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      具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造及其制造方法

      文檔序號:6896139閱讀:202來源:國知局
      專利名稱:具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造及其制造方法
      技術領域
      本發(fā)明是有關于一種半導體封裝構造,更特別有關于一種具電磁干擾 屏蔽功能的半導體封裝構造。
      背景技術
      由于射頻封裝構造(RF package)容易受到外界的電磁干擾,當其被裝 置在電路板上時,要特別注意避免相互間的干擾,以免運作發(fā)生異常。參考圖1,美國專利第6,781,231號揭露了一種半導體封裝構造100, 其包含有一基板110,基板110上設有一芯片120,并以一蓋體130蓋住 芯片120,蓋體130的周緣則借助一導電膠、焊錫或其類似物140與基板 110電性連接。上述蓋體130包舍一外殼體132a,其是由一層導電材料所 形成,例如銅、不銹鋼、鋁或其合金等形成。蓋體130還包含一內殼體132b, 其亦由一層導電材料所形成。于內殼體132b的內側,包含有一導電材料 所形成的內襯150,做為屏蔽芯片120以免受電磁干擾之用。上述封裝構造100雖具有抗電磁干擾的優(yōu)點,惟,其不具有整批大量 制造的優(yōu)點。另外,參考圖2,美國專利第6,614,102號揭露了另一種半導體封裝 構造10,其包含一芯片承載座(diepad)14、 一芯片12設在芯片承載座14 上,以及一組引腳16圍繞在芯片承載座14的周圍,其中芯片12借助焊 線18與引腳16電性連接。為了能夠達到屏蔽的效果, 一屏蔽組件24是 罩蓋芯片12,屏蔽組件24的周緣并與選定的引腳16電性連接,同時再加 以接地,如此,與外界接地線路連接的屏蔽組件24,能夠屏蔽芯片12以 免受到外界的電磁干擾。為了保護芯片12以及其它組件, 一封膠體22則 包覆芯片12以及屏蔽組件24。上述專利所揭露的封裝構造雖有屏蔽電磁干擾的效果,惟,其仍需要 一個額外的電磁屏蔽組件,因此會增加生產成本以及制程上的復雜度。有鑒于此,便有須提出一種具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造, 以解決上述問題。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造, 其能夠屏蔽設在其中的芯片使的免受外來的電磁干擾。為達上述目的,本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造包含 一基板,基板上設有一芯片,并借助焊線與基板電性連接。至少一個屏蔽 導體塊配置于基板上,并與基板的接地線路電性連接。 一封膠體設置于基 板上,并覆蓋芯片、焊線以及屏蔽導體塊。此外,封膠體的一側表面并暴 露出屏蔽導體塊的一表面。 一導電膜設置于封膠體的外表面,并覆蓋屏蔽 導體塊的棵露表面,以使導電膜能夠電性連接至屏蔽導體塊。由于導電膜 覆蓋住封膠體,并借助屏蔽導體塊與基板的接地線路電性連接,導電膜因 此能夠屏蔽芯片使其免受電磁干擾。本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述具電磁干擾屏蔽功能的半導體封 裝構造的制造方法。為達上述目的,首先提供包含有數(shù)個基板單元的一基板條,這些基板 單元被數(shù)條切割道所分隔。再分別設置數(shù)個芯片于各個基板單元上,芯片 則借助數(shù)條焊線與所屬的基板單元電性連接。設置數(shù)個屏蔽導體塊于基板 條上,使各屏蔽導體塊橫跨基板單元中的至少兩個,以使一基板單元的接 地線路與另一鄰近的基板單元的接地線路電性連接。接著,在基板條上形 成一個連續(xù)的封膠體,以將芯片、焊線與屏蔽導體塊包覆住。再將連續(xù)封 裝構造沿著切割道進行半切割,以使連續(xù)封膠體被切割成數(shù)個分離的封膠 體,并使基板條保持未切割。接著,形成一導電膜于各分離的封膠體的外 表面上,并電性連接至屏蔽導體塊棵露出封膠體的表面。最后,將基板條 完全切割,以得到本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造。為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯,下文特舉 本發(fā)明實施例,并配合所附圖示,作詳細說明如下。


      圖1:為一種習知具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造的剖面圖。 圖2:為另一種習知具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造的剖面圖。 圖3:為本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造的剖面圖。 圖4a至圖4g:顯示本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造 的制造方法,其中圖4c是為圖4b所示封裝構造的上視圖。
      具體實施方式
      參考圖3,本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造300包含 一基板310,基板310上設有一芯片320,例如具有RF功能的芯片或微 才幾電系統(tǒng)(microelectromechanical system; MEMS)芯片,并4昔助例如焊線 330與基板310電性連接。至少一個屏蔽導體塊360,以例如錫膏或導電 膠所制成,配置于基板310上,并與基板310的接地線路370電性連接。 一封膠體340設置于基板310上,并覆蓋芯片320、焊線330以及屏蔽導 體塊360。此外,封膠體340的一側表面344并暴露出屏蔽導體塊360的 一表面362。為了屏蔽芯片320使其免受電磁干擾, 一導電膜350設置于封膠體340 的外表面342并覆蓋屏蔽導體塊360的棵露表面362,以使導電膜350能 夠電性連接至屏蔽導體塊360,其中導電膜350可以例如鋁、銅、鉻(Cr)、 錫(Sn)、金、銀、鎳或上述元素的組合所構成。由于導電膜350覆蓋住封 膠體340,并借助屏蔽導體塊360與基板310的接地線路370電性連接, 導電膜350因此能夠屏蔽芯片320使其免受電磁干擾。此外,由于屏蔽導 體塊360具有一定的厚度,因此其亦能夠屏蔽周遭的電子組件免受電磁干 擾。參考圖4a至圖4g,本發(fā)明亦提供制造半導體封裝構造300的方法。 首先,參考圖4a,提供包含有數(shù)個基板單元410的一基板條400,這些基 板單元410被數(shù)條切割道(saw street)420所分隔,而切割道420的寬度為 大約0.5mm。參考圖4b,分別設置數(shù)個芯片320于各個基板單元410上, 芯片320則借助數(shù)條焊線330與所屬的基板單元410電性連接。參考圖4c,設置數(shù)個屏蔽導體塊306'于基板條400上,使各屏蔽導體塊306'橫跨 基板單元410中的至少兩個,并使一基板單元410的接地線路370與另一 鄰近的基板單元410的接地線路370電性連接。接著,參考圖4d,在基 板條400上形成一個連續(xù)的封膠體440,以將芯片320、焊線330與屏蔽 導體塊360'包覆。參考圖4e,為了將基板條400的基板單元410單體化,首先將圖4d 所示的封裝構造以一切割刀470沿著切割道420進行半切割(half-cut),其 中切割刀470的厚度是實質上相等于切割道420的寬度。連續(xù)封膠體440 被切割成數(shù)個相互分離的封膠體340,而基板條400則不加以切割。在連 續(xù)封膠體440被切割之后,原先包覆在連續(xù)封膠體440內的每一個屏蔽導 體塊360'也被切割成兩部分360,其中每一部份360均具有一表面362棵 露出分離的封膠體340。接著,參考圖4f,借助化學汽相沉積(chemical vapor deposition),化學電鍍(electroless plating)、 電解電鍍(electrolytic plating)、噴涂(spray coating)、印刷或濺鍍(sputtering)的方式,形成一導 電膜350于封膠體340的外表面上,并覆蓋屏蔽導體塊360的棵露表面 362。參考圖4g,在導電膜350形成在封膠體340上之后,將圖4f所示 的封裝構造以基板條400朝上、封膠體340朝下的方式翻轉,并以一切割 刀480將基板條400完全切割,以得到本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半 導體封裝構造300。切割刀480的厚度較佳是小于切割刀470的厚度,例 如是0.3mm。本發(fā)明的屏蔽導體塊360'的組成材料可為例如錫膏或導電膠,在形成 屏蔽導體塊360'的步驟中,錫膏或導電膠首先被涂在基板條400上。接著, 再將涂布于基板條400上的錫膏或導電膠以回悍、加熱或其它方式使的固 化,以形成屏蔽導體塊360'。再者,將芯片電性連接至基板的方式亦不限 于打線的方式,其它例如覆晶(flip-chip)方式亦可使用。本發(fā)明的具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造300的制造方法是在 封裝構造300的封膠體340上形成一導電膜350,當導電膜350被接地之 后將具有屏蔽組件的作用。因此,將沒有必要裝設額外的屏蔽組件以屏蔽封裝構造300使的免受電磁干擾。再者,導電膜350能夠一次大量地形成在封裝構造300上,因此能夠降低生產成本。雖然本發(fā)明已以前述較佳實施例揭示,然其并非用以限定本發(fā)明,任 何熟習此技藝者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內,當可作各種的更動與 修改。因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權利要求所界定者為準。
      權利要求
      1. 一種半導體封裝構造,其包含基板,具有一接地線路;芯片,設于該基板上;至少一個屏蔽導體塊,配置于該基板上,并與該基板的接地線路電性連接;封膠體,設置于該基板上,并覆蓋該芯片與屏蔽導體塊,該封膠體的一側表面暴露出該屏蔽導體塊的一表面;及導電膜,設置于在該封膠體的外表面并覆蓋該屏蔽導體塊的裸露表面,以電性連接至該屏蔽導體塊。
      2. 如權利要求1所述的半導體封裝構造,另包含 數(shù)條焊線,電性連接該芯片至該基板。
      3. 如權利要求1所述的半導體封裝構造,其中該導電膜的組成材料是 由鋁、銅、鉻、錫、金、銀及鎳所構成的群組中選出。
      4. 如權利要求1所述的半導體封裝構造,其中該屏蔽導體塊的組成材 料是由錫膏及導電膠所構成的群組中選出。
      5. —種半導體封裝構造的制造方法,包含下列步驟 提供一基板條,其包含有數(shù)個基板單元,其中所述基板單元由數(shù)條切割道所分隔,各該基板單元具有一接地線路; 分別設置數(shù)個芯片于各該基板單元上;設置數(shù)個屏蔽導體塊于該基板條上,使各該屏蔽導體塊橫跨所述基板 單元中的至少兩個,并使所述屏蔽導體塊與所述接地線路電性連接; 形成一連續(xù)封膠體于該基板條上,以將所述芯片與屏蔽導體塊包覆; 沿著所述切割道將該連續(xù)封膠體切割,以形成數(shù)個相互分離的封膠體,并使各該屏蔽導體塊分割成兩部分,其中各該屏蔽導體塊的分割部分具有一表面棵露出所述分離的封膠體;形成一導電膜于所述分離封膠體的外表面上,并覆蓋所述屏蔽導體塊 的棵露表面,使得該導電膜與所述屏蔽導體塊電性連接;及切割該基板條以使所述基板單元完全分離。
      6. 如權利要求5所述的制造方法,另包含 設置數(shù)條焊線,使所述芯片與所屬的基板單元電性連接。
      7. 如權利要求5所述的制造方法,其中該導電膜的形成方式是由化學 汽相沉積、化學電鍍、電解電鍍、噴涂、印刷及濺鍍所構成的群組中選出。
      8. 如權利要求5所述的制造方法,其中該導電膜的組成材料是由鋁、 銅、鉻、錫、金、銀及鎳所構成的群組中選出。
      9. 如權利要求5所述的制造方法,其中所述屏蔽導體塊的組成材料是 由錫膏及導電膠所構成的群組中選出。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種具電磁干擾屏蔽功能的半導體封裝構造,其包含一基板,基板上設有一芯片,并借助焊線與基板電性連接。至少一個屏蔽導體塊配置于基板上,并與基板的接地線路電性連接。一封膠體設置于基板上,并覆蓋芯片、焊線以及屏蔽導體塊。封膠體的一側表面暴露出屏蔽導體塊的一表面。一導電膜設置于封膠體的外表面,并覆蓋屏蔽導體塊的裸露表面,藉此屏蔽芯片使其免受電磁干擾。
      文檔編號H01L21/50GK101276805SQ20081009271
      公開日2008年10月1日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權日2007年6月15日
      發(fā)明者車尚珍, 金炯魯 申請人:日月光半導體制造股份有限公司
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