如光源及背光源。
請參照圖l所示， 一種現(xiàn)有的發(fā)光單元l包含一基板ll、 一發(fā)光 二極管晶粒12、 一封膠體13及一反射殼體(lamp house)14。其中，發(fā) 光二極管晶粒12設置于基板11上，并利用打線接合(wire bonding) 的方式與基板11電性連接。封膠體13為透光材料，并用以保護發(fā)光 二極管晶粒12。反射殼體14則利用反射集中發(fā)光二極管的出光方向。
在現(xiàn)有技術中，當發(fā)光二極管晶粒12發(fā)光時，其會產(chǎn)生大量的熱 能，且發(fā)光二極管晶粒12、固化后的封膠體13、基板11及反射殼體 14四者的材質(zhì)的熱膨脹程度并不相同，因此將會造成夾置于發(fā)光二極 管晶粒12、封膠體13、基板11及反射殼體14之間的導線W，受到擠 壓或拉扯而產(chǎn)生變形或斷裂，進而可能造成發(fā)光二極管晶粒12無法發(fā) 光的情形，也會使得發(fā)光單元1產(chǎn)生缺陷。其中，熱膨脹程度不同所 造成的影響，尤其是在具有大面積封膠體的發(fā)光單元中更為嚴重。
另外，現(xiàn)有技術架構亦不能改善發(fā)光二極管散熱的問題。溫度最 高的PN界面(junction)仍包覆在高厚度的封膠體之中，因此只能通 過熱傳導方式將熱導引至基板。因此，如何提供一種能避免發(fā)光二極管晶粒的導線因殼體、封膠 體、發(fā)光二極管晶粒與基板四者之間熱膨脹程度不同而產(chǎn)生斷裂的發(fā) 光單元，以及能夠改善散熱的發(fā)光單元，已成為重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足與缺陷， 提出一種能避免發(fā)光二極管晶粒的導線因殼體、封膠體、發(fā)光二極管 晶粒與基板之間材質(zhì)熱膨脹程度不同而產(chǎn)生斷裂的發(fā)光單元。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光單元，包含一基板、至少一 發(fā)光二極管晶粒、至少一導線及至少一封膠體。發(fā)光二極管晶粒以一 黏著材料設置于基板。導線一第一端連接于發(fā)光二極管晶粒， 一第二 端連接于基板，第二端與發(fā)光二極管晶粒的中心點具有一第一距離， 且導線的最高點與基板具有一第二距離。封膠體至少覆蓋部分的發(fā)光 二極管晶粒，且封膠體與發(fā)光二極管晶粒的體積和小于由第一距離與 第二距離形成之一圓柱體的體積，其中第一距離為圓柱體的半徑。
為達上述目的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光單元，包含一基板、至少 一發(fā)光二極管晶粒、至少一封膠體及至少一導線。發(fā)光二極管晶粒以 一黏著材料設置于基板，封膠體至少覆蓋發(fā)光二極管晶粒之一部分面 積。導線一第一端連接于發(fā)光二極管晶粒， 一第二端連接于基板且至 少一部分導線外露于封膠體。
承上所述，本發(fā)明具有以下有益技術效果因依據(jù)本發(fā)明之一種 發(fā)光單元的體積厚度遠小于現(xiàn)有技術，由此可避免發(fā)光二極管晶粒與
基板間連接的導線受拉扯或擠壓而產(chǎn)生變形或斷裂的情形。另外，封 膠體的厚度減少后，發(fā)光二極管晶粒的散熱路徑除經(jīng)由下方基板作散 熱外，亦可直接經(jīng)由上方散熱。


圖1為一種現(xiàn)有的發(fā)光單元示意圖2A為本發(fā)明第一實施例的一種發(fā)光單元示意圖，圖2B為沿圖 2A中的A-A直線的剖面圖3A及圖3B為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光單元的變化態(tài)樣示意
圖4A為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元示意圖，圖4B為沿圖4A 中的A-A直線的發(fā)光單元剖面圖5A及圖5B為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的一變化態(tài)樣示意
圖6為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的另一變化態(tài)樣示意圖； 圖7為本發(fā)明的反射層設置于基板上的變化態(tài)樣示意圖； 圖8為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元的又一變化態(tài)樣示意圖； 圖9A及圖9B為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元的示意圖； 圖IO為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元另一變化態(tài)樣示意圖； 圖11為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元的又一變化態(tài)樣示意圖。
圖中符號說明
I、 2、 3、 4、 5 發(fā)光單元
II、 22、 32、 42 基板
12、 23、 33、 43、 53 發(fā)光二極管晶粒
13、 25、 25A、 25B、 45、 55 封膠體
14、 L 反射殼體 21、 31 透光殼體 211、 411、 511 密閉空間 231 中心點 24、 W 導線
241 第一端
242 第二端 26、 46 連接電極37、 37A 37D、 47反射層
371開口部
38、 48螢光轉換層
412、 413殼體元件
51、 51A中空殼體
A-A、 B-B直線
C圓柱體
Dl第一距離
D2第二距離
H最高點
S透鏡結構
T螢光體膠帶
Tl黏著層
T2螢光層
具體實施例方式
以下將參照相關附圖，說明依據(jù)本發(fā)明之一種發(fā)光單元，其中相 同元件以相同標號表示。
第一實施例
請同時參照圖2A及圖2B所示，其中圖2B為發(fā)光單元2沿圖2A 中的A-A直線的剖面圖。本發(fā)明第一實施例之一種發(fā)光單元2包含一 基板22、至少一發(fā)光二極管晶粒23、至少一導線24及至少一封膠體 25。其中本實施例以二導線24為例作說明。另外，于本實施例中，發(fā) 光單元2更包含一透光殼體21。
透光殼體21可具有一透光部及一非透光部，意即透光殼體21可 部分透光、部分不透光，當然透光殼體21亦可全部透光。其中，透光 殼體21的透光部的材質(zhì)例如為高分子聚合材料、玻璃或石英的至少其 中之一，而非透光部的材質(zhì)例如為高分子聚合材料、陶瓷或金屬的至少其中之一。于本實施例中，透光殼體21以透明高分子聚合材料為例
作說明，而高分子聚合材料選自聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚碳酸 酯(polycarbonate, PC)、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯樹脂(methylstyrene, MS)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)或丙烯晴 -丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene,ABS)至少其中之一。 另外，若透光殼體21的材質(zhì)為金屬，則于發(fā)光二極管晶粒23的出光 面具有一開口，其為透光部，以使光線射出。由于金屬本身具有高反 射率、良好的散熱效果及容易加工成型等優(yōu)點，由此可增加發(fā)光單元2 的應用范圍。
再者，利用高分子聚合材料的透光殼體21，其亦可摻雜多個散射 體(scattering center)，以增加光擴散的效果。其中，散射體例如為散 射粒子或散射氣泡，而散射粒子的材料可利用與透光殼體21的折射率 不同的有機散射粒子或無機散射粒子，例如氧化鋁(A1203)、硫酸鋇 (BaS04)或二氧化硅(Si02)等。
基板22例如為一玻璃基板、 一樹脂基板、 一陶瓷基板或一金屬基 板，其并與透光殼體21形成一密閉空間211。其中，密閉空間211可 為真空或充填有氣體，例如充填氮氣或惰氣(inert gas)。另外，密閉 空間211亦可充填一膠體或一流體，其中膠體例如為液態(tài)膠體或彈性 膠體，而流體例如為油質(zhì)流體，且液態(tài)膠體、彈性膠體或油質(zhì)流體的 折射率大于1.3。另外，當透光殼體21的表面為曲面時，液態(tài)膠體、 彈性膠體或油質(zhì)流體的折射率可大于或等于透光殼體21，由此可造成 集光的功能，使透光殼體21的出光面形成類似凸透鏡的效果。
發(fā)光二極管晶粒23以一黏著材料設置于基板22。發(fā)光二極管晶粒 23的發(fā)射光譜例如為可見光范圍及/或紫外光范圍，其中所述的發(fā)光二 極管晶粒23的發(fā)射光譜若為可見光范圍，則發(fā)光二極管晶粒23可選 自紅光發(fā)光二極管晶粒、綠光發(fā)光二極管晶粒、藍光發(fā)光二極管晶粒 及其組合所構成的群組。請參照圖2B所示，導線24的一第一端241連接于發(fā)光二極管晶 粒23，而導線24的一第二端242連接于基板22。其中導線24的第二 端242與發(fā)光二極管晶粒23的中心點231具有一第一距離Dl，且導線 24的最高點H與基板22具有一第二距離D2。其中，需注意的是，發(fā) 光二極管晶粒23的中心點231是指發(fā)光二極管晶粒23與基板22接合 面的幾何中心點。
請再同時參照圖2A及圖2B所示，封膠體25至少覆蓋部分的發(fā) 光二極管晶粒23，且封膠體25與發(fā)光二極管晶粒23的總體積小于由 第一距離Dl與第二距離D2形成的一圓柱體C的體積，其中第一距離 D1為圓柱體C的半徑，而第二距離D2則為圓柱體C的高。于本實施 例中，以封膠體25完全覆蓋發(fā)光二極管晶粒23及導線24為例作說明。 封膠體25可為一多層折射率材料結構，其材料特性為隨著與各發(fā)光二 極管晶粒23的距離由近到遠，材料的折射率由大至小作排列。因此， 通過封膠體25多層折射率材料結構的特性，即可增加所述的發(fā)光二極 管晶粒23的出光范圍，進而使發(fā)光單元2的出光更為均勻。
另外，請參照圖3A所示，封膠體25A亦可延設至導線24與基板 22之間。另外，請參照圖3B所示，至少部分的導線24亦可外露于封 膠體25B。
請再參照圖2A所示，本實施例中，發(fā)光單元2更包含至少二連接 電極26。所述的連接電極26與發(fā)光二極管晶粒23電性連接，且連接 電極26可設置于基板22的一端、分別設置于基板22的兩端或是設置 于基板22上的任何位置。其中，連接電極26設置至透光殼體21的外 部。在本實施例中，所述的連接電極26以設置于基板22的一端為例。
承上所述，由于發(fā)光二極管晶粒23位于透光殼體21的密閉空間 211內(nèi)，由此透光殼體21即可保護發(fā)光二極管晶粒23不受水氣或灰塵等外界環(huán)境因素的影響。因此，本實施例的發(fā)光單元2的封膠體25僅
作為提高發(fā)光二極管晶粒23的出光效率及出光范圍的功能。由于封膠 體25的體積厚度遠小于現(xiàn)有技術的封膠體的體積厚度，由此可避免發(fā) 光二極管晶粒23與基板22間連接的導線24，受拉扯或擠壓而產(chǎn)生變 形或斷裂的情形。另外，封膠體25的厚度減少后，發(fā)光二極管晶粒23 的散熱路徑除經(jīng)由下方基板22作散熱外，亦可直接經(jīng)由上方散熱，又 若于密閉空間211內(nèi)充填氣體、液態(tài)膠體、彈性膠體或油質(zhì)流體等， 通過其熱對流效應則更可提高發(fā)光二極管晶粒23的散熱效果。
第二實施例
請同時參照圖4A及圖4B所示，其中圖4B為沿圖4A中的B-B 直線的發(fā)光單元3剖面圖，本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元3與第一實 施例的差異在于發(fā)光單元3更包含一反射部及至少一螢光轉換層38。 其中，反射部可以為透光殼體31的一部分，或是如本實施例所述外加 一反射層37。
反射層37設置于透光殼體31的外表面，其并具有至少一開口部 371，且開口部371對應于所述的發(fā)光二極管晶粒33的一出光面。反 射層37的材料選自反射頻譜為紫外光波段(200-400mn)、可見光藍 光波段(400-480nm)或可見光全波段(400-780nm)其中之一，且其 反射率至少大于50%以上。另外，反射層37亦可利用二氧化鈦(Ti02)、 硫酸鋇(BaS04)或氧化鋁(A1203)等材料以涂布或印刷來形成于透 光殼體31的外表面，或?qū)⑸鲜霾牧霞尤胨芰喜牧现?，再以壓出成形?注塑成形等方式形成反射層37。又，反射層37亦可通過一反射膜片、 一鏡片或一多層鍍膜材料于透光殼體31的外表面來達成。
螢光轉換層38可設置于至少部分的透光殼體31的部分外表面及/ 或部分內(nèi)表面或直接摻雜于透光殼體31內(nèi)。于本實施例中，螢光轉換 層38對應設置于開口部371的透光殼體31的外表面。且螢光轉換層 38選自一黃色螢光轉換層、 一紅色螢光轉換層、 一綠色螢光轉換層或一藍色螢光轉換層的至少其中之一。
通過反射層37的設置可集中發(fā)光單元3的出光方向，且可利用反
射層37使所述的發(fā)光二極管晶粒33發(fā)出的光線先于透光殼體31內(nèi)進 行混光后再射出。又，通過螢光轉換層38則可改變發(fā)光單元3的出光 顏色。
另外，請參照圖5A所示，反射層37A亦可設置于透光殼體31的 內(nèi)表面，且反射層37A亦具有開口部371，其對應于所述的發(fā)光二極管 晶粒33的出光面，而螢光轉換層38亦可設置于對應于開口部371的 透光殼體31的內(nèi)表面或外表面。于此以螢光轉換層38設置于對應于 開口部371的透光殼體31的內(nèi)表面為例作說明。又，請參照圖5B所 示，亦可同時于透光殼體31的內(nèi)表面及外表面設置反射層37B及反射 層37C。需注意的是，設置于透光殼體31A的內(nèi)表面及外表面的反射 層37B及反射層37C為錯位設置，但應避免覆蓋住出光用的開口部371。
請參照圖6所示，螢光轉換層亦可改以利用一螢光體膠帶 (phosphor tape) T來取代，螢光體膠帶T設置于至少部分的透光殼體 31的外表面及/或內(nèi)表面，于此螢光體膠帶T是以黏貼設置于透光殼體 31的外表面為例作說明。螢光體膠帶T例如具有一黏著層Tl及一螢光 層T2，螢光層T2中則摻雜有螢光體，以改變出光顏色。其中需注意的 是，螢光體膠帶T依不同的需求可有不同的組成。
另外，上述的反射層以設置于透光殼體為例說明，然而，反射層 亦可設置于基板的表面。請參照圖7所示，基板32的一表面設置有發(fā) 光二極管晶粒33。 一反射層37D設置于基板32上的發(fā)光二極管晶粒 33的周圍。利用反射層37D將由發(fā)光二極管晶粒33所發(fā)射至基板32 的光線反射，由此可增加所述的發(fā)光二極管晶粒33所發(fā)出光線的利用 率。其中，若基板32為透明基板，則反射層37D亦可設置于與發(fā)光二 極管晶粒33相對的另一表面。反射層37D的材質(zhì)與上述實施例中的反射層的材質(zhì)相同，于此不再贅述。
另外，請參照圖8所示，于電路基板32上的所述的發(fā)光二極管晶
粒33周邊亦可設置有一反射殼體(lamp house) L，由此可用以反射集 中發(fā)光二極管晶粒33的出光方向。
第三實施例
請同時參照圖9A及圖9B所示，本發(fā)明第三實施例的發(fā)光單元4 與第一實施例的差異在于發(fā)光單元4的密閉空間411由二殼體元件 412、 413所構成?；?2的上設置有多個發(fā)光二極管晶粒43及至少 二連接電極46。所述的發(fā)光二極管晶粒43以二維方式排列為例，然其 非限制性。封膠體45則利用與第一實施例相同的方式包覆所述的發(fā)光 二極管晶粒43。基板42夾置于二殼體元件412、 413之間。其中，一 反射層47可設置或形成于基板42之上，而一螢光轉換層48則可設置 或形成于殼體元件412，然其非限制性，其變化態(tài)樣亦可參照上述實施 例，當然螢光轉換層亦可改以利用螢光體膠帶來取代。另外，殼體元 件412、 413亦可與第一實施例相同具有一透光部及一非透光部，例如 基板42的上的殼體元件412為透光部，而基板42下的殼體元件413 為非透光部。又，殼體元件412、 413的至少其中之一可具有多個散射 體，其材質(zhì)與第一實施例中的散射體的材質(zhì)相同，于此不再贅述。
所述的殼體元件412、 413在對應設置后，可利用膠合或熔合等方 式結合，以形成密閉空間411。其中，膠合方式包含封膠后紫外光固化、 封膠后熱固化或封膠后自然干燥等。另外，所述的殼體元件412、 413 亦可先以鎖合或卡合結合后，再以膠合或熔合方式作結合。
另外，請參照圖10所示，發(fā)光單元5的密閉空間511亦可由一中 空殼體51所形成。中空殼體51亦可具有一反射層及一螢光轉換層， 設置于部分的中空殼體51的一外表面及/或一內(nèi)表面，當然螢光轉換層 亦可改以利用螢光體膠帶來取代。其中，中空殼體51的截面形狀非限制性，其例如可為圓形、橢圓形、三角形、四邊形、多邊形或不規(guī)則 形，依不同的設計可有不同的變化態(tài)樣，且中空殼體51可與前述實施
例相同具有多個散射體。封膠體55則同樣利用與第一實施例相同的方 式包覆所述的發(fā)光二極管晶粒53。
另外，請參照圖11所示，若于所述的發(fā)光二極管晶粒53出光面 上的殼體形狀為三角形、四邊形、多邊形或不規(guī)則形等，則對應各發(fā) 光二極管晶粒53上的殼體的外表面或內(nèi)表面可具有一透鏡結構S，于 此以透鏡結構S設置于中空殼體51A的外表面為例作說明，然其非限 制性。由此以使發(fā)光二極管晶粒53所發(fā)出的光產(chǎn)生聚光的效果。
綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元將發(fā)光二極管晶粒置于 一密閉空間內(nèi)，通過殼體來保護發(fā)光二極管晶粒不受水氣或灰塵等外 界環(huán)境因素的影響。因此，本發(fā)明的發(fā)光單元的封膠體作為提高發(fā)光 二極管晶粒的出光效率及出光范圍的功能。由于封膠體的體積厚度遠 小于現(xiàn)有技術，由此可避免發(fā)光二極管晶粒與基板間連接的導線，受 拉扯或擠壓而產(chǎn)生變形或斷裂的情形。另外，封膠體的厚度減少后， 發(fā)光二極管晶粒的散熱路徑除經(jīng)由下方基板作散熱外，亦可直接經(jīng)由 上方散熱，又若于密閉空間內(nèi)充填氣體、液態(tài)膠體、彈性膠體或油質(zhì) 流體等，藉其熱對流效應則更可提高發(fā)光二極管晶粒的散熱效果。
另外，本發(fā)明的發(fā)光單元更可包含一反射層及一螢光轉換層。設 置有反射層的透光殼體上除可固定出光方向外，并可使多個發(fā)光二極 管晶粒所發(fā)出的光線先于透光殼體內(nèi)進行混光。而螢光轉換層則可用 以改變發(fā)光單元的出光顏色，以增加發(fā)光單元的應用范圍。螢光轉換 層更可改以利用螢光體膠帶來取代，來增加制程效率及產(chǎn)品可靠度。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神 與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于權利要求書的范 圍中。
權利要求
1. 一種發(fā)光單元，其特征在于，包含一基板；至少一發(fā)光二極管晶粒，以一黏著材料設置于該基板；至少一導線，其一第一端連接于該發(fā)光二極管晶粒，一第二端連接于該基板，該第二端與該發(fā)光二極管晶粒的中心點具有一第一距離，且該導線的最高點與該基板具有一第二距離；以及至少一封膠體，至少覆蓋部分的該發(fā)光二極管晶粒，且該封膠體與該發(fā)光二極管晶粒的總體積小于由該第一距離與該第二距離形成的一圓柱體的體積，其中該第一距離為該圓柱體的半徑。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光單元，其中，至少部分的該導線外露 于該封膠體。
3. 如權利要求l所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一密閉空間，其中該發(fā)光二極管晶粒、該導線及該封膠體位于該密閉空間。
4. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一透光殼體，其與該基板連結以形成該密閉空間。
5. 如權利要求4所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少一螢光體膠帶，設置于該透光殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內(nèi)表面。
6. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少二殼體元件，其中該密閉空間形成于所述的殼體元件之間。
7. 如權利要求6所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光體膠帶，設置于所述的殼體元件的至少其中之一的部 分外表面及/或部分內(nèi)表面。
8. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一中空殼體，其中該密閉空間形成于該中空殼體中。
9. 如權利要求8所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少一螢光體膠帶，設置于該中空殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內(nèi)表面。
10. 如權利要求4、 6或8所述的發(fā)光單元，其中，該透光殼體、 所述的殼體元件的至少其中之一或該中空殼體具有多個散射體。
11. 如權利要求IO所述的發(fā)光單元，其中，所述的散射體為散射 粒子或散射氣泡。
12. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含一氣體，充填于該密閉空間。
13. 如權利要求12所述的發(fā)光單元，其中，該氣體為氮氣或惰氣。
14. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，該密閉空間內(nèi)為真空。
15. 如權利要求3所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一膠體或一流體，充填于該密閉空間。
16. 如權利要求1所述的發(fā)光單元，其中，該發(fā)光二極管晶粒的 發(fā)射光譜包含可見光范圍及/或紫外光范圍。
17. —種發(fā)光單元，其特征在于，包含至少一基板；至少一發(fā)光二極管晶粒，以一黏著材料設置于該基板； 至少一封膠體，其至少覆蓋該發(fā)光二極管晶粒的一部分面積；以及至少一導線，其一第一端連接于該發(fā)光二極管晶粒， 一第二端連 接于該基板，且該導線的至少一部分外露于該封膠體。
18. 如權利要求17所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一密閉空間，其中該發(fā)光二極管晶粒、該導線及該封膠體位于該密閉空間。
19. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一透光殼體，其與該基板連結以形成該密閉空間。
20. 如權利要求19所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少一螢光體膠帶，設置于該透光殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內(nèi)表面。
21. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，更包含 至少二殼體元件，其中該密閉空間形成于所述的殼體元件之間。
22. 如權利要求21所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光體膠帶，設置于所述的殼體元件的至少其中之一的部 分外表面及/或部分內(nèi)表面。
23. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，更包含一中空殼體，其中該密閉空間形成于該中空殼體中。
24. 如權利要求23所述的發(fā)光單元，其中，更包含至少一螢光體膠帶，設置于該中空殼體的至少部分的外表面及/或至少部分的內(nèi)表面。
25. 如權利要求19、 21或23所述的發(fā)光單元，其中，該透光殼 體、所述的殼體元件的至少其中之一或該中空殼體具有多個散射體。
26. 如權利要求25所述的發(fā)光單元，其中，所述的散射體為散射 粒子或散射氣泡。
27. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一氣體，充填于該密閉空間。
28. 如權利要求27所述的發(fā)光單元，其中，該氣體為氮氣或惰氣。
29. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，該密閉空間內(nèi)為真空。
30. 如權利要求18所述的發(fā)光單元，其中，更包含 一膠體或一流體，充填于該密閉空間。
31. 如權利要求17所述的發(fā)光單元，其中，該發(fā)光二極管晶粒的 發(fā)射光譜包含可見光范圍及/或紫外光范圍。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元，包含一基板、至少一發(fā)光二極管晶粒、至少一導線及至少一封膠體。發(fā)光二極管晶粒以一黏著材料設置于基板。導線之一第一端連接于發(fā)光二極管晶粒，一第二端連接于基板，第二端與發(fā)光二極管晶粒的中心點具有一第一距離，且導線的最高點與基板具有一第二距離。封膠體覆蓋至少部分的發(fā)光二極管晶粒，且封膠體與發(fā)光二極管晶粒的總體積和小于由第一距離與第二距離形成之一圓柱體的體積，其中第一距離為圓柱體的半徑。
文檔編號H01L25/00GK101452922SQ20081008047
公開日2009年6月10日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權日2007年12月6日
發(fā)明者薩文志 申請人:啟萌科技有限公司