專利名稱：擦除非易失性存儲(chǔ)器元件時(shí)用于自我收斂的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器元件，更具體的說(shuō)，涉及一種在非易 失性存儲(chǔ)單元中用以修正一過(guò)度擦除狀態(tài)的裝置和方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器元件，例如，閃存元件，包含許多的能夠被編程和擦 除的存儲(chǔ)單元。每一個(gè)存儲(chǔ)單元通常代表一個(gè)位的信息，且數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元 通常被安排成字符，其中每一個(gè)字符包含一個(gè)特定數(shù)目的位。每一存儲(chǔ)單 元通常包含一或多個(gè)晶體管。為了減少整個(gè)非易失性存儲(chǔ)器電路的大小， 單一晶體管存儲(chǔ)單元是較常被使用的。浮動(dòng)?xùn)艠O結(jié)構(gòu)就是一種廣為人知的 單一晶體管存儲(chǔ)單元形態(tài)，常被用于傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)元件中，就被稱為 一浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管。在包含一存儲(chǔ)單元，例如為浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管的一快閃存儲(chǔ)單元中執(zhí)行 有三種操作。這些操作包含讀取、寫入和擦除。該寫入操作也可以被當(dāng)成 是一種編程操作。通常一非易失性存儲(chǔ)元件，例如， 一快閃存儲(chǔ)元件，被 以指令或程序代碼擦除再進(jìn)行編程。在操作過(guò)程中，該程序代碼被一裝置， 例如是一處理器，所存取和讀取。對(duì)存儲(chǔ)單元，例如為浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管組 成該快閃存儲(chǔ)單元的各部分，例如，該控制柵極，源極，漏極，以及襯底， 施加適當(dāng)?shù)碾妷?，可以?duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取、寫入以及擦除。編程一存儲(chǔ)單元，例如，通過(guò)施加一相對(duì)高的編程電壓至該控制柵極， 以及一較低電壓至該漏極。例如，傳統(tǒng)的元件在編程的過(guò)程中，通常使用一9至IO伏特的控制柵極電壓，以及一5伏特的漏極電壓。該源極電壓 通常維持在接地電位或0伏特。該編程電壓被組態(tài)以產(chǎn)生在該漏極和源極 之間一相對(duì)高的電壓勢(shì)能，其導(dǎo)致電子由源極至漏極流經(jīng)在襯底上連接兩 者的溝道。此外，該相對(duì)高的電壓施加至該控制柵極，以提升該浮動(dòng)?xùn)艠O 的電壓勢(shì)能，該浮動(dòng)?xùn)艠O系位于該控制柵極的下方以及該溝道的上方。該浮動(dòng)?xùn)艠O通常與襯底之間隔絕有一介電層。同樣地，該浮動(dòng)?xùn)艠O也與該控 制柵極之間隔絕有一介電層。在該浮動(dòng)?xùn)艠O產(chǎn)生的高電壓勢(shì)能吸引電子流 經(jīng)該溝道，導(dǎo)致該些電子「隧穿」分隔該浮動(dòng)?xùn)艠O和該溝道的介電層。這 個(gè)效應(yīng)通常被稱為熱載子注射。一成功的編程操作會(huì)導(dǎo)致注射足夠的電子進(jìn)到該浮動(dòng)?xùn)艠O以達(dá)成該快閃存儲(chǔ)單元一理想的閾值電壓(threshold voltage, Vt)。該閾值電壓就是 在一讀取操作中，施加至控制柵極導(dǎo)致該溝道導(dǎo)通的電壓。在移除該編程電壓之后，該注射電子被捕捉在該浮動(dòng)?xùn)艠O內(nèi)，產(chǎn)生一 在讀取時(shí)必須加以克服的負(fù)電壓。該注射電子需要被克服負(fù)效應(yīng)的閾值電 壓范例值是4伏特，然而，該閾值電壓會(huì)因不同的實(shí)施而變化。此外，如 下所描述，該閾值電壓會(huì)因工藝的變化而改變。一存儲(chǔ)單元的讀取是通過(guò)施加一讀取電壓至該控制柵極，施加一較低 的電壓至該漏極，以及將該源極接地。例如，一5伏特的電壓施加至該控 制柵極，以及一l伏特的電壓施加至該漏極。檢測(cè)在該位線上的電流以決 定該存儲(chǔ)單元是否被編程。假如該存儲(chǔ)單元是被編程，則該閾值電壓是相 對(duì)的高，例如4伏特，則該位線的電流接近于O安培。假如該存儲(chǔ)單元是 沒(méi)有被編程，則該閾值電壓是相對(duì)的低，例如2伏特，則施加至該控制柵 極的該讀取電壓將會(huì)形成溝道以及該位線的電流會(huì)相對(duì)的高。一存儲(chǔ)單元的擦除是通過(guò)施加一高電壓至該源極，施加一較低電壓至 該控制柵極，以及允許該漏極為浮接。例如，一 16伏特的電壓施加至該 源極，當(dāng)該控制柵極接至接地端，或是一較低的電壓，例如是5伏特，可 以施加至該源極，當(dāng)一負(fù)電壓，例如是-10伏特，可以施加至該控制柵極。 這導(dǎo)致注射至該浮動(dòng)?xùn)艠O的電子進(jìn)行一弗若諾得漢(Fowler-Nordhdm ， FN)效應(yīng)，由該浮動(dòng)?xùn)艠O隧穿通過(guò)分隔該浮動(dòng)?xùn)艠O和該溝道的介電層而至 源極。此外，該溝道的擦除是通過(guò)使該漏極和該源極浮接，以及施加一擦 除電壓至該控制柵極。一傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)元件的問(wèn)題是，在制造過(guò)程中的變異性導(dǎo)致在一 些存儲(chǔ)單元可以充分被擦除之前，另一些存儲(chǔ)單元已經(jīng)被過(guò)度擦除了。在 過(guò)度擦除的存儲(chǔ)單元中，該浮動(dòng)?xùn)艠O有一非常低的負(fù)電荷，甚或是一正電 荷。 一過(guò)度擦除存儲(chǔ)單元可以被當(dāng)成是一空乏型晶體管，其無(wú)法以正常的操作電壓加以關(guān)閉。因此， 一過(guò)度擦除的存儲(chǔ)單元會(huì)有伴隨的漏電流，該 漏電流不僅會(huì)妨礙該過(guò)度擦除存儲(chǔ)單元的正確讀取，同時(shí)也會(huì)影響到其它 存儲(chǔ)單元連接至相同位線的正確讀取。傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)元件采用許多的技術(shù)以修正過(guò)度擦除存儲(chǔ)單元。例 如， 一些元件采用軟編程的步驟，然而，軟編程以及其它傳統(tǒng)的方法可能 是沒(méi)有效率的，因?yàn)檫@些方法會(huì)額外的增加電路，以及會(huì)顯著的增加擦除 周期所需要的時(shí)間。因此，這些傳統(tǒng)的方法可能不足以實(shí)施在一些需要快 速擦除周期以及較低復(fù)雜度的應(yīng)用上。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種在非易失性存儲(chǔ)單元中用 以修正一過(guò)度擦除狀態(tài)的裝置和方法， 一非易失性存儲(chǔ)器元件實(shí)現(xiàn)在正常 擦除周期中的自我收斂，經(jīng)由物理外觀的控制，例如，在該柵極結(jié)構(gòu)以及 整個(gè)柵極結(jié)構(gòu)中介電層的厚度，寬度，面積等。自我收斂也可以在正常擦除周期中被施加，通過(guò)在該擦除周期中拉升 施加至該控制柵極的擦除電壓。本發(fā)明的這些和其它目的，特征，和實(shí)施例，會(huì)在下列實(shí)施方式的章 節(jié)中被描述。


本發(fā)明的特征，目的，以及實(shí)施例將會(huì)伴隨所附的圖式來(lái)加以描述， 其中-圖l是依據(jù)一實(shí)施例，描述一非易失性存儲(chǔ)單元的圖式； 圖2是在一擦除周期中，描述施加至圖l每一存儲(chǔ)單元的各種不同電 壓波形時(shí)序圖；圖3是依據(jù)一實(shí)施例，描述如何控制圖1中的存儲(chǔ)單元的介電層電流 以達(dá)成在一個(gè)選定的閾值電壓的自我收斂；圖4描述采用圖3中所描述的步驟所達(dá)成的自我收斂的效果；以及 圖5描述一范例低閾值電壓分布和高閾值電壓分布。主要元件符號(hào)說(shuō)明跳存儲(chǔ)單元102:控制柵極104:電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)106:源極區(qū)域(S)跳漏極區(qū)域(D)110:溝道區(qū)域112:阱114:P型阱連接區(qū)域(PW)116、120:介電層118:硅晶襯底502:擦除閾值電壓分布504:編程閾值電壓分布具體實(shí)施方式
圖1描述在一非易失性存儲(chǔ)元件中， 一存儲(chǔ)單元ioo，例如為浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管。如圖所示，存儲(chǔ)單元100，例如為浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管包含一堆棧 柵極組態(tài)于一硅襯底118之上。該堆棧柵極組態(tài)包含一控制柵極102堆棧 在電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)104之上，例如為浮動(dòng)?xùn)艠O，其在置于該硅襯底118之上。 該柵極102和104通常由多晶硅材料所構(gòu)成，而且由介電層116和120所 分隔。層120用以分隔浮動(dòng)?xùn)艠O104與襯底118，可以是一氧化層，然而 層116用以分隔浮動(dòng)?xùn)偶?04與控制柵極102，可以形成一介電堆棧結(jié)構(gòu)， 例如一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層。在硅襯底118的一阱112中，形成一漏極區(qū)域(D)108，以及一源極區(qū) 域(S)106?？梢灾赖氖窃撀O區(qū)域108和該源極區(qū)域106的摻雜型態(tài)與 阱112相反。例如，假如漏極108和源極106是N型區(qū)域，則阱112是一 P型區(qū)域。在三阱的結(jié)構(gòu)中， 一第二阱圍繞著阱112同時(shí)也被包含在硅襯 底118中。在浮動(dòng)?xùn)艠O104底下的硅襯底118區(qū)域，被稱為該溝道區(qū)域， 或是溝道110。如同許多傳統(tǒng)的元件，浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管100是形成在P型襯底或是P型阱112上方，以及源極和漏極區(qū)域是N型區(qū)域。浮動(dòng)?xùn)艠O晶 體管100也包含一 P型阱連接區(qū)域(PW)114。圖1描述許多不同的導(dǎo)線被組態(tài)以不同的電壓與浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管100 連接。該些電壓被標(biāo)示為Vpw， Vs， Vcg，以及Vd。在此描述的系統(tǒng)和方法中， 一種被稱為自我收斂的步驟可以在擦除周 期中被使用，以修正存儲(chǔ)單元100的過(guò)度擦除狀態(tài)。在一自我收斂擦除的 步驟中，因過(guò)度擦除而使正電荷留在浮動(dòng)?xùn)艠O104的情況，可以被消除， 通過(guò)增加在源極106和漏極108之間溝道IIO的橫向電場(chǎng)，同時(shí)在浮動(dòng)?xùn)?極104產(chǎn)生一垂直的瞬時(shí)電場(chǎng)。在浮動(dòng)?xùn)艠O104產(chǎn)生的垂直電場(chǎng)，協(xié)助熱 載子以注入該浮動(dòng)?xùn)艠O104，其中該熱載子是通過(guò)源極106和漏極108之 間的橫向電場(chǎng)所產(chǎn)生。該步驟就是自我修正，因?yàn)樵撨^(guò)度擦除修正效應(yīng)會(huì)在浮動(dòng)?xùn)艠O104沒(méi) 有被過(guò)度擦除時(shí)較為輕微，而在浮動(dòng)?xùn)艠O104被過(guò)度擦除時(shí)較為強(qiáng)烈。這 是因?yàn)榱粼谠摳?dòng)?xùn)艠O104上的電荷影響在浮動(dòng)?xùn)艠O104上產(chǎn)生的凈瞬時(shí) 垂直電場(chǎng)。因此， 一沒(méi)有被過(guò)度擦除的存儲(chǔ)單元100將不會(huì)產(chǎn)生一很強(qiáng)的 瞬時(shí)垂直電場(chǎng)，以及該修正將會(huì)很輕微。相反地，當(dāng)一存儲(chǔ)單元100已經(jīng) 被過(guò)度擦除，該瞬時(shí)垂直電場(chǎng)將會(huì)較強(qiáng)烈，以及該修正效果也會(huì)較明顯。 在此描述的該自我修正的步驟被稱為自我收斂，因?yàn)槿康拇鎯?chǔ)單元都自 動(dòng)地收斂到一正閾值電壓，而且只增加少許的時(shí)間。此外，沒(méi)有需要或只 需要很少的額外電路以產(chǎn)生該自我收斂的效果。圖2是一時(shí)序圖，用以描述在一自我收斂擦除周期中，施加至該浮動(dòng) 柵極晶體管IOO，各種不同電壓的信號(hào)波形和頻率。如圖所示，圖2的時(shí) 序圖被區(qū)分為一擦除周期(te)，和一自我收斂周期(tsc)。在該自我收斂周期 中(tsc)，必須控制該漏極電壓(Vd)和該源極電壓(Vs)，以產(chǎn)生在源極106 和漏極108間的一橫向瞬時(shí)電場(chǎng)。此外，在該自我收斂周期中(tsc)，必須 控制該柵極電壓(Vcg)以在浮動(dòng)?xùn)艠O104上產(chǎn)生一瞬時(shí)垂直電場(chǎng)，當(dāng)源極 106和漏極108間的該橫向電場(chǎng)已經(jīng)存在。如圖所示，該擦除周期(te)開始于時(shí)間t0，同時(shí)Vd， Vs，以及Vpw 切換至一高電壓，當(dāng)時(shí)Vcg切換至一負(fù)電壓。這些電壓在整個(gè)擦除周期(te) 中持續(xù)維持在相同位準(zhǔn)，直到該周期終點(diǎn)，時(shí)間tl。時(shí)間tl是自我收斂周期(tsc)的起點(diǎn)。在時(shí)間tl之后的時(shí)間t2， Vd切換至0伏特，此時(shí)Vs維持 在一高電壓。這產(chǎn)生源極106相對(duì)漏極108 —電位差，其在溝道區(qū)域110 中產(chǎn)生一橫向電場(chǎng)。在時(shí)間t2之后的時(shí)間t3， Vcg切換至0伏特。這在浮動(dòng)?xùn)艠O104上產(chǎn) 生一瞬時(shí)垂直電壓/場(chǎng)，當(dāng)時(shí)在該溝道區(qū)域110中存在該橫向電場(chǎng)。該垂直 電場(chǎng)協(xié)助熱載子由溝道區(qū)域110被注入到該浮動(dòng)?xùn)艠O104，其中該熱載子 是由該橫向電場(chǎng)所產(chǎn)生。這導(dǎo)致以上所描述的該過(guò)度擦除修正。此外，這 個(gè)修正是自我收斂，因?yàn)樵摯鎯?chǔ)單元的閾值電壓值會(huì)被自動(dòng)地收斂至一非 零的正值。圖2中所描述的每一電壓都必須回復(fù)到最初的值，相對(duì)于一傳統(tǒng)的擦 除周期，自我收斂周期(tsc)不需要額外時(shí)間或只需要很少的額外時(shí)間。在實(shí)際上，是很難有效地控制該瞬時(shí)反應(yīng)，以達(dá)成一適當(dāng)?shù)牟脸撝?電壓分布。圖5是描述多個(gè)存儲(chǔ)單元100的一編程閾值電壓分布504，以 及一擦除閾值電壓分布502。因此，被擦除的該些存儲(chǔ)單元有一低閾值電 壓值，被編程的該些存儲(chǔ)單元有一高閾值電壓值。該些存儲(chǔ)單元的低閾值 電壓分布502可以被描繪成以一平均閾值電壓(LVT)為中心，形成一寬度 為Ed的一鐘形曲線。同樣地，該些存儲(chǔ)單元的高閾值電壓分布504可以 被描繪成以一中位高閾值電壓(HVT)為中心，形成一寬度為Pd的一鐘形曲 線。控制寬度Ed以防止低閾值電壓分布502的擴(kuò)展是很重要的。假如在 該寬度的高電壓端，其可以被稱為低閾值電壓的高邊界(LVHB)，太高的話， 則會(huì)很難區(qū)分靠近LVHB附近的該些存儲(chǔ)單元是被擦除的，或是被編程 的。因此，控制低閾值電壓分布502的寬度Ed在很窄的范圍內(nèi)是很重要 的。由于在自我收斂過(guò)程(tsc)中的瞬時(shí)現(xiàn)象是很難控制的，并不是每次都 能達(dá)成窄的低閾值電壓分布。通過(guò)控制該介電層116和120的電流以平衡 在擦除過(guò)程中產(chǎn)生的擦除電流，以達(dá)成控制該低閾值電壓分布。該介電電流可以被控制，例如，通過(guò)控制柵極和/或?qū)咏Y(jié)構(gòu)的物理外觀。 該些外觀可以包含厚度，寬度，面積等。該些許多的外觀可以被調(diào)整以產(chǎn) 生介電電流用來(lái)補(bǔ)償在該擦除周期中所產(chǎn)生的電流，以確保全部的存儲(chǔ)單 元自我收斂至一確定的閾值電壓(Vth)。因?yàn)樵撔┩庥^可以被充分的準(zhǔn)確度所控制， 一存儲(chǔ)單元的該擦除Vth，或LVT可以被準(zhǔn)確的控制。這產(chǎn)生一 窄的LVT分布。例如，在一實(shí)施例中該介電層116是一ONO層，圖3描述該ONO的電流(IONO)，以及在隧穿層120(ITUN)的電流可以被控制以達(dá)成收斂在一目 標(biāo)Vth。換言之，Iono和lTUN可以被控制直到兩者幾近相同，以克服過(guò)度擦除的問(wèn)題。在圖3的范例中，通過(guò)控制全部存儲(chǔ)單元的該柵極耦合率 (Gate Coupling Rate, GCR)可以達(dá)成用于自我收斂的該選定Vth，例如， 通過(guò)控制該隧穿(TUN)氧化層120和ONO層116的厚度比例。在一特定實(shí) 施例中，該ONO/TUN有效厚度大約等于0.8 1.4，在ONO和隧穿氧化 面積大約3.0 0.8。此外，該ONO層的有效厚度大約可以小于D0埃。此外，施加至該控制柵極(Vcg)的該擦除電壓，可以被組態(tài)在該擦除周 期中急速拉升以協(xié)助自我收斂。換言之，通過(guò)急速拉升在該擦除周期中的 Vcg，較少的電荷將會(huì)被搬離浮動(dòng)?xùn)?04，其可以協(xié)助防止過(guò)度擦除。經(jīng)由控制該介電層和柵極結(jié)構(gòu)的該物理外觀以實(shí)現(xiàn)自我收斂，在擦除 周期中并不需要額外的時(shí)間。因此，該方法是非常快速和有效。此外，在 該擦除周期中Vcg可以急速拉升以協(xié)助自我收斂，而不需要增加擦除周期 額外的時(shí)間。因?yàn)樵撔┩庥^可以被充分的控制，一準(zhǔn)確的Vth和一窄的LVT分布可以被達(dá)成。圖4描述一存儲(chǔ)單元使用先前所描述的自我收斂補(bǔ)償機(jī)制，以及一存 儲(chǔ)單元沒(méi)有使用該機(jī)制的擦除后閾值電壓圖式。如圖所示，使用自我收斂 機(jī)制的該存儲(chǔ)單元自我收斂至一正的Vth，然而沒(méi)有使用該機(jī)制的該存儲(chǔ) 單元可能被過(guò)度擦除。本發(fā)明的特定實(shí)施例已經(jīng)在上面被描述，可以了解的是，該被描述的 實(shí)施例僅只是用于說(shuō)明的范例而已。因此，本發(fā)明應(yīng)該不被限制于所描述 的實(shí)施例。當(dāng)然，在此所描述的本發(fā)明的范圍，只能依權(quán)利要求書和以上 的描述以及伴隨的繪圖來(lái)限制。
權(quán)利要求
1.一種用于制造非易失性存儲(chǔ)裝置的方法，該存儲(chǔ)裝置包含有多個(gè)存儲(chǔ)單元，且每一存儲(chǔ)單元包含一電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)并具有一閾值電壓，其特征在于，該方法包含將該類存儲(chǔ)單元中該電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)的一第一介電層的物理性尺寸選擇成，當(dāng)有一電壓被施加于該存儲(chǔ)單元時(shí)，一旦該閾值電壓幾近相同于一預(yù)定值，在該第一介電層的電流值實(shí)質(zhì)上相同于一第二介電層中的電流值時(shí)的尺寸，該尺寸包括物理尺寸面積、厚度或長(zhǎng)度；以及控制該非易失性存儲(chǔ)裝置的制造，以使該電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)中的該第一介電層具有所選定的尺寸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該物理性尺寸是該第 一介電層的厚度，或是該第一介電層的寬度，或是該第一介電層的面積， 或是該第一介電層相對(duì)于該第二介電層的一厚度比例。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一介電層是一氧 化物-氮化物-氧化物層，該氧化物-氮化物-氧化物層介于多個(gè)存儲(chǔ)單元中每 一晶體管的一浮動(dòng)?xùn)艠O和一控制柵極之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第二介電層是一隧 穿層，該隧穿層介于多個(gè)存儲(chǔ)單元中每一晶體管的一浮動(dòng)?xùn)艠O和一襯底之 間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該物理性尺寸是該第 一介電層的厚度，且該厚度小于130埃；或是該第一介電層相對(duì)于該第二 介電層的一面積比例，且該面積比例是3.0至0.8;或是該第一介電層相對(duì) 于該第二介電層的一厚度比例，該厚度比例是0.8至1.4。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該物理性尺寸被選擇 以控制包含在多個(gè)存儲(chǔ)單元中每一浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管的該柵極耦合率GCR。
7、 一種非易失性存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)裝置包含有多個(gè)存儲(chǔ)單元，且每 一存儲(chǔ)單元包含一晶體管被組態(tài)以實(shí)現(xiàn)一自我收斂，每一晶體管包含一柵 極結(jié)構(gòu)，其特征在于，該存儲(chǔ)裝置包含一襯底；一控制柵極； 一電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)；一介電層，位于該控制柵極和該電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)之間；以及 一隧穿層，位于該電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)和該襯底之間，選擇至少一該介電 層以及該隧穿層的物理尺寸，以控制該介電層和該隧穿層的電流，使得當(dāng) 一電壓施加至每一晶體管時(shí)該電流在彼此之間幾近相同。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該介電 層是一氧化物-氮化物-氧化物層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該物理 性尺寸是一厚度、寬度或面積，或者該物理性尺寸是該介電層相對(duì)于該隧 穿介電層的一厚度比例或一面積比例。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該物理 性尺寸是該介電層的厚度，且該介電層的該厚度小于130埃；或是該介電 層相對(duì)于該隧穿層的一面積比例，且該面積比例是3.0至0.8;或是該介電 層相對(duì)于該隧穿層的一厚度比例，且該厚度比例是0.8至1.4。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該電荷 儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)為一浮動(dòng)?xùn)艠O。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在非易失性存儲(chǔ)單元中用以修正一過(guò)度擦除狀態(tài)的裝置和方法，一非易失性存儲(chǔ)器元件實(shí)現(xiàn)在正常擦除周期中的自我收斂，經(jīng)由物理外觀的控制，例如，在該柵極結(jié)構(gòu)以及整個(gè)柵極結(jié)構(gòu)中介電層的厚度、寬度、面積等。自我收斂也可以在正常擦除周期中通過(guò)在該擦除周期中急速增加施加至該控制柵極的擦除電壓而更顯著。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101325180SQ20081010070
公開日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月13日
發(fā)明者吳祝菁, 易成名, 陳輝煌 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司