專利名稱：具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)， 特別是涉及一種應用于使用可導電及導熱基板的發(fā)光二極管制造方法及其 結(jié)構(gòu)。
背景技術：
現(xiàn)有習知使用藍寶石基板的發(fā)光二極管，由于藍寶石基板的導熱效果 差，使得發(fā)光二極管在出光時所產(chǎn)生的熱無法有效排除，因此降低了發(fā)光二 極管的出光效率，并且縮短了發(fā)光二極管使用壽命。且藍寶石基板具有不 導電的特性，因此容易產(chǎn)生靜電累積的問題。
如中國臺灣專利第1224876號「形成具有金屬基板的發(fā)光二極管的制 造方法」中所揭露的制造方法，其包括下列步驟:提供一暫時基板;依序形成 一發(fā)光二極管磊晶層及一第一電極層于暫時基板上；形成一金屬永久基板 于第一電極層上；移除暫時基板，使發(fā)光二極管磊晶層的一表面露出；形成 多數(shù)個第二電極層于發(fā)光二極管磊晶層的表面；以及切割金屬永久基板、第 一電極層及發(fā)光二極管磊晶層，以形成多數(shù)個發(fā)光二極管。
上述的前案是利用金屬永久基板取代藍寶石基板，用以改善導熱不良 的問題及達到抗靜電的功效，然而金屬永久基板是以金屬材料制作的，雖然 可以幫助導熱，然而卻也提高了發(fā)光二極管的制作成本。
由此可見，上述現(xiàn)有的形成具有金屬基板的發(fā)光二極管的制造方法在 制造方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進 一步改進。為了解決上述存在的問題,相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之 道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般制造方法及產(chǎn)品又 沒有適切的方法及結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的 問題。因此如何能創(chuàng)設一種新的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法 及其結(jié)構(gòu)，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。
有鑒于上述現(xiàn)有的形成具有金屬基板的發(fā)光二極管的制造方法存在的 缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知 識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新的具有導電導 熱基板的發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的形成具有金 屬基板的發(fā)光二極管的制造方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設 計，并經(jīng)反復試作及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的形成具有金屬基板的發(fā)光二極管的制 造方法存在的缺陷，而提供一種新的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造 方法及其結(jié)構(gòu)，所要解決的技術問題是使其藉由使用具有局部導電的非金 屬且具有高導熱系數(shù)的導熱絕緣基材，除可以幫助發(fā)光二極管有效散熱之 外，也可以降低制作成本，非常適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的形成具有金屬基板的發(fā)光二極管 的制造方法存在的缺陷，而提供一種新的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管 制造方法及其結(jié)構(gòu)，所要解決的技術問題是使其在導熱絕緣基材中設置有 導電部，因此在封裝時，可通過金屬層及導電部與導線支架電性相連，進一 步可以達到熱電分離的功效，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其包括以下
步驟提供一第一基板；形成一發(fā)光磊晶層于該第一基板上，其是具有一 第一表面及一第二表面；結(jié)合一第二基板于該第一表面上，又該第二基板 是具有 一導熱絕緣基材； 一第一金屬層及一第二金屬層，其是分別形成 于該導熱絕緣基材的兩側(cè)面，且該第一金屬層是與該第一表面結(jié)合；以及 一導電部，其是形成于該導熱絕緣基材，且分別與該第一金屬層及該第二 金屬層導電相連；移除該第一基板，其是自該第二表面被移除；以及形成一 電極，其是形成于該第二表面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的第一基 板為一藍寶石基板。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的發(fā)光磊 晶層是依序由一 n型半導體層、 一主動層及一 p型半導體層所堆疊組成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的第一金 屬層的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合金的金屬。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的導熱絕 緣基材為一氮化鋁基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的導熱絕 緣基材為一陶瓷基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的導熱絕 緣基材為 一碳化硅基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的第二金 屬層的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合金的金屬。前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的導電部 是由至少一導電通道所構(gòu)成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的導電部 是由至少一金屬膜所構(gòu)成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的移除該 第一基板的步驟所使用的方法是選自于激光掀離、濕式蝕刻法、化學拋光 法或其組合。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的電極為 一透明電極。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其中所述的電極為 一金屬電極。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本
發(fā)明提出的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括 一第二基 板，其是具有 一導熱絕緣基材； 一第一金屬層及一第二金屬層，其是分別 形成于該導熱絕緣基材的兩側(cè)面；以及一導電部，其是形成于該導熱絕緣基 材，且分別與該第一金屬層及該第二金屬層導電相連； 一發(fā)光磊晶層，其是 具有 一第一表面及一第二表面，又該第一表面是與該第一金屬層結(jié)合；以 及一電極，其是設置于該第二表面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。 前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的導熱絕緣基 材為一氮化鋁基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的導熱絕緣基 材為一陶瓷基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的導熱絕緣基 材為一碳化硅基材。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第一金屬層 的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合金的金屬。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第二金屬層 的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合金的金屬。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第二金屬層 是由多數(shù)個金屬板所形成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的導電部是由 至少一導電通道所構(gòu)成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的導電部是由 至少一金屬膜所構(gòu)成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的發(fā)光磊晶層是依序由一 n型半導體層、 一主動層及一 p型半導體層所堆疊組成。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的電極為一透 明電極。
前述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的電極為一金 屬電極。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案 可知，本發(fā)明的主要技術內(nèi)容如下
為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管 制造方法，其包括下列步驟提供一第一基板；形成一發(fā)光磊晶層于第一 基板上，其是具有一第一表面及一第二表面；結(jié)合一第二基板于第一表面 上，第二基板是具有 一導熱絕緣基材； 一第一金屬層及一第二金屬層，其 是分別形成于導熱絕緣基材的兩側(cè)面，且第一金屬層是與第一表面結(jié)合；以 及一導電部，其是形成于導熱絕緣基材，且分別與第一金屬層及第二金屬 層導電相連；移除第一基板，其是自第二表面被移除；以及形成一電極,其是 形成于第二表面上。
此外，為達到上述目的，本發(fā)明還提供了一種具有導電導熱基板的發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)，其包括 一第二基板，其是具有 一導熱絕緣基材； 一第一金 屬層及一第二金屬層，其是分別形成于導熱絕緣基材的兩側(cè)面；以及一導 電部，其是形成于導熱絕緣基材，且分別與第一金屬層及第二金屬層導電 相連； 一發(fā)光磊晶層，其是具有 一第一表面及一第二表面，又第一表面 是與第一金屬層結(jié)合；以及一電極,其是設置于第二表面上。
借由上述技術方案，本發(fā)明具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法 及其結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點及有益效果
一、 由于使用具有高導熱系數(shù)的導熱絕緣基材，因此發(fā)光二極管出光時 所產(chǎn)生的熱可有效排除，達到穩(wěn)定出光品質(zhì)的功效。
二、 由于使用非金屬的導熱絕緣基材，所以可降低發(fā)光二極管的制造成本。
綜上所述，本發(fā)明是一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法及 其結(jié)構(gòu)，其包括下列步驟提供第一基板；形成發(fā)光磊晶層于第一基板上；結(jié) 合第二基板于發(fā)光磊晶層的第一表面上；移除第一基板；以及形成電極。藉 由此制造方法可以獲得具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，且發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)中第二基板為可導電及導熱的基板，因此可有效散除發(fā)光二極管出 光時所產(chǎn)生的熱。本發(fā)明具有上述優(yōu)點及實用價值，其不論在制造方法、產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進，在技術上有顯著的進步，并產(chǎn)生了好用及 實用的效果，且較現(xiàn)有的形成具有金屬基板的發(fā)光二極管的制造方法具有 增進的突出功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進步、實用的新設計。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細說明如下。


圖1是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法較佳實 施例的流程圖。
圖2A至圖2E是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方 法較佳實施例的制程圖。
圖3是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例 的分解立體圖一。
圖4是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例 的分解立體圖二。
圖5是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例 的分解立體圖三。
100:具有導電導熱基板的發(fā)光二極管10第一基板
20:發(fā)光蟲晶層21p型半導體層
22:主動層23n型半導體層
24:第一表面25第二表面
30:第二基板32導熱絕纟彖基材
31:第一金屬層33
34:導電部341:導電通道342:金屬層40:電極
具體實施例方式
為了更進一步闡述本發(fā)明為達成預定的發(fā)明目的所采取的^L術手^:及 功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的具有導電導熱基 板的發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、制造方法、步驟、結(jié) 構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
有關本發(fā)明的前述及其他技術內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參閱圖式 的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當可
的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖1是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法較佳實
9施例的流程圖。圖2A至圖2E是本發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二 極管制造方法較佳實施例的制程圖。圖3是本發(fā)明的一種具有導電導熱基 板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例的分解立體圖一。圖4是本發(fā)明的一種具 有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例的分解立體圖二。圖5是本 發(fā)明的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)較佳實施例的分解立體圖
請參閱圖1所示，本發(fā)明較佳實施例的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二 極管制造方法，其包括下列步驟:提供一第一基板S10;形成一發(fā)光磊晶層于 第一基板上S20;結(jié)合一第二基板于發(fā)光磊晶層的第一表面上S30;移除第一 基板S40;以及形成一電極S50。
提供一第 一基板S10:請參閱圖2A所示，第 一基板10可以為適合磊晶成 長的一藍寶石基板。
形成一發(fā)光磊晶層于第一基板上S20:請參閱圖2B所示，發(fā)光磊晶層20 是磊晶形成于第一基板10上，且發(fā)光磊晶層20是可以依序由一 n型半導 體層23、 一主動層22及一p型半導體層21所堆疊組成。又發(fā)光磊晶層20 是具有一第一表面24及一第二表面25,且其分別為n型半導體層23及p 型半導體層21的表面。為當有電流依序經(jīng)過p型半導體層21、主動層" 及n型半導體層23時，由于電子與電洞結(jié)合，使得電能轉(zhuǎn)換成光能，因此可 以由主動層22出光。
結(jié)合一第二基板于發(fā)光磊晶層的第一表面上S30:請參閱圖2B及圖2C 所示，其中第二基板30為一可導電及導熱的基板，且第二基板30是可以藉 由高溫加壓的方式結(jié)合于發(fā)光磊晶層20的第一表面M上。又第二基板30 是具有 一導熱絕緣基材32; —第一金屬層31及一第二金屬層33;以及一 導電部34。
導熱絕緣基材32，其可以為一具有高導熱系數(shù)且絕緣的材質(zhì)，例如氮 化鋁、陶乾、碳化硅......。
第一金屬層31及第二金屬層33,其是分別形成于導熱絕緣基材32的相 對的兩側(cè)面，且第一金屬層31是與發(fā)光磊晶層20的第一表面24結(jié)合。第 一金屬層31及第二金屬層33的材質(zhì)可以為一具有高導電系數(shù)的金屬，例 如一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合金的金屬。
導電部34，其是形成于導熱絕緣基材32中，并貫穿導熱絕緣基材32,且 分別與第一金屬層31及第二金屬層33導電相連。而導電部"是可以由至 少一導電通道341所構(gòu)成，且導電通道341的材質(zhì)可以為銅、4艮、金、鋁……等。
移除第一基板S40:請參閱圖2D所示，第一基板10是自發(fā)光磊晶層 20的一第二表面25 ^支移除。而移除第一基^反10的方法可以選自于激光掀離、濕式蝕刻法、化學拋光法或其組合。
形成一電極S50:請參閱圖2E所示，電極40是形成于發(fā)光磊晶層20的 第二表面25上，且電極40可以為一透明電極，亦可以為一金屬電極。而 電極40是用以在封裝過程中提供打線，使得具有導電導熱基板的發(fā)光二極 管100可與導線支架導電相連。
而藉由實施上述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，是可以 得到如圖3所示的一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管100,其包括 一第 二基板30; —發(fā)光磊晶層20;以及一電沖及40。而第二基板30是由導熱絕 緣基材32、第一金屬層31、第二金屬層33以及一導電部34所構(gòu)成，且導 電部34是由至少一導電通道341所構(gòu)成。
由于導電部34可以為至少一導電通道341所構(gòu)成，使得如圖4所示，第 二金屬層33亦可以為由多數(shù)個金屬板所形成，且每一金屬板是與導電通道 341導電相連。
請參閱圖5所示，導電部34亦可以為至少一金屬層342所構(gòu)成，且金屬 層342是形成于導熱絕緣基材32的側(cè)邊，又金屬層342形成的方式可以為 蒸鍍、濺鍍......等。又金屬層342是分別與第一金屬層31及第二金屬層33
導電相連。
當導通具有導電導熱基板的發(fā)光二極管100時，由于第二基板30中具 有導電部34，且導電部34是分別與第一金屬層31及第二金屬層33電性相 連，因此當有電流自第一金屬層31流入第二基板30時，電流可通過導電 部34而傳遞至第二金屬層33。
因此具有導電導熱基板的發(fā)光二極管IOO在封裝過程中，可直接使用第 二基板30的第二金屬層33與導線支架導電相連，并再藉由打線方式，使得 電極40及導電支架與外部電源導電相連。
而通過外部電源輸入電流之后，發(fā)光蟲晶層20將^皮導通出光，且其所 產(chǎn)生的熱可以通過第二基板30中的第一金屬層31傳遞至導熱絕緣基材32 而快速被排除，使得具有導電導熱基板的發(fā)光二極管100可維持穩(wěn)定的出 光品質(zhì)，并也可避免因高溫而縮短使用壽命。除此之外，具有導電導熱基 板的發(fā)光二極管100由于導熱絕緣基材32及導電部34的設置，因此可達到 熱電分離的功歲文。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利 用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一第一基板；形成一發(fā)光磊晶層于該第一基板上，其是具有一第一表面及一第二表面；結(jié)合一第二基板于該第一表面上，又該第二基板是具有一導熱絕緣基材；一第一金屬層及一第二金屬層，其是分別形成于該導熱絕緣基材的兩側(cè)面，且該第一金屬層是與該第一表面結(jié)合；以及一導電部，其是形成于該導熱絕緣基材，且分別與該第一金屬層及該第二金屬層導電相連；移除該第一基板，其是自該第二表面被移除；以及形成一電極，其是形成于該第二表面上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的第 一基板為 一藍寶石基板。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的發(fā)光磊晶層是依序由一 n型半導體層、 一主動層及 一 p型半導體層所堆疊組成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的第一金屬層的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫 合金的金屬。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一 氮化鋁基材。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一 陶瓷基材。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一碳化硅基材。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的第二金屬層的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫 合金的金屬。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的導電部是由至少一導電通道所構(gòu)成。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的導電部是由至少一金屬膜所構(gòu)成。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的移除該第一基板的步驟所使用的方法是選自于激光掀離、濕式蝕刻法、化學拋光法或其組合。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于其中所述的電極為一透明電極。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法， 其特征在于其中所述的電極為一金屬電極。
14、 一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括 一第二基板，其是具有 一導熱絕緣基材； 一第一金屬層及一第二金屬層，其是分別形成于該導熱絕緣基材的兩側(cè)面；以及一導電部，其是形 成于該導熱絕緣基材，且分別與該第一金屬層及該第二金屬層導電相連；一發(fā)光磊晶層，其是具有 一第一表面及一第二表面，又該第一表面是 與該第一金屬層結(jié)合；以及一電極，其是設置于該第二表面上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一 氮化鋁基材。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一 陶瓷基材。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的導熱絕緣基材為 一碳化硅基材。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的第 一金屬層的材質(zhì)為一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合 金的金屬。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的第二金屬層的材質(zhì)為 一鋁金屬、 一錫金屬或一鋁錫合 金的金屬。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的第二金屬層是由多數(shù)個金屬板所形成。
21、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的導電部是由至少一導電通道所構(gòu)成。
22、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的導電部是由至少 一金屬膜所構(gòu)成。
23、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的發(fā)光磊晶層是依序由一 n型半導體層、 一主動層及一 p 型半導體層所堆疊組成。
24、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其 特征在于其中所述的電極為一透明電極。
25、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的電極為 一金屬電極。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種具有導電導熱基板的發(fā)光二極管制造方法及其結(jié)構(gòu)。該制造方法包括以下步驟提供一第一基板；形成一發(fā)光磊晶層于該第一基板上；結(jié)合一第二基板于該發(fā)光磊晶層的第一表面上；移除該第一基板；以及形成一電極。該具有導電導熱基板的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括一第二基板；一發(fā)光磊晶層；以及一電極。本發(fā)明由于使用具有高導熱系數(shù)的導熱絕緣基材，因此發(fā)光二極管出光時所產(chǎn)生的熱可有效排除，達到穩(wěn)定出光品質(zhì)的功效；并且由于使用非金屬的導熱絕緣基材，所以可降低發(fā)光二極管的制造成本。
文檔編號H01L33/00GK101521252SQ20081016740
公開日2009年9月2日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者張旭源 申請人:鉅亨電子材料元件有限公司