專利名稱：電路基板、樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件、托架及檢查插座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片的電路基板、通過(guò)將安裝半導(dǎo)體芯片 的電路基板進(jìn)行單片化而形成的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件、放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件的托架、以及樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件在檢査時(shí)所使用的檢査插座。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了適應(yīng)電子設(shè)備的小型化及高功能化，越來(lái)越迫切要求半導(dǎo)體 元器件進(jìn)行高密度安裝。與之相應(yīng)，將半導(dǎo)體芯片與形成電路的基板利用澆鑄 樹(shù)脂材料封裝成一體而形成的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的小型化及薄型化得到 迅速發(fā)展，再有，為了力圖降低生產(chǎn)成本及提高生產(chǎn)率，想了各種各樣的辦法。
以下， 一面參照?qǐng)D13A及圖13B， 一面說(shuō)明以往的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。
圖13A及圖13B所示為以往的電路基板的構(gòu)成圖。 圖13A中所示的狀態(tài)是，在電路基板2上通過(guò)裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多 個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基 板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄各半導(dǎo)體芯片(未圖示)而形成樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體 器件l，通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，分割成一個(gè)個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件l。另外，電路基板2在基材2A的第l面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊的切斷區(qū)域，在基材2B 的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路的前端具有外部端子4，再在基材2A與基 材2B之間具有防止基材2A與基材2B電泄漏用的芯材2C，再在周邊具有前述 切斷區(qū)域。
這時(shí)，如圖13B所示，由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的 沖擊力5、以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而從電路基板2分割的 樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢査插座或托架(未圖示)上時(shí)所加 的沖擊力5，在電路基板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生開(kāi)口破壞部分6那樣，在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離，如果維持該狀態(tài)，則 水或濕氣等進(jìn)入開(kāi)口破壞部分6，在二次安裝時(shí)產(chǎn)牛樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1 的損壞(爆米花現(xiàn)象)或引起電短路的遷移問(wèn)題。另外，開(kāi)口破壞部分6還有可 能因沖擊力5而使開(kāi)口量增大，具有使樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1與外部端子4 之間的電導(dǎo)通產(chǎn)生短路的危險(xiǎn)性。本發(fā)明的目的在于，防止樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的電路基板內(nèi)的開(kāi)口，提 高合格率。發(fā)明內(nèi)容為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電路基板，在安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行樹(shù) 脂封裝后，在切斷區(qū)域進(jìn)行切斷，從而形成單片的多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件， 在第l基材與第2基材之間夾有芯材而形成，具有安裝前述半導(dǎo)體芯片的第 1面上的區(qū)域；形成在與前述第1面相對(duì)的成為背面的第2面上并與前述半導(dǎo) 體芯片電連接的外部端子；以及貫通前述電路基板的貫通件。另外，前述貫通件是l個(gè)或多個(gè)通路。另外，前述貫通件是在構(gòu)成前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的外周部分 附近連續(xù)形成的密封件。另外，在構(gòu)成前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各拐角部分形成前述貫 通件。另外，在構(gòu)成前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各邊部分形成前述貫通件。另外，在前述切斷區(qū)域的與前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件相鄰的邊形成前述 貫通件。另外，在構(gòu)成前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域與前述切斷區(qū)域的邊界部 分形成前述貫通件，另外，在安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行樹(shù)脂封裝后，在切斷區(qū)域進(jìn)行切斷，從而形成單片的多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，在第1基材與第2基材之間夾有芯材而形成，具有安裝前述半導(dǎo)體芯片的第l面上的區(qū)域；以及形成在與前 述第1面相對(duì)的成為背面的第2面上并與前述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，而且去除前述電路基板的一部分。另外，前述電路基板的去除，是在規(guī)定的范圍內(nèi)去除構(gòu)成前述樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件的區(qū)域的拐角部分的前述芯材及前述第1基材或前述第2基材的某一方的基材。另外，前述電路基板的去除，是將前述電路基板的端部從前述半導(dǎo)體芯片 安裝面向著前述外部端子形成面、向前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的內(nèi)側(cè)方向斜 向去除。再有，本發(fā)明的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，在前述電路基板的前述第l面上 電連接并安裝前述半導(dǎo)體芯片，在前述切斷區(qū)域進(jìn)行切斷成單片而形成。再有，本發(fā)明的托架，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件在電路基板的第1面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為前述第1面的背面的第2面上設(shè)置與前述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝前述半導(dǎo)體芯片的第l面上用樹(shù)脂封裝而構(gòu)成，通過(guò)在前述外部端子、以及前述樹(shù)脂形成 的面內(nèi)的相對(duì)的兩個(gè)面的三處保持，來(lái)放置前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。另外，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件并層疊使用，前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器 件在電路基板的第1面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為前述第1面的背面的第2面上設(shè)置與前述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝前述半導(dǎo)體芯片 的第l面上用樹(shù)脂封裝而構(gòu)成，前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的前述電路基板或 前述外部端子，用放置該樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的托架保持，并且前述樹(shù)脂的 與前述電路基板相對(duì)的面用正上方層疊的托架保持。再有，本發(fā)明的檢查插座，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，前述樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件在電路基板的第l面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為前述第1面的背面的第2面上設(shè)置與前述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝前述半 導(dǎo)體芯片的第l面上用樹(shù)脂封裝而構(gòu)成，通過(guò)在前述外部端子、以及前述樹(shù)脂 形成的面內(nèi)的相對(duì)的兩個(gè)面的三處保持，來(lái)放置前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。


圖l所示為實(shí)施例1中的在電路基板的拐角部分設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。圖2所示為實(shí)施例1中的在電路基板的周邊部分設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
圖3所示為實(shí)施例1中的在電路基板的周邊部分設(shè)置密封環(huán)的樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件圖。
圖4所示為實(shí)施例2中的在電路基板的切斷區(qū)域設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
圖5所示為實(shí)施例2中的在電路基板的切斷區(qū)域與半導(dǎo)體器件區(qū)域的邊界 設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
圖6所示為實(shí)施例2中的去除電路基板的切斷區(qū)域附近的基材及芯材的樹(shù) 脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
圖7所示為實(shí)施例2中的去除電路基板的切斷區(qū)域附近的沒(méi)有進(jìn)行樹(shù)脂澆 鑄的基材及芯材的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
圖8A所示為實(shí)施例2中的在電路基板的拐角部分去除一側(cè)的基材及芯材 的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
圖8B所示為實(shí)施例2中的在電路基板的拐角部分去除一側(cè)的基材及芯材 的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
圖9所示為實(shí)施例2中的在電路基板的拐角部分設(shè)置斜面的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
圖IO所示為實(shí)施例2中的托架或檢査插座圖。
圖U所示為實(shí)施例2中的層疊用托架圖。
圖12為實(shí)施例2中的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的制造方法的說(shuō)明圖。 圖13A所示為以往的電路基板的構(gòu)成圖。 圖13B所示為以往的電路基板的構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
以下， 一面參照附圖， 一面說(shuō)明本發(fā)明的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件及其制造 方法的實(shí)施例。 (實(shí)施例1)
圖l所示為實(shí)施例1中的在電路基板的拐角部分設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
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及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷
區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路的前端具有外部端子4， 在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏 用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò) 裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將 各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工 或金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。
圖l所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的特征為在電路基板2內(nèi)的拐角部 分配置貫通電路基板2的正反面的通路7。在圖l的例子中，表示了分別在4 個(gè)拐角部分各配置1個(gè)通路7的情況，在哪一個(gè)拐角部分配置幾個(gè)通路7是任 意的。
通過(guò)在電路基板2的拐角部分配置通路7，能夠提高拐角部分的基材與芯 材的緊密性，并能夠抑制由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖 擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而從電路基板2分割的樹(shù)脂封 裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢査插座或托架上時(shí)所加的沖擊力、而在 電路基板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生以往那樣 的開(kāi)口破壞部分6那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況。
圖2所示為實(shí)施例1中的在電路基板的周邊部分設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
在圖2中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路的前端具有外部端子4， 在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏 用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò) 裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將 各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工 或金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。圖2所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的特征為在切斷區(qū)域附近的電路基 訴？由的賴佳部公7J閣i'力都^V.配罟玄小賞誦由歐其未l5 9的7PR 而的誦S夂7
通過(guò)這樣來(lái)提高拐角部分的基材與芯材2C的緊密性。在圖2的例子中，表示 了在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的外周部分的全部邊的整個(gè)面以等間隔配置1排 通路7的情況，在哪一邊以怎樣的間隔形成幾排通路7是任意的。另外，通過(guò) 在拐角部分配置通路，雖能夠提高緊密性，但在能夠確保足夠的緊密性的情況 下，也可以采用不在拐角部分設(shè)置通路的結(jié)構(gòu)。
通過(guò)在電路基板2的周邊部分配置通路7，能夠提高電路基板2的周邊部 分的基材與芯材的緊密性，并能夠抑制由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基 板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而從電路基板2 分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢查插座或托架上時(shí)所加的 沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部分及周邊部分的電路基板2的 基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi)口破壞部 分那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況。
圖3所示為實(shí)施例1中的在電路基板的周邊部分設(shè)置密封環(huán)的樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件圖。
在圖3中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谕ㄟ^(guò)與第1面電連接的通路的通路前端具有外 部端子4，在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材 2B電泄漏用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板 2上通過(guò)裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未 圖示)將各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò) 切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。
圖3所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的特征為在電路基板2內(nèi)的拐角部 分及周邊部分配置貫通電路基板2的正反面的連續(xù)的密封環(huán)8，通過(guò)這樣來(lái)提 高拐角部分及周邊部分的基材與芯材2C的緊密性。
通過(guò)在電路基板2的周邊部分配置密封環(huán)8，能夠提高電路基板2的周邊 部分的基材與芯材的緊密性，并能夠抑制由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而從電路基板 2分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢查插座或托架上時(shí)所加 的沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部分及周邊部分的電路基板2 的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi)口破壞 部分那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況。
(實(shí)施例2)
圖4所示為實(shí)施例2中的在電路基板的切斷區(qū)域設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
在實(shí)施例2中也如圖1 圖3所示，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂?安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、和在其周邊為 了形成單片用的切斷區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谕ㄟ^(guò)與第1面電連接的通 路的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通 過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述 切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片 (未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合， 再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂 封裝型半導(dǎo)體器件1。
在圖4中，形成多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的電路基板用切割帶22粘接 固定，用切割刀21將切斷區(qū)域K進(jìn)行切斷，通過(guò)這樣進(jìn)行分割，從電路基板 分離成一個(gè)個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。
圖4所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的特征為在切斷區(qū)域K內(nèi)配置實(shí)施例 l中所示的通路或密封環(huán)。S卩，將配置在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的拐角部分或 周邊部分的通路或密封環(huán)配置在與它的區(qū)域相鄰的切斷區(qū)域K。在圖4的例子 中，作為與樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的周邊部分相鄰的區(qū)域，在與樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件相鄰的切斷區(qū)域K的周邊部分全邊配置1排通路。
通過(guò)在切斷區(qū)域K內(nèi)配置實(shí)施例1中所示的通路或密封環(huán)，能夠提高切斷 區(qū)域K內(nèi)的基材與芯材的緊密性，并能夠抑制由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì) 電路基板所加的沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的電路基板的基材與芯材之間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi)口破壞部分那樣、在電路基板內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況。再有， 由于在切斷區(qū)域K內(nèi)配置通路或密封環(huán)，因此在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件上不留 下通路或密封環(huán)的痕跡，另外，在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件內(nèi)不需要設(shè)有配置通 路或密封環(huán)的空間，能夠使樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)小型化。
圖5所示為實(shí)施例2中的在電路基板的切斷區(qū)域與半導(dǎo)體器件區(qū)域的邊界 設(shè)置通路的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
在實(shí)施例2中也如圖1 圖3所示，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂?安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊 為了形成單片用的切斷區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第l面電連接的通路 前端具有外部端子4,在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基 材2A與基材2B電泄漏用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。 在電路基板2上通過(guò)裸芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)， 利用細(xì)線(未圖示)將各半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3 澆鑄，通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件1。
在圖5中，形成多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的電路基板用切割帶22粘接 固定，用切割刀21將切斷區(qū)域K進(jìn)行切斷，通過(guò)這樣進(jìn)行分割，從電路基板 分離成一個(gè)個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。
圖5所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的特征為在切斷區(qū)域與半導(dǎo)體器件區(qū) 域的邊界配置通路或密封環(huán)。
通過(guò)在切斷區(qū)域與半導(dǎo)體器件區(qū)域的邊界配置通路或密封環(huán)，能夠提高周 邊部分的基材與芯材的緊密性，并能夠抑制由于切割加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電 路基板所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而從電路基 板分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件放置在電測(cè)定用的檢查插座或托架上時(shí)所加 的沖擊力、而產(chǎn)生的基板內(nèi)開(kāi)口破壞部分的情況，其結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。再有，由于在切斷區(qū)域與半導(dǎo)體器件區(qū)域 的邊界配置通路或密封環(huán)，因此在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件上留下的通路或密封 環(huán)的痕跡小，另外，在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件內(nèi)能夠減少配置通路或密封環(huán)的 空間，能夠使樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)小型化。圖6所示為實(shí)施例2中的去除電路基板的切斷區(qū)域附近的基材及芯材的樹(shù) 脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
在圖6中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用 的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸 芯片粘貼材料10安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片9，利用細(xì)線11將各半導(dǎo)體芯片9與電 路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，通 過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。
圖6所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的特征為在切斷區(qū)域附近去除基材 2A及芯材2C，同時(shí)使基材2B與樹(shù)脂3的緊密性比基材2A、 2B與芯材2C的緊 密性要高。由于去除切斷區(qū)域附近的基材2A及芯材2C，再有基材2B與樹(shù)脂3 的緊密性比基材2A、 2B與芯材2C的緊密性要高，因此能夠抑制由于切割加工 或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工 進(jìn)行分離而從電路基板2分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢 查插座或托架上時(shí)所加的沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部分及 周邊部分的電路基板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn) 生以往那樣的開(kāi)口破壞部分那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況，其結(jié)果， 將提高樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。還具有樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件1的外形形狀不變的優(yōu)點(diǎn)。
另外，關(guān)于基材2A及芯材2C的去除，可以在電路基板狀態(tài)下通過(guò)使用化 學(xué)材料的刻蝕加工來(lái)進(jìn)行。另外，基材2A及芯材2C的去除范圍即使到達(dá)切斷 區(qū)域，但只要基板保持剛性也沒(méi)關(guān)系。
圖7所示為實(shí)施例2中的去除電路基板的切斷區(qū)域附近的沒(méi)有進(jìn)行樹(shù)脂澆 鑄的基材及芯材的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖。
在圖7中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用 的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸 芯片粘貼材料10安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片9,利用細(xì)線11將各半導(dǎo)體芯片9與電 路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離，通 過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。
圖7所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的特征為在切斷區(qū)域附近去除基材2B 及芯材2C，同時(shí)使基材2A與樹(shù)脂3的緊密性比基材2A、 2B與芯材2C的緊密 性要高。由于去除切斷區(qū)域附近的基材2B及芯材2C，因此能夠抑制由于切割 加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模 加工進(jìn)行分離而從電路基板2分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用 的檢查插座或托架上時(shí)所加的沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部 分及周邊部分的電路基板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之 間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi)口破壞部分6那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況，其 結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。再有，由于去除 基材2B及芯材2C，因此導(dǎo)致樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)小型輕量化。
另外，關(guān)于基材2B及芯材2C的去除，可以在電路基板狀態(tài)下通過(guò)使用化 學(xué)材料的刻蝕加工來(lái)進(jìn)行。另外，基材及芯材的去除范圍即使到達(dá)切斷區(qū)域， 但只要基板保持剛性也沒(méi)關(guān)系。
圖8所示為實(shí)施例2中的在電路基板的拐角部分去除一側(cè)的基材及芯材的 樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件圖，圖8B是從底面?zhèn)葋?lái)看的平面圖，圖8A是圖8B的 點(diǎn)劃線的剖視圖。
在圖8中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用 的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸 芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將各 半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工或 金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。圖8所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的特征為去除樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件
的拐角附近的基材2A或基材2B、及芯材2C。在圖8中；表示去除基材2B及 芯材2C的情況。由于預(yù)先去除切斷區(qū)域附近的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的拐角 附近的基材2A或基材2B、及芯材2C，因此能夠抑制由于切割加工或金屬模加 工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離而 從電路基板2分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用的檢查插座或托 架上時(shí)所加的沖擊力、而在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的特別是拐角部分的電路 基板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi) 口破壞部分那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況，其結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝 型半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。再有，在拐角部分去除基材2B及芯材 2C的情況下，將導(dǎo)致樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)小型輕量化。
另外，關(guān)于基材及芯材的去除，可以在電路基板狀態(tài)下通過(guò)使用化學(xué)材料 的刻蝕加工來(lái)進(jìn)行。
圖9所示為實(shí)施例2中的在電路基板的拐角部分設(shè)置斜面的樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件圖。
在圖9中，電路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用 的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸 芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將各 半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄，通過(guò)切割加工或 金屬模加工進(jìn)行分離，通過(guò)分割來(lái)制造樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。
圖9所示的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的特征為從半導(dǎo)體芯片安裝面向著外 部端子形成面、向樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的內(nèi)側(cè)方向斜向去除。由于預(yù)先對(duì)切 斷區(qū)域附近的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的電路基板2加工成斜面TS，因此切割 加工或金屬模加工時(shí)對(duì)電路基板2所加的沖擊力以及將通過(guò)切割加工或金屬模 加工進(jìn)行分離而從電路基板2分割的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1放置在電測(cè)定用 的檢查插座或托架上時(shí)所加的沖擊力，由于電路基板2帶有傾斜TS，而使沖擊力分散，能夠抑制在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部分及周邊部分的電路基
板2的基材2A與芯材2C之間或者基材2B與芯材2C之間產(chǎn)生以往那樣的開(kāi)口 破壞部分6那樣、在電路基板2內(nèi)產(chǎn)生剝離的情況，其結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝 型半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。再有，由于將基板進(jìn)行斜面加工，因此 將導(dǎo)致樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)小型輕量化。
另外，關(guān)于基板的斜面加工，可以在樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件狀態(tài)下，利用 使切割刀的前端形成三角形狀的斜面切割加工來(lái)實(shí)施。
圖10所示為實(shí)施例2中的托架或檢查插座圖。
如圖IO所示，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的托架或進(jìn)行檢査的檢查插 座31的特征為在托架或進(jìn)行檢査的檢查插座31上與外部端子4接觸，放置 樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1，用樹(shù)脂部側(cè)面R保持前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。 前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1如圖1 圖3所示，電路基板2用切斷區(qū)域劃分、 設(shè)置多個(gè)能夠安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件區(qū)域，在基材2A的第1面?zhèn)染哂?安裝半導(dǎo)體芯片的區(qū)域及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊 為了形成單片用的切斷區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第l面電連接的通路 前端具有外部端子4，在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基 材2A與基材2B電泄漏用的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域， 在這樣的電路基板2上，安裝多個(gè)半導(dǎo)體器件，將前述切斷區(qū)域進(jìn)行切割加工 或金屬模加工而形成。
根據(jù)該托架或檢查插座31，由于不與電路基板2接觸，而用樹(shù)脂部側(cè)面R 保持樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1，因此托架或檢查插庭31不與電路基板2接觸， 對(duì)電路基板2不施加沖擊力，所以能夠抑制基板內(nèi)開(kāi)口破壞的情況，其結(jié)果， 將提高樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件l的質(zhì)量，提高生產(chǎn)率。另外，本發(fā)明中的托架 或檢查插庭31為了便于用注射成形，廉價(jià)進(jìn)行批量生產(chǎn)，也可以用分割及結(jié) 合線B將上下一分為二，進(jìn)行注射成形，然后將上下通過(guò)粘接進(jìn)行結(jié)合。
圖11所示為實(shí)施例2中的層疊用托架圖。
在圖11中，樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1如圖1 圖3所示，在用切斷區(qū)域劃 分、設(shè)置的電路基板2上形成多個(gè)能夠安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件區(qū)域，電 路基板2在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷區(qū)域，在基材2B 的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面 與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用的芯材2C進(jìn)行接 合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域，在這樣的電路基板2上，安裝半導(dǎo)體器件， 將前述切斷區(qū)域進(jìn)行切割加工或金屬模加工而形成。而且，放置樹(shù)脂封裝型半 導(dǎo)體器件1的托架32具有特征。
本實(shí)施例的托架32形成這樣的結(jié)構(gòu)，即在放置了前述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體 器件1的狀態(tài)下將托架32層疊使用，上側(cè)的托架32用限制肋條下部32B保持 安裝在下側(cè)的托架32上的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的樹(shù)脂部3的表面，下側(cè) 的托架用限制肋條上部32A保持安裝在上側(cè)的托架上的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件 1的電路基板2或外部端子4。這時(shí)，也可以不設(shè)置限制肋條上部32A，直接用 托架32的底部保持外部端子4。
根據(jù)該托架32，由于在放置的托架32彼此之間，用上側(cè)的托架32的限制 肋條下部32B保持安裝在下側(cè)的托架32上的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的樹(shù)脂 部3的表面，下側(cè)的托架32的限制肋條上部32A保持電路基板2或外部端子4， 因此能夠抑制以往那樣的基板內(nèi)開(kāi)口破壞的情況，其結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝型 半導(dǎo)體器件的合格率，提高生產(chǎn)率。
另外，本實(shí)施例的托架32為了以廉價(jià)進(jìn)行批量生產(chǎn)，可以用注射成形進(jìn) 行加工。另外，為了降低限制肋條與樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的樹(shù)脂3或電路 基板2或外部端子4的緊密性，也可以對(duì)限制肋條下部32B或限制肋條上部32A 的與樹(shù)脂3或電路基板2或外部端子4的接觸部施加氟系表面覆蓋層，作為降 低緊密性那樣的托架材料，若使用例如PC(聚碳酸酯)等，則不一定必須形成表 面覆蓋層等。
圖12為實(shí)施例2中的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的制造方法的說(shuō)明圖。 在圖12中，表示通過(guò)切割加工或金屬模加工進(jìn)行分離、而從電路基板2 分割一個(gè)個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1來(lái)進(jìn)行制造之前的電路基板2的狀態(tài)。電 路基板2如圖1 圖3所示，在基材2A的第1面?zhèn)染哂邪惭b半導(dǎo)體芯片的區(qū)域 及電連接半導(dǎo)體芯片的電極焊盤及布線、以及在其周邊為了形成單片用的切斷 區(qū)域，在基材2B的第2面?zhèn)仍谂c第1面電連接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面與基材2B的第1面之間通過(guò)抑制基材2A與基材2B電泄漏用 的芯材2C進(jìn)行接合，再在其周邊設(shè)置前述切斷區(qū)域。在電路基板2上通過(guò)裸 芯片粘貼材料(未圖示)安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片(未圖示)，利用細(xì)線(未圖示)將各 半導(dǎo)體芯片(未圖示)與電路基板2電接合，再用樹(shù)脂3澆鑄。在圖12中，形 成了樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的電路基板2用切割帶22粘接固定，用切割刀 21進(jìn)行分割，從電路基板2分離成一個(gè)個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1。這里，其 特征為在切割時(shí)，僅在切斷區(qū)域的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的拐角部分附近 降低速度，進(jìn)行切割加工。
根據(jù)本樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的制造方法，由于僅在切斷區(qū)域的樹(shù)脂封裝
型半導(dǎo)體器件1的拐角部分附降低速度，進(jìn)行切割加工，因此特別能夠抑制拐 角部分的基板內(nèi)開(kāi)口破壞的情況，其結(jié)果，將提高樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的 合格率，提高生產(chǎn)率。
另外，在本發(fā)明中，電路基板厚度約為O. l隱到O. 5mm，為了防止基材間 的電泄漏，對(duì)芯材采用玻璃布含有環(huán)氧樹(shù)脂的材料，另外，樹(shù)脂采用環(huán)氧系熱 固化性樹(shù)脂。在切割加工中，刀寬約為0. 02謹(jǐn)?shù)?.8畫(huà)，進(jìn)給速度為lmm/s到 300mra/s，轉(zhuǎn)速為5000rpm到60000rpm，可以在上述很大范圍的條件下進(jìn)行加 工。
另外，在本發(fā)明中，由于采用在開(kāi)口抑制用的通路上不附加外部端子的結(jié) 構(gòu)，因此在通路(在本發(fā)明中是銅系材料)上為了抑制氧化，最好閃鍍金，形成 覆蓋層。另外，在本發(fā)明中是采用在通路上不附加外部端子的結(jié)構(gòu)，但是即使 不與半導(dǎo)體芯片進(jìn)行電接合，而通過(guò)附加外部端子，也能夠降低二次安裝時(shí)對(duì) 樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件所施加的重復(fù)彎曲應(yīng)力。
另外，在以上的說(shuō)明中，說(shuō)明的是用細(xì)線焊接對(duì)半導(dǎo)體芯片與電路基板進(jìn) 行電連接的情況，但也可以采用通過(guò)凸點(diǎn)進(jìn)行連接的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種電路基板，其特征在于，是在安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行樹(shù)脂封裝后，在切斷區(qū)域進(jìn)行切斷，從而形成單片的多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，并且在第1基材與第2基材之間夾有芯材而形成的電路基板，具有第1面上的區(qū)域，在該區(qū)域安裝所述半導(dǎo)體芯片；形成在與所述第1面相對(duì)的成為背面的第2面上并與所述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子；以及貫通所述電路基板的貫通件。
2. 如權(quán)利要求l所述的電路基板，其特征在于， 所述貫通件是1個(gè)或多個(gè)通路。
3. 如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述貫通件是在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的外周部分附近 連續(xù)形成的密封件。
4. 如權(quán)利要求1所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各拐角部分形成所述貫通件。
5. 如權(quán)利要求2所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各拐角部分形成所述貫通件。
6. 如權(quán)利要求l所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各邊部分形成所述貫通件。
7. 如權(quán)利要求2所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各邊部分形成所述貫通件。
8. 如權(quán)利要求4所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各邊部分形成所述貫通件。
9. 如權(quán)利要求5所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域的各邊部分形成所述貫通件。
10. 如權(quán)利要求l所述的電路基板，其特征在于，在所述切斷區(qū)域的與所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件相鄰的那條邊形成所述 貫通件。
11. 如權(quán)利要求2所述的電路基板，其特征在于，在所述切斷區(qū)域的與所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件相鄰的那條邊形成所述 貫通件。
12. 如權(quán)利要求l所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域與所述切斷區(qū)域的邊界部分形 成所述貫通件。
13. 如權(quán)利要求2所述的電路基板，其特征在于，在構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的區(qū)域與所述切斷區(qū)域的邊界部分形 成所述貫通件。
14. 一種電路基板，其特征在于，是在安裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片并進(jìn)行樹(shù)脂封裝后，在切斷區(qū)域進(jìn)行切斷，從而 形成單片的多個(gè)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，并且在第1基材與第2基材之間夾有芯材而形成的電路基板， 具有第l面上的區(qū)域，在該區(qū)域安裝所述半導(dǎo)體芯片；以及形成在與所述第1面相對(duì)的成為背面的第2面上并與所述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，而且去除所述電路基板的一部分。
15. 如權(quán)利要求14所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板的去除，是指在規(guī)定的范圍內(nèi)去除構(gòu)成所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo) 體器件的區(qū)域的拐角部分的所述芯材以及去除所述第1基材或所述第2基材中 的某一方的基材。
16. 如權(quán)利要求14所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板的去除，是指將所述電路基板的端部從所述半導(dǎo)體芯片安裝 面向著所述外部端子形成面、向所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的內(nèi)側(cè)方向斜向地 進(jìn)行去除。
17. —種樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，其特征在于，是在權(quán)利要求1至16中的任一項(xiàng)所述的電路基板的所述第1面上電連接 并安裝所述半導(dǎo)體芯片，在所述切斷區(qū)域進(jìn)行切斷來(lái)形成單片而形成的樹(shù)脂封 裝型半導(dǎo)體器件。
18. —種托架，其特征在于，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，該樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件是在電路基板的第1面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為所述第1面的背面的第2面上設(shè)置與 所述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝所述半導(dǎo)體芯片的第1面上用樹(shù)脂 封裝而構(gòu)成的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，通過(guò)在所述外部端子、以及所述樹(shù)脂形成的面內(nèi)的相對(duì)的兩個(gè)面這三處進(jìn) 行保持，來(lái)放置所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。
19. 一種托架，其特征在于，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件并層疊使用，該樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件是在電 路基板的第1面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為所述第1面的背面的第2 面上設(shè)置與所述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝所述半導(dǎo)體芯片的第1 面上用樹(shù)脂封裝而構(gòu)成的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件的所述電路基板或所述外部端子，用放置該樹(shù) 脂封裝型半導(dǎo)體器件的托架保持，并且所述樹(shù)脂的與所述電路基板相對(duì)的面用 正上方層疊的托架保持。
20. —種檢査插座，其特征在于，放置樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，該樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件是在電路基板的第 1面上電連接并安裝半導(dǎo)體芯片，在成為所述第1面的背面的第2面上設(shè)置與 所述半導(dǎo)體芯片電連接的外部端子，在安裝所述半導(dǎo)體芯片的第l面上用樹(shù)脂 封裝而構(gòu)成的樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件，通過(guò)在所述外部端子、以及所述樹(shù)脂形成的面內(nèi)的相對(duì)的兩個(gè)面這三處進(jìn) 行保持，來(lái)放置所述樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種電路基板、樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件、托架及檢查插座。通過(guò)對(duì)樹(shù)脂封裝型半導(dǎo)體器件1的周圍的一部分或全部、或者電路基板2的切斷區(qū)域設(shè)置貫通電路基板2的通路7或密封環(huán)8，由于提高了電路基板2中的基材與芯材2C的緊密性，因此能夠抑制電路基板2的剝離，并能夠提高合格率。
文檔編號(hào)H01L21/673GK101308833SQ20081008106
公開(kāi)日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2008年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者內(nèi)海勝喜, 飯高正裕, 高田隆 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社