專利名稱：半導(dǎo)體裝置及便攜式設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤其涉及層積有多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo) 體裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備所使用的半導(dǎo)體裝置的小型化/高功能化的 封裝技術(shù)，已知有通過層積多個(gè)半導(dǎo)體元件(例如，半導(dǎo)體芯片)的混合 搭載的多層堆棧結(jié)構(gòu)(多芯片封裝結(jié)構(gòu))。
圖4是表示專利文獻(xiàn)1所述堆棧結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖。在 該半導(dǎo)體裝置內(nèi)，通過芯片焊接件1112,使相對(duì)面積較大的第一半導(dǎo)體芯 片1110固定于布線基板(插件)1140上，并通過芯片焊接件1122，以不千 擾第一半導(dǎo)體芯片1110的電極焊盤1113的方式使第二半導(dǎo)體芯片1120固 定于第一半導(dǎo)體芯片lllO上。
形成于第一半導(dǎo)體芯片1110上面的電極焊盤1113通過由金線等構(gòu)成 的接合線1114與形成于布線基板1140的焊盤電極1143電連接。然后，第 二半導(dǎo)體芯片1120上面的焊盤電極1123通過接合線1124與焊盤電極1143 電連接。
利用密封樹脂層1150密封層積于布線基板1140上的第一半導(dǎo)體芯片 1110和第二半導(dǎo)體芯片1120。然后，在布線基板1140的半導(dǎo)體芯片搭載面 的背面(下面)形成與焊盤電極1143電連接的外部連接端子]45。
上述堆棧結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置在安裝于印刷布線基板等而使用時(shí)，與平 面配置有多個(gè)半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)的情況相比，由于可縮小平面方 向的安裝面積，所以可適應(yīng)于電子設(shè)備的小型化/高集成化的要求。
但是，在為了謀求該小型化/高集成化而采用堆棧結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中， 尤其是在組裝有具有耗電量大的電路區(qū)域(發(fā)熱的電路區(qū)域)的半導(dǎo)體元 件時(shí)，若在該電路區(qū)域的溫度急劇上升時(shí)不能充分向外部散熱，則成為誤 動(dòng)作的原因，而存在被破壞的擔(dān)憂。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述狀況作出的，其目的在于提供一種技術(shù)，該技術(shù)可 提高具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的散熱性，并提高其可靠性。為了解決上述問題，本發(fā)明一方式的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具備第一半導(dǎo)體元件和具有層積于第一半導(dǎo)體元件上、從第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的突出部的第二半導(dǎo)體元件，第二半導(dǎo)體元件在其上面具有第一電 路區(qū)域和相比該第 一電路區(qū)域更容易在高溫下發(fā)熱的第二電路區(qū)域，該第 二電路區(qū)域配置成含有突出部。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件配置于基 板上，并且通過形成于該基板上的樹脂層密封，樹脂層形成為第二半導(dǎo)體 元件的含有第二電路區(qū)域的端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的樹脂層的側(cè)壁面之間 的間隔比其他端部與相應(yīng)的樹脂層側(cè)壁面之間的間隔短。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，在連接包含于第一電路區(qū)域的電極部和設(shè)置 于基板的端子的第 一布線中流動(dòng)的電流量比在連接包含于第二電路區(qū)域的 電極部和設(shè)置于基板的端子的第二布線中流動(dòng)的電流量小。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，連接有第二布線的基板端子設(shè)置在與包含第 二電路區(qū)域的端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的樹脂層的側(cè)壁面之間的區(qū)域不同的 區(qū)域。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，樹脂層形成為端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的樹脂 層的側(cè)壁面的間隔比第二半導(dǎo)體元件的上面和樹脂層上面的間隔短。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，第二半導(dǎo)體元件以第二半導(dǎo)體元件的多條邊 從第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積于第一半導(dǎo)體元件上。更優(yōu)選為， 第二半導(dǎo)體元件以第二半導(dǎo)體元件的四條邊從第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積于第一半導(dǎo)體元件上。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，第一半導(dǎo)體元件在與層積有第二半導(dǎo)體元件 的側(cè)面相反側(cè)的面上，形成與基板連接的多個(gè)突起電極端子。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，第二電路區(qū)域含有電極部，電極部配置于第 一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件重疊的區(qū)域。在上述結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，第二電路區(qū)域含有電極部，電極部配置于突 出部。本發(fā)明的其他方式是便攜式設(shè)備。該便攜式設(shè)備可以搭載上述任一半 導(dǎo)體裝置。


圖1是本實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖；圖2是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖3 (A) ~ (C)是用于說明本實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的 半導(dǎo)體裝置的制造過程的概略剖面圖；圖4是表示現(xiàn)有的堆棧結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖；圖5是第二實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖；圖6是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖7是第三實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖；圖8是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖9是第四實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖；圖IO是第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖； 圖11是表示第五實(shí)施方式的手機(jī)的結(jié)構(gòu)圖； 圖12是圖11示出的手機(jī)的部分剖面圖。附圖標(biāo)記說明10 第一半導(dǎo)體元件 12 粘接層13 焊盤電極 14 接合線 20 第二半導(dǎo)體元件20a第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件重疊的區(qū)域20b 突出部 21 a 第一才莫擬單元21b 第二模擬單元 22 粘接層23a、 23b 焊盤電極 24a 、 24b 4妻合線40 布線基;f反 43 焊盤電^L45 外部連接端子(焊球) 50 密封樹脂層具體實(shí)施方式
參照最佳實(shí)施方式來描述本發(fā)明。這并不限制本發(fā)明的范圍，而是舉 例說明本發(fā)明。下面，根據(jù)

體現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在全部的附圖中， 相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同符號(hào)，適當(dāng)省略說明。 (第一實(shí)施方式)圖1是第一實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖 面圖，圖2是該半導(dǎo)體裝置的平面圖(俯視圖)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備布線基板40;安裝在布線基板40上的 第一半導(dǎo)體元件10;層積于第一半導(dǎo)體元件IO上，突出部20b從第一半導(dǎo) 體元件10的外緣突出的第二半導(dǎo)體元件20;密封各半導(dǎo)體元件的密封樹脂 層50。而且，第二半導(dǎo)體元件20在其上面具有第一模擬單元21a和相比該 第一模擬單元21 a更容易在高溫下發(fā)熱的第二模擬單元21b,該第二模擬單 元21b配置成含有第二半導(dǎo)體元件20的突出部20b。另外，第一模擬單元 21a和第二模擬單元21b不限于在第二半導(dǎo)體元件20的上面，也可以在下 面或周邊端部。布線基板40采用交互地形成多個(gè)布線層和絕緣層的多層布線構(gòu)造的基 底基板。在布線基板40的上面(半導(dǎo)體元件搭載面)，形成由銅(Cu)、鎳(Ni)、及金(Au)構(gòu)成的多個(gè)焊盤電極43,在布線基板40的下面(與半 導(dǎo)體元件搭載面相反側(cè)的面)，形成經(jīng)由內(nèi)部布線層(未圖示)與焊盤電極 43電連接的外部連接端子(焊球)45。第一半導(dǎo)體元件IO例如是在P型硅基板等半導(dǎo)體基板上面(表面)形 成數(shù)字型電路(未圖示)的半導(dǎo)體元件，經(jīng)由芯片粘接膜(夕'V—,夕7千 7 少厶)等粘接層12安裝于布線基板40上的規(guī)定區(qū)域。在此，數(shù)字型 電路是將數(shù)字值的信號(hào)作為數(shù)據(jù)使用的電路的總稱，在數(shù)字型電路中，例 如含有由各種邏輯電路構(gòu)成的運(yùn)算電路、CPU、存儲(chǔ)器、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC )電路、數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(DAC )電路、數(shù)字濾波器電路、鎖相(PLL ) 電路等。另外，在第一半導(dǎo)體元件10的外緣部(除搭載第二半導(dǎo)體元件20 的邊之外的外緣部)，配置有與數(shù)字型電路電連接的、用于與半導(dǎo)體元件外部進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的多個(gè)焊盤電極13。該焊盤電極13通過金等接合線14與 布線基板40上面的焊盤電極43電連接。第二半導(dǎo)體元件20例如是在P型硅基板等半導(dǎo)體基板上面(表面)形 成含有第一模擬單元21a和第二模擬單元21b的模擬型電路的半導(dǎo)體元件， 以其一部分從第一半導(dǎo)體元件IO的外緣突出的狀態(tài)，經(jīng)由芯片粘接膜等粘 接層22安裝于第一半導(dǎo)體元件IO上。即，安裝后的第二半導(dǎo)體元件20具 有與第一半導(dǎo)體元件10重疊的區(qū)域(從上面看，兩者重疊的共同區(qū)域)20a 和從第一半導(dǎo)體元件10的外緣突出的突出部20b。另外，模擬型電路的第 二模擬單元21b是相比第一模擬單元21a更容易在高溫下發(fā)熱的電路區(qū)域， 且是在電路動(dòng)作時(shí)，相比第一模擬單元21a而成為高溫的區(qū)域。因此，如圖 2所示配置第 一模擬單元21 a及第二模擬單元21 b，尤其使第二模擬單元21 b 配置成含有第二半導(dǎo)體元件20的突出部20b。在各單元內(nèi)分別配置有多個(gè)用于與半導(dǎo)體元件外部進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的焊 盤電極23a及焊盤電極23b。在此，沿第二半導(dǎo)體元件20的外緣部配置有 焊盤電極23a，在第一半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20重疊的區(qū)域2()a 內(nèi)，沿第一半導(dǎo)體元件10的外緣配置有焊盤電極23b。這樣，由于第一半 導(dǎo)體元件10支承與第二模擬單元21b的焊盤電極23b導(dǎo)線接合時(shí)由接合工 具產(chǎn)生的壓力，所以與沿突出部20b的外緣設(shè)置焊盤電極23b的情況相比， 可減輕對(duì)含有第二模擬單元21b的端部的損壞。各單元內(nèi)的焊盤電極23a及焊盤電極23b通過金等接合線24a及接合 線24b，與布線基板40上面的焊盤電極43電連接。另外，模擬型電路是將模擬值信號(hào)作為數(shù)據(jù)使用的電路的總稱，在模 擬型電路中，例如包含激勵(lì)放大器電路(生成馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電流的輸出電路) 或發(fā)送信號(hào)系統(tǒng)高輸出放大電路、輸出控制邏輯電路、模擬濾波器電路、 預(yù)激勵(lì)電路(小信號(hào)放大電路)、保護(hù)電路等。其中作為第二模擬單元21b 例舉激勵(lì)放大器電路或發(fā)送信號(hào)系統(tǒng)高輸出放大電路。密封樹脂層50形成為覆蓋布線基板40上的整個(gè)面，密封第一半導(dǎo)體 元件10及第二半導(dǎo)體元件20。密封樹脂層50的材料例如是環(huán)氧樹脂等熱 固性絕緣性樹脂。該密封樹脂層50具有保護(hù)各半導(dǎo)體元件不受外部環(huán)境侵 害的功能。在此，密封樹脂層50如圖2所示，制作成第二半導(dǎo)體元件20 的含有第二模擬單元21b的元件端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之間的間隔Ll比其他元件端部與相應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之 間的間隔L2 L4短。另外，也可以在密封樹脂層50中添加用于提高熱傳 導(dǎo)性的填料。另外，第一半導(dǎo)體元件IO作為本發(fā)明的"第一半導(dǎo)體元件"的一例、 第一模擬單元21a作為本發(fā)明的"第一電路區(qū)域"的一例、第二模擬單元 21b作為本發(fā)明的"第二電路區(qū)域"的一例、第二半導(dǎo)體元件20作為本發(fā) 明的"第二半導(dǎo)體元件"的一例、突出部20b作為本發(fā)明的"突出部"的 一例、密封樹脂層50作為本發(fā)明的"樹脂層"的一例及焊盤電極23b作為 本發(fā)明的"電極部"的一例。下面，說明從第一半導(dǎo)體元件0的外緣突出并層積的第二半導(dǎo)體元件 20中的突出部20b的^:熱效果。在圖4示出的現(xiàn)有的堆棧構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置中，由于動(dòng)作時(shí)從第二半 導(dǎo)體元件(第二半導(dǎo)體芯片1120)產(chǎn)生的熱量受到位于下層側(cè)的第一半導(dǎo) 體元件(第一半導(dǎo)體芯片1110)產(chǎn)生的熱量的影響而使兩者間的溫度差變 小，難以散熱至下層側(cè)，所以主要通過向設(shè)置于第二半導(dǎo)體元件上側(cè)和側(cè) 面的密封樹脂層(密封樹脂層1150)的熱傳導(dǎo)來散熱。另外，根據(jù)第一半 導(dǎo)體元件的發(fā)熱量的不同，位于正上方的第二半導(dǎo)體元件^U亥熱量加熱， 而使從第二半導(dǎo)體元件的散熱變得不充分。另一方面，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，由于第二半導(dǎo)體元件20的 突出部20b的下側(cè)不存在第一半導(dǎo)體元件0，所以動(dòng)作時(shí)從第二半導(dǎo)體元 件20產(chǎn)生的熱量通過向設(shè)置于上側(cè)、側(cè)面、及下側(cè)的密封樹脂層50的熱 傳導(dǎo)來散熱。并且，由于突出部20b與其他重疊區(qū)域20a相比，從第一半導(dǎo) 體元件10離開一定距離，所以動(dòng)作時(shí)第一半導(dǎo)體元件10產(chǎn)生的熱量的影 響也相對(duì)變小。因此，突出部20b可更有效地將從第二半導(dǎo)體元件20產(chǎn)生 的熱量散熱。(制造方法)圖3是用于說明第一實(shí)施方式的具有層積半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的 制造工序的一既略剖面圖。 '首先，如圖3(A)所示，準(zhǔn)備布線基板40，該布線基板40具有利用 眾所周知的技術(shù)交互地形成多個(gè)布線層和絕緣層的多層布線構(gòu)造(未圖 示)，在其上面(半導(dǎo)體元件搭載面)形成由銅、鎳、及金構(gòu)成的多個(gè)焊盤電極43。然后，準(zhǔn)備同樣地使用眾所周知的技術(shù)在P型硅基板等半導(dǎo)體基 板的上面形成數(shù)字型電路(未圖示)及配置于其外周部的焊盤電極13的第 一半導(dǎo)體元件10，將該第一半導(dǎo)體元件10經(jīng)由芯片粘接膜等粘接層12安 裝于布線基板40上的規(guī)定區(qū)域。如圖3(B)所示，準(zhǔn)備利用眾所周知的技術(shù)在P型硅基板等半導(dǎo)體基 板的上面形成含有第一模擬單元21 a和第二模擬單元(相比第一模擬單元 21a更容易在高溫下發(fā)熱的電路區(qū)域)21b的模擬型電路及配置于各單元內(nèi) 規(guī)定位置的焊盤電極23a及焊盤電極23b的第二半導(dǎo)體元件20，將該第二 半導(dǎo)體元件20經(jīng)由芯片粘接膜等粘接層22安裝于第一半導(dǎo)體元件10上。 此時(shí)，第二半導(dǎo)體元件20的一部分(第二^^莫擬單元21b的全部或一部分) 從第一半導(dǎo)體元件10的外緣突出地層積。由此，第二半導(dǎo)體元件20被分 成與第 一半導(dǎo)體元件10重疊的區(qū)域20a和從第 一半導(dǎo)體元件10的外緣突出 的突出部20b,以含有該突出部20b的方式配置第二模擬單元21b。另外， 第二模擬單元21 b的焊盤電極23b形成于兩者重疊的區(qū)域20a內(nèi)的規(guī)定位置 (沿第一半導(dǎo)體元件10外緣部的位置)。如圖3 (C)所示，通過金等接合線14將第一半導(dǎo)體元件IO的焊盤電 極13和與其對(duì)應(yīng)地設(shè)置于布線基板40上面的焊盤電極43之間電連接。然 后，分別通過金等接合線24a及接合線24b將第二半導(dǎo)體元件20中的第一 模擬單元21 a的焊盤電極23a及第二模擬單元21 b的焊盤電極23b和與其對(duì) 應(yīng)地設(shè)置于布線基板40上面的焊盤電極43之間電連接。在此，由于在第 二模擬單元21b的焊盤電極23b下層存在第一半導(dǎo)體元件10，所以第一半 導(dǎo)體元件10支承與第二模擬單元21b的焊盤電極23b導(dǎo)線接合上時(shí)由于接 合工具產(chǎn)生的下壓力，與在下層不存在第一半導(dǎo)體元件10的情況(沿突出 部20b的外緣設(shè)置焊盤電極23b的情況)相比，可減輕對(duì)含有第二模擬單 元21b的端部的損壞。而且，為了保護(hù)設(shè)置于布線基板40上的第一半導(dǎo)體元件10及第二半 導(dǎo)體元件20，形成密封樹脂層50以覆蓋布線基板40上的整個(gè)面。在密封 樹脂層50中，例如采用環(huán)氧樹脂等熱固性絕緣性樹脂，也可以在密封樹脂 層50中添加用于提高熱傳導(dǎo)性的填料。此時(shí)，預(yù)先控制布線基板40和第 二半導(dǎo)體元件20的位置關(guān)系，以制作成第二半導(dǎo)體元件20的含有第二模 擬單元21b的元件端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之間的間隔Ll比其他3條邊的元件端部與相應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之間的 間隔L2 L4短。最后，如圖l所示，使用焊錫印刷法在布線基板40的下面(與半導(dǎo)體 元件搭載面相對(duì)側(cè)的面)，形成經(jīng)由內(nèi)部布線層(未圖示)與焊盤電極43 電連接的外部連接端子(焊球)45。利用這些工序，制造此前圖1示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，可得到以下效果。 (1 )在含有從第一半導(dǎo)體元件10的外緣突出的突出部2()b的區(qū)域配 置在第二半導(dǎo)體元件20內(nèi)在較高的溫度下更容易發(fā)熱的第二模擬單元2b， 由此從第二模擬單元21b產(chǎn)生的熱量除了從突出部20b的上側(cè)和側(cè)面散熱 外，還從其背面?zhèn)壬?。因此，與不從第一半導(dǎo)體元件10的外緣突出的情 況(從上側(cè)和側(cè)面散熱)相比，半導(dǎo)體裝置的散熱性高，有助于動(dòng)作的穩(wěn) 定化。所以，可提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。(2)將第二半導(dǎo)體元件20的含有第二模擬單元21b的端部和與該端 部相對(duì)應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之間的間隔Ll設(shè)置成比其他3條邊的 端部與相應(yīng)的密封樹脂層50的外壁面之間的間隔L2 L4短，因此含有第 二模擬單元21b的端部與其他端部相比，更容易受到外部環(huán)境(半導(dǎo)體裝 置的外部溫度)的影響而冷卻。因此，可有效地冷卻這種端部中含有的第 二模擬單元21b,有助于半導(dǎo)體裝置動(dòng)作的穩(wěn)定化。所以，可提高半導(dǎo)體裝 置的可靠性。(3 )由于通過將對(duì)應(yīng)于第二模擬單元21b的焊盤電極23b配置于第一 半導(dǎo)體元件10和第二半導(dǎo)體元件20重疊的區(qū)域20a，第一半導(dǎo)體元件10 支承與焊盤電極23b導(dǎo)線接合時(shí)由于接合工具產(chǎn)生的壓力，所以與在突出 部20b上設(shè)置焊盤電極23b時(shí)相比，可減輕對(duì)含有第二模擬單元21b的端 部的損壞。因此，可防止在第二模擬單元21b的溫度急劇上升時(shí)，因該損 壞而被熱破壞。所以，可提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。(第二實(shí)施方式)圖5是第二實(shí)施方式的具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖 面圖，圖6是該半導(dǎo)體裝置的平面圖(俯視圖)。第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝 置與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的最大不同之處在于，第一實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體元件的突出部是1條邊，而第二實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體元件的突出部是四邊。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備布線基板140;安裝于布線基板上的第 一半導(dǎo)體元件110;層積于第一半導(dǎo)體元件110上，突出部120b分別從第 一半導(dǎo)體元件110的四邊的外緣突出的第二半導(dǎo)體元件120;和密封各半導(dǎo) 體元件的密封樹脂層150。而且，第二半導(dǎo)體元件120在其上面具有第一模 擬單元121 a和相比該第 一模擬單元121a更容易在高溫下發(fā)熱的第二模擬單 元121b,該第二模擬單元121b配置為含有第二半導(dǎo)體元件120的突出部 120b。另外，第一模擬單元121a和第二模擬單元121b不限于位于第二半導(dǎo) 體元件120的上面，也可以位于下面或周緣端部。另外，布線基板140與 第一實(shí)施方式的布線基板40相同，所以省略i兌明。第一半導(dǎo)體元件110例如是在P型硅基板等半導(dǎo)體基板上面(表面) 形成數(shù)字型電路(未圖示)的半導(dǎo)體元件。另外，第一半導(dǎo)體元件110在 與層積有第二半導(dǎo)體元件120的上側(cè)相反側(cè)的下面，形成排列成陣列狀的 多個(gè)突起(突起電極端子)160，經(jīng)由該突起160,與布線基板140電連接。 通過這種所謂的芯片倒裝安裝，可將第二半導(dǎo)體元件120以其四邊從第一 半導(dǎo)體元件110的外緣突出的方式層積于第一半導(dǎo)體元件IIO上，該第二半 導(dǎo)體元件120的四邊分別比第一半導(dǎo)體元件110的四邊長(zhǎng)。第二半導(dǎo)體元件120例如是在P型硅基板等半導(dǎo)體基板上面(表面) 形成含有第一模擬單元121a及第二模擬單元121b的模擬型電路的半導(dǎo)體 元件，在其四邊從第一半導(dǎo)體元件110的外緣突出的狀態(tài)下，經(jīng)由芯片粘 接膜等粘接層122安裝于第一半導(dǎo)體元件110上。即，安裝后的第二半導(dǎo) 體元件120具有與第一半導(dǎo)體元件110重疊的區(qū)域(從上面看兩者重疊的 共同區(qū)域)120a和從第一半導(dǎo)體元件]10外緣突出的突出部120b。另外， 模擬型電路的第二模擬單元121b是相比第一模擬單元121a更容易在高溫 下發(fā)熱的電路區(qū)域，是在電路動(dòng)作時(shí)相比第一模擬單元121a而成為高溫的 區(qū)域。因此，如圖6所示配置第一模擬單元121a及第二模擬單元121b,尤 其將第二模擬單元121b配置為含有第二半導(dǎo)體元件120的突出部120b。在各單元內(nèi)分別配置有多個(gè)用于與半導(dǎo)體元件外部進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的焊 盤電極123a及焊盤電極123b。在此，沿形成有第一模擬單元121a的區(qū)域 中的、第二半導(dǎo)體元件120和第一半導(dǎo)體元件IIO重疊的區(qū)域]20a的外緣 部，配置有焊盤電極123a，沿形成有第二模擬單元121b的區(qū)域中的、重疊區(qū)域120a內(nèi)的第一半導(dǎo)體元件110的外緣配置有焊盤電極123b。這樣，由 于第一半導(dǎo)體元件110支承與第二模擬單元121b的焊盤電極123b導(dǎo)線接 合時(shí)由于接合工具產(chǎn)生的壓力，所以與沿突出部120b的外緣設(shè)置焊盤電極 123b時(shí)相比，可降低對(duì)含有第二模擬單元121b的端部的損壞。各單元內(nèi)的焊盤電極123a及焊盤電極123b通過金等接合線124a及接 合線124b與布線基板140上面的焊盤電極143電連接。另外，模擬型電路是將模擬值信號(hào)作為數(shù)據(jù)使用的電路的總稱，在模 擬型電路中，例如含有激勵(lì)放大器電路(生成馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電流的輸出電路) 或發(fā)送信號(hào)系統(tǒng)高輸出放大電路、輸出控制邏輯電路、模擬濾波器電路、 預(yù)激勵(lì)電路(小信號(hào)放大電路)、保護(hù)電路等。其中，作為第二模擬單元121b 例舉激勵(lì)放大器電路或發(fā)送系統(tǒng)高輸出放大電路。密封樹脂層150形成為覆蓋布線基板140上的整個(gè)面，密封第一半導(dǎo) 體元件IIO及第二半導(dǎo)體元件120。密封樹脂層150的材料例如是環(huán)氧樹脂 等熱固性絕緣性樹脂。該密封樹脂層150具有保護(hù)各半導(dǎo)體元件不受外部 環(huán)境侵害的功能。在此，密封樹脂層150如圖6所示，制作成第二半導(dǎo)體 元件120的含有第二模擬單元121b的元件端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的密封樹 脂層150的側(cè)壁(外壁)面之間的間隔L1、比其他元件端部與密封樹脂層 150的側(cè)壁(外壁)面之間的間隔L2 L4短。另外，也可以在密封樹脂層 150中添加用于提高熱傳導(dǎo)性的填料。另外，第一半導(dǎo)體元件IIO作為本發(fā)明的"第一半導(dǎo)體元件"的一例、 第一模擬單元121a作為本發(fā)明的"第一電路區(qū)域"的一例、第二模擬單元 121b作為本發(fā)明的"第二電路區(qū)域"的一例、第二半導(dǎo)體元件120作為本 發(fā)明的"第二半導(dǎo)體元件"的一例、突出部120b作為本發(fā)明的"突出部" 的一例、密封樹脂層150作為本發(fā)明的"樹脂層"的一例、及焊盤電極123b 作為本發(fā)明的"電極部"的一例。下面，說明從第一半導(dǎo)體元件110的外緣突出并層積的第二半導(dǎo)體元 件120中的突出部120b的散熱效果。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，由于不僅如第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝 置那樣，在第二半導(dǎo)體元件的一條邊的突出部的下側(cè)不存在第一半導(dǎo)體元 件110，而且在第二半導(dǎo)體元件120的四邊的突出部120b的下側(cè)不存在第 一半導(dǎo)體元件110,所以動(dòng)作時(shí)從第二半導(dǎo)體元件120產(chǎn)生的熱量通過向設(shè)置于上側(cè)、側(cè)面及下側(cè)的密封樹脂層150的熱傳導(dǎo)來散熱。并且，由于突 出部120b與其他重疊區(qū)域120a相比，第一半導(dǎo)體元件110的距離4交遠(yuǎn)，所 以動(dòng)作時(shí)第一半導(dǎo)體元件110中產(chǎn)生的熱量的影響也相對(duì)變小。因此，可 通過突出部120b更有效地將從第二半導(dǎo)體元件120產(chǎn)生的熱量散熱。 (第三實(shí)施方式)圖7是第三實(shí)施方式的具有層積半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面 圖，圖8是該半導(dǎo)體裝置的平面圖(俯視圖)。第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置 與第二實(shí)施方式半導(dǎo)體裝置相比，最大不同之處在于，第二實(shí)施方式中， 焊盤電極配置于第二半導(dǎo)體元件和第一半導(dǎo)體元件重疊的區(qū)域，與此相對(duì) 第三實(shí)施方式中，焊盤電極配置于第二半導(dǎo)體元件的突出部。另外，由于 其他方面是與第二實(shí)施方式相同的構(gòu)造，所以適當(dāng)省略說明。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置在第一模擬單元121a及第二模擬單元121b 內(nèi)，分別配置有多個(gè)用于與半導(dǎo)體元件外部進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的焊盤電極123c 及焊盤電極123d。在此，沿形成有第一模擬單元121a的區(qū)域中的、突出部 120b的外緣部配置有焊盤電極123c，沿形成有第二模擬單元121b的區(qū)域中 的、突出部120b的外緣部配置有焊盤電極123d。這樣，從容易在高溫下發(fā) 熱的第二模擬單元121b中的、易成為發(fā)熱部的焊盤電極123d產(chǎn)生的熱量， 除了從突出部120b的上側(cè)和側(cè)面散熱之外，還從其背面?zhèn)壬?。因此，與 不將焊盤電極123d配置于突出部120b時(shí)(從上側(cè)和側(cè)面散熱)相比，可 提高半導(dǎo)體裝置的散熱性，有助于動(dòng)作的穩(wěn)定性。所以，可提高半導(dǎo)體裝 置的可靠性。(第四實(shí)施方式)圖9是第四實(shí)施方式的具有層積半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的概略剖面 圖，圖10是該半導(dǎo)體裝置的平面圖(俯視圖)。第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝 置與第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置相比，最大不同之處在于，經(jīng)由接合線與 第二模擬單元的焊盤電極連接的基板的焊盤電極，設(shè)置在與第二模擬單元 和與其對(duì)應(yīng)的密封樹脂層側(cè)壁面之間的區(qū)域不同的區(qū)域。另外，由于其他方面是與第二實(shí)施方式大致相同的構(gòu)成，所以適當(dāng)省略說明。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置在第一模擬單元121a及第二模擬單元121b 內(nèi)，分別配置有多個(gè)用于與半導(dǎo)體元件外部進(jìn)行信號(hào)收發(fā)的焊盤電極123a 及焊盤電極123b。在此，沿形成有第一模擬單元121a的區(qū)域中的、第二半導(dǎo)體元件120和第一半導(dǎo)體元件IIO重疊的區(qū)域120a的外緣部，配置有焊 盤電極123a，沿形成有第二模擬單元121b的區(qū)域中的、重疊區(qū)域120a內(nèi) 的第一半導(dǎo)體元件110的外緣配置有焊盤電極123b。這樣，由于第一半導(dǎo) 體元件110支承與第二模擬單元121b的焊盤電極123b導(dǎo)線接合時(shí)由于接 合工具產(chǎn)生的壓力，所以與沿突出部120b的外緣設(shè)置焊盤電極123b時(shí)相 比，可降低對(duì)含有第二模擬單元121b的端部的損壞。另外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置經(jīng)由接合線124a將第一模擬單元121a 的焊盤電極123a與布線基板140上面的焊盤電極143a電連接，并且，經(jīng)由 接合線124b將第二模擬單元121b的焊盤電極123b與布線基板140上面的 焊盤電極143b電連接。在此，連接有接合線124b的布線基板140的焊盤 電極143b設(shè)置在與含有第二沖莫擬單元121b的突出部120b和與其對(duì)應(yīng)的密 封樹脂層150的側(cè)壁面150a之間的區(qū)域R不同的區(qū)域。這樣，與在第二模 擬單元121b和密封樹脂層150的側(cè)壁面150a之間的區(qū)域配置焊盤電極143b 的情況相比，由于使第二模擬單元121b更接近于側(cè)壁面150a，所以可從側(cè) 壁面150a更有效地散熱從第二模擬單元121b產(chǎn)生的熱量。另外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置構(gòu)成為含有第二模擬單元121b的突出 部120b和與其對(duì)應(yīng)的密封樹脂層150的側(cè)壁面150a的間隔Ll，比第二半 導(dǎo)體元件120的上面120c和密封樹脂層150的上面150b的間隔H短。這 樣，與第二模擬單元121b和密封樹脂層150的側(cè)壁面150a之間的距離Ll 比第二半導(dǎo)體元件120的上面120c和密封樹脂層150的上面15()b的間隔H 長(zhǎng)時(shí)相比，可從側(cè)壁面150a更有效地將從第二模擬單元121b產(chǎn)生的熱量嘲: 熱。(第五實(shí)施方式)接著，說明具備上述半導(dǎo)體裝置的便攜式設(shè)備。另外，作為便攜式設(shè) 備，表示搭載于手機(jī)的實(shí)例，但例如也可以是個(gè)人用便攜式信息終端 (PDA)、數(shù)字錄像機(jī)(DVC)、及數(shù)碼相機(jī)(DSC)之類的電子設(shè)備。圖11是表示本實(shí)施方式的具備半導(dǎo)體裝置的手機(jī)的結(jié)構(gòu)圖。手機(jī)211 構(gòu)成為利用可動(dòng)部220連接第一框體212和第二框體214。第一框體212和 第二框體214能以可動(dòng)部220為軸轉(zhuǎn)動(dòng)。在第一框體212中設(shè)置有顯示文 字或圖像等信息的顯示部218和揚(yáng)聲部224。在第二框體214中設(shè)置有操作 用按鈕等的操作部222和麥克風(fēng)部226。另外，將所述各實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置搭載于這種手機(jī)211的內(nèi)部。圖12是圖11示出的手機(jī)的部分剖面圖(第一筐體212的剖面圖)。本 實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置200經(jīng)由焊錫突起142搭載于印刷基板228上，并 經(jīng)由這種印刷基板228與顯示部218等電連接。另外，在半導(dǎo)體裝置200 的背面?zhèn)?與焊錫突起142相反側(cè)的面)設(shè)置有金屬基板等散熱基板216， 例如，不使從半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生的熱量聚集在第一框體212內(nèi)部，可有效地 向第一框體212的外部"^熱。根據(jù)本實(shí)施方式的具備半導(dǎo)體裝置200的便攜式設(shè)備，不僅半導(dǎo)體裝 置內(nèi)部的動(dòng)作穩(wěn)定化，而且還可減少?gòu)陌雽?dǎo)體裝置向外部發(fā)出的噪音，進(jìn) 而減小對(duì)搭載于便攜式設(shè)備內(nèi)部的其他部件的噪音影響，所以搭載這種半 導(dǎo)體裝置200的便攜式設(shè)備的可靠性提高。另外，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，也可根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的知 識(shí)，進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變更等變形，進(jìn)行這種變形的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明 的范圍內(nèi)。在上述實(shí)施方式中，示出形成密封各半導(dǎo)體元件的密封樹脂層的半導(dǎo) 體裝置的實(shí)例，但本發(fā)明不限于此，例如，不必一定設(shè)置密封樹脂層，也 可為不設(shè)置密封樹脂層的半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，突出部的下側(cè)直接暴露在大 氣中，可更有效地將產(chǎn)生的熱量散熱。在上述實(shí)施方式中，示出適用于層積兩個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的 實(shí)例，但本發(fā)明不限于此，例如，也可適用于層積三個(gè)以上半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置。另外，也可適用于在一個(gè)半導(dǎo)體元件上配置多個(gè)半導(dǎo)體元件 的半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，各半導(dǎo)體元件間也可具有上述效果。在上述實(shí)施方式中，示出采用在第二半導(dǎo)體元件中形成有模擬型電路 的半導(dǎo)體元件的實(shí)例，但本發(fā)明不限于此，例如，也可采用形成有模擬型電路和數(shù)字型電路的半導(dǎo)體元件(模擬/數(shù)字混合搭載的半導(dǎo)體元件)。此時(shí)， 通過在突出部配置在更高溫度下容易發(fā)熱的電路，也可具有上述效果。在上述實(shí)施方式中，示出采用在第一半導(dǎo)體元件中形成有數(shù)字型電路 的半導(dǎo)體元件的實(shí)例，但本發(fā)明不限于此，例如，也可采用形成有數(shù)字型 電路和模擬型電路的半導(dǎo)體元件(模擬/數(shù)字混合搭載的半導(dǎo)體元件)。此時(shí)，優(yōu)選在不搭載第二半導(dǎo)體元件的區(qū)域選擇地設(shè)置模擬型電路。已知通常構(gòu) 成模擬型電路或數(shù)字型電路的晶體管其性能特性因應(yīng)力影響而變動(dòng)。尤其在相比數(shù)字型電路對(duì)這種變動(dòng)更敏感的模擬型電路中，若偏向構(gòu)成該模擬 型電路的晶體管的 一部分施加應(yīng)力，則導(dǎo)致由于應(yīng)力的程度而從規(guī)定的晶 體管性能產(chǎn)生變動(dòng)，模擬型電路不執(zhí)行規(guī)定的動(dòng)作。因此，通過在不搭載 第二半導(dǎo)體元件的區(qū)域中選擇地設(shè)置模擬型電路，可防止由第二半導(dǎo)體元 件的外緣部引起的對(duì)模擬型電路不均勻地施加應(yīng)力，可降低模擬型電路中 電路特性的變動(dòng)。因此，可提高具有層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的可 靠性。另外，在第一半導(dǎo)體元件上搭載第二半導(dǎo)體元件的工序中，通過在不 搭載第二半導(dǎo)體元件的區(qū)域中選擇地設(shè)置模擬型電路，在搭載第二半導(dǎo)體 元件時(shí)生成的對(duì)第一半導(dǎo)體元件的負(fù)荷(壓力)負(fù)載不施加至模擬型電路， 可防止模擬型電路的特性變動(dòng)(對(duì)晶體管的物理損壞)。由此，可提高具有 層積的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的制造成品率，可謀求半導(dǎo)體裝置的低成 本化。另外，在上述各半導(dǎo)體裝置中，第二模擬單元選擇如下所述單元即可， 即在連接包含于第二模擬單元的焊盤電極和設(shè)置于基板的焊盤電極的接合 線中流動(dòng)的電流量，比在連接包含于第 一模擬單元的焊盤電極和設(shè)置于基 板的焊盤電極的接合線中流動(dòng)的電流量大。通常，由于可預(yù)測(cè)電流量越多， 則該單元中的發(fā)熱量越多而變成高溫，所以可對(duì)應(yīng)該電流量將各模擬單元 配置于第二半導(dǎo)體元件的適當(dāng)位置。在此，流過接合線的電流量的大小例 如也可通過比較每一規(guī)定時(shí)間內(nèi)的平均電流來判斷?；蛘撸诶枚喔?線連接各模擬單元和基板的情況下，也可通過比較流過整個(gè)布線的電流的 平均值來判斷。另外，第二模擬單元21b作為輸出電流的平均值大的輸出 電路來舉例說明。本申請(qǐng)基于并主張2007年1月31日提交的在先日本專利申請(qǐng)2007 -020683和2008年1月22日提交的日本專利申請(qǐng)2008 - 011473的優(yōu)先權(quán)， 這里引入并參照其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第一半導(dǎo)體元件；和層積于所述第一半導(dǎo)體元件上、具有從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的突出部的第二半導(dǎo)體元件，所述第二半導(dǎo)體元件具有第一電路區(qū)域和相比該第一電路區(qū)域更容易在高溫下發(fā)熱的第二電路區(qū)域，該第二電路區(qū)域配置為含有所述突出部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體元件及所述第二半導(dǎo)體元件配置于基板上，并且通過形成于該基板上的樹脂層來密封，所述樹脂層形成為所述第二半導(dǎo)體元件的含有所述第二電路區(qū)域的端 部和與該端部相對(duì)應(yīng)的所述樹脂層的側(cè)壁面之間的間隔比其他端部與相應(yīng)的樹脂層側(cè)壁面之間的間隔短。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在連接包含于所述第 一電路區(qū)域的電極部和設(shè)置于基板的端子的第一 布線中流動(dòng)的電流量，比在連接包含于所述第二電路區(qū)域的電極部和設(shè)置 于基板的端子的第二布線中流動(dòng)的電流量小。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 連接有所述第二布線的基板端子設(shè)置在與含有所述第二電路區(qū)域的端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的所述樹脂層側(cè)壁面之間的區(qū)域不同的區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述樹脂層形成為所述端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的所述樹脂層的側(cè)壁面 的間隔比所述第二半導(dǎo)體元件的上面和所述樹脂層的上面的間隔短。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述樹脂層形成為所述端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的所述樹脂層的側(cè)壁面 的間隔比所述第二半導(dǎo)體元件上面和所述樹脂層的上面的間隔短。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述樹脂層形成為所述端部和與該端部相對(duì)應(yīng)的所述樹脂層的側(cè)壁面 的間隔比所述第二半導(dǎo)體元件的上面和所述樹脂層的上面的間隔短。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的多條邊從所述第一半導(dǎo)體 元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的多條邊從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的四條邊從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的四條邊從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的四條邊從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件以該第二半導(dǎo)體元件的四條邊從所述第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的方式層積在該第一半導(dǎo)體元件上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體元件在與層積有所述第二半導(dǎo)體元件的側(cè)面相反側(cè)的面上，形成有與基板連接的多個(gè)突起電極端子。
15. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體元件在與層積有所述第二半導(dǎo)體元件的側(cè)面相反側(cè)的面上，形成有與基板連接的多個(gè)突起電極端子。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體元件在與層積有所述第二半導(dǎo)體元件的側(cè)面相反側(cè)的面上，形成有與基板連接的多個(gè)突起電極端子。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二電路區(qū)域含有電極部，所述電極部配置于所述第一半導(dǎo)體元件和所述第二半導(dǎo)體元件重疊的區(qū)域。
18. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二電路區(qū)域含有電極部，所述電極部配置于所述第一半導(dǎo)體元件和所述第二半導(dǎo)體元件重疊的 區(qū)域。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二電路區(qū)域包含電極部，所述電極部配置于所述突出部。
20. —種便攜式設(shè)備，其特征在于 搭載權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，具備布線基板、安裝在布線基板上的第一半導(dǎo)體元件、層積在第一半導(dǎo)體元件上且突出部從第一半導(dǎo)體元件的外緣突出的第二半導(dǎo)體元件、以及密封各半導(dǎo)體元件的密封樹脂層。而且，第二半導(dǎo)體元件在其上面具有第一模擬單元和相比該第一模擬單元更容易在高溫下發(fā)熱的第二模擬單元，該第二模擬單元配置為含有突出部。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101286507SQ20081010921
公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月31日
發(fā)明者今岡俊一, 大塚健志 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社