專利名稱：雙向視角陣列基板、彩膜基板、液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，特別是一種雙向視角陣列基板、彩膜基板、液晶顯示裝置及制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示裝置市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD由陣列基板和彩膜基板(彩色濾光片)對(duì)盒并在其中注入液晶形成，陣列基板包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與柵線垂直，相鄰的柵線和數(shù)據(jù)線限定了一個(gè)像素區(qū)域，并在交叉處形成TFT， TFT包括柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極、漏電極和鈍化層，其中柵電極與柵線連接，源電極與數(shù)據(jù)線連接，位于像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。彩膜基板包括形成在基板上的黑矩陣和彩色樹脂(紅色樹脂、綠色樹脂或藍(lán)色樹脂)，每個(gè)彩色樹脂對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素區(qū)域。
為了適應(yīng)快速發(fā)展的多樣化市場(chǎng)需求，近幾年開始出現(xiàn)一種雙向視角液晶顯示裝置，這種雙向視角液晶顯示裝置可以完全獨(dú)立地向左側(cè)和右側(cè)顯示不同的畫面，使觀眾在顯示屏的左側(cè)和右側(cè)可以看到完全不同的圖像。目前，
現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)雙向視角液晶顯示裝置的技術(shù)主要包括視差遮障技術(shù)和透鏡分光技術(shù)。視差遮障技術(shù)是利用3見差遮障(Parallax Barrier)原理，在現(xiàn)有TFT-LCD上形成可控偏光層，通過可控偏光層的光調(diào)制作用，形成影像投射的狹縫，從而形成左右兩個(gè)視角方向的雙向畫面。透鏡分光技術(shù)是利用分光透鏡(Lenticular Lens)原理，在現(xiàn)有TFT-LCD上附加可控透鏡層，利用可控透鏡層的分光作用，把TFT-LCD上的影像分成二個(gè)或多個(gè);f見場(chǎng)，從而形成雙向或者多向的不同畫面。
但是，無論是視差遮障技術(shù)還是透鏡分光技術(shù)，均存在一定的技術(shù)缺陷。例如，兩種技術(shù)均需要在現(xiàn)有TFT-LCD上生成一組可控偏光層或可控透鏡層，不僅制造成本高，而且使TFT-LCD的亮度明顯下降。又如，現(xiàn)有技術(shù)的雙向視角液晶顯示裝置依舊使用傳統(tǒng)的彩膜基板(彩色濾光片)作為彩色像素的產(chǎn)生部件，每個(gè)彩色像素由RGB三個(gè)亞像素構(gòu)成，由于分為左右兩個(gè)畫面，因此造成每個(gè)視角實(shí)際的分辨率只是原來TFT-LCD分辨率的一半。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種雙向視角陣列基板、彩膜基板、液晶顯示裝置及制造方法，有效解決現(xiàn)有雙向視角液晶顯示裝置成本高、亮度低和分辨率低等技術(shù)缺陷。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種雙向視角陣列基板，包括基板，所述基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供第一種顯示
畫面的像素結(jié)構(gòu)，所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的i象素結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種雙向視角彩膜基板，包括基板，所述基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第 一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，所述第二傾斜表面上形成有向另 一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種雙向視角液晶顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜表面上分別形成有向二個(gè)方向提供二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；所述彩膜基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜
9表面上分別形成有與所述陣列基板的像素結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的彩膜結(jié)構(gòu)；陣列基板上的楔形基膜和彩膜基板上的楔形基膜以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，在陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的彩膜結(jié)構(gòu)之間形成兩個(gè)視角方向的電場(chǎng)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種雙向視角陣列基板制造方法，包括:
步驟ll、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有朝向 一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表面；
步驟12、在第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)，在第二傾斜表面上形成向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種雙向視角彩膜基板制造方法，包括:
步驟21、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第一傾斜表面和第二傾斜表面；
步驟22、在所述第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成向另 一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種雙向視角液晶顯示裝置制造方法，包括
制備陣列基板，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)，所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；
制備彩膜基板，所述彩膜基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第 一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)；
將所述陣列基板和彩膜基板以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，即所述陣列基板上的第一傾斜表面與所述彩膜基板上的第一傾斜表面平行設(shè)置，所述陣列基板上的第二傾斜表面與所述彩膜基板上的第二傾斜表面平行設(shè)置，在所述陣列基板二個(gè)傾斜表面上的像素電極與所述彩膜基板二個(gè)傾斜表面上的公共電極之間形成兩個(gè)3見角方向的電場(chǎng)。
本發(fā)明提出了一種雙向視角雙向視角陣列基板、彩膜基板、液晶顯示裝置及制造方法，通過在基板上形成楔形基膜，直接在楔形基膜上形成像素結(jié)構(gòu)和彩膜結(jié)構(gòu)，以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，并通過場(chǎng)時(shí)序彩色技術(shù)形成彩色圖像。與現(xiàn)有技術(shù)的雙向視角液晶顯示裝置相比，本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置一方面不需要另外附加遮蔽和光控部件，因此光效率高于現(xiàn)有技術(shù)采用視差遮障技術(shù)或透鏡分光技術(shù)的雙向;f見角液晶顯示裝置，而且成本低，本發(fā)明雙向
視角液晶顯示裝置另 一方面通過采用場(chǎng)時(shí)序彩色技術(shù)，在相同陣列集成密度
晶顯示裝置的分辨率提高兩倍，明顯提高了圖像的分辨率和畫面品質(zhì)。
下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明雙向視角陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A處的放大圖；圖3為圖2中B-B向剖視圖4為本發(fā)明雙向視角陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖5為圖4中C處的放大圖6為本發(fā)明雙向視角彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖7為圖6中D-D向剖面圖8為本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖9為本發(fā)明陣列基板和彩膜基板對(duì)盒的示意圖IO為本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置的工作示意圖11為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法的流程圖12為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成楔形基膜的流程圖；圖13a-圖13d為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成楔形基膜的示意圖14為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的流程圖15為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的流程圖16為本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法的流程圖17為本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法中形成彩膜結(jié)構(gòu)的流程圖18為本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置制造方法的流程圖。
附圖標(biāo)記"^兌明
l一基板；2—柵線；2a—第一柵線；
2b—第二柵線；3—數(shù)據(jù)線；3a—第一數(shù)據(jù)線；
3b—第二數(shù)據(jù)線；4a—第一像素電極；4b—第二l象素電極；
5 —黑矩陣；6—透明樹脂；7—公共電極；
ll一楔形基膜；lla —第一傾斜表面；llb—第二傾斜表面;
10—陣列基板；20—彩膜基板；30—偏光片；
40—背光源；50—光線；IOI—透明基膜；
102—光刻膠；103—光刻膠圖形。
具體實(shí)施例方式
圖1為本發(fā)明雙向視角陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1
中A處的放大圖，圖3為圖2中B-B向剖一見圖。如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)施例雙向視角陣列基板包括基板1 (如玻璃基板或石英基板)，基板1上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜11,每列楔形基膜11的橫截面為梯形、三角形、與梯形或三角形形狀相類似的形狀，每列楔形基膜ll分別形成有朝向一側(cè)上方(如左上方)的第一傾在+表面lla和朝向另一側(cè)上方(如右上方)的第二傾斜表面llb。第一傾斜表面lla上形成有數(shù)行柵線2和數(shù)列第一數(shù)據(jù)線3a，數(shù)行柵線2和數(shù)列第一數(shù)據(jù)線3a限定數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有朝向左上方的第一像素電極4a，且每行柵線2和每列第一數(shù)據(jù)線3a的交叉處形成第一TFT。本實(shí)施例中，第一TFT為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括形成在第一傾斜表面lla上的柵極，形成在柵極上并覆蓋整個(gè)第一傾斜表面lla的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上并位于柵極之上的半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成在摻雜半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極，源電極和漏電極之間形成TFT溝道，形成在源電極和漏電極上并覆蓋整個(gè)第一傾斜表面lla的鈍化層，并在漏電極位置形成鈍化層過孔。其中第一 TFT的柵極與柵線2連接，源電極與第一數(shù)據(jù)線3a連接，漏電極通過鈍化層過孔與第一像素電極4a連接，從而實(shí)現(xiàn)向左上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。第二傾斜表面lib上形成有數(shù)行柵線2和數(shù)列第二數(shù)據(jù)線3b，數(shù)行柵線2和數(shù)列第二數(shù)據(jù)線3b限定數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有朝向右上方的第二像素電極4b，且每行柵線2和每列第二數(shù)據(jù)線3b的交叉處形成第二TFT。本實(shí)施例中，第二TFT為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括形成在第二傾斜表面llb上的柵極，形成在柵極上并覆蓋整個(gè)第二傾斜表面lib的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上并位于柵極之上的半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，形成在摻雜半導(dǎo)體層上的源電極和漏電極，源電極和漏電極之間形成TFT溝道，形成在源電極和漏電極上并覆蓋整個(gè)第二傾斜表面lib的鈍化層，并在漏電極位置形成鈍化層過孔。其中第二 TFT的柵極與柵線2連接，源電極與第二數(shù)據(jù)線3b連接，漏電極通過鈍化層過孔與第二像素電極4b連接，從而實(shí)現(xiàn)向右上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例中，對(duì)于相同的像素行，第一傾斜表面lla上的柵線與第二傾斜表面lib上的柵線為一體結(jié)構(gòu)，即相同像素行共用同一柵線， 一起打開，而第一傾斜表面lla上形成第一數(shù)據(jù)線3a,第二傾斜表面llb上形成第二數(shù)據(jù)線3b，相鄰的像素列連接不同的數(shù)據(jù)線，分別接收不同時(shí)刻的數(shù)據(jù)電壓。當(dāng)某一行柵線開啟時(shí)，第一數(shù)據(jù)線3a向第一像素電極4a輸入第一種數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)向左上方提供一種顯示畫面；隨后，第二數(shù)據(jù)線3b向第二像素電極4b 輸入第二種數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)向右上方提供另一種不同的顯示畫面。
圖4為本發(fā)明雙向視角陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4 中C處的放大圖。如圖4和圖5所示，本實(shí)施例雙向視角陣列基板包括基板 (如玻璃基板或石英基板)，基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列 楔形基膜的橫截面為梯形、三角形、與梯形或三角形相類似的形狀，每列楔 形基膜分別形成有朝向一側(cè)上方(如左上方)的第一傾斜表面lla和朝向另 一側(cè)上方(如右上方)的第二傾斜表面llb。
第一傾斜表面lla上形成有數(shù)行第一柵線2a和數(shù)列數(shù)據(jù)線3,數(shù)行第一 柵線2a和數(shù)列數(shù)據(jù)線3限定數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有朝向左上方 的第一像素電極4a，且每行第一柵線2a和每列數(shù)據(jù)線3的交叉處形成第一 TFT。本實(shí)施例中，第一TFT為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、 摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和鈍化層，第一TFT的柵極與第一柵線2a連 接，源電極與數(shù)據(jù)線3連接，漏電極通過鈍化層過孔與第一像素電極4a連接， 從而實(shí)現(xiàn)向左上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。第二傾斜表面llb上形 成有數(shù)行第二柵線2b和數(shù)列數(shù)據(jù)線3,數(shù)行第二柵線2b和數(shù)列數(shù)據(jù)線3限 定數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域設(shè)置有朝向右上方的第二像素電極4b,且每 行第二柵線2b和每列數(shù)據(jù)線3的交叉處形成第二 TFT。本實(shí)施例中，第二 TFT 為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏 電極和鈍化層，第二 TFT的柵極與第二柵線2b連接，源電極與數(shù)據(jù)線3連接， 漏電極通過鈍化層過孔與第二像素電極4b連接，從而實(shí)現(xiàn)向右上方提供第二 種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例中，對(duì)于相同的像素行，第一傾斜表面lla上采用第一柵線2a， 第二傾斜表面llb上采用第二柵線2b,第一柵線2a和第二柵線孔依次打開， 而相鄰的第一傾斜表面11a上的第一像素電極4a和第二傾斜表面llb上的第 二像素電極4b與同一條數(shù)據(jù)線3連接，即相鄰的像素列共用同一條數(shù)據(jù)線3,
14數(shù)據(jù)線3依次發(fā)送不同的數(shù)據(jù)電壓。首先第一柵線2a開啟，數(shù)據(jù)線3向第一 像素電極4a輸入第一種數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)向左上方提供一種顯示畫面；隨后第二柵 線2b開啟，數(shù)據(jù)線3向第二像素電極4b輸入第二種數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)向右上方提 供另一種不同的顯示畫面，從而實(shí)現(xiàn)向左上方和右上方依次提供二種不同的 顯示畫面。
本發(fā)明雙向視角陣列基板中，楔形基膜為透明材料，例如三氧化二釔或 氮化鋁。可以在每個(gè)楔形基膜的頂端設(shè)置遮光層，也可以在相鄰的楔形基膜 之間設(shè)置遮光層，還可以在每個(gè)楔形基膜的頂端和相鄰的楔形基膜之間均設(shè) 置遮光層，用于防止光線漏出。
圖6為本發(fā)明雙向視角彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7為圖6中D-D向剖 面圖。如圖6和圖7所示，本實(shí)施例雙向視角彩膜基板包括基板1 (如玻璃 基板或石英基板)，基板l上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜ll，每列楔形 基膜ll的橫截面為梯形、三角形、與梯形或三角形相類似的形狀，每列楔形 基膜分別形成第一傾斜表面lla和第二傾斜表面llb。第一傾斜表面lla和 第二傾斜表面lib上分別形成有作為彩膜結(jié)構(gòu)的黑矩陣5和透明樹脂6,黑 矩陣5設(shè)置在相鄰的透明樹脂6之間，公共電極7則形成在黑矩陣5和透明 樹脂6之上，使第一傾斜表面lla可以向一側(cè)的上方提供顯示畫面，第二傾 斜表面llb可以向另一側(cè)的上方提供顯示畫面。
本發(fā)明雙向視角彩膜基板中，楔形基膜為透明材料，例如三氧化二釔或 氮化鋁，可以在每個(gè)楔形基膜的頂端設(shè)置黑矩陣，也可以在相鄰的楔形基膜 之間設(shè)置黑矩陣，還可以在每個(gè)楔形基膜的頂端和相鄰的楔形基膜之間均設(shè) 置黑矩陣，用于防止光線漏出。
圖8為本發(fā)明雙向—見角液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為本發(fā)明陣列 基板和彩膜基板對(duì)盒的示意圖。如圖8、圖9所示，本發(fā)明雙向視角液晶顯 示裝置包括對(duì)盒在一起的陣列基板10和彩膜基板20，陣列基板10和彩膜基 板20的外表面貼附有偏光片30,背光源40設(shè)置在陣列基板10的下方，其中，陣列基板10具有前述圖1~圖5所示的結(jié)構(gòu)，彩膜基板20具有前述圖6~ 圖7所示的結(jié)構(gòu)，陣列基板10和彩膜基板20以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，即陣列 基板10上的第一傾斜表面與彩膜基板20上的第一傾斜表面平行設(shè)置，陣列 基板10上的第二傾斜表面與彩膜基板20上的第二傾斜表面平行設(shè)置，在陣 列基板10 二個(gè)傾斜表面上的像素電極與彩膜基板20 二個(gè)傾斜表面上的公共 電極之間形成左右兩個(gè)視角方向的電場(chǎng)，通過數(shù)據(jù)線傳送的不同數(shù)據(jù)，采用 電路控制左右兩個(gè)顯示畫面的顯示時(shí)間。背光源40為采用場(chǎng)時(shí)序彩色(Field Sequential Color,簡(jiǎn)稱FSC )技術(shù)的RGB-LED背光源，使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)向兩 個(gè)^L角方向顯示畫面。
圖IO為本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置的工作示意圖，本發(fā)明雙向視角液 晶顯示裝置的工作過程為首先，通過背光源提供光源，光線50進(jìn)入陣列基 板10的楔形基膜后到達(dá)楔形基膜左右二個(gè)傾斜表面上的第一像素電極和第 二1象素電極，通過第一像素電極和第二像素電極射入液晶層，液晶層中的液 晶分子在陣列基板10的像素電極與彩膜基板20的公共電極之間形成的電場(chǎng) 中受控偏轉(zhuǎn)，光線50經(jīng)液晶分子極化之后進(jìn)入彩膜基板20的楔形基膜后透 射出去，進(jìn)入眼睛形成影像。
針對(duì)本發(fā)明雙向視角陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明雙向視角液晶 顯示裝置工作時(shí)，陣列基板10上的柵線同時(shí)打開第一傾斜表面lla上的第一 TFT和第二傾斜表面llb上的第二TFT，但由于此時(shí)只有第一傾斜表面lla上 第一數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)有效，因此只有第一傾斜表面lla上的第一像素電極產(chǎn)生 使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)，光線只從第一傾斜表面lla這一側(cè)射出；接下來， 第二傾斜表面llb上第二數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)有效，因此只有第二傾斜表面llb上 的第二像素電極產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)，光線只從第二傾斜表面llb這 一側(cè)射出。本發(fā)明這種工作方式可以保證光線在彩膜基板20的楔形基膜內(nèi)不 相互影響和干涉。
針對(duì)本發(fā)明雙向視角陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置工作時(shí)，首先陣列基板10上的第一柵線2a打開第一傾斜表面lla 上的第一 TFT,數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)向第一傾斜表面lla上的第一像素電極輸入， 因此只有第一傾斜表面lla上的第一像素電極產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)， 光線只從第一傾斜表面lla這一側(cè)射出；接下來，第二柵線2b打開第二傾斜 表面llb上的第二TFT，數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)向第二傾斜表面llb上的第二像素電 極輸入，因此只有第二傾斜表面lib上的第二像素電極產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn) 的電場(chǎng)，光線只從第二傾斜表面lib這一側(cè)射出。本發(fā)明這種工作方式同樣 可以保證光線在彩膜基板20的楔形基膜內(nèi)不相互影響和干涉。
場(chǎng)時(shí)序彩色技術(shù)是根據(jù)紅、綠、藍(lán)光學(xué)三基色原理，將三基色按一定比 例輪流投射到同一區(qū)域，產(chǎn)生的彩色視覺與三基色直接混合一樣，在人眼前 呈現(xiàn)豐富多彩的顯示畫面。本發(fā)明上述技術(shù)方案只需采用現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)商品 化的時(shí)序彩色技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，這里不再贅述。
在本發(fā)明上述技術(shù)方案中，彩膜基板20兩個(gè)相鄰的楔形基膜之間和每個(gè) 楔形基膜端部的平臺(tái)上還設(shè)置有黑矩陣5，用于防止光線漏出，進(jìn)一步地， 陣列基板10的每個(gè)楔形基膜端部的平臺(tái)上也可以設(shè)置遮光層。
本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置通過在基板上形成楔形基膜，直接在楔形
基膜上形成像素結(jié)構(gòu)和彩膜結(jié)構(gòu)，以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，并通過場(chǎng)時(shí)序彩色
技術(shù)形成彩色圖像。與現(xiàn)有技術(shù)的雙向4a角液晶顯示裝置相比， 一方面本發(fā)
明雙向視角液晶顯示裝置不需要另外附加遮蔽和光控部件，因此光效率高于
現(xiàn)有技術(shù)采用視差遮障技術(shù)或透鏡分光技術(shù)制造的雙向視角液晶顯示裝置，
而且成本低，另一方面本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置通過采用場(chǎng)時(shí)序彩色技
術(shù)，在相同陣列集成密度的基礎(chǔ)上，雙向畫面的分辨率比現(xiàn)有技術(shù)采用傳統(tǒng)
彩色濾光片雙向視角液晶顯示裝置的分辨率提高兩倍，明顯提高了圖像的分 辨率和畫面品質(zhì)。
圖11為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法的流程圖，具體包括 步驟ll、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表面；
步驟12、在所述第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的 像素結(jié)構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的 像素結(jié)構(gòu)。
圖12為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成楔形基膜的流程圖，具 體包括
步驟lll、在基板上涂敷一層透明基膜； 步驟112、在所述透明基膜上涂敷一層光刻膠；
步驟113、采用掩;f莫板對(duì)所述光刻膠曝光，通過顯影工藝在所述透明基膜 上形成數(shù)列光刻膠圖形；
步驟114、通過刻蝕工藝刻蝕所述透明基膜，形成依次排列的數(shù)列楔形基 膜，每列楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第 二傾在+表面。
圖13a 圖13d為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成楔形基膜的 示意圖。首先在基板l (如玻璃基板或石英基板)上涂敷一層透明基膜101， 清洗干凈之后在透明基膜101上涂敷一層光刻膠102，如圖13a所示；之后 按照像素分辨率的要求以及可視角度等參數(shù)，采用預(yù)先設(shè)計(jì)的掩模板對(duì)光刻 膠102進(jìn)行曝光，通過顯影處理去除曝光的光刻膠，在透明基膜101上形成 數(shù)列光刻膠圖形103，如圖13b所示；像素分辨率要求用于確定楔形基膜的 列數(shù)，可視角度等參數(shù)用于決定楔形基膜左右二個(gè)傾斜表面的傾斜角度，而 傾斜表面的傾斜角度與透明基膜的涂敷厚度和曝光強(qiáng)度有關(guān)；最后通過刻蝕 工藝可形成楔形基膜圖形的一部分(楔形基膜兩側(cè)傾斜表面的下部)，如圖 13c所示。隨后，在完成前述流程的基礎(chǔ)上，重新進(jìn)行涂敷光刻膠、光刻膠 曝光、顯影處理和刻蝕等工藝即可形成楔形基膜圖形的另一部分(楔形基膜 兩側(cè)傾斜表面的上部)，從而全部完成依次排列的數(shù)列楔形基膜ll，每列楔 形基膜上分別形成有朝向一側(cè)上方的第一傾斜表面lla和朝向另一側(cè)上方的第二傾斜表面llb，如圖13d所示。上述僅說明了二次刻蝕過程，也可以采 用多次刻蝕過程，不再贅述。本發(fā)明楔形基膜的形成利用了曝光設(shè)備光柵的 部分透光性，可以將涂覆在透明基膜上的光刻膠經(jīng)過多次不完全曝光的方式， 先確定傾斜表面的相關(guān)參數(shù)，然后根據(jù)這些參數(shù)確定透明基膜的厚度，最后 確定曝光次數(shù)、曝光量和掩模圖形。這種方法是利用光學(xué)系統(tǒng)的分辨率限制， 低于分辨率以下的圖形將無法被清晰復(fù)制在基板上，通過可識(shí)別分辨率以下 的圖形的干涉、衍射，相應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)曝光量的控制，從而形成楔形基膜的 傾斜表面。在實(shí)際生產(chǎn)中，楔形基膜11的截面形狀并不是完全的梯形或三角 形，考慮到工藝的可行性，楔形基膜ll的實(shí)際截面形狀是梯形，即在楔形基 膜ll的上端具有一個(gè)小平臺(tái)。
本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法的技術(shù)方案中，步驟12實(shí)際上是傳統(tǒng) 形成陣列結(jié)構(gòu)層的制備流程，第一傾斜表面上形成的第一 TFT和第二傾斜表 面上形成的第二 TFT結(jié)構(gòu)基本相同，只是連接不同的柵線或數(shù)據(jù)線，下面分 別予以說明。在以下說明中，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、 曝光、刻蝕等工藝。
圖14為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例 的流程圖，具體包括
步驟12U、在制備了楔形基膜的基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃㄟ^構(gòu)圖工 藝分別在第一傾斜表面和第二傾斜表面上形成柵電極和柵線，其中第一傾斜 表面上的柵線和第二傾斜表面上的柵線為一體結(jié)構(gòu)；
步驟1212、在完成步驟1211的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層和有源層，通過 構(gòu)圖工藝分別在第 一傾斜表面的柵電極上方形成有源層圖形，在第二傾斜表 面的柵電極上方形成有源層圖形；
步驟1213、在完成步驟1212的基板上沉積一層源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝在第一傾斜表面上形成第一數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形，在第二傾斜 表面上形成第二數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形，每個(gè)傾斜表面上的數(shù)據(jù)線與該傾斜表面上的源電極連接，每個(gè)傾斜表面上的源電極和漏電極之間形成TFT 溝道；
步驟1214、在完成步驟1213的基板上沉積一層鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在 第一傾斜表面的漏電極上方形成鈍化層過孔，在第二傾斜表面的漏電極上方 形成鈍化層過孔；
步驟1215、在完成步驟1214的基板上沉積一層像素電極層，通過構(gòu)圖工 藝在第 一傾斜表面上形成朝向 一側(cè)上方的第 一像素電極，在第二傾斜表面上 形成朝向另 一側(cè)上方的第二像素電極，每個(gè)傾斜表面上的像素電極通過該傾 斜表面上的鈍化層過孔與該傾斜表面上的漏電極連接。
圖15為本發(fā)明雙向視角陣列基板制造方法中形成像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例 的流程圖，具體包括
步驟1221、在制備了楔形基膜的基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃㄟ^構(gòu)圖工 藝在第一傾斜表面上形成柵電極和第一柵線，在第二傾斜表面上形成柵電極 和第二柵線；
步驟1222、在完成步驟1221的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層和有源層，通過 構(gòu)圖工藝分別在第一傾斜表面的柵電極上方形成有源層圖形，在第二傾斜表 面的柵電極上方形成有源層圖形；
步驟1223、在完成步驟1222的基板上沉積一層源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝分別在第一傾斜表面和第二傾斜表面上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖 形，每個(gè)傾斜表面上的數(shù)據(jù)線與該傾斜表面上的源電極連接，每個(gè)傾斜表面 上的源電極和漏電極之間形成TFT溝道，其中第一傾斜表面上的翁:據(jù)線和第 二傾斜表面上的數(shù)據(jù)線為 一體結(jié)構(gòu)；
步驟1224、在完成步驟1223的基板上沉積一層鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在 第一傾斜表面的漏電極上方形成鈍化層過孔，在第二傾斜表面的漏電極上方 形成鈍化層過孔；
步驟1225、在完成步驟1224的基板上沉積一層像素電極層，通過構(gòu)圖工藝在第 一傾斜表面上形成朝向 一側(cè)上方的第 一像素電極，在第二傾斜表面上 形成朝向另一側(cè)上方的第二像素電極，每個(gè)傾斜表面上的像素電極通過該傾 斜表面上的鈍化層過孔與該傾斜表面上的漏電極連接。
本發(fā)明上述技術(shù)方案中，楔形基膜為透明材料，例如三氧化二釔或氮化 鋁，可以在每個(gè)楔形基膜的頂端形成遮光層，也可以在相鄰的楔形基膜之間 形成遮光層，還可以在每個(gè)楔形基膜的頂端和相鄰的楔形基膜之間均形成遮 光層，用于防止光線漏出。
圖16為本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法的流程圖，具體包括
步驟21、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面；
步驟22、在所述第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié) 構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成向另一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法中形成楔形基膜的流程參見圖12和 圖13a 圖13d所示，不再贅述。
圖17為本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法中形成彩膜結(jié)構(gòu)的流程圖，具 體包括
步驟221、在制備了楔形基膜的基板上通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣圖形和 透明樹脂圖形；
步驟222、在完成步驟221的基板上形成公共電極。
本發(fā)明雙向視角彩膜基板制造方法的技術(shù)方案中，步驟22實(shí)際上是傳統(tǒng) 形成彩膜結(jié)構(gòu)層的制備流程，第一傾斜表面和第二傾斜表面上形成的彩膜結(jié) 構(gòu)相同，不再贅述。本發(fā)明上述技術(shù)方案中，楔形基膜為透明材料，例如三 氧化二釔或氮化鋁，可以在每個(gè)楔形基膜的頂端形成黑矩陣，也可以在相鄰 的楔形基膜之間形成黑矩陣，還可以在每個(gè)楔形基膜的頂端和相鄰的楔形基 膜之間均形成黑矩陣，用于防止光線漏出。
圖18為本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置制造方法的流程圖，具體包括
21制備陣列基板，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列 楔形基膜具有朝向 一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表 面，所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)，
所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；
制備彩膜基板，所述彩膜基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列 楔形基膜具有第一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有向 一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè) 上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)；
將所述陣列基板和彩膜基板以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，即所述陣列基板上的 第一傾斜表面與所述彩膜基板上的第一傾斜表面平行設(shè)置，所述陣列基板上 的第二傾斜表面與所述彩膜基板上的第二傾斜表面平行設(shè)置，在所述陣列基 板二個(gè)傾斜表面上的像素電極與所述彩膜基板二個(gè)傾斜表面上的公共電極之 間形成兩個(gè)#見角方向的電場(chǎng)。
本發(fā)明上述技術(shù)方案中，首先制備陣列基板和彩膜基板，然后以錯(cuò)位對(duì) 應(yīng)方式對(duì)盒，其中制備陣列基板和彩膜基板的次序也可以是先制備彩膜基板， 再制備陣列基板。最后，在陣列基板和彩膜基板的外側(cè)貼附偏光片，并設(shè)置 采用場(chǎng)時(shí)序彩色技術(shù)的背光源，最終完成本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置。
本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置制造方法通過在基板上形成楔形基膜，直 接在楔形基膜上形成像素結(jié)構(gòu)和彩膜結(jié)構(gòu)，以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，并通過場(chǎng) 時(shí)序彩色技術(shù)形成彩色圖像。本發(fā)明雙向視角液晶顯示裝置制造方法一方面 提高了光效率，且成本低，另一方面提高了分辨率，明顯提高了畫面品質(zhì)。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙向視角陣列基板，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)，所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述第一傾斜表面上形成有柵線和第一數(shù)據(jù)線，柵線和第一數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè) 置有朝向一側(cè)上方的第一像素電極，柵線和第一數(shù)據(jù)線的交叉處形成第一TFT;所述第二傾斜表面上形成有柵線和第二數(shù)據(jù)線，柵線和第二數(shù)據(jù)線限定 的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向另 一側(cè)上方的第二像素電極，柵線和第二數(shù)據(jù)線的 交叉處形成第二TFT。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述第一 TFT 的柵極與柵線連接，源電極與第一數(shù)據(jù)線連接，漏電極與第一像素電極連接； 所述第二 TFT的柵極與柵線連接，源電極與第二數(shù)據(jù)線連接，漏電極與第二 像素電極連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述第一傾斜表面上形成有第一柵線和數(shù)據(jù)線，第一柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè) 置有朝向 一側(cè)上方的第 一像素電極，第 一柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成第一TFT;所述第二傾斜表面上形成有第二柵線和數(shù)據(jù)線，第二柵線和數(shù)據(jù)線限定 的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向另一側(cè)上方的第二像素電極，第二柵線和數(shù)據(jù)線的 交叉處形成第二TFT。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述第一 TFT 的柵極與第一柵線連接，源電極與數(shù)據(jù)線連接，漏電極與第一像素電極連接； 所述第二 TFT的柵極與第二柵線連接，源電極與數(shù)據(jù)線連接，漏電極與第二 像素電極連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 5中任一權(quán)利要求所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述楔形基膜的橫截面為梯形或三角形。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙向視角陣列基板，其特征在于，所述楔形基 膜的頂端和/或相鄰的楔形基膜之間設(shè)置有遮光層。
8. —種雙向視角彩膜基板，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有 依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面， 所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，所述第二 傾斜表面上形成有向另 一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙向視角彩膜基板，其特征在于，所述第一傾 斜表面和第二傾斜表面上的彩膜結(jié)構(gòu)包括黑矩陣、透明樹脂和公共電極，所 述黑矩陣設(shè)置在相鄰的透明樹脂之間，所述公共電極設(shè)置在所述黑矩陣和透 明樹脂之上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的雙向視角彩膜基板，其特征在于，所述 楔形基膜的橫截面為梯形或三角形。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的雙向視角彩膜基板，其特征在于，所述楔 形基膜的頂端和/或相鄰的楔形基膜之間設(shè)置有黑矩陣。
12. —種雙向視角液晶顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在 于，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜 表面上分別形成有向二個(gè)方向提供二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；所述彩膜基板 上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜表面上分別形成有 與所述陣列基板的像素結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的彩膜結(jié)構(gòu)；陣列基板上的楔形基膜和彩 膜基板上的楔形基膜以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，在陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)和彩膜 基板上的彩膜結(jié)構(gòu)之間形成兩個(gè)視角方向的電場(chǎng)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的雙向視角液晶顯示裝置，其特征在于，所 述陣列基板上的楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第一傾斜表面和朝向另一側(cè)上 方的第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有柵線和第一數(shù)據(jù)線，柵線和 第一數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向一側(cè)上方的第一像素電極，柵線和第一數(shù)據(jù)線的交叉處形成第一 TFT;所述第二傾斜表面上形成有柵線和第二 數(shù)據(jù)線，柵線和第二數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向另 一側(cè)上方的第二 像素電極，柵線和第二數(shù)據(jù)線的交叉處形成第二TFT。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的雙向視角液晶顯示裝置，其特征在于，所 述陣列基板上的楔形基膜具有朝向 一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上 方的第二傾斜表面，所述第一傾斜表面上形成有第一柵線和數(shù)據(jù)線，第一柵 線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向一側(cè)上方的第一像素電極，第一柵 線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成第一 TFT;所述第二傾斜表面上形成有第二柵線和 數(shù)據(jù)線，第二柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有朝向另 一側(cè)上方的第二 像素電極，第二柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成第二TFT。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的雙向視角液晶顯示裝置，其特征在于，所 述彩膜基板的楔形基膜具有第一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第一傾斜表 面和第二傾斜表面上形成有黑矩陣、透明樹脂和公共電極，所述黑矩陣設(shè)置 在相鄰的透明樹脂之間，所述公共電極設(shè)置在所述黑矩陣和透明樹脂之上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12-15中任一權(quán)利要求所述的雙向視角液晶顯示裝 置，其特征在于，所述陣列基板的外側(cè)還設(shè)置有采用場(chǎng)時(shí)序彩色技術(shù)提供彩 色光源的背光源。
17. —種雙向視角陣列基板的制造方法，包括步驟ll、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有朝 向 一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表面；步驟12、在第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素 結(jié)構(gòu)，在第二傾斜表面上形成向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的雙向視角陣列基板的制造方法，其特征在 于，所述步驟ll具體包括步驟lll、在基板上涂敷一層透明基膜； 步驟112、在所述透明基膜上涂敷一層光刻膠；步驟113、采用掩模板對(duì)所述光刻膠曝光，通過顯影工藝在所述透明基膜 上形成數(shù)列光刻膠圖形；步驟114、通過刻蝕工藝刻蝕所述透明基膜，形成依次排列的數(shù)列楔形基 膜，每列楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第 二傾殺+表面。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的雙向視角陣列基板的制造方法，其特 征在于，所述步驟12具體包括步驟1211、在制備了楔形基膜的基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃㄟ^構(gòu)圖工 藝分別在第 一傾斜表面和第二傾斜表面上形成柵電極和柵線，其中第 一傾斜 表面上的柵線和第二傾斜表面上的柵線為一體結(jié)構(gòu)；步驟1212、在完成步驟1211的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層和有源層，通過 構(gòu)圖工藝分別在第 一傾斜表面的柵電極上方形成有源層圖形，在第二傾斜表 面的柵電極上方形成有源層圖形；步驟1213、在完成步驟1212的基板上沉積一層源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝在第一傾斜表面上形成第一數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形，在第二傾斜 表面上形成第二數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖形，每個(gè)傾斜表面上的數(shù)據(jù)線與 該傾斜表面上的源電極連接,每個(gè)傾斜表面上的源電極和漏電極之間形成TFT 溝道；步驟1214、在完成步驟1213的基板上沉積一層鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在 第一傾斜表面的漏電極上方形成鈍化層過孔，在第二傾斜表面的漏電極上方 形成鈍化層過孔；步驟1215、在完成步驟1214的基板上沉積一層像素電極層，通過構(gòu)圖工 藝在第一傾斜表面上形成朝向一側(cè)上方的第一像素電極，在第二傾斜表面上 形成朝向另 一側(cè)上方的第二像素電極，每個(gè)傾斜表面上的像素電極通過該傾 斜表面上的鈍化層過孔與該傾斜表面上的漏電極連接。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的雙向視角陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟12具體包括步驟1221、在制備了楔形基膜的基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，通過構(gòu)圖工 藝在第一傾斜表面上形成柵電極和第一柵線，在第二傾斜表面上形成柵電極 和第二柵線；步驟1222、在完成步驟1221的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層和有源層，通過 構(gòu)圖工藝分別在第 一傾斜表面的柵電極上方形成有源層圖形，在第二傾斜表 面的柵電極上方形成有源層圖形；步驟1223、在完成步驟1222的基板上沉積一層源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖 工藝分別在第 一傾斜表面和第二傾斜表面上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖 形，每個(gè)傾斜表面上的數(shù)據(jù)線與該傾斜表面上的源電極連接，每個(gè)傾斜表面 上的源電極和漏電極之間形成TFT溝道，其中第一傾斜表面上的數(shù)據(jù)線和第 二傾斜表面上的數(shù)據(jù)線為一體結(jié)構(gòu)；步驟1224、在完成步驟1223的基板上沉積一層鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在 第一傾斜表面的漏電極上方形成鈍化層過孔，在第二傾斜表面的漏電極上方 形成鈍化層過孔；步驟1225、在完成步驟1224的基板上沉積一層像素電極層，通過構(gòu)圖工 藝在第一傾斜表面上形成朝向一側(cè)上方的第一像素電極，在第二傾斜表面上 形成朝向另 一側(cè)上方的第二像素電極，每個(gè)傾斜表面上的像素電極通過該傾 斜表面上的鈍化層過孔與該傾斜表面上的漏電極連接。
21. —種雙向視角彩膜基板的制造方法，包括步驟21、在基板上形成依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面；步驟22、在所述第一傾斜表面上形成向一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié) 構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成向另 一側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的雙向視角彩膜基板的制造方法，其特征在 于，所述步驟21具體包括步驟211、在基板上涂敷一層透明基膜； 步驟212、在所述透明基膜上涂敷一層光刻膠；步驟213、采用掩模板對(duì)所述光刻膠曝光，通過顯影工藝在所述透明基膜 上形成數(shù)列光刻膠圖形；步驟214、通過刻蝕工藝刻蝕所述透明基膜，形成依次排列的數(shù)列楔形基 膜，每列楔形基膜具有朝向一側(cè)上方的第一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第 二傾在+表面。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的雙向視角彩膜基板的制造方法，其特 征在于，所述步驟22具體包括步驟221、在制備了楔形基膜的基板上通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣圖形和 透明樹脂圖形；步驟222、在完成步驟221的基板上形成公共電極。
24. —種雙向視角液晶顯示裝置的制造方法，包括 制備陣列基板，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔形基膜具有朝向 一側(cè)上方的第 一傾斜表面和朝向另 一側(cè)上方的第二傾斜表 面，所述第一傾斜表面上形成有向一側(cè)上方提供第一種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)， 所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上方提供第二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；制備彩膜基板，所述彩膜基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，每列楔 形基膜具有第 一傾斜表面和第二傾斜表面，所述第 一傾斜表面上形成有向一 側(cè)上方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)，在所述第二傾斜表面上形成有向另一側(cè)上 方提供顯示畫面的彩膜結(jié)構(gòu)；將所述陣列基板和彩膜基板以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，即所述陣列基板上的第 一傾斜表面與所述彩膜基板上的第 一傾斜表面平行設(shè)置，所述陣列基板上的 第二傾斜表面與所述彩膜基板上的第二傾斜表面平行設(shè)置，在所述陣列基板 二個(gè)傾斜表面上的像素電極與所述彩膜基板二個(gè)傾斜表面上的公共電極之間 形成兩個(gè)#見角方向的電場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙向視角陣列基板、彩膜基板、液晶顯示裝置及制造方法。雙向視角液晶顯示裝置包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜表面上分別形成有向二個(gè)方向提供二種顯示畫面的像素結(jié)構(gòu)；所述彩膜基板上形成有依次排列的數(shù)列楔形基膜，楔形基膜的二個(gè)傾斜表面上分別形成有與所述陣列基板的像素結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的彩膜結(jié)構(gòu)；陣列基板上的楔形基膜和彩膜基板上的楔形基膜以錯(cuò)位對(duì)應(yīng)方式對(duì)盒，在陣列基板上的像素結(jié)構(gòu)和彩膜基板上的彩膜結(jié)構(gòu)之間形成兩個(gè)視角方向的電場(chǎng)。本發(fā)明一方面具有較高的光效率，成本低，另一方面明顯提高了圖像的分辨率和畫面品質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101556412SQ20081010350
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者張?jiān)?申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司