專利名稱：接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)，且特別涉及一種電性可靠度較佳 的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著科技進(jìn)步，各種電子裝置朝向小型化及多功能化的方向發(fā)展。因此 為了使電子裝置中的芯片能傳輸或接收更多的信號，電性連接于芯片與線路 板之間的接點(diǎn)也朝向高密度化的方向發(fā)展。
于已知技術(shù)中，電性連接芯片與玻璃基板的方法多為先在芯片的接點(diǎn)與
玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間配置各向異性導(dǎo)電膜(Anisotropic Conductive Film, ACF)，且芯片的接點(diǎn)與玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)皆面向各向異性導(dǎo)電膜。然后， 壓合芯片的接點(diǎn)、各向異性導(dǎo)電膜與玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以通過各向異性 導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒電性連接芯片的每一接點(diǎn)與玻璃基板上與前述接點(diǎn)對 應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
然而，當(dāng)芯片的接點(diǎn)密度以及玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的密度增加時(shí)，芯片 的接點(diǎn)之間的間距以及玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的間距皆縮小。因此，芯片
的接點(diǎn)通過各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒將有可能會與鄰近的接點(diǎn)或?qū)щ?結(jié)構(gòu)電性連接，進(jìn)而造成短路或漏電。
因此，已有人提出一種表面覆蓋有金屬層的柱狀高分子凸塊以做為芯片 的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)。而使芯片的接點(diǎn)與玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接的方法是先在 芯片與玻璃基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間配置非導(dǎo)電性黏膠層。然后，將芯片壓合于
構(gòu)接觸并電性連接。
然而，柱狀高分子凸塊在壓合時(shí)容易有應(yīng)力集中的問題，因此易導(dǎo)致金 屬層破裂而影響其電性可靠度
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出 一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其高分子凸塊與另 一基板接合時(shí)不會有應(yīng)力 集中的問題。
本發(fā)明另提出 一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其高分子凸塊于與另 一基板接合時(shí)較易貫 穿接合材料。
本發(fā)明還提出一種接合結(jié)構(gòu)，具有較佳的電性可靠度。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在基板上。 接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括至少一接墊、至少一高分子凸塊以及至少一導(dǎo)電層。其中，接 墊位于基板上，且高分子凸塊配置于基板上。高分子凸塊具有弧狀表面，且 在弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層覆蓋高分子凸塊，且導(dǎo)電層與接墊 電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層全面覆蓋或部分覆蓋高分子凸塊。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，保護(hù)層配置于基板上 并暴露出接墊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，高分子凸塊配置于接墊上或基板上或同時(shí)跨越 在接墊上與基板上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層有一個或多于一個，導(dǎo)電層覆蓋在同一 高分子凸塊上并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層有一個或多于一個，導(dǎo)電層覆蓋在同一 高分子凸塊上并與同 一接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于高分子凸塊上的導(dǎo)電層會與一個或多于一 個的接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于一個或多于一個的高分子凸塊上的導(dǎo)電層 均與同一接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)還包括高分子保護(hù)層，位在基板上且 至少暴露出高分子凸塊以及接墊。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在基板上。 接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括至少一接墊、至少一高分子凸塊以及至少一導(dǎo)電層。接墊位于 基板上，且高分子凸塊配置于基板上。高分子凸塊具有頂部平面以及位于頂 部平面兩側(cè)的弧狀凹凸表面。導(dǎo)電層覆蓋高分子凸塊，且與接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，頂部平面具有多個凹凸結(jié)構(gòu)或?yàn)槠交Y(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層全面覆蓋或部分覆蓋高分子凸塊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，保護(hù)層配置于基板上 并暴露出接墊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，高分子凸塊配置于接墊上或基板上或同時(shí)跨越 在接墊上與基板上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層有一個或多于一個，導(dǎo)電層覆蓋在同一 高分子凸塊上并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電層有一個或多于一個，導(dǎo)電層覆蓋在同一 高分子凸塊上并與同一接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于高分子凸塊上的導(dǎo)電層會與一個或多于一
個的接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于一個或多于一個的高分子凸塊上的導(dǎo)電層 均與同一接墊電性連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)還包括高分子保護(hù)層，位在基板上且 至少暴露出高分子凸塊以及接墊。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種接合結(jié)構(gòu)包括第一基板、第二 基板以及接合材料。第一基板包括至少一接墊、至少一高分子凸塊以及至少 一導(dǎo)電層。高分子凸塊與接墊對應(yīng)設(shè)置，而且高分子凸塊具有弧狀表面，而 在弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層覆蓋高分子凸塊且與接墊電性連 接。第二基板上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中第一基板上的導(dǎo)電層與導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)電性連接。接合材料位于第一基板與第二基板之間，而且部分的導(dǎo)電 層與高分子凸塊貫穿接合材料而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接合材料包括紫外線固化接合材料、熱固化接 合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接合材料包括非導(dǎo)電黏著膏(Non-Conductive Adhesive, NCA )、非導(dǎo)電黏著膜(Non-Conductive Film, NCF )、各向異性導(dǎo) 電膏或各向異性導(dǎo)電膜。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，接合材料內(nèi)還包括分布有填充顆粒。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，填充顆粒包括導(dǎo)電顆?；蚴墙^緣顆粒。 為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種接合結(jié)構(gòu)包括第一基板、第二 基板以及接合材料。第一基板包括至少一接墊、至少一高分子凸塊以及至少 一導(dǎo)電層。高分子凸塊與接墊對應(yīng)設(shè)置。高分子凸塊具有頂部平面以及位于頂部平面兩側(cè)的弧狀凹凸表面。導(dǎo)電層覆蓋高分子凸塊且與接墊電性連接。 第二基板上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而且第一基板上的導(dǎo)電層與導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)電性連接。接合材料位于第一基板與第二基板之間，而且部分的導(dǎo)電層與 高分子凸塊貫穿接合材料而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，頂部平面具有多個凹凸結(jié)構(gòu)或?yàn)槠交Y(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接合材料包括非導(dǎo)電黏著膏、非導(dǎo)電黏著膜、 各向異性導(dǎo)電膏或各向異性導(dǎo)電膜。 -
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接合材料包括紫外線固化接合材料、熱固化接 合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，接合材 料內(nèi)還包括分布有填充顆粒。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，填充顆粒包括導(dǎo)電顆?；蚴墙^緣顆粒。 承上所述，本發(fā)明的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)的高分子凸塊具有弧狀表面， 而且在弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)。因此，高分子凸塊可避免如已知的高 分子凸塊一般容易在與另 一基板接觸時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中的情形并致使已知的 高分子凸塊上的金屬層破裂。而且，當(dāng)高分子凸塊與第二基板接觸時(shí)，凹凸 結(jié)構(gòu)可有助于使高分子凸塊貫穿接合材料而與第二基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。
為讓本發(fā)明的上述和其fe目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí) 施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖r為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2至圖13為圖1的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的多種變化的剖面圖。 圖14A為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖。 圖14B為圖14A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-r線段的剖面圖。 圖14C為圖14A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿II-n'線段的剖面圖。 圖15A為本發(fā)明另 一 實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖。 圖15B為圖15A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-I'線段的剖面圖。
圖15c為圖15A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿n-n'線段的剖面圖。
圖16為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖17至圖28為圖16的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的多種變化的剖面圖。
圖29A為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖。圖29B為圖29A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-I，線段的剖面圖。
圖29C為圖29A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿II醫(yī)II ，線段的剖面圖。
圖30A為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖。
圖30B為圖30A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-I'線段的剖面圖。
圖30C為圖30A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿II - II ，線段的剖面圖。
圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖32為本發(fā)明一實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)于接合前的剖面圖。
圖33與圖34為本發(fā)明一實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖35為本發(fā)明一實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)于接合前的剖面圖。
圖36與圖37為本發(fā)明一實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖38A以及圖38B為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖39A至圖39E為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的形成方法的剖面示意
附圖標(biāo)記說明
100、300:接點(diǎn)結(jié)構(gòu)
110、150、 310、 350、 512、 712:接墊
120、160、 320、 360、 514、 714:高分子凸塊120a:高分子保護(hù)層122、162、 514a:弧狀表面
122a、162a、 322a:凹凸結(jié)構(gòu)130、330、 516、 716:導(dǎo)電層
140、340:保護(hù)層200、400:基板
322、362、 714a:頂部平面324、364、 714b:《瓜一犬凹凸表面
500、600、 700、 800:接合結(jié)構(gòu)510、710:第一基板
518、718:基層520、720:第二基板
522、722:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)530、730:接合材料
誕光致抗蝕劑層802:導(dǎo)電層
6 1:第一接觸角6 2:第二接觸角
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。請參照圖1
接點(diǎn)結(jié)構(gòu)100設(shè)置在基板200上。接點(diǎn)結(jié)構(gòu)100包括接墊110
，本實(shí)施例的 、高分子凸塊120以及導(dǎo)電層130。其中，接墊110位于基板200上，而且高分子凸塊120 配置于基板200上。高分子凸塊120具有弧狀表面122,且在弧狀表面122 上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)122a。導(dǎo)電層130覆蓋高分子凸塊120，且導(dǎo)電層130 與接墊110電性連接。值得注意的是，本實(shí)施例中的弧狀表面122是朝向遠(yuǎn) 離基板200的方向突出的表面，而且弧狀表面122與基板200的第一接觸角 6 1例如是大于零度并小于等于80度。
承上所述，本發(fā)明的高分子凸塊120具有弧狀表面122，且在弧狀表面 122上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)122a。而且，高分子凸塊120的弧狀表面122于高 分子凸塊120與另一基板接觸時(shí)不會有應(yīng)力集中的情形。因此，高分子凸塊 120可避免如已知的彈性凸塊一般容易在與另 一基板接觸時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中的 情形并致使已知的彈性凸塊上的金屬層破裂。此外，當(dāng)在基板200與另一基 板之間配置有接合材料且欲使高分子凸塊120與另一基板接觸時(shí)，凹凸結(jié)構(gòu) 122a可有助于使高分子凸塊120貫穿接合材料而與另 一基板接觸。
簡而言的，本發(fā)明的精神在于本發(fā)明的高分子凸塊具有弧狀表面，且在 弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)高分子凸塊與另 一基板接觸時(shí)可避免 產(chǎn)生應(yīng)力集中的問題，而且當(dāng)高分子凸塊與另一基板接觸時(shí)，這些凹凸結(jié)構(gòu) 可有利于高分子凸塊貫穿位于基板與另 一基板之間的接合材料，而本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。
請?jiān)俅螀⒄請Di，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)IOO還包括保護(hù)層140，而且保護(hù)層140配 置于基板200上并暴露出接墊110。在第一實(shí)施例中，上述高分子凸塊120 可以利用灰階(Gray level)掩模來形成。更詳細(xì)而言，可以使用感光性材料作 為高分子凸塊的材料，然后使用特殊的灰階式掩模的設(shè)計(jì)對感光材料曝光， 經(jīng)顯影之后，便可以得到具有弧狀表面122且弧狀表面122上具有凹凸結(jié)構(gòu) 122a的高分子凸塊120。之后，可以利用沉積或?yàn)R射或電鍍程序形成導(dǎo)電層 130，所形成的導(dǎo)電層130會依照高分子凸塊120的表面結(jié)構(gòu)而順應(yīng)地覆蓋 在其上，因此導(dǎo)電層130表面也是凹凸起伏的表面。
而在本發(fā)明中，上述高分子凸塊120與導(dǎo)電層130之間還可以有多種變 化。以下將介紹圖1的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)IOO的多種變化。
圖2的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)除了如圖1所示的高分子凸塊120、接墊110與導(dǎo)電層 130之外，還包括配置于基板200上的接墊150。特別是，高分子凸塊120 位于兩接墊110、 150之間，且覆蓋高分子凸塊120的導(dǎo)電層130會延伸至兩接墊110、 150的表面而與其電性連接。
圖3的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)除了如圖1所示的高分子凸塊120、接墊110與導(dǎo)電層 130之外，還包括配置于基板200上的高分子凸塊160。接墊110位于高分 子凸塊160與高分子凸塊120之間，且導(dǎo)電層130更覆蓋高分子凸塊160。 此外，高分子凸塊160可具有弧狀表面162,且在弧狀表面162上具有多個 凹凸結(jié)構(gòu)162a。值得注意的是，本實(shí)施例中的弧狀表面162是朝遠(yuǎn)離基板 200的方向突出的表面，而且弧狀表面162與基板200的第二接觸角6 2例 如是大于零度并小于等于80度。
上述圖1至圖3的高分子凸塊并未覆蓋接墊110，但事實(shí)上，在本發(fā)明 中，高分子凸塊亦可以位于接墊IIO上。如圖4所示，高分子凸塊120是位 于接墊110表面上，且暴露出部分的接墊110,以使覆蓋高分子凸塊120的 導(dǎo)電層130可以與暴露出的接墊110電性連接。類似地，在圖5中，第一與 第二高分子凸塊130、160都是配置在接墊IIO上，且暴露出部分的接墊110, 因此覆蓋第一與第二高分子凸塊120、 160的導(dǎo)電層130可以與暴露出的接 墊110電性連接。
另外，高分子凸塊除了可以不位于接墊IIO上或位于接墊IIO上之外， 還可以是只有高分子凸塊的 一部分是位于接墊110上而另 一部分是位于基板 200上。如圖6所示，高分子凸塊120可以同時(shí)跨越在接墊110與基板200 上。也就是說，高分子凸塊120有一部分是位于接墊IIO表面上且另一部分 是位于基板200或保護(hù)層140上，且暴露出部分的接墊110,以使覆蓋高分 子凸塊120的導(dǎo)電層130可以與暴露出的接墊110電性連接。類似地，在圖 7中，第一與第二高分子凸塊120、 160都是有一部分是配置在接墊IIO上且 另一部分位于基板200或保護(hù)層140上，且暴露出部分的接墊110,因此覆 蓋第一與第二高分子凸塊120、 160的導(dǎo)電層130可以與暴露出的接墊10 電性連接。
上述圖1至圖7的實(shí)施例都是導(dǎo)電層130是全部覆蓋高分子凸塊。但事 實(shí)上，在本發(fā)明中，導(dǎo)電層130可以是部分覆蓋高分子凸塊，如下所述。
圖8至圖13所繪示的實(shí)施例分別與圖1至圖7相似，不同之處在于圖8 至圖13的實(shí)施例中，導(dǎo)電層130是部分地覆蓋高分子凸塊120,或是部分地 覆蓋第一與第二高分子凸塊120、 160。
此外，上述各實(shí)施例中的高分子凸塊可以是塊狀結(jié)構(gòu)或是條狀結(jié)構(gòu)。圖14A至圖14C是說明高分子凸塊可以是塊狀結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。特別是， 圖14A至圖14C是以圖1的高分子凸塊的配置方式來說明，雖然本文并未 ——將圖2至圖13所繪示的各實(shí)施例的高分子凸塊的塊狀結(jié)構(gòu)繪示出，但 此所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以根據(jù)圖14A至圖14C的說明而了解圖2至圖13 的高分子凸塊的塊狀結(jié)構(gòu)。
圖14A為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖14B為圖14A的
接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿i-r線段的剖面圖，且圖14C為圖14A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿n-n，線段
的剖面圖。請同時(shí)參照圖14A至圖14C,高分子凸塊120為塊狀結(jié)構(gòu)，且高 分子凸塊120的表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)122a。由于高分子凸塊120為塊狀結(jié)構(gòu)， 因而每一塊狀結(jié)構(gòu)的高分子凸塊120上是對應(yīng)覆蓋有導(dǎo)電層130。
圖15A至圖15C是說明高分子凸塊是條狀結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。特別是，圖 15A至圖15C是以圖1的高分子凸塊配置方式來說明，雖然本文并未——將 圖2至圖13所繪示的各實(shí)施例的高分子凸塊的條狀結(jié)構(gòu)繪示出，但此所屬 領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以根據(jù)圖15A至圖15C的說明而了解圖2至圖13的高分 子凸塊的條狀結(jié)構(gòu)。
圖15A為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖15B為圖15A 的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-I，線段的剖面圖，且圖15C為圖15A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿II-n'線 段的剖面圖。請同時(shí)參照圖15A至圖15C,當(dāng)高分子凸塊120為條狀結(jié)構(gòu)時(shí)， 在同一條高分子凸塊120上則覆蓋了多個導(dǎo)電層130,而每一導(dǎo)電層130會 與對應(yīng)的接墊110電性連接。此外，在其他實(shí)施例中，也可以是配置于同一 條高分子凸塊上的多個導(dǎo)電層皆與同一接墊電性連接。
第二實(shí)施例
圖16為本發(fā)明第二實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。請參照圖16，本實(shí)施 例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)300設(shè)置在基板400上。接點(diǎn)結(jié)構(gòu)300包括接墊310、高分子 凸塊320以及導(dǎo)電層330。其中，接墊310位于基板400上，而且高分子凸 塊320配置于基板400上。高分子凸塊320具有頂部平面322以及位于頂部 平面322兩側(cè)的弧狀凹凸表面324。于本實(shí)施例中，頂部平面322為平滑結(jié) 構(gòu)。導(dǎo)電層330覆蓋高分子凸塊320，且導(dǎo)電層330與接墊310電性連接。 值得注意的是，本實(shí)施例中的弧狀凹凸表面324是朝向遠(yuǎn)離基板400的方向 突出的表面，而且弧狀凹凸表面324與基板400的第一接觸角6 1例如是大
12于零度并小于等于80度。
承上所述，本發(fā)明的高分子凸塊320具有弧狀凹凸表面324。由于，高 分子凸塊320的弧狀凹凸表面324于高分子凸塊320與另 一基板接觸時(shí)不會 有應(yīng)力集中的情形，因此高分子凸塊320可避免如已知的高分子凸塊一般容 易在與另 一基板接觸時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中的情形并致使已知的高分子凸塊上的 金屬層破裂。另外，頂部平面322可增加與另一基板的接觸面積。
請?jiān)俅螀⒄請D16，于本實(shí)施例中，接點(diǎn)結(jié)構(gòu)300還包括保護(hù)層340,而 且保護(hù)層340配置于基板400上并暴露出接墊310。在一實(shí)施例中，上述高 分子凸塊320可以利用灰階掩模來形成。更詳細(xì)而言，可以使用感光性材料 作為高分子凸塊320的材料，然后使用特殊的灰階掩模的設(shè)計(jì)對感光材料曝 光，經(jīng)顯影之后，便可以得到具有頂部平面322以及弧狀凹凸表面324的高 分子凸塊320。之后，可以利用沉積程序形成導(dǎo)電層330,所形成的導(dǎo)電層 330會依照高分子凸塊320的表面結(jié)構(gòu)而順應(yīng)地覆蓋在其上，因此覆蓋在頂 部平面322上的導(dǎo)電層130亦具有頂部平面，而覆蓋在弧狀凹凸表面324上 的導(dǎo)電層130表面也是弧狀凹凸起伏的表面。
而在本發(fā)明中，上述高分子凸塊320與導(dǎo)電層330之間還可以有多種變 化。以下將介紹圖16的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)300的多種變化。
圖17的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)除了如圖16所示的高分子凸塊320、接墊310與導(dǎo)電 層330之外，還包括配置于基板400上的接墊350。特別是，高分子凸塊320 位于兩接墊310、 350之間，且覆蓋高分子凸塊320的導(dǎo)電層330會延伸至 兩接墊310、 350的表面而與其電性連接。
圖18的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)除了如圖16所示的高分子凸塊320、接墊310與導(dǎo)電 層330之外，還包括配置于基板400上的高分子凸塊360。接墊310位于高 分子凸塊360與高分子凸塊320之間，且導(dǎo)電層330更覆蓋高分子凸塊360。 此外，高分子凸塊360具有頂部平面362以及位于頂部平面362兩側(cè)的弧狀 凹凸表面364。于本實(shí)施例中，弧狀凹凸表面364朝向遠(yuǎn)離基板400的方向 凸出，而且弧狀凹凸表面364與基板400的第二接觸角6 2例如是大于零度 且小于等于80度。
上述圖16至圖18的高分子凸塊并未覆蓋接墊，但事實(shí)上，在本發(fā)明中， 高分子凸塊320亦可以位于接墊310上。如圖19所示，高分子凸塊320是 位于接墊310表面上，且暴露出部分的接墊310，以使覆蓋高分子凸塊320的導(dǎo)電層330可以與暴露出的接墊310電性連接。類似地，在圖20中，高 分子凸塊320、 360都是配置在接墊310上，且暴露出部分的接墊310，因此 覆蓋高分子凸塊320、 360的導(dǎo)電層330可以與暴露出的接墊310電性連接。
另外，高分子凸塊320除了可以不位于接墊310上或位于接墊310上之 外，還可以是高分子凸塊320同時(shí)跨越在接墊310上與基板400上。也就是 說，高分子凸塊320的一部分是位于接墊310上而另一部分是位于基板400 上。如圖21所示，高分子凸塊320有一部分是位于接墊310表面上且另一 部分是位于基板400或保護(hù)層340上，且暴露出部分的接墊310,以使覆蓋 高分子凸塊320的導(dǎo)電層330可以與暴露出的接墊310電性連接。類似地， 在圖22中，高分子凸塊320、 360都是有一部分是配置在接墊310上且另一 部分位于基板400或保護(hù)層340上，且暴露出部分的接墊310，因此覆蓋高 分子凸塊320、 360的導(dǎo)電層330可以與暴露出的接墊310電性連接。
上述圖16至圖22的實(shí)施例都是導(dǎo)電層330是全部覆蓋高分子凸塊320。 但事實(shí)上，在本發(fā)明中，導(dǎo)電層330可以是部分覆蓋高分子凸塊320,如下 所述。
圖23至圖28所繪示的實(shí)施例分別與圖16至圖22相似，不同之處在于 圖23至圖28的實(shí)施例中，導(dǎo)電層330是部分地覆蓋高分子凸塊320,或是 部分地覆蓋第一與第二高分子凸塊320、 360。
此外，上述各實(shí)施例中的高分子凸塊320可以是塊狀結(jié)構(gòu)或是條狀結(jié)構(gòu)。
圖29A至圖29C是說明高分子凸塊320可以是塊狀結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。特 別是，圖29A至圖29C是以圖16的高分子凸塊320配置方式來說明，雖然 本文并未一一將圖17至圖28所繪示的各實(shí)施例的高分子凸塊320的塊狀結(jié) 構(gòu)繪示出，但此所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以根據(jù)圖29A至圖29C的說明而了 解圖17至圖28的高分子凸塊320的塊狀結(jié)構(gòu)。
圖29A為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖29B為圖29A的 接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿I-I，線段的剖面圖，且圖29C為圖29A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿II - n ，線段 的剖面圖。請同時(shí)參照圖29A至圖29C，高分子凸塊320為塊狀結(jié)構(gòu)，且高 分子凸塊320具有頂部平面322以及位于頂部平面322兩側(cè)的弧狀凹凸表面 324。由于高分子凸塊320為塊狀結(jié)構(gòu)，因而每一塊狀結(jié)構(gòu)的高分子凸塊320 上是對應(yīng)覆蓋有導(dǎo)電層330。
圖30A至圖30C是說明高分子凸塊320是條狀結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。特別是，圖30A至圖30C是以圖16的凸塊配置方式來說明，雖然本文并未——將圖 17至圖28所繪示的各實(shí)施例的高分子凸塊的條狀結(jié)構(gòu)繪示出，但此所屬領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)可以根據(jù)圖30A至圖30C的說明而了解圖17至圖28的高分 子凸塊的條狀結(jié)構(gòu)。
圖30A為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的上視圖，而圖30B為圖30A
的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿i-r線段的剖面圖，且圖3oc為圖30A的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)沿n-n，線
段的剖面圖。請同時(shí)參照圖30A至圖30C,當(dāng)高分子凸塊320為條狀結(jié)構(gòu)時(shí)， 在同一條高分子凸塊320上則覆蓋了多個導(dǎo)電層330，而每一導(dǎo)電層330會 與對應(yīng)的接墊310電性連接。此外，在其他實(shí)施例中，也可以是配置于同一 條高分子凸塊上的多個導(dǎo)電層皆與同一接墊電性連接。
圖31為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。請參照圖31,圖31 中的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與圖16中的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)300相似，不同之處在于圖31中的接點(diǎn) 結(jié)構(gòu)的頂部平面322還具有多個凹凸結(jié)構(gòu)322a。而且，上述圖17~圖30中 的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)皆可以用圖31中的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)取代。
上述圖1至圖31所披露的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)將與另一基板壓合而構(gòu)成接合結(jié)構(gòu)。 詳細(xì)接合結(jié)構(gòu)其接合方法如下所述。
請參照圖32,首先提供第 一基板510與第二基板520，其中第 一基板510 上包括至少一接墊512、至少一高分子凸塊514以及至少一導(dǎo)電層516。高 分子凸塊514與接墊512對應(yīng)設(shè)置，而且高分子凸塊514具有弧狀表面514a, 而在弧狀表面514a上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)B。值得一提的是，第一基板510 上的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以是先前所述圖1至圖15中任一接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，而并非限定是 如圖32所示的結(jié)構(gòu)。另外，在本實(shí)施例中，第一基板510可更具有基層518, 且接墊512、高分子凸塊514以及導(dǎo)電層516皆可配置于基層518上。而且， 高分子凸塊514的弧狀表面514a與基層518的第一接觸角6 1例如是大于零 度且小于等于80度。導(dǎo)電層516覆蓋高分子凸塊514且與接墊512電性連 接。另外，第二基板520上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)522。
接著，于第一基板510與第二基板520之間設(shè)置接合材料530,且第一 基板510的具有高分子凸塊514的一側(cè)以及第二基板520的具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 522的一側(cè)皆面向接合材料530。在此，接合材料530可以是紫外線固化接 合材料、熱固化接合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。換言之，接合 材料530可以是利用紫外光固化、熱固化、微波固化、超聲固化或是上述組
15合的方式而固化的接合材料。另夕卜，接合材料530包括非導(dǎo)電黏著膏、非導(dǎo) 電黏著膜、各向異性導(dǎo)電膏或各向異性導(dǎo)電膜。此外，于本實(shí)施例中，接合 材料530內(nèi)還包括分布有填充顆粒(未繪示)。前述填充顆粒包括導(dǎo)電顆粒 或是絕緣顆粒。
然后，請參照圖33,將第一基板510、第二基板520與接合材料530壓 合，以使高分子凸塊514與導(dǎo)電層516可貫穿接合材料530而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)522 接觸而形成接合結(jié)構(gòu)500。
若是上述壓合時(shí)的所施予的力道較大，那么將會使高分子凸塊514略有 形變，而形成如圖34所示的接合結(jié)構(gòu)600。 4矣合結(jié)構(gòu)600與4妄合結(jié)構(gòu)500 的差異之處僅在于接合結(jié)構(gòu)600的部分的導(dǎo)電層516與高分子凸塊514貫穿 接合材料530而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)522接觸的接觸面積較大。
承上所述，本實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)500、 600的高分子凸塊514具有弧狀 表面514a,而且在弧狀表面514a上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)B。高分子凸塊514 的弧狀表面514a于高分子凸塊514與第二基板520接觸時(shí)不會有應(yīng)力集中 的情形。因此，高分子凸塊514可避免如已知的高分子凸塊一般容易在與另 一基板接觸時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中的情形并致使已知的高分子凸塊上的金屬層破 裂。此外，當(dāng)高分子凸塊514與第二基板520接觸時(shí)，凹凸結(jié)構(gòu)B可有助于 使高分子凸塊514貫穿接合材料530而與第二基板520的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)522接觸。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，所提供的接合結(jié)構(gòu)及接合方法如下所述。
請參照圖35，首先提供第一基板710與第二基板720,其中第一基板710 包括至少一接墊712、至少一高分子凸塊714以及至少一導(dǎo)電層716。高分 子凸塊714與接墊712對應(yīng)設(shè)置。高分子凸塊714具有頂部平面714a以及 位于頂部平面714a兩側(cè)的弧狀凹凸表面714b。另外，于本實(shí)施例中，第一 基板710可更具有基層718,且接墊712、高分子凸塊714以及導(dǎo)電層716 皆設(shè)置于基層718上。于本實(shí)施例中，弧狀凹凸表面714b是朝向遠(yuǎn)離基層 718的方向凸出，而且弧狀凹凸表面714b與基層718的第一接觸角6 1例如 是大于零度且小于等于80度。導(dǎo)電層716覆蓋高分子凸塊714且與接墊712 電性連接。另外，第二基板720上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)722。
接著，于第一基板710與第二基板720之間設(shè)置接合材料730,且第一 基板710的具有高分子凸塊714的一側(cè)以及第二基板720的具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 722的一側(cè)皆面向接合材料730。在此，接合材料730可以是紫外線固化接合材料、熱固化接合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。換言之，接合
材料730可以是利用紫外光固化、熱固化、微波固化、超聲固化或是上述組 合的方式而固化的接合材料。另外，接合材料730包括非導(dǎo)電翻著膏、非導(dǎo) 電黏著膜、各向異性導(dǎo)電膏或各向異性導(dǎo)電膜。此外，于本實(shí)施例中，接合 材料730內(nèi)還包括分布有填充顆粒(未繪示)。前述填充顆粒包括導(dǎo)電顆粒 或是絕緣顆粒。
然后，請參照圖36,將第一基板710、第二基板720與接合材料730壓 合，以使高分子凸塊714與導(dǎo)電層716可貫穿接合材料730而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)722 接觸。
接合結(jié)構(gòu)700與前述實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)500的差異之處在于本實(shí)施例的 高分子凸塊714更具有頂部平面714a且弧狀凹凸表面714b位于頂部平面 714a兩側(cè)。因此，接合結(jié)構(gòu)700的高分子凸塊714通過頂部平面714a以及 導(dǎo)電層716與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)722接觸的接觸面積將大于接合結(jié)構(gòu)500的高分子凸 塊514與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)522的接觸面積。
此外，若是上述壓合時(shí)的所施予的力道較大，那么將會使高分子凸塊714 略有形變，而形成如圖37所示的接合結(jié)構(gòu)800。接合結(jié)構(gòu)800與接合結(jié)構(gòu) 700的差異之處僅在于接合結(jié)構(gòu)800的部分的導(dǎo)電層716與高分子凸塊714 貫穿接合材料730而與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)722接觸的接觸面積較大。
圖38A以及圖38B為本發(fā)明另一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請 參照圖38A，本發(fā)明的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)除了上述各種實(shí)施例的變化之外，其可還包 括高分子保護(hù)層120a。高分子保護(hù)層120a可以在形成高分子凸塊120時(shí)一 并定義出。在圖38A的實(shí)施例中，高分子保護(hù)層120a與高分子凸塊120連 接在一起，并且覆蓋局部的基板200。在另一實(shí)施例中，如圖38B所示，高 分子保護(hù)層120a除了與高分子凸塊120a連接在一起之外，更覆蓋大部分的 基板200。特別是，高分子保護(hù)層120a的厚度會低于高分子凸塊120的厚度。 而形成高分子保護(hù)層120a的優(yōu)點(diǎn)是可加強(qiáng)高分子凸塊120的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使 其不易斷裂或是由基板200上剝離，并且同時(shí)具有保護(hù)元件的功能。
特別值得一提的是，圖38A以及圖38B是以圖1所示的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)來說 明書高分子保護(hù)層120a的相關(guān)位置以及其性質(zhì)，然，在其他的實(shí)施例的接 點(diǎn)結(jié)構(gòu)中(如圖2至圖37)亦可以根據(jù)實(shí)際所需而設(shè)計(jì)有高分子保護(hù)層120a。
圖39A至圖39 E為本發(fā)明一實(shí)施例的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的形成方法的剖面示意圖。請參照圖39A，在基板200上形成接墊110、高分子凸塊120之后，在 基板200上形成導(dǎo)電層130,且導(dǎo)電層130覆蓋高分子凸塊120并與接墊110 接觸。之后，如圖39B所示，在基板200上形成光致抗蝕劑層800,其暴露 出高分子凸塊120與接墊IIO上方的導(dǎo)電層130。之后，請參照圖39C，進(jìn) 行電鍍程序，以于被光致抗蝕劑層800所暴露出的導(dǎo)電層130的表面形成導(dǎo) 電層802。特別是，因?qū)щ妼?02是利用電鍍程序所形成，因此其厚度可以 容易地控制成較厚。
接著，移除光致抗蝕劑層800，如圖39D所示。然后，如圖39E所示， 進(jìn)行導(dǎo)電層移除程序，以使未被厚導(dǎo)電層802覆蓋的薄導(dǎo)電層130完全移除， 在此同時(shí)，厚導(dǎo)電層802也會被移除部分的厚度。
由于上述實(shí)施例利用電鍍程序形成導(dǎo)電層802，因而最后在圖39E所留 下來的導(dǎo)電層802、 130總厚度相較于僅使用沉積方式形成導(dǎo)電層具有較厚 的厚度。如此，將有助于提高接點(diǎn)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性。
綜上所述，本發(fā)明的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)的高分子凸塊具有弧狀表面， 而且在弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)。由于，高分子凸塊的弧狀表面于高分 子凸塊與第二基板接觸時(shí)不會有應(yīng)力集中的情形，因此高分子凸塊可避免如 已知的高分子凸塊一般容易在與另 一基板接觸時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力集中的情形并致 使已知的高分子凸塊上的金屬層破裂。
此外，當(dāng)高分子凸塊與第二基板接觸時(shí)，凹凸結(jié)構(gòu)可有助于使高分子凸 塊貫穿接合材料而與第二基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。另外，本發(fā)明的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與 接合結(jié)構(gòu)的高分子凸塊也可以是具有頂部平面以及位于頂部平面兩側(cè)的弧 狀凹凸表面，且具有頂部平面的高分子凸塊與第二基板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的接
觸面積4交大。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，包括至少一接墊，位于該基板上；至少一高分子凸塊，配置于該基板上，其中該高分子凸塊具有弧狀表面，且在該弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)；以及至少一導(dǎo)電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層全面覆蓋或部分覆蓋該 高分子凸塊。
3. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)層，其配置于該基板上并 暴露出該接墊。
4. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該高分子凸塊配置于該接墊上或 該基板上或同時(shí)跨越在該接墊上與該基板上。
5. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層有一個或多于一個，覆 蓋在同 一 高分子凸塊上，并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層有一個或多于一個，覆 蓋在同一高分子凸塊上，并與同一接墊電性連接。
7. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中位于該高分子凸塊上的該導(dǎo)電層 會與一個或多于一個的接墊電性連接。
8. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中位于一個或多于一個的高分子凸 塊上的該導(dǎo)電層均與同 一 接墊電性連接。
9. 如權(quán)利要求1所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，還包括高分子保護(hù)層，位在該基板上 且至少暴露出該高分子凸塊以及該接墊。
10. —種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，包括 至少一接墊，位于該基板上；至少一高分子凸塊，配置于該基板上，其中該高分子凸塊具有頂部平面 以及卩立于該頂部平面兩側(cè)的弧爿犬凹凸表面；以及至少一導(dǎo)電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接。
11. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該頂部平面具有多個凹凸結(jié)構(gòu) 或?yàn)槠交Y(jié)構(gòu)。
12. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層全面覆蓋或部分覆蓋該高分子凸塊。
13. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，還包括保護(hù)層，其配置于該基板上 并暴露出該4妻墊。
14. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該高分子凸塊配置于該接墊上 或該基板上或同時(shí)跨越在該接墊上與該基板上。
15. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層有一個或多于一個， 覆蓋在同 一 高分子凸塊上，并分別與對應(yīng)的接墊電性連接。
16. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層有一個或多于一個， 覆蓋在同一高分子凸塊上，并與同一接墊電性連接。
17. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中位于該高分子凸塊上的該導(dǎo)電 層會與一個或多于一個的接墊電性連接。
18. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其中位于一個或多于一個的高分子 凸塊上的該導(dǎo)電層均與同一接墊電性連接。
19. 如權(quán)利要求IO所述的接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，還包括高分子保護(hù)層，位在該基板 上且至少暴露出該高分子凸塊以及該接墊。
20. —種接合結(jié)構(gòu)，包括 第一基板，包括至少一接墊；至少一高分子凸塊，與該接墊對應(yīng)設(shè)置，該高分子凸塊具有弧狀表 面，且在該弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)；至少一導(dǎo)電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接； 第二基板，該第二基板上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一基板 上的該導(dǎo)電層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接；以及接合材料，位于該第一基板與該第二基板之間，且部分的該導(dǎo)電層與該 高分子凸塊貫穿該接合材料而與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。
21. 如權(quán)利要求20所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括非導(dǎo)電黏著 膏、非導(dǎo)電黏著膜、各向異性導(dǎo)電膏或各向異性導(dǎo)電膜。
22. 如權(quán)利要求20所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括紫外線固化接 合材料、熱固化接合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。
23. 如權(quán)利要求20所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料內(nèi)還包括分布有填 充顆粒。
24. 如權(quán)利要求23所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該填充顆粒包括導(dǎo)電顆?；蚴?絕緣顆粒。
25. —種接合結(jié)構(gòu)，包括 第一基板，包括至少一接墊；至少一高分子凸塊，與該接墊對應(yīng)設(shè)置，該高分子凸塊具有頂部平 面以及^f立于該頂部平面兩側(cè)的弧狀凹凸表面；至少一導(dǎo)電層，覆蓋該高分子凸塊，且與該接墊電性連接； 第二基板，該第二基板上包括設(shè)置有至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一基板 上的該導(dǎo)電層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接；以及接合材料，位于該第一基板與該第二基板之間，且部分的該導(dǎo)電層與該 高分子凸塊貫穿該接合材料而與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)接觸。
26. 如權(quán)利要求25所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該頂部平面具有多個凹凸結(jié)構(gòu) 或?yàn)槠交Y(jié)構(gòu)。
27. 如權(quán)利要求25所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括非導(dǎo)電黏著 膏、非導(dǎo)電黏著膜、各向異性導(dǎo)電膏或各向異性導(dǎo)電膜。
28. 如權(quán)利要求25所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料包括紫外線固化接 合材料、熱固化接合材料、熱塑化接合材料或是上述的組合。
29. 如權(quán)利要求25所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該接合材料內(nèi)還包括分布有填 充顆粒。
30. 如權(quán)利要求29所述的接合結(jié)構(gòu)，其中該填充顆粒包括導(dǎo)電顆?；蚴?絕緣顆粒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接合結(jié)構(gòu)。一種接點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在基板上。接點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括至少一接墊、至少一高分子凸塊以及至少一導(dǎo)電層。其中，接墊位于基板上，而高分子凸塊配置于基板上。高分子凸塊具有弧狀表面，且在弧狀表面上具有多個凹凸結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層覆蓋高分子凸塊，且導(dǎo)電層與接墊電性連接。
文檔編號H01L23/488GK101582399SQ200810099538
公開日2009年11月18日 申請日期2008年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月13日
發(fā)明者張世明 申請人:臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產(chǎn)業(yè)協(xié)會;中華映管股份有限公司;友達(dá)光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院;統(tǒng)寶光電股份有限公司