專利名稱：：電源供應(yīng)集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電源管理電路，尤其是涉及一種用于磁性電容模塊的集成電路，其中該集成電路同時包含有以磁性電容作為電力輸出的電源供應(yīng)模塊以及控制該磁性電容模塊的電力輸出的管理模塊。
背景技術(shù)：
：便攜式電子產(chǎn)品的縮小趨勢仍持續(xù)，故電池于電子產(chǎn)品中的可用空間也因而縮小，導(dǎo)致其供電能力也減少；因此工程師提出諸多解決方案來提供電子產(chǎn)品更長的操作時間-其中一種解決方案便是通過更佳的電源管理，同時具備效率與彈性的電源管理已成為便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計上重要的考慮因素之一。一般而言，電源管理可就三個層面來進行首先是電池本身的管理，將電池更完全地充電，并長期保持所儲存的電力(減少漏電流)，并在電力耗盡之前供應(yīng)最多電力；其次是系統(tǒng)功耗元件(例如處理器和外圍裝置)的主動管理，它們的功耗可以根據(jù)系統(tǒng)效能需求(如通過低耗電模式以減少電力消耗)進行管理；最后則是電源轉(zhuǎn)換程序，其必須將不斷變動的電池電壓轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)所需的多個固定電壓(通過穩(wěn)壓元件)。已知的技術(shù)中，一般利用電量估計電路(GasgaugeIC)與保護電路(ProtectionIC)來作為電池的主要管理模塊。已知電量估計電路作為電池與系統(tǒng)主機之間溝通的管理功能，主要通過檢測器(detector)來測量電池輸出/輸入的電流量、電壓及/或溫度，再將測量得到的數(shù)值傳送至一處理器或一微控制器來計算各種數(shù)據(jù)參數(shù)，包括電池剩余的容量，剩余供電時間，電池電壓、溫度與平均電流等等。而已知保護電路則提供電池充/放電時的保護機制，包含有過充電保護，過放電保護與短路保護等等。通過以上的功能，系統(tǒng)也可進一步的通過傳輸接口(如總線)執(zhí)行以下功能電池管理模塊可向充電裝置發(fā)出所需的充電電壓和電流、以及狀態(tài)和警報信息；同時系統(tǒng)主機也可以在任何時間詢問電池管理模塊目前功率消耗下的預(yù)計工作時間，進而使得便攜式電子產(chǎn)品的電源管理可提高電池的使用可靠性、延長電池的使用時間以及確保電池的使用容然而，以上的功能需要額外設(shè)計軟件程序與硬件電路來配合，無形間增加了一部分的功率消耗，甚至占用了部分系統(tǒng)空間與資源。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明提供了一種集成電路，除了具備了電源管理的功能，還另外整合了一種足以取代傳統(tǒng)電池或電容的電源供應(yīng)模塊于該集成電路中。該電源供應(yīng)模塊利用磁性電容來輸出電力，且磁性電容具備優(yōu)于傳統(tǒng)電池與電容的各種特性，如高速充放電、幾乎不存在的漏電流、較長的使用壽命并且擁有同等于已知能量儲存裝置所能達到的最高能量儲存密度，此外，通過本發(fā)明的披露，在電子產(chǎn)品的空間中僅需占用一個集成電路大小的空間，從而實現(xiàn)一個體積小且內(nèi)含主動管理功能的電源供應(yīng)模塊。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，其提供一種電源供應(yīng)集成電路。該電源供應(yīng)集成電路包含一磁性電容模塊，其包含有至少一磁性電容，用以提供電力輸出；以及一管理模塊，耦接于該磁性電容模塊，用以對該磁性電容模塊進行電源供應(yīng)管理。在可行的實施方式中，該磁性電容模塊與該管理模塊設(shè)置于同一晶粒(die)中或設(shè)置于同一集成電路封裝體(package)中。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，該管理模塊包含有一狀態(tài)檢測單元與一控制單元。該狀態(tài)檢測單元耦接于該磁性電容模塊中的每一磁性電容，用以檢測每一磁性電容的硬件狀態(tài)來產(chǎn)生一檢測結(jié)果。該控制單元耦接于該狀態(tài)檢測單元，用以依據(jù)該檢測結(jié)果來產(chǎn)生一控制信號來控制該磁性電容模塊的電力輸出。圖1為本發(fā)明的狀態(tài)檢測單元與磁性電容模塊的一實施例的示意圖。圖2為應(yīng)用本發(fā)明的電源供應(yīng)集成電路的一電子裝置的示意圖。圖3為本發(fā)明的電源供應(yīng)集成電路的另一實施例的示意圖。圖4為本發(fā)明磁性電容與其它已知能量儲存媒介的比較示意圖。圖5為本發(fā)明磁性電容的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為圖5所示的第一磁性電極的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖符號說明<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>10、201、320磁性電容模塊218、318輸入單元222電子裝置250中央處理器260充電模塊510、520磁性電極515、525、513、517磁偶極512、516磁性層514隔離層531、532接口530介電層具體實施例方式首先，通過圖1來解釋磁性電容模塊的結(jié)構(gòu)與狀態(tài)檢測單元的關(guān)系。圖1為本發(fā)明的磁性電容模塊與狀態(tài)檢測單元的一實施例。如圖所示，磁性電容模塊10包含有多個磁性電容11、12、13、14、15以及16，依附圖中串并聯(lián)混合的方式來電連接。狀態(tài)檢測單元20具有多條接線，分別連接至磁性電容模塊10中每一個磁性電容的兩端，可檢測所述磁性電容兩端的電壓差，輸出電流等與磁性電容相關(guān)的狀態(tài)信息，進而利用存于磁性電容兩端間的電壓差與輸出電流來提供予一運算電路以便估計所剩余的電量。請注意，磁性電容模塊IO中的磁性電容的連接方式與磁性電容的個數(shù)僅為說明之用，并非本發(fā)明的限制。接著請參考圖2，其是本發(fā)明的電源供應(yīng)集成電路應(yīng)用于一電子裝置的一實施例的示意圖。電子裝置222包含有一電源供應(yīng)集成電路200，用于供給電子裝置222中所有電力需求；一中央處理器250，耦接于電源供應(yīng)集成電路200，通過電源供應(yīng)集成電路200的電力供應(yīng)來執(zhí)行電子裝置222的運算需求，且對電源供應(yīng)集成電路200的運作進行控制；以及一充電模塊260，耦接于電源供應(yīng)集成電路200，可對電源供應(yīng)集成電路200進行充電。本實施例中，電源供應(yīng)集成電路200包含有一管理模塊210以及一磁性電容模塊201。管理模塊210包含一控制單元211、一定址單元212、一地址選擇器213、一狀態(tài)檢測單元214、一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器215、一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器216、一輸出單元217以及一輸入單元218。磁性電容模塊201具有多個磁性電容，用以提供電力輸出，所述磁性電容的連接關(guān)系可如圖l所示，然而所述磁性電容以其它連接方式(亦即任何串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)的方式電6連接)而設(shè)置于磁性電容模塊201也是可行的。狀態(tài)檢測單元214耦接于磁性電容模塊201，兩者的連接關(guān)系可如圖1所示，而狀態(tài)檢測單元214分別耦接至磁性電容模塊201中的每一磁性電容，用以檢測每一磁性電容的輸出電流與兩端電壓差，且可取得內(nèi)建于磁性電容模塊200中的一硬件辨識信息，該硬件辨識信息包含有磁性電容模塊的出廠日期、制造廠商以及每一磁性電容的電容值和工作電壓等相關(guān)信息。此外，狀態(tài)檢測單元214可根據(jù)該硬件辨識信息與每一磁性電容的狀態(tài)信息(電壓、電流或其它電力供應(yīng)狀態(tài))產(chǎn)生一檢測結(jié)果至控制單元211?？刂茊卧?11耦接于狀態(tài)檢測單元214，用以依據(jù)該檢測結(jié)果產(chǎn)生一控制信號來控制磁性電容模塊201的電力輸出，在一實施例中，控制單元211所產(chǎn)生的控制信號將會傳送至定址單元212來產(chǎn)生一定址結(jié)果，該定址結(jié)果將會指出磁性電容模塊201中實際進行充放電的磁性電容，因此，該定址結(jié)果被傳送至地址選擇器213，而地址選擇器213耦接于磁性電容模塊201與定址單元212，會依據(jù)該定址結(jié)果來設(shè)定多個磁性電容中實際被選擇來進行充放電的磁性電容。地址選擇器213與定址單元212的作用乃是為了配合本發(fā)明的磁性電容模塊201的結(jié)構(gòu)，舉例來說，磁性電容模塊201中的多個磁性電容系以陣列、矩陣或其它規(guī)則性的方式來排列。如圖l所示，其中所述磁性電容被連接成一類似于矩陣的結(jié)構(gòu)，而考慮到實際的應(yīng)用情形，磁性電容模塊201的實際結(jié)構(gòu)可能是一個大于圖1的磁性電容模塊100中的一矩陣，因此，為方便控制單元211的運作，地址選擇器213與定址單元212以一種類似于存儲單元(memorycell)存取架構(gòu)的方式來控制磁性電容模塊201的充放電，以求更有效率地管理磁性電容模塊201中的多個磁性電容。關(guān)于地址選擇器213與定址單元212的設(shè)計與原理應(yīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所能輕易了解，故為求說明書的整潔在此便不多作贅述。而磁性電容模塊201以矩陣的方式來連接其中的磁性電容的一好處在于可以提供更長時間的電力供應(yīng)以及更彈性的電力供應(yīng)方式。顯而易見地，若磁性電容模塊201若包含有越多個磁性電容，即代表其可于電力供應(yīng)之前，存有更有能量來供應(yīng)，故可具備長時間的電力供應(yīng)能力。至于更彈性的電力供應(yīng)方式則說明如下。請參考圖l，假設(shè)其中每一磁性電容都相同，且工作電壓為3V，因此若磁性電容模塊100應(yīng)用于供應(yīng)電力予一輸入電壓為2.5V的外接電路，則代表磁性電容模塊100所對應(yīng)的地址選擇器(未示出)僅需選擇一磁性電容或多個磁性電容并聯(lián)(如磁性電容11并聯(lián)磁性電容13再并聯(lián)磁性電容15)來輸出電力，再通過外部的穩(wěn)壓元件(未示出)將電壓調(diào)整至2.5V，然后輸出至該外接電路。同樣地，若應(yīng)用于一輸入電壓為6V的外部電路，此時地址選擇器需選擇兩個串聯(lián)的磁性電容來放電(如磁性電容11串聯(lián)磁性電容12)，通過穩(wěn)壓元件的穩(wěn)壓，再將電力傳送至該外部電路。如此一來，磁性電容模塊在大量生產(chǎn)時，將可通過內(nèi)部的管理模塊來輕易地達到客制化的需求。請再回到圖2，以下將繼續(xù)說明本發(fā)明電源供應(yīng)集成電路200的運作細節(jié)。如圖所示，電源供應(yīng)集成電路200包含有輸出單元217耦接于控制單元211與磁性電容模塊201，而輸出單元217用以提供接腳將控制單元211所產(chǎn)生的一輸出信號S_OUT傳送至中央處理器250，并且也提供接腳來輸出電力至中央處理器250。更詳細的說，控制單元211可以執(zhí)行內(nèi)嵌于其中的閃速存儲器(未示出)的程序代碼來將狀態(tài)檢測單元214所產(chǎn)生的該檢測結(jié)果轉(zhuǎn)換為磁性電容模塊剩余電量的估計結(jié)果，從而輸出至中央處理器250，也可通過控制7單元211直接輸出磁性電容的狀態(tài)信息至中央處理器250，也就是說，控制單元211可以直接依據(jù)該檢測結(jié)果而通過地址選擇器213與定址單元212來執(zhí)行電源管理，也可通過電源供應(yīng)集成電路200外部的中央處理器250來執(zhí)行一電源管理程序以進行電源管理的控制。舉例來說，若電源供應(yīng)集成電路200外接于一個不具有電源供應(yīng)集成電路的控制能力的設(shè)備，此時僅有利用電源供應(yīng)集成電路200本身控制單元211所內(nèi)建的電源管理程序來進行電源輸出的管理。若電源供應(yīng)集成電路200外接于一個具有電源供應(yīng)集成電路的控制能力的設(shè)備，此時該設(shè)備可下達指令至控制單元211，接著，控制單元211便根據(jù)所接收的指令來處理后續(xù)電源輸出管理的操作。綜上所述，對磁性電容模塊201所進行的管理可通過控制單元211執(zhí)行內(nèi)嵌閃速存儲器的電源管理程序來達成或由中央處理器250執(zhí)行一更智能化的電源管理程序再傳送對應(yīng)控制信號至控制單元211來實現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可明了兩種方式的優(yōu)劣與差別，在此不多作贅述。如上所述，本發(fā)明電源集成電路200還包含有輸入單元218，耦接于磁性電容模塊201與控制單元211，用以提供接腳將中央處理器250所產(chǎn)生的一輸入信號SJN傳送至控制單元211，而輸入信號S—IN可包含有兼容于控制單元211的指令與數(shù)據(jù)(例如中央處理器250所需電力的信息)，以進一步地通過控制單元211來控制磁性電容模塊201。以下進一步說明中央處理器250與控制單元211的關(guān)系，假設(shè)中央處理器250于通常情形運作時需要35W的電力，然而此時磁性電容模塊201所剩余的電量僅能供應(yīng)35W的電力1小時，若控制單元211自狀態(tài)檢測單元214得到此電量估計結(jié)果，則通過輸出單元217將此結(jié)果輸出至中央處理器250，之后，依據(jù)中央處理器250所執(zhí)行的電源管理程序的判斷，會將中央處理器250切換至省電模式(如僅需15W的電力)，而中央處理器250還會送出輸入信號S—IN至控制單元211告知其僅需供應(yīng)較少的電力，然后控制單元211會依據(jù)內(nèi)嵌閃速存儲器的程序來運算在此電力供應(yīng)(亦即15W的電力)的條件下，需要實際選擇來放電的磁性電容，再通過定址單元212與地址選擇器213來進行所需磁性電容的選擇。此外，輸入單元218還耦接于一充電模塊260，充電模塊216可通過輸入單元218來對磁性電容模塊201進行充電以補充其消耗的電能。此處再舉一例來說明本發(fā)明電源供應(yīng)集成電路200的運用特征。假設(shè)磁性電容模塊201在進行一段時間的電力輸出后(磁性電容放電)，磁性電容兩端的電壓差會逐漸下降(亦即磁性電容內(nèi)部所儲存的電荷被釋放)，當下降至一程度后便導(dǎo)致整個磁性電容模塊201的輸出電壓過低，因而造成無法符合外部的穩(wěn)壓元件的輸入范圍，這時，倘若磁性電容模塊201中仍留有一部分磁性電容未被選擇來放電，此時可通過加入這一部分的磁性電容的放電來使磁性電容模塊201的輸出電壓上升而恢復(fù)至該穩(wěn)壓元件可接受的輸入范圍，最后使得電力的輸出可以繼續(xù)穩(wěn)定地進行。再者，電源供應(yīng)集成電路200中的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器216用以將管理模塊210中的一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為一模擬信號，以及電源供應(yīng)集成電路200中的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器215用以將管理模塊210中的一模擬信號轉(zhuǎn)換為一數(shù)字信號。舉例來說，狀態(tài)控制單元214在檢測磁性電容模塊201中每一磁性電容的電壓及電流后，因電流與電壓等信息為模擬信號，需通過模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器215轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號之后，控制單元211才得以處理該狀態(tài)信息。應(yīng)為注意的是，以上所披露的電源供應(yīng)集成電路200的結(jié)構(gòu)并非本發(fā)明的限制，請進一步參考以下的實施例來了解本發(fā)明的意涵。請參考圖3，圖3據(jù)本發(fā)明的另一實施例的電源供應(yīng)集成電路300的示意圖。電源供應(yīng)集成電路300包含有一管理模塊310與一磁性電容模塊320。管理模塊310包含有一控制單元311、一定址單元312、一地址選擇器313、一輸出單元317、一輸入單元318、一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器316以及一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器315。請注意，本實施例中的各模塊與單元的功能等同于圖2所對應(yīng)的實施例，在此不重復(fù)說明。相較于圖2所示的電源供應(yīng)集成電路200，本實施例的電源供應(yīng)集成電路300并不具有狀態(tài)檢測單元。因此，通過內(nèi)建于磁性電容模塊320中的硬件辨識信息所記載的制造商的相關(guān)信息、磁性電容模塊的型號，單一磁性電容的規(guī)格(工作電壓、電容值等等)或者是出場年月來提供予一外部電路(未示出)，再通過外接于電源供應(yīng)集成電路300的測量電路進行電壓與電流的測量，并使用適當?shù)碾娫垂芾沓绦蛞酝ㄟ^硬件辨識信息及/或電力供應(yīng)狀態(tài)(亦即電壓/電流的測量結(jié)果)來決定出最佳的電源管理策略，再下達指令給控制單元311以經(jīng)由控制單元311來對磁性電容模塊320進行電源管理。圖3所代表的實施例主要在說明本發(fā)明并未對管理模塊的電路構(gòu)成施加限制，亦即，就更概念性的層面而言，本發(fā)明所披露的管理模塊所提供的功能可以是控制與狀態(tài)監(jiān)控兩者之一，抑或是兩者兼具，均屬本發(fā)明的范疇。因本發(fā)明的主旨在于將一個可提供電源管理用途的電路模塊與磁性電容所構(gòu)成的電源模塊整合于單一集成電路，其可能的方式包含有系統(tǒng)級封裝(SystemInPackage,SiP)或者是單芯片系統(tǒng)(SystemOnChip，SoC)，以據(jù)此達到電路微縮化的目標。以下還將詳細介紹本發(fā)明磁性電容模塊10、201、320中所采用的磁性電容的原理及操作的細節(jié)。請參考圖4，圖4為本發(fā)明磁性電容與其它已知能量儲存媒介的比較示意圖。相較于主要以化學(xué)能方式進行能量儲存的其它已知能量儲存媒介(例如傳統(tǒng)電池或超級電容)，其所能產(chǎn)生的瞬間電力輸出也會受限于化學(xué)反應(yīng)速率，而無法快速的充放電或進行高功率輸出，且充放電次數(shù)有限，過度充放時易滋生各種問題。反觀，由于磁性電容中儲存的能量全部以電位能的方式進行儲存，磁性電容除了具有可匹配的高能量儲存密度外，更因充分保有電容的特性，而具有壽命長(高充放電次數(shù))、無存儲效應(yīng)、可進行高功率輸出、快速充放電等特點，故可有效解決當前電池所遇到的各種問題。簡而言之，盡管傳統(tǒng)電容或電池，甚至于超級電容，固然有其優(yōu)勢之處，但由圖4可知，磁性電容兼具了傳統(tǒng)電容與傳統(tǒng)電池的優(yōu)點，因此在作為一個電力供應(yīng)元件上，是相當好的選擇。請參考圖5，圖5為本發(fā)明磁性電容的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，磁性電容500包含有一第一磁性電極510、一第二磁性電極520以及位于其間的一介電層530。第一磁性電極510與第二磁性電極520由具磁性的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，并通過適當?shù)耐饧与妶鲞M行磁化，使第一磁性電極510與第二磁性電極520內(nèi)分別形成磁偶極(magneticdipole)515與525，以于磁性電容500內(nèi)部構(gòu)成一磁場，對帶電粒子的移動造成影響，從而抑制磁性電容500的漏電流。所需要特別強調(diào)的是，圖5中磁偶極515與525的箭頭方向僅為范例說明。對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)可了解到磁偶極515與525實際上由多個整齊排列的微小磁偶極所迭加而成，且在本發(fā)明中，磁偶極515與525最后形成的方向并無限定，可依磁性電容500的形狀進行調(diào)整，例如可指向同一方向或不同方向。介電層530則用來分隔第一磁性電極510與第二磁性電極520，以于第一磁性電極510與第二磁性電極520處累積電荷而儲存電位能。在本發(fā)明的一實施例中，第一磁性電極510與第二磁性電極520包含有磁性導(dǎo)電材質(zhì)，例如稀土元素，介電層530由氧化鈦(Ti03)、氧化鋇鈦(BaTi03)或一半導(dǎo)體層，例如氧化硅(siliconoxide)所構(gòu)成，然而本發(fā)明并不限于此，第一磁性電極510、第二磁性電極520與介電層530均可視產(chǎn)品的需求而選用適當?shù)钠渌牧?。進一步說明磁性電容的操作原理如下。物質(zhì)在一定磁場下電阻改變的現(xiàn)象，稱為"磁阻效應(yīng)"，磁性金屬和合金材料一般都有這種磁電阻現(xiàn)象，通常情況下，物質(zhì)的電阻率在磁場中僅產(chǎn)生輕微的減??；在某種條件下，電阻率減小的幅度相當大，比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻值高出10倍以上，而能夠產(chǎn)生很龐大的磁阻效應(yīng)。若進一步結(jié)合Maxwell-Wagner電路模型，磁性顆粒復(fù)合介質(zhì)中也可能會產(chǎn)生很龐大的磁電容效應(yīng)。在已知電容中，電容值C由電容的面積A、介電層的介電常數(shù)e。、及厚度d決定，如C二"然而在本發(fā)明中，磁性電容500主要利用第一磁性電極510與第二磁性電^。極520中整齊排列的磁偶極來形成磁場來，使內(nèi)部儲存的電子朝同一自旋方向轉(zhuǎn)動，進行整齊的排列，故可在同樣條件下，容納更多的電荷，進而增加能量的儲存密度。模擬于已知電容，磁性電容500的運作原理相當于通過磁場的作用來改變介電層530的介電常數(shù)，故造成電容值的大幅提升。此外，在本實施例中，第一磁性電極510與介電層530之間的接口531以及第二磁性電極520與介電層530之間的接口532均為一不平坦的表面，以通過增加表面積A的方式，進一步提升磁性電容500的電容值C。請參考圖6，圖6為圖5所示的第一磁性電極510的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，第一磁性電極510為一多層結(jié)構(gòu)，包含有一第一磁性層512、一隔離層514以及一第二磁性層516，其中隔離層514由非磁性材料所構(gòu)成，而第一磁性層512與第二磁性層516則包含有具磁性的導(dǎo)電材料，并在磁化時，通過不同的外加電場，使得第一磁性層512與第二磁性層514中的磁偶極513與517分別具有不同的方向，例如在本發(fā)明的一較佳實施例中，磁偶極513與517的方向為反向，而能進一步抑制磁性電容500的漏電流。此外，需要強調(diào)的是，第一磁性電極510的結(jié)構(gòu)并不限于前述的三層結(jié)構(gòu)，而可以類似的方式，以多個磁性層與非磁性層不斷交錯堆棧，再通過各磁性層內(nèi)磁偶極方向的調(diào)整來進一步抑制磁性電容500的漏電流，甚至達到幾乎無漏電流的效果。此外，第二磁性電極520的結(jié)構(gòu)也可采用上述第一磁性電極510的結(jié)構(gòu)，此一設(shè)計變化也屬本發(fā)明的范疇。此外，由于已知儲能元件多半以化學(xué)能的方式進行儲存，因此都需要有一定的尺寸，否則往往會造成效率的大幅下降。相較于此，本發(fā)明的磁性電容500以電位能的方式進行儲存，如此一來可以提供更有效率的儲能方式，因而本發(fā)明的磁性電容可作為一個較佳的電力供應(yīng)來源。綜合上述，與常見的已知能量儲存媒介(電容、電池)相較本發(fā)明的磁性電容有不低于傳統(tǒng)電池的能量儲存密度與同等于傳統(tǒng)電容的高速充放電與不易老化的特性，具備了已知能量儲存媒介的所有優(yōu)點且同時也可被集成電路化，進而得已與相關(guān)的管理模塊整合于單一集成電路，以提供更有效率與彈性的電力供應(yīng)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。權(quán)利要求一種電源供應(yīng)集成電路，包含一磁性電容模塊，包含有至少一磁性電容，用以提供電力輸出；以及一管理模塊，耦接于該磁性電容模塊，用以對該磁性電容模塊進行一電源供應(yīng)管理。2.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該磁性電容模塊與該管理模塊設(shè)置于同一晶粒中。3.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該磁性電容模塊與該管理模塊設(shè)置于同一集成電路封裝體中。4.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊包含有一狀態(tài)檢測單元，耦接于該磁性電容模塊中的每一磁性電容，用以檢測每一磁性電容的硬件狀態(tài)來產(chǎn)生一檢測結(jié)果。5.如權(quán)利要求4所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊還包含有一控制單元，耦接于該狀態(tài)檢測單元，用以依據(jù)該檢測結(jié)果來產(chǎn)生一控制信號來控制該磁性電容模塊的電力輸出。6.如權(quán)利要求5所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該磁性電容模塊包含有多個磁性電容，以及該管理模塊還包含有一定址單元，耦接于該控制單元，用以依據(jù)該控制信號來產(chǎn)生一定址結(jié)果；以及一地址選擇器，耦接于該磁性電容模塊與該定址單元，用以依據(jù)該定址結(jié)果來自該多個磁性電容中選擇用以輸出電力的磁性電容。7.如權(quán)利要求5所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊還包含有一輸出單元，耦接于該控制單元與該磁性電容模塊，該輸出單元具有至少一接腳，用以將該控制單元所產(chǎn)生的一輸出信號傳送至該電源供應(yīng)集成電路所耦接的一外部電路。8.如權(quán)利要求7所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該輸出信號所傳遞的信息包含有該狀態(tài)檢測單元所產(chǎn)生的該檢測結(jié)果。9.如權(quán)利要求5所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊還包含有一輸入單元，耦接于該磁性電容模塊與該控制單元，該輸入單元具有至少一接腳，用以將該電源供應(yīng)集成電路所耦接的一外部電路所產(chǎn)生的一輸入信號傳送至該控制單元。10.如權(quán)利要求9所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該控制單元還依據(jù)該輸入信號來控制該磁性電容模塊。11.如權(quán)利要求4所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該狀態(tài)檢測單元檢測每一磁性電容的電力供應(yīng)狀態(tài)來產(chǎn)生該檢測結(jié)果。12.如權(quán)利要求4所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該狀態(tài)檢測單元檢測每一磁性電容的硬件辨識信息來產(chǎn)生該檢測結(jié)果。13.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊包含有一控制單元，用以產(chǎn)生一控制信號來控制該磁性電容模塊的電力輸出。14.如權(quán)利要求13所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該磁性電容模塊包含有多個磁性電容，以及該管理模塊還包含有一定址單元，耦接于該控制單元，用以依據(jù)該控制信號來產(chǎn)生一定址結(jié)果；以及一地址選擇器，耦接于該磁性電容模塊與該定址單元，用以依據(jù)該定址結(jié)果來自該多個磁性電容中選擇用以輸出電力的磁性電容。15.如權(quán)利要求13所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊還包含有一輸出單元，耦接于該控制單元與該磁性電容模塊，該輸出單元具有至少一接腳，用以將該控制單元所產(chǎn)生的一輸出信號傳送至該電源供應(yīng)集成電路所耦接的一外部電路。16.如權(quán)利要求13所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊還包含有一輸入單元，耦接于該磁性電容模塊與該控制單元，該輸入單元具有至少一接腳，用以將該電源供應(yīng)集成電路所耦接的一外部電路所產(chǎn)生的一輸入信號傳送至該控制單元。17.如權(quán)利要求16所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該控制單元還依據(jù)該輸入信號來控制該磁性電容模塊。18.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該管理模塊包含有一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器或一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器；其中該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器用以將該管理模塊中的一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為一模擬信號以及該模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器用以將該管理模塊中的一模擬信號轉(zhuǎn)換為一數(shù)字信號。19.如權(quán)利要求1所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該磁性電容包含有一第一磁性電極，其由具有磁性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，用以形成一第一磁偶極；一第二磁性電極，其由具有磁性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，用以形成具有一第二磁偶極；以及一介電層，設(shè)置于該第一磁性電極與該第二磁性電極之間。20.如權(quán)利要求19所述的電源供應(yīng)集成電路，其中該第一磁性電極包含有一第一磁性層，其由具磁性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，用以形成具有一第三磁偶極；一第二磁性層，其由具磁性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，用以形成一第四磁偶極；以及一隔離層，其由非磁性物質(zhì)所構(gòu)成并設(shè)置于該第一磁性層與該第二磁性層之間，其中該第一磁偶極由該第三磁偶極與該第四磁偶極所構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供一種電源供應(yīng)集成電路，包含有一磁性電容模塊與一管理模塊。該磁性電容模塊包含有至少一磁性電容，用以提供電力輸出。該管理模塊耦接于該磁性電容模塊，用以對該磁性電容模塊進行一電源供應(yīng)管理。文檔編號H01G4/008GK101728872SQ20081016912公開日2010年6月9日申請日期2008年10月27日優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日發(fā)明者鄭青峰申請人:光寶科技股份有限公司