專利名稱：薄膜二極管、雙重掃描二極管陣列基板以及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種二極管、陣列基板以及顯示面板，且特別是有關(guān)于
一種薄膜二極管(thin-film diode， TFD)、雙重掃描二極管陣列基板(dual select diode array substrate)以及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示面板是由一薄膜晶體管陣列基板、 一液晶層以及一 彩色濾光基板所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管陣列基板具有多條掃描線、多條數(shù) 據(jù)線、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)像素電極，在掃描線以及數(shù)據(jù)線的適當(dāng)控制 下，圖像數(shù)據(jù)可以通過各個(gè)薄膜晶體管順利地被傳遞至各個(gè)像素電極，并通 過各個(gè)像素與彩色濾光基板上的共用電極之間的電壓差，以達(dá)到圖像顯示的 目的。
一般的薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)在制作上通常需要五道 掩膜工藝(photol池ography/etching process, PEP)，若要進(jìn)一步將制造成本降低， 勢必需要進(jìn)一步地減少掩膜工藝的數(shù)目。然而，目前薄膜晶體管陣列基板的 制造仍是以五道掩膜工藝，其制造成本無法大幅度地降低。因此，具有非線 性電容器或薄膜二極管的薄膜二極管液晶顯示器(TFD-LCDs)便逐漸地被開發(fā) 與研究，以有效地降低制造成本。詳言之，相較于一般的薄膜晶體管陣列基 板工藝，非線性電容器或薄膜二極管的膜層結(jié)構(gòu)相較于薄膜晶體管的膜層結(jié) 構(gòu)簡單許多，且在制作上只需使用更少道掩膜工藝即可完成。
在典型的薄膜二極管液晶顯示器(TFD-LCD)中，每個(gè)像素中僅具有單一個(gè) 薄膜二極管(TFD),而此種設(shè)計(jì)僅適用于顯示有限灰階數(shù)的小型顯示器上。
為了改善顯示品質(zhì)， 一種雙重掃描二極管(duaselect diode， DSD)液晶顯示
面板已被開發(fā)與應(yīng)用。詳細(xì)而言，在雙重掃描二極管液晶顯示面板中，每一
列的像素是采用兩條平行的掃描線(select lines)來進(jìn)行驅(qū)動，且兩條掃描線通 過二薄膜二極管(TFDs)或非線性電阻電連接至每一個(gè)像素電極。也就是說， 每個(gè)像素電極會通過兩個(gè)薄膜二極管分別電連接至不同的掃描線，如此一來， 雙重掃描二極管液晶顯示面板具有顯示大尺寸圖像的潛力。
圖1A為一種已知的雙重掃描二極管基板的局部俯視圖，而圖1B為沿圖 1A的剖線AA'所繪示的薄膜二極管基板的剖面示意圖。請先參考圖1A，雙重 掃描二極管陣列基板100包括一基板110、多條掃描線120以及多個(gè)像素單元 130。掃描線120配置于基板110上。像素單元130配置于基板110上，且各 像素單元130包括二薄膜二極管132以及一像素電極134。像素電極134分別 通過其中一個(gè)薄膜二極管132與不同的掃描線120電連接。
如圖1B所示，薄膜二極管132包括一第一電極132a、 一非線性電阻材料 層132b以及一第二電極132c。第一電極132a配置于基板110上。非線性電 阻材料層132b配置于基板110上以覆蓋第一電極132a。第二電極132c配置 于非線性電阻材料層132b上，且與像素電極134電連接，其中為了避免第一 電極132a與第二電極132c接觸而產(chǎn)生短路，因此，非線性電阻材料層132b 的橫截面A2的面積須大于第一電極132a的橫截面A1面積，如圖1A與圖1B 所示。
然而，由于非線性電阻材料層132b例如是采用富硅介電材料(如SiNx)， 因此，非線性電阻材料層132b受到外在環(huán)境的光線或背光模塊所發(fā)出的光線 照射后會產(chǎn)生微弱的光電流，使得薄膜二極管132在處于關(guān)閉狀態(tài)(off state) 下仍會形成漏電流(leakage current),從而使薄膜二極管132的電氣特性惡化。
另外，由于第二電極132c垂直交叉于第一電極132a，因此，在第二電極 132c重迭于第一電極132a的邊緣區(qū)域136上會因電壓差較大而產(chǎn)生電流擊穿 (breakdown)的現(xiàn)象，進(jìn)而造成膜層的破壞。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜二極管，其具有較佳的電氣特性。 本發(fā)明另提供一種雙重掃描二極管陣列基板，其釆用上述的薄膜二極管。 本發(fā)明更提供一種液晶顯示面板，其采用上述的雙重掃描二極管陣列基 板，以提升其顯示品質(zhì)。
本發(fā)明提出一種薄膜二極管，其適于配置于一基板上。此薄膜二極管包
括一第一電極、 一絕緣層、 一主動層(active layer)以及一第二電極。第一電 極配置于基板上。絕緣層配置于基板上以覆蓋第一電極，其中絕緣層具有一 開口以暴露出第一電極的部分區(qū)域。主動層配置于第一電極上，并從幵口所 暴露出的第一電極延伸至絕緣層上。第二電極配置于絕緣層以及主動層上， 其屮i動層至少位卞弟二電極的覆蓋范圍內(nèi)。
本發(fā)明另提出一種雙重掃描二極管陣列基板，其包括一基板、多條掃描 線、多個(gè)像素單元以及多個(gè)像素單元。掃描線配置于基板上。像素單元配置 于基板上，其中各像素單元包括二薄膜二極管以及一像素電極，且像素電極 分別通過所述的二薄膜二極管與不同的掃描線電連接。各薄膜二極管包括一 第一電極、 一絕緣層、 一主動層以及一第二電極。第一電極配置于基板上。 絕緣層配置于基板上以覆蓋第一電極，其中絕緣層具有一開口以暴露出第一 電極的部分區(qū)域。主動層配置于第一電極上，并從開口所暴露出的第一電極 延伸至絕緣層上。第二電極配置于絕緣層以及主動層上，其中主動層至少位 于第二電極的覆蓋范圍內(nèi)，且第二電極與像素電極電連接。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極的邊緣未被所述開口所暴露。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，開口至少位于所述主動層的覆蓋范圍內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動層的邊緣未超出所述第一電極的邊緣。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，絕緣層的材質(zhì)包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，絕緣層的厚度約為1200A至4000A。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動層的材料包括富含硅的氮化硅(Si rich SiOx)、富含硅的氧化硅五氧化二鉭(Ta205)或類鉆石的石墨(Diamond-Like Carbon, DLC)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一電極的材料包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或 Ti/Al/Ti0
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二電極的材料包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或 Ti/Al/Ti。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素電極的材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。 本發(fā)明更提出一種液晶顯示面板，其包括一雙重掃描二極管陣列基板、 一對向基板以及一液晶層。雙重掃描二極管陣列基板包括一基板、多條掃描 線、多個(gè)像素單元以及多個(gè)像素單元。掃描線配置于基板上。像素單元配置 于基板上，其中各像素單元包括二薄膜二極管以及一像素電極，且像素電極 分別通過所述的二薄膜二極管與不同的掃描線電連接。各薄膜二極管包括一 第一電極、 一絕緣層、 一主動層以及一第二電極。第一電極配置于基板上。 絕緣層配置于基板上以覆蓋第一電極，其中絕緣層具有一開口以暴露出第一 電極的部分區(qū)域。主動層配置于第一電極上，并從開口所暴露出的第一電極 延伸至絕緣層上。第二電極配置于絕緣層以及主動層上，其中主動層至少位 于第二電極的覆蓋范圍內(nèi)，且第二電極與像素電極電連接。液晶層位于雙重 掃描二極管陣列基板以及對向基板之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，對向基板包括多條對向電極與掃描線垂直。 綜上所述，配置于第一電極與第二電極之間的絕緣層除了可避免第一電 極與第二電極互相接觸而造成電短路之外，并可降低在薄膜二極管被施加大 電壓時(shí)所產(chǎn)生電流擊穿效應(yīng)(breakdown)，而造成膜層的損壞。另外，在本發(fā) 明部分實(shí)施例中，將主動層配置于絕緣層的開口內(nèi)，并采用非透光的金屬材 料制作第一電極與/或第二電極，如此可避免光線照射至主動層而產(chǎn)生光電流， 進(jìn)而提升薄膜二極管的電氣特性。


圖1A為一種己知的雙重掃描二極管基板的局部俯視圖。
圖IB為沿圖1A的剖線AA'所繪示的薄膜二極管基板的剖面示意圖。
圖2A為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜二極管的俯視圖。
圖2B為沿圖2A的剖線BB'所繪示的薄膜二極管的剖面示意圖。
圖3A為本發(fā)明一實(shí)施例的雙重掃描二極管陣列基板的電路示意圖。
圖3B繪示為圖3A的區(qū)域P1的膜層俯視圖。
圖3C則為沿圖3B的剖線CC'所繪示的剖面示意圖。
圖3D為另一種實(shí)施形態(tài)的雙重掃描二極管陣列基板的電路示意圖。
圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的示意圖。
附圖標(biāo)號
100、 300、 300，、 410:雙重掃描二極管陣列基板
110、 201、 310:基板
120、 320:掃描線
130、 330:像素單元
132、 200、 332:薄膜二極管
134、 334:像素電極
132a、 210:第一電極
132b:非線性電阻材料層
132c、 240:第二電極
136:邊緣區(qū)域
220:絕緣層
220a:開口
230:主動層
400:液晶顯示面板
420:對向基板
422:對向電極 430:液晶層 440:彩色濾光膜
AA'、 BB'、 CC':剖線 Al、 A2:橫截面
Pl:區(qū)域
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉多個(gè)實(shí)施例，并 配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。 第一實(shí)施例
圖2A為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜二極管的俯視圖，而圖2B為沿圖2A的 剖線BB'所繪示的薄膜二極管的剖面示意圖。請同時(shí)參考圖2A與圖2B，本 實(shí)施例的薄膜二極管200適于配置于一基板201上，其中薄膜二極管200包 括一第一電極210、一絕緣層220、 一主動層230以及一第二電極240。第一 電極210配置于基板201上。在本實(shí)施例中，基板201的材質(zhì)可以是選用無 機(jī)透明材質(zhì)(如玻璃、石英、或其他適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì))或有機(jī)透明材質(zhì)(如聚烯 類、聚酼類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳 香烴類、聚甲基丙酰酸甲酯類、聚碳酸酯類、或其他適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì))。本實(shí)施例 的基板201是以無機(jī)透明材質(zhì)的玻璃做為襯底，但不限于此。
另外，第一電極210的材料可以是使用單層或多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料。舉 例來說，第一電極210的材質(zhì)例如是選用銀、銅(Cu)、錫、鉛、鉿、鎢(Wo)、 鉬、釹、鈦(Ti)、鉭、鋁(A1)、鋅等金屬，或其他適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)。當(dāng)然，第一電 極210亦可以是上述材質(zhì)的合金或上述材質(zhì)所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例以 鈦/鋁/鈦多層金屬作為第一電極210，但不限于此。
絕緣層220配置于基板201上以覆蓋住第一電極210,其中絕緣層220具 有一開口 220a以暴露出第一電極210的部分區(qū)域，如圖2A與圖2B所示。在 本實(shí)施例中，第一電極210的邊緣210a未被開口 220a所暴露，換言之，開口 220a的面積須小于第一電極210被絕緣層220覆蓋的面積，如圖2B所示。另 外，絕緣層220的材質(zhì)例如是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鉿、 氧化鋁或其他適當(dāng)?shù)慕^緣材料。
主動層230配置于第一電極210上，并從開口 220a所暴露出的第一電極 210上延伸至至少部分的絕緣層220上，如圖2A與圖2B所示。在本實(shí)施例 中，開口 220a至少位于主動層230的覆蓋范圍內(nèi)，也就是，主動層220a至少 須覆蓋住開口 220a,如圖2B所示，或者是，主動層220a至少須接觸于部分 的第一電極210而未完全覆蓋住開口 220a。另外，主動層230的材料例如是 富含硅的氮化硅(Si-richSiOx)、富含硅的氧化硅五氧化二鉭(1^205)、類鉆石的 石墨(Diamond-Like Carbon， DLC)或其他富含硅的介電層。
第二電極240配置于絕緣層220以及主動層230上，其中主動層230至 少位于第二電極240的覆蓋范圍內(nèi)。在本實(shí)施例中，第二電極240的材料可 以是使用單層或多層結(jié)構(gòu)的金屬。舉例來說，第二電極240的材質(zhì)例如是選 用銀、銅(Cu)、錫、鉛、鉿、鎢(Wo)、鉬、釹、鈦(Ti)、鉭、鋁(A1)、鋅等金 屬、或其他適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)。當(dāng)然，第二電極240亦可以是上述材質(zhì)的合金或上 述材質(zhì)所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例以鈦/鋁/鈦多層金屬作為第二電極240的 實(shí)施范例，但不限于此。
一般而言，光線若照射至以上述的材料所形成的主動層230時(shí)，主動層 230容易產(chǎn)生相對應(yīng)的光電流，而造成如已知所述的漏電流的問題，從而影響 薄膜二極管200進(jìn)行開關(guān)時(shí)的電氣特性。為解決上述的問題，本實(shí)施例的薄 膜二極管200是通過上述所描述的膜層結(jié)構(gòu)(如圖2B所示)，使位于第一電極 210與第二電極240之間的主動層230不易受到外在環(huán)境的光線及/或位于基 板201下方的背光模塊(未繪示)的光線的影響而產(chǎn)生光電流(photo-current)，進(jìn)
而可提升薄膜二極管200的電氣特性。
另外，在驅(qū)動薄膜二極管200的過程中，為了避免施加于第一電極210 與第二電極240之間的電壓差過大，而產(chǎn)生如已知所述的電流擊穿效應(yīng)，進(jìn) 而造成膜層的損壞，因此，位于第一電極210與第二電極240之間的絕緣層 220是采用上述的絕緣性材料，且絕緣層220的厚度實(shí)質(zhì)上約為1200A至 4000A。如此一來，將可有效地改善在驅(qū)動薄膜二極管200時(shí)所產(chǎn)生的電流擊 穿效應(yīng)，進(jìn)而更加提升薄膜二極管200的電氣特性。
值得一提的是，由于絕緣層220位于第一電極210與第二電極240之間， 且其覆蓋在第一電極210上的長度或?qū)挾瘸^第一電極210的邊緣210a，其 中超過的長度例如是大于l(Vm以上。如此一來，可有效地避免第一電極210 與第二電極240相互接觸而使得薄膜二極管200被驅(qū)動時(shí)造成短路。
如上所述，將絕緣層220配置于第一電極210與第二電極240之間，并 適當(dāng)?shù)卣{(diào)整絕緣層220的厚度與膜層位置，除了可避免第一電極210與第二 電極240互相接觸而造成電短路外，更可避免在薄膜二極管200被施加大電 壓時(shí)產(chǎn)生電流擊穿效應(yīng)，而造成膜層的損壞。另外，薄膜二極管200將主動 層230配置于絕緣層220的開口 220a內(nèi)，且第一電極210與第二電極240是 使用非透光的金屬材料，如此一來，除了可提升薄膜二極管200的電特性外， 更可避免光線照射至主動層230而產(chǎn)生光電流效應(yīng)，進(jìn)而影響薄膜二極管的 電氣特性。
第二實(shí)施例
圖3A為本發(fā)明一實(shí)施例的雙重掃描二極管陣列基板的電路示意圖，圖 3B繪示為圖3A的區(qū)域Pl的膜層俯視圖，而圖3C則為沿圖3B的剖線CC， 所繪示的剖面示意圖。請同時(shí)參考圖3A、圖3B與圖3C，本實(shí)施例的雙重掃 描二極管陣列基板300包括一基板310、多條掃描線320以及多個(gè)像素單元 330。掃描線320配置于基板310上。像素單元330配置于基板310上，其中 各像素單元330包括二薄膜二極管332以及一像素電極334。像素電極334分
別通過所述的二薄膜二極管332與不同的掃描線320電連接。各薄膜二極管 332例如是采用上述的薄膜二極管200的膜層設(shè)計(jì)，相同構(gòu)件標(biāo)示相同符號， 值得注意的是，薄膜二極管200 (薄膜二極管332)的第二電極240與像素電 極334電連接。
在本實(shí)施例中，各掃描線320分別通過其中一個(gè)薄膜二極管332電連接 至每一個(gè)像素電極334，且每一像素電極334電性分別通過二薄膜二極管332 與不同的掃描線320電連接，如圖3A所示。如此一來，當(dāng)控制同一列像素單 元330的兩條掃描線320同時(shí)為開啟狀態(tài)時(shí)，此列像素單元330中的像素電 極334便處于內(nèi)能夠被寫入圖像數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
在圖3A中，不同列的像素單元330之間配置有兩條掃描線320，且兩條 掃描線320分別與不同列的像素單元330電連接。然而，本發(fā)明并不限制掃 描線320的排列方式。舉例而言，掃描線的排列方式亦可以如圖3D所繪示， 詳言之，在不同列的像素單元330之間可僅配置有一條掃描線320，，且此掃 描線320'會同時(shí)與不同列的像素單元330電連接。
在本實(shí)施例中，由于薄膜二極管332是采用上述的薄膜二極管200的膜 層設(shè)計(jì)，且第二電極240與像素電極334電連接，如圖3B與圖3C所繪示， 因此，雙重掃描二極管陣列基板300、 300'同樣地可具有前實(shí)施例所描述的優(yōu) 點(diǎn)，相關(guān)說明請參照上述實(shí)施例，故在此不再重述。
另外，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的示意圖。請參考圖4，本 實(shí)施例的液晶顯示面板400包括一雙重掃描二極管陣列基板410、 一對向基板 420以及一液晶層430。雙重掃描二極管陣列基板410例如是采用上述的雙重 掃描二極管陣列基板300、 300，，相關(guān)說明請參照上述實(shí)施例。液晶層430位 于雙重掃描二極管陣列基板410以及對向基板420之間。
在本實(shí)施例中，對向基板420包括多條對向電極422，其中對向電極422 與掃描線320或320，垂直，如圖4所繪示。詳細(xì)而言，對向電極422主要是 用以傳遞畫面顯示的電壓信號。舉例而言，當(dāng)同一列像素單元330兩側(cè)的掃
描線320或掃描線320'處于開啟狀態(tài)時(shí)，與其電連接的薄膜二極管332亦會 同時(shí)被開啟，進(jìn)而使得所述列像素單元330中的像素電極334處于能夠被寫 入圖像數(shù)據(jù)的狀態(tài)，換言之，部分對向電極422的數(shù)據(jù)電壓便可耦合至對應(yīng) 的像素電極334。
在本實(shí)施例中，液晶顯示面板400更包括一彩色濾光膜440。彩色濾光膜 440可以是配置于雙重掃描二極管陣列基板410上，或是配置于對向基板420 上。其中，彩色濾光膜440配置于雙重掃描二極管陣列基板410上的方式例 如是采用所謂的彩色濾光片于主動層上(color filter on array)或主動層于彩色 濾光片上(array on color fiker)的設(shè)計(jì)，而多條對向電極422的配置方式可以是 在一般的彩色濾光片形成上述的多條對向電極422，進(jìn)而形成上述的對向基板 420。在本實(shí)施例中，圖4是以對向基板420為具有多條對向電極422的彩色 濾光片為實(shí)施范例，但不限于此。
另外，液晶層430的材料根據(jù)種類或液晶分子的排列方式可以是向列型 液晶(Nematic Liquid Crystal)、膽固醇液晶(Cholesteric Liquid Crystal)、層列型 液晶(Smectic Liquid Crystal)、碟狀液晶(Discotic LC)以及碗狀液晶(Bowlic LC) 等等。此外，依據(jù)液晶層430注入雙重掃描二極管陣列基板410與對向基板 420之間的方式可以是采用滴下式注入法或真空注入法等等。當(dāng)然，上述采用 何種形式的注入方式與釆用何種材料的液晶分子端視使用者的設(shè)計(jì)需求而 定，上述僅為舉例說明，非用以限定本發(fā)明。
在本實(shí)施例中，由于雙重掃描二極管陣列基板410釆用上述的雙重掃描 二極管陣列基板300、 300，的設(shè)計(jì)概念，因此，本實(shí)施例的液晶顯示面板同樣 地具有雙重掃描二極管陣列基板300、 300，所描述的優(yōu)點(diǎn)，相關(guān)描述可參考所 述的說明。
綜上所述，本發(fā)明的薄膜二極管、雙重掃描二極管陣列基板以及液晶顯 示面板至少具有下列優(yōu)點(diǎn)。首先，薄膜二極管將絕緣層配置于第一電極與第 二電極之間，且適當(dāng)?shù)卣{(diào)整絕緣層的厚度與膜層位置，如此一來，可避免第
一電極與第二電極互相接觸而造成電短路外，更可有效地降低在薄膜二極管 被施加大電壓時(shí)所產(chǎn)生電流擊穿效應(yīng)，而造成膜層的損壞。另外，薄膜二極 管將主動層配置于絕緣層的開口內(nèi)，并使第一電極與第二電極采用非透光的 金屬材料，如此一來，可提升薄膜二極管的電特性外，更可避免光線照射至 主動層而產(chǎn)生光電流效應(yīng)進(jìn)而影響薄膜二極管的電氣特性。換言之，采用上 述的薄膜二極管的雙重掃描二極管陣列基板以及液晶顯示面板同樣地具有上 述的優(yōu)點(diǎn)。
雖然本發(fā)明已以多個(gè)實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的 更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種薄膜二極管，其特征在于，所述薄膜二極管適于配置于一基板上，所述薄膜二極管包括一第一電極，配置于所述基板上；一絕緣層，配置于所述基板上以覆蓋所述第一電極，其中所述絕緣層具有一開口以暴露出所述第一電極的部分區(qū)域；一主動層，配置于被所述開口所暴露出的所述第一電極上；以及一第二電極，配置于所述絕緣層以及所述主動層上，其中所述主動層至少位于所述第二電極的覆蓋范圍內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述第一電極的邊緣 未被所述開口所暴露。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述開口至少位于所 述主動層的覆蓋范圍內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述主動層的邊緣未 超出所述第一電極的邊緣。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)包 括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
6. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述絕緣層的厚度為 1200A至4000A。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述主動層的材料包 括富含硅的氮化硅、富含硅的氧化硅五氧化二鉭或類鉆石的石墨。
8. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述第一電極的材料 包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或Ti/Al/Ti。
9. 如權(quán)利要求1所述的薄膜二極管，其特征在于，所述第二電極的材料 包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或Ti/Al/Ti。
10. —種雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述雙重掃描二極管陣列基板包括 一基板；多條掃描線，配置于所述基板上；以及多個(gè)像素單元，配置于所述基板上，其中各所述像素單元包括二薄膜二 極管以及一像素電極，且所述像素電極分別通過所述的二薄膜二極管與不同 的掃描線電連接，而各所述薄膜二極管包括-一第一電極，配置于所述基板上；一絕緣層，配置于所述基板上以覆蓋所述第一電極，其中所述絕緣層具有一開口以暴露出所述第一電極的部分區(qū)域；一主動層，配置于被所述開口所暴露出的所述第一電極上；以及 一第二電極，配置于所述絕緣層以及所述主動層上，其中所述主動層至少位于所述第二電極的覆蓋范圍內(nèi)，且所述第二電極與所述像素電極電連接。
11. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 第一電極的邊緣未被所述開口所暴露。
12. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 開口至少位于所述主動層的覆蓋范圍內(nèi)。
13. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 主動層的邊緣未超出所述第一電極的邊緣。
14. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 絕緣層的材質(zhì)包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
15. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 絕緣層的厚度為1200A至4000A。
16. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 主動層的材料包括富含硅的氮化硅、富含硅的氧化硅五氧化二鉭或類鉆石的 石墨。
17. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 像素電極的材料包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
18. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 第一電極的材料包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或Ti/Al/Ti。
19. 如權(quán)利要求10所述的雙重掃描二極管陣列基板，其特征在于，所述 第二電極的材料包括A1、 Mo、 Ti、 Cu、 Wo或Ti/Al/Ti。
20. —種液晶顯示面板，包括 一雙重掃描二極管陣列基板，包括一基板；多條掃描線，配置于所述基板上；以及多個(gè)像素單元，配置于所述基板上，其中各所述像素單元包括二薄 膜二極管以及一像素電極，且所述像素電極分別通過所述的二薄膜二極管與 不同的掃描線電連接，而各所述薄膜二極管包括 一第一電極，配置于所述基板上；一絕緣層，配置于所述基板上以覆蓋所述第一電極，其中所述 絕緣層具有一開口以暴露出所述第一電極的部分區(qū)域；一主動層，配置于被所述開口所暴露出的所述第一電極上；以及一第二電極，配置于所述絕緣層以及所述主動層上，其中所述 主動層至少位于所述第二電極的覆蓋范圍內(nèi)，且所述第二電極與所述像素電 極電連接；一對向基板；以及一液晶層，位于所述雙重掃描二極管陣列基板以及所述對向基板之間。
21. 如權(quán)利要求20所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述對向基板包 括多條對向電極與所述這些掃描線垂直。
全文摘要
提供一種薄膜二極管、雙重掃描二極管陣列基板以及液晶顯示面板，所述的薄膜二極管，適于配置于一基板上。所述的薄膜二極管包括一第一電極、一絕緣層、一主動層以及一第二電極。第一電極配置于基板上，絕緣層配置于基板上以覆蓋第一電極，且絕緣層具有一開口以暴露出第一電極的部分區(qū)域。主動層配置于第一電極上，并從開口所暴露出的第一電極延伸至絕緣層上。第二電極配置于絕緣層以及主動層上。主動層至少位于第二電極的覆蓋范圍內(nèi)。本發(fā)明另提供一種具有上述薄膜二極管的雙重掃描二極管陣列基板以及一種液晶顯示面板。
文檔編號H01L29/66GK101383380SQ20081016677
公開日2009年3月11日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者吳岳鴻, 周文彬, 李錫烈, 郭威宏, 陳政德 申請人:友達(dá)光電股份有限公司