專利名稱：液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明關(guān)于一種液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，尤指一種具有并聯(lián)耦合電容設計而可改善色偏(color washout)問題并提高開口率的液晶顯示面板及其像 素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
液晶顯示器由于具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性，所以 被廣泛地應用在筆記本計算機(notebook)、個人計算機顯示器與個人數(shù)字助理 (personal digital assistant, PDA)等信息產(chǎn)品上，并已逐漸取代傳統(tǒng)陰極射線管 電視，成為家用電視商品的主流。相較于傳統(tǒng)陰極射線管顯示器，液晶顯示器具有視角不夠?qū)拸V的限制， 因此近年來液晶顯示器的發(fā)展不斷朝向廣視角技術(shù)的方向發(fā)展，例如多區(qū)域 垂直配向技術(shù)(MVA)的成熟，已使得液晶顯示器的視角大幅提升。然而，僅管 液晶顯示器的視角問題已獲得改善，卻衍生出新的問題，亦即在大視角方向 觀看液晶顯視器的畫面時會有顏色偏白或伽瑪曲線偏移的問題， 一般稱此現(xiàn) 象為色偏。色偏現(xiàn)象為目前廣視角液晶顯示器發(fā)展上的一大限制，因此如何 在不影響開口率的情況下改善色偏問題，為液晶顯示器在發(fā)展上的重要課題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供一種液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，以解決液 晶顯示器在大視角觀看時的色偏問題，并增加開口率。為達上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)。上述像素結(jié)構(gòu)包括一基板，包括多個像素區(qū)域，各該像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且各該暗區(qū)包括一第一耦合電容區(qū)與一第二耦合電容區(qū)； 多個開關(guān)元件，分別設置于各該像素區(qū)域之內(nèi)；多個像素電極圖案，分別設置于各該像素區(qū)域之內(nèi)，且各該像素電極圖 案包括一第一像素電極設于該亮區(qū)之內(nèi)，以及一第二像素電極設于該暗區(qū)之 內(nèi)，其中各該第一像素電極與各該開關(guān)元件的一漏極電性連接；多個第一耦合電容，分別設置于各該第一耦合電容區(qū)之內(nèi)；以及多個第二耦合電容，分別設置于各該第二耦合電容區(qū)之內(nèi)，且各該第一 耦合電容與位于同一暗區(qū)內(nèi)的各該第二耦合電容以并聯(lián)方式連接。為達上述目的，本發(fā)明另提供一種像素結(jié)構(gòu)。上述像素結(jié)構(gòu)形成于一基 板的一像素區(qū)域上，該像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且該亮區(qū)與該暗區(qū)中 分別各包括一液晶配向區(qū)域，該像素結(jié)構(gòu)包括一開關(guān)元件，設置于該像素區(qū)域之內(nèi)；一第一像素電極，設置于該亮區(qū)內(nèi)，且電性連接至該開關(guān)元件；一耦合電極，設置于該暗區(qū)內(nèi)，電性連接至該開關(guān)元件，該耦合電極具 有一第一耦合電極部與一第二耦合電極部，且該第二耦合電極部與該暗區(qū)的 該液晶配向區(qū)域?qū)?；一第二像素電極，設置于該暗區(qū)內(nèi)，該第二像素電極跟該第一耦合電極 部與該第二耦合電極部分別耦合形成一第一耦合電容與一第二耦合電容。為達上述目的，本發(fā)明又提供一種液晶顯示面板。上述液晶顯示面板具 有多個像素區(qū)域，各該像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且該亮區(qū)與該暗區(qū)中 各分別包括一液晶配向區(qū)域，該液晶顯示面板包括一第一基板，具有多個像素結(jié)構(gòu)，分別設置于對應的該像素區(qū)域，各該 像素結(jié)構(gòu)包括-一開關(guān)元件，分別設置于該像素區(qū)域之內(nèi)；一第一像素電極，設置于該亮區(qū)內(nèi)，且電性連接至該開關(guān)元件；一耦合電極，設置于該暗區(qū)內(nèi)，電性連接至該開關(guān)元件，該耦合電極具 有一第一耦合電極部與一第二耦合電極部，且該第二耦合電極部是與該暗區(qū) 的該液晶配向區(qū)域?qū)?；一第二像素電極，設置于該暗區(qū)內(nèi)，該第二像素電極跟該第一耦合電極 部與該第二耦合電極部分別耦合形成一第一耦合電容與一第二耦合電容；一第二基板，與該第一基板對向配置，該第二基板的各該液晶配向區(qū)域 上設置有一液晶配向結(jié)構(gòu)；以及一液晶層，設置于該第一基板與該第二基板之間。本發(fā)明液晶顯示面板的像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，其中亮區(qū)的第一 像素電極直接與漏極電性連接，而暗區(qū)的第二像素電極則利用耦合電容方式 使得第二像素電極的電壓會小于第一像素電極的電壓，如此一來可以有效解 決色偏的問題。另外由于第二耦合電容的位置對應位于液晶配向結(jié)構(gòu)的下方， 因此不會影響開口率。


圖-1為本發(fā)明各穿透式液晶顯示面板的實施例的電路示意圖。圖2至圖4為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示面板的示意圖。圖5為本發(fā)明另一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6為本發(fā)明又一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7為本發(fā)明各半穿透半反射型液晶顯示面板的實施例的電路示意圖。圖8為本發(fā)明再一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖標號10 像素區(qū)域 12 亮區(qū)14 暗區(qū) 16 液晶配向區(qū)域18 液晶配向區(qū)域 20 第一基板21 接觸洞 22G 柵極22S源極22D漏極23半導體層24柵極絕緣層25、 26介電層27絕緣層28第一接觸洞29墊層30第一耦合電容區(qū)31第四接觸洞32第二耦合電容區(qū)33A第一耦合電極部33B第二耦合電極部34A第一像素電極34B第二像素電極35透明導電圖案36第一層金屬圖案37反射電極38第一電容介電層40第二層金屬圖案42第二電容介電層44第二接觸洞46第三接觸洞50第二基板52黑色矩陣圖案54彩色濾光層56共通電極58液晶配向結(jié)構(gòu)60液晶層具體實施方式
本發(fā)明的液晶顯示面板的主要特征之一為各像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗 區(qū)，其中亮區(qū)的像素電極直接與開關(guān)元件的漏極電性連接，藉此與上基板的 共通電極形成一較大電位差以驅(qū)動液晶分子，而暗區(qū)的像素電極則未與漏極 電性連接，而是利用設置兩個或以上的并聯(lián)耦合電容與上基板的共通電極形 成一較小電位差以驅(qū)動液晶分子。通過上述方式，像素區(qū)域可提供一亮區(qū)與 一暗區(qū)，以解決大視角觀看液晶顯示器時的色偏問題。參考圖1。圖1為本發(fā)明各穿透式液晶顯示面板的實施例的電路示意圖。如圖1所示，液晶顯示面板包括多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL，以及多個 像素區(qū)域Pix，其中各像素區(qū)域Pix中包括一開關(guān)元件，例如一薄膜晶體管TFT。像素區(qū)域Pix區(qū)分為一亮區(qū)B與一暗區(qū)D，其中亮區(qū)B具有一第一像 素電極，而暗區(qū)D具有一第二像素電極，且第一像素電極與第二像素電極均 設于下基板上。薄膜晶體管TFT的漏極直接與亮區(qū)B的第一像素電極電連接， 因此在亮區(qū)B中第一像素電極與設于上基板的共通電極構(gòu)成一第一液晶電容 Clcl，且亮區(qū)B中另設置有至少一儲存電容Cst。另一方面在暗區(qū)D中漏極并 未直接與第二像素電極電連接，而是利用由漏極延伸出的導電圖案與第二像 素電極形成一第一耦合電容Ccl與一第二耦合電容Cc2，且第一耦合電容Ccl 與第二耦合電容Cc2以并聯(lián)方式連接，而并聯(lián)的第一耦合電容Ccl與第二耦 合電容Cc2再共同與上基板的共通電極構(gòu)成一第二液晶電容Clc2。請參考圖2至圖4。圖2至圖4為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示面板的 示意圖，其中本實施例以多區(qū)域垂直配向液晶顯示面板為例說明本發(fā)明，但 本發(fā)明的應用并不限于此而可為其它型式的液晶顯示面板，另外圖2為像素 結(jié)構(gòu)的上視圖，圖3為圖2的像素結(jié)構(gòu)沿剖面線AA'的剖面示意圖，圖4為 圖2的像素結(jié)構(gòu)沿剖面線BB'的剖面示意圖。如圖2至圖4所示，本實施例 的液晶顯示面板具有多個像素區(qū)域IO(為方便說明起見，圖中僅繪示出一個像 素區(qū)域)，其中各像素區(qū)域10包括一亮區(qū)12與一暗區(qū)14，且亮區(qū)12與暗區(qū) 14中各分別包括一液晶配向區(qū)域16、 18。液晶顯示面板包括一第一基板20， 第一基板20具有多個像素結(jié)構(gòu)，分別與像素區(qū)域10對應，且各像素結(jié)構(gòu)包 括一掃描線SL、 一數(shù)據(jù)線DL，以及一開關(guān)元件(例如薄膜晶體管)，分別設置 于各像素區(qū)域10之內(nèi)，其中開關(guān)元件包括一柵極22G、 一半導體層23、 一源 極22S與一漏極22D。半導體層23與柵極22G之間設置有一柵極絕緣層24、 而柵極22G上方依序設置有二介電層25、 26、至少一絕緣層(一般亦稱為保護 層)27以及一配向膜(圖未示)，其中介電層26亦作為第二電容介電層之用，此 處將于下文中詳述。另外，介電層25、 26于對應源極22S的位置具有一接觸 洞21，藉此數(shù)據(jù)線DL可與開關(guān)元件22的源極22S直接電性連接。液晶顯示面板包括多個像素電極圖案，分別設置于各像素區(qū)域IO之內(nèi)，且各像素電極圖案為透明導電材質(zhì)例如氧化銦錫，其包括一第一像素電極34A 設于亮區(qū)12之內(nèi)，以及一第二像素電極34B設于暗區(qū)14之內(nèi)，其中亮區(qū)12 的絕緣層27具有一第一接觸洞28，介電層25、 26具有一第四接觸洞31與第 一接觸洞28對應，且開關(guān)元件22的漏極22D上設有一墊層(pad layer)29與漏 極22D電性連接。第一接觸洞28與第四接觸洞31曝露出墊層29，藉此第一 像素電極34A可填入第一接觸洞28與第四接觸洞31而與墊層29接觸，藉此 第一像素電極34A即可通過墊層29而與開關(guān)元件22的漏極22D電性連接， 而暗區(qū)14的第二像素電極34B則未與第一像素電極34A電性連接。暗區(qū)14內(nèi)設置有一導電圖案，作為耦合電極之用，其中在本實施例中， 半導體層23由多晶硅材質(zhì)構(gòu)成，而耦合電極33與半導體層23為同層材料， 但可通過例如離子布植使其具有導電特性，且耦合電極電性連接至開關(guān)元件 22的漏極22D。另外，暗區(qū)14包括一第一耦合電容區(qū)30與一第二耦合電容 區(qū)32，其中第一耦合電容區(qū)30內(nèi)包括一第一耦合電容，而第二耦合電容區(qū) 32內(nèi)則包括一第二耦合電容。耦合電極具有一第一耦合電極部33A設置于第 一耦合電容區(qū)30之內(nèi)，與一第二耦合電極部33B則設置于第二耦合電容區(qū) 32之內(nèi)。此外，像素結(jié)構(gòu)另包括多個第一層金屬圖案36(第一層金屬圖案36 與掃描線SL、柵極22G、共通線CL與墊層29為同層金屬)，分別設置于各 第一耦合電容區(qū)30之內(nèi)、多個第一電容介電層38(第一電容介電層38與柵極 絕緣層24為同一層材料)，分別設置于各導電圖案(亦即耦合電極)與各第一層 金屬圖案36之間、多個第二層金屬圖案40(第二金屬層圖案40與數(shù)據(jù)線DL 為同層金屬)分別設置于各第一耦合電容區(qū)30之內(nèi)與各第二耦合電容區(qū)32之 內(nèi)，以及多個第二電容介電層42(第二電容介電層42與柵極22G上方的介電 層26為同層材料)，分別設置于各第二像素電極34B與各第二層金屬圖案40 之間。于第一耦合電容區(qū)30中，介電層25具有一缺口，使得第二層金屬圖案 40得以與第一層金屬圖案36電性連接，同時第二電容介電層42與絕緣層27具有一第二接觸洞44，使得第二像素電極34B得以與第二層金屬圖案40電 性連接。第二像素電極34B、第二層金屬圖案40與第一層金屬圖案36形成 第一耦合電容的上電極，而第一耦合電極部33A則為第一耦合電容的下電極， 并與設置于上電極與下電極之間的第一電容介電層38構(gòu)成第一耦合電容。另一方面于第二耦合電容區(qū)32中，第一電容介電層38與介電層25具有 一缺口，使第二層金屬圖案40得以與第二耦合電極部33B電性連接，并構(gòu)成 第二耦合電容的下電極，而第二電容介電層42覆蓋于第二層金屬圖案40的 表面，且絕緣層27具有一第三接觸洞46，使得第二像素電極34B可形成于 第二電容介電層42的表面，并作為第二耦合電容的上電極，藉此構(gòu)成第二耦 合電容。液晶顯示面板另包括一第二基板50與第一基板20對向配置，以及一液 晶層60設置于第一基板20與第二基板50之間。第二基板50面對第一基板 20的表面包括多個黑色矩陣圖案52，分別位于亮區(qū)12與暗區(qū)14之內(nèi)， 一彩 色濾光層54、 一共通電極56設于黑色矩陣圖案52與彩色濾光層54的表面、 一配向膜(圖未示)，以及多個液晶配向結(jié)構(gòu)58，設置于配向膜的表面并分別 與亮區(qū)12的液晶配向區(qū)域16以及暗區(qū)14的液晶配向區(qū)域18相對應。于本 實施例中，液晶配向結(jié)構(gòu)58使用配向突起物(protrusion)的作法，達到多區(qū)域 配向的作用，但本發(fā)明的應用并不局限于此，而亦可使用其它型式的液晶配 向結(jié)構(gòu)，例如配向狹縫(slit)。本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)亦具有其它不同的實施樣態(tài)，請繼續(xù) 參考下文的說明，其中為了便于比較各實施例的不同，在下述各實施例中相 同的元件使用相同的標號標注，且不再多加贅述。請參考圖5。圖5為本發(fā)明另一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。 如圖5所示，與圖2的實施例不同之處在于在本實施例中，耦合電極的尺寸 較小，因此僅于第一耦合電容區(qū)30之內(nèi)設置有第一耦合電極部33A，而未于 第二耦合電容區(qū)32之內(nèi)設置有第二耦合電極部33B。在各第二耦合電容區(qū)32之內(nèi)，另設置一透明導電圖案35取代第二耦合電極部33B，且透明導電圖案 35與第一耦合電極部33A電性連接。在此狀況下，于第二耦合電容區(qū)32中， 第二像素電極34B仍構(gòu)成第二耦合電容的一上電極，而第二層金屬圖案40則 與透明導電圖案35電性相連，并構(gòu)成第二耦合電容的一下電極。本實施例利 用透明導電圖案35取代第二耦合電極部33B的作法的優(yōu)點在于在未與第二層 金屬圖案40重疊的部分仍可保持透光的狀態(tài)，因此可進一步提升像素結(jié)構(gòu)的 開口率。請參考圖6。圖6為本發(fā)明又一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。 如圖6所示，本實施例的耦合電容的設計與圖2的實施例相同，而與圖2的 實施例不同之處在于在本實施例的液晶顯示面板為一半穿透半反射 (transflective)型液晶顯示面板，因此在各像素區(qū)域10的部分絕緣層27的表面 另設置有一反射電極37，其中反射電極37由高反射率材質(zhì)，例如鋁所構(gòu)成， 且其表面可具有微立體圖案以增加散射效果。由于像素區(qū)域10中有部分區(qū)域 為不透光區(qū)域，例如儲存電容區(qū)或耦合電容區(qū)，因此本發(fā)明將反射電極37設 置于不透光區(qū)域之內(nèi)，但可使用環(huán)境光源可進一步增加光利用率，提升液晶 顯示面板的亮度表現(xiàn)。值得說明的是在本實施例中，反射電極37與第二像素 電極34B電性連接，而為暗區(qū)12的一部分。請參考圖7。圖7為本發(fā)明各半穿透半反射型液晶顯示面板的實施例的電 路示意圖。如圖7所示，液晶顯示面板包括多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL， 以及多個像素區(qū)域Pix，其中各像素區(qū)域Pix中包括一開關(guān)元件，例如一薄膜 晶體管TFT。像素區(qū)域Pk區(qū)分為一亮區(qū)B與一暗區(qū)D，其中亮區(qū)B具有一 第一像素電極，而暗區(qū)D具有一第二像素電極。薄膜晶體管TFT的漏極直接 與亮區(qū)B的第一像素電極電連接，因此在亮區(qū)B中第一像素電極與上基板的 共通電極構(gòu)成一第一液晶電容Clcl ，且亮區(qū)B中另設置有至少一儲存電容Cst。 另一方面在暗區(qū)D中漏極并未直接與第二像素電極電連接，而是利用由漏極 延伸出的導電圖案與第二像素電極形成一第一耦合電容Ccl與一第二耦合電容Cc2，且第一耦合電容Ccl與第二耦合電容Cc2以并聯(lián)方式連接，而并聯(lián) 的第一耦合電容Ccl與第二耦合電容Cc2再共同與上基板的共通電極構(gòu)成一 第二液晶電容Clc2。相較于穿透式液晶顯示面板的電路，由于半穿透半反射 型液晶顯示面板的各像素區(qū)域Pix中另設置有一反射電極，電性連接于暗區(qū)D 的第二像素電極，因此反射電極與上基板的共通電極亦會構(gòu)成一反射液晶電 容ClcR.請參考圖8。圖8為本發(fā)明再一實施例液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。 如圖8所示，本實施例的液晶顯示面板亦為一半穿透半反射型液晶顯示面板， 與圖6的實施例相同，而兩者不同處在于本實施例的耦合電容的設計與圖4 的實施例相同，亦即在第二耦合電容區(qū)32中設置有透明導電圖案35。由上述可知，本發(fā)明的主要特點之一在于像素區(qū)域區(qū)分有亮區(qū)與暗區(qū)， 其中亮區(qū)的第一像素電極直接與漏極電性連接，而暗區(qū)的第二像素電極則利 用耦合電容方式使得第二像素電極的電壓會小于第一像素電極的電壓，如此 一來可以有效解決色偏的問題。第二像素電極的電壓可利用耦合電容的大小 來控制， 一般而言在第二像素電極的電壓大約為第一像素電極的電壓的0.7倍 的狀況下，會具有較佳的改善色偏效果。對于單一像素區(qū)域而言，亮區(qū)與暗 區(qū)的面積比例約在35: 65的狀況下，亦會有較佳的改善色偏效果，但實際的 比例仍可依其它考慮加以變更。另外由于本發(fā)明的耦合電容包括以并聯(lián)方式 連接的第一耦合電容與第二耦合電容，其中由于第二耦合電容的位置位于黑 色矩陣圖案與液晶配向結(jié)構(gòu)的下方，因此不會影響開口率。在此狀況下可減 小第一耦合電容的面積，以增加開口率，而不足的電容則可由第二耦合電容 提供，而獲致相同的電容值。值得說明的是本發(fā)明耦合電容并不限于并聯(lián)兩 個耦合電容，而可視像素結(jié)構(gòu)的設計與電容值的需求增加并聯(lián)耦合電容的數(shù) 目，且耦合電容的尺寸與形狀等亦可加以變更。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均 等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括一基板，包括多個像素區(qū)域，各所述像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且各所述暗區(qū)包括一第一耦合電容區(qū)與一第二耦合電容區(qū)；多個開關(guān)元件，分別設置于各所述像素區(qū)域之內(nèi)；多個像素電極圖案，分別設置于各所述像素區(qū)域之內(nèi)，且各所述像素電極圖案包括一第一像素電極設于所述亮區(qū)之內(nèi)，以及一第二像素電極設于所述暗區(qū)之內(nèi)，其中各所述第一像素電極與各所述開關(guān)元件的一漏極電性連接；多個第一耦合電容，分別設置于各所述第一耦合電容區(qū)之內(nèi)；以及多個第二耦合電容，分別設置于各所述第二耦合電容區(qū)之內(nèi)，且各所述第一耦合電容與位于同一暗區(qū)內(nèi)的各所述第二耦合電容以并聯(lián)方式連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括多 個導電圖案，分別與各所述開關(guān)元件的所述漏極電性連接、多個第一層金屬 圖案，分別設置于各所述第一耦合電容區(qū)之內(nèi)，以及多個第二層金屬圖案， 分別設置于各所述第一耦合電容區(qū)之內(nèi)與各所述第二耦合電容區(qū)之內(nèi)。
3，如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，于各所述第一耦合電容 區(qū)中，各所述第二像素電極、各所述第二層金屬圖案與各所迷第一層金屬圖 案為電性相連，并構(gòu)成各所述第一耦合電容的一上電極，而各所述導電圖案 構(gòu)成各所述第一耦合電容的一下電極。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括多 個第」電容介電層，分別設置于各所述導電圖案與各所述第一層金屬圖案之間。
5. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，于各所述第二耦合電容 區(qū)中，各所述第二像素電極構(gòu)成各所述第二耦合電容的一上電極，而各所述 第二層金屬圖案與各所述導電圖案電性相連，并構(gòu)成各所述第二耦合電容的 一下電極。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括多 個第二電容介電層，分別設置于各所述第二像素電極與各所述第二層金屬圖 案之間。
7. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括多 個透明導電圖案，分別設置于各所述第二耦合電容區(qū)之內(nèi)，且各所述透明導 電圖案與各所述導電圖案電性連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，于各所述第二耦合電容 區(qū)中，各所述第二像素電極構(gòu)成各所述第二耦合電容的一上電極，而各所述 第二層金屬圖案與各所述透明導電圖案電性相連，并構(gòu)成各所述第二耦合電 容的一下電極。
9. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括一絕緣層設置于所述這些像素電極與所述這些第二電容介電層之間。
10. 如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層與各所述第 二電容介電層于各所述第一耦合電容區(qū)中分別具有至少一通孔，且各所述第 二像素電極通過各所述通孔與各所述第二層金屬圖案電性連接。
11. 如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層于各所述第 二耦合電容區(qū)中具有至少一通孔，藉此使各所述第二像素電極于各所述第二 耦合電容區(qū)中形成于各所述第二電容介電層的表面。
12. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)另包括多 個反射電極，分別與各所述像素電極圖案電性連接。
13. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述開關(guān)元件包括一 柵極，且所述這些柵極與所述這些第一層金屬圖案為同一層金屬。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述這些第一像素電 極未與所述這些第二像素電極電性連接。
15. —種像素結(jié)構(gòu)，形成于一基板的一像素區(qū)域上，其特征在于，所述像 素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且所述亮區(qū)與所述暗區(qū)中分別各包括一液晶配向區(qū)域，所述像素結(jié)構(gòu)包括一開關(guān)元件，設置于所述像素區(qū)域之內(nèi)；一第一像素電極，設置于所述亮區(qū)內(nèi)，且電性連接至所述開關(guān)元件； 一耦合電極，設置于所述暗區(qū)內(nèi)，電性連接至所述開關(guān)元件，所述耦合電極具有一第一耦合電極部與一第二耦合電極部，且所述第二耦合電極部與所述暗區(qū)的所述液晶配向區(qū)域?qū)?；一第二像素電極，設置于所述暗區(qū)內(nèi)，所述第二像素電極跟所述第一耦合電極部與所述第二耦合電極部分別耦合形成一第一耦合電容與一第二耦合電容。
16. 如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一耦合電容與 所述第二耦合電容以并聯(lián)方式連接。
17. —種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板具有多個像素區(qū)域，其特征在 于，各所述像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且所述亮區(qū)與所述暗區(qū)中各分別 包括一液晶配向區(qū)域，所述液晶顯示面板包括一第一基板，具有多個像素結(jié)構(gòu)，分別設置于對應的所述像素區(qū)域，各所述像素結(jié)構(gòu)包括一開關(guān)元件，分別設置于所述像素區(qū)域之內(nèi)；一第一像素電極，設置于所述亮區(qū)內(nèi)，且電性連接至所述開關(guān)元件； 一耦合電極，設置于所述暗區(qū)內(nèi)，電性連接至所述開關(guān)元件，所述耦合電極具有一第一耦合電極部與一第二耦合電極部，且所述第二耦合電極部與所述暗區(qū)的所述液晶配向區(qū)域?qū)灰坏诙袼仉姌O，設置于所述暗區(qū)內(nèi)，所述第二像素電極跟所述第一耦合電極部與所述第=耦合電極部分別耦合形成一第一耦合電容與一第二耦合電容；'一第二基板，與所述第一基板對向配置，所述第二基板的各所述液晶配 向區(qū)域上設置有一液晶配向結(jié)構(gòu)；以及一液晶層，設置于所述第一基板與所述第二基板之間。
18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示面板，其特征在于，于各所述像素區(qū) 域中，所述第一耦合電容與所述第二耦合電容以并聯(lián)方式連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)包括一基板，包括多個像素區(qū)域，各所述像素區(qū)域包括一亮區(qū)與一暗區(qū)，且各所述暗區(qū)包括一第一耦合電容區(qū)與一第二耦合電容區(qū)；多個開關(guān)元件，分別設置于各所述像素區(qū)域之內(nèi)；多個像素電極圖案，分別設置于各所述像素區(qū)域之內(nèi)，且各所述像素電極圖案包括一第一像素電極設于所述亮區(qū)之內(nèi)，以及一第二像素電極設于所述暗區(qū)之內(nèi)，其中各所述第一像素電極與各所述開關(guān)元件的一漏極電性連接；多個第一耦合電容，分別設置于各所述第一耦合電容區(qū)之內(nèi)；以及多個第二耦合電容，分別設置于各所述第二耦合電容區(qū)之內(nèi)，且各所述第一耦合電容與位于同一暗區(qū)內(nèi)的各所述第二耦合電容以并聯(lián)方式連接。
文檔編號H01L27/12GK101276114SQ20081010073
公開日2008年10月1日 申請日期2008年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者呂英齊, 程琮欽, 胡至仁 申請人:友達光電股份有限公司