專利名稱：：薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板和制造該陣列基板的方法。特別是，本發(fā)明涉及能夠提高顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量的薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板和制造該陣列基板的方法。
背景技術(shù)：
：液晶顯示器("LCD")面板包括具有用于驅(qū)動(dòng)像素的轉(zhuǎn)換元件的陣列基板、面對(duì)該陣列基板的相對(duì)基板以及設(shè)置在該陣列M和相對(duì)基板之間的液晶層。LCD面板通過(guò)給液晶層施加電壓來(lái)控制光的透射而顯示圖像。陣列基板包括用作陣列基板的轉(zhuǎn)換元件的薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極電極、源極電極、漏極電極和溝道層。4艮據(jù)溝道層，將薄膜晶體管分為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管或鎘-硒("Cd-Se")薄膜晶體管。通常，薄膜晶體管采用非晶硅作為溝道層。非晶硅的光能帶隙不高于大約1.8eV。因此，當(dāng)薄膜晶體管采用非晶硅作為溝道層時(shí)，非晶硅吸收對(duì)應(yīng)于1.59eV至大約3.26eV能量的具有大約380nm至780nm波長(zhǎng)的可見(jiàn)光而產(chǎn)生漏電流。當(dāng)采用非晶硅的薄膜晶體管被驅(qū)動(dòng)時(shí)，增加懸掛鍵(danglingbonds)的數(shù)目而引起殘留圖像，并且該薄膜晶體管變得不穩(wěn)定。為了解決漏電流的問(wèn)題，已經(jīng)將薄膜晶體管形成為底部柵極交錯(cuò)(staggered)類型。但是，由于光不能被柵極阻擋，因此由光激活的有源層仍然產(chǎn)生漏電流。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明試圖解決上述問(wèn)題，并且本發(fā)明的各方面提供能夠防止漏電流的薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板以及制造該陣列基板的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括半導(dǎo)體圖案、源極和漏極電才及以及柵極電極，半導(dǎo)體圖案形成在基礎(chǔ)基板上，并且包括金屬氧化物，源極和漏極電極形成在半導(dǎo)體圖案上，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓基本上與半導(dǎo)體圖案的輪廓相同，而柵極電極設(shè)置在該源極和漏極電極之間的區(qū)域中，使得部分柵極電極與源4及和漏極電極重疊。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供陣列基板，該陣列基板包括半導(dǎo)體圖案、源極圖案、柵極圖案和像素電極，半導(dǎo)體圖案形成在基礎(chǔ)基板上，并且包括金屬氧化物，源極圖案包括源極電極、漏極電極以及與源極電極電連接的數(shù)據(jù)線。源極和漏極電極形成在半導(dǎo)體圖案上，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓基本上與半導(dǎo)體圖案的輪廓相同。柵極圖案包括柵極電極以及與該柵極電極電連接并在與數(shù)據(jù)線交叉的方向上延伸的4冊(cè)極線。柵極電極被設(shè)置在該源極和漏極電極之間的區(qū)域中，使得部分柵極電極與源極和漏極電極重疊。像素電極被設(shè)置在像素部分中并與該漏極電極電連接。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供制造陣列基板的方法，該方法包括形成氧化物半導(dǎo)體層和1^出基板的源極金屬層；圖案化氧化物半導(dǎo)體層和源極金屬層以分別形成半導(dǎo)體圖案和源極圖案，該源極圖案包括源極電極、漏極電極以及與源極電極電連接的數(shù)據(jù)線；在半導(dǎo)體圖案上形成源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓基本上與半導(dǎo)體圖案的輪廓相同；圖案化形成在其上形成有源極圖案的基礎(chǔ)基板上的4冊(cè)極金屬層，以形成包括柵極電極以及與該柵極電極電連接并在與數(shù)據(jù)線交叉的方向上延伸的柵極線的柵極圖案；以及在1^出基板的像素部分中形成像素電極，使得該像素電極與漏極電極電連接。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供制造陣列基板的方法，該方法包括將基礎(chǔ)基^反上的氧化物半導(dǎo)體層圖案化，以形成半導(dǎo)體圖案；將其上形成有半導(dǎo)體圖案的基礎(chǔ)基板上的源極金屬層圖案化，以形成包括源極和漏極電極以及數(shù)據(jù)線的源極圖案；在半導(dǎo)體圖案上形成源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極與半導(dǎo)體圖案重疊并且彼此空間分離，數(shù)據(jù)線與源極電極電連接；將其上形成有源極圖案的基礎(chǔ)基板上的柵極金屬層圖案化，以形成柵極電極以及與該柵極電極電連接并沿與數(shù)據(jù)線交叉的方向延伸的柵極線；以及在基礎(chǔ)基板的像素部分中形成像素電極。沖根據(jù)該薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板以及制造該陣列基板的方法，半導(dǎo)體圖案包括金屬氧化物圖案。因此，光引起的漏電流被最小化。結(jié)果，提高了薄膜晶體管的特性，并且減少了殘留圖像以提高顯示質(zhì)量，繼之提高了制造工藝的穩(wěn)定性。從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中本發(fā)明的上述及其它的方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，其中圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的一部分的示范性實(shí)施例的設(shè)計(jì)圖；圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖?。粓D3A至3I是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖2中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I，剖??；圖5A和5B是圖解才艮據(jù)本發(fā)明制造圖4中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖6是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取；圖7A至7C是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖6中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖??；圖9A和9B是圖解制造圖8中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I，剖取；圖IIA至IIC是圖解制造圖IO中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I，剖取；圖13是圖解制造圖12中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖14是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取；圖15A至15C是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖14中陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖16是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖?。粓D17是圖解根據(jù)本發(fā)明制造陣列基板的方法的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖18A和18B是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖17中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖；以及圖19A和19B是表示薄膜晶體管的電流-電壓特性的圖線。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖在下文中更全面地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的形式示出，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于此處所述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)更加全面和完整，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。為清楚起見(jiàn)，附圖中放大了層和區(qū)域的尺寸及相對(duì)尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)稱元件或?qū)?在另一個(gè)元件或?qū)由?、"連接到另一個(gè)元件或?qū)?或"與另一個(gè)元件或?qū)舆B接"時(shí)，其可以是直接在其它元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到另一個(gè)元件或?qū)踊蛘咧苯优c其它元件或?qū)舆B接，或者可以存在插入的元件或?qū)印Ｅc此相反，當(dāng)稱元件"直接在另一個(gè)元件或?qū)由?、"直接連接到另一個(gè)元件或?qū)?或"直接與另一個(gè)元件或?qū)舆B接"時(shí)，不存在插入的元件或?qū)印Ｗ允贾两K相似的標(biāo)記表示相似的元件。作為此處使用的術(shù)語(yǔ)"和/或，，包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目的任何及全部組合。應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然此處使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等用于描述不同的元件，部分、區(qū)域、層和/或部件，但是這些元件、部分、區(qū)域、層和/或部件不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)所局限。這些術(shù)語(yǔ)僅僅被用于一個(gè)元件、部分、區(qū)域、層或部件與另一個(gè)區(qū)域、層或部件進(jìn)行區(qū)別。因此，可以將以下討論的第一元件、部分、區(qū)域、層或部件稱為第二元件、部分、區(qū)域、層或部件，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，如"在…之下"，"在…下面"，"下面"，"在…上面"，"上面"等等，在此處可以被用于簡(jiǎn)單地描述附圖中所述的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)包含除附圖中描述的位置之外的其它使用或操作中的裝置的位置。例如，如果反轉(zhuǎn)附圖中的裝置，被描述為"在其它元件或特征下方"或"在其它元件或特征之下，，的元件就將位于"在其它元件或特征上面"。因此，術(shù)語(yǔ)"在…下面"同時(shí)包含在上和在下的位置?？梢砸粤硗獾姆绞蕉ㄎ辉撗b置(旋轉(zhuǎn)90度或在其它位置上)并相應(yīng)地說(shuō)明此處使用的與空間相關(guān)的描述。此處使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定的實(shí)施例并不意味著局限本發(fā)明。作為此處使用的，單數(shù)形式也包括復(fù)數(shù)形式，說(shuō)明書特別指出的除外。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，當(dāng)說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包括有，，時(shí)，表明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或其組成，而不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組成和/或其組合的存在或增加。此處參考作為本發(fā)明理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的截面示意圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以獲得由例如制造技術(shù)和/或公差帶來(lái)的所述形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于此處所述區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造技術(shù)帶來(lái)的不同形狀。例如，稱為矩形的摻雜區(qū)域一般具有圓形或曲線特征和/或邊緣處的摻雜濃度梯度，而不是摻雜到非摻雜區(qū)域的二元變化。同樣，摻雜形成的掩埋區(qū)域在掩埋區(qū)域和進(jìn)行摻雜的表面之間的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生一些摻雜。因此，附圖所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不意味著圖解裝置區(qū)域的實(shí)際形狀，且不意味著局限本發(fā)明的范圍。除非另有限定，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員所公知的相同含義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，文中的含義一致的含義，并且不被理想化或過(guò)度正式意義地解釋，除非此處特別這樣限定。以下，將參考附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。圖1是圖解才艮據(jù)本發(fā)明的陣列基板的一部分的示范性實(shí)施例的設(shè)計(jì)圖。參考圖1，陣列基板包括數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、柵極線GLm和GLm+l、存儲(chǔ)電極STE、作為轉(zhuǎn)換元件的薄膜晶體管TFT和第一像素電極PEl,其中'n，和'm，是整數(shù)。數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l沿基礎(chǔ)基板110(例如，圖2所示)的第一方向Dl延伸，并且沿著與不同于第一方向D1的第二方向D2平行設(shè)置。第一方向Dl和第二方向D2彼此垂直。換句話說(shuō)，第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l沿第一方向Dl延伸，并且第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l沿第二方向D2與第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn平行設(shè)置。柵極線GLm和GLm+l沿基礎(chǔ)基板110的第二方向D2延伸，并且沿著第一方向Dl平行設(shè)置。即，第m個(gè)柵極線GLm和第m+l個(gè)柵極線GLm+l沿第二方向D2延伸，并且第m+l個(gè)柵極線GLm+l沿第一方向Dl與第m個(gè)柵極線GLm平行設(shè)置。柵極線GLm和GLm+l與數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l交叉，由此可以限定第一像素部分P1。根據(jù)本示范性實(shí)施例，第一像素部分Pl包括例如與第m+l個(gè)柵極線GLm+l電連接的存儲(chǔ)電容器。該存儲(chǔ)電容器包括存儲(chǔ)電極STE、第一像素電極PE1和絕緣層(未示出)。存儲(chǔ)電極STE從第m+l個(gè)柵極線GLm+l延伸。第一像素電極PE1和存儲(chǔ)電極STE重疊。絕緣層被設(shè)置在存儲(chǔ)電極STE和第一像素電極PE1之間。根據(jù)本示范性實(shí)施例，薄膜晶體管TFT包括源極電極SE、漏極電極DE和柵極電極GE。根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，源極電極SE與第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn電連接，并且漏極電極DE與源極電極SE空間分離。柵極電極GE與第m個(gè)柵極線GLm電連接，并且與部分源極電極SE和漏極電極DE重疊。在第一像素部分P1中形成第一像素電極PE1，并且將其與該薄膜晶體管TFT電連接。在當(dāng)前實(shí)施例中，第一像素電極PE1通過(guò)接觸孔CNT與漏極電才及DE電連接。圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖1和2，根據(jù)示范性實(shí)施例的陣列基板101包括基礎(chǔ)基板110、第一半導(dǎo)體圖案122a、第二半導(dǎo)體圖案122b、數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、源極電極SE、漏極電極DE、第一絕緣層140、柵極線GLm和GLm+l、柵極電極GE、第二絕緣層160和像素電極PE1、PE2和PE3。在源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和溝道區(qū)域CHA中的基礎(chǔ)基板110上形成第一半導(dǎo)體圖案122a。在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中的&出基板IIO上形成第二半導(dǎo)體圖案122b。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b包括氧化物半導(dǎo)體層。根據(jù)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層可以包括氧化鋅、氧化銦、氧化錫，氧化鎵或氧化鋁。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，該氧化物半導(dǎo)體層可以具有如氧化鋅，氧化銦等的單一氧化物半導(dǎo)體。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，該氧化物半導(dǎo)體層可以包括如鎵銦鋅氧化物("Ga203-In203-ZnO，，)、銦鎵錫氧化物("In2OrGa203-SnO,，)、銦鋅氧化物("In2OrZn203")、鋅鋁氧化物("Zn203-A1203")等混合氧化物半導(dǎo)體。根據(jù)示范性實(shí)施例，該氧化物半導(dǎo)體層還可以包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、4阿(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或妒(Rf)等的金屬氧化物?？梢詥为?dú)或其結(jié)合使用這些金屬氧化物。在第一半導(dǎo)體圖案122a上形成源極和漏極電極SE和DE。源極電極SE與第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn電連接。由源極金'屬層形成源極電極SE和第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn。在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的第二半導(dǎo)體圖案122b上形成第n+1個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l。漏極電極DE與源極電極SE空間分離。漏極電極DE是由源極金屬層形成的。源極和漏極電極SE和DE暴露溝道區(qū)域CHA的第一半導(dǎo)體圖案122a的一部分。根據(jù)示范性實(shí)施例，源極和漏極電極SE和DE與第一半導(dǎo)體圖案122a可以具有基本相同的輪廓。此外，第n+1個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l與第二半導(dǎo)體圖案122b可以具有基本相同的輪廓。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，可以延伸源極和漏極電極SE和DE使其與基礎(chǔ)M110相接觸，覆蓋第一半導(dǎo)體圖案122a的末端部分。即在第一半導(dǎo)體圖案122a和基礎(chǔ)基板110上可以形成源極和漏極電極SE和DE?？梢允÷缘诙雽?dǎo)體圖案122b，使得在基礎(chǔ)基板IIO上直接形成第n+1個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l以使其與h出基板110相接觸。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，源極金屬層可以具有單層結(jié)構(gòu)或至少具有不同物理和化學(xué)特性的兩層金屬層的多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)源極金屬層具有多層結(jié)構(gòu)時(shí)，與第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b相接觸的源極金屬層的金屬層對(duì)應(yīng)于歐姆接觸層。即源極金屬層包括傳輸電信號(hào)的第一金屬層(未示出)，以及設(shè)置在第一金屬層和第一半導(dǎo)體圖案122a之間并對(duì)應(yīng)于歐姆接觸層的第二金屬層(未示出)。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一金屬層包括銀(Ag),而第二金屬層包括鉬(Mo)。在其上形成有數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、源極電極SE和漏極電極DE的基礎(chǔ)基板110上形成第一絕緣層140。第一絕緣層140包括接觸孔CNT的第一孔，其暴露漏極電極DE的一部分。在其上形成有第一絕緣層140的&出基板110上形成柵極電極GE和柵極線GLm和GLm+l。柵極電極GE與第m個(gè)柵極線GLm電連接。由柵極金屬層150(例如，圖3G所示)形成柵極電極GE和柵極線GLm。在溝道區(qū)域CHA的第一絕緣層140上設(shè)置柵極電極GE。柵極電極GE可以從溝道區(qū)域CHA延伸到源極區(qū)域SEA和漏極區(qū)域DEA的一部分以分別與源極電極SE和漏極電極DE重疊。柵極金屬層150可以具有單層結(jié)構(gòu)或至少具有不同物理和化學(xué)特性的兩層金屬層的多層結(jié)構(gòu)。第二絕緣層160覆蓋具有薄膜晶體管TFT的基礎(chǔ)基板110。根據(jù)示范性實(shí)施例，在柵極線GLm和GLm+l、柵極電極GE、像素部分P1、P2和P3以及數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的第一絕緣層140上形成第二絕緣層160。第二絕緣層160包括接觸孔CNT的第二孔，其對(duì)應(yīng)于第一絕緣層140的第一孔，以便暴露漏極電極DE的部分。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，在具有片冊(cè)極電極GE和柵極線GLm和GLm+l的基礎(chǔ)基板110上可以形成有機(jī)層(未示出)，以使其與4冊(cè)極電極GE和柵極線GLm和GLm+1,以代替第二絕緣層160。在基礎(chǔ)基板110的像素P1、P2和P3中分別形成像素電極PE1、PE2和PE3。根據(jù)示范性實(shí)施例，在&出基板110的第一像素部分P1上形成第一像素電極PEl,并使其與第一像素部分P1中的薄膜晶體管TFT電連接。在與第一像素部分Pl相鄰的第二像素部分P2中形成第二像素電極PE2。特別地，在第一和第二像素部分Pl和P2之間設(shè)置第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l。在基礎(chǔ)基板110的第三像素部分P3中形成第三像素電極PE3。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3可以具有用于控制液晶分子的圖案。圖3A至3I是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖2中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。參考圖3A,在基礎(chǔ)基板110上依次形成氧化物半導(dǎo)體層120和源極金屬層130?；A(chǔ)基板110包括傳輸光的光學(xué)透明材料。根據(jù)示范性實(shí)施例，基礎(chǔ)基板110包括如玻璃、鈉長(zhǎng)石(sodalime)、塑料等材料。根據(jù)示范性實(shí)施例，例如，可以通過(guò)濺射法在基礎(chǔ)基板110上形成氧化物半導(dǎo)體層120。在其上形成有氧化物半導(dǎo)體層120的&出基板110上形成源極金屬層130。例如，可以通過(guò)濺射法在氧化物半導(dǎo)體層120上形成源極金屬層130。根據(jù)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120可以包括例如氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鎵或氧化鋁。氧化物半導(dǎo)體層120可以具有如氧化鋅、氧化銦等單一氧化物半導(dǎo)體。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120可以包括例如鎵銦鋅氧化物("Ga2OrIn2OrZnO")、銦鎵錫氧化物("In2OrGa2OrSnO，,)、銦鋅氧化物("In2OrZn203，，)、鋅鋁氧化物("Zn203-A1203")等混合氧化物半導(dǎo)體。根據(jù)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120還可以包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈳(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或妒(Rf)等的金屬氧化物。這些可以單獨(dú)或其結(jié)合使用。根據(jù)示范性實(shí)施例，源才及金屬層130具有單層結(jié)構(gòu)或至少具有不同物理和化學(xué)特性的兩層金屬層的多層結(jié)構(gòu)。源極金屬層130可以包括例如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、釹(Nb)、鉻(Cr)、銀(Ag)等。這些可以單獨(dú)或其結(jié)合使用。在其上形成有氧化物半導(dǎo)體層120和源極金屬層130的基礎(chǔ)基板110上形成第一光致抗蝕劑膜PR1。例如，第一光致抗蝕劑膜PR1包括負(fù)性光致抗蝕劑材料，其暴露的區(qū)域被固化以保留而未暴露的區(qū)域通過(guò)顯影溶液被去除。可以通過(guò)例如旋涂法或狹縫涂布法在源極金屬層130上形成第一光致抗蝕劑膜PRl。參考圖3B,將第一掩才莫MASK1設(shè)置在其上形成有第一光致抗蝕劑膜PR1的基礎(chǔ)基板110上，接著通過(guò)第一掩模MASK1在其上形成有光致抗蝕劑膜PR1的基礎(chǔ)基板IIO上方輻射光。接著，通過(guò)顯影溶液去除沒(méi)有曝光并且沒(méi)有被固化的光致抗蝕劑膜PR1的部分，以便在源極金屬層130上形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。第一光致抗蝕劑圖案PRP1包括第一厚度部分TH1和第二厚度部分TH2。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一掩模MASK1可以是具有衍射部分14的縫隙掩模。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，第一掩模MASK1可以是具有半透射部分的半色調(diào)掩模。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一掩模MASK1包括開(kāi)口部分1、衍射部分14和光阻塞部分16。設(shè)置第一掩模MASK1使得開(kāi)口部分12對(duì)應(yīng)于基礎(chǔ)基板110的源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA。對(duì)應(yīng)于開(kāi)口部分12的第一光致抗蝕劑膜PR1被固化，以形成保留在源極金屬層130上的第一厚度部分TH1。第一厚度部分TH1包括第一厚度tl。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一厚度tl可以基本上與第一光致抗蝕劑圖案PRP1的厚度相同。設(shè)置第一掩模MASK1使得衍射部分14對(duì)應(yīng)于1^出基板110的溝道區(qū)域CHA。對(duì)應(yīng)于衍射部分14的第一光致抗蝕劑膜PR1形成包括第二厚度t2的第二厚度部分TH2。第二厚度t2小于第一厚度tl。第一掩模MASK1的光阻塞部分16對(duì)應(yīng)于除了源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA、數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA和溝道區(qū)域CHA以外的區(qū)域。根據(jù)示范性實(shí)施例，光阻塞部分16對(duì)應(yīng)于第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3。通過(guò)顯影溶液去除對(duì)應(yīng)于光阻塞部分16的第一光致抗蝕劑膜PR1，以暴露源極金屬層130。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，第一光致抗蝕劑膜PR1可以包括正性光致抗蝕劑材料。通過(guò)顯影溶液去除包括正性光致抗蝕劑材料的光致抗蝕劑膜PR1的曝光的第一部分，并固化未曝光的光致抗蝕劑膜PR1的第二部分以保留。因此，當(dāng)?shù)谝还庵驴刮g劑膜PR1包括正性光致抗蝕劑材料時(shí)，開(kāi)口部分12和光阻塞部分16的位置是相反的。參考圖3C,采用第一光致抗蝕劑膜PR1為掩模來(lái)刻蝕源極金屬層130以形成源極保留圖案132。在源極區(qū)域SEA、溝道區(qū)域CHA和漏極區(qū)域DEA的氧化物半導(dǎo)體層120上形成源極保留圖案132。源極保留圖案132可以與第n個(gè)數(shù)據(jù)線(未示出)電連接。在基礎(chǔ)基板110的數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中形成與第n個(gè)數(shù)據(jù)線基本平行的第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l。根據(jù)示范性實(shí)施例，可以通過(guò)采用第一刻蝕溶液的濕刻蝕法將源極金屬層130圖案化。當(dāng)源極金屬層130包括銅(Cu)時(shí)，第一刻蝕溶液可以是過(guò)氧化氫("H202，，)基。第一刻蝕溶液還可以包括氫氟酸("HF-d(H20)，，，0<d<l)。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，第一刻蝕溶液可以包括占容積大約10%到大約20%的過(guò)氧化氫("H202")，以及占容積大約0.01%到大約0.5%的氫氟酸("HF-d(H20)",0<d<l)。換句話說(shuō)，大約1000ml的第一刻蝕溶液可以包括大約100ml到大約200ml的過(guò)氧化氬("H202")和大約O.lml到大約5ml的氫氟酸("HF-d(H20)，，，0<d<l)。第一刻蝕溶液以大約60A/sec的刻蝕率刻蝕源極金屬層130,并且第一刻蝕溶液以大約0.17A/sec的刻蝕率刻蝕氧化物半導(dǎo)體層120。因此，即使用第一刻蝕溶液作用于源極金屬層130，也不會(huì)損壞氧化物半導(dǎo)體層120。參考圖3D，采用第一光致抗蝕劑圖案PRP1、源極保留圖案132和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l為掩?？涛g氧化物半導(dǎo)體層120。保留在基礎(chǔ)基板110上的氧化物半導(dǎo)體層120形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b。根據(jù)示范性實(shí)施例，在源極區(qū)域SEA、溝道區(qū)域CHA和漏極區(qū)域DEA中形成第一半導(dǎo)體圖案122aJ吏得第一半導(dǎo)體圖案122a與源極保留圖案132具有基本相同的輪廓。在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中形成第二半導(dǎo)體圖案122b，使得第二半導(dǎo)體圖案122b與第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l具有基本相同的輪廓?？梢酝ㄟ^(guò)采用第二刻蝕溶液的濕刻蝕法形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b。第二刻蝕溶液包括鹽酸(HC1)、醋酸("CH3COOH")、硝酸("HN03，，)和硫酸("H2S04，，)。第二刻蝕溶液還可以包括氫氟酸("HF-d(H20)，，，0<d<l)。例如，第二刻蝕溶液包括占容積大約0.1%到大約10%的鹽酸(HC1)、占容積大約0.1%到大約10%的醋酸("CH3COOH")、占容積大約0.1%到大約10%的硝酸("HN03")和占容積大約1%到大約30%的硫酸(H2S04)。換句話說(shuō)，大約1000ml的第二刻蝕溶液可以包括大約lml到大約100ml的鹽酸(HC1)、大約lml到大約100ml的醋酸("CH3COOH")、大約lml到大約勵(lì)ml的硝酸("HN03")和大約10ml到大約300ml的硫酸("H2S04")。第二刻蝕溶液以不小于大約7A/sec的刻蝕率刻蝕氧化物半導(dǎo)體層120,并且第二刻蝕溶液以不大于大約0.5A/sec的刻蝕率刻蝕源極金屬層130。因此，即使用第二刻蝕溶液形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b,也不會(huì)損壞源極保留圖案132和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l。作為選擇，通過(guò)干刻蝕工藝可以將氧化物半導(dǎo)體層120圖案化，以形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b。用于干刻蝕工藝的氣體可以包括曱烷氣體(CH4)、氬氣(Ar)和三氟代曱烷(CHF3)。參考圖3E,去除第一光致抗蝕劑圖案PRP1的第二厚度部分TH2，以形成第一保留圖案R-PRP1。在源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中形成第一保留圖案R-PRP1。當(dāng)去除第二厚度部分TH2時(shí)，溝道區(qū)域CHA的源極保留圖案132被暴露?？梢酝ㄟ^(guò)用氧等離子體灰化第一光致抗蝕劑圖案PRP1來(lái)形成第一保留圖案R-PRP1。第一保留圖案R-PRP1保留在源極保留圖案132上，并且包括第三厚度t3。第一保留圖案R-PRP1的第三厚度t3基本上可以與第一和第二厚度tl和t2之間的差相同。參考圖3F，采用第一保留圖案P-PRP1去除源極保留圖案132的一部分。結(jié)果，在源極區(qū)域SEA的第一半導(dǎo)體圖案122a上形成源極電極SE。在漏極區(qū)域DEA的第一半導(dǎo)體圖案122a上形成漏極電極DE。源極和漏極電極SE和DE通過(guò)溝道區(qū)域CHA彼此空間分離。第一半導(dǎo)體圖案122a被暴露在源極和漏極電極SE和DE之間。通過(guò)采用第一刻蝕溶液，可以去除溝道區(qū)域CHA的源極保留圖案132。通過(guò)作為掩模的氧化物半導(dǎo)體層120和源極金屬層130，可以將第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b圖案化，并且可以將凄t據(jù)線DLn+l和包括源極電極SE和漏極電極DE的源極圖案圖案化。參考圖3G,在其上形成有包括源極電極SE、漏極電極DE和數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第一絕緣層140。第一絕緣層140包括例如有機(jī)材料、硅氮化物("SiNx"，0<x<l)、硅氧化物("SiOx"，0<x<l)或硅氮氧化物("SiOxNG-x/，，0<x<l)。在其上形成有第一絕緣層140的基礎(chǔ)基板110上形成4冊(cè)極金屬層150。根據(jù)示范性實(shí)施例，通過(guò)濺射法在第一絕緣層140上形成柵極金屬層150。柵極金屬層150可以具有不少于兩個(gè)的具有不同物理和化學(xué)特性的層。柵極金屬層150包括例如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鴒(W)、釹(Nb)、鉻(Cr)、銀(Ag)等。這些可以單獨(dú)或其結(jié)合使用。在其上形成有柵極金屬層150的基礎(chǔ)板110上形成第二光致抗蝕劑膜(未示出)。根據(jù)示范性實(shí)施例，可以通過(guò)旋涂法或狹縫涂布法在柵極金屬層150上形成第二光致抗蝕劑膜。第二光致抗蝕劑膜可以包括陰性光致抗蝕劑材料。當(dāng)在柵才及金屬層150上形成第二光致抗蝕劑膜時(shí)，在基礎(chǔ)基板110上方設(shè)置第二掩模MASK2。第二掩模MASK2包括開(kāi)口部分22和光阻塞部分24。當(dāng)通過(guò)第二掩模MASK2在第二光致抗蝕劑膜上輻射光，并且通過(guò)顯影溶液去除未固化的部分時(shí)，形成第二光致抗蝕劑圖案PRP2。在溝道區(qū)域CHA的柵極金屬層150和從溝道區(qū)域CHA向源極和漏極區(qū)域SEA和DEA延伸的區(qū)域上形成第二光致抗蝕劑圖案PRP2。參考圖3H,采用第二光致抗蝕劑圖案PRP2作為掩模將柵極金屬層150圖案化，以形成包括柵極電極GE和柵極線(未示出)的柵極圖案。在溝道區(qū)域CHA的第一絕緣層140上形成柵極電極GE，使得柵極電極GE與源極和漏極電極SE和DE重疊。柵極電極GE與柵極線中的一個(gè)電連接。在其上形成有包括柵極電極GE和柵極線的柵極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第二絕緣層160。第二絕緣層160與柵極電極GE和柵極線相接觸。第二絕緣層160還與第一、第二和第三像素部分P、P2和P3的第一絕緣層140相接觸。第二絕緣層160包括例如有機(jī)材料、硅氮化物("SiNx"，0<x<l)、硅氧化物("SiOx，，，0<x<l)或硅氮氧化物("SiOxN(1-x)，，,0<x<l)。參考圖31，形成暴露一部分漏極電極DE的接觸孔CNT。通過(guò)用傳統(tǒng)的光刻方法刻蝕第一和第二絕緣層140和160來(lái)形成接觸孔CNT?？梢杂脷怏w干刻蝕第一和第二絕緣層140和160。根據(jù)示范性實(shí)施例，在具有接觸孔CNT的基礎(chǔ)基板110上形成透明導(dǎo)電層TE。例如，可以通過(guò)濺射法在第二絕緣層160上形成透明導(dǎo)電層TE。透明導(dǎo)電層TE包括例如銦鋅氧化物("IZO")、銦錫氧化錫("ITO")等。透明導(dǎo)電層TE通過(guò)接觸孔CNT與漏極電極電連接。當(dāng)通過(guò)傳統(tǒng)的光刻工藝將透明導(dǎo)電層TE圖案化時(shí)，形成了第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3可以具有用于控制液晶分子的圖案(未示出)。圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖1和4，根據(jù)示范性實(shí)施例的陣列基板102包括^5出基板110、第一半導(dǎo)體圖案122a、第二半導(dǎo)體圖案122b、數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、源極電極SE、漏極電極DE、第一絕緣層140、柵極線GLm和GLm+l、柵極電極GE、第二絕緣層160、有機(jī)層170和像素電極PE1、PE2和PE3。除了有機(jī)層170外，陣列基板102基本上與圖2所示相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖2所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步的說(shuō)明。在源才及區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和溝道區(qū)域CHA中的&出基板110上形成第一半導(dǎo)體圖案122a。第一半導(dǎo)體圖案122a包括氧化物半導(dǎo)體層。根據(jù)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層可以包括氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鎵或氧化鋁。氧化物半導(dǎo)體層可以具有如氧化鋅、氧化銦等單一氧化物半導(dǎo)體。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層可以包括例如鎵銦鋅氧化物("Ga2OrIn2OrZnO")、銦鎵錫氧化物("In2OrGa2OrSnO")、銦鋅氧化物("In2OrZn203，，)、鋅鋁氧化物("Zn2OrA1203，，)等混合氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體層還可以包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、鈞(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、布乙(Y)、鑭(La)、鄰了(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或妒(Rf)等的金屬氧化物。這些可以單獨(dú)或其結(jié)合使用。在第二絕緣層160上形成有機(jī)層170。例如，在設(shè)置在柵極電極GE和柵極線GLm和GLm+l上的第二絕緣層160上形成有機(jī)層170?？梢栽诘谝弧⒌诙偷谌袼豍1，P2和P3以及數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的第二絕緣層160上形成有機(jī)層170。有機(jī)層170比其它層相對(duì)更厚以將陣列M102的表面平坦化。在有機(jī)層170上形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。第一像素電極PE1通過(guò)接觸孔CNT與漏極電極DE電連接，使得第一像素電極與薄膜晶體管TFT電連接。圖5A和5B是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖4中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。除了有機(jī)層170外，圖5A中的制造陣列基板的方法基本上與圖3A至3H中的方法相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖3A至3H所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。參考圖5A，在基礎(chǔ)M110上形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b，以及包括源極電極SE、漏極電極DE和第n+1個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案。在其上形成有第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b以及源極圖案的l^出基板110上形成第一絕緣層140和包括柵極電極GE的柵極圖案。在其上形成有柵極圖案的基礎(chǔ)基板上形成第二絕緣層160。在其上形成有第二絕緣層160的基礎(chǔ)基板IIO上形成有機(jī)層170。根據(jù)示范性實(shí)施例，有機(jī)層170包括感光有機(jī)材料。參考圖5B,刻蝕漏極電極DE上方的有機(jī)層170、第二絕緣層160和第一絕緣層140的部分，以形成暴露一部分漏極電極DE的接觸孔CNT。根據(jù)示范性實(shí)施例，采用傳統(tǒng)的光刻方法將有機(jī)層170圖案化，并且采用圖案化的有機(jī)層170作為掩模來(lái)干燥刻蝕第二和第一絕緣層160和140。接著，在具有接觸孔CNT的基礎(chǔ)基板110上形成透明導(dǎo)電層TE。透明導(dǎo)電層TE通過(guò)接觸孔CNT與漏極電極電連接。當(dāng)通過(guò)傳統(tǒng)的光刻工藝將透明導(dǎo)電層TE圖案化時(shí)，形成了第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。雖然圖4、5A和5B中沒(méi)有示出，但是根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，可以省略第二絕緣層160,并且有機(jī)層170可以與柵極電極GE、柵極線GLm和GLm+l以及第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的第一絕緣層140相接觸。圖6是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖6，除了第一，第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3外，當(dāng)前示范性實(shí)施例的陣列基板103與圖2所示的示范性實(shí)施例相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖2所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在第二絕緣層160上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1，CF2和CF3。第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3覆蓋其上形成有薄膜晶體管TFT的基礎(chǔ)基板llO。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3比其它層相對(duì)更厚，因此將陣列基板103的表面平坦化。在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3中分別形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。即在第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1，在第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2,而在第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，第一色彩濾光片CF1對(duì)應(yīng)于紅色彩濾光片，第二色彩濾光片CF2對(duì)應(yīng)于綠色彩濾光片，而第三色彩濾光片CF3對(duì)應(yīng)于藍(lán)色彩濾光片。根據(jù)示范性實(shí)施例，彼此具有不同顏色的第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3可以重疊在薄膜晶體管TFT和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l上。例如，在薄膜晶體管TFT上方可以依次形成第一和第二色彩濾光片CF1和CF2。在第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l上方可以依次形成第一和第三色彩濾光片CF1和CF3。可以根據(jù)形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的順序改變第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的結(jié)構(gòu)。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，在對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA和薄膜晶體管TFT的第二絕緣層160上可以形成光阻塞圖案(未示出)。在對(duì)應(yīng)于柵極線GLm和GLm+l的第二絕緣層160上可以形成光阻塞圖案。在兩個(gè)第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3之間的邊界上形成光阻塞圖案以限定第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3。光阻塞圖案阻止光朝向薄膜晶體管TFT輻射。在第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3上分別形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。即在第一像素P1的第一色彩濾光片CF1上形成第一像素電極PE1，并且將其與第一像素Pl的薄膜晶體管TFT電連接。在第二像素P2的第二色彩濾光片CF2上形成第二像素電極PE2，并且在第三像素P3的第三色彩濾光片CF3上形成第三像素電極PE3。圖7A至7C是圖解制造圖6中的陣列基板的方法的截面圖。除了第二絕緣層160的第一孔162、第一絕緣層140的第二孔142和第一彩色光層CPR1外，圖7A中的制造陣列基板的方法基本上與圖3A至3H中的方法相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖3A至3H所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步的說(shuō)明。參考圖7A，以光刻方法，通過(guò)第二絕緣層160和第一絕緣層140分別形成第一孔162和第二孔142。因此，通過(guò)第一和第二孔162和142暴露一部分漏才及電才及DE。在具有包括第一孔162的第二絕緣層160的基礎(chǔ)基板110上形成第一彩色光層CPR1。接著，將第一彩色光層CPR1圖案化，以在第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一彩色光層CPR1包括陰性光致抗蝕劑材料，包括第一彩色素。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一色彩是紅色。此外，通過(guò)旋涂法或狹縫涂布法，在具有第二絕緣層160的基礎(chǔ)基板110上形成第一彩色光層CPR1。接著，根據(jù)示范性實(shí)施例，在其上形成有第一彩色光層CPR1的基礎(chǔ)基板110上方設(shè)置第三掩模MASK3,并且在第一彩色光層CPR1上輻射光。接著，用顯影溶液將第一彩色光層CPR1圖案化。第三掩模MASK3包括對(duì)應(yīng)于第一像素部分P1的開(kāi)口部分32,以及對(duì)應(yīng)于第二和第三像素部分P2和P3、數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA和一部分漏極電極DE的光阻塞部分34。第三掩模MASK3設(shè)置為使得對(duì)應(yīng)于漏極電極DE的末端部分的光阻塞部分34對(duì)應(yīng)于第一和第二孔162和142。參考圖7B，將對(duì)應(yīng)于開(kāi)口部分32的第一彩色光層(colorphotolayer)CPR1的第一部分固化以保留，并且通過(guò)顯影溶液將對(duì)應(yīng)于光阻塞部分34的第一彩色光層CPR1的第二部分去除。結(jié)果，在第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1。根據(jù)示范性實(shí)施例，第一色彩濾光片CF1包括對(duì)應(yīng)于第一和第二孔162和142的第三孔H1。因此，通過(guò)第一色彩濾光片CF1的第三孔H1、第二絕緣層160的第一孔162和第一絕緣層140的第二孔142暴露部分漏極電極DE1。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，可以通過(guò)第三掩模MASK3形成第二絕緣層160的第一孔162和第一絕緣層140的第二孔142。特別地，當(dāng)在其上形成有柵極電極GE的基礎(chǔ)M上依次形成第二絕緣層160和第一彩色光層CPR1時(shí)，暴露并顯影第一彩色光層CPR1以形成具有第三孔Hl的第一色彩濾光片CF1。接著，釆用第一色彩濾光片CF1作為掩模來(lái)刻蝕第二絕緣層160和第一絕緣層140,以暴露部分漏極電極DE。接著，例如，通過(guò)旋涂法或狹縫涂布法在其上形成有第一色彩濾光片CF1的基礎(chǔ)基板110上形成第二彩色光層(未示出)。接著，在其上形成有第二彩色光層的1^出基板110上方設(shè)置第三掩模MASK3，并且在第二彩色光層上輻射光。接著，用顯影溶液將第二彩色光層圖案化，以形成第二色彩濾光片CF2。在第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2。第一和第二色彩濾光片CF1和CF2依次堆疊在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA上。參考圖7C，在其上形成有第一和第二色彩濾光片CF1和CF2的基礎(chǔ)基板110的第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，可以通過(guò)噴墨印刷法形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。例如，將第一彩色墨水噴射在基礎(chǔ)基板110的第一像素部分P1上以形成第一色彩濾光片CF1,將第二彩色墨水噴射在基礎(chǔ)141110的第二像素部分P2上以形成第二色彩濾光片CF2,而將第三彩色墨水噴射在勤出基板110的第三像素部分P3上以形成第三色彩濾光片CF3。例如，第一、第二和第三彩色墨水包括分別包括第一、第二和第三色素的有機(jī)材料。接著，在其上形成有第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110上形成透明導(dǎo)電層TE。例如，可以通過(guò)濺射法在基礎(chǔ)基板110上形成透明導(dǎo)電層TE。透明導(dǎo)電層TE與通過(guò)第一色彩濾光片CF1的第三孔Hl、第二絕緣層160的第一孔162和第一絕緣層140的第二孔142而暴露的漏極電極DE電連接。通過(guò)傳統(tǒng)的光刻方法將透明導(dǎo)電層TE圖案化，以形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖1和8，除了第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3及有機(jī)層170外，本實(shí)施例的陣列基板104與圖2所示的實(shí)施例相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖2所示那些相同或相似的部分，并省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在第二絕緣層160上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3覆蓋其上形成有薄膜晶體管TFT的基礎(chǔ)基板110。在第一像素部分Pl中形成第一色彩濾光片CF1，在第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2，而在第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。彼此具有不同顏色的第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3可以重疊在薄膜晶體管TFT和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l上。根據(jù)示范性實(shí)施例，在薄膜晶體管TFT上方可以依次形成第一和第二色彩濾光片CF1和CF2。在第n+l個(gè)凄t據(jù)線DLn+l上方可以依次形成第一和第三色彩濾光片CF1和CF3?？梢圆鹏迵?jù)形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的順序改變第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的結(jié)構(gòu)。在其上形成有第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110上形成有機(jī)層170。有機(jī)層170可以具有比其它層相對(duì)更厚的厚度，以將陣列基板104的表面平坦化。根據(jù)示范性實(shí)施例，在有機(jī)層170上形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。具體地講，分別在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3中的有機(jī)層170上形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。即在第一像素部分P1中形成第一像素電極PEl,在第二像素部分P2中形成第二像素電極PE2，而在第三像素部分P3中形成第三像素電極PE3。第一像素電極PE1通過(guò)接觸孔CNT與第一像素部分P1的薄膜晶體管TFT電連接。通過(guò)去除第一絕緣層140、第二絕緣層160、第一色彩濾光片CF1和有機(jī)層170的一部分來(lái)形成接觸孔CNT，接觸孔CNT被設(shè)置在漏極電極DE上方。圖9A和9B是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖8中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。除了有機(jī)層170外，圖9A中的制造陣列基板的方法基本與圖7A和7B中的方法相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖7A和7B所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。參考圖9A，在勤出基板IIO上形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b以及包括源極電極SE、漏極電極DE和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案。在其上形成有第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b以及源極圖案的&出基板110上形成第一絕緣層140和包括柵極電極GE的柵極圖案。在其上形成有柵極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第二絕緣層160。在第二絕緣層160上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3，并且在其上形成有第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板UO上形成有機(jī)層170。參考圖9B，去除設(shè)置在漏極電極DE上方的一部分有機(jī)層170以形成接觸孔CNT。在具有帶接觸孔CNT的有機(jī)層170的基礎(chǔ)基板110上形成透明導(dǎo)電層TE。透明導(dǎo)電層TE通過(guò)接觸孔CNT與漏極電極DE電連接。將透明導(dǎo)電層TE圖案化，以形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I，剖取。參考圖I和IO,除了光阻塞圖案BM和蓋層180外，當(dāng)前實(shí)施例的陣列基板105與圖6所示的實(shí)施例相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖6所示那些相同或相似的部分，并且省略任^T關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、柵極線GLm和GLm+l和薄膜晶體管TFT的第二絕緣層160上形成光阻塞圖案BM。光阻塞圖案BM包括例如有機(jī)材料。在其上形成有第二絕緣層160的基礎(chǔ)基板110上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。分別在第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1,在第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2，并且在第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3可以具有比其它層相對(duì)更厚的厚度，以將陣列基板105的表面平坦化。在其上形成有光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110上形成蓋層180。蓋層180覆蓋光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。蓋層180防止從光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3釋放的雜質(zhì)和氣體損壞第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。圖IIA至IIC是圖解根據(jù)本發(fā)明制造圖10中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。除了第二絕緣層160的第一孔162、第一絕緣層140的第二孔142和光阻塞圖案BM外，圖11A中的制造陣列基板的方法基本上與圖3A和3B中的方法相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖3A和3B所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在基礎(chǔ)基板110上形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b，以及包括源極電極SE、漏極電極DE和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案。在其上形成有第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b和源極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第一絕緣層140和包括柵極電極GE的柵極圖案。在其上形成有柵極圖案的J^出基板110上形成第二絕緣層160。分別通過(guò)第二和第一絕緣層160和140形成第一和第二孔162和142。接著，通過(guò)第一和第二孔162和142暴露一部分漏極電極DE。當(dāng)形成第一和第二孔162和142時(shí)，在基礎(chǔ)基板110上形成光阻塞圖案BM。在柵極電極GE上方和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中的第二絕緣層160上形成光阻塞圖案BM。根據(jù)示范性實(shí)施例，在其上形成有第二絕緣層160的^5出基板110上涂敷有機(jī)材料以形成黑色矩陣層(未示出)，并且通過(guò)光刻方法將黑色矩陣層圖案化以形成光阻塞圖案BM。作為選擇，通過(guò)濺射法，在其上形成有第二絕緣層160的&出基板110上形成金屬層(未示出)，并且可以將金屬層圖案化以形成光阻塞圖案BM。作為選擇，才艮據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，可以通過(guò)噴墨印刷法形成光阻塞圖案BM。參考圖UB，在其上形成有光阻塞圖案BM的差J出基^反110的第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1。第一色彩濾光片CF1包括對(duì)應(yīng)于第一和第二孔162和142的第三孔H1?？梢酝ㄟ^(guò)用光刻工藝，將形成在其上形成有光阻塞圖案BM的&出基板110上的第一彩色光層(未示出)圖案化來(lái)形成第一色彩濾光片CF1?？梢酝ㄟ^(guò)光刻工藝形成第一色彩濾光片CF1的第三孔Hl。在其上形成有第一色彩濾光片CF1的基礎(chǔ)基板110的第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2，而在其上形成有第一和第二色彩濾光片CF1和CF2的基礎(chǔ)基板110的第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。例如，可以通過(guò)用光刻方法將彩色光層圖案化來(lái)形成第二和第三色彩濾光片CF2和CF3。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，通過(guò)噴墨印刷法形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。雖然圖IIB中沒(méi)有示出，但是根據(jù)示范性實(shí)施例，可以省略光阻塞圖案BM，并且具有不同色彩的第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3可以在柵極電極GE上方和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中的第二絕緣層160上彼此重疊。例如，第一和第三色彩濾光片CF1和CF3可以在柵極電極GE上方的第二絕緣層160上彼此重疊。在其上形成有光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110上形成蓋層180。才艮據(jù)示范性實(shí)施例，蓋層180包括硅氮化物("SiNx，，，0<x<l)、硅氧化物("SiOx"，0<x<l)或硅氮氧化物("SiOxN("x)"，0<x<l)。參考圖11C,刻蝕漏極電極DE部分上方的一部分蓋層180以形成第四孔H2。第四孔H2對(duì)應(yīng)于第一色彩濾光片CF1的第三孔H1。接著，通過(guò)第四、第三、第二和第一孔H2、Hl、142和162暴露漏極電極DE。在具有帶第四孔H2的蓋層180的&出基板110上形成透明導(dǎo)電層(未示出)。通過(guò)光刻方法將透明導(dǎo)電層圖案化，以形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。在基礎(chǔ)基板110的第一像素部分P1中形成第一像素電極PEl,并使其與漏極電極DE電連接。圖12是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I，剖取。參考圖12，除了縱向間隔CS夕卜，當(dāng)前實(shí)施例的陣列基板106與圖10所示的實(shí)施例相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖IO所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在薄膜晶體管TFT上方的蓋層180上可以形成縱向間隔CS。例如，在柵極電極GE上方的光阻塞圖案BM上可以形成縱向間隔CS。圖13是圖解制造圖12中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。除了光層(photolayer)190外，圖13中的制造陣列基板的方法基本上與圖IIA和11C中的方法相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖IIA和IIC所示那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。參考圖13,在其上形成有第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3的基礎(chǔ)基板110上形成光層190。根據(jù)示范性實(shí)施例，光層190包括感光有機(jī)材料。當(dāng)在其上形成有光層190的基礎(chǔ)基板110上方設(shè)置第四掩模MASK4時(shí)，曝光并顯影光層190以圖案化，從而形成縱向間隔CS?？v向間隔CS保持陣列基板和與陣列基板空間分離的相對(duì)基板之間的單位間隙。第四掩模MASK4包括光阻塞部分42和開(kāi)口部分44。第四掩模MASK4可以設(shè)置為使得光阻塞部分42對(duì)應(yīng)于柵極電極GE上方的光阻塞圖案BM。圖14是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列M的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖14，根據(jù)示范性實(shí)施例的陣列基板107包括勤出基板110、第一色彩濾光片CF1、第二色彩濾光片CF2、第三色彩濾光片CF3、光阻塞圖案BM、蓋層OC、第一半導(dǎo)體圖案122a、第二半導(dǎo)體圖案122b、源極電極SE、漏極電極DE、數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l、第一絕緣層140、柵極電極GE、柵極線GLm和GLm+l、第二絕緣層160和像素電極PE1、PE2和PE3。根據(jù)示范性實(shí)施例，在基礎(chǔ)基板110上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3，使得第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3與基礎(chǔ)基板110相接觸。分別在基礎(chǔ)基板110的第一、第二和第三像素部分Pl、P2和P3中形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。即分別在第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1，在第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2，并且在第三像素部分P3中形成第三色彩濾光片CF3。根據(jù)示范性實(shí)施例，在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3、源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和溝道區(qū)域CHA的邊界區(qū)域中可以形成光阻塞圖案BM。第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的邊界區(qū)域可以是例如柵極線區(qū)域(未示出)或數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA。在其上形成有第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3和光阻塞圖案BM的^5出基板110上形成蓋層OC。蓋層OC覆蓋第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3和光阻塞圖案BM,并且減小第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3與光阻塞圖案BM之間的高度差。在源極區(qū)域SEA、溝道區(qū)域CHA和漏極區(qū)域DEA的蓋層OC上形成第一半導(dǎo)體圖案122a。在基礎(chǔ)基板110的數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的蓋層OC上形成第二半導(dǎo)體圖案122b。根據(jù)示范性實(shí)施例，第二半導(dǎo)體圖案122b是可選擇的。在源極區(qū)域SEA的第一半導(dǎo)體圖案122a上形成源極電極SE，使得源極電極SE與第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn電連接。通過(guò)溝道區(qū)域CHA使源極電極SE和漏極電極DE空間分離，以設(shè)置在漏極區(qū)域DEA中的第一半導(dǎo)體圖案122a上方。第n+1個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+1被設(shè)置為與數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中的第n個(gè)數(shù)據(jù)線DLn基本平行。在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中的第二半導(dǎo)體圖案122b上設(shè)置第n+1個(gè)lt據(jù)線DLn+1。第一絕緣層140覆蓋源極電極SE、漏極電極DE和數(shù)據(jù)線DLn和DLn+l，并且與第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的蓋層OC相接觸。第一絕緣層140包括暴露一部分漏極電極DE的接觸孔CNT的第二孔142。在第一絕緣層140上形成柵極電極GE和柵極線GLm和GLm+l。柵極電極GE與柵極線GLm電連接。在溝道區(qū)域CHA中設(shè)置柵極電極GE。柵極電極GE可以從溝道區(qū)域CHA延伸到源極區(qū)域SEA和漏極區(qū)域DEA的一部分，以分別與源極電極SE和漏極電極DE重疊。第二絕緣層160覆蓋柵極電極GE和柵極線GLm和GLm+l，并且與第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的第一絕緣層140相接觸。第二絕緣層160包括與第一絕緣層140的第二孔142相對(duì)應(yīng)的接觸孔CNT的第一孔162，以便暴露一部分漏極電極DE。雖然圖14中沒(méi)有示出，但是可以在第二絕緣層160上形成有機(jī)層(未示出)。作為選擇，根據(jù)示范性實(shí)施例，可以省略第二絕緣層160,并且使有機(jī)層與柵極電極GE和柵極線GLm和GLm+l相接觸。在第二絕緣層160上形成像素電極PE1、PE2和PE3。在第一像素部分Pl中形成第一像素電極PE1，并使其與第一像素部分P1的薄膜晶體管TFT電連接。在第二像素部分P2中形成第二像素電極PE2，并且在第三像素部分P3中形成第三像素電極PE3。圖15A至15C是圖解制造圖14中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的參考圖15A,在^5出基板110上形成光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。光阻塞圖案BM可以從溝道區(qū)域CHA向源極區(qū)域SEA和漏極區(qū)域DEA延伸。光阻塞圖案BM也可以形成在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA中。光阻塞圖案BM包括金屬或有機(jī)材料。接著，在其上形成有光阻塞圖案BM的基礎(chǔ)基板IIO上形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。在其上形成有光阻塞圖案BM的^出基板110上形成第一彩色光層(未示出)，接著通過(guò)例如光刻操作將第一彩色光層圖案化，以便在基礎(chǔ)基板110的第一像素部分P1中形成第一色彩濾光片CF1。在其上形成有第一色彩濾光片CF1的基礎(chǔ)基板IIO上形成第二彩色光層(未示出)，接著通過(guò)例如光刻操作將第二彩色光層圖案化，以便在基礎(chǔ)基板110的第二像素部分P2中形成第二色彩濾光片CF2。作為選擇，才艮據(jù)示范性實(shí)施例，通過(guò)噴墨印刷法分別用第一、第二和第三彩色墨水形成第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3。參考圖15B，在其上形成有光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110上形成蓋層OC，氧化物半導(dǎo)體層120和源極金屬層130。蓋層OC平坦化了其上形成有光阻塞圖案BM以及第一、第二和第三色彩濾光片CF1、CF2和CF3的基礎(chǔ)基板110的表面。例如，通過(guò)濺射法在蓋層OC上形成氧化物半導(dǎo)體層120。在其上形成有氧化物半導(dǎo)體層120的基礎(chǔ)基板110上形成源極金屬層130。在其上形成有源極金屬層130的Jo5出基板IIO上形成第一光致抗蝕劑膜(未示出)，接著用第一掩模MASK1將第一光致抗蝕劑膜圖案化，以形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。第一光致抗蝕劑圖案PRP1包括第一厚度部分TH1和第二厚度部分TH2。在源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的源極金屬層130上設(shè)置第一厚度部分TH1。在溝道區(qū)域CHA的源極金屬層130上設(shè)置第二厚度部分TH2。參考圖15C,采用第一光致抗蝕劑圖案PRP1作為掩模，將源極金屬層130圖案化，以形成包括源極電極SE、漏極電極DE和數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案，并且將氧化物半導(dǎo)體層120圖案化，以形成第一和第二半導(dǎo)體圖案122a和122b。在其上形成有包括源極電極SE、漏極電極DE和數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第一絕緣層140。在其上形成有第一絕緣層140的基礎(chǔ)基板110上形成柵極金屬層(未示出)，接著將柵極金屬層圖案化，以形成包括柵極電極GE和柵極線(未示出)的柵極圖案。此外，在其上形成有柵極圖案的&出基板110上形成第二絕緣層160。圖16是圖解根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖，其沿圖1中的線I-I'剖取。參考圖16,除了有機(jī)層170外，陣列基板108與圖14所示的陣列基板相同。因此，用相同的參考標(biāo)記指代與圖14所示的那些相同或相似的部分，并且省略任何關(guān)于以上元件的進(jìn)一步說(shuō)明。在第二絕緣層160上形成有機(jī)層170。分別在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的有機(jī)層170上形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。第一1象素電極PE1通過(guò)由第一絕緣層140、第二絕緣層160和有機(jī)層170形成的接觸孔CNT與漏極電極DE電連接。圖17是圖解根據(jù)本發(fā)明制造陣列基板的方法的另一個(gè)示范性實(shí)施例的截面圖。參考圖17，陣列基板109包括半導(dǎo)體圖案122c、源極電極SE、漏極電極DE、第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l、第一絕緣層140、柵極電極GE、第二絕緣層160、第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3。在基礎(chǔ)基板110的源極區(qū)域SEA、溝道區(qū)域CHA和漏極區(qū)域DEA中設(shè)置半導(dǎo)體圖案122c。半導(dǎo)體圖案122c包括金屬氧化物。在源極區(qū)域SEA的半導(dǎo)體圖案122c上設(shè)置源極電極SE。在漏極區(qū)域DEA的半導(dǎo)體圖案122c上設(shè)置漏極電極DE，使得漏極電極DE與源極電極SE空間分離。在數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的基礎(chǔ)基板110上形成第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l,使得第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l與基礎(chǔ)基板110相接觸。在源極電極SE、漏極電極DE和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l上設(shè)置第一絕緣層140。還在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3上設(shè)置第一絕緣層140。第一絕緣層140包括暴露漏極電極DE的一部分的接觸孔CNT的第二孔142。在源極電極SE和漏極電極DE上的第一絕緣層140上形成柵極電極GE使得柵極電極GE與部分源極電極SE和漏極電極DE重疊。在柵才及電極GE和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的第一絕緣層140和第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3上形成第二絕緣層160。第二絕緣層160包括接觸孔CNT的第一孔162,其對(duì)應(yīng)于第一絕緣層140的第二孔142，以暴露漏才及電極DE部分。在第一、第二和第三像素部分P1、P2和P3的第二絕緣層160上分別設(shè)置第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。第一像素電極PE1通過(guò)接觸孔CNT與第一像素部分Pl的漏極電極DE電連接。圖18A和18B是圖解制造圖17中的陣列基板的方法的示范性實(shí)施例的截面圖。參考圖18A,在&4基板110上形成氧化物半導(dǎo)體層120，接著在其上形成有氧化物半導(dǎo)體層120的基礎(chǔ)基板110上形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。特別地，通過(guò)以下工以形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。在其上形成有氧化物半導(dǎo)體的基礎(chǔ)基板UO上形成第一光致抗蝕劑膜(未示出)。第一光致抗蝕劑膜包括負(fù)性光致抗蝕劑材料。將第一掩模MASK1設(shè)置在其上形成有第一光致抗蝕劑膜的1^出基板110上，接著通過(guò)第一掩模MASK1在其上形成有第一光致抗蝕劑膜的&出基板上輻射光。保留由通過(guò)第一掩模MASK1的開(kāi)口部分12的光固化的第一光致抗蝕劑膜的第一部分。通過(guò)顯影溶液去除對(duì)應(yīng)于第一掩模MASK1的光阻塞部分16的第一光致抗蝕劑膜的第二部分。結(jié)果，形成光致抗蝕劑圖案PRP1。在Jo5出基板110的源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和溝道區(qū)域CHA中形成第一光致抗蝕劑圖案PRP1。根據(jù)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120可以包括氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鎵或氧化鋁。氧化物半導(dǎo)體層120可以具有如氧化鋅、氧化銦等單一氧化物半導(dǎo)體。作為選擇，根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120可以包括例如鎵銦鋅氧化物("Ga2OrIn2OrZnO")、銦鎵錫氧化物("In2OrGa2OrSnO，，)、銦鋅氧化物("In2OrZn203，，)、鋅鋁氧化物("Zn203-A1203")等的混合氧化物半導(dǎo)體。根據(jù)另一個(gè)示范性實(shí)施例，氧化物半導(dǎo)體層120還可以包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、4丐(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、錒(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或妒(Rf)等的金屬氧化物。這些可以單獨(dú)或其結(jié)合使用。參考圖17和18B，采用第一光致抗蝕劑圖案PRP1作為掩模，將氧化物半導(dǎo)體層120圖案化，以形成半導(dǎo)體圖案122c。半導(dǎo)體圖案122c具有與第一光致抗蝕劑圖案PRP1相同的輪廓。在源極區(qū)域SEA、溝道區(qū)域CHA和漏極區(qū)域DEA中形成半導(dǎo)體圖案122c。在其上形成有半導(dǎo)體圖案122c的基礎(chǔ)基板110上形成源極金屬層130。例如，可以通過(guò)賊射法形成源極金屬層130。源極金屬層130可以具有單層結(jié)構(gòu)或不少于具有不同物理和化學(xué)特性的兩層金屬層的多層結(jié)構(gòu)。可以采用第二掩才莫MASK2通過(guò)傳統(tǒng)的光刻方法將源才及金屬層130圖案化。在其上形成有源極金屬層130的基礎(chǔ)基板110上形成第二光致抗蝕劑膜(未示出)，接著采用第二掩模MASK2將第二光致抗蝕劑膜圖案化，以形成第二光致抗蝕劑圖案PRP2。在源極區(qū)域SEA、漏極區(qū)域DEA和數(shù)據(jù)線區(qū)域DLA的源極金屬層130上形成第二光致抗蝕劑圖案PRP2。不在溝道區(qū)域CHA中形成第二光致抗蝕劑圖案PRP2,以暴露溝道區(qū)&戈CHA的源極金屬層130。接著，采用第二光致抗蝕劑圖案PRP2將源極金屬層130圖案化，以形成包括源極電極SE、與源極電極SE電連接的第n個(gè)數(shù)據(jù)線(未示出)、與源極電極SE空間分離的漏極電極DE和第n+l個(gè)數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案。采用過(guò)氧化氫("H202")基的刻蝕溶液通過(guò)濕刻蝕法刻蝕源極金屬層130。在其上形成有包括源極電極SE、漏極電極DE和數(shù)據(jù)線DLn+l的源極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第一絕緣層140。在第一絕緣層140上形成柵極金屬層(未示出)，接著將柵極金屬層圖案化，以形成包括柵極電極GE和柵極線(未示出)的4冊(cè)極圖案。在其上形成有4冊(cè)極圖案的基礎(chǔ)基板110上形成第二絕緣層160。將第二和第一絕緣層160和140圖案化，以形成暴露一部分漏極電極DE的接觸孔CNT。此外，在其上形成有第二絕緣層160的基礎(chǔ)基板IIO上形成透明導(dǎo)電層TE，接著將透明導(dǎo)電層TE圖案化，以形成第一、第二和第三像素電極PE1、PE2和PE3。下列表1表示具有非晶硅(a-Si)半導(dǎo)體圖案的溝道層的第一薄膜晶體管，以及具有包括金屬氧化物半導(dǎo)體圖案的溝道層的第二薄膜晶體管的特性。金屬氧化物是鎵銦鋅氧化物("Ga203-In2OrZnO")。第一和第二薄膜晶體管的溝道寬度大約是50,,并且第一和第二薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度大約是4um。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>參考表l，第一薄膜晶體管的a-Si半導(dǎo)體圖案是非晶狀態(tài)，并且第二薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體圖案也是非晶狀態(tài)。a-Si半導(dǎo)體圖案包括大約0.5cm2/V'S的遷移率，并且氧化物半導(dǎo)體圖案包括大約3cm2/V'S至10cm2/V'S的遷移率，其高于a-Si半導(dǎo)體圖案。a-Si半導(dǎo)體圖案的次臨限擺幅不大于約0.94V/dec,并且氧化物半導(dǎo)體圖案的次臨限擺幅不大于約0.85V/dec。a-Si半導(dǎo)體圖案的導(dǎo)通電流與截止電流之比大約是106，并且氧化物半導(dǎo)體圖案的導(dǎo)通電流與截止電流之比大約是108。特別地，a-Si半導(dǎo)體圖案包括滯后特性，而氧化物半導(dǎo)體圖案不包括滯后特性。圖19A和19B是表示薄膜晶體管的電流-電壓特性的圖線。參考圖19A，第一Vg-Id曲線PHOTOl和第二Vg-Id曲線DARK1之間的間隙較大，第一Vg-Id曲線PHOTOl對(duì)應(yīng)于在表1的第一薄膜晶體管上照射光的情況，而第二Vg-Id曲線DARK1對(duì)應(yīng)于在表1的第一薄膜晶體管上不照射光的情況。因此，當(dāng)光到達(dá)第一薄膜晶體管時(shí)，對(duì)應(yīng)于Vg大約是-7V時(shí)的Id的截止電流Ioff與第一薄膜晶體管閉光時(shí)的情況相比增加了大約一個(gè)量級(jí)。參考圖19B,對(duì)應(yīng)于在表1的第二薄膜晶體管上照射光的情況的第三Vg-Id曲線PHOT02和對(duì)應(yīng)于在表1的第二薄膜晶體管上不照射光的情況的第四Vg-Id曲線DARK2幾乎重合。因此，最小化第二薄膜晶體管的漏電流。根據(jù)該薄膜晶體管、具有該薄膜晶體管的陣列基板和制造該陣列基板的方法，半導(dǎo)體圖案包括金屬氧化物圖案。因此，由光產(chǎn)生的漏電流被最小化。結(jié)果，提高了薄膜晶體管的特性，減少了殘留圖像以提高顯示質(zhì)量，并且提高了制造工藝的穩(wěn)定性。盡管本發(fā)明已經(jīng)參考其中的示范性實(shí)施例進(jìn)行了展示和描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離如附加權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。權(quán)利要求1、一種薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體圖案，形成在基礎(chǔ)基板上，并且包括金屬氧化物；源極電極和漏極電極，形成在該半導(dǎo)體圖案上，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓與該半導(dǎo)體圖案的輪廓相同；以及柵極電極，設(shè)置在該源極和漏極電極之間的區(qū)域中，使得該柵極電極的部分與該源極和漏極電極重疊。2、如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中該金屬氧化物包括包括鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)、鎵(Ga)、鋁(Al)的至少之一的金屬及其混合物。3、如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中該金屬氧化物還包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、鉤(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、錒(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、妒(Rf)的至少之一的金屬及其混合物。4、如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，還包括設(shè)置在該柵極電極與源極電極和漏才及電極之間的第一絕緣層。5、如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，還包括設(shè)置在該柵極電極上的第二絕緣層。6、一種陣列基板，包括半導(dǎo)體圖案，形成在基礎(chǔ)基板上，并且包括金屬氧化物；源極圖案，包括源極電極、漏極電極以及與該源極電極電連接的數(shù)據(jù)線，在該半導(dǎo)體圖案上形成該源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓與該半導(dǎo)體圖案的輪廓相同；以及柵極圖案，包括柵極電極以及與該柵極電極電連接并且在與該數(shù)據(jù)線交叉的方向上延伸的柵極線，在該源極和漏極電極之間的區(qū)域中設(shè)置該柵極電極，使得該柵極電極的部分與該源極和漏極電極重疊；以及像素電極，設(shè)置在像素部分中，并且與該漏極電極電連接。7、如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中該金屬氧化物包括包括鋅(Zn)、銦(Ln)、錫(Sn)、鎵(Ga)、鋁(Al)至少之一的金屬及其混合物。8、如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中金屬氧化物還包括包括鈹(Be)、鎂(Mg)、铞(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鉈(Tl)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、僻(Ac)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、妒(Rf)至少之一的金屬及其混合物。9、如權(quán)利要求6所述的陣列基板，還包括第一絕緣層，設(shè)置在該柵極圖案與該源極圖案之間，以及該基礎(chǔ)基板與該像素部分的該像素電極之間。10、如權(quán)利要求9所述的陣列基板，還包括第二絕緣層，覆蓋該柵極圖案，并且設(shè)置在該第一絕緣層和該像素部分的該像素電極之間。11、如權(quán)利要求IO所述的陣列基板，還包括有機(jī)層，覆蓋該柵極圖案上的該第二絕緣層，并且設(shè)置在該第二絕緣層和該像素部分的該像素電極之間。12、如權(quán)利要求11所述的陣列基板，還包括色彩濾光片，設(shè)置在該第二絕緣層和該像素部分的該有機(jī)層之間，其提供顏色并與該勤出基板相接觸。13、如權(quán)利要求IO所述的陣列基板，還包括色彩濾光片，設(shè)置在該第二絕緣層和該像素部分的該像素電極之間，其提供顏色并且與該J^出基板相接觸。14、如權(quán)利要求13所述的陣列基板，還包括蓋層，設(shè)置在該色彩濾光片和像該素電極之間，其覆蓋該色彩濾光片。15、如權(quán)利要求13所述的陣列基板，還包括縱向間隔，形成在該柵極圖案上方的該蓋層上，其保持該陣列g(shù)和與該陣列基板空間分離的相對(duì)基板之間的單元間隙。16、如權(quán)利要求10所述的陣列基板，還包括設(shè)置在該基礎(chǔ)基板和該第一絕緣層之間的色彩濾光片，其提供顏色。17、如權(quán)利要求IO所述的陣列基板，還包括蓋層，設(shè)置在該色彩濾光片和該第一絕緣層之間，其覆蓋該色彩濾光片。18、一種制造陣列基板的方法，包括形成氧化物半導(dǎo)體層和基礎(chǔ)基板的源極金屬層；將該氧化物半導(dǎo)體層和該源極金屬層圖案化，以分別形成半導(dǎo)體圖案和源極圖案，該源極圖案包括源極電極、漏極電極以及與該源極電極電連接的數(shù)據(jù)線；在該半導(dǎo)體圖案上形成該源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓與該半導(dǎo)體圖案的輪廓相同；將在其上形成有該源極圖案的基礎(chǔ)基板上形成的柵極金屬層圖案化，以形成包括柵極電極以及與該柵極電極電連接并在與該數(shù)據(jù)線交叉的方向上延伸的柵極線的柵極圖案；以及在基礎(chǔ)基板的像素部分中形成像素電極，使得該像素電極與該漏極電極電連接。19、如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在其上形成有該源極金屬層的該J^出基板上形成光致抗蝕劑圖案，該光致抗蝕劑圖案包括在源極區(qū)域和漏極區(qū)域中形成的第一厚度部分和在溝道區(qū)域中形成的第二厚度部分，其中該第一厚度部分的第一厚度比該第二厚度部分的第二厚度厚。20、如權(quán)利要求19所述的方法，還包括通過(guò)采用光致抗蝕劑圖案刻蝕該源極金屬層和該氧化物半導(dǎo)體層來(lái)形成該源極圖案，以形成該半導(dǎo)體圖案和在該半導(dǎo)體圖案上的源極保留圖案，并且刻蝕該源極保留圖案以形成該源才及和漏極電才及。21、如權(quán)利要求20所述的方法，還包括通過(guò)去除該光致抗蝕劑圖案的該第二厚度部分來(lái)形成該源極和漏極電極，使得保留該光致抗蝕劑圖案對(duì)應(yīng)于該源極和漏極區(qū)域的部分，并且通過(guò)采用該光致抗蝕劑圖案的該部分來(lái)刻蝕該溝道區(qū)域的該源極保留圖案。22、如權(quán)利要求21所述的方法，還包括采用該光致抗蝕劑圖案作為掩模，通過(guò)第一刻蝕溶液刻蝕該源極金屬層來(lái)形成源極保留圖案，以形成該源極保留圖案，以及采用該源極保留圖案作為掩模，通過(guò)第二刻蝕溶液刻蝕氧化物半導(dǎo)體層，以形成該半導(dǎo)體圖案。23、如權(quán)利要求22所述的方法，其中該源極金屬層包括銅(Cu)。24、如權(quán)利要求23所述的方法，其中該第一刻蝕溶液包括過(guò)氧化氫(H202)。25、如權(quán)利要求24所述的方法，其中該第二刻蝕溶液包括硝酸(HN03)、硫酸(H2S04)、鹽酸(HC1)和醋酸(CH3COOH)。26、如權(quán)利要求24所述的方法，其中該第二刻蝕溶液還包括氫氟酸(HF-d(H20)，0<d<l)。27、如權(quán)利要求18所述的方法，還包括在其上形成有該源極圖案的該基礎(chǔ)基板上形成第一絕緣層；并且在其上形成有該柵極圖案的該基礎(chǔ)基板上形成第二絕緣層。28、一種制造陣列基板的方法，包括將基礎(chǔ)基板上的氧化物半導(dǎo)體圖案化，以形成半導(dǎo)體圖案；將其上形成有該半導(dǎo)體圖案的該&出基板上的源極金屬層圖案化，以形成包括源極和漏極電極及數(shù)據(jù)線的源極圖案；在該半導(dǎo)體圖案上形成該源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極與該半導(dǎo)體圖案重疊并且彼此空間分離，該數(shù)據(jù)線被電連接到該源極電極；將其上形成有該源極圖案的該基礎(chǔ)基板上的柵極金屬層圖案化，以形成柵極電極以及與該柵極電極電連接并在與該數(shù)據(jù)線交叉的方向上延伸的柵才及線；以及在該基礎(chǔ)基板的像素部分中形成像素電極。29、如權(quán)利要求28所述的方法，還包括通過(guò)在其上形成有該源極金屬層的該基礎(chǔ)基板的源極區(qū)域和漏極區(qū)域中形成光致抗蝕劑圖案來(lái)形成該源極圖案，使得該光致抗蝕劑圖案暴露溝道區(qū)域的該源極金屬層，并且通過(guò)采用該光致抗蝕劑圖案來(lái)刻蝕該源極金屬層，以形成該數(shù)據(jù)線、該源極和漏極電極。全文摘要本發(fā)明提供薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體圖案、源極和漏極電極及柵極電極，在基礎(chǔ)基板上形成半導(dǎo)體圖案，并且該半導(dǎo)體圖案包括金屬氧化物。在該半導(dǎo)體圖案上形成源極和漏極電極，使得該源極和漏極電極彼此空間分離，并且該源極和漏極電極的輪廓基本上與半導(dǎo)體圖案的輪廓相同。在源極和漏極電極之間的區(qū)域中設(shè)置柵極電極，使得柵極電極的部分與源極和漏極電極重疊。因此，光引起的漏電流被最小化。結(jié)果，提高了薄膜晶體管的特性，減少了殘留圖像以提高顯示質(zhì)量，并提高了制造工藝的穩(wěn)定性。本發(fā)明還提供陣列基板及其制造方法。文檔編號(hào)H01L29/786GK101359693SQ200810161179公開(kāi)日2009年2月4日申請(qǐng)日期2008年6月16日優(yōu)先權(quán)日2007年6月14日發(fā)明者李制勛,李殷國(guó),鄭敞午,金度賢申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社