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      半導(dǎo)體器件、引線框以及半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):6897283閱讀:117來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:半導(dǎo)體器件、引線框以及半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件、引線框以及半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu),更特 別地,涉及一種半導(dǎo)體器件、引線框以及半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu),其使內(nèi)引 線設(shè)置間距減小,從而增加引腳的數(shù)量。
      背景技術(shù)
      隨著電子設(shè)備的性能在尺寸減小方面的改進(jìn),需要快速和高性能半導(dǎo)體 器件(例如,安裝在電子設(shè)備中的半導(dǎo)體集成電路器件)的尺寸和重量進(jìn)一 歩減小。
      例如,即使在樹(shù)脂封裝半導(dǎo)體裝置(其為半導(dǎo)體裝置的一種類型)中, 外部接線端子(引線)也需要以更高的密度設(shè)置。
      為了滿足需要,外部接線端子(引線)圍繞樹(shù)脂封裝半導(dǎo)體器件中的管 芯臺(tái)(die stage)以更高的密度設(shè)置,該管芯臺(tái)支撐半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯 片)。
      參考圖8A和圖8B,其描述了作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的實(shí)例的半導(dǎo)體器件
      600。
      圖8A示出了半導(dǎo)體器件600的引線框以及安裝在引線框上的半導(dǎo)體元 件的設(shè)置。圖8B示出了圖8A的放大的主要部分。
      在半導(dǎo)體器件600中,半導(dǎo)體元件60安裝并附著至引線框70的矩形管 芯臺(tái)72上,且管芯臺(tái)72的四個(gè)角由管芯臺(tái)桿71支撐。半導(dǎo)體元件60的電 極端子通過(guò)接合線80連接至引線框70的引線73。
      多個(gè)引線73圍繞管芯臺(tái)72設(shè)置在大致同一個(gè)平面上。通過(guò)系桿(連桿)74,每一個(gè)引線73具有稱為內(nèi)引線73A和外引線73B的部分。內(nèi)引線73A 比位于外側(cè)上的外引線73B更靠近管芯臺(tái)72 (內(nèi)側(cè))。
      這種類型的半導(dǎo)體器件可以被稱為四方扁平封裝(QFP)半導(dǎo)體器件, 其中多個(gè)引線73沿矩形管芯臺(tái)72的四個(gè)邊設(shè)置。
      多個(gè)引線73中的每一個(gè)內(nèi)引線73A通過(guò)接合線80連接至半導(dǎo)體元件 60的電極端子(例如,信號(hào)輸入/輸出端子、電源端子或接地端子)。
      在半導(dǎo)體器件600中,引線73的內(nèi)引線73A之間的間隙較窄,以使引 線73在半導(dǎo)體元件60附近以高密度(間距)設(shè)置。這增加了設(shè)置的引線73 的數(shù)量。從而,可以提高半導(dǎo)體器件600的性能。
      但是,引線73之間的窄間隙會(huì)導(dǎo)致引線形成困難,并且在半導(dǎo)體器件 運(yùn)行時(shí)在引線73之間產(chǎn)生干擾。這將產(chǎn)生串音干擾。
      為了克服這一問(wèn)題,管芯臺(tái)桿(支撐桿)通常被用作接地(地)線、電 源線和/或其它的公共端子,且圍繞半導(dǎo)體元件平行延伸(例如,參考國(guó)際公 布WO98/31051和03/105226)。
      因而,可以減少引線的數(shù)量并以適當(dāng)密度設(shè)置引線。
      但是,在這種情況下,延伸的管芯臺(tái)桿(支撐桿)不能支撐管芯臺(tái)。因 而,需要其它支撐構(gòu)件來(lái)支撐半導(dǎo)體元件。
      同時(shí),日本專利公報(bào)(JP-A) No.ll-40721公開(kāi)了一種結(jié)構(gòu),其中在多 個(gè)信號(hào)引線的頂端之間設(shè)置降噪金屬片,并將降噪金屬片嵌入到封裝的樹(shù)脂 中。
      降噪金屬片的構(gòu)件不同于引線的構(gòu)件,且金屬片通過(guò)連接導(dǎo)體或連接金 屬線連接至管芯焊盤(pán)(管芯臺(tái))。
      因而,半導(dǎo)體器件制造變得復(fù)雜,且信號(hào)線不能被充分屏蔽。
      另外,JP-A No. 2006-19767公開(kāi)一種高腳數(shù)四方無(wú)引腳扁平(QFN)封 裝的半導(dǎo)體器件制造,其中具有不同長(zhǎng)度的引線圍繞管芯焊盤(pán)(管芯臺(tái))交 替地(兩個(gè)交錯(cuò)列)設(shè)置,從而設(shè)置大量引線,且改變了線環(huán)(wire loop) 的高度,以用于連接。
      在該半導(dǎo)體器件中,與圖8所示的傳統(tǒng)器件中一樣,引線之間產(chǎn)生電干 擾,但沒(méi)有對(duì)抗該電干擾的反措施。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明克服了傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的問(wèn)題并達(dá)到了下述目的。 本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中可以減小圍繞半
      導(dǎo)體元件設(shè)置的多個(gè)引線之間的間隙,以增加引線的數(shù)量,且防止或減少了
      多個(gè)引線之間的電干擾,以使引線之間不產(chǎn)生串音干擾。
      本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種適用于該半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的引線框結(jié)構(gòu)。
      本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種對(duì)于半導(dǎo)體器件的特殊結(jié)構(gòu)也能發(fā) 揮作用的安裝結(jié)構(gòu)。
      根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)方案,半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體元件;以及多個(gè)引線, 圍繞該半導(dǎo)體元件設(shè)置;其中,所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一引線和多個(gè)第二 引線;所述多個(gè)第一引線通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件連接至該半導(dǎo)體元件的多個(gè)電極 端子;并且所述多個(gè)第二引線設(shè)置在所述多個(gè)第一引線之間,且未連接至該 半導(dǎo)體元件的電極端子。
      根據(jù)實(shí)施例的另一個(gè)方案,引線框包括管芯臺(tái),其上安裝有半導(dǎo)體元 件;以及多個(gè)引線,圍繞該管芯臺(tái)設(shè)置;其中,所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一 引線和多個(gè)第二引線;所述多個(gè)第一引線通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件連接至安裝在該 管芯臺(tái)上的該半導(dǎo)體元件的多個(gè)電極端子;并且所述多個(gè)第二引線設(shè)置在所 述多個(gè)第一引線之間,且比所述多個(gè)第一引線的頂端距離該管芯臺(tái)更遠(yuǎn),且 所述多個(gè)第二引線未連接至該半導(dǎo)體元件的電極端子。
      根據(jù)本發(fā)明,可以克服傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的問(wèn)題,使連接至半導(dǎo)體元件的 電極端子的引線頂端之間的間距變窄,且減少引線之間的串音干擾。因而, 可以提高半導(dǎo)體器件的性能特性。


      圖1A是示出本發(fā)明的第一實(shí)例(實(shí)例1)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在樹(shù)脂 封裝之前的平面圖。
      圖1B是圖1A的放大局部圖。
      圖2是示出圖1A和圖1B所示的第一實(shí)例(實(shí)例1)中的半導(dǎo)體器件結(jié) 構(gòu)的外部立體圖。圖3A是示出本發(fā)明的第二實(shí)例(實(shí)例2)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在樹(shù)脂
      封裝之前的平面圖。
      圖3B是圖3A的放大局部圖。
      圖4A是示出本發(fā)明的第三實(shí)例(實(shí)例3)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在樹(shù)脂 封裝之前的平面圖。
      圖4B是圖4A的放大局部圖。
      圖5A是示出本發(fā)明的第四實(shí)例(實(shí)例4)中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在樹(shù)脂 封裝之前的平面圖。
      圖5B是圖5A的放大局部圖。
      圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件安裝在支撐基板上的外部立體圖。 圖7是示出圖6所示的支撐基板中的導(dǎo)電圖案的放大周部平面圖。 圖8A是示出傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在樹(shù)脂封裝之前的平面圖。 圖8B是圖8A的放大局部圖。
      具體實(shí)施例方式
      通過(guò)實(shí)例詳述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件以及該半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu)。 然而,本發(fā)明的范圍和構(gòu)思不限于這些實(shí)例。
      參考圖1A、圖1B和圖2描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實(shí)例一一 半導(dǎo)體器件100。
      圖1A示出了半導(dǎo)體器件100的引線框以及安裝在該引線框上的半導(dǎo)體 元件的設(shè)置。圖1B示出了圖1A的放大的主要部分。
      在本實(shí)例中,半導(dǎo)體元件10安裝并附著至引線框20的矩形管芯臺(tái)22, 且管芯臺(tái)桿21支撐管芯臺(tái)22的四個(gè)角。半導(dǎo)體元件10的電極端子通過(guò)接 合線31連接至引線框20的引線23,且可選擇地連接至管芯臺(tái)22。
      多個(gè)引線23 (第一引線)圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置在大致同一個(gè)平面上。通 過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線23具有被稱為內(nèi)引線23A和外引線23B的 部分。內(nèi)引線23A比位于外側(cè)上的外引線23B更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。
      如圖所示,這種類型的半導(dǎo)體可以被稱為四方扁平封裝(QFP)半導(dǎo)體 器件,其中多個(gè)引線23沿矩形管芯臺(tái)22的四個(gè)邊設(shè)置。多個(gè)引線23的每個(gè)內(nèi)引線23A通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10的電極端子(例如信號(hào)輸入/輸出端子、電源端子或接地端子)。在此,在引線23之間設(shè)置長(zhǎng)度與引線23相同的引線23S(內(nèi)引線23SA), 且內(nèi)引線23SA的頂端通過(guò)接合線33連接至管芯臺(tái)22。內(nèi)引線23A和內(nèi)引線23SA的接合區(qū)域表面選擇性地鍍銀(Ag),以使 接合線31和33可以分別連接至內(nèi)引線23A和23SA。本實(shí)例中半導(dǎo)體器件100的區(qū)別特征在于在圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置在大 致同一個(gè)平面上的多個(gè)引線23 (第一引線)之間選擇性地設(shè)置引線25 (第 二引線);且引線25沒(méi)有通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10的電極端子。通過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線25還具有被稱為內(nèi)引線和外引線的 部分。內(nèi)引線比位于外側(cè)上的外引線更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。引線25的內(nèi)引線25A比引線23的內(nèi)引線23A短。因而,引線23沒(méi)有以低密度(間距)設(shè)置在管芯臺(tái)22附近,S卩,半導(dǎo) 體元件10的附近。由于引線25沒(méi)有通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10的電極端子,因 而引線25的表面沒(méi)有鍍銀(Ag)。附著并支撐在引線框20的管芯臺(tái)22上的半導(dǎo)體元件10、接合線31、 引線23和引線25的內(nèi)引線通過(guò)公知的樹(shù)脂模制由樹(shù)脂封裝。引線框20由銅(Cu)合金或42合金(鎳(Ni)含量42%的鐵(Fe)鎳 (Ni)合金)制成。接合線31的、連接至引線框20的引線23的部分預(yù)先鍍銀(Ag)。按照以下步驟制造半導(dǎo)體元件10:對(duì)半導(dǎo)體基底(例如由硅(SO或砷 化鎵(GaAs)制成)的多個(gè)主表面進(jìn)行晶片處理;以及形成有源區(qū)(電路形 成區(qū))。有源區(qū)包括有源元件(例如晶體管)、無(wú)源元件(例如電容元件) 以及連接這些功能元件的互連層。連接至互連層的電極端子設(shè)置在半導(dǎo)體基 體的一個(gè)主表面上。接合線31是含有金(Au)、銅(Cu)和鋁(Al)或這些材料中的任一 種的薄合金線。而且,使用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝。在樹(shù)脂封裝之后,引線的外引線和管芯臺(tái)桿21從引線框20切斷,去除引線之間的系桿(連桿)24,且使引線成形。因而,形成如圖2所示的半導(dǎo)
      體器件100。
      注意,在圖2中部分去除封裝樹(shù)脂40,以示出半導(dǎo)體器件100中的引線 23和25等的設(shè)置。
      特別地,圖2示出了引線23和25的上表面從管芯臺(tái)22上安裝有半導(dǎo) 體元件10的同一側(cè)露出。
      如圖2所示,引線25未連接至半導(dǎo)體器件100中的半導(dǎo)體元件10的電 極端子。引線25可以獨(dú)立地連接至外部電極端子。
      因而,當(dāng)半導(dǎo)體器件100安裝在插入電子設(shè)備等中的互連板時(shí),可以通 過(guò)插座(socket)或互連板的電極端子為引線25提供參考電勢(shì)(例如,接地 電勢(shì))。
      特別地,當(dāng)參考電勢(shì)(例如,接地電勢(shì))施加至具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體 器件100中的引線25時(shí),可以電屏蔽引線25兩側(cè)的引線23。因而,可以防 止或減小引線23之間的串音干擾。
      如前所述,本實(shí)例中使用的引線框20包括管芯臺(tái)22和多個(gè)引線。半導(dǎo) 體元件10安裝在管芯臺(tái)22上,且多個(gè)引線圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置。多個(gè)引線 由多個(gè)引線23 (第一引線)和多個(gè)引線25 (第二引線)構(gòu)成。多個(gè)引線23 通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件(例如,接合線31)連接至安裝在管芯臺(tái)22上的半導(dǎo)體 元件10的多個(gè)電極端子。引線25選擇性地設(shè)置在多個(gè)引線23之間,且沒(méi) 有通過(guò)連接構(gòu)件連接至半導(dǎo)體元件10的電極端子。
      特別地,引線23和引線25在引線框20中同時(shí)形成。因而,通過(guò)引線 框20,可以在不增加制造成本的情況下,采用傳統(tǒng)的樹(shù)脂封裝半導(dǎo)體器件制 造來(lái)有效地制造半導(dǎo)體器件100。 (實(shí)例2)
      參考圖3A和圖3B描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實(shí)例——半導(dǎo)體 器件200。
      圖3A示出了半導(dǎo)體器件200的引線框,以及安裝在該引線框上的半導(dǎo) 體元件的設(shè)置。圖3B示出了圖3A的放大的主要部分。
      注意,使用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1A、圖1B和圖2中示出的半導(dǎo)體 器件100的部件相對(duì)應(yīng)的部件。類似于第一實(shí)例,半導(dǎo)體元件10安裝并附著至引線框20的矩形管芯臺(tái)22,且管芯臺(tái)桿21支撐管芯臺(tái)22的四個(gè)角。半導(dǎo)體元件10的電極端子通 過(guò)接合線31連接至引線框20的引線23,且可選擇地連接至管芯臺(tái)22。多個(gè)引線23 (第一引線)圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置在大致同一個(gè)平面上。通 過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線23具有稱為內(nèi)引線23A和外引線23B的部 分。內(nèi)引線23A比位于外側(cè)上的外引線23B更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。多個(gè)引線23的每一個(gè)內(nèi)引線23A通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10 的電極端子(例如信號(hào)輸入/輸出端子、電源端子或接地端子)。類似于第一實(shí)例,引線25 (第二引線)選擇性地設(shè)在設(shè)置于大致同一個(gè) 平面上的多個(gè)引線23之間,且引線25未連接至半導(dǎo)體元件10的電極端子。通過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線25還包括稱為內(nèi)引線和外引線的部 分。內(nèi)引線比位于外側(cè)上的外引線更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。本實(shí)例中的半導(dǎo)體器件200的區(qū)別特征在于與管芯臺(tái)桿21相鄰的引 線26與管芯臺(tái)桿21合并。因而,在形成半導(dǎo)體器件之后,與引線25 —樣,當(dāng)參考電勢(shì)(例如, 接地電視)施加至引線26時(shí),管芯臺(tái)桿25兩側(cè)的引線23被電屏蔽。因而, 可以防止或減小引線23之間的串音干擾。而且,由于設(shè)置了引線26,因而不需要設(shè)置第一實(shí)例的引線23S (內(nèi)引 線23SA)。從而,可以更容易地設(shè)置引線23。 (實(shí)例3 )參考圖4A和圖4B描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實(shí)例——半導(dǎo)體 器件300。圖4A示出半導(dǎo)體器件300的引線框和安裝在該引線框上的半導(dǎo)體元件 的設(shè)置。圖4B示出了圖4A的放大的主要部分。注意,使用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1A、圖1B、圖2、圖3A和圖3B 中示出的半導(dǎo)體器件100或200的部件相對(duì)應(yīng)的部件。類似于第一和第二實(shí)例,半導(dǎo)體元件10安裝并附著至引線框20的矩形 管芯臺(tái)22,且管芯臺(tái)桿21支撐管芯臺(tái)22的四個(gè)角。半導(dǎo)體元件10的電極 端子通過(guò)接合線31連接至引線框20的引線23,且可選擇地連接至管芯臺(tái) 22。多個(gè)引線23 (第一引線)圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置在大致同一個(gè)平面上。通 過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線23具有稱為內(nèi)引線23A和外引線23B的部 分。內(nèi)引線23A比位于外側(cè)上的外引線23B更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。多個(gè)引線23的每一個(gè)內(nèi)引線23A通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10 的電極端子(例如信號(hào)輸入/輸出端子、電源端子或接地端子)。類似于第一和第二實(shí)例,引線25 (第二引線)選擇性地設(shè)在設(shè)置于大致 同一個(gè)平面上的多個(gè)引線23之間,且引線25未連接至半導(dǎo)體元件10的電 極端子。通過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線25還包括稱為內(nèi)引線和外引線的部 分。內(nèi)引線比位于外側(cè)上的外引線更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。本實(shí)例中的半導(dǎo)體器件300的區(qū)別特征在于連接構(gòu)件、接合線35與 選擇性地設(shè)置在引線23之間的引線25互連。特別地,引線25的內(nèi)引線25A的、與半導(dǎo)體元件10相鄰的頂端25AA 連接至接合線35的一端。接合線35的另一端在相鄰的引線23的上方連接 至另-一引線25的頂端25AA。在本實(shí)例中,由于頂端25AA連接至接合線35,因而引線25的頂端25AA 的表面鍍銀(Ag)。接合線35與多個(gè)引線25的頂端25AA互連,以使引線25沿引線23以 最大長(zhǎng)度存在,且使引線25的屏蔽效果變得更強(qiáng)。如果接合線35在更靠近外引線的部分而不是引線25的頂端25AA與引 線25互連,則引線23的端部相對(duì)于半導(dǎo)體元件IO是自由的。因而,引線 25的屏蔽效果下降。注意,除了引線25的頂端25AA以外的,可選擇在引線25的其它部分 (例如更靠近外引線的部分)上設(shè)置接合線35。即,可選擇讓引線25上的 多個(gè)接合線35對(duì)準(zhǔn)(圖中未示出)。在半導(dǎo)體元件10的多個(gè)電極端子通過(guò)接合線31連接至相應(yīng)的引線23 之前/之后,接合線35可以連接至引線25的頂端25AA。這些步驟可以在需 要時(shí)交替執(zhí)行。注意,圖4A和圖4B示出了鄰近管芯臺(tái)桿21的引線26與管芯臺(tái)桿21 合并,如第二實(shí)例中所示。除了引線25的互連以外,管芯臺(tái)桿21兩側(cè)的引線23通過(guò)上述結(jié)構(gòu)更 有效地被電屏蔽。因而,可以防止或減小引線23之間的串音干擾。
      而且,由于設(shè)置了引線26,因而不必設(shè)置第一實(shí)例的引線23S (內(nèi)引線 23SA)。因而,可以更容易地設(shè)置引線23。 (實(shí)例4)
      參考圖5A和圖5B描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第四實(shí)例——半導(dǎo)體 器件400。
      圖5A示出了半導(dǎo)體器件400的引線框和安裝在該引線框上的半導(dǎo)體元 件的設(shè)置。圖5B示出了圖5A的放大的主要部分。
      注意,使用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1A、圖1B、圖2、圖3A、圖3B、 圖4A和圖4B中示出的半導(dǎo)體器件100、 200和300的部件相對(duì)應(yīng)的部件。
      類似于第一至第三實(shí)例,半導(dǎo)體元件10安裝并附著至引線框20的矩形 管芯臺(tái)22,且管芯臺(tái)桿21支撐管芯臺(tái)22的四個(gè)角。半導(dǎo)體元件10的電極 端子通過(guò)接合線31連接至引線框20的引線23,且可選擇地連接至管芯臺(tái) 22。
      多個(gè)引線23 (第一引線)圍繞管芯臺(tái)22設(shè)置在大致同一個(gè)平面上。通 過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線23具有稱為內(nèi)引線23A和外引線23B的部 分。內(nèi)引線23A比位于外側(cè)上的外引線23B更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。
      多個(gè)引線23的每一個(gè)內(nèi)引線23A通過(guò)接合線31連接至半導(dǎo)體元件10 的電極端子(例如信號(hào)輸入/輸出端子、電源端子或接地端子)。
      類似于第一到第三實(shí)例,引線25 (第二引線)選擇性地設(shè)在設(shè)置于大致 同一個(gè)平面上的多個(gè)引線23之間,且引線25未連接至半導(dǎo)體元件10的電 極端子。
      通過(guò)系桿(連桿)24,每一個(gè)引線25還包括稱為內(nèi)引線和外引線的部 分。內(nèi)引線比位于外側(cè)上的外引線更靠近管芯臺(tái)22 (內(nèi)側(cè))。
      本實(shí)例中的半導(dǎo)體器件400的區(qū)別特征在于引線25選擇性地設(shè)置在 多個(gè)引線23之間并在多個(gè)引線23之間延伸,且引線25的頂端25AW和引 線23的頂端23AA以大約相同的距離與管芯臺(tái)22或半導(dǎo)體元件10相鄰設(shè) 置。
      由于引線25未連接至連接線31,因而引線25的頂端25AW小于(窄于)
      12引線23的頂端23AA。特別地,引線25的頂端25AW的寬度等于或小于引 線23的頂端23AA的寬度的80% 。由于至少引線25的頂端25AW很小,因而沒(méi)有顯著減小引線23的頂端 23AA的設(shè)置密度。由于引線25設(shè)置在引線23的頂端附近且延伸至引線23的頂端附近, 因而引線25沿著引線23的幾乎全部長(zhǎng)度存在,引線23位于引線25的兩側(cè)。 因而,可以更有效地發(fā)揮引線25的屏蔽效果。注意,圖5A和圖5B示出鄰近管芯臺(tái)桿21的引線26與管芯臺(tái)桿21合 并,如第二實(shí)例中所示。除了延伸的引線25的設(shè)置以外,管芯臺(tái)桿21兩側(cè)的引線23通過(guò)上述 結(jié)構(gòu)更有效地被電屏蔽。因而,可以防止或減小引線23之間的串音干擾。而且,由于設(shè)置了引線26,因而不必設(shè)置第一實(shí)例的引線23S (內(nèi)引線 23SA)。因而,可以更容易地設(shè)置引線23。 (實(shí)例5 )在實(shí)例5中描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu)。在此,使用第一實(shí)例的半導(dǎo)體器件100。該實(shí)例基于半導(dǎo)體器件100安置或安裝在諸如電路板之類的支撐基板上的結(jié)構(gòu)。照例,半導(dǎo)體器件200、300或400可以以與半導(dǎo)體器件100相同的方式安裝。圖6示出了安裝在諸如電路板之類的支撐基板50上的半導(dǎo)體器件100。 類似于圖2,圖6中半導(dǎo)體器件100的封裝樹(shù)脂40被部分移除。特別地,圖6示出了引線23 (第一引線)和引線25 (第二引線)的上表面從管芯臺(tái)22上安裝有半導(dǎo)體元件10的同一側(cè)露出。半導(dǎo)體器件100通過(guò)將引線23的外引線23B和引線25的外引線25B連接并附著至支撐基板50的一個(gè)主表面上的相應(yīng)端子51而安裝在支撐基板50上。支撐基板50是由有機(jī)絕緣樹(shù)脂(例如玻璃環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃雙馬來(lái)酰亞 胺三嗪(BT)或聚酰亞胺)或絕緣無(wú)機(jī)材料(例如陶瓷或玻璃)制成的絕緣 基底。在支撐基板50的正面和/或背面上以及可選地在其內(nèi)側(cè)(內(nèi)層)上設(shè)置導(dǎo)電層。導(dǎo)電層主要由銅(Cu)構(gòu)成。導(dǎo)電層的表面受到兩層電鍍,以使鎳(Ni)和金(Au)層從下層按照這種順序形成在表面上。
      支撐基板50可以被稱為互連板、電路板或內(nèi)插板。
      端子51連接至設(shè)置于支撐基板50的一個(gè)主表面(正面)、另一個(gè)主表 面(背面)或支撐基板50內(nèi)側(cè)上的導(dǎo)電圖案。
      在半導(dǎo)體器件100安裝在支撐基板50上之前,預(yù)焊接半導(dǎo)體器件100 的外引線和支撐基板50的端子51。當(dāng)外引線和端子51接觸時(shí),焊料再次熔 化(重熔),以使它們可以彼此連接。
      在該安裝結(jié)構(gòu)中,連接至半導(dǎo)體器件100中的引線23和25的多個(gè)端子 51選擇性地連接至導(dǎo)電圖案52S、導(dǎo)電圖案52B、導(dǎo)電圖案52G等。導(dǎo)電圖 案52S、 52B和52G分別連接至信號(hào)電勢(shì)、電源電勢(shì)和地電勢(shì)。
      特別地,連接至半導(dǎo)體器件100中的信號(hào)輸入/輸出端子的引線23連接 至導(dǎo)電圖案52S。連接至半導(dǎo)體器件100中的電源端子的引線23連接至導(dǎo)電 圖案52B。連接至半導(dǎo)體器件100中的接地端子的引線23連接至導(dǎo)電圖案 52G。
      同時(shí),引線25連接至與地電勢(shì)連接的導(dǎo)電圖案52G。
      如前所述,引線25連接至參考電勢(shì)(例如地電勢(shì)),以使設(shè)置在引線
      25兩側(cè)的引線23可以被屏蔽。因而,可以提高半導(dǎo)體器件的性能特性。
      由于現(xiàn)今對(duì)電子設(shè)備性能要求高,因而更多數(shù)量的半導(dǎo)體器件結(jié)合有多
      個(gè)功能電路。
      在這種情況下,多個(gè)功能電路需要與信號(hào)電路分隔開(kāi),且可以需要不同 的工作電壓。
      為了從外部施加不同的工作電壓,多個(gè)功能電路通過(guò)不同的電路圖案連
      接至支撐基板上的相應(yīng)電源電路。
      通過(guò)不同的導(dǎo)電圖案將參考電勢(shì)提供至不同的功能電路。
      對(duì)于圖6中示出的半導(dǎo)體器件100,不同的參考電勢(shì)提供至多個(gè)結(jié)合的
      功能電路。
      特別地,設(shè)置在引線23a至23d之間的引線25a至25c通常連接至第一 導(dǎo)電圖案52G1,且還通過(guò)第一導(dǎo)電圖案52G1連接至第一參考電勢(shì)。
      而且,設(shè)置在引線23e至23g之間的引線25d至25e通常連接至設(shè)置于 半導(dǎo)體器件100下方的導(dǎo)電圖案52Gs,且還通過(guò)第二導(dǎo)電圖案52G2連接至第二參考電勢(shì)。另外,設(shè)置在引線23h至23j之間的引線25f至25g通常連接至第三導(dǎo)電圖案52G3,且還通過(guò)第三導(dǎo)電圖案52G3連接至第三參考電勢(shì)。如上所述,引線25連接至參考電勢(shì)(例如,地電勢(shì)),且設(shè)置在引線23之間,以使半導(dǎo)體器件100中的多個(gè)功能電路可以在引線之間不產(chǎn)生串音干擾的情況下,獨(dú)立地執(zhí)行它們自己必需的操作。同時(shí),在需要時(shí),第一至第三參考電勢(shì)可以在支撐基板50上互連。 注意,圖6沒(méi)有示出如圖3所示的管芯臺(tái)桿21通過(guò)引線26連接至參考電勢(shì)等。但是,該結(jié)構(gòu)可以可選擇地使用。圖7示出了設(shè)置在支撐基板50上的導(dǎo)電圖案52Gs以及導(dǎo)電圖案52G2。 特別地,導(dǎo)電圖案52Gs設(shè)置在半導(dǎo)體器件100下方的支撐基板50上,且與連接至引線25的端子51互連。例如,可以設(shè)置U形或C形導(dǎo)電圖案52Gs。導(dǎo)電圖案52Gs不僅可以形成為在支撐基板50的表面上形成的導(dǎo)電層, 還可以形成為內(nèi)導(dǎo)電層。在上述本發(fā)明的實(shí)施例中, 一個(gè)半導(dǎo)體元件安裝在引線框的管芯臺(tái)上。 但是,本發(fā)明的范圍和構(gòu)思不限于該結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的范圍和構(gòu)思可以應(yīng)用到多個(gè)半導(dǎo)體元件層疊在一個(gè)管芯臺(tái)上, 或者多個(gè)半導(dǎo)體元件設(shè)置和安裝在大的管芯臺(tái)或者多個(gè)連續(xù)設(shè)置的管芯臺(tái) 上。通過(guò)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件、引線框和半導(dǎo)體器件的安裝結(jié)構(gòu), 安裝在電子設(shè)備中的樹(shù)脂封裝半導(dǎo)體器件可以獲得更快更高的性能,且可以 減小尺寸和重量。
      權(quán)利要求
      1. 一種半導(dǎo)體器件,包括 半導(dǎo)體元件;以及多個(gè)引線,圍繞該半導(dǎo)體元件設(shè)置,其中,所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一引線和多個(gè)第二引線; 所述多個(gè)第一引線通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件連接至該半導(dǎo)體元件的多個(gè)電極 端子;并且所述多個(gè)第二引線設(shè)置在所述多個(gè)第一引線之間,且未連接至該半導(dǎo)體 元件的多個(gè)電極端子。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述多個(gè)第一引線和所 述多個(gè)第二引線由多個(gè)相同的構(gòu)件形成。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,.所述多個(gè)第二引線的頂 端設(shè)置為比所述多個(gè)第一引線的頂端距離該半導(dǎo)體元件更遠(yuǎn)。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述多個(gè)第二引線的頂 端通過(guò)設(shè)置在所述多個(gè)第一引線上方的多個(gè)連接構(gòu)件互連。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述多個(gè)第一引線的頂端位于該半導(dǎo)體元件附近,且所述多個(gè)第 二引線的頂端位于該半導(dǎo)體元件附近;并且所述多個(gè)第二引線的頂端比所述多個(gè)第一引線的頂端窄。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,所述多個(gè)第二引線連接 至支撐管芯臺(tái)的管芯臺(tái)桿,該半導(dǎo)體元件安裝在該管芯臺(tái)上。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中,施加至所述多個(gè)第二引 線的電勢(shì)為參考電勢(shì)。
      8. —種引線框,包括管芯臺(tái),其上安裝有半導(dǎo)體元件;以及 多個(gè)引線,圍繞該管芯臺(tái)設(shè)置;其中,所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一引線和多個(gè)第二引線; 所述多個(gè)第一引線通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件連接至安裝在該管芯臺(tái)上的該半 導(dǎo)體元件的多個(gè)電極端子;并且 '所述多個(gè)第二引線設(shè)置在所述多個(gè)第一引線之間,且比所述多個(gè)第一引 線的頂端距離該管芯臺(tái)更遠(yuǎn),且所述多個(gè)第二引線未連接至該半導(dǎo)體元件的 多個(gè)電極端子。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線框,其中,支撐該管芯臺(tái)的管芯臺(tái)桿連接至所述多個(gè)第二引線。
      10. —種引線框,包括管芯臺(tái),其上安裝有半導(dǎo)體元件;以及 多個(gè)引線,圍繞該管芯臺(tái)設(shè)置;其中,所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一引線和多個(gè)第二引線; 所述多個(gè)第一引線的頂端位于該管芯臺(tái)附近;且所述多個(gè)第二引線的頂端位于該管芯臺(tái)附近,且比所述多個(gè)第一引線的頂端窄。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中,圍繞半導(dǎo)體元件設(shè)置的多個(gè)引線之間的間隔可以變窄,從而增加引線的數(shù)量,并且防止或減小引線之間的電干擾,從而在引線之間不產(chǎn)生串音干擾。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體元件以及圍繞該半導(dǎo)體元件設(shè)置的多個(gè)引線。所述多個(gè)引線包括多個(gè)第一引線和多個(gè)第二引線。所述多個(gè)第一引線通過(guò)多個(gè)連接構(gòu)件連接至該半導(dǎo)體元件的多個(gè)電極端子。所述多個(gè)第二引線設(shè)置在所述多個(gè)第一引線之間,且未連接至該半導(dǎo)體元件的電極端子。
      文檔編號(hào)H01L23/495GK101312176SQ20081010914
      公開(kāi)日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2008年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月25日
      發(fā)明者百合野孝弘 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社
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