專利名稱：處理基材的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理基材的設(shè)備和方法，更具體而言，涉及一種通過在 填充有處理液的處理槽中浸漬晶片來清潔晶片的使用處理槽處理基材的 設(shè)備，以及一種使用該設(shè)備處理基材的方法。
背景技術(shù)：
制造半導體器件的方法包括從半導體晶片上除去諸如微粒金屬雜 質(zhì)、有機污染物和表面薄膜等各種異物的清潔處理。在進行清潔處理的 設(shè)備中的批處理型晶片清潔設(shè)備包括基材清潔單元?；那鍧崋卧沁M 行晶片清潔的單元。基材清潔單元包括多個處理槽。各處理槽具有大致 相同的結(jié)構(gòu)，并且鄰近配置。處理液經(jīng)供應(yīng)管線供應(yīng)到各處理槽，并貯 存在各處理槽中。當清潔晶片時，通過在處理槽內(nèi)貯存的處理液中浸漬 晶片來清潔晶片。
然而，由于在清潔處理中支撐晶片的支撐元件的原因，在具有上述 結(jié)構(gòu)的清潔設(shè)備中晶片的清潔效率可能下降。在清潔處理中，處理槽中 浸漬的晶片置于支撐元件上，并且被支撐元件支撐著。此時，晶片上與 支撐元件接觸的一部分未被處理槽中的處理液清潔。其結(jié)果是，當進行 后續(xù)程序時，晶片處理程序的效率可能下降。

發(fā)明內(nèi)容
一些實施方案提供了一種清潔基材的設(shè)備。所述設(shè)備包括第一處理槽、第二處理槽和轉(zhuǎn)移部，所述第一處理槽包括具有填充有處理液的空 間的第一殼體和在處理中在所述第一殼體內(nèi)支撐所述基材的第一支撐元 件，所述第二處理槽包括具有填充有處理液的空間的第二殼體和在處理 中在所述第二殼體內(nèi)支撐所述基材的第二支撐元件，所述轉(zhuǎn)移部將所述 基材轉(zhuǎn)移到所述第一處理槽和所述第二處理槽，其中所述第一支撐元件 和第二支撐元件的形狀使得在處理中所述第一支撐元件和第二支撐元件
與所述基材接觸的點不同。
一些實施方案提供了一種清潔基材的方法。所述方法包括通過在處 理槽的處理液中浸漬基材以清潔所述基材，其中至少兩個處理槽通過支 撐浸漬在所述處理液中的基材的不同點來清潔所述基材。


附圖用于進一步理解本發(fā)明，其并入本說明書中并構(gòu)成它的一部分。 附圖闡明本發(fā)明的示例性實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原
理。在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的處理基材的設(shè)備的俯視平面圖。 圖2是圖l示出的晶片清潔單元的主視圖。 圖3是圖l示出的晶片清潔單元的側(cè)視圖。
圖4是圖3示出的舟形件的立體圖。
圖5是圖3示出的舟形件支撐晶片的示圖。
圖6~9是根據(jù)本發(fā)明其他實施例的舟形件的立體圖和舟形件支撐晶 片的示圖。
圖IO是闡明根據(jù)本發(fā)明處理基材的方法的流程圖。
具體實施例方式
下面參照顯示本發(fā)明實施例的附圖更詳細地描述本發(fā)明。然而，本 發(fā)明可以體現(xiàn)為多種不同形式，并且不應(yīng)當認為本發(fā)明受限于在此提出 的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本發(fā)明的公開內(nèi)容清楚和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地表達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清楚 顯示可以將各層和各區(qū)域的尺寸以及相對尺寸放大。同樣的附圖標記始 終指同樣的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的處理基材的設(shè)備的俯視平面圖，圖2是圖1示 出的晶片清潔單元的主視圖，圖3是圖1示出的晶片清潔單元的側(cè)視圖，
圖4是圖3示出的舟形件的立體圖。
參照圖1，處理基材的設(shè)備l進行半導體基材ff面，稱作晶片)處理 的過程。處理基材的設(shè)備l包括盒子處理單元、第一晶片轉(zhuǎn)移單元30、 晶片清潔單元40和第二晶片轉(zhuǎn)移單元50。
盒子處理單元對接收多個晶片的元件(下面，稱作盒子)進行處理。 儲集單元用作盒子處理單元。該儲集單元包括盒子接收部IO和盒子轉(zhuǎn)移 部20。多個盒子C被轉(zhuǎn)移到盒子接收部10，盒子接收部10接收多個盒 子。盒子接收部10包括在盒子接收部10中運送盒子C的運入部12和從 盒子接收部10運出盒子C的運出部14。盒子C沿著盒子接收部10的行 與列二維地被裝載。
盒子轉(zhuǎn)移部20將置于盒子接收部10中的盒子C轉(zhuǎn)移到第一晶片轉(zhuǎn) 移單元30。盒子轉(zhuǎn)移部20包括至少一個轉(zhuǎn)移臂22。轉(zhuǎn)移臂22將置于盒 子接收部10的板16上的盒子C轉(zhuǎn)移到第一晶片轉(zhuǎn)移單元30的機械手 32和34處理置于盒子中的晶片的位置。轉(zhuǎn)移臂22沿導軌24前后線性地 移動，并到達對在置于盒子接收部10內(nèi)的盒子中需要被處理的盒子進行 處理的位置。
第一晶片轉(zhuǎn)移單元30在盒子處理單元和晶片清潔單元40之間轉(zhuǎn)移 晶片W。第一晶片轉(zhuǎn)移單元30包括第一機械手32和第二機械手34。第 一機械手32將晶片W從盒子處理單元轉(zhuǎn)移到晶片清潔單元40，第二機 械手34從清潔單元40轉(zhuǎn)移完成清潔處理的晶片W。
基材清潔單元40對晶片W進行清潔處理。基材清潔單元40 (下面， 稱作晶片清潔單元)包括轉(zhuǎn)移部100、第一清潔部200和第二清潔部300。 第一清潔部200和第二清潔部300配置在轉(zhuǎn)移部100的兩側(cè)。第一清潔部200和第二清潔部300沿著設(shè)備1的長度方向平行配置。第一清潔部 200和第二清潔部300均包括多個處理槽。
第二晶片轉(zhuǎn)移單元50將晶片W從第一清潔部200轉(zhuǎn)移到第二清潔 部300。第二晶片轉(zhuǎn)移單元50包括第三機械手52和導軌54。第三機械 手52沿導軌54移動。第三機械手52沿導軌54前后線性地移動。第三 機械手52接收完成清潔處理的晶片W，并將晶片W轉(zhuǎn)移到第二清潔部 300。
參照圖2和圖3，轉(zhuǎn)移部100將晶片W轉(zhuǎn)移到第一清潔部200和第 二清潔部300。轉(zhuǎn)移部IOO包括第一機械手IIO和第二機械手120。第一 機械手IIO包括第一臂112和導軌114。第一臂112沿導軌114移動，并 將晶片W轉(zhuǎn)移到第一清潔部200的各處理槽。按相同方式，第二機械手 120包括第二臂122和導軌124。第二臂122沿導軌124移動，并將晶片 W轉(zhuǎn)移到第二清潔部300的各處理槽。
第一清潔部200和第二清潔部300進行清潔晶片W的處理。第一清 潔部200和第二清潔部300包括多個處理槽。各處理槽使用處理液來清 潔晶片W。此時，各處理槽可以使用不同的溶液或者使用相同的處理液。
在一個實施例中，第一清潔部200和第二清潔部300均包括四個處 理槽。沿直線配置第一清潔部200和第二清潔部300所包括的處理槽， 并且每個處理槽中使用的處理液可以不同。所有的處理槽或一部分處理 槽可以使用相同的處理液。在本實施例中，第一清潔部200中的處理槽 稱作第一至第四處理槽210、 220、 230和240，第二清潔部300中的處理 槽稱作第五至第八處理槽。然而，可以不同地配置第一至第八處理槽210、 220、 230、 240、 310、 320、 330和340。
每個處理槽具有大致相同的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)，但是支撐晶片W的支撐元 件(下面，稱作舟形件)的結(jié)構(gòu)不同。因此，在本實施例中，詳細說明第一 處理槽210的構(gòu)造，以及說明第二至第八處理槽220、 230、 240、 310、 320、 330和340的舟形件。
第一處理槽210包括第一殼體212、第一舟形件214、第一噴嘴216 和第一供應(yīng)管線218。第一殼體212包括清潔晶片W的空間。第一殼體212包括內(nèi)槽212a和外槽212b。內(nèi)槽212a填充有處理液，并提供在清 潔處理中于其內(nèi)浸漬晶片W的空間。外槽212b包圍著內(nèi)槽212a的側(cè)面， 并容納從內(nèi)槽212a溢出的處理液。在清潔處理中第一舟形件214在第一 殼體212內(nèi)部支撐晶片W。第一舟形件214支撐多個晶片W，使得晶片 W垂直放置。第一供應(yīng)噴嘴216從第一供應(yīng)管線218接收處理液，并將 處理液噴射到置于第一舟形件214上的晶片W上。處理液是一種從晶片 W表面除去殘留異物的化學品溶液。
在內(nèi)槽212a內(nèi)部，第一舟形件214在清潔處理中支撐晶片W,使得 晶片W垂直放置。在一個實施例中，參照圖4，第一舟形件214包括第 一支撐部214a和第二支撐部214b。第一支撐部214a和第二支撐部214b 呈條狀，并且彼此平行地間隔預(yù)定距離分開。與晶片W邊緣的一部分接 觸的接觸部214a，和214b，分別在第一支撐部214a和第二支撐部214b上 形成。接觸部214a'和214b'包括于其中插入晶片W邊緣的一部分的凹槽。 浸在處理槽210的內(nèi)槽212a中的晶片W邊緣的一部分通過插在于第一 支撐部214a和第二支撐部214b上形成的接觸部214a，和214b，中而被支 撐著。
第二處理槽220具有與第一處理槽210大致相同的構(gòu)造。艮卩，第二 處理槽220包括第二殼體222、第二舟形件224、第二噴嘴226和第二供 應(yīng)管線228。第二殼體222內(nèi)部設(shè)有填充處理液的空間。在第二殼體222 內(nèi)部，第二舟形件224支撐晶片W。第二噴嘴226從第二供應(yīng)管線228 接收處理液，并在清潔處理中將處理液噴射到置于第二舟形件224上的 晶片W上。
在清潔處理中處理槽210、 220、 230、 240、 310、 320、 330和340 中所包括的各舟形件支撐晶片W的不同部分。各舟形件的支撐部之間的 距離可以不同，使得各舟形件通過與晶片W的不同部分接觸而支撐晶片 W。參照圖4，第二舟形件224的第一支撐部224a和第二支撐部224b之 間的距離d2大于第一舟形件214的第一支撐部214a和第二支撐部214b 之間的距離dl。因此，如圖5所示，晶片W與第一處理槽210的第一支 撐部214a和第二支撐部214b接觸的接觸點Pl和P2不同于晶片W與第二處理槽220的第一支撐部224a和第二支撐部224b接觸的接觸點PI' 和P2，。
在上述實施例中，說明了具有兩個支撐部的舟形件。然而，舟形件 的數(shù)量、形狀和結(jié)構(gòu)可以有各種變化。例如，根據(jù)本發(fā)明另一個實施例 的舟形件包括三個支撐元件。
參照圖6，根據(jù)另一個實施例的第一處理槽210的第一舟形件214' 包括第一至第三支撐部214a、 214b和214c。第一支撐部214a和第二支 撐部214b相對于第三支撐部214c兩側(cè)對稱地配置。第一支撐部214a和 第二支撐部214b的接觸部214a'和214b'的高度大于支撐部214c的接觸 部214c，的高度。按相同方式，第二處理槽220的第二舟形件224，包括第 一至第三支撐部224a、 224b和224c。第一至第三支撐部224a、 224b和 224c具有與第一處理槽210的第一舟形件214'大致相同的結(jié)構(gòu)。第二舟 形件224，的第一支撐部224a和第二支撐部224b之間的距離d2大于第一 舟形件214，的第一支撐部214a和第二支撐部214b之間的距離dl。如圖 7所示，當在第一處理槽210中清潔晶片W時晶片W與第一舟形件214' 的第一至第三支撐部214a、 214b和214c接觸的接觸點Pl、 P2和P3不 同于當在第二處理槽220中清潔晶片W時晶片W與第二舟形件224'的 第一至第三支撐部224a、 224b和224c接觸的接觸點Pl'、 P2，和P3，。
具有根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的舟形件的晶片清潔單元40包括比 具有根據(jù)一個實施例的舟形件的晶片清潔單元40更多的晶片支撐部。其 結(jié)果是，在清潔處理中以更穩(wěn)定的狀態(tài)支撐著晶片W。
在另一個實施例中，舟形件包括四個支撐部。參照圖8，第一處理 槽210的第一舟形件214"包括第一至第四支撐部214a、 214b、 214c和 214d。第一支撐部214a和第二支撐部214b相對于垂直穿過置于第一舟 形件214"上的晶片W中央的垂直線XI兩側(cè)對稱地配置。第三支撐部 214c和第四支撐部214d在第一支撐部214a和第二支撐部214b之間相對 于垂直線XI兩側(cè)對稱地配置。第一支撐部214a和第二支撐部214b的接 觸部214a，和214b，的高度大于第三支撐部214c和第四支撐部214d的接 觸部214c，和214d，的高度。第二處理槽220的第二舟形件224"包括第一 至第四支撐部224a、 224b、 224c和224d。第一至第四支撐部224a、 224b、224c和224d均具有與第一處理槽210的第一舟形件214"的各支撐部大 致相同的結(jié)構(gòu)。第二舟形件224"的第一支撐部224a和第二支撐部224b 之間的距離d3大于第一舟形件214"的第一支撐部214a和第二支撐部 214b之間的距離dl。此外，第二舟形件224"的第三支撐部224c和第四 支撐部224d之間的距離d4大于第一舟形件214"的第三支撐部214c和 第四支撐部214d之間的距離d2。
因此，如圖9所示，在清潔處理中晶片W與第一舟形件214"的第 一至第四支撐部214a、 214b、 214c和214d接觸的接觸點Pl、 P2、 P3和 P4不同于晶片w與第二舟形件224"的第一至第四支撐部224a、 224b、 224c和224d接觸的接觸點Pl'、 P2'、 P3，和P4'。
具有根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的舟形件的晶片清潔單元包括比具有 根據(jù)另一個實施例的舟形件的晶片清潔單元更多的晶片支撐部。其結(jié)果 是，在清潔處理中以更穩(wěn)定的狀態(tài)支撐著晶片W。在各處理槽中所包括 的舟形件的支撐部的位置可以不同，使得各處理槽中所包括的舟形件的 支撐部與晶片W的不同點接觸。
參照圖10，詳細說明基材處理設(shè)備處理基材的方法。圖IO是闡明 根據(jù)本發(fā)明處理基材的方法的流程圖。如果開始對基材進行處理，則將 盒子C運入儲集單元中(S110)。 g卩，在盒子接收部10中通過盒子接收部 10的運入部12運入用來接收將在其上進行清潔處理的晶片W的盒子C。 在運入部12中運入的盒子C通過盒子轉(zhuǎn)移部20的轉(zhuǎn)移臂22 二維地排列 在盒子接收部10的預(yù)定位置上。
第一晶片轉(zhuǎn)移單元30將從盒子轉(zhuǎn)移部20的轉(zhuǎn)移臂22接收的盒子C 中的晶片W運出，然后將晶片W轉(zhuǎn)移到晶片清潔單元40 (S120)。艮P， 第一機械手32將從轉(zhuǎn)移臂22接收的盒子C中的晶片W依次運出，然后 將晶片W轉(zhuǎn)移到晶片清潔單元40的第一臂112。
晶片清潔單元40清潔己接收的晶片W(S130)。即，轉(zhuǎn)移部100的第 一機械手110使晶片W浸漬在第一清潔部200的各處理槽210中，從而 除去殘留的異物。轉(zhuǎn)移部IOO的第二機械手120使晶片W浸漬在第二清潔部300的各處理槽310中，從而除去晶片W上殘留的異物。后面將說 明使用晶片清潔單元40的晶片清潔處理。
將完成清潔處理的晶片W轉(zhuǎn)移到盒子處理單元中的盒子C (S140)。 即，通過第二機械手34將使用第二清潔部300完成清潔處理的晶片W 運入盒子轉(zhuǎn)移部20的盒子C中。通過儲集單元的運出部14將包括已完 成清潔處理的晶片W的盒子C從設(shè)備l運出，并轉(zhuǎn)移到進行后續(xù)處理的 設(shè)備(S150)。
在進行晶片清潔處理時，每個處理槽支撐著晶片W的不同點，并清 潔晶片W(S130)。 g卩，轉(zhuǎn)移部IOO的第一機械手IIO使晶片W浸漬在第 一處理槽210的內(nèi)槽212中。在第一處理槽210的內(nèi)槽212中浸漬的晶 片W被置于第一舟形件214上。通過在形成于第一舟形件214的第一支 撐部214a和第二支撐部214b上的凹槽214a，和214b，中插入而支撐晶片 W邊緣的一部分。如果晶片W置于第一舟形件214上，則第一噴嘴216 從第一供應(yīng)管線218接收處理液，并將第一處理液噴射到置于第一舟形 件214上的晶片W上。晶片W與第一支撐部214a和第二支撐部214b 接觸的點Pl和P2未被第一處理液完全清潔。
當在第一處理槽210中完成晶片W清潔時，第一機械手110從第一 處理槽210運出晶片W，并將晶片W浸漬在第二處理槽220的內(nèi)槽222 中。在第二處理槽220中浸漬的晶片W被置于舟形件224上。晶片W 與第二舟形件224的第一支撐部224a和第二支撐部224b接觸的接觸點 Pl'和P2'不同于晶片W與第一舟形件214的第一支撐部214a和第二支 撐部214b接觸的接觸點Pl和P2。當晶片W置于第二舟形件224上時， 第二噴嘴226從第二供應(yīng)管線228接收處理液，并將處理液噴射到晶片 W上。第二處理槽220的第二供應(yīng)管線228供應(yīng)的第二處理液可以不同 于第一處理槽210的第一供應(yīng)管線218供應(yīng)的第一處理液?？蛇x擇地， 第一處理液可以與第二處理液相同。第二噴嘴226噴射的第二處理液除 去晶片W表面上殘留的異物，并也除去在第一處理槽210中未被清潔的 晶片W的邊緣點Pl和P2上的異物。
當在第二處理槽220中完成晶片W清潔時，第一機械手110使晶片 W依次浸漬在第三處理槽230和第四處理槽240中，第三處理槽230和第四處理槽240清潔已浸漬的晶片W。如圖3所示，第三處理槽230的 第三舟形件234的第一支撐部和第二支撐部之間的距離d3不同于第四處 理槽240的第四舟形件244的第一支撐部和第二支撐部之間的距離d4。 其結(jié)果是，第三舟形件234和第四舟形件244與晶片W邊緣的不同點接 觸。因此，第一至第四處理槽210、 220、 230和240的第一至第四舟形 件分別與晶片W的不同點接觸，并進行清潔處理。
如果完成第一清潔部200的晶片W清潔，則進行第二清潔部300的 晶片W清潔。S卩，第二晶片轉(zhuǎn)移單元50將晶片W從第一清潔部200轉(zhuǎn) 移到第二清潔部300。第二機械手120使晶片W依次浸漬在第五至第八 處理槽310、 320、 330和340中，第五至第八處理槽310、 320、 330和 340依次清潔晶片W。第五至第八處理槽310、 320、 330和340的舟形 件的第一支撐部和第二支撐部之間的距離不同，使得第五至第八處理槽 310、 320、 330和340的舟形件分別與晶片W的不同點接觸，并進行清 潔處理。
將完成清潔處理的晶片W轉(zhuǎn)移到盒子處理單元的盒子C (S140)。即， 通過第一晶片轉(zhuǎn)移單元30的第二機械手34將使用第二清潔部300完成 清潔處理的晶片W運入盒子轉(zhuǎn)移部20的盒子C中(S140)。通過儲集單 元的運出部14將用來接收已完成清潔處理的晶片W的盒子C從設(shè)備1 運出，并轉(zhuǎn)移到進行后續(xù)處理的設(shè)備(S150)。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的晶片清潔單元和基材處理設(shè)備中，各處 理槽的舟形件的支撐部之間的距離不同，使得各處理槽的舟形件分別與 晶片W的不同點接觸，并進行清潔處理。因此，由于與任一處理槽的舟 形件接觸而未被清潔的晶片W的點可以在不同的處理槽中被清潔，從而 改善清潔處理的效率。
權(quán)利要求
1.一種處理基材的設(shè)備，包括第一處理槽，包括具有填充有處理液的空間的第一殼體和在處理中在所述第一殼體內(nèi)支撐所述基材的第一支撐元件；第二處理槽，包括具有填充有處理液的空間的第二殼體和在處理中在所述第二殼體內(nèi)支撐所述基材的第二支撐元件；以及將所述基材轉(zhuǎn)移到所述第一處理槽和所述第二處理槽的轉(zhuǎn)移部，其中所述第一支撐元件和第二支撐元件的形狀使得在處理中所述第一支撐元件和第二支撐元件與所述基材接觸的點不同。
2. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述第一支撐元件和第二支撐元 件在處理中支撐所述基材，使得所述基材垂直地置于所述殼體的內(nèi)部， 其中所述第一支撐元件和第二支撐元件中的每一個還包括與所述基材邊 緣的一部分接觸的第一支撐部和第二支撐部，所述第一支撐部和第二支 撐部相對于垂直穿過在所述殼體內(nèi)部浸漬的所述基材中央的垂直線兩側(cè) 對稱地配置，其中所述第一支撐元件的所述第一支撐部和第二支撐部之 間的距離不同于所述第二支撐元件的所述第一支撐部和第二支撐部之間 的距離。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述第一支撐部和第二支撐部中 的每一個具有在處理中與所述基材接觸的接觸部，以及其中所述第一支撐部的接觸部的高度與所述第二支撐部的接觸部的高度相同。
4. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述第一支撐元件和第二支撐元 件在處理中支撐所述基材，使得所述基材垂直地置于所述殼體的內(nèi)部， 其中所述第一支撐元件和第二支撐元件中的每一個還包括與所述基材邊 緣的一部分接觸的第一支撐部、第二支撐部和第三支撐部，所述第一支 撐部和第二支撐部配置在所述第三支撐部的兩側(cè)，其中所述第一支撐元 件的所述第一支撐部和第二支撐部之間的距離不同于所述第二支撐元件 的所述第一支撐部和第二支撐部之間的距離。
5. 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述第一支撐部、第二支撐部和 第三支撐部中的每一個具有在處理中與所述基材接觸的接觸部，其中所 述第一支撐部的接觸部的高度與所述第二支撐部的接觸部的高度相同， 以及其中所述第三支撐部的接觸部的高度低于所述第一支撐部和第二支 撐部的接觸部的高度。
6. 如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述第一支撐部和第二支撐部相 對于垂直穿過在處理中于所述殼體內(nèi)部浸漬的所述基材中央的垂直線兩 側(cè)對稱地形成。
7. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中所述第一支撐元件和第二支撐元件在處理中支撐所述基材，使得所述基材垂直地置于所述殼體的內(nèi)部，其中所述第一支撐元件和第二支撐元件中的每一個還包括與所述基材邊緣的一部分接觸的第一支撐部、第二支撐部、第三支撐部和第四支撐部，所述第一支撐部和第二支撐部相對于垂直穿過所述基材中央的垂直線兩側(cè)對稱地配置，所述第三支撐部和第四支撐部相對于垂直穿過所述基材中央的垂直線兩側(cè)對稱地配置并且位于所述第一支撐部和第二支撐部之間，其中所述第一支撐元件的所述第一支撐部和第二支撐部之間的距離不同于所述第二支撐元件的所述第一支撐部和第二支撐部之間的距離， 以及其中所述第一支撐元件的所述第三支撐部和所述第四支撐部之間的距離不同于所述第二支撐元件的所述第三支撐部和所述第四支撐部之間 的距離。
8. 如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述第一支撐部、第二支撐部、 第三支撐部和第四支撐部中的每一個具有在處理中與所述基材接觸的接 觸部，其中所述第一支撐部的接觸部的高度與所述第二支撐部的接觸部 的高度相同，其中所述第三支撐部的接觸部的高度與所述第四支撐部的 接觸部的高度相同，以及其中所述第一支撐部和第二支撐部的接觸部的 高度高于所述第三支撐部和第四支撐部的接觸部的高度。
9. 如權(quán)利要求1~8中任一項所述的設(shè)備，其中所述第一處理槽和所 述第二處理槽鄰近配置。
10. 如權(quán)利要求1~8中任一項所述的設(shè)備，其中所述第一清潔部包 括向所述第一殼體供應(yīng)第一處理液的供應(yīng)管線，以及其中所述第二清潔 部包括向所述第二殼體供應(yīng)不同于所述第一處理液的第二處理液的供應(yīng) 管線。
11. 如權(quán)利要求1~8中任一項所述的設(shè)備，其中所述第一清潔部包 括向所述第一殼體供應(yīng)第一處理液的供應(yīng)管線，以及其中所述第二清潔 部包括向所述第二殼體供應(yīng)所述第一處理液的供應(yīng)管線。
12. —種處理基材的方法，包括在處理槽的處理液中浸漬基材以清潔所述基材，其中至少兩個處理 槽通過支撐浸漬在所述處理液中的基材的不同點來清潔所述基材。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述處理槽包括填充有處理液 的多個殼體和設(shè)于每個殼體中并支撐所述基材的支撐元件，其中通過使 所述各支撐元件的形狀不同而支撐所述基材的不同點。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述支撐元件在處理中支撐所 述基材，使得所述基材垂直地置于所述殼體的內(nèi)部，以及其中通過使各 處理槽中第一支撐部和第二支撐部之間的距離不同而支撐所述基材的不 同點，所述第一支撐部與在穿過浸漬于所述殼體中的基材中央的垂直線 的一側(cè)基材邊緣接觸，所述第二支撐部與在穿過浸漬于所述殼體中的基 材中央的垂直線的另一側(cè)基材邊緣接觸。
15. 如權(quán)利要求12~14中任一項所述的方法，其中至少兩個處理槽 使用不同的處理液清潔所述基材。
16. 如權(quán)利要求12~14中任一項所述的方法，其中至少兩個處理槽使用相同的處理液清潔所述基材。
17.如權(quán)利要求12~15中任一項所述的方法，其中通過將在任一個 處理槽中剛完成清潔處理的基材浸漬在相鄰的另一個處理槽中進行所述 基材的清潔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過在填充有處理液的處理槽中浸漬基材來清潔基材的設(shè)備以及一種使用所述設(shè)備清潔基材的方法。在處理中每個處理槽上設(shè)置的舟形件通過與基材的不同點接觸而支撐基材。由于在各處理槽中每個舟形件所支撐的基材的接觸點不同，從而在任一處理槽中未被清潔的基材的接觸點可以在不同的處理槽中被清潔。因此，清潔處理的效率得以改善。
文檔編號H01L21/306GK101409212SQ20081014889
公開日2009年4月15日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月10日
發(fā)明者安孝俊, 樸貴秀 申請人:細美事有限公司