專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及制造該有機(jī)薄膜晶體管陣列 面^反的方法。
背景技術(shù)：
通常，諸如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器、電泳顯 示器的平板顯示器包括成對的電場產(chǎn)生電極和置于電場產(chǎn)生電極之間的電光 有源層(electro-optical active layer)。 LCD包括液晶層作為電光有源層，OLED 顯示器包括有機(jī)發(fā)光層作為電光有源層。
一對場產(chǎn)生電極中的一個(gè)通常與開關(guān)元件結(jié)合以接收電信號，電光有源 層將電信號轉(zhuǎn)換成光信號以顯示圖像。
用于平板顯示器的開關(guān)元件包括具有三個(gè)端子的薄膜晶體管(TFT)。柵極
線傳輸用于控制TFT的控制信號，數(shù)據(jù)線傳輸將通過TFT被提供到像素電極 的數(shù)據(jù)信號。
在TFT的類型中，正積極地開發(fā)有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)。 OTFT包含代 替諸如Si的無機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)半導(dǎo)體。
與利用傳統(tǒng)TFT的面板相比，具有以矩陣布置的OTFT的OTFT面板在 結(jié)構(gòu)和制造方法上存在許多不同。
一項(xiàng)不同在于OTFT使用含氟有機(jī)材料作為絕緣材料，以改善有機(jī)半導(dǎo) 體的特性。
然而，當(dāng)含氟有機(jī)材料與在用于有機(jī)薄膜晶體管的制造中的光刻工藝中 使用的光致抗蝕劑的剝離劑反應(yīng)時(shí)，會(huì)發(fā)生含氟有機(jī)材料的剝離現(xiàn)象(lifting phenomenon)。因此，期望消除由于與光致抗蝕劑的剝離劑的反應(yīng)導(dǎo)致的有機(jī)
材料的剝離現(xiàn)象，并期望通過使用含氟有機(jī)材料作為絕緣材料來改善有機(jī)半 導(dǎo)體的特性。
在背景技術(shù)部分中公開的上面的信息僅用于增進(jìn)對于本發(fā)明的背景技術(shù) 的理解，因此，可以包含不構(gòu)成在本國已被普通技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板包括基底；源 電極，形成在基底上；漏電極，與源電極分開；堤絕緣層，形成在源電極和 漏電極上，并具有暴露源電極和漏電極的一部分的第 一開口和暴露漏電極的 一部分的第二開口；有機(jī)半導(dǎo)體，置于第一開口中并接觸源電極和漏電極； 柵極絕緣層，形成在有機(jī)半導(dǎo)體上；柵極線，形成在柵極絕緣層上，并包括 柵電極；第一鈍化層，形成在柵極線上，并具有與柵極線相同的形狀；像素 電極，形成在第一鈍化層上，并通過第二開口連接到漏電極。
所述有機(jī)薄膜晶體管陣列面板還可以包括形成在基底上并連接到源電極 的數(shù)據(jù)線。
數(shù)據(jù)線可以包括包含透明導(dǎo)電氧化物的第 一導(dǎo)電層和包含金屬的第二導(dǎo) 電層。
源電極和漏電極可以由透明導(dǎo)電氧化物制成。 透明導(dǎo)電氧化物可以包括ITO或IZO。
所述有機(jī)薄膜晶體管陣列面板還包括形成在堤絕緣層和第一鈍化層上的 第二鈍化層。
第二鈍化層可以包括連接到第二開口的第三開口 。 堤絕緣層可以由包含含氟化合物的丙烯酰類感光樹脂制成。 含氟化合物可以包括從含氟表面活性劑、含氟納米顆粒和含氟聚合物納 米珠中選擇的至少一種。
第 一鈍化層可以包含丙烯酰類有機(jī)材料。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于制造有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的方法包 括的步驟如下在基底上形成包括源電極的數(shù)據(jù)線和與數(shù)據(jù)線分開的漏電極； 在數(shù)據(jù)線和漏電極上形成包括第一開口和第二開口的堤絕緣層；在第一開口 中形成有機(jī)半導(dǎo)體；在堤絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體上順序地沉積絕緣材料層和金
屬層；在金屬層上形成第一鈍化層；使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻金 屬層，以形成包括柵電極的柵極線；使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻絕 緣材料層，以形成柵極絕緣層；在第一鈍化層上形成像素電極。
形成數(shù)據(jù)線和漏電極的步驟可以包括順序地沉積包含透明導(dǎo)電氧化物 的第一導(dǎo)電層和包含金屬的第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上形成第一光致抗蝕 劑組件和薄于第一光致抗蝕劑組件的第二光致抗蝕劑組件；使用第 一光致抗 蝕劑組件和第二光致抗蝕劑組件作為蝕刻掩模來順序蝕刻第 一導(dǎo)電層和第二 導(dǎo)電層；去除第二光致抗蝕劑組件；使用第一光致抗蝕劑組件作為蝕刻掩模 來蝕刻第二導(dǎo)電層。
第二光致抗蝕劑組件可以置于與源電極和漏電極對應(yīng)的位置處。
可以使用噴墨印刷方法來形成有機(jī)半導(dǎo)體。
所述方法還可以包括在第 一鈍化層上形成第二鈍化層。
第二鈍化層可以包括連接到第二開口的第三開口 。


圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖； 圖2是沿線II-II截取的圖1中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖； 圖8、圖10和圖15是圖1和圖2中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板在 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法的中間步驟中的布局圖9是沿線IX-IX截取的圖8中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖視
圖3至圖7是圖8和圖9中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板在先前的步 驟中的剖^L圖11是沿線XI-XI截取的圖10中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖
視圖16是沿線XVII-XVII截取的圖15中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板 的剖視圖12至圖14是圖15和圖16中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板在先前 的步驟中的剖^L圖17是圖16中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板包括第二鈍化層的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在 全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式來修改所 描述的實(shí)施例。
在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板和區(qū)域的厚度。在整個(gè) 說明書中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件 被稱為"在"另一元件"上"時(shí)，它可以直接在另一元件上或也可以存在中 間元件。相反，當(dāng)元件被稱為"直接在"另一元件"上"時(shí)，不存在中間元件。
下面參照圖1和圖2來描述根據(jù)本發(fā)明的用在液晶顯示器中的有機(jī)薄膜
晶體管陣列面板的 一個(gè)實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的一部分的布局
圖，圖2是沿線II-II截取的圖1中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
如圖1和圖2中所示，多條數(shù)據(jù)線121和多個(gè)漏電極125p形成在由諸如 透明玻璃、硅氧烷或塑料的材料制成的絕緣基底110上。
用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線121基本沿縱向方向延伸。每條數(shù)據(jù)線121 包括形成向旁邊突出的源電極123p的多個(gè)突出以及用于與另一層或外部驅(qū) 動(dòng)電路接觸的數(shù)據(jù)焊盤部分(未示出)。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線121由包括下數(shù)據(jù)線121p和上數(shù)據(jù)線121q的雙層制成。
下數(shù)據(jù)線121p包括源電極123p，優(yōu)選地，下數(shù)據(jù)線121p由諸如ITO或 IZO的透明導(dǎo)電材料制成。
從源電極123p去除上數(shù)據(jù)線121q的一部分。優(yōu)選地，上數(shù)據(jù)線121q 由諸如鉬(Mo)、鉬合金(Mo合金)、鉻(Cr)、 4各合金(Cr合金)、鋁(A1)、鋁合金 (Al合金)、銅(Cu)、銅合金(Cu合金)、銀(Ag)和銀合金(Ag合金)的低電阻率 的金屬制成。這里，優(yōu)選地，上數(shù)據(jù)線121p和下數(shù)據(jù)線121q具有高蝕刻選 擇性的不同的蝕刻率。
漏電極125p具有島形狀并面對源電極123p。優(yōu)選地，與源電極123p相 同，漏電極125p也由諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料制成。
堤絕緣層(bank insulating layer)140形成在數(shù)據(jù)線121和漏電極125p上。 優(yōu)選地，堤絕緣層140由感光有機(jī)材料制成，其厚度的范圍為從大約5000A
至大約4pm。
堤絕緣層140包括多個(gè)第一開口 142和第二開口 144。
第一開口 142暴露源電極123p的一部分和漏電極125p的一部分，第二 開口 144暴露漏電極125p的一部分。
堤絕緣層140可以由包含含氟化合物的丙烯酰類感光樹脂制成。含氟化 合物可以為含氟表面活性劑、含氟納米顆粒、含氟聚合物納米珠等。
優(yōu)選地，含氟化合物的含量的范圍為感光有機(jī)材料的總量的大約lwt% 至大約40wt。/。。在包含的含氟化合物少于lwt。/。的情況下，難以表現(xiàn)出表面特 性，在包含的含氟化合物多于40wt。/。的情況下，由于表面張力極度減小，所 以形成在其上的另一層會(huì)不均勻。
多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體150形成在第一開口 142中。
在第一開口 142中，有機(jī)半導(dǎo)體150接觸源電極123p和漏電極125p。 有機(jī)半導(dǎo)體150可以包含可溶于水溶液或有機(jī)溶劑的低分子化合物或高 分子化合物。
有機(jī)半導(dǎo)體150可以由并四苯或并五苯的具有取代基的衍生物制成?？?選擇地，有機(jī)半導(dǎo)體150可以由包含連接在噻吩環(huán)的2位和5位的四至八個(gè) p塞吩的低聚噻吩制成。
有機(jī)半導(dǎo)體150可以由聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)、聚3-己基噻 吩、聚噻吩、酞菁或金屬酞菁、或它們的囟代衍生物制成。可選擇地，有機(jī) 半導(dǎo)體150可以由茈四酸二酐(PTCDA)、萘四酸二酐(NTCDA)或它們的二酰 亞胺(imide)衍生物制成。有機(jī)半導(dǎo)體150也可以由茈、暈苯或茈和暈苯的具 有取代基的衍生物制成。
有機(jī)半導(dǎo)體150的厚度的范圍可以為從大約300A至大約1微米。
柵極絕緣層162q形成在有機(jī)半導(dǎo)體150上。柵極絕緣層162q包括多個(gè) 向上突出的突起162p。
優(yōu)選地，柵極絕緣層162q由聚丙烯酰、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、 聚對二曱苯、全氟環(huán)丁烷、全氟乙烯基醚(perfluorovinylether)或苯并環(huán)丁烷 (BCB)的衍生物制成。
多條柵極線164q形成在柵極絕緣層162q上。
用于傳輸柵極信號的柵極線164q基本沿橫向方向延伸并與數(shù)據(jù)線121 交叉。每條柵極線164q包括向上突出的多個(gè)柵電極164p以及用于與另一層
或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的柵極焊盤部分(未示出)。柵電極164p與有機(jī)半導(dǎo)體 150，其中，柵極絕緣層162q的突起162p位于柵電極164p和有機(jī)半導(dǎo)體150 之間，柵極線164q的形狀可以與柵極絕》彖層162q的形狀相同。
優(yōu)選地，柵極線164q由諸如鉬(Mo)、鉬合金(Mo合金)、鉻(Cr)、鉻合金 (Cr合金)、4呂(A1)、鋁合金(A1合金)、銅(Cu)、銅合金(Cu合金)、銀(Ag)和銀 合金(Ag合金)的具有低電阻率的金屬制成。
第一鈍化層170和172形成在柵極線164q上。第一鈍化層170和172 具有的形狀可以與柵極線164q的形狀相同，優(yōu)選地，第 一鈍化層170和172 由丙烯酰類有機(jī)材料制成。
第二鈍化層180形成在第一鈍化層170和172上。第二鈍化層180具有 與堤絕緣層140的第二開口 144 一起暴露漏電極125p的多個(gè)第三開口 184。 第二鈍化層180保護(hù)有機(jī)薄膜晶體管和柵極線164q。第二鈍化層180可以形 成在基底110的表面的一部分或整個(gè)表面上，或者可選擇地，可以省略第二 鈍化層180。
多個(gè)像素電極190形成在第二鈍化層180上。
像素電極190通過堤絕緣層140的第二開口 144和第二鈍化層180的第 三開口 184連接到漏電極125p。像素電極190接收來自有機(jī)薄膜晶體管的數(shù) 據(jù)電壓并與相對的顯示面板(未示出)的提供有共電壓的共電極(未示出)聯(lián)合 產(chǎn)生電場，將電信號轉(zhuǎn)換成光信號的電光層(未示出)置于兩個(gè)電極之間以顯示圖像。
將參照圖3至圖17以及圖1和圖2來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造 圖1和圖2中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的方法。
圖8、圖10和圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1和圖2中示出的有機(jī)薄 膜晶體管陣列面板在其制造方法的中間步驟中的布局圖，圖9是沿線IX-IX 截取的圖8中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖視圖，圖3至圖7是圖8 和圖9中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板在先前的步驟中的剖視圖，圖ll是 沿線X1-XI截取的圖10中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖視圖，圖16 是沿線XVII-XVII截取的圖15中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的剖視圖， 圖12至圖14是圖15和圖16中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板在先前的步 驟中的剖視圖，圖17是圖16中示出的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板附加地包括 第二鈍化層的剖視圖。
參照圖3,通過利用濺射等順序地在基底110上沉積由ITO制成的第一 層120p和包含Mo的第二層120q,以形成導(dǎo)電層120。
接下來，將光致抗蝕劑膜40涂敷在第二層120q上，并設(shè)置用于使光致 抗蝕劑膜40曝光的掩模20。這里，掩模20包括半透射區(qū)20b以及屏蔽區(qū)20a 和透射區(qū)20c。半透射區(qū)20b有具有中間透射率或中間厚度的薄膜、縫隙圖案 或柵格圖案。當(dāng)使用縫隙圖案時(shí)，優(yōu)選地，縫隙的寬度或縫隙之間的距離小 于用于光刻的曝光器的分辨率。
根據(jù)掩模20的使用，如圖4中所示，光致抗蝕劑膜40被曝光并被顯影， 以形成具有不同厚度的多個(gè)第一部分40a和第二部分40b。第二部分40b的厚 度小于第一部分40a的厚度?；诤罄m(xù)步驟中的工藝條件來調(diào)節(jié)第二部分40b 與第一部分40a的厚度比，優(yōu)選地，第二部分40b的厚度等于或小于第一部 分40a的厚度的大約一半。
接下來，參照圖5，通過使用光致抗蝕劑膜40的第一部分40a和第二部 分40b作為蝕刻掩模來蝕刻第二層120q，以形成多個(gè)上數(shù)據(jù)線121q和上漏 電極125q。這里，可以使用用于蝕刻含Mo的金屬層的蝕刻劑，從而由于該 蝕刻劑的高蝕刻選擇性導(dǎo)致由ITO制成的第一層120p沒有被蝕刻。
接下來，通過使用光致抗蝕劑膜40作為蝕刻掩模來蝕刻第一層120p, 以形成包括預(yù)制源電極123的多條數(shù)據(jù)線121以及多個(gè)預(yù)制漏電極125。這 里，使用用于蝕刻ITO層的蝕刻劑。
參照圖6，通過諸如灰化的回蝕工藝來去除光致抗蝕劑膜40的第二部分 40b。同時(shí)，去除光致抗蝕劑膜40的第一部分40a的一皮暴露部分的一些量， 從而減小剩余的第一部分40a的厚度。
接下來，通過使用第一部分40a作為蝕刻掩模來蝕刻被暴露的上數(shù)據(jù)線 121q的部分123q和上漏電極125q。這里，使用用于蝕刻含Mo金屬層的蝕 刻劑，使得具有不同蝕刻率的ITO層沒有被蝕刻和暴露。
接下來，去除第一部分40a。
因此，如圖9中所示，完成了具有雙層結(jié)構(gòu)的多條數(shù)據(jù)線121和具有單 層結(jié)構(gòu)的多個(gè)源電極123p和漏電極125p。
接下來，參照圖10和圖11，在基底110的整個(gè)表面上形成丙烯酰類感 光樹脂。涂敷并顯影丙烯酰類感光溶液，并在大約130。C至250。C的范圍內(nèi) 的溫度下熱交聯(lián)(crosslink)以形成感光樹脂。
接下來，將感光樹脂圖案化以形成包括多個(gè)第一開口 142和第二開口 144 的堤絕緣層140。
這里丙烯酰類感光溶液包括含氟化合物。含氟化合物可以為含氟表面活 性劑、含氟納米顆粒、含氟聚合物納米珠等。優(yōu)選地，含氟化合物的含量的 范圍為感光有機(jī)材料的總含量的大約lwt。/。至40wt%。
接下來，如圖12中所示，在第一開口 142中形成多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體150。 為了形成有機(jī)半導(dǎo)體150,使用噴墨印刷方法將有機(jī)半導(dǎo)體溶液噴射到第一 開口142中，并且蒸發(fā)有機(jī)半導(dǎo)體溶液的溶劑。
接下來，如圖13中所示，在基底110的整個(gè)表面上順序形成由含氟聚合 物制成的絕緣材料層162、金屬層164和感光有機(jī)材料層。然后，感光有機(jī) 材料層被曝光并被顯影，并被熱交聯(lián)以形成第一鈍化層170和172。
接下來，如圖14中所示，通過使用第一鈍化層170和172作為蝕刻掩模 來蝕刻金屬層164,以形成包括柵電極164p的多條柵極線164q。
接下來，參照圖15和圖16,通過使用第一鈍化層170和172作為蝕刻 掩模來蝕刻含氟聚合物絕緣材料層162，以形成包括突起162p的多個(gè)柵極絕 緣層162q。
接下來，如圖17中所示，在基底110的整個(gè)表面上形成有機(jī)材料，并使 用光刻將有機(jī)材料圖案化，以形成包括多個(gè)第三開口 184的第二鈍化層180。
最后，如圖1和圖2中所示，形成通過第二開口 144和第三開口 184連 接到漏電極125p的多個(gè)像素電極190。
如上所述，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，當(dāng)形成相H及線164q和柵極絕緣 層162q時(shí)，可以省略光刻工藝。因此，可以防止由于形成堤絕緣層140和柵 極絕緣層162q時(shí)使用的用于去除感光膜的光致抗蝕劑剝離劑導(dǎo)致的提絕緣 層140和柵極絕緣層162q的剝離現(xiàn)象。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，當(dāng)形成柵極線和柵極絕緣層時(shí)可以省略光 刻步驟，從而可以防止由于用于去除用于形成堤絕緣層和柵極絕緣層的感光 膜的光致抗蝕劑剝離劑導(dǎo)致的堤絕緣層和柵極絕緣層的剝離現(xiàn)象。
雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施例來描述了本發(fā)明，但是應(yīng) 該理解的是，本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在權(quán) 利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等價(jià)布置。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，包括基底；源電極，形成在基底上；漏電極，與源電極分開；堤絕緣層，形成在源電極和漏電極上，所述堤絕緣層具有暴露源電極的一部分和漏電極的第一部分的第一開口，所述堤絕緣層具有暴露漏電極的第二部分的第二開口；有機(jī)半導(dǎo)體，置于第一開口中并接觸源電極和漏電極的第一部分；柵極絕緣層，形成在有機(jī)半導(dǎo)體上；柵極線，形成在柵極絕緣層上，所述柵極線包括柵電極；第一鈍化層，形成在柵極線上，并具有與柵極線相同的形狀；像素電極，形成在第一鈍化層上，像素電極通過第二開口連接到漏電極的第二部分。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，還包括 數(shù)據(jù)線，形成在基底上，所述數(shù)據(jù)線連接到源電極。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 數(shù)據(jù)線由包含透明導(dǎo)電氧化物的第一導(dǎo)電層和包含金屬的第二導(dǎo)電層組成。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 源電極和漏電極由透明導(dǎo)電氧化物組成。
5、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 透明導(dǎo)電氧化物包括ITO或IZO。
6、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，還包括 第二鈍化層，形成在第 一鈍化層和堤絕緣層的至少一部分上。
7、 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 第二鈍化層包括第三開口 ，所述第三開口的至少一部分與第二開口合并在一起。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 堤絕緣層由丙烯酰類感光樹脂組成，所述丙烯酰類感光樹脂包含含氟化 合物。
9、 如權(quán)利要求8所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 含氟化合物包括含氟表面活性劑、含氟納米顆?；蚝酆衔锛{米珠中的至少一種。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列面板，其中， 第一鈍化層包含丙烯酰類有機(jī)材料。
11、 一種用于制造有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的方法，包括的步驟如下在基底上形成包括源電極的數(shù)據(jù)線和與源電極分開的漏電極；在數(shù)據(jù)線和漏電極上形成包括第一開口和第二開口的堤絕緣層； 在第一開口中形成有機(jī)半導(dǎo)體；在堤絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體上順序地沉積絕緣材料層和金屬層； 在金屬層上形成第一鈍化層；使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻金屬層，以形成包括柵電極的柵極線；使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻絕緣材料層，以形成柵極絕緣層； 在第 一鈍化層上形成像素電極。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 形成數(shù)據(jù)線和漏電極的步驟包括順序地沉積包含透明導(dǎo)電氧化物的第 一導(dǎo)電層和包含金屬的第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上形成第 一 光致抗蝕劑組件和薄于第 一 光致抗蝕劑組件的 第二光致抗蝕劑組件；使用第 一光致抗蝕劑組件和第二光致抗蝕劑組件作為蝕刻掩模來順序蝕 刻第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；去除第二光致抗蝕劑組件；使用第 一光致抗蝕劑組件作為蝕刻掩模來蝕刻第二導(dǎo)電層。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二光致抗蝕劑組件置于與源電極和漏電極對應(yīng)的位置處。
14、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 使用噴墨印刷方法來形成有機(jī)半導(dǎo)體。
15、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在第一鈍化層上形成第二鈍化層。
16、如權(quán)利要求15所述的方法，其中，第二鈍化層包括連接到第二開口的第三開口 。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)薄膜晶體管陣列面板及用于制造有機(jī)薄膜晶體管陣列面板的方法，所述方法包括在基底上形成包括源電極的數(shù)據(jù)線和與源電極分開的漏電極；在數(shù)據(jù)線和漏電極上形成包括第一開口和第二開口的堤絕緣層；在第一開口中形成有機(jī)半導(dǎo)體；在堤絕緣層和有機(jī)半導(dǎo)體上執(zhí)行絕緣材料層和金屬層的順序沉積；在金屬層上形成第一鈍化層，使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻金屬層，以形成包括柵電極的柵極線；使用第一鈍化層作為蝕刻掩模來蝕刻絕緣材料層，以形成柵極絕緣層；在第一鈍化層上形成第二鈍化層；在第二鈍化層上形成像素電極。
文檔編號H01L21/84GK101355095SQ20081009881
公開日2009年1月28日 申請日期2008年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月24日
發(fā)明者盧正訓(xùn), 宋根圭, 趙承奐 申請人:三星電子株式會(huì)社