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      一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件及其制造方法

      文檔序號(hào):6896489閱讀:156來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件,尤指一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件。
      背景技術(shù)
      集成電路在我們的日常生活中,幾乎可以說(shuō)已經(jīng)達(dá)到無(wú)所不在的地步。 它的主要應(yīng)用領(lǐng)域除了早已融入日常生活中的電腦工業(yè)外,也廣泛的應(yīng)用在 各種的消費(fèi)性與國(guó)防性電子產(chǎn)品及通訊產(chǎn)品上,包括音響、電視、雷達(dá)、及 無(wú)線(xiàn)電話(huà)等。然而,隨著操作頻率的大幅提升以及為了制作出更快速的產(chǎn)品 裝置,在晶片以及集成電路上便容易形成一種嚴(yán)重的電源擾動(dòng),稱(chēng)之為瞬時(shí)切換噪聲(simultaneous switch noise, SSN)。一般而言,這種當(dāng)元件處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)產(chǎn)生瞬間變化的電流在經(jīng)過(guò)回流途 徑上存在的電感,進(jìn)而形成交流壓降時(shí),所引起的瞬時(shí)切換噪聲,會(huì)嚴(yán)重干 擾電子裝置的正常運(yùn)作。因?yàn)樵诂F(xiàn)今的大規(guī)模集成電路中,隨著管腳數(shù)量增 加,封裝容量變大,以及信號(hào)開(kāi)關(guān)速度提升,瞬時(shí)切換噪聲就變的更加嚴(yán)重, 對(duì)模擬信號(hào)的干擾也就越大。目前解決瞬時(shí)切換噪聲的作法一般是在封裝構(gòu)件的外部增設(shè)置解耦合 電容(decoupling capacitor),并通過(guò)解耦合電容來(lái)消弭噪聲。但在實(shí)際運(yùn)作上, 封裝構(gòu)件內(nèi)部的集成電路與解耦合電容之間的距離會(huì)限制噪聲抑制的效果, 造成元件運(yùn)作不佳。因此,如何改良目前封裝構(gòu)件中解決瞬時(shí)切換噪聲的作 法即為現(xiàn)今一重要課題。發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的主要目的為提供一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件,以 解決上述已知的問(wèn)題。本發(fā)明披露一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件,其包含有一晶片、設(shè) 在晶片的有源表面上的至少第 一焊墊及至少第二焊墊、設(shè)在晶片的有源表面上并暴露出第一焊墊及第二焊墊的一絕緣層、設(shè)在絕緣層上并電性連接第一 焊墊的第一導(dǎo)電層、設(shè)在第一導(dǎo)電層上的一介電層、設(shè)在介電層上并電性連 接第二焊墊的第二導(dǎo)電層、位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層中的至少一者的多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域、以及連接至少兩個(gè)圖案化區(qū)域的至少 一導(dǎo)電線(xiàn)路。本發(fā)明還披露一種形成具抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件的方法,其包含有下列步驟首先提供一晶片,其具有一有源表面,且晶片包含位于該晶片的 有源表面的至少一個(gè)第一焊墊和至少一個(gè)第二焊墊。然后在晶片的有源表面 上形成一絕緣層,并形成電性連接該第一焊墊的第一導(dǎo)電層。接著圖案化第 一導(dǎo)電層,以形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域,且形成至少一導(dǎo)電線(xiàn)路連 接至少二個(gè)該圖案化區(qū)域。隨后形成覆蓋第一導(dǎo)電層的一介電層,然后形成 電性連接第二焊墊的第二導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,披露另 一種形成具抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件 的方法,其包含有下列步驟首先提供一晶片,其具有一有源表面,且晶片 包含位于晶片的有源表面的至少一個(gè)第一焊墊和至少一個(gè)第二焊墊。然后在 晶片的有源表面上形成一絕緣層,并形成電性連接該第 一焊墊的第 一導(dǎo)電 層。接著形成覆蓋第一導(dǎo)電層的一介電層,并形成電性連接該第二焊墊的第 二導(dǎo)電層。隨后再圖案化第二導(dǎo)電層,以形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域 以及同時(shí)形成連接至少二個(gè)該圖案化區(qū)域的至少 一導(dǎo)電線(xiàn)路。本發(fā)明主要是在圖案化第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層時(shí)同時(shí)形成多個(gè)周期 性排列的圖案化區(qū)域,然后通過(guò)導(dǎo)電層、介電層和導(dǎo)電層在這些圖案化區(qū)域 所構(gòu)成的電源供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)來(lái)抑制半導(dǎo)體元件在運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的噪聲,以使半導(dǎo) 體元件達(dá)到更良好的電性效能。


      圖1至圖16為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作一具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元 件的示意圖。圖17為本發(fā)明半導(dǎo)體元件中在圖案化導(dǎo)電層后所形成的圖案化區(qū)域的 俯視圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明12晶片14有源表面16焊墊18焊墊20焊墊22保護(hù)層24凸塊下金屬層26絕緣層28圖案化光致抗蝕劑層30開(kāi)口32導(dǎo)電層34圖案化光致抗蝕劑層36開(kāi)口38介電層40圖案化光致抗蝕劑層42開(kāi)口44導(dǎo)電層46圖案化光致抗蝕劑層48圖案化光致抗蝕劑層50保護(hù)層52凸塊下金屬層54圖案化區(qū)域56電容58導(dǎo)電線(xiàn)路60接地焊球62電源焊球64信號(hào)焊球具體實(shí)施方式
      請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖16,圖1至圖16為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作一具有抑制 噪聲功能的半導(dǎo)體元件的示意圖。如圖l所示,首先提供一晶片12,其具有 一有源表面14,且晶片12包含設(shè)于有源表面14上的多個(gè)焊墊16、 18、 20。 其中,焊墊16、 18、 20可分別依照元件的設(shè)計(jì)為接地焊墊(ground pad)、電 源焊墊(powerpad)或信號(hào)焊墊(signalpad)。在本實(shí)施例中,焊墊16為接地焊 墊,焊墊18為一信號(hào)焊墊,而焊墊20為一電源焊墊。但不局限于本實(shí)施例 所披露的配置方式,各焊墊所設(shè)置的位置及對(duì)應(yīng)功能又可依據(jù)工藝或產(chǎn)品的 需求來(lái)自由調(diào)整,此皆應(yīng)屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。隨后覆蓋一保護(hù)層22在 晶片12的有源表面14上并利用蝕刻等圖案化方法暴露出各焊墊16、18、20, 最后再進(jìn)行沉積、蝕刻等步驟,分別形成一凸塊下金屬層24在各焊墊16、 18、 20上并覆蓋部分的保護(hù)層。由于此等步驟皆為已知該項(xiàng)技藝者與通常知 識(shí)者所熟的,在此不多加贅述。如圖2所示,然后形成一絕緣層26在有源表面14上并覆蓋各凸塊下金 屬層24及部分保護(hù)層22。其中,本實(shí)施例的絕緣層26可包含苯并環(huán)丁烯 (Benzo-cyclo-butene, BCB)等的絕緣材料,且絕緣層26的厚度大于5微米(—。接著如圖3及圖4所示,利用光掩模、顯影或蝕刻的方式在絕緣層26 中形成多個(gè)開(kāi)口。舉例來(lái)說(shuō),本發(fā)明可先形成一圖案化光致抗蝕劑層28在 絕緣層26上,然后再進(jìn)行一蝕刻工藝,去除未被圖案化光致抗蝕劑層28所 覆蓋的絕緣層26,以在絕緣層26中形成多個(gè)開(kāi)口 30并分別暴露出各凸塊下 金屬層24。如圖5所示,隨后形成一個(gè)由鋁或銅所構(gòu)成的導(dǎo)電層32在開(kāi)口 30中及 絕緣層26上,并使導(dǎo)電層32電性連接焊墊16、 18、 20。其中,電性連接導(dǎo) 電層32與焊墊16、 18、 20的步驟是在開(kāi)口 30中形成一導(dǎo)電介質(zhì)(即導(dǎo)電層 32),且形成導(dǎo)電介質(zhì)的步驟可選自沉積、濺鍍、電鍍、印刷或注入等各式 半導(dǎo)體或封裝技術(shù)。然后如圖6至圖7所示,形成一圖案化光致抗蝕劑層34在導(dǎo)電層32上, 并進(jìn)行一蝕刻工藝,去除部分未被圖案化光致抗蝕劑層34覆蓋的導(dǎo)電層32, 以于導(dǎo)電層32中形成多個(gè)開(kāi)口 36并暴露出部分絕緣層26,然后通過(guò)開(kāi)口 36來(lái)隔離各焊墊16、 18、 20。如圖8所示,隨后形成一具有低介電常數(shù)的介電層38在開(kāi)口 36中以及 導(dǎo)電層32上。此介電層的介電常數(shù)可視產(chǎn)品需求及功能設(shè)計(jì)而有所不同。 在本實(shí)施例中,介電層38的介電常數(shù)大于10,介電層38的厚度小于0.3pm, 且介電層38選用Ta2Os。接著如圖9至圖10所示,利用光掩模、顯影或蝕刻的方式在介電層38 上形成多個(gè)相對(duì)應(yīng)各焊墊16、 18、 20位置的開(kāi)口。舉例來(lái)說(shuō),本發(fā)明可先 形成一圖案化光致抗蝕劑層40在介電層38上,然后進(jìn)行一蝕刻工藝,去除 未被圖案化光致抗蝕劑層40所覆蓋的介電層38,以于介電層38中形成多個(gè) 開(kāi)口 42并暴露出導(dǎo)電層32。如圖11所示,然后形成另一個(gè)由鋁或銅所構(gòu)成的導(dǎo)電層44在開(kāi)口 42 中并覆蓋在介電層38上,使導(dǎo)電層44通過(guò)導(dǎo)電層32來(lái)電性連接各焊墊16、 18、 20。如同上述電性連接導(dǎo)電層32與焊墊16、 18、 20的方式,電性連接 導(dǎo)電層44與焊墊16、 18、 20的步驟是在開(kāi)口 42中形成一導(dǎo)電介質(zhì),且形 成導(dǎo)電介質(zhì)的步驟可選自沉積、濺鍍、電鍍、印刷或注入等各式半導(dǎo)體或封 裝技術(shù)。然后對(duì)導(dǎo)電層44進(jìn)行一個(gè)圖案化工藝,例如圖12所示,先形成一圖案化光致抗蝕劑層46在導(dǎo)電層44上,然后如圖13所示,進(jìn)行一蝕刻工藝, 以去除未被圖案化光致抗蝕劑層46所覆蓋的導(dǎo)電層44。接著如圖14所示,再進(jìn)行另一次的圖案化工藝,例如先形成一個(gè)圖案 化光致抗蝕劑層48在導(dǎo)電層44上,然后如圖15所示,進(jìn)行另一次蝕刻工 藝,去除未被圖案化光致抗蝕劑層48覆蓋的導(dǎo)電層44。在本實(shí)施例中,此 第二次所進(jìn)行的圖案轉(zhuǎn)移工藝會(huì)將導(dǎo)電層44形成多個(gè)周期性排列的圖案化 區(qū)域并同時(shí)形成至少 一個(gè)導(dǎo)電線(xiàn)路連接至少兩個(gè)圖案化區(qū)域。值得注意的是,本發(fā)明主要是在圖案化導(dǎo)電層44時(shí)同時(shí)形成多個(gè)周期 性排列的圖案化區(qū)域,然后通過(guò)導(dǎo)電層44、介電層38和導(dǎo)電層32在這些圖聲,以使半導(dǎo)體元件達(dá)到更良好的電性效能。此外,本實(shí)施例中是以圖案化導(dǎo)電層44,且是分別進(jìn)行兩次圖案化工藝 的方式來(lái)形成周期性排列的圖案化區(qū)域。但不局限于上述的作法,圖案化導(dǎo) 電層44以及形成周期性排列的圖案化區(qū)域等兩個(gè)步驟又可依據(jù)實(shí)際工藝的 需求而合并為一個(gè)步驟。舉例來(lái)說(shuō),本發(fā)明可在圖12利用圖案化光致抗蝕 劑層46來(lái)圖案化導(dǎo)電層44的同時(shí),便形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域, 此均為本發(fā)明所涵蓋的范圍。除此之外,本實(shí)施例是以圖案化導(dǎo)電層44為例,但形成周期性排列的 圖案化區(qū)域的步驟又可在圖案化導(dǎo)電層32時(shí)來(lái)達(dá)成,而并不局限于圖案化 導(dǎo)電層44。亦即,本發(fā)明可在圖6利用圖案化光致抗蝕劑層34對(duì)導(dǎo)電層32 進(jìn)行圖案化工藝的同時(shí),便形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域以及至少一導(dǎo) 電線(xiàn)路來(lái)連接至少兩個(gè)圖案化區(qū)域,此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。接著如圖16所示,可在圖案化的導(dǎo)電層44上形成另一個(gè)保護(hù)層50并 暴露出連接各焊墊16、 18、 20的導(dǎo)電層44。然后在保護(hù)層50所暴露出的導(dǎo) 電層44上形成多個(gè)凸塊下金屬層52,并可依照產(chǎn)品的需求在凸塊下金屬層 52上形成多個(gè)焊3求(圖未示),以完成本發(fā)明半導(dǎo)體元件的制作。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D16,其繪示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)示意圖。如 圖中所示,本發(fā)明的半導(dǎo)體元件主要包含一晶片12、在晶片12的有源表面 14上的多個(gè)焊墊16、 18、 20設(shè)置、設(shè)在晶片l2的有源表面14上并暴露出 各焊墊16、 18、 20的一保護(hù)層22、設(shè)在焊墊16、 18、 20及保護(hù)層22上的 多個(gè)凸塊下金屬層24、覆蓋在保護(hù)層22與凸塊下金屬層24上并暴露出各凸塊下金屬層24的一絕緣層26、設(shè)在絕緣層26上并電性連接焊墊16、 18、 20的一導(dǎo)電層32、覆蓋在導(dǎo)電層32上的一介電層38、設(shè)在介電層38上電 性連接焊墊16、 18、 20的一導(dǎo)電層44、覆蓋在導(dǎo)電層44上的另一保護(hù)層 50以及設(shè)置在保護(hù)層50上的多個(gè)凸塊下金屬層52。其中,導(dǎo)電層44會(huì)同 時(shí)形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域以及連接至少兩個(gè)圖案化區(qū)域的至少 一導(dǎo)電線(xiàn)J各。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D17,圖17為本發(fā)明半導(dǎo)體元件中在圖案化導(dǎo)電層后所形 成的圖案化區(qū)域的俯視圖。如圖中所示,本發(fā)明在圖案化導(dǎo)電層44或?qū)щ?層32時(shí)可同時(shí)形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域54。其中,本發(fā)明可僅圖 案化兩個(gè)導(dǎo)電層44、 32中的其中一個(gè)來(lái)形成周期性排列的圖案化區(qū)域54, 或同時(shí)圖案化兩個(gè)導(dǎo)電層44、 32,此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外,圖案 化的導(dǎo)電層44、介電層38及導(dǎo)電層32構(gòu)成多個(gè)電容56,且至少一電容56 位于上述的圖案化區(qū)域54中。在本實(shí)施例中,各圖案化區(qū)域54通過(guò)多條導(dǎo) 電線(xiàn)路58來(lái)電性連接,該些導(dǎo)電線(xiàn)路構(gòu)成多個(gè)電感,且一個(gè)圖案化區(qū)域54 由四個(gè)電容56共同組成,但不局限于此,通過(guò)此種結(jié)構(gòu)構(gòu)成整個(gè)電源供應(yīng) 網(wǎng)絡(luò)抑制噪聲。又如圖中所示,電容56上會(huì)形成多個(gè)對(duì)應(yīng)的焊球,且各焊 球依據(jù)焊墊的特性而分別成為接地焊球(ground bal1)60、電源焊球(power bal1)62或信號(hào)焊球(signal bal1)64。此外,設(shè)置在圖案化區(qū)域54上的焊球數(shù) 量及配置方式又可依照產(chǎn)品的需求來(lái)自由調(diào)整,并不局限于圖中所示。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變 化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
      權(quán)利要求
      1. 一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件,包含一晶片,其具有一有源表面;至少一個(gè)第一焊墊,設(shè)于該晶片的該有源表面上;至少一個(gè)第二焊墊,設(shè)于該晶片的該有源表面上;一絕緣層,位于該有源表面上并暴露出該第一焊墊和該第二焊墊;第一導(dǎo)電層,設(shè)于該絕緣層上,并電性連接該第一焊墊;一介電層,設(shè)于該第一導(dǎo)電層上;第二導(dǎo)電層,設(shè)于該介電層上,并電性連接該第二焊墊;多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域,位于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層中的至少一者;以及至少一導(dǎo)電線(xiàn)路,連接至少二個(gè)該圖案化區(qū)域。
      2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中該第一焊墊為接地焊墊,該第 二焊墊為電源焊墊,或該第一焊墊為電源焊墊,該第二焊墊為接地焊墊。
      3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中還包含第一保護(hù)層位于該晶片 和該絕緣層之間。
      4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,還包含第一凸塊下金屬層,設(shè)于該 第一焊墊、第二焊墊中至少一個(gè)之上。
      5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,還包含第二保護(hù)層,覆蓋該第二導(dǎo) 電層。
      6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件,還包含多個(gè)開(kāi)口,貫穿該第二保護(hù) 層、該第二導(dǎo)電層、該介電層、該第一導(dǎo)電層和該絕緣層,且該些開(kāi)口位于 該第 一焊墊和第二焊墊的上方。
      7. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件,還包含第二凸塊下金屬層,位于該 開(kāi)口上方并電性連接該些第 一焊墊和該些第二焊墊。
      8. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件,還包含一導(dǎo)電介質(zhì),位于該開(kāi)口中 并電性連接該第 一焊墊和該第二焊墊。
      9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中該晶片上還包含多個(gè)第三坪 墊,為信號(hào)焊墊。
      10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中該第一導(dǎo)電層、介電層和第二導(dǎo)電層組成多個(gè)電容,其中至少一個(gè)該電容位于該些圖案化區(qū)域。
      11. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中該導(dǎo)電線(xiàn)路為一電感。
      12. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件,其中該第一導(dǎo)電層、介電層和第 二導(dǎo)電層組成多個(gè)電容,至少一個(gè)該電容位于該些圖案化區(qū)域,該導(dǎo)電線(xiàn)路 為一電感,該電感和該電容電性連接。
      13. —種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件的制造方法,包含 提供一晶片,具有一有源表面,且該晶片包含位于該晶片的有源表面的至少一個(gè)第一焊墊和至少一個(gè)第二焊墊;在該晶片的該有源表面上形成一絕緣層; 形成第一導(dǎo)電層電性連接該第一焊墊;圖案化該第一導(dǎo)電層,形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域,且形成至少 一導(dǎo)電線(xiàn)路連接至少二個(gè)該圖案化區(qū)域;形成一介電層并覆蓋該第一導(dǎo)電層;以及 形成第二導(dǎo)電層電性連接該第二焊墊。
      14. 一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件的制造方法,包含 提供一晶片,具有一有源表面,且該晶片包含位于該晶片的有源表面的至少一個(gè)第一焊墊和至少一個(gè)第二焊墊;在該晶片的該有源表面上形成一絕緣層;形成電性連接該第 一焊墊的第 一導(dǎo)電層;形成覆蓋該第一導(dǎo)電層的一介電層;形成電性連接該第二焊墊的第二導(dǎo)電層;以及圖案化該第二導(dǎo)電層,以形成多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域以及同時(shí)形 成至少 一導(dǎo)電線(xiàn)路連接至少二個(gè)該圖案化區(qū)域。
      15. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包 含通過(guò)光掩模、顯影、蝕刻的方式形成多個(gè)第一開(kāi)口于該絕緣層上。
      16. 如權(quán)利要求14或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,其中 電性連接該第一導(dǎo)電層與該第一焊墊的步驟為在該些第一開(kāi)口中形成第一 導(dǎo)電介質(zhì),其中在該些開(kāi)口中形成該第一導(dǎo)電介質(zhì)的方式選自電鍍、印刷或 注入。
      17. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包 含通過(guò)光掩模、顯影、蝕刻的方式形成多個(gè)第二開(kāi)口在該介電層上。
      18. 如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,其中電性連接該第二 導(dǎo)電層與該第二焊墊的步驟為在該些第二開(kāi)口中形成第二導(dǎo)電介質(zhì),其中在 該些開(kāi)口中形成第二導(dǎo)電介質(zhì)的方式選自電鍍、印刷或注入。
      19. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包 含形成第 一保護(hù)層,該第 一保護(hù)層覆蓋該晶片的該有源表面并暴露出該第一 焊墊和該第二焊墊。
      20. 如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包含形成第一凸塊 下金屬層于該第一焊墊和該第二焊墊上,第一凸塊下金屬層覆蓋部分該第一 保護(hù)層。
      21. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包 含形成第二保護(hù)層在該第二導(dǎo)電層上,且在該第二保護(hù)層上暴露出在該第一焊墊和該第二焊墊上方的多個(gè)第三開(kāi)口。
      22. 如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包含形成第二凸塊 下金屬層在該第三開(kāi)口上。
      23. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,其中圖案化該第一導(dǎo)電層或圖案化該第二導(dǎo)電層的步驟為通過(guò)光掩模、顯影、蝕 刻的方式。
      24. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包含圖案化該第二 導(dǎo)電層,其中圖案化該第一導(dǎo)電層的步驟為通過(guò)光掩模、顯影、蝕刻的方式。
      25. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法,還包含圖案化該第一 導(dǎo)電層,其中圖案化該第一導(dǎo)電層的步驟為通過(guò)光掩模、顯影、蝕刻的方式。
      全文摘要
      本發(fā)明披露了一種具有抑制噪聲功能的半導(dǎo)體元件及其制造方法。該半導(dǎo)體元件包含一晶片、設(shè)在晶片的有源表面上的至少第一焊墊及至少第二焊墊、設(shè)在晶片的有源表面上并暴露出第一焊墊及第二焊墊的一絕緣層、設(shè)在絕緣層上并電性連接第一焊墊的第一導(dǎo)電層、設(shè)在第一導(dǎo)電層上的一介電層、設(shè)在介電層上并電性連接第二焊墊的第二導(dǎo)電層、位于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層中的至少一者的多個(gè)周期性排列的圖案化區(qū)域、以及連接至少兩個(gè)圖案化區(qū)域的至少一導(dǎo)電線(xiàn)路。本發(fā)明可以抑制半導(dǎo)體元件在運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的噪聲,以使半導(dǎo)體元件達(dá)到更良好的電性效能。
      文檔編號(hào)H01L21/60GK101271874SQ20081009705
      公開(kāi)日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月12日
      發(fā)明者王維中, 王陳肇 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
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