專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用藥液、純水等處理液對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示裝置用 玻璃基板(以下、簡(jiǎn)稱為"基板")等的基板進(jìn)行清洗等處理的基板處理裝 置。
背景技術(shù)：
以往，作為該種裝置，例如可以舉出如下所述裝置，該裝置具有處理 槽，該處理槽用于貯存處理槽、并收容基板；噴嘴，該噴嘴用于向處理槽的 上部空間供給異丙醇(IPA)氣體(例如，參照J(rèn)P特開平10—22257號(hào)公報(bào) (0024段、0025段、圖3))。在該裝置中，向處理槽供給純水而對(duì)基板進(jìn) 行清洗后，向處理槽的上部空間供給IPA氣體，從而形成IPA環(huán)境。然后， 通過將基板向處理槽的上部提升，對(duì)基板用純水進(jìn)行清洗處理。此時(shí)，通過 將基板提升移動(dòng)到IPA環(huán)境，使附著在基板上的純水被IPA取代，由此促成 干燥。但是，在具有如此結(jié)構(gòu)的以往裝置中，存在如下所述的問題。 艮P，在以往的裝置中，通過將用純水清洗過的基板從純水提升，并向IPA 環(huán)境中移動(dòng)，由此能夠促進(jìn)干燥，但是，存在著使形成于基板表面的圖案破 壞的問題。換句話說，由于提升的基板表面上的純水的表面張力，基板表面 的圖案被破壞。特別是，在最近的半導(dǎo)體器件中的存貯領(lǐng)域中，作為將集成度比以往大 幅提高的技術(shù)，開始采用將電容器的結(jié)構(gòu)做成圓筒狀的電容器。具有如此的 圓筒狀結(jié)構(gòu)的電容器，由于其縱橫比極其大，因此在制造過程中圓筒狀結(jié)構(gòu) 的電容器部分容易受損。當(dāng)然，若電容器部分受損，則作為器件而不合格， 因此，降低了成品率。因此，想到了在上述的用處理槽的純水清洗基板后，用表面張力小的液 體來替換處理槽內(nèi)的純水后，再將基板從處理槽提升而進(jìn)行干燥，而由此減 少圖案的受損的方法，但是，不能充分置換進(jìn)入到基板表面的圖案細(xì)部中的純水，純水還是殘留于原處，因此不能完全消除對(duì)形成于基板的圖案的受損。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是基于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠防止形成于 基板上的圖案的受損的基板處理裝置。本發(fā)明的基板處理裝置，是用處理液對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置， 其包括處理槽，所述處理槽用于貯存處理液；保持機(jī)構(gòu)，所述保持機(jī)構(gòu)在 保持基板的狀態(tài)下位于所述處理槽內(nèi)的處理位置；第一處理液供給裝置，其 用于將第一處理液供給至所述處理槽內(nèi)；第二處理液供給裝置，其用于將比 第一處理液表面張力小、且比第一處理液沸點(diǎn)高的第二處理液供給至所述處 理槽內(nèi)；溫度調(diào)節(jié)裝置，其用于將所述將處理槽中的第二處理液調(diào)節(jié)在第一 處理液的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍；控制裝置，其對(duì)所 述第二處理液供給裝置進(jìn)行控制，從而使從所述第一處理液供給裝置供給所 述處理槽內(nèi)并貯存于該處理槽內(nèi)的第一處理液置換為第二處理液，同時(shí)，對(duì) 所述溫度調(diào)節(jié)裝置進(jìn)行控制，由此將第二處理液的溫度維持在所述溫度范圍 內(nèi)。通過保持機(jī)構(gòu)基板被放置于處理槽內(nèi)的處理位置上，并通過第一處理液 對(duì)處理槽內(nèi)的基板進(jìn)行處理。而且，控制裝置對(duì)所述第二處理液供給裝置進(jìn) 行控制，以使貯存于所述處理槽內(nèi)的第一處理液置換為第二處理液，同時(shí)， 對(duì)所述溫度調(diào)節(jié)裝置進(jìn)行控制，由此將第二處理液的溫度維持在第一處理液 的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)。因此，在處理槽內(nèi)用第 一處理液處理過的基板，成為被浸漬在調(diào)節(jié)為比第一處理液的沸點(diǎn)高的溫度 的第二處理液中的狀態(tài)，殘留在基板表面的第一處理液(也包括進(jìn)入到基板 表面的圖案細(xì)部的第一處理液)被高溫的第二處理液的熱量氣化，其氣泡向 處理槽的第二處理液的液面?zhèn)壬仙?，并成為蒸汽從處理槽釋放出，因此，?夠完全將進(jìn)入到基板表面的圖案細(xì)部并殘留在其中的第一處理液置換為第 二處理液。而且，從處理槽將基板搬出時(shí)，無需通過表面張力大的第一處理 液的界面，而僅是通過表面張力比第一處理液小的第二處理液的界面，因此， 在通過第二處理液的界面時(shí)作用于基板表面的表面張力小，能夠防止形成于 基板上的圖案的受損。另外，提升后的基板的表面上只殘留表面張力低的第二處理液，對(duì)該第二處理液進(jìn)行干燥時(shí)作用于基板表面上的表面張力小，因 此，能夠防止形成于基板上的圖案的受損。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選具有第三處理液供給裝置，該第三處理液供給 裝置用于將表面張力比第一處理液小、且沸點(diǎn)比第二處理液低的第三處理液 供給至所述處理槽內(nèi)，而且，所述保持機(jī)構(gòu)在保持基板的狀態(tài)下，能夠在所 述處理槽內(nèi)的處理位置和位于所述處理槽的上方位置中的待機(jī)位置之間自 由升降，所述控制裝置對(duì)所述第三處理液供給裝置進(jìn)行控制，以使在用維持 在所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，將貯存在戶萬述處理槽內(nèi) 的第二處理液置換為第三處理液，同時(shí)，對(duì)所述保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制，以使在 所述處理槽內(nèi)用第三處理液進(jìn)行置換后，將基板上升至待機(jī)位置上。由于將貯存于處理槽中的第二處理液用表面張力比第一處理液小、且沸 點(diǎn)比第二處理液低的第三處理液來置換而進(jìn)行提升干燥，因此，與從第二處 理液的狀態(tài)下進(jìn)行提升干燥的情形相比，能夠縮短干燥處理時(shí)間。g卩，由于 第三處理液比第二處理液沸點(diǎn)低，因此，與第二處理液相比更容易干燥。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選具有熱干燥裝置，該熱干燥裝置用于對(duì)通過第 二處理液進(jìn)行過處理的基板在高溫環(huán)境中加以干燥，所述控制裝置對(duì)所述熱 干燥裝置進(jìn)行控制，以使通過維持在所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液進(jìn)行處理 后，使基板在高溫環(huán)境中干燥。通過用被調(diào)節(jié)過溫度的第二處理液進(jìn)行處理，進(jìn)入并殘留在基板表面的 圖案細(xì)部中的第一處理液氣化而被除去，因此，能夠使基板表面上的低表面 張力的第二處理液在高溫環(huán)境中加以干燥，能夠防止形成于基板上的圖案受 損。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選具有空氣干燥裝置，該空氣干燥裝置用于對(duì)由 第二處理液進(jìn)行過處理的基板通過空氣接觸來進(jìn)行干燥，而且，所述控制裝 置對(duì)所述空氣干燥裝置進(jìn)行控制，以使通過維持在所述溫度范圍內(nèi)的第二處 理液進(jìn)行處理后，用空氣接觸來使基板干燥。通過用被調(diào)節(jié)過溫度的第二處理液進(jìn)行處理，進(jìn)入并殘留于基板表面的 圖案細(xì)部中的第一處理液氣化而被除去，因此，能夠用空氣接觸來對(duì)基板表 面上的低表面張力的第二處理液進(jìn)行干燥，能夠防止形成于基板上的圖案受 損。本發(fā)明的基板處理裝置，是用處理液對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置， 其包括處理部，其內(nèi)部設(shè)置有用于能夠以水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)的方式對(duì)基板加以 保持的旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)，其用處理液對(duì)由所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)加以保持的基板進(jìn) 行處理；第一處理液供給裝置，其用于將第一處理液供給至由所述處理部?jī)?nèi) 的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板；第二處理液供給裝置，其用于將表面 張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比第一處理液高的第二處理液供給至由所述處 理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板；溫度調(diào)節(jié)裝置，其將供給至由 所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板上的第二處理液的溫度， 調(diào)節(jié)在第一處理液的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)；控制 裝置，其對(duì)所述溫度調(diào)節(jié)裝置及所述第二處理液供給裝置進(jìn)行控制，以使在 用第一處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，將被調(diào)節(jié)在所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液 供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板。在處理部?jī)?nèi)，向由旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)以能夠旋轉(zhuǎn)的方式加以保持的基板上供 給第一處理液，由此進(jìn)行通過第一處理液的處理。而且，控制裝置對(duì)溫度調(diào) 節(jié)裝置及第二處理液供給裝置進(jìn)行控制，以使在用第一處理液對(duì)基板進(jìn)行處 理后，向由處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板供給被調(diào)節(jié)為第一 處理液的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)的第二處理液。因 此，被調(diào)節(jié)在比第一處理液的沸點(diǎn)高的溫度的第二處理液供給至在處理部?jī)?nèi) 由第一處理液進(jìn)行過處理的基板上，殘留于基板表面的第一處理液(也包括 進(jìn)入到基板表面的圖案細(xì)部中的第一處理液)被高溫的第二處理液的熱量氣 化而離開基板表面，并成為蒸汽從處理部釋放，因此，能夠完全將進(jìn)入并殘 留于基板表面的圖案細(xì)部中的第一處理液置換為第二處理液，基板表面上只 殘留有表面張力低的第二處理液，由于干燥該第二處理液時(shí)作用在基板表面 上的表面張力小，因此，能夠防止形成于基板上的圖案受損。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選具有第三處理液供給裝置，該第三處理液供給 裝置用于將表面張力比第一處理液小、且沸點(diǎn)比第二處理液低的第三處理液 供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板上，而且，所述 控制裝置對(duì)所述第三處理液供給裝置進(jìn)行控制，以使通過被調(diào)節(jié)為所述溫度 范圍內(nèi)的第二處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，將第三處理液供給至由所述處理部 內(nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板，在第三處理液向基板的供給結(jié)束后，對(duì)所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)加以控制，以使基板旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行干燥。由于將基板表面的第二處理液置換為表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn) 比第二處理液低的第三處理液并使旋轉(zhuǎn)干燥，因此，與從第二處理液的狀態(tài) 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥的情形相比，能夠縮短干燥處理時(shí)間。S卩，由于第三處理液比 第二處理液沸點(diǎn)低，因此比第二處理液更容易干燥。


圖1是實(shí)施例1的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。圖2A 2D是表示實(shí)施例1種的處理例的結(jié)構(gòu)圖。圖3是實(shí)施例2的基板處理裝置中的干燥裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。圖4A 4D是表示實(shí)施例2中的處理例的示意圖。圖5是實(shí)施例3的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。圖6A 6E是表示實(shí)施例3中的處理例的示意圖。圖7A 7E是表示變形例中的處理例的示意圖。
具體實(shí)施方式
為了說明本發(fā)明，圖示了目前認(rèn)為優(yōu)選的幾種實(shí)施方式，但本發(fā)明并不 限于圖示的結(jié)構(gòu)以及方式中。下面，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。實(shí)施例1下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例l加以說明。 圖1是實(shí)施例1的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。處理槽1具有內(nèi)槽3和外槽5。內(nèi)槽3用于貯存處理液，并能夠收容由 保持臂7加以保持的基板W。多張基板W以起立姿勢(shì)整齊地排列在保持臂7 上，通過保持臂7進(jìn)行搬入'搬出。保持臂7具有板狀的臂部9;三根支 持構(gòu)件ll，其在垂直于該臂部9的方向設(shè)置于該臂部9的下部，并與基板W 的下邊緣抵接而支撐基板W。該保持臂7在保持基板W的狀態(tài)下，能夠在 內(nèi)槽3內(nèi)的處理位置和位于內(nèi)槽3的上方的待機(jī)位置之間進(jìn)行升降。內(nèi)槽3 用于貯存處理液，從內(nèi)槽3溢出的處理液由外槽5回收，所述外槽5被設(shè)置成圍著內(nèi)槽3的上部外周。在內(nèi)槽3的底部?jī)蓚?cè)設(shè)置有用于供給處理液的兩根噴出管13。在外槽5的底部形成有排出口 15，從內(nèi)槽3溢出并由外槽5 回収的處理液從排出口 15被排除。噴出管13上連通連接有供給管17的一端側(cè)，其另一端側(cè)上連通連接有 純水供給源19。在純水供給源19的下游側(cè)設(shè)置有可調(diào)整流量的控制閥21。 在供給管17的控制閥21的下游設(shè)置有混合閥23。該混合閥23具有向流通 于供給管17的純水注入其他的藥液的功能。混合閥23上連通有注入管25 的一端側(cè)，其另一端側(cè)則連通連接在藥液供給源27上。在藥液供給源27的 下游側(cè)設(shè)置有可調(diào)整流量的控制閥29。通常，混合閥23具有能夠注入多個(gè) 種類的藥液的結(jié)構(gòu)，但在該實(shí)施例中省略了圖示。在該實(shí)施例中，例如，通 過向流通的純水按照規(guī)定的比例注入氟化氫(HF)，生成作為處理液的基板 表面的氧化膜去除用藥液并進(jìn)行供給。另外，通過向流通的純水分別按照規(guī) 定的比例注入氨和過氧化氫水，能夠生成作為處理液的去除微?；蛉コ袡C(jī) 物用藥液并進(jìn)行供給(該處理被稱之為"SC1")。另外，所述保持臂7相當(dāng)于本發(fā)明中的保持機(jī)構(gòu)。另外，在控制閥21和混合閥23之間，連通連接有分支管31， 32的一 端側(cè)。在分支管31的另一端側(cè)連通連接有第一溶液供給源34。在分支管32 的另一端側(cè)連通連接有第二溶液供給源35。而且，在各分支管31， 32上安 裝有可調(diào)整流量的控制閥37， 38。另外，在第一溶液供給源34上，例如貯存有第一低表面張力溶液。所 謂的第一低表面張力溶液，是指表面張力比純水小、且沸點(diǎn)比純水高的液體， 例如，可以舉出7口 y于一 卜(住友3M株式會(huì)社的注冊(cè)商標(biāo))或力Wf y (SolvaySolexis公司的注冊(cè)商標(biāo))等氟類惰性液體。所述7口 ^于一 卜(住 友3M株式會(huì)社的注冊(cè)商標(biāo))或力VP^y (SolvaySolexis公司的注冊(cè)商標(biāo)) 的表面張力為O. 014 0. 016 (N/m)左右、沸點(diǎn)為130 180 (°C)。在第二溶液供給源35中，例如貯存有第二低表面張力溶液。所謂第二 低表面張力溶液，是指表面張力比純水小、且沸點(diǎn)比第一低表面張力溶液低 的液體，例如，可以舉出HFE (氫氟醚)或HFC (氫氟烴)等氟類惰性液體。 HFE (氫氟醚)的表面張力為0. 0136 (N/m)左右，其沸點(diǎn)為60 80 (°C)。另外，所述噴出管13、供給管17以及控制閥21相當(dāng)于本發(fā)明中的第一處理液供給裝置，所述噴出管13、供給管17、分支管31以及控制閥37相 當(dāng)于本發(fā)明中的第二處理液供給裝置，所述噴出管13、供給管17、分支管 32以及控制閥38相當(dāng)于本發(fā)明中的第三處理液供給裝置。另外，在分支管31上設(shè)置有在線加熱器33，其用于將處理槽l中的第 一低表面張力溶液，調(diào)節(jié)為純水的沸點(diǎn)以上且第一低表面張力溶液的沸點(diǎn)以 下的溫度范圍內(nèi)。在線加熱器33對(duì)流通于分支管31的第一低表面張力溶液 進(jìn)行加熱，使其例如在115 20(TC的范圍內(nèi)。即使將第一低表面張力溶液調(diào) 整為U5。C也可以使純水蒸發(fā)。進(jìn)一步，優(yōu)選將第一低表面張力溶液加熱至 130 200。C的范圍內(nèi)，此時(shí)，能夠使純水更有效地蒸發(fā)。在該實(shí)施例中，在 線加熱器33將流通于分支管31的第一低表面張力溶液加熱至150 20(TC的 范圍內(nèi)，此時(shí)，能夠使純水進(jìn)一步有效地蒸発。內(nèi)槽3的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于檢測(cè)第一低表面張力溶液溫度的溫度檢測(cè)器36 (溫度檢測(cè)傳感器等)。內(nèi)槽3內(nèi)的第一低表面張力溶液的檢測(cè)溫度被輸出 至控制部47上，根據(jù)該檢測(cè)溫度對(duì)在線加熱器33的加熱溫度加以控制，以 使內(nèi)槽3中的第一低表面張力溶液溫度維持在150 20(TC的范圍內(nèi)。另外，也可以采用廢除該內(nèi)槽3內(nèi)的溫度檢測(cè)器36，作為在線加熱器 33而設(shè)置具備溫度調(diào)整功能的在線加熱器，并供給只夠充分置換內(nèi)槽3的純 水并調(diào)整為150 200。C范圍內(nèi)的第一低表面張力溶液的方式。所述在線加熱器33相當(dāng)于本發(fā)明中的溫度調(diào)節(jié)裝置，純水相當(dāng)于本發(fā) 明中的第一處理液，所述第一低表面張力溶液相當(dāng)于本發(fā)明中的第二處理 液，所述第二低表面張力溶液相當(dāng)于本發(fā)明中的第三處理液。在內(nèi)槽3的底部形成有排出口 41。這里連通連接有排液管43的一端側(cè)， 其另一端側(cè)與未圖示的廢液處理部連通連接。排液管43上安裝有可調(diào)整流 量的流量控制閥45。所述保持臂7的升降、在線加熱器33、控制閥21、 29、 37、 38、 45均 由控制部47來統(tǒng)一控制?？刂撇?7具有用于儲(chǔ)存規(guī)定處理步驟的工藝程序 的存儲(chǔ)器、微處理器、計(jì)時(shí)器 定時(shí)器等。另外，所述控制部47相當(dāng)于本發(fā)明中的控制裝置。下面，對(duì)具有上述結(jié)構(gòu)的裝置的動(dòng)作加以說明。使基板W以保持在保 持臂7的狀態(tài)下移動(dòng)至內(nèi)槽1內(nèi)的處理位置。另外，在下面的用以參照的圖2中，省略保持臂7的圖示。參照?qǐng)D2對(duì)實(shí)施例1中的處理動(dòng)作進(jìn)行說明。另外，圖2A 2D是表示 實(shí)施例1中的處理例的示意圖。在該實(shí)施例1中，例如在作為處理液而生成 所述HF用藥液的同時(shí)進(jìn)行處理，然后，通過溶液進(jìn)行清洗處理后，將基板 W提升。具體地說，控制部47操作控制閥21， 29，從而以規(guī)定流量供給藥液(圖 2A)。然后，使該狀態(tài)只保持規(guī)定時(shí)間，對(duì)基板W進(jìn)行藥液處理。接著，控制部47關(guān)閉控制閥29而停止藥液的供給，保持控制閥21的 打開狀態(tài)而繼續(xù)純水的供給。由此，進(jìn)行只用純水的清洗處理(圖2B)。此時(shí)，也可以打開與內(nèi)槽3的底面的排出孔41連通連接的排液管43的 控制閥45，在一下子排出內(nèi)槽3內(nèi)的藥液后、或者一邊排出一邊向內(nèi)槽3內(nèi) 供給純水。將通過該純水的清洗處理只進(jìn)行規(guī)定時(shí)間后，控制部47關(guān)閉控制閥21 而停止純水的供給，同時(shí)打開控制閥37，用在線加熱器33將來自第一溶液 供給源34的作為第一低表面張力溶液的7 口 U于 一 卜(住友3M株式會(huì)社的 注冊(cè)商標(biāo))加熱至150 200"C的范圍內(nèi)并以規(guī)定流量供給至處理槽1中。將 該操作只繼續(xù)規(guī)定時(shí)間，用150 20(TC范圍內(nèi)的第一低表面張力溶液來置換 貯存于內(nèi)槽3中的純水(圖2C)。第一低表面張力溶液的置換結(jié)束后，將 該狀態(tài)維持規(guī)定時(shí)間。另外，如上所述，控制部47根據(jù)來自溫度檢測(cè)器36 的第一低表面張力溶液的検測(cè)溫度進(jìn)行對(duì)在線加熱器33的加熱控制。如圖2C所示，形成基板W在充滿高溫(130 200°C)的第一低表面張 力溶液的處理槽1內(nèi)被浸漬規(guī)定時(shí)間的狀態(tài)，殘留在基板W表面的純水被 高溫的第一低表面張力溶液的熱量氣化，其氣泡向處理槽1的第一低表面張 力溶液的液面?zhèn)壬仙⒊蔀檎羝麖奶幚聿踠釋放出，即使是進(jìn)入并殘留于 基板W表面上的微細(xì)圖案的細(xì)部中的純水，也被高溫的第一低表面張力溶 液的熱量氣化，其氣泡向處理槽1的第一低表面張力溶液的液面?zhèn)壬仙?，?成為蒸汽從處理槽1釋放。另外，由處理槽l釋放出的蒸汽，通過設(shè)置在處理槽1的上方處的排氣 機(jī)構(gòu)39而被排氣。第一低表面張力溶液的置換結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，由已知的內(nèi)槽3的容量和供給時(shí)的第一低表面張力溶液的流量等，通過控制部47判斷而進(jìn)行。該第一低表面張力溶液的置換處理后，控制部47將HFE (氫氟醚)作 為第二低表面張力溶液并以規(guī)定流量供給。該動(dòng)作只繼續(xù)規(guī)定時(shí)間，將貯存 在內(nèi)槽3的第一低表面張力溶液置換成第二低表面張力溶液(圖2D)。若 由第二低表面張力溶液的藥液置換結(jié)束，控制部47將基板W從內(nèi)槽3提升 而搬出(圖2D)。此時(shí)，也可以打開與內(nèi)槽3底面的排出孔41連通連接的排液管43的控 制閥45，在一下子排出內(nèi)槽3內(nèi)的第一低表面張力溶液后或者邊排出邊向內(nèi) 槽3內(nèi)供給第二低表面張力溶液。另外，第二低表面張力溶液的置換結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，由已知的內(nèi)槽3的容 量和供給時(shí)的第二低表面張力溶液的流量等，通過控制部47判斷而進(jìn)行。如上所述，根據(jù)實(shí)施例l，控制部47對(duì)控制閥37進(jìn)行控制，以使用第 一低表面張力溶液來置換忙存于處理槽1內(nèi)的純水的同時(shí)，對(duì)在線加熱器33 進(jìn)行控制，以使將處理槽l內(nèi)的第一低表面張力溶液維持在純水沸點(diǎn)以上且 第一低表面張力溶液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)，因此，在處理槽l內(nèi)由純水 處理過的基板W,成為浸漬在被調(diào)整為比純水的沸點(diǎn)高的溫度的第一低表面 張力溶液中的狀態(tài)，殘留在基板W表面的純水(包括進(jìn)入并殘留在基板表 面的圖案細(xì)部中的純水)被高溫的第一低表面張力溶液的熱量氣化，其氣泡 向處理槽1的第一低表面張力溶液的液面?zhèn)壬仙?，并成為蒸汽從處理?釋 放，因此，能夠用第一低表面張力溶液來完全置換進(jìn)入并殘留在基板W表 面的圖案細(xì)部中的純水。而且，從處理槽1將基板W搬出時(shí)，無需通過表 面張力大的純水的界面，只通過表面張力比純水小的第二低表面張力溶液的 界面IF (參照?qǐng)D2D),因此，通過第二低表面張力溶液的界面IF時(shí)作用于 基板W表面的表面張力小，能夠防止形成于基板W上的圖案的受損。另外， 提升后的基板W的表面只殘留有表面張力低的第一低表面張力溶液，由于 對(duì)該第一低表面張力溶液進(jìn)行干燥時(shí)作用于基板W表面上的表面張力小， 因此，能夠防止形成在基板W上的圖案受損。另外，用表面張力比純水小且沸點(diǎn)比第一低表面張力溶液低的第二低表 面張力溶液來置換貯存在處理槽1中的第一低表面張力溶液而進(jìn)行提升干 燥，因此，與從第一低表面張力溶液進(jìn)行提升干燥的情形相比，能夠縮短干燥處理時(shí)間。即，由于第二低表面張力溶液比第一低表面張力溶液沸點(diǎn)低， 因此，比第一低表面張力溶液更容易干燥。由于純水的沸點(diǎn)為IO(TC，第一低表面張力溶液為氟類惰性液體、低表 面張力且其沸點(diǎn)比純水充分高，因此，確保與純水的蒸餾選擇比，能夠適宜 地將純水氣化。另外，由于第一低表面張力溶液以及第二低表面張力溶液均為氟類惰性 液體，因而，能夠容易地用第二低表面張力溶液來置換第一低表面張力溶液， 能夠縮短第二低表面張力溶液的置換時(shí)間，縮短干燥處理。實(shí)施例2下面，參照?qǐng)D3、圖4對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例2進(jìn)行說明。 圖3是實(shí)施例2的基板處理裝置中的干燥裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。圖4A 4D是表示實(shí)施例2的處理例的示意圖。另外，對(duì)與所述實(shí)施例1相同的結(jié) 構(gòu)賦予相同的附圖標(biāo)記，從而省略對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說明。在上述實(shí)施例1中，如圖2所示，形成采用單一的處理槽1進(jìn)行藥液處 理、純水清洗處理、第一低表面張力溶液的置換處理、第二低表面張力溶液 的置換處理、提升干燥處理的結(jié)構(gòu)，但在該實(shí)施例2中，如圖4所示，采用 在廢除所述的第二低表面張力溶液的置換處理的同時(shí)，用在高溫環(huán)境中進(jìn)行 旋轉(zhuǎn)干燥來替換提升干燥的結(jié)構(gòu)(加熱器+旋轉(zhuǎn)干燥)，這一點(diǎn)不同于上述 實(shí)施例1 。與上述實(shí)施例1同樣地在高溫的第一低表面張力溶液中浸漬基板W后 (參照?qǐng)D4C)，基板W通過未圖示的基板搬運(yùn)機(jī)構(gòu)搬運(yùn)至干燥室(參照?qǐng)D 4D)，在該干燥室中對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理。該干燥室具有在高溫環(huán)境中對(duì)由第一低表面張力溶液進(jìn)行過處理的基 板W加以干燥的熱干燥功能，同時(shí)，具有通過空氣接觸對(duì)該基板W進(jìn)行干 燥的空氣干燥功能。具體地說，如圖3所示，干燥室49為對(duì)基板W—張一張地進(jìn)行處理的 所謂的單片式的干燥室。具體地說，具有將基板W以水平姿勢(shì)加以支撐 的卡盤51 (保持機(jī)構(gòu))、與該卡盤51的下端部連接的旋轉(zhuǎn)軸53、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng) 該旋轉(zhuǎn)軸53的馬達(dá)55 (驅(qū)動(dòng)部)以及圍著卡盤51周圍的飛散防止杯57。飛散防止杯57用于回收從基板W向周圍飛散的第一低表面張力溶液。另外，飛散防止杯57可相對(duì)于卡盤51進(jìn)行升降。在設(shè)置在干燥室49的規(guī)定位置中的插入口 59上連通連接有氣體插入管 61的一端側(cè)，氣體插入管61的另一端側(cè)與氣體供給源63連通連接。另外， 在該氣體插入管61 ，從其上游側(cè)依次連通連接控制閥65和在線加熱器67。在通過維持在上述實(shí)施例1中的溫度范圍內(nèi)的第一低表面張力溶液進(jìn)行 處理后，控制部47對(duì)干燥室49進(jìn)行控制，由此使基板W在高溫環(huán)境中加 以干燥的同時(shí)，控制為用卡盤51旋轉(zhuǎn)該基板W，以使通過空氣接觸對(duì)基板 W進(jìn)行干燥。具體地說，如圖3、圖4D所示，控制部47，打開控制閥65，用在線加 熱器67對(duì)來自氣體供給源63的氣體(例如氮?dú)獾?進(jìn)行加熱，由此將規(guī)定 溫度的氮?dú)獾裙┙o至干燥室49內(nèi)，而且，當(dāng)干燥室49內(nèi)成為高溫環(huán)境時(shí)， 用卡盤51旋轉(zhuǎn)基板W，對(duì)殘留于基板W表面的第一低表面張力溶液進(jìn)行干 燥去除處理。如上所述，根據(jù)實(shí)施例2，由于具有對(duì)由第一低表面張力溶液進(jìn)行過處 理的基板W在高溫環(huán)境中進(jìn)行干燥、并旋轉(zhuǎn)該基板W而進(jìn)行干燥的干燥室 49，而且，控制部47，在由第一低表面張力溶液進(jìn)行處理后，對(duì)干燥室49 進(jìn)行控制，以使基板W在高溫環(huán)境中且旋轉(zhuǎn)基板W而進(jìn)行干燥，因此，通 過第一低表面張力溶液的處理，進(jìn)入并殘留在基板W表面的圖案細(xì)部中的 純水氣化而被去除，通過高溫環(huán)境中的基板旋轉(zhuǎn)可有效地對(duì)基板W表面上 的低表面張力的第一低表面張力溶液進(jìn)行干燥，能夠防止形成于基板W上 的圖案受損。另外，在從處理槽1搬出基板W時(shí)，無需通過表面張力大的純水的界 面，只通過表面張力比純水小的第一低表面張力溶液的界面IF(參照?qǐng)D4C)， 因此，在通過第一低表面張力溶液的界面IF時(shí)作用于基板W表面的表面張 力小，能夠防止形成于基板W上的圖案受損。實(shí)施例3下面，參照?qǐng)D5、圖6對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例3進(jìn)行說明。圖5是實(shí)施例3的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。圖6A 6E是表示實(shí)施例3中的處理例的示意圖。另外，對(duì)與所述實(shí)施例l相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的 附圖標(biāo)記，從而省略對(duì)其的詳細(xì)說明。在上述實(shí)施例1中，如圖2所示，采用用單一的處理槽1進(jìn)行藥液處理、 純水清洗處理、第一低表面張力溶液的置換處理、第二低表面張力溶液的置換處理、提升干燥處理的批次式的結(jié)構(gòu)，但在該實(shí)施例3中，如圖5、 6所示，采用進(jìn)行藥液處理、純水清洗處理、第一低表面張力溶液的置換處理、 第二低表面張力溶液的置換處理以及干燥處理的單片式結(jié)構(gòu)，這一點(diǎn)不同于 上述實(shí)施例1。如圖5所示，實(shí)施例3的裝置具有藥液處理室71、與該藥液處理室71 另行設(shè)置的清洗處理室101以及將藥液處理室71中的藥液處理結(jié)束后的基 板W搬運(yùn)至清洗處理室101的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)91 。如圖5所示，藥液處理室71對(duì)基板W—張一張地進(jìn)行處理，即所謂的 單片式藥液處理室。具體地說，藥液處理室71具有噴嘴73;配管75，其 一端側(cè)與所述噴嘴73連通連接；藥液供給源77，其與所述配管75的另一端 側(cè)連通連接；控制閥79，其設(shè)置在所述配管75上。另外，藥液處理室71具有卡盤(保持機(jī)構(gòu))81，其用于將基板W保 持在水平姿勢(shì)；旋轉(zhuǎn)軸83，其連接在所述卡盤81的下端部；馬達(dá)(驅(qū)動(dòng)部) 85，其用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸83;飛散防止杯87，其圍著卡盤81的周圍。 飛散防止杯87用于回收從基板W向周圍飛散的藥液。另外，飛散防止杯87 可相對(duì)于卡盤81進(jìn)行升降。搬運(yùn)機(jī)構(gòu)91具有臂部93，并在藥液處理室71的飛散防止杯87處于下 降狀態(tài)(即為避讓的狀態(tài))下將保持在卡盤81上的基板W裝載于臂部93 上，并驅(qū)動(dòng)臂部93，以使臂部93在水平面內(nèi)向著清洗處理室101旋轉(zhuǎn)，并 在清洗處理室101的飛散防止杯127下降的狀態(tài)(即為避讓狀態(tài))下將基板 W裝載于卡盤121。如圖5所示，清洗處理室101為對(duì)基板W —張一張地進(jìn)行處理的、所 謂的單片式清洗處理室。具體地說，清洗處理室101具有噴嘴103;配管 105，其一端側(cè)與所述噴嘴103連通連接；純水供給源107，其連通連接在所 述配管105另一端側(cè)；控制閥109，其設(shè)置在所述配管105的上游側(cè)。另外， 所述配管105與分支管111、 112的一端側(cè)連通連接。分支管lll的另一端側(cè)與第一溶液供給源114連通連接。而且，分支管112的另一端側(cè)上連通連接有第二溶液供給源115。另外，在各分支管lll、 112上安裝有可調(diào)整流量 的控制閥117、 118。清洗處理室101具有卡盤(保持機(jī)構(gòu))121，其用于將基板W以水平 姿勢(shì)加以支撐；旋轉(zhuǎn)軸123，其連接在所述卡盤121的下端部；馬達(dá)(驅(qū)動(dòng) 部)125，其用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸123;飛散防止杯127，其圍著卡盤121 的周圍。飛散防止杯127用于回收從基板W向周圍飛散的純水或第一低表 面張力溶液或第二低表面張力溶液。另外，飛散防止杯127可相對(duì)于卡盤121 進(jìn)行升降。分支管111上設(shè)置有在線加熱器119，所述在線加熱器U9用于將供給 至基板W的第一低表面張力溶液調(diào)節(jié)為純水的沸點(diǎn)以上且第一低表面張力 溶液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)。在線加熱器119具備溫度調(diào)整功能，其可根 據(jù)來自后述的控制部129的溫度指令，將溫度調(diào)整在150 20(TC的范圍內(nèi)。 在線加熱器119對(duì)流通于分支管111的第一低表面張力溶液進(jìn)行加熱，使其 達(dá)到例如115 20(TC的范圍內(nèi)。即使將第一低表面張力溶液調(diào)整為115"C也 可以使純水蒸發(fā)。進(jìn)一步地，優(yōu)選將第一低表面張力溶液加熱至130 200 "C的范圍內(nèi)，此時(shí)，能夠進(jìn)一步有效地進(jìn)行純水的蒸發(fā)。在該實(shí)施例中，在 線加熱器U9將流通于分支管111的第一低表面張力溶液加熱至150 200 "C的范圍內(nèi)，此時(shí)，能夠更進(jìn)一步有效地進(jìn)行純水的蒸發(fā)。另外，由于第一低表面張力溶液以及第二低表面張力溶液與上述實(shí)施例 l相同，因此，省略對(duì)其的詳細(xì)說明。上述藥液處理室71、搬運(yùn)機(jī)構(gòu)91以及清洗處理室101均由控制部129 來統(tǒng)一進(jìn)行控制?？刂撇?29具有儲(chǔ)存有規(guī)定的處理步驟的工藝程序的存儲(chǔ) 器、微處理器、計(jì)時(shí)器*定時(shí)器等。具體地說，藥液處理室71中的卡盤81 的旋轉(zhuǎn)、飛散防止杯87的升降、控制閥79、搬運(yùn)機(jī)構(gòu)91的臂部93、清洗 處理室101中的卡盤i21的旋轉(zhuǎn)、飛散防止杯127的升降、控制閥109、 117、 118、在線加熱器119均由控制部129來進(jìn)行控制。另外，所述卡盤121相當(dāng)于本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)，所述清洗處理室101 相當(dāng)于本發(fā)明的處理部，所述噴嘴103、配管105以及控制閥109相當(dāng)于本 發(fā)明的第一處理液供給裝置，所述噴嘴103、分支管111以及控制閥117相當(dāng)于本發(fā)明的第二處理液供給裝置，所述噴嘴103、分支管112以及控制閥118相當(dāng)于本發(fā)明的第三處理液供給裝置，所述在線加熱器119相當(dāng)于本發(fā) 明的溫度調(diào)節(jié)裝置，所述控制部129相當(dāng)于本發(fā)明的控制裝置。下面，對(duì)上述實(shí)施例3的裝置的動(dòng)作加以說明。另外，使基板W旋轉(zhuǎn) 保持在卡盤81上。參照?qǐng)D6說明在實(shí)施例3中的處理動(dòng)作。在該實(shí)施例3中，例如，邊作 為處理液生成所述HF用藥液邊在藥液處理室71中進(jìn)行HF處理，然后，在 清洗處理室101中通過溶液進(jìn)行清洗處理后，對(duì)基板W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥。具體地說，控制部129操作控制閥79而向低速旋轉(zhuǎn)的基板W按照規(guī)定 流量供給藥液(圖6A)。而且，將該狀態(tài)僅保持規(guī)定時(shí)間，對(duì)低速旋轉(zhuǎn)的 基板W進(jìn)行藥液處理。接著，控制部129關(guān)閉藥液處理室71的控制閥79而停止藥液的供給的 同時(shí)，停止基板W的旋轉(zhuǎn)，在藥液處理室71的飛散防止杯87下降的狀態(tài) (即為避讓狀態(tài))下將保持在卡盤81上的基板W裝載于搬運(yùn)機(jī)構(gòu)91的臂 部93上，并驅(qū)動(dòng)臂部93，使臂部93在水平面內(nèi)向著清洗處理室101旋轉(zhuǎn)， 在清洗處理室101的飛散防止杯127下降的狀態(tài)(即為避讓狀態(tài))下，將基 板W裝載于卡盤121上?；錡以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支撐在清洗處理室101的卡盤121上，則在 控制部129使基板W低速旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，打開控制閥109將純水從噴嘴103 供給至基板W的表面上。由此，進(jìn)行只使用純水的清洗處理(圖6B)。將該通過純水的清洗處理僅進(jìn)行規(guī)定時(shí)間后，控制部129關(guān)閉控制閥109 而停止純水的供給，同時(shí)打開控制閥117，從第一溶液供給源114將作為第 一低表面張力溶液的7 a u于一 卜(住友3M株式會(huì)社的注冊(cè)商標(biāo))用在線 加熱器119加熱至150 20(TC的范圍后以規(guī)定流量向低速旋轉(zhuǎn)的基板W供 給。將該操作僅持續(xù)規(guī)定時(shí)間，由此，用調(diào)整為150 20(TC范圍內(nèi)的第一低 表面張力溶液來置換基板W上的純水(圖6C)。該第一低表面張力溶液的 置換結(jié)束后，將該狀態(tài)維持規(guī)定時(shí)間。如圖6C所示，基板W的表面被高溫(150 200°C)的第一低表面張力 溶液置換，殘留于基板W表面的純水被高溫的第一低表面張力溶液的熱量 氣化，并成為蒸汽而釋放，即使是進(jìn)入并殘留于基板W表面上的微細(xì)圖案的細(xì)部中的純水，也被高溫的第一低表面張力溶液的熱量氣化，并成為蒸汽 釋放。另外，從基板W釋放的蒸汽，通過設(shè)置在清洗處理室101的上方處的 未圖示的排氣機(jī)構(gòu)而被排氣。第一低表面張力溶液的置換結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，可根據(jù)已知的基板w的布滿液體的容量以及飛散容量和供給時(shí)的第一低表面張力溶液的流量等，通過控制部129的判斷而進(jìn)行。該第一低表面張力溶液的置換處理結(jié)束后，控制部129將作為第二低表 面張力溶液的氫氟醚(HFE),以規(guī)定流量供給至低速旋轉(zhuǎn)的基板W上。將 該操作只繼續(xù)規(guī)定時(shí)間，由此用第二低表面張力溶液來置換基板W上的第 一低表面張力溶液(圖6D)。當(dāng)通過第二低表面張力溶液的藥液置換結(jié)束 后，控制部129停止從噴嘴103供給第二低表面張力溶液，使基板W低速 旋轉(zhuǎn)，從而進(jìn)行干燥(圖6E)。第二低表面張力溶液的置換結(jié)束的時(shí)間點(diǎn)，可由已知的基板W的布滿 液體的容量以及飛散容量和供給時(shí)的第二低表面張力溶液的流量等，通過控 制部129的判斷而進(jìn)行。如上所述，根據(jù)實(shí)施例3，由于具有清洗處理室101，其內(nèi)部具有能 夠?qū)⒒錡以水平姿勢(shì)加以旋轉(zhuǎn)而保持的卡盤121;對(duì)由該卡盤121保持的 基板W用處理液來進(jìn)行處理；第一處理液供給裝置(噴嘴103、配管105以 及控制閥109)，其向通過該清洗處理室101內(nèi)的卡盤121進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)的 基板W上供給純水；第二處理液供給裝置(噴嘴103、分支管lll以及控制 閥117)，其將表面張力比純水小且沸點(diǎn)比純水高的第一低表面張力溶液供 給至由清洗處理室101內(nèi)的卡盤121進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)的基板W上；在線加熱 器119，將供給至由清洗處理室101內(nèi)的卡盤121進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板W上的第 二低表面張力溶液，調(diào)整為純水的沸點(diǎn)以上且第一低表面張力溶液的沸點(diǎn)以 下的溫度范圍內(nèi)；控制部129，其對(duì)在線加熱器119以及第二處理液供給裝 置(噴嘴103、分支管111及控制閥117)進(jìn)行控制，在用純水對(duì)基板W進(jìn) 行處理后，向由清洗處理室101內(nèi)的卡盤121進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)的基板W供給 調(diào)整為所述溫度范圍內(nèi)的第一低表面張力溶液，因此，向清洗處理室101內(nèi) 由純水進(jìn)行過處理的基板W上，供給被調(diào)整為比純水的沸點(diǎn)高的溫度的第一低表面張力溶液，殘留于基板W表面的純水(包括進(jìn)入并殘留于基板表 面的圖案細(xì)部中的純水)被高溫的第一低表面張力溶液的熱量氣化而從基板 W的表面離開，并成為氣體從清洗處理室101釋放，由此，能夠?qū)⑦M(jìn)入并殘 留于基板W表面的圖案細(xì)部的純水完全用第一低表面張力溶液來置換，基 板W的表面上只殘留有表面張力低的第一低表面張力溶液，對(duì)該第一低表 面張力溶液進(jìn)行干燥時(shí)作用于基板W表面的表面張力小，因此，能夠防止 形成于基板W上的圖案受損。另外，由于將基板W表面的第一低表面張力溶液用表面張力比純水小 且沸點(diǎn)比第一低表面張力溶液低的第二低表面張力溶液來置換而進(jìn)行旋轉(zhuǎn) 干燥，因此，與在第一低表面張力溶液的狀態(tài)下來低速旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行干燥的情 形相比，能夠縮短干燥處理時(shí)間。即，由于第二低表面張力溶液比第一低表 面張力溶液沸點(diǎn)低，因此，比第一低表面張力溶液更容易干燥。另外，由于純水的沸點(diǎn)為IO(TC，第一低表面張力溶液為氟類惰性液體，其表面張力低且沸點(diǎn)比純水充分高，因此，能夠確保與純水的蒸留選擇比， 能夠很好地使純水氣化。另外，由于第一低表面張力溶液及第二低表面張力溶液均為氟類惰性液 體，因此，能夠容易地用第二低表面張力溶液來置換第一低表面張力溶液， 能夠縮短第二低表面張力溶液的置換時(shí)間，從而縮短干燥處理。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，可采用如下所述的變形實(shí)施方式。(1) 在上述各實(shí)施例中，處理槽1為開放的狀態(tài)，但也可以將處理槽1的周圍用腔室圍上，同時(shí)在內(nèi)槽3的上部設(shè)置開關(guān)自如的蓋，進(jìn)一步，也可 在腔室的上部空間上設(shè)置用于供給溶劑氣體的噴嘴。而且，在提升基板時(shí)， 使上部空間成為溶劑環(huán)境的同時(shí)，打開蓋而使保持臂7上升。由此，能夠在 上升時(shí)進(jìn)行向溶劑的置換。(2) 在上述實(shí)施例1中，圖2A 2D所示，采用了用單一的處理槽1 來進(jìn)行藥液處理、純水清洗處理、第一低表面張力溶液置換處理、第二低表 面張力溶液置換處理以及提升干燥處理的結(jié)構(gòu)，但也可以采用針對(duì)藥液處理 另行設(shè)置處理槽或處理室，將純水清洗處理、第一低表面張力溶液的置換處 理、第二低表面張力溶液的置換處理以及提升干燥處理用單一的處理槽1來 進(jìn)行的結(jié)構(gòu)。(3) 在上述實(shí)施例2中，干燥室49在高溫環(huán)境下使基板W旋轉(zhuǎn)，但 也可以在高溫環(huán)境中不旋轉(zhuǎn)基板w而是曬規(guī)定時(shí)間來進(jìn)行干燥處理，還可 以是不在高溫環(huán)境下僅通過基板W的旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行干燥處理。(4) 在上述各實(shí)施例l、 2中，由于采用了多種類的處理液，因此，優(yōu) 選設(shè)置從排出口 15及排出口 41分成多條的分支管及開閉閥，根據(jù)所排出的 處理液來切換配管，根據(jù)處理液的不同選擇不同的回収目的地。由此，能夠 按照不同的處理液而進(jìn)行回収，廢液處理變得容易。(5) 在上述實(shí)施例3中，如圖6A 6E所示，采用在清洗處理室101 完成向第二低表面張力溶液置換處理后進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥處理的結(jié)構(gòu)，但也可以 如圖7E所示，采用在完成向第二低表面張力溶液置換處理后，在氮?dú)獾鹊?高溫環(huán)境中對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在不脫離其思想本質(zhì)的范圍內(nèi)，可以用其他的具體方式來實(shí)施， 因此，關(guān)于發(fā)明的范圍，不僅參照如上所述的說明，還應(yīng)該參照本發(fā)明請(qǐng)求 保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，所述基板處理裝置通過處理液對(duì)基板進(jìn)行處理，其包括處理槽，其用于貯存處理液；保持機(jī)構(gòu)，其在保持基板的狀態(tài)下位于所述處理槽內(nèi)的處理位置；第一處理液供給裝置，其用于將第一處理液供給至所述處理槽內(nèi)；第二處理液供給裝置，其用于將表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比第一處理液高的第二處理液供給至所述處理槽內(nèi)；溫度調(diào)節(jié)裝置，其用于將所述處理槽中的第二處理液的溫度調(diào)節(jié)在第一處理液的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍；控制裝置，其用于對(duì)所述第二處理液供給裝置進(jìn)行控制，從而使從所述第一處理液供給裝置供給并貯存于所述處理槽內(nèi)的第一處理液置換為第二處理液，同時(shí)，對(duì)所述溫度調(diào)節(jié)裝置進(jìn)行控制，從而使第二處理液維持在所述溫度范圍內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，具有第三處理液供給裝置，其用于將表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比 第二處理液低的第三處理液供給至所述處理槽內(nèi)，所述保持機(jī)構(gòu)在保持基板的狀態(tài)下，能夠在所述處理槽內(nèi)的處理位置和 所述處理槽的上方位置中的待機(jī)位置之間自由升降；所述控制裝置對(duì)所述第三處理液供給裝置進(jìn)行控制，從而在通過維持在 所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，使貯存于處理槽內(nèi)的所述 第二處理液置換為第三處理液，同時(shí)，對(duì)所述保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制，從而在所 述處理槽內(nèi)的第二處理液由第三處理液置換結(jié)束后，將基板上升至待機(jī)位 置。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，具有熱干燥裝置，其用于使通過第二處理液進(jìn)行過處理的基板在高溫環(huán) 境中加以干燥，所述控制裝置對(duì)所述熱干燥裝置進(jìn)行控制，從而在通過維持在所述溫度 范圍內(nèi)的第二處理液的處理結(jié)束后，使基板在高溫環(huán)境中干燥。
4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，具有空氣干燥裝置，其用于使通過第二處理液進(jìn)行過處理的基板通過空 氣接觸而加以干燥，所述控制裝置對(duì)所述空氣干燥裝置進(jìn)行控制，從而在通過維持在所述溫 度范圍內(nèi)的第二處理液的處理結(jié)束后，使基板與空氣接觸而進(jìn)行干燥。
5. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
6. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
7. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
8. 如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
9. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液為氟類惰性液體。
10. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液為氟類惰性液體。
11. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液為氟類惰性液體。
12. 如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液為氟類惰性液體。
13. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水，第 二處理液及第三處理液是表面張力為0.02N/m以下的氟類惰性液體。
14. 一種基板處理裝置，所述基板處理裝置通過處理液對(duì)基板進(jìn)行處理， 其包括處理部，其內(nèi)部具有能夠?qū)⒒逡运阶藙?shì)旋轉(zhuǎn)而加以保持的旋轉(zhuǎn)保持 機(jī)構(gòu)，通過處理液處理由所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)保持的基板；第一處理液供給裝置，其用于將第一處理液供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所 述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板；第二處理液供給裝置，其用于將表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比第一 處理液高的第二處理液供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板；溫度調(diào)節(jié)裝置，其是用于將供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu) 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板上的第二處理液的溫度，調(diào)節(jié)在第一處理液的沸點(diǎn)以上且第 二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍內(nèi)；控制裝置，其對(duì)所述溫度調(diào)節(jié)裝置及所述第二處理液供給裝置進(jìn)行控 制，從而使在通過第一處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，向由所述處理部?jī)?nèi)的所述 旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板供給被調(diào)節(jié)在所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液。
15. 如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其中，具有第三處理液供給裝置，其用于將表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比 第二處理液低的第三處理液，供給至由所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn) 行旋轉(zhuǎn)的基板上，所述控制裝置對(duì)所述第三處理液供給裝置進(jìn)行控制，從而使通過被調(diào)節(jié) 在所述溫度范圍內(nèi)的第二處理液對(duì)基板進(jìn)行處理后，將第三處理液供給至由 所述處理部?jī)?nèi)的所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板，并在第三處理液向基板 的供給結(jié)束后，控制所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)，從而使基板旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行干燥。
16. 如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水， 第二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
17. 如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水， 第二處理液的表面張力為0.02N/m以下。
18. 如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水， 第二處理液為氟類惰性液體。
19. 如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水， 第二處理液為氟類惰性液體。
20. 如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其中，第一處理液為純水， 第二處理液及第三處理液是表面張力為0.02N/m以下的氟類惰性液體。
全文摘要
一種基板處理裝置，用處理液對(duì)基板進(jìn)行處理，其包括處理槽，用于貯存處理液；保持機(jī)構(gòu)，在保持基板的狀態(tài)下位于所述處理槽內(nèi)的處理位置；第一處理液供給裝置，用于將第一處理液供給至所述處理槽內(nèi)；第二處理液供給裝置，用于將表面張力比第一處理液小且沸點(diǎn)比第一處理液高的第二處理液供給至所述處理槽內(nèi)；溫度調(diào)節(jié)裝置，用于將所述處理槽中的第二處理液的溫度調(diào)節(jié)在第一處理液的沸點(diǎn)以上且第二處理液的沸點(diǎn)以下的溫度范圍；控制裝置，對(duì)所述第二處理液供給裝置進(jìn)行控制，從而使從所述第一處理液供給裝置供給并貯存于所述處理槽內(nèi)的第一處理液置換為第二處理液，同時(shí)，對(duì)所述溫度調(diào)節(jié)裝置進(jìn)行控制，由此將第二處理液維持在所述溫度范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/306GK101271833SQ20081008337
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月23日
發(fā)明者林豊秀 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社