專利名稱：有源元件陣列基板、光電裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板及其制造方法，且特別涉及一種有源元件陣列 基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示器的普及化，許多電子產(chǎn)品對(duì)于液晶顯示器的顯示功能的 要求也逐漸地提高。舉例而言，例如是液晶顯示器能在室內(nèi)不僅具有良好的 畫面顯示效果，并同時(shí)能在強(qiáng)光的環(huán)境下亦需維持適當(dāng)?shù)漠嬅嫫焚|(zhì)。因此， 如何能讓液晶顯示器在強(qiáng)光的環(huán)境下保有清晰的顯示品質(zhì)，便成為了液晶顯 示器的技術(shù)發(fā)展的重要趨勢(shì)之一?；谏鲜鲈?， 一種半穿透半反射式液晶
顯示面板(transflectiveLCD)被提出。 一般來說，半穿透半反射式液晶顯示 面板主要是由有源元件陣列基板、彩色濾光基板以及液晶層所構(gòu)成。
半穿反式液晶顯示面板可同時(shí)利用背光源以及外界光源進(jìn)行顯示。其 中，有源元件陣列基板的像素單元可區(qū)分為穿透區(qū)與反射區(qū)。穿透區(qū)上具有 透明電極，以利背光源穿透，而反射區(qū)上具有適于將外界光源反射的反射電 極。
更詳細(xì)而言，已知半穿透半反射式液晶顯示面板為了使其在驅(qū)動(dòng)時(shí)具有 良好的顯示品質(zhì)，通常在制作有源陣列基板時(shí)，其制作步驟較為繁瑣。然而， 進(jìn)行光刻蝕刻工藝的次數(shù)會(huì)直接影響到整個(gè)有源元件陣列基板的制造成本 與工藝時(shí)間，因此各家制造廠商無不朝向縮減光刻蝕刻工藝的次數(shù)來發(fā)展。 為了提升產(chǎn)能(throughput)并降低制造成本，因此，應(yīng)用于半穿透半反射 式液晶顯示面板的有源元件陣列基板的已知工藝實(shí)有改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有源元件陣列基板，其具有降低導(dǎo)線跨線區(qū)域的雜散電 容以及較良好的儲(chǔ)存電容值。本發(fā)明亦提供一種有源元件陣列基板的制作方法，其制作步驟簡(jiǎn)單、且 能降低制作時(shí)間與成本。
本發(fā)明另提供一種光電裝置，其具有上述的有源元件陣列基板，而能提 供較良好的顯示品質(zhì)。
本發(fā)明亦提供一種上述光電裝置的制作方法。
本發(fā)明提出一種有源元件陣列基板，此有源元件陣列基板包括基板、多 個(gè)半導(dǎo)體圖案、柵極絕緣層、第一圖案化導(dǎo)電層、介電層、多個(gè)透明電極、 保護(hù)層以及第二圖案化導(dǎo)電層。半導(dǎo)體圖案配置于基板上。柵極絕緣層配置 于基板上以覆蓋住半導(dǎo)體圖案。第一圖案化導(dǎo)電層配置于柵極絕緣層上，且 第一圖案化導(dǎo)電層包括多條掃描線、多個(gè)位于各半導(dǎo)體圖案上方并與掃描線 連接的柵極，以及多個(gè)位于掃描線之間的共通導(dǎo)電電極。介電層配置于柵極 絕緣層上以覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電層。多個(gè)透明電極配置于介電層上。保護(hù) 層配置于介電層的部分區(qū)域上，并將透明電極暴露。柵極絕緣層、介電層與 保護(hù)層具有多個(gè)接觸窗以將部分半導(dǎo)體圖案暴露。第二圖案化導(dǎo)電層配置于 保護(hù)層上，其中第二圖案化導(dǎo)電層包括多個(gè)位于接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體、多個(gè) 與部分接觸導(dǎo)體電連接的數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的透明電極電連接的 反射電極，且共通導(dǎo)電電極的部分區(qū)域位于第二圖案化導(dǎo)電層下方。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述半導(dǎo)體圖案包括至少一個(gè) 溝道區(qū)以及至少分別位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述摻雜區(qū)包括輕慘雜區(qū)以及 重?fù)诫s區(qū)，且所述輕摻雜區(qū)連接于所述重?fù)诫s區(qū)與所述溝道區(qū)之間。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述半導(dǎo)體圖案還包括電容電 極區(qū)，所述電容電極區(qū)與其中一個(gè)重?fù)诫s區(qū)連接，且位于對(duì)應(yīng)的所述共通導(dǎo) 電電極下方。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中所述多個(gè)電容電極區(qū)包括重?fù)诫s
半導(dǎo)體及未摻雜半導(dǎo)體其中至少一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中所述保護(hù)層具有多個(gè)凹凸區(qū)域。 根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述反射電極分別對(duì)應(yīng)于所述
多個(gè)凹凸區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述反射電極分別從對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)凹凸區(qū)域延伸至對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透明電極上，以與對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透 明電極部分重疊。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，還包括多個(gè)材料圖案層，配置于所述 第二圖案化導(dǎo)電層上。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中所述多個(gè)材料圖案層配置于所述 多個(gè)數(shù)據(jù)線上。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述材料圖案層具有至少一個(gè) 支撐部以及至少一個(gè)保護(hù)部，且所述支撐部的厚度實(shí)質(zhì)上大于所述保護(hù)部。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，還包括緩沖層，其中所述緩沖層配置 于所述基板上，且位于所述基板與所述半導(dǎo)體圖案之間。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板，其中各所述透明電極延伸至所述多個(gè) 共通導(dǎo)電電極其中之一的上方以與對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極耦合成電 容器。
本發(fā)明另提出一種有源元件陣列基板的制造方法。首先，于基板上形成 多個(gè)半導(dǎo)體材料層。接著，于基板上形成柵極絕緣層，以覆蓋住半導(dǎo)體材料 層。然后，于柵極絕緣層上形成第一圖案化導(dǎo)電層，其中第一圖案化導(dǎo)電層 包括多條掃描線、多個(gè)位于各半導(dǎo)體圖案上方并與掃描線連接的柵極、以及 多個(gè)位于掃描線之間的共通導(dǎo)電電極。再來，對(duì)半導(dǎo)體材料層進(jìn)行離子摻雜， 以于半導(dǎo)體材料層中形成至少一個(gè)溝道區(qū)以及至少一個(gè)分別位于溝道區(qū)兩 側(cè)的摻雜區(qū)。接著，于柵極絕緣層上形成介電層，以覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電 層。然后，于介電層上形成多個(gè)透明電極。再則，于介電層的部分區(qū)域上形 成保護(hù)層，以將透明電極暴露，且柵極絕緣層、介電層與保護(hù)層具有多個(gè)接 觸窗以將半導(dǎo)體圖案暴露。繼之，于保護(hù)層上形成第二圖案化導(dǎo)電層，其中 第二圖案化導(dǎo)電層包括多個(gè)位于接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體、多個(gè)與部分接觸導(dǎo)體 電連接的數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的透明電極電連接的反射電極，且共 通導(dǎo)電電極的部分區(qū)域位于第二圖案化導(dǎo)電層下方。
根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板的制造方法，其中形成所述多個(gè)半導(dǎo)體 圖案的方法包括
于所述半導(dǎo)體材料層中形成多個(gè)重?fù)诫s區(qū)；以及
以所述第一圖案化導(dǎo)電層為掩模，于所述半導(dǎo)體材料層中形成溝道區(qū)以及多個(gè)分別連接于所述多個(gè)重?fù)诫s區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于各所述半導(dǎo)體圖案中形成電容電極區(qū)，其中所述電容電極區(qū)與其中一個(gè)重?fù)诫s區(qū)連接，且位于對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極下方。根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板的制造方法，其中形成所述保護(hù)層的方法包括于所述介電層上形成有機(jī)材料層；以及于所述有機(jī)材料層中形成多個(gè)開口，并于所述有機(jī)材料層的表面上形成多個(gè)凹凸區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于所述第二圖案化導(dǎo)電層上形成多個(gè)材料圖案層。根據(jù)本發(fā)明的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于所述基板上形成緩沖層，其中所述緩沖層位于所述基板與所述半導(dǎo)體圖案之間。 本發(fā)明更提出 一種光電裝置，其包括上述有源元件陣列基板。 本發(fā)明再提出一種光電裝置的制造方法，其包括上述有源元件陣列基板的制造方法。綜上所述，本發(fā)明的有源元件陣列基板可縮短原有源元件陣列基板工藝 的步驟。另外，通過介電層與保護(hù)層配置于第一圖案化導(dǎo)電層與第二圖案化 導(dǎo)電層之間，使得有源元件陣列基板被驅(qū)動(dòng)時(shí)，降低數(shù)據(jù)線及掃描線其中至 少一個(gè)與部分共通導(dǎo)電電極之間的電性耦合。此外，更可通過保護(hù)層介于透 明電極與第二圖案化導(dǎo)電層之間，亦可將低數(shù)據(jù)線與透明電極的電性耦合， 減少信號(hào)的干擾。因此，本發(fā)明的有源元件陣列基板具有較良好的顯示品質(zhì)、較佳的工藝 步驟以及較低的制作成本。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉多 個(gè)實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A為本發(fā)明的有源元件陣列基板的局部俯視示意圖。 圖1B為沿圖1A的AA'剖線所示的有源元件陣列基板的局部剖面圖。 圖1C為沿著圖1A之BB'剖線所示有源元件陣列基板的局部剖面圖。 圖1D為沿著圖1A之BB'剖線所示的有源元件陣列基板的局部剖面圖。圖1E為沿著圖1A之BB'剖線所示的有源元件陣列基板的局部剖面圖。圖2A 2L為本發(fā)明的有源元件陣列基板的制作流程示意圖。圖3為沿圖1A的AA'剖線所示的另一有源元件陣列基板的剖面示意圖。圖4所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光電裝置的示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下100、 200、 202、 300:有源元件陣列基板110、 210:基板112、 212:緩沖層120、 226:半導(dǎo)體圖案122、 226a:溝道區(qū)124、 227:摻雜區(qū)124a、 224:輕摻雜區(qū)124b、 222:重?fù)诫s區(qū)126:電容電極區(qū)130、 230:柵極絕緣層132、 272:接觸窗140、 240:第一圖案化導(dǎo)電層142:掃描線144、 244:柵極146、 246:共通導(dǎo)電電極150、 250:介電層160、 260:透明電極162、 164、 162a、 166:電容器170、 270:保護(hù)層172、 276:凹凸區(qū)域180、 280:第二圖案化導(dǎo)電層182、 282:接觸導(dǎo)體184、 284:數(shù)據(jù)線186、 286:反射電極190、 290:材料圖案層192、 294:支撐部 194、 296:保護(hù)部 220:半導(dǎo)體材料241:新光致抗蝕劑層 271:半透光掩模271a、 281a:透光區(qū) 271b、 281b:半透光區(qū) 271c、 281c:遮光區(qū) 274:開口 400:光電裝置410:液晶顯示面板 420:電子元件 hl、 h2:厚度具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖1A為本發(fā)明的有源元件陣列基板的局部俯視示意圖，圖IB為沿圖 1A的AA'剖線所示的有源元件陣列基板的局部剖面圖，而圖1C為沿著圖1A 的BB'剖線所示有源元件陣列基板的局部剖面圖。請(qǐng)先同時(shí)參考圖1A以及 圖1B，有源元件陣列基板IOO包括基板IIO、多個(gè)半導(dǎo)體圖案120、柵極絕 緣層130、第一圖案化導(dǎo)電層140、介電層150、多個(gè)透明電極160、保護(hù)層 170以及第二圖案化導(dǎo)電層180。其中上述的各層形成于基板110上以形成 多個(gè)像素區(qū)域(未示出)。再者，本發(fā)明以一個(gè)像素區(qū)域及其相鄰像素區(qū)域的 部分來說明之。由圖1B可知，半導(dǎo)體圖案120配置于基板110上。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施 例中，半導(dǎo)體圖案120包括至少一個(gè)溝道區(qū)122以及至少一個(gè)分別位于溝道 區(qū)122兩側(cè)的摻雜區(qū)124。進(jìn)一步地說，摻雜區(qū)124包括輕摻雜區(qū)124a以及 重?fù)诫s區(qū)124b。輕摻雜區(qū)124a連接于重?fù)诫s區(qū)124b與溝道區(qū)122之間。一 般而言，溝道區(qū)122可以是多結(jié)晶硅的材質(zhì)，輕摻雜區(qū)124a可以是低濃度 的P型半導(dǎo)體材質(zhì)，而重?fù)诫s區(qū)124b可以是高濃度的P型半導(dǎo)體材質(zhì)。上述僅為一舉例，并非用以限定本發(fā)明。換言之，輕摻雜區(qū)124a亦可以是低 濃度的N型半導(dǎo)體材質(zhì)，而重?fù)诫s區(qū)124b可以是高濃度的N型半導(dǎo)體材質(zhì)。 另外，在其它實(shí)施例中，輕摻雜區(qū)124a及重?fù)诫s區(qū)124b皆為對(duì)稱排列于溝 道區(qū)二側(cè)或者是輕摻雜區(qū)124a為非對(duì)稱排列于溝道區(qū)二側(cè)，而重?fù)诫s區(qū)124b 為對(duì)稱排列于溝道區(qū)二側(cè)。因此，使用何種的半導(dǎo)體材料，例如非晶硅、 單晶硅、微晶硅、或上述晶格的硅化鍺、或其它合適材質(zhì)、或上述組合，視 使用者的設(shè)計(jì)與需求，本發(fā)明并不特別限定。此外，基板110的材質(zhì)是包含 無機(jī)透明材質(zhì)(如玻璃、石英、或其它合適材料、或上述組合)、有機(jī)透 明材質(zhì)(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、聚碳酸酯類、或其它合適材料、或上述衍生物、或上述組合)、無機(jī)不透明材質(zhì)(如硅片、陶瓷、或 其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。舉例來說，基板iio是用在像素 陣列基板中做為基底之用，且以無機(jī)透明材質(zhì)的玻璃為實(shí)施范例，但不以此 為限。柵極絕緣層130配置于基板110上以覆蓋住半導(dǎo)體圖案120。另外，第 一圖案化導(dǎo)電層140配置于柵極絕緣層130上，且第一圖案化導(dǎo)電層140包 括多條掃描線142、多個(gè)位于半導(dǎo)體圖案上方并與掃描線142連接的柵極144 以及多個(gè)位于掃描線142之間的共通導(dǎo)電電極146。 一般而言，柵極絕緣層 130可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材質(zhì)、或上述之組合)、有機(jī)材 質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯(enzocyclobutane, BCB)、環(huán)烯類、聚酰亞胺 類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙垸類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、 聚酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以二氧化硅 或是氮化硅(SiN》為例，但不限于此。而第一圖案化導(dǎo)電層140可為單層或 多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是由金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、 鉭、鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述 組合。本實(shí)施例以鉬及鋁疊層為例，但不限于此。此外，介電層150配置于柵極絕緣層130上以覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電層 140，而多個(gè)透明電極160配置于介電層150上。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中， 介電層150可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材料、或上述組合)、 有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、 聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其 它合適材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以氮化硅為例，但不限于 此。此外，透明電極160可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是銦錫氧化物、 銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅 氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物、或其它合適材料、或上述組合。另夕卜，保護(hù)層170配置于介電層150的部分區(qū)域上，并將透明電極160 暴露。柵極絕緣層130、介電層150與保護(hù)層170具有多個(gè)接觸窗132以將 半導(dǎo)體圖案120暴露。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層170可為單層或多層 結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán) 氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。在本實(shí)施例中，保護(hù)層170以有機(jī)材質(zhì)的光致抗蝕劑為范 例，且亦可稱為平坦層，但不限于此。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層170 不具有多個(gè)凹凸區(qū)域172(rough and uneven region or bumpy region),艮卩其表面 可以為平坦的表面。在另一實(shí)施例中，保護(hù)層170具有多個(gè)凹凸區(qū)域172， 即保護(hù)層170表面具有多個(gè)凹凸區(qū)域172，或是部分保護(hù)層170具有多個(gè)凹 凸區(qū)域172。此外，在本實(shí)施例中，較佳地，以部分保護(hù)層170具有多個(gè)凹 凸區(qū)域172為范例，但不限于此。請(qǐng)繼續(xù)參考圖ib，第二圖案化導(dǎo)電層180配置于保護(hù)層170上。第二 圖案化導(dǎo)電層180包括多個(gè)位于接觸窗132內(nèi)的接觸導(dǎo)體182、多個(gè)與部分 接觸導(dǎo)體182電連接的數(shù)據(jù)線184以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的透明電極160電連 接的反射電極186，其中共通導(dǎo)電電極146的部分區(qū)域位于第二圖案化導(dǎo)電 層180下方。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，例如保護(hù)層170，不具有多個(gè)凹凸區(qū) 域172，即其表面可以為平坦的平面，則各反射電極186配置于于保護(hù)層170 上時(shí)，亦延伸至對(duì)應(yīng)的透明電極160上，以與對(duì)應(yīng)的透明電極160部分重疊。 亦即，反射電極186與透明電極160電連接。在另一實(shí)施例中，例如部分 保護(hù)層170具有多個(gè)凹凸區(qū)域172，則各反射電極186除了位于凹凸區(qū)域172上，各反射電極186可從凹凸區(qū)域172延伸至對(duì)應(yīng)的透明電極160上，以與 對(duì)應(yīng)的透明電極160部分重疊。此外，第二圖案化導(dǎo)電層180可為單層或多 層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是由金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、 鋁、鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述組合。 本實(shí)施例以鉬及鋁疊層為例，但不限于此。值得一提的是，有源元件陣列基板100還包括多個(gè)材料圖案層 190(material pattern layer)。材料圖案層190配置于部分第二圖案化導(dǎo)電層180 及部分保護(hù)層170其中至少一個(gè)上，且各材料圖案層190具有至少一個(gè)支撐 部192及至少一個(gè)保護(hù)部194其中至少一個(gè)。較佳地，各材料圖案層190具 有至少一個(gè)支撐部192以及至少一個(gè)保護(hù)部194，其中，支撐部192的厚度 hl實(shí)質(zhì)上大于保護(hù)部194的厚度h2。詳細(xì)的說，例如在組合顯示面板(未 示出)時(shí)，若，材料圖案層190同時(shí)具有至少一個(gè)支撐部192以及至少一個(gè)保 護(hù)部194，則支撐部192是用以維持有源元件陣列基板100之間與對(duì)應(yīng)于有 源元件陣列基板100的對(duì)向基板(未示出)的間隙(gap)，則支撐部192亦可稱 為間隙物(spacer)。而保護(hù)部194是用于保護(hù)有源元件陣列基板100上的部分 第二圖案化導(dǎo)電層180，例如是數(shù)據(jù)線184，以免受到腐蝕及/或刮傷造成第 二圖案化導(dǎo)電層180的損傷。換言之，材料圖案層190，例如配置于部分 數(shù)據(jù)線184上。材料圖案層190的材質(zhì)可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如 是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如感光材料、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙垸類、聚苯類、樹 脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以有機(jī)材質(zhì)的感光材料，如光致抗蝕劑為例，但不限于此。當(dāng)然，有源元件陣列基板100亦可不包括多個(gè)材料圖案層190。另外，有源元件陣列基板100還還包括緩沖層112。緩沖層112配置于 基板110上，且其位于基板110與半導(dǎo)體圖案120之間。其中，緩沖層112 可以防止基板110內(nèi)的雜質(zhì)在形成半導(dǎo)體圖案120時(shí)擴(kuò)散至半導(dǎo)體圖案120 內(nèi)，進(jìn)而使得有源元件陣列基板100在驅(qū)動(dòng)時(shí)的電性受到影響。本發(fā)明的緩 沖層112可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化 硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯 類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材 料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以無機(jī)材質(zhì)的氮化硅為例，但不限 于此。當(dāng)然，若基板110內(nèi)的雜質(zhì)濃度控制得宜，甚至不存在，亦可不包含 緩沖層112。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，透明電極160延伸至共通導(dǎo)電電極146其中之 一的上方以與對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電極146耦合成至少一個(gè)電容器162，亦可稱 為像素電容器。另外，請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參考圖1A以及圖1C,圖1C為沿著圖1A的BB'剖線 所示的有源元件陣列基板的局部剖面圖。在一個(gè)實(shí)施例中，于俯視圖時(shí)，數(shù) 據(jù)線184位于水平面向上或垂直面向上的二相鄰像素區(qū)域(未示出)之間，且 數(shù)據(jù)線184與保護(hù)層170覆蓋住數(shù)據(jù)線184兩側(cè)的部分透明電極160，且共 通導(dǎo)電電極146位于數(shù)據(jù)線184與部分透明電極160下，如圖1C所示。必 需說明的是，數(shù)據(jù)線184兩側(cè)的部分透明電極160位于不同的像素區(qū)域，且 二個(gè)透明電極160電性絕緣。在另一實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線184位于像素區(qū)域(未 示出)之中，且數(shù)據(jù)線184與保護(hù)層170覆蓋住數(shù)據(jù)線184兩側(cè)的部分透明電 極160，且共通導(dǎo)電電極146位于數(shù)據(jù)線184與部分透明電極160下。必需 說明的是，數(shù)據(jù)線184兩側(cè)的部分透明電極160位于相同的像素區(qū)域，且二 個(gè)透明電極160依其設(shè)計(jì)需求，可以電性絕緣或電性導(dǎo)通。其中，當(dāng)有源元 件陣列基板100被驅(qū)動(dòng)時(shí)，透明電極160與對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電極146耦合成 如上所述的電容器162。此外，數(shù)據(jù)線184與對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電極146亦耦 合成另一電容器164。特別的是，由于保護(hù)層170與介電層150配置于數(shù)據(jù) 線184與共通導(dǎo)電電極146之間，因此，使得電容器164的寄生電容值非常 小，進(jìn)而降低數(shù)據(jù)線184與共通導(dǎo)電電極146之間的電性耦合，減少信號(hào)延 遲。更甚者，因保護(hù)層170也可能覆蓋于掃描線142上，則亦使得保護(hù)層170 與介電層150配置于掃描線142與第二圖案化導(dǎo)電層(如反射電極等)之間， 因此，使得電容器164的寄生電容值非常小，進(jìn)而降低掃描線142與第二圖 案化導(dǎo)電層之間的電性耦合，減少信號(hào)延遲。此外，數(shù)據(jù)線184與其下方的 透明電極160亦耦合成另一電容器166，由于保護(hù)層170介于數(shù)據(jù)線184與 透明電極160之間，使得電容器166的寄生電容值非常小，進(jìn)而降低數(shù)據(jù)線184與透明電極160之間的電性耦合，減少信號(hào)的干擾。換言之，由上而下 結(jié)構(gòu)為數(shù)據(jù)線184、保護(hù)層170、透明電極160、介電層150、共通導(dǎo)電電極 146的結(jié)構(gòu)，具有減少電性耦合的效果，且由于共通導(dǎo)電電極146與部分透 明電極160形成的像素電容器162位于數(shù)據(jù)線184下方，可節(jié)省面積，提高 有源元件陣列基板100的開口率，提高畫面品質(zhì)。請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參考圖1A以及圖1D，圖1D為沿著圖1A的BB'剖線所示的 有源元件陣列基板的局部剖面圖。在另一實(shí)施形態(tài)中，保護(hù)層170可以是覆 蓋住位于數(shù)據(jù)線184 —側(cè)的部分透明電極160，且共通導(dǎo)電電極146位于上 述的部分透明電極160下，且亦形成電容器162、 164及166，如圖1D所示。請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參考圖1A以及圖1E，圖1E為沿著圖1A的BB'剖線所示的有 源元件陣列基板的局部剖面圖。在再一實(shí)施形態(tài)中，數(shù)據(jù)線184于保護(hù)層170 之上但并無覆蓋透明電極160，而保護(hù)層170覆蓋住位于數(shù)據(jù)線184兩側(cè)的 部分透明電極160，且共通導(dǎo)電電極146位于數(shù)據(jù)線184與部分透明電極160 下，且亦形成電容器162及164，如圖1E所示。其中，電容器162可形成至 少一個(gè)，而本發(fā)明以二個(gè)電容器162為例。另外，圖2A 2L示為本發(fā)明的有源元件陣列基板的制作流程示意圖。首 先，請(qǐng)參考圖2A，于基板210上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料層220。其中，形成多 個(gè)半導(dǎo)體材料層220的方法例如是利用傳統(tǒng)的光刻蝕刻工藝 (Photolithography and Etching Process, PEP)。舉例而言，可先在基板210上全 面形成一層半導(dǎo)體材料層(未示出)，接著，使用光刻蝕刻工藝以將半導(dǎo)體材 料層圖案化為多個(gè)半導(dǎo)體材料層220，如圖2A所示，但不限于此，亦可使 用其它適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、涂布、噴墨、能量源處理等。在 本實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料層220材質(zhì)可以是非晶硅、單晶硅、微晶硅、多晶 硅、或上述晶格的硅化鍺、或其它合適材質(zhì)、或上述組合。本實(shí)施例以多晶 硅為例，但不限于此。基板210的材質(zhì)是包含無機(jī)透明材質(zhì)(如玻璃、石英、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)透明材質(zhì)(如聚烯類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲 基丙酰酸甲酯類、聚碳酸酯類、或其它合適材質(zhì)、或上述衍生物、或上述組合)、無機(jī)不透明材質(zhì)(如硅片、陶瓷、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、 或上述組合。本實(shí)施例以無機(jī)透明材質(zhì)的玻璃為實(shí)施范例，但不以此為限。值得一提的是，本實(shí)施例可以在形成上述的半導(dǎo)體材料層220之前，先 形成緩沖層212，如圖1A所繪示。其中，緩沖層212可以避免在形成半導(dǎo) 體材料層220時(shí)基板210內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散至半導(dǎo)體材料層220內(nèi)，以污染了半 導(dǎo)體材料層220的性質(zhì)。當(dāng)然，若基板210內(nèi)的雜質(zhì)濃度控制得宜，亦可不 形成緩沖層212于形成半導(dǎo)體材料層220之前。而緩沖層212可為單層或多 層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、 氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕 劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán) 氧乙垸類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合適材料、或上述組 合)、或上述組合。本實(shí)施例以無機(jī)材質(zhì)的氮化硅為例，但不限于此。而形成 柵極絕緣層230的方法例如是使用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)，但不限于此，亦可使用其它適合的工藝的方式，如網(wǎng)版 印刷、涂布、噴墨、能量源處理等。接著，請(qǐng)參考圖2B，在基板210上形成柵極絕緣層230以覆蓋住半導(dǎo) 體材料層220。形成柵極絕緣層230的方法例如是使用化學(xué)氣相沉積法，如 圖2B所示，但不限于此，亦使用其它適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、 涂布、噴墨、能量源處理等。柵極絕緣層230可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材 質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙垸類、聚 苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組 合。本實(shí)施例以二氧化硅或是氮化硅為例，但不限于此。然后，請(qǐng)參考圖2C，于柵極絕緣層230上形成第一圖案化導(dǎo)電層240。 形成第一圖案化導(dǎo)電層240的方法例如是利用光刻蝕刻工藝。舉例而言，可 先在柵極絕緣層230上全面形成金屬材料層(未示出)，接著，使用光刻蝕刻 工藝以將金屬材料層圖案化為第一圖案化導(dǎo)電層240，如圖2C所示。此外， 第一圖案化導(dǎo)電層240包括多條掃描線242、多個(gè)位于半導(dǎo)體圖案上方并與 掃描線242連接的柵極244，以及多個(gè)位于掃描線242之間的共通導(dǎo)電電極 246。值得注意的是，完成第一圖案化導(dǎo)電層230后，先不將第一圖案化導(dǎo) 電層240上的光致抗蝕劑層241去除。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2C，接著，以光致抗蝕劑層241為掩模，對(duì)半導(dǎo)體材料 層220進(jìn)行離子摻雜以在半導(dǎo)體材料層220中形成至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222。 其中，形成重?fù)诫s區(qū)222的方式例如離子注入法(ionimplant)。本發(fā)明并不限 定重?fù)诫s區(qū)222的形成方法。接著，請(qǐng)參考圖2D，使用等離子體灰化(PlasmaAshing)方式將光致抗蝕 劑層241的尺寸縮減(shrink)以曝露出部分第一圖案化導(dǎo)電層240，并將部分 第一圖案化導(dǎo)電層240移除以暴露出部分半導(dǎo)體材料層220。然后，以第一 圖案化導(dǎo)電層240為掩模，對(duì)半導(dǎo)體材料層220進(jìn)行離子摻雜以形成至少一 個(gè)輕摻雜區(qū)224，如圖2D所示。至此，由于將半導(dǎo)體材料層220進(jìn)行如上 所述的離子摻雜的工藝，因此，半導(dǎo)體材料層220形成了多個(gè)半導(dǎo)體圖案226。 換言之，半導(dǎo)體圖案226包括至少一個(gè)溝道區(qū)226a以及至少一個(gè)分別位于 溝道區(qū)226兩側(cè)的摻雜區(qū)227，其中摻雜區(qū)227包括前述的重?fù)诫s區(qū)222以 及輕摻雜區(qū)224。另外，在其它實(shí)施例中，輕摻雜區(qū)224及重?fù)诫s區(qū)222皆 為對(duì)稱排列于溝道區(qū)二側(cè)或者是輕摻雜區(qū)224為非對(duì)稱排列于溝道區(qū)二側(cè)， 而重?fù)诫s區(qū)222為對(duì)稱排列于溝道區(qū)二側(cè)。必需明確的是，本發(fā)明的半導(dǎo)體 圖案226形成方法，并不限于此，在其它實(shí)施例亦可于半導(dǎo)體材料層220形 成后，利用一次新光致抗蝕劑層241具有不同厚度來同時(shí)摻雜至少一個(gè)輕摻 雜區(qū)224及至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222，或分別利用二次圖案不同的新光致抗蝕 劑層241來分別摻雜至少一個(gè)輕摻雜區(qū)224及至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222?；蛘?， 在其它實(shí)施例亦可于柵極絕緣層230形成后，利用一次新光致抗蝕劑層241 具有不同厚度來同時(shí)摻雜至少一個(gè)輕摻雜區(qū)224及至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222或 分別利用二次圖案不同的新光致抗蝕劑層241來分別摻雜至少一個(gè)輕摻雜區(qū) 224及至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222?；蛘?，在其它實(shí)施例亦可于柵極244形成后， 先移除被保留的新光致抗蝕劑層241，再利用一次新光致抗蝕劑層241或二 次圖案不同的新光致抗蝕劑層241來分別至少一個(gè)輕摻雜區(qū)224及至少一個(gè) 重?fù)诫s區(qū)222。其中，利用新光致抗蝕劑層241，較佳地，需配合光致抗蝕 劑層尺寸萎縮工藝?；蛘?，柵極絕緣層230于預(yù)定摻雜區(qū)域上形成具有階梯 狀(stepped)或從基板逐漸變細(xì)的形狀(taper shaped),接著，再形成柵極244 于柵極絕緣層230后，以一次摻雜工藝來同時(shí)形成至少一個(gè)輕摻雜區(qū)224及 至少一個(gè)重?fù)诫s區(qū)222。接著，請(qǐng)參考圖2E，于柵極絕緣層230上全面形成介電層250以覆蓋第 一圖案化導(dǎo)電層240。形成介電層250的方法例如是使用化學(xué)氣相沉積法或 是其他適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、涂布、噴墨、能量源處理等。在 一個(gè)實(shí)施例中，介電層250的厚度，例如實(shí)質(zhì)上為1000埃(A)至2000埃(A)。 此外，介電層250可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上 述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚 酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以氮化硅為例， 但不限于此。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2E,在已完成上述步驟的基板210的介電層250上形成多 個(gè)透明電極260。形成透明電極260的方法可以是使用光刻蝕刻工藝。舉例 而言，可先在介電層250上全面形成透明電極材料層(未示出)，其中，形成 透明電極材料層的方法可以是濺鍍法(sputtering)或是蒸鍍法(evaporation)。接 著，使用光刻蝕刻工藝圖案化透明電極材料層以形成透明電極260于特定區(qū) 域上。當(dāng)然，上述形成透明電極材料層的方法僅為舉例，并不用以限定本發(fā) 明，亦可使用其他適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、涂布、噴墨、能量源 處理等。此透明電極260可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是銦錫氧化物、 銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅 氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物、或其它合適材料、或上述組合。然后，請(qǐng)依序參考圖2F、圖2G。在介電層250的部分區(qū)域上形成保護(hù) 層270，以將透明電極260暴露，并使柵極絕緣層230、介電層250與保護(hù) 層270具有多個(gè)接觸窗272以將部分半導(dǎo)體圖案暴露。其中，形成保護(hù)層270 的方法例如是使用光刻蝕刻工藝或是其他適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、 涂布、噴墨、能量源處理等。此外，保護(hù)層270可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其 材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧 化鋁、或其它合適材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、 聚苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它合適材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例的保護(hù)層270以有機(jī)材質(zhì)的感光材料，如光致抗蝕劑為例，且亦可稱為平坦層，但不限于此。舉例而言，可先在己完成上述步驟的基板210上全面形成有機(jī)材料層(未示出)。接著，使用光刻工藝圖案化有機(jī)材料 層，以在有機(jī)材料層中形成多個(gè)開口 274，并在相對(duì)應(yīng)的開口處繼續(xù)進(jìn)行蝕 刻工藝以暴露出部分半導(dǎo)體圖案226，如圖2F所示，其中柵極絕緣層230、 介電層250與保護(hù)層270具有多個(gè)接觸窗272。在使用光刻工藝圖案化有機(jī) 材料層時(shí)，可使得有機(jī)材料層的部分或全部表面上形成多個(gè)凹凸區(qū)域276， 而圖2G所示為有機(jī)材料層的部分表面上形成多個(gè)凹凸區(qū)域276為例。至此， 完成保護(hù)層270的制作。換言之，形成保護(hù)層270可進(jìn)行兩次的光刻工藝， 一次形成開口 274， 一次形成凹凸區(qū)域276，亦即需要兩道光掩模以依序進(jìn) 行上述光刻工藝。此外，在其它實(shí)施例，若不需要增加反射效果，則保護(hù)層 270不需要凹凸區(qū)域276，代表其表面可以為平坦的平面。易言之，不需要 第二道光刻工藝。上述步驟為本發(fā)明的保護(hù)層270的制作方法，然而，本發(fā)明不限定保護(hù) 層270的制作方法。以下提供保護(hù)層270的另一制作方法。請(qǐng)參考圖2H，在其他實(shí)施形態(tài)中，保護(hù)層270以有機(jī)材質(zhì)的光致抗蝕 劑為例，且其制作方法也可以是使用半透光掩模271對(duì)有機(jī)材料層(未示出) 進(jìn)行一道光刻工藝以形成保護(hù)層270。舉例而言，在全面形成有機(jī)材料層于 基板210上后，接著，使用半透光掩模271來進(jìn)行光刻蝕刻工藝以圖案化有 機(jī)材料層。詳細(xì)的說，由于半透光掩模271具有透光區(qū)271a、半透光區(qū)271b 以及遮光區(qū)271c，因此，圖案化后的有機(jī)材料層具有多個(gè)開口 274以及多個(gè) 凹凸區(qū)域276。至此，完成保護(hù)層270的制作。換言之，通過半透光掩模271 的使用，使得形成保護(hù)層270的步驟只需要進(jìn)行一道光刻工藝，進(jìn)而節(jié)省制 作保護(hù)層270的時(shí)間與成本。接著，請(qǐng)參考圖21，在保護(hù)層270上形成第二圖案化導(dǎo)電層280，其中， 形成第二圖案化導(dǎo)電層280的方法例如是使用光刻蝕刻工藝。舉例而言，可 先在已完成上述步驟的基板210上全面形成導(dǎo)電材料層(未示出)。接著，利 用光刻蝕刻工藝圖案化導(dǎo)電材料層以形成第二圖案化導(dǎo)電層280，如圖2I所 示。此外，第二圖案化導(dǎo)電層280包括多個(gè)位于接觸窗272內(nèi)的接觸導(dǎo)體282、 多個(gè)與部分接觸導(dǎo)體電連接的數(shù)據(jù)線284以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的透明電極 260電連接的反射電極286，且共通導(dǎo)電電極246的部分區(qū)域位于第二圖案化導(dǎo)電層280下方。當(dāng)然，上述形成第二圖案化導(dǎo)電層280的方法僅為舉例， 并不用以限定本發(fā)明，亦可使用其他適合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、涂 布、噴墨、能量源處理等。此外，第二圖案化導(dǎo)電層280可為單層或多層結(jié) 構(gòu)，且其材質(zhì)例如是由金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、 鋅等金屬、上述合金、上述金屬氧化物、上述金屬氮化物、或上述組合。本 實(shí)施例以鉬及鋁疊層為例，但不限于此。接著，請(qǐng)依序參照?qǐng)D2J與圖2K，在另一實(shí)施形態(tài)中，還可以在部分第 二圖案化導(dǎo)電層280上形成多個(gè)材料圖案層290,其中形成材料圖案層290 的方法例如是使用光刻工藝?；蚴瞧渌m合的工藝的方式，如網(wǎng)版印刷、 涂布、噴墨、能量源處理等。此外，材料圖案層290可為單層或多層結(jié)構(gòu)， 且其材質(zhì)例如是無機(jī)材質(zhì)(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、氧化鋁、或其它材質(zhì)、或上述組合)、有機(jī)材質(zhì)(如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)烯類、聚酰亞胺類、聚酰胺類、聚酯類、聚醇類、聚環(huán)氧乙烷類、聚 苯類、樹脂類、聚醚類、聚酮類、或其它材料、或上述組合)、或上述組合。本實(shí)施例以有機(jī)材質(zhì)的感光材料，如光致抗蝕劑為例來詳述于下，但不限于此。舉例而言，在有源元件陣列基板200上全面形成有機(jī)材料層(未示出)， 接著，利用光刻工藝圖案化有機(jī)材料層以在部分第二圖案化導(dǎo)電層280及部 分保護(hù)層其中至少一個(gè)上形成材料圖案層290，如圖2J所示。因此，材料圖 案層290可選擇性地包括至少一個(gè)支撐部294或至少一個(gè)保護(hù)部296。此外， 若材料圖案層290需要有不同的厚度，則再對(duì)材料圖案層290進(jìn)行一次光刻 工藝。此時(shí)，材料圖案層290同時(shí)具有不同厚度，則其包括至少一個(gè)支撐部 294與至少一個(gè)保護(hù)部296，如圖2K所繪示。詳細(xì)的說，例如于組合顯示 面板(未示出)時(shí)，若，材料圖案層290同時(shí)具有至少一個(gè)支撐部294以及至 少一個(gè)保護(hù)部296，則支撐部294是用以維持有源元件陣列基板200與對(duì)應(yīng) 于有源元件陣列基板200的對(duì)向基板(未示出)之間的間隙，則支撐部294亦 可稱為間隙物。而保護(hù)部296是用于保護(hù)有源元件陣列基板上的部分第二圖 案化導(dǎo)電層280，例如是數(shù)據(jù)線284，以免受到腐蝕及/或刮傷造成第二圖案 化導(dǎo)電層280的損傷。換言之，材料圖案層290，例如配置于部分?jǐn)?shù)據(jù)線284 上。至此，已完成有源元件陣列基板202的制作。請(qǐng)參考圖2L，在另一實(shí)施例中，還可以在部分第二圖案化導(dǎo)電層280及部分保護(hù)層其中至少一個(gè)上形成多個(gè)材料圖案層290，其中形成材料圖案 層290的方法例如是使用光刻工藝。或是其他適合的工藝的方式，如網(wǎng)版 印刷、涂布、噴墨、能量源處理等。本實(shí)施例以有機(jī)材質(zhì)的光致抗蝕劑為例 來詳述于下，但不限于此。舉例而言，在全面形成有機(jī)材料層(未示出)于基 板210上后，接著，使用半透光掩模281來進(jìn)行光刻工藝以圖案化光致抗蝕 劑材料層。詳細(xì)的說，由于半透光掩模281具有透光區(qū)281a、半透光區(qū)281b 以及遮光區(qū)281c，因此，圖案化后的光致抗蝕劑材料層具有多個(gè)材料圖案層 2卯以及多個(gè)間隙空間292。換言之，通過半透光掩模281的使用，使得形 成具有間隙空間292的材料圖案層290的步驟只需要進(jìn)行一道光刻工藝，進(jìn) 而節(jié)省制作具有間隙空間292的材料圖案層290的時(shí)間與成本。第二實(shí)施例圖3為沿圖1A的AA'剖線所示的另一有源元件陣列基板的剖面示意圖。 有源元件陣列基板300與有源元件陣列基板100相似，相同的構(gòu)件標(biāo)示以相 同的符號(hào)，相關(guān)的結(jié)構(gòu)在此不予以重述，惟二者不同處在于，此有源元件陣 列基板的半導(dǎo)體圖案120還包括至少一個(gè)電容電極區(qū)126。電容電極區(qū)126 與其中一個(gè)重?fù)诫s區(qū)124b連接，且電容電極區(qū)126位于對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電 極146下方。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電容電極區(qū)126的材質(zhì)可以是重?fù)诫s半導(dǎo)體、 未摻雜半導(dǎo)體或是輕摻雜半導(dǎo)體，當(dāng)然也可以是半導(dǎo)體包含至少一個(gè)重?fù)诫s 區(qū)、至少一個(gè)未摻雜區(qū)及至少一個(gè)輕摻雜區(qū)其中至少二者交錯(cuò)排列。進(jìn)一步來說，由于半導(dǎo)體圖案120具有電容電極區(qū)126，因此，當(dāng)有源 元件陣列基板300被驅(qū)動(dòng)時(shí)，除了部分透明電極160延伸至那些共通導(dǎo)電電 極146其中之一的上方以與對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電極146耦合成電容器162夕卜， 電容電極區(qū)126亦會(huì)與其上所對(duì)應(yīng)的共通導(dǎo)電電極146形成另一電容器 162a。也就是說，有源元件陣列基板300具有較良好的儲(chǔ)存電容值。再者，必需說明的是，上述實(shí)施例所述的凹凸區(qū)域172、 276皆以設(shè)置 于保護(hù)層170、 270中或先以另一膜層沐示出)形成凹凸區(qū)域172、 276于保 護(hù)層170、 270上為例，但不限于此，亦可利用光刻蝕刻工藝于部分反射電 極186、 286上形成凹凸區(qū)域172、 276、亦可于部分介電層150、 250上先形成凹凸區(qū)域172、 276，再形成保護(hù)層170、 270于其上，則保護(hù)層170、 270 的部分表面亦具相似的凹凸區(qū)域172、 276、亦可于部分介電層150、 250上 先以另一膜層(未示出)形成凹凸區(qū)域172、 276，再形成保護(hù)層170、 270于 其上，則保護(hù)層170、 270的部分表面亦具相似的凹凸區(qū)域172、 276、亦可 于部分柵極絕緣層130、 230上先形成凹凸區(qū)域172、 276，再依續(xù)形成所需 的膜層后，則保護(hù)層170、 270的部分表面亦具相似的凹凸區(qū)域172、 276、 亦可于部分柵極絕緣層130、230上先以另一膜層(未示出)形成凹凸區(qū)域172、 276，再依續(xù)形成所需的膜層后，則保護(hù)層170、 270的部分表面亦具相似的 凹凸區(qū)域172、 276、亦可于部分基板上先以另一膜層(未示出)形成凹凸區(qū)域 172、 276，再依續(xù)形成所需的膜層后，則保護(hù)層170、 270的部分表面亦具 相似的凹凸區(qū)域172、 276、亦可于部分基板上先形成凹凸區(qū)域172、 276， 再依續(xù)形成所需的膜層后，則保護(hù)層170、 270的部分表面亦具相似的凹凸 區(qū)域172、 276。其中，另一膜層的材質(zhì)可選用與柵極絕緣層130、 230、介 電層150、 250、保護(hù)層170、 270、緩沖層112、 212、材料圖案層190、 290 其中一個(gè)的材質(zhì)，且與上述材質(zhì)實(shí)質(zhì)上相同或不同。較佳地，另一膜層為有 機(jī)材質(zhì)，但不限于此。此外，上述實(shí)施例皆以二個(gè)柵極為例，但不限于此，依設(shè)計(jì)所需，亦可 至少一個(gè)柵極，例如 一個(gè)柵極、三個(gè)柵極、雙柵極、四個(gè)柵極等等。其中， 多個(gè)柵極時(shí)，其下所存在的摻雜區(qū)域可為N型摻雜區(qū)域、P型摻雜區(qū)域或上 述組合。當(dāng)然， 一個(gè)柵極時(shí)，其下所存在的摻雜區(qū)域可為N型摻雜區(qū)域、P 型摻雜區(qū)域或上述組合。另外，如圖4所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光電裝置的示意圖。請(qǐng)參照 圖4，光電裝置400包括顯示面板410及與其電連接的電子元件420。顯示 面板410包含如上述實(shí)施例中所述的任何一種有源元件陣列基板100、 200、 202、 300。由于，有源元件陣列基板具有步驟簡(jiǎn)單、較低的制作時(shí)間與及成 本，所以光電裝置400可具有較低的制作成本。更進(jìn)一步來說，依照不同的顯示模式、膜層設(shè)計(jì)以及顯示介質(zhì)作為區(qū)分， 顯示面板410可以液晶顯示面板是包括如穿透型顯示面板、半穿透型顯示面 板、反射型顯示面板、彩色濾光片于有源層上(color filter on array)的顯示 面板、有源層于彩色濾光片上(array on color filter)的顯示面板、垂直配向型(VA)顯示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA) 顯示面板、扭曲向列型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、 圖案垂直配向型(PVA)顯示面板、超級(jí)圖案垂直配向型(S-PVA)顯示面 板、先進(jìn)大視角型(ASV)顯示面板、邊緣電場(chǎng)切換型(FFS)顯示面板、 連續(xù)焰火狀排列型(CPA)顯示面板、軸對(duì)稱排列微胞型(ASM)顯示面板、 光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型(OCB)顯示面板、超級(jí)水平切換型(S-IPS)顯示面板、 先進(jìn)超級(jí)水平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場(chǎng)切換型(UFFS) 顯示面板、高分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、 三視角型(triple-view)顯示面板、三維顯示面板(three-dimensional)或其 它型面板、或上述組合，亦稱為非自發(fā)光顯示面板。若顯示介質(zhì)為電激發(fā)光 材料，則稱為電激發(fā)光顯示面板(如磷光電激發(fā)光顯示面板、螢光電激發(fā) 光顯示面板、或上述組合)，亦稱為自發(fā)光顯示面板，且其電激發(fā)光材料可 為有機(jī)材料、有機(jī)材料、無機(jī)材料、或上述組合，再者，上述材料的分子大 小包含小分子、高分子、或上述組合。若，顯示介質(zhì)同時(shí)包含液晶材料及電 激發(fā)光材料，則此顯示面板稱之為混合式(hybrid)顯示面板或半自發(fā)光顯示面 板。另外，電子元件420包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、 存儲(chǔ)元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測(cè)元件、檢測(cè)元件、或其它 功能元件、或前述組合。整體而言，光電裝置400的類型包括便攜式產(chǎn)品(如 手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子信 件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)碼相片、或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音播 放器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。此外，值得一提的是，有源元件陣列基板100、 200、 202、 300的共通 導(dǎo)電電極146、 246的俯視圖案包括線型、L型、U型、H型、環(huán)型、或上述 的組合。本發(fā)明上述實(shí)施例，較佳地，以共通導(dǎo)電電極的上視圖案為環(huán)型， 亦稱為共通導(dǎo)電環(huán)為范例，但不限于此。綜上所述，本發(fā)明的有源元件陣列基板至少具有下列優(yōu)點(diǎn)。首先，通過 半透光掩模的使用，進(jìn)而縮短原有源元件陣列基板工藝的步驟。另外，通過 介電層與保護(hù)層配置于第一圖案化導(dǎo)電層與第二圖案化導(dǎo)電層之間，使得有 源元件陣列基板被驅(qū)動(dòng)時(shí)，降低數(shù)據(jù)線與部分共通導(dǎo)電電極之間的電性耦合。此外，更可通過保護(hù)層介于透明電極與第二圖案化導(dǎo)電層之間，亦可將 低數(shù)據(jù)線與透明電極的電性耦合，減少信號(hào)的干擾。換言之，若以由上而下 結(jié)構(gòu)為例，如信號(hào)線、保護(hù)層、透明電極、介電層與共通導(dǎo)電電極，則具 有減少電性耦合的效果，且由于共通導(dǎo)電電極與部分透明電極形成的像素電 容位于數(shù)據(jù)線下方，可節(jié)省面積，提高有源元件陣列基板像素的開口率，提 高顯不品質(zhì)。再者，由于材料圖案層配置于有源元件陣列基板上，因此，其具有保護(hù) 數(shù)據(jù)線的功能。除此之外，由于電容電極區(qū)配置于部分透明電極的下方，使 得有源元件陣列基板被驅(qū)動(dòng)時(shí)，具有較佳的儲(chǔ)存電容值。因此，本發(fā)明的有 源元件陣列基板應(yīng)用在上述的光電裝置時(shí)，其具有較良好的顯示品質(zhì)、較佳 的工藝步驟以及較低的制作成本。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之變化與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有源元件陣列基板，包括基板；多個(gè)半導(dǎo)體圖案，配置于所述基板上；柵極絕緣層，配置于所述基板上以覆蓋住所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案；第一圖案化導(dǎo)電層，配置于所述柵極絕緣層上，所述第一圖案化導(dǎo)電層包括多條掃描線、多個(gè)位于各所述半導(dǎo)體圖案上方并與所述多個(gè)掃描線連接的柵極、以及多個(gè)位于所述多個(gè)掃描線之間的共通導(dǎo)電電極；介電層，配置于所述柵極絕緣層上以覆蓋住所述第一圖案化導(dǎo)電層；多個(gè)透明電極，配置于所述介電層上；保護(hù)層，配置于所述介電層的部分區(qū)域上，并將所述多個(gè)透明電極暴露，所述柵極絕緣層、所述介電層與所述保護(hù)層具有多個(gè)接觸窗以將所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案暴露；以及第二圖案化導(dǎo)電層，配置于所述保護(hù)層上，其中所述第二圖案化導(dǎo)電層包括多個(gè)位于所述多個(gè)接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體、多個(gè)與部分接觸導(dǎo)體電連接的數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的透明電極電連接的反射電極，且所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極的部分區(qū)域位于所述第二圖案化導(dǎo)電層下方。
2. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其中各所述半導(dǎo)體圖案包括 至少一個(gè)溝道區(qū)以及至少分別位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的摻雜區(qū)。
3. 如權(quán)利要求2所述的有源元件陣列基板，其中各所述摻雜區(qū)包括輕摻 雜區(qū)以及重?fù)诫s區(qū)，且所述輕摻雜區(qū)連接于所述重?fù)诫s區(qū)與所述溝道區(qū)之 間。
4. 如權(quán)利要求3所述的有源元件陣列基板，其中各所述半導(dǎo)體圖案還包 括電容電極區(qū)，所述電容電極區(qū)與其中一個(gè)重?fù)诫s區(qū)連接，且位于對(duì)應(yīng)的所 述共通導(dǎo)電電極下方。
5. 如權(quán)利要求4所述的有源元件陣列基板，其中所述多個(gè)電容電極區(qū)包 括重?fù)诫s半導(dǎo)體及未摻雜半導(dǎo)體其中至少一個(gè)。
6. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其中所述保護(hù)層具有多個(gè)凹 凸區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求6所述的有源元件陣列基板，其中各所述反射電極分別對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)凹凸區(qū)域上。
8. 如權(quán)利要求7所述的有源元件陣列基板，其中各所述反射電極分別從 對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)凹凸區(qū)域延伸至對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透明電極上，以與對(duì)應(yīng)的所 述多個(gè)透明電極部分重疊。
9. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，還包括多個(gè)材料圖案層，配 置于所述第二圖案化導(dǎo)電層上。
10. 如權(quán)利要求9所述的有源元件陣列基板，其中所述多個(gè)材料圖案層配 置于所述多個(gè)數(shù)據(jù)線上。
11. 如權(quán)利要求9所述的有源元件陣列基板，其中各所述材料圖案層具有 至少一個(gè)支撐部以及至少一個(gè)保護(hù)部，且所述支撐部的厚度實(shí)質(zhì)上大于所述 保護(hù)部。
12. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，還包括緩沖層，其中所述緩 沖層配置于所述基板上，且位于所述基板與所述半導(dǎo)體圖案之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其中各所述透明電極延伸至 所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極其中之一的上方以與對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極 耦合成電容器。
14. 一種有源元件陣列基板的制造方法，包括 于基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體材料層；于所述基板上形成柵極絕緣層，以覆蓋住所述多個(gè)半導(dǎo)體材料層；于所述柵極絕緣層上形成第一圖案化導(dǎo)電層，所述第一圖案化導(dǎo)電層包括多條掃描線、多個(gè)位于各所述半導(dǎo)體圖案上方并與所述多個(gè)掃描線連接的柵極、以及多個(gè)位于所述多個(gè)掃描線之間的共通導(dǎo)電電極；對(duì)所述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行離子摻雜，以形成多個(gè)半導(dǎo)體圖案，其中各所 述半導(dǎo)體圖案包括至少一個(gè)溝道區(qū)以及至少分別位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的慘雜區(qū)；于所述柵極絕緣層上形成介電層，以覆蓋住所述第一圖案化導(dǎo)電層； 于所述介電層上形成多個(gè)透明電極；于所述介電層的部分區(qū)域上形成保護(hù)層，以將所述多個(gè)透明電極暴露， 所述柵極絕緣層、所述介電層與所述保護(hù)層具有多個(gè)接觸窗以將所述多個(gè)半 導(dǎo)體圖案暴露；以及于所述保護(hù)層上形成第二圖案化導(dǎo)電層，其中所述第二圖案化導(dǎo)電層包 括多個(gè)位于所述多個(gè)接觸窗內(nèi)的接觸導(dǎo)體、多個(gè)與部分所述多個(gè)接觸導(dǎo)體電 連接的數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)分別與對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透明電極電連接的反射電 極，且所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極的部分區(qū)域位于所述第二圖案化導(dǎo)電層下方。
15. 如權(quán)利要求14所述的有源元件陣列基板的制造方法，其中形成所述多個(gè)半導(dǎo)體圖案的方法包括于所述半導(dǎo)體材料層中形成多個(gè)重?fù)诫s區(qū)；以及以所述第一圖案化導(dǎo)電層為掩模，于所述半導(dǎo)體材料層中形成溝道區(qū)以 及多個(gè)分別連接于所述多個(gè)重?fù)诫s區(qū)與所述溝道區(qū)之間的輕摻雜區(qū)。
16. 如權(quán)利要求15所述的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于各所 述半導(dǎo)體圖案中形成電容電極區(qū)，其中所述電容電極區(qū)與其中一個(gè)重?fù)诫s區(qū) 連接，且位于對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)共通導(dǎo)電電極下方。
17. 如權(quán)利要求14所述的有源元件陣列基板的制造方法，其中形成所述 保護(hù)層的方法包括于所述介電層上形成有機(jī)材料層；以及于所述有機(jī)材料層中形成多個(gè)開口，并于所述有機(jī)材料層的表面上形成 多個(gè)凹凸區(qū)域。
18. 如權(quán)利要求14所述的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于所述 第二圖案化導(dǎo)電層上形成多個(gè)材料圖案層。
19. 如權(quán)利要求14所述的有源元件陣列基板的制造方法，還包括于所述 基板上形成緩沖層，其中所述緩沖層位于所述基板與所述半導(dǎo)體圖案之間。
20. —種光電裝置，包含如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板。
21. —種光電裝置的制造方法，包含如權(quán)利要求13所述的有源元件陣列 基板的制造方法。
22. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板，其中所述共通導(dǎo)電電極的 俯視圖案包括線型、L型、U型、H型、環(huán)型、或上述組合。
全文摘要
一種有源元件陣列基板、光電裝置及其制造方法，此有源元件陣列基板包括基板、多個(gè)半導(dǎo)體圖案、柵極絕緣層、第一圖案化導(dǎo)電層、介電層、多個(gè)透明電極、保護(hù)層以及第二圖案化導(dǎo)電層。半導(dǎo)體圖案配置于基板上。柵極絕緣層配置于基板上以覆蓋住半導(dǎo)體圖案。第一圖案化導(dǎo)電層配置于柵極絕緣層上，且第一圖案化導(dǎo)電層包括多條掃描線、多個(gè)位于各半導(dǎo)體圖案上方并與掃描線連接的柵極，以及多個(gè)位于掃描線之間的共通導(dǎo)電電極。介電層配置于柵極絕緣層上以覆蓋住第一圖案化導(dǎo)電層。多個(gè)透明電極配置于介電層上。保護(hù)層配置于介電層的部分區(qū)域上并將透明電極暴露。本發(fā)明提供的有源元件陣列基板具有降低導(dǎo)線跨線區(qū)域的雜散電容以及較良好的儲(chǔ)存電容值。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101236976SQ20081008321
公開日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2008年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月4日
發(fā)明者陳昱丞 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司