專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多層布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
通常，在形成具有多層布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的布線層時(shí)，采用在每 一布線層中的層間絕緣膜形成的溝槽部中埋入金屬膜的方法(鑲嵌法)。 鑲嵌法是一種方法在形成了溝槽部的半導(dǎo)體基板的整面上堆積金屬膜，
利用例如化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing: CMP)法，僅在
溝槽部的內(nèi)部保留金屬膜，去除不需要的金屬膜。伴隨此鑲嵌法的CMP 法，由于形成在層間絕緣膜上的布線圖案等，在拋光速度上產(chǎn)生差異。艮P， 形成在層間絕緣膜上的布線圖案等稀疏的區(qū)域，與布線圖案等稠密的區(qū)域 相比，由于拋光速度變快，所以膜厚變小。為了抑制最終的布線膜厚的變 動，防止由此拋光速度的差異而產(chǎn)生的布線膜厚的變動是重要的。因此， 采用在布線圖案等稀疏的區(qū)域配置偽布線圖案作為偽圖案的方法。由此， 能夠防止在CMP工序中產(chǎn)生的圖案角塌陷(洼曲)。
例如，在專利文獻(xiàn)l中記載了一種為了防止CMP工藝中的洼曲而在 半導(dǎo)體基板的劃片區(qū)及電路區(qū)設(shè)置均勻的偽圖案的半導(dǎo)體裝置。
圖23是表示用于將現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體晶片分割成芯片狀 的切斷區(qū)即劃片區(qū)的圖，圖23 (a)是左右配置了電路區(qū)的劃片區(qū)的平面 結(jié)構(gòu)，示出了構(gòu)成劃片區(qū)的多個(gè)第1層間絕緣膜中的1個(gè)上表面。圖23 (b)是圖23 (a)的XVIb-XVIb線的剖面結(jié)構(gòu)，示出了形成了在層間絕 緣膜之上形成的保護(hù)膜等的剖面。
如圖23 (a)所示，在半導(dǎo)體基板1的主表面上彼此設(shè)置間隔形成多 個(gè)形成有功能元件(未圖示)的電路區(qū)2，在各電路區(qū)2的周圍形成由導(dǎo) 電性材料構(gòu)成的密封環(huán)(sealring) 3。夾在形成在彼此相鄰的各個(gè)電路區(qū) 2的密封環(huán)3間的區(qū)域，形成使各電路區(qū)2單片化時(shí)的切斷區(qū)域即劃片區(qū)4。
此外，如圖23 (b)所示，在半導(dǎo)體基板1的主表面上，交替層疊有
第1層間絕緣膜6和第2層間絕緣膜7，在電路區(qū)2的第1層間絕緣膜6 中形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的布線(未圖示)，在電路區(qū)2的第2層間絕緣 膜7中形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的通孔(未圖示)。另一方面，在劃片區(qū)4 的第1層間絕緣膜6中形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成、均等配置的孤立圖案(島 狀圖案)即偽圖案30。像這樣，通過在劃片區(qū)4中形成均等配置的偽圖案 30，就能實(shí)現(xiàn)防止CMP工序中的洼曲。
此外，作為防止在切割工序中產(chǎn)生的破片的方法，在專利文獻(xiàn)4中記 載了一種在半導(dǎo)體晶片上的切割線的兩側(cè)設(shè)置間隔、照射激光照射光從而 形成防膜剝離槽的工序。
專利文獻(xiàn)1: JP特開2004-235357號公報(bào)
專利文獻(xiàn)2: JP特開2006-41244號公報(bào)
專利文獻(xiàn)3: JP特開2004-153015號公報(bào)
專利文獻(xiàn)4: JP特開2007-48995號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，雖然分別提及到有關(guān)為了防止洼 曲而形成偽圖案及使用激光照射光形成防膜剝離槽的工序，但沒有特別提 及到有關(guān)在劃片區(qū)形成的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、布線偽圖案的配置及激光開槽方 法的關(guān)系。在使用激光開槽方法的情況下， 一旦直至擴(kuò)散層都透過激光， 則在擴(kuò)散層上設(shè)置的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜吸收激光，就會引起擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶 解及體積的膨脹，并且會在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜之上的大范圍內(nèi)產(chǎn)生層間絕緣膜 的膜剝離。此剝離不僅會產(chǎn)生在此階段存在水分浸入芯片內(nèi)部等的問題， 還在激光開槽后的切割工序中成為破片(chipping)的起點(diǎn)，因此會擔(dān)心 品質(zhì)及可靠性下降。
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有的問題，目的在于，防止因使用激光開槽方法使 半導(dǎo)體基板(晶片)單片化時(shí)的破片導(dǎo)致的不良的產(chǎn)生。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過在劃片區(qū)中在切割工序等中照射激光 的區(qū)域不形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、或在劃片區(qū)中存在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的情況下，在層間絕緣膜上配置偽圖案，不對擴(kuò)散層照射激光，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置。
具體地，本發(fā)明相關(guān)的第1半導(dǎo)體裝置，以由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在半 導(dǎo)體基板上的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、層疊在半導(dǎo)體基板之上的層間絕緣膜和設(shè)置 在層間絕緣膜上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置為對象；其特征 在于，包括在半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和在電路區(qū)的周圍形成 的分離各電路區(qū)的劃片區(qū)；在劃片區(qū)中的至少照射激光的區(qū)域中沒有形成 擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
根據(jù)本發(fā)明的第1半導(dǎo)體裝置，由于沒有在通過劃片區(qū)的激光開槽工 序照射激光的區(qū)域形成擴(kuò)散導(dǎo)電膜，所以能夠防止擴(kuò)散層導(dǎo)電膜吸收激光 時(shí)引起擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解及體積的膨脹、發(fā)生層間絕緣膜的膜剝離。由 此，能夠防止由于照射激光引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
在本發(fā)明的第1半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在整個(gè)劃片區(qū)上都沒有形成擴(kuò)散 層導(dǎo)電膜。
在本發(fā)明的第1半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在劃片區(qū)中沒有形成布線圖案及 通孔圖案。
如此這樣，由于在照射激光的劃片區(qū)不存在吸收激光的材料，由于能 夠通過激光實(shí)施均勻的層間絕緣膜的溶解，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝 離的產(chǎn)生。
在本發(fā)明的第l半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選構(gòu)成劃片區(qū)，在除該劃片區(qū)的中 心線附近區(qū)域以外的區(qū)域上形成有布線圖案或通孔圖案，在劃片區(qū)上形成 的布線圖案或通孔圖案跨過中心線附近區(qū)域的距離，在層間絕緣膜中越是 上層側(cè)越大。.
如此這樣，由于在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)照射激光的劃片區(qū)中，沒有形 成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜及布線圖案及通孔圖案等導(dǎo)電性部件，所以在劃片區(qū)中就 不存在吸收激光的材料。由此，由于能夠通過激光實(shí)施均勻的層間絕緣膜 的溶解，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。此外，由于在除照射激
光的劃片區(qū)以外的區(qū)域中形成布線圖案或通孔圖案，所以能夠防止在CMP 工序中產(chǎn)生的洼曲。
本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置，以由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的 擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、層疊在半導(dǎo)體基板上的多個(gè)層間絕緣膜和設(shè)置在層間絕緣膜上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置為對象；其特征在于，包括: 在半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和在電路區(qū)的周圍形成，分離各電路 區(qū)的劃片區(qū)；劃片區(qū)在俯視下，劃片區(qū)中的至少被照射激光的區(qū)域被在多 個(gè)層間絕緣膜上形成的各個(gè)布線圖案及通孔圖案的任意一個(gè)所覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置，進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，首先布線圖案 或通孔圖案會吸收激光，由于伴隨布線圖案或通孔圖案吸收激光而產(chǎn)生 熱，所以引起層間絕緣膜的溶解。此情況，由于在層間絕緣膜層中的上層 側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并順序擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)的大范 圍內(nèi)，通過激光能夠?qū)嵤┚鶆虻娜芙饧磳娱g絕緣膜的去除。由此，即便在 照射激光的劃片區(qū)上形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜，由于用在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜之上的層 間絕緣膜上形成的布線圖案或通孔圖案遮蔽激光，也能夠防止由于照射激 光引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選地，劃片區(qū)在俯視下，整個(gè)劃片
區(qū)被在多個(gè)層間絕緣膜上形成的各個(gè)布線圖案或通孔圖案所覆蓋。
在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，也可以在劃片區(qū)中形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。 如此這樣，在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜之上的層間絕緣膜上形成的布線圖案或通 孔圖案吸收進(jìn)行激光開槽工序時(shí)的激光，激光被布線圖案或通孔圖案遮 蔽。由此，能夠防止擴(kuò)散層導(dǎo)電膜吸收激光而引起的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解 及體積膨脹、弓l起的層間絕緣膜的膜剝離。因此，能夠防止由于照射激光 引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選地，在形成在劃片區(qū)上的多個(gè)層 間絕緣膜上配置的各個(gè)布線圖案，在俯視下，至少布線圖案的端部相互重
如此這樣，由于能夠減少構(gòu)成布線圖案的導(dǎo)電性材料，由于在進(jìn)行 激光開槽工序時(shí)能夠相對地減少激光的激光量，所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。
此外，在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選地，在形成在劃片區(qū)上的 多個(gè)層間絕緣膜上配置的各個(gè)布線圖案，在俯視下，布線圖案的端部相一致。
如此這樣，由于能夠進(jìn)一步減少構(gòu)成布線圖案的導(dǎo)電性材料，由于在 進(jìn)行激光開槽工序時(shí)能夠相對地減少激光的激光量，所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。
8此外，在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選劃片區(qū)上所形成的布線圖 案，在多個(gè)層間絕緣膜中自上層起形成在2層以上的層間絕緣膜上。
如此這樣，由于能夠減少構(gòu)成布線圖案的導(dǎo)電性材料，由于在進(jìn)行激 光開槽工序時(shí)能夠相對地減少激光的激光量，所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。在層間 絕緣膜的下層側(cè)由于沒有發(fā)生導(dǎo)電性材料的溶解，所以在劃片區(qū)的大范圍 內(nèi)，能夠通過激光實(shí)施均勻的溶解即層間絕緣膜層的去除。
在本發(fā)明的第2半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選劃片區(qū)上所形成的布線圖案，在
多個(gè)層間絕緣膜中自下層起形成在2層以上的層間絕緣膜上。
如此這樣，由于相比于在層間絕緣膜的上層側(cè)形成布線圖案能夠形成 更細(xì)的布線圖案，所以能夠通過激光更均勻地產(chǎn)生發(fā)熱及溶解反應(yīng)。因此， 在劃片區(qū)的大范圍內(nèi)，能夠通過激光實(shí)施均勻的溶解即層間絕緣膜層的去除。
本發(fā)明的第3半導(dǎo)體裝置，以由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的
擴(kuò)散層導(dǎo)電膜和層疊在半導(dǎo)體基板上的具有布線圖案的層間絕緣膜構(gòu)成
的半導(dǎo)體裝置為對象；其特征在于，包括在半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電 路區(qū)，和在電路區(qū)的周圍形成的分離各電路區(qū)的劃片區(qū)；劃片區(qū)在至少照 射激光的區(qū)域中形成有平板狀的上述布線圖案。
根據(jù)本發(fā)明的第3半導(dǎo)體裝置，用平板狀的布線圖案能夠確實(shí)地吸收
進(jìn)行激光開槽工序時(shí)照射的激光。由于利用激光自層間絕緣膜層的上層側(cè) 推進(jìn)溶解反應(yīng)，順序向下層側(cè)推進(jìn)，所以就會去除上層的層間絕緣膜。由 此，在劃片區(qū)的大范圍內(nèi)，能夠通過激光實(shí)施均勻的溶解即層間絕緣膜層 的去除。由此，即便在照射激光的劃片區(qū)上形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜，也由于用 在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜之上的層間絕緣膜上形成的布線圖案遮蔽激光，就能夠防 止由于照射激光引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置，以由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的
擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、層疊在半導(dǎo)體基板之上的層間絕緣膜和設(shè)置在層間絕緣膜
上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置為對象；其特征在于，包括 在半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和在電路區(qū)的周圍形成的分離各電路 區(qū)的劃片區(qū)；劃片區(qū)在俯視下，劃片區(qū)中的至少照射被激光的區(qū)域被在多 個(gè)層間絕緣膜上形成的各個(gè)布線圖案及通孔圖案所覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置，進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，首先布線圖案 及通孔圖案會吸收激光，由于伴隨布線圖案及通孔圖案吸收激光而產(chǎn)生 熱，所以引起層間絕緣膜的溶解。此情況，由于在層間絕緣膜層中的上層 側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并順序擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)的大范 圍內(nèi)，能夠通過激光實(shí)施均勻的溶解即層間絕緣膜的去除。由此，由于用 在層間絕緣膜上形成的布線圖案及通孔圖案遮蔽激光，就能夠防止由于照 射激光引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
在本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選布線圖案及通孔圖案被形成在多 個(gè)層間絕緣膜上，俯視下，覆蓋著整個(gè)劃片區(qū)。
在本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在整個(gè)劃片區(qū)上形成布線圖案， 僅在劃片區(qū)的中心線附近區(qū)域的上層形成通孔圖案。
如此這樣，由于在膜厚厚的層間絕緣膜的上層形成布線圖案及通孔圖 案，由于通過激光層間絕緣膜的溶解從上層側(cè)向下層順序擴(kuò)大，所以就能 夠均勻地溶解、去除層間絕緣膜。
在本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置中，也可以在劃片區(qū)中形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
如此這樣，在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜之上的層間絕緣膜上形成的布線圖案及通 孔圖案吸收進(jìn)行激光開槽工序時(shí)的激光，激光被布線圖案及通孔圖案遮 蔽。由此，能夠防止擴(kuò)散層導(dǎo)電膜吸收激光而引起的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解 及體積膨脹，引起的層間絕緣膜的膜剝離。因此，能夠防止由于照射激光 引起的半導(dǎo)體裝置的品質(zhì)及可靠性的下降。
在本發(fā)明的第4半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選布線圖案及通孔圖案相互連接。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，由于在使用激光開槽方法使半導(dǎo)體基 板(晶片)單片化時(shí)能夠通過激光實(shí)施均勻地去除層間絕緣膜，因此就能 夠防止因破片引起的不良的產(chǎn)生。


圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式相關(guān)的晶片級的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖2是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的劃片區(qū)的平面
10圖。
圖3是圖2的in-m線的剖面圖。
圖4是對本發(fā)明的第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)實(shí)施了 激光開槽處理的剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的劃片區(qū)的剖面圖。
圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)的平 面圖，(a)表示形成了第1偽圖案的第1層間絕緣膜的平面圖，(b)表示 形成了第2偽圖案的第1層間絕緣膜的平面圖。
圖7是圖6的VI-VI線的剖面圖。
圖8是對本發(fā)明的第2實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)實(shí)施了 激光開槽處理的剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中 的劃片區(qū)的剖面圖。
圖10是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第3變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖12是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第4變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖13是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第5變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖14是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第6變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖15是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第7變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖16是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第7變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖17是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第8變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。圖18是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第8變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖19是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)的
劃而圖
圖20是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)的 剖面圖。
圖21是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖22是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置 中的劃片區(qū)的剖面圖。
圖23 (a)是表示現(xiàn)有例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置中的劃片區(qū)的平面圖，(b) 是(a)的XVIb-XVIb線的剖面圖。
符號說明
1半導(dǎo)體基板2電路區(qū)
3密封環(huán)4劃片區(qū)
5刀片切割區(qū)6第1層間絕緣膜
7第2層間絕緣膜&第1保護(hù)膜
8b第2保護(hù)膜9埋置膜
10樹脂保護(hù)膜11激光
12第l偽圖案13第2偽圖案
14擴(kuò)散層導(dǎo)電膜15第3偽圖案
16偽通孔17偽布線
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施方式)
參照附圖，說明本發(fā)明的第l實(shí)施方式。 圖1示出了第1實(shí)施方式相關(guān)的晶片級的半導(dǎo)體裝置的平面結(jié)構(gòu)。 如圖1所示，第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在晶片狀的半導(dǎo)體基 板1上，彼此設(shè)置間隔、且以行列狀形成具有通過布線和連接到該布線的
通孔電連接的功能元件(未圖示)的多個(gè)電路區(qū)2。各電路區(qū)2由含有1列以上的線通孔的密封環(huán)3分別包圍其四周。在此，線通孔是指例如沿在 第1層間絕緣膜上形成的線狀的布線連接的線狀的通孔。在第1實(shí)施方式 中，形成有2列的線通孔。并且，在彼此相鄰的電路區(qū)相互間，即密封環(huán)
3的外周，形成成為由半，體裝置1切出電路區(qū)2的單片化工序時(shí)的切割 區(qū)的劃片區(qū)4。
圖2示出了局部放大設(shè)置在彼此相鄰的電路區(qū)2相互之間的劃片區(qū)4
的平面結(jié)構(gòu)，圖3表示圖2的m-m線的剖面結(jié)構(gòu)。在圖2中，示出了構(gòu)成
劃片區(qū)4的多個(gè)第1層間絕緣中的1個(gè)層間絕緣膜的上表面。
如圖2所示，劃片區(qū)4形成在彼此相鄰的電路區(qū)2的相互之間。艮卩， 在形成在各個(gè)電路區(qū)2的周圍的密封環(huán)3的外周配置劃片區(qū)4。在單片化 工序中，會切斷劃片區(qū)4中的、配置在彼此相鄰的電路區(qū)域2相互的中央 部的刀片切割區(qū)5。
此外，如圖3所示，第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置具有在半導(dǎo)體基 板1之上交替層疊第1層間絕緣膜6和第2層間絕緣膜7的疊層構(gòu)造。圖 3所示的電路區(qū)2，僅示出其一部分，雖然未圖示出，但電路區(qū)2的第1 層間絕緣膜6含有布線及偽布線，電路區(qū)2的第2層間絕緣膜7含有通孔 及偽通孔，形成由布線及通孔構(gòu)成的布線圖案，和由與布線圖案相同的導(dǎo) 電性材料構(gòu)形成的偽布線及偽通孔構(gòu)成的偽圖案。在第l實(shí)施方式中，在 劃片區(qū)4未形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜，并且，在劃片區(qū)4的第1層間絕緣膜6及 第2層間絕緣膜7上未形成由與布線圖案相同的導(dǎo)電性材料制成的偽布線 及偽通孔構(gòu)成的偽圖案。
此外，在由多個(gè)層組成的層間絕緣膜的最上層之上順序?qū)盈B、形成分 別由絕緣性材料構(gòu)成的第1保護(hù)膜8a及第2保護(hù)膜8b。第1保護(hù)膜8a及 第2保護(hù)膜8b在電路區(qū)2和劃片區(qū)4之間被分開，在形成在電路區(qū)2上 的第1保護(hù)膜8a的端部形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的埋置膜9。此外，在形成 在電路區(qū)2上的第2保護(hù)膜8b之上，形成由絕緣性材料構(gòu)成的樹脂保護(hù) 膜10。再有，雖然省略圖示，但在第1層間絕緣膜6和第2層間絕緣膜7 之間，也可以形成蝕刻阻止膜或蓋膜等。
此外，如圖3所示，在單片化工序中，進(jìn)行激光開槽處理的激光11 照射夾在彼此相鄰的電路區(qū)2相互間的劃片區(qū)4的中央部即刀片切割區(qū)5。
13像這樣，第1實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體基板1和層間絕 緣膜之間未形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜，此外，在劃片區(qū)4也未形成布線及通孔。
對沒有形成這樣的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、布線及通孔等的導(dǎo)電性部件的第1實(shí)施
卡廿士A主66傘曰/女M古勞6^iAi1 t^RT /i iB^;、)恥業(yè):m士歯/Ai田 "hnl、l+nl*e 乂j J"Aj'im乂、wjt" 、j rrjeel w j入'j / i Ki t i諷乂Li乂 i'i曰xL^^rt、 /jw vj wi 0
圖4示出了對沒有形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、布線及通孔等的劃片區(qū)4實(shí)施 了激光開槽處理的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，由于在第1實(shí)施方式相關(guān)的劃片區(qū)4中不存在由吸收激 光11的材料形成的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜等的導(dǎo)電性部件，所以在劃片區(qū)4的大 范圍內(nèi)，能夠通過激光11對多個(gè)第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7 實(shí)施均勻的溶解。因此，能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的發(fā)生。此外，通 過對劃片區(qū)4照射適當(dāng)長的時(shí)間的激光11，就能夠在形成在半導(dǎo)體基板1 上的劃片區(qū)4的表面上形成溝槽。g卩，在刀片切割區(qū)5形成不存在層間絕 緣膜的區(qū)域。如此這樣，此后對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，由于去除 了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單 一材料的半導(dǎo)體基板l即可，所以就能使引起破片不良的可能性非常的低。 因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破 片不良。
再有，在第1實(shí)施方式中，劃片區(qū)4的寬度例如是60 um 150 um 左右，位于其中央的刀片切割區(qū)5的寬度與切割刀片的寬度同等或大一些， 例如為30 "m 70 um左右。
此外，在由絕緣性材料構(gòu)成的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7 中，通常能夠使用TEOS(原硅酸四乙酉旨，Tetra Ethyl Ortho Silicate)或FSG (氟硅酸鹽玻璃，F(xiàn)luoro Silicate Glass)等。此外，第1層間絕緣膜6及 第2層間絕緣膜7的材料，也可以使用碳氧化硅(SiOC)或多孔狀膜等各 種的低介電常數(shù)膜來代替TEOS或FSG等絕緣性材料。第1層間絕緣膜6 及第2層間絕緣膜7既可以使用相同的材料，也可以使用不同的材料。
此外，在圖3及圖4中，雖然簡化圖示，按同等的膜厚表示第l層間 絕緣膜6及第2層間絕緣膜7的所有的層，但第1層間絕緣膜6及第2層 間絕緣膜7既可以是相同的膜厚，也可以是不同的膜厚。例如，可以在疊 層構(gòu)造的下層側(cè)即接近半導(dǎo)體基板1的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7中使用膜厚100 nm 300 nm左右的低介電常數(shù)膜，在接近上層側(cè)的 第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7中使用膜厚300 nm 1500 nm左右 的由TEOS等形成的層間絕緣膜。此外，在中間部分可以使用膜厚200 nm 500 nm左右的由TEOS等形成的層間絕緣膜。
再有，在第1實(shí)施方式中，雖然劃片區(qū)4中的層間絕緣膜由多層形成， 但替代與此，也可以如圖5所示，為形成第1層間絕緣膜6及第2層間絕 緣膜7各1層的層間絕緣膜。
在電路區(qū)2中使用鑲嵌法，在形成構(gòu)成布線圖案的布線及通孔的工序 中，能夠同時(shí)地形成構(gòu)成在電路區(qū)2上形成的構(gòu)成偽圖案的偽布線及偽通 孔。在此，能夠分別由銅或銅合金等導(dǎo)電性材料形成布線及偽布線以及通 孔及偽通孔。再有，也可以在第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7的各 界面上，設(shè)置由氮化鈦(TiN)等的薄膜形成的防擴(kuò)散用阻擋膜(未圖示)。
通常在最上層的第1層間絕緣膜6的上面形成的第1保護(hù)膜8a及第2 保護(hù)膜8b，由在開口部具有由鋁(Al)等導(dǎo)電性材料形成的焊盤部(未圖 示)的氮化硅(SiN)等構(gòu)成。在此，雖然為由各保護(hù)膜8a、 8b構(gòu)成的2 層結(jié)構(gòu)，但也可以由l層或3層以上構(gòu)成。此外，在形成在在電路區(qū)2上 形成的第1保護(hù)膜8a的端部的、埋入第1保護(hù)膜8a及第2保護(hù)膜8b的 空隙部分的埋置膜9可以由Al等導(dǎo)電性材料形成。例如，在形成焊盤部 的工序中，能夠與該焊盤部同時(shí)形成埋置膜9。通過此結(jié)構(gòu)，能夠降低單 片化工序切削時(shí)產(chǎn)生的破片等損傷。
在第1實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體基板1的電路區(qū)2的外周雙重地形成密 封環(huán)3，如上所述，交替層疊、形成線狀的布線圖案和線通孔。通過如此 構(gòu)成的密封環(huán)3，遮斷電路區(qū)2和外部的結(jié)果，是能夠防止電路區(qū)2被水 和雜質(zhì)等污染。在此，能夠在與在電路區(qū)2上形成的布線圖案相同的工序 中、用相同的材料形成密封環(huán)3。此外，密封環(huán)3不一定雙重地形成，也 可以設(shè)計(jì)為單層或3重以上。 (第2實(shí)施方式)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。在以上所示的實(shí)施例及變化 例中，對于與第l實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號省略說明。第 2實(shí)施方式是在劃片區(qū)4上形成由偽布線或偽通孔構(gòu)成的偽圖案的結(jié)構(gòu)。圖6是表示局部放大在彼此相鄰的電路區(qū)2相互之間設(shè)置的劃片區(qū)4
的平面結(jié)構(gòu)。圖6 (a)示出了多個(gè)第1層間絕緣膜6當(dāng)中形成了由布線圖 案構(gòu)成的第1偽圖案12的第1層間絕緣膜6，圖6 (b)示出了多個(gè)第1 層間絕緣膜6當(dāng)中形成了由布線圖案構(gòu)成的第2偽圖案13的第1層間絕 緣膜6。此外，圖7是圖6 (a)及圖6 (b)的VI-VI線的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖6 (a)、圖6 (b)及圖7所示，在第1層間絕緣膜6上形成的第 1偽圖案12以格子狀配置與布線圖案相同的導(dǎo)電性材料，第2偽圖案13， 在使第1偽圖案12反轉(zhuǎn)的位置配置導(dǎo)電性材料。此時(shí)，俯視下，雖然劃 片區(qū)4、特別地刀片切割區(qū)5被配置成沒有不配置偽圖案的部分，但沒有 配置擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。像這樣，通過配置第1偽圖案12和第2偽圖案13， 使得激光開槽時(shí)的激光11被導(dǎo)電性材料遮蔽，由于這樣配置，半導(dǎo)體基 板1中的劃片區(qū)4被導(dǎo)電性材料覆蓋。再有，作為導(dǎo)電性材料，可使用銅、 鋁或鎢等。
圖8示出了在第2實(shí)施方式中，對劃片區(qū)4實(shí)施了激光開槽處理的剖 面結(jié)構(gòu)。
如圖8所示，通過對劃片區(qū)4照射適當(dāng)長的時(shí)間的激光11，來溶解第 1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，并且能夠在半導(dǎo)體基板1的表面上 形成溝槽。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行激光開槽工序時(shí)首先第1偽圖案12或第2偽 圖案13會吸收激光11，由于伴隨偽圖案吸收激光ll而產(chǎn)生熱，所以引起 層間絕緣膜的溶解。此情況，由于在第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜 7中的上層側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并順序擴(kuò)大，所以在劃 片區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6 及第2層間絕緣膜7的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜的膜 剝離的激光開槽，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
此后，與第l實(shí)施方式相同，對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，在劃 片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜 6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以 就能夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基 板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。再有，在第2實(shí)施方式中，雖然由布線圖案來形成第1偽圖案12及
第2偽圖案13，但也可以由通孔圖案來形成。
再有，構(gòu)成在劃片區(qū)4上形成的第1偽圖案12及第2偽圖案13的偽 布線或偽通孔，能夠與使用鑲嵌工藝等在電路區(qū)2形成布線圖案或通孔圖 案的工序同時(shí)使用相同的材料來形成。
此外，在第2實(shí)施方式中，雖然分別按行列狀配置偽布線或偽通孔來 形成第1偽圖案12及第2偽圖案13，但如果是覆蓋劃片區(qū)4形成的話， 也可以不是行列狀的配置。
此外，也可以組合2層以上的偽圖案覆蓋劃片區(qū)4來形成。
此外，在第2實(shí)施方式中，雖然在僅第1層間絕緣膜6上形成偽圖案， 但也可以在第2層間絕緣膜7上形成偽圖案。 (第2實(shí)施方式的第1變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第l變化例。第2實(shí)施方式 的第1變化例，特征在于，在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成擴(kuò)散層 導(dǎo)電膜14。
圖9示出了第2實(shí)施方式的第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)， 與圖3及圖7相同示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖9所示，第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，除第2實(shí)施方式的結(jié)構(gòu) 外，還在劃片區(qū)4中的半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成有擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜14。在此，作為擴(kuò)散層導(dǎo)電膜14的材料，能夠使用多晶硅、鎢或鎳化 合物等。
像這樣，即便形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜14，也由于為第1偽圖案12和第2 偽圖案13覆蓋半導(dǎo)體基板1中的劃片區(qū)4的結(jié)構(gòu)，所以在進(jìn)行激光開槽 工序時(shí)，首先第1偽圖案12或第2偽圖案13會吸收激光11，由于伴隨偽 圖案吸收激光ll而產(chǎn)生熱，所以引起層間絕緣膜的溶解。此情況，與第2 實(shí)施方式相同，由于在第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7中的上層側(cè) 的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并順序擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)4的大范 圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間 絕緣膜7的去除。像這樣，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜14照射激光11先 引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電膜14的溶解受影響，所以能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
此后，與第1實(shí)施方式相同，由于在對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，
去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削
單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠使引起破片不良的可能性非常
的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn) 生的破片不良。
(第2實(shí)施方式的第2變化例) 參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第2變化例。 圖10示出了第2實(shí)施方式的第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖10所示，第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，雖然與第2實(shí)施方式 相同在第1層間絕緣膜6上形成第1偽圖案12及第2偽圖案13，但卻在 形成了第1偽圖案12的第1層間絕緣膜6和形成了第2層間絕緣膜13的 第1層間絕緣膜6之間配置了未形成偽圖案的第1層間絕緣膜6。即便是 這樣的結(jié)構(gòu)，也用第1偽圖案12和第2偽圖案13覆蓋半導(dǎo)體基板1中的 劃片區(qū)4，沒有第1偽圖案12及第2偽圖案13的任何一個(gè)都未配置的部 分。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，首先第1偽圖案12或第2 偽圖案13會吸收激光11，由于伴隨偽圖案吸收激光ll而產(chǎn)生熱，所以引 起層間絕緣膜的溶解。此情況，由于在第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣 膜7中的上層側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并順序擴(kuò)大，所以在 劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣 膜6及第2層間絕緣膜7的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜 的膜剝離的激光開槽，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜14照 射激光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層 導(dǎo)電膜的溶解而受膜剝離等的影響。
此后，與第1實(shí)施方式相同，由于在對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)， 去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削
18單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠使引起破片不良的可能性非常 的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn) 生的破片不良。
再有，在第2變化例中，雖然圖示了在形成了第1偽圖案12的第1
層間絕緣膜6和形成了第2層間絕緣膜13的第1層間絕緣膜6之間形成 未形成偽圖案的第1層間絕緣膜6的這樣的結(jié)構(gòu)，但并不限定為這樣對結(jié) 構(gòu)。即，既可以通過組合2層以上的偽圖案覆蓋劃片區(qū)4來形成，也可以 包含在第2層間絕緣膜7上形成的偽圖案覆蓋劃片區(qū)4來形成。
此外，形成偽圖案的層間絕緣膜，可與在電路區(qū)2上形成的布線圖案 或通孔圖案重疊，適當(dāng)選擇。
(第2實(shí)施方式的第3變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第3變化例。
圖11示出了第2實(shí)施方式的第3變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖11所示，第3變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，僅在邊緣部分重疊在 第1層間絕緣膜6上形成的第1偽圖案12和第2偽圖案13這樣的形成， 與第2實(shí)施方式相同，是含有未形成偽圖案的第1層間絕緣膜6的結(jié)構(gòu)。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，俯視下，由于在用偽圖案覆蓋劃片區(qū)4的同時(shí)，還 能夠減少在劃片區(qū)4上形成的偽圖案的總量，在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，由 于能夠相對地減少激光11的激光光量，所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。如此這樣， 在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕 緣膜6及第2層間絕緣膜7的去除。由此，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝 離的產(chǎn)生。
再有，在第2實(shí)施方式的第3變化例中，雖然為僅在邊緣部分重疊第 1偽圖案12和第2偽圖案13的結(jié)構(gòu)，但即便是邊緣部分一致的結(jié)構(gòu)，也 能夠得到相同的效果。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激 光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜的溶解而受膜剝離等的影響。
19此后，與第1實(shí)施方式相同，由于在對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)， 去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削 單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠使引起破片不良的可能性非常
的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)
生的破片不良。
再有，與第2實(shí)施方式相同，第1偽圖案12及第2偽圖案13可以使 用不同的偽圖案，如果是在形成偽圖案時(shí)圖案的邊緣部相互重疊這樣的配 置并覆蓋劃片區(qū)4這樣的形成的話，也可以組合2層以上的偽圖案。此外， 也可以在第2層間絕緣膜7上形成偽圖案并與在第1層間絕緣膜6上形成 的偽圖案組合。
(第2實(shí)施方式的第4變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第4變化例。
圖12示出了第2實(shí)施方式的第4變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖12所示，第4變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，錯開在第1層間絕緣 膜6上形成的第1偽圖案12和第2偽圖案13邊緣部分不重疊地形成，與 第2實(shí)施方式相同，是含有未形成偽圖案的第1層間絕緣膜6的結(jié)構(gòu)。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，俯視下，由于劃片區(qū)4幾乎被一對第1偽圖案12 和第2偽圖案13覆蓋，且使另一對第1偽圖案12和第2偽圖案13重疊， 所以能夠覆蓋劃片區(qū)。由此，由于能夠減少在劃片區(qū)4上形成的偽圖案的 總量，在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，由于能夠相對地減少激光11的激光光量， 所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。此外，即便是這樣的結(jié)構(gòu)，在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)， 也能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣 膜7的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜的膜剝離的激光開槽， 就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激 光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜的溶解而受膜剝離等的影響。
此后，與第1實(shí)施方式相同，由于在對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削
單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠使引起破片不良的可能性非常
的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)
生的破片不良。
再有，不限定于圖12所示的結(jié)構(gòu)，對于此前說明的第2實(shí)施方式及 其變化例是同樣的。
(第2實(shí)施方式的第5變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第5變化例。
圖13示出了第2實(shí)施方式的第5變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖13所示，第5變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在形成 在半導(dǎo)體基板1之上的多個(gè)第1層間絕緣膜6當(dāng)中、在上層的2層形成第 1偽圖案12及第2偽圖案13。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，即便進(jìn)一步減少在劃片區(qū)4上形成的偽圖案的總量， 但俯視下，由于能夠用偽圖案覆蓋劃片區(qū)4，由于在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)， 能夠相對地減少激光11的激光光量，所以能夠穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。此外，由于在 形成在半導(dǎo)體基板1之上形成的第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7當(dāng) 中、在下層側(cè)沒有形成偽圖案，所以不發(fā)生偽金屬的溶解。因此，在劃片 區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6 及第2層間絕緣膜7的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜的膜 剝離的激光開槽，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激 光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜的溶解而受膜剝離等的影響。
此后，與第1實(shí)施方式相同對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割。在劃片區(qū) 4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第 2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠 使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切 出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。(第2實(shí)施方式的第6變化例) 參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第6變化例。
圖14示出了第2實(shí)施方式的第6變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖14所示，第6變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在形成 在半導(dǎo)體基板1之上的多個(gè)第1層間絕緣膜6當(dāng)中，在下層側(cè)的第1層間 絕緣膜6即用于常規(guī)電路形成中使用的精細(xì)層(fine layer)上形成有第1 偽圖案12及第2偽圖案13。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，由于相比于在上層側(cè)形成第1偽圖案12及第2偽 圖案13成為更細(xì)的配置，能夠覆蓋劃片區(qū)4這樣的形成，所以就能通過 激光11更均勻地產(chǎn)生發(fā)熱及溶解反應(yīng)。由此，在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)， 能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7 的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜的膜剝離的激光開槽，就 能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激 光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜的溶解而受膜剝離等的影響。
此后，與第1實(shí)施方式相同對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割。在劃片區(qū) 4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及第 2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能夠 使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1切 出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，在第2實(shí)施方式的第6變化例中，雖然在第l層間絕緣膜當(dāng)中 相當(dāng)于精細(xì)層的下層側(cè)的4層中形成第1偽圖案12及第2偽圖案13，但 不限于此，也可以在僅下層側(cè)的2層形成第1偽圖案12及第2偽圖案13， 或者還可以在形成了第1偽圖案12和第2偽圖案13的第1層間絕緣膜6 之間形成未形成偽圖案的第1層間絕緣膜6。 (第2實(shí)施方式的第7變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第7變化例。圖15示出了第2實(shí)施方式的第7變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)
構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖15所示，第7變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，是在形 成在半導(dǎo)體基板1之上的多個(gè)第1層間絕緣膜6的劃片區(qū)4中，在除了刀 片切割區(qū)5之外接近密封環(huán)3的部分即夾著刀片切割區(qū)5的兩側(cè)形成了第 1偽圖案12及第2偽圖案13的結(jié)構(gòu)，沒有形成包含刀片切割區(qū)5的偽圖 案的區(qū)域，越是上層側(cè)的第1層間絕緣膜6越大。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，在照射激光11的部分的第1層間絕緣膜6及第2 層間絕緣膜7中幾乎不存在吸收激光11的材料。此外，由于通過激光11 的發(fā)熱反應(yīng)的釋放方向是與半導(dǎo)體基板1相反的一側(cè)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)不損 傷半導(dǎo)體基板1的激光開槽。
因此，在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即 第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防 止層間絕緣膜的膜剝離的激光開槽，就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn) 生。
此后，與第1實(shí)施方式相同對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割。在劃片區(qū) 4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及 第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能 夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板l 切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，在第2實(shí)施方式的第7變化例中，雖然避開劃片區(qū)4中的刀片 切割區(qū)5形成第1偽圖案12及第2偽圖案13，但不限于此結(jié)構(gòu)，也可以 使用多個(gè)偽圖案或平板狀的偽圖案來覆蓋除刀片切割區(qū)5以外的劃片區(qū) 4。
此外，在第2實(shí)施方式的第7變化例中，雖然由多個(gè)層形成劃片區(qū)4 中的層間絕緣膜，但也可以替代于此，如圖16所示，是形成第l層間絕 緣膜6及第2層間絕緣膜7各1層的層間絕緣膜。 (第2實(shí)施方式的第8變化例) 參照附圖，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的第8變化例。 圖17示出了第2實(shí)施方式的第8變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié)構(gòu)，示出了在電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4。
如圖17所示，第8變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在形成 在半導(dǎo)體基板1之上的多個(gè)第1層間絕緣膜6當(dāng)中，在形成在上層側(cè)的第 1層間絕緣膜6上形成覆蓋刀片切割區(qū)5的整體的第3偽圖案15。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，利用形成在第1層間絕緣膜6上的第3偽圖案15 能夠確實(shí)地遮斷在激光開槽工序中照射的激光11。由于利用激光ll自第 1層間絕緣膜6的上層側(cè)推進(jìn)第3偽圖案15的溶解反應(yīng)，順序向下層側(cè)推 進(jìn)，所以在激光11到達(dá)在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成的擴(kuò)散層 導(dǎo)電膜時(shí)，就會去除上層的層間絕緣膜。由此，在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)， 能夠通過激光11實(shí)施均勻的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7 的去除。像這樣，由于能夠執(zhí)行防止層間絕緣膜的膜剝離的激光開槽，就 能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
再有，即便在半導(dǎo)體基板1和層間絕緣膜之間形成了擴(kuò)散層導(dǎo)電膜， 也與第2實(shí)施方式的第1變化例相同，由于相比于對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激 光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電 膜的溶解而受膜剝離等的影響。
此后，與第1實(shí)施方式相同對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割。在劃片區(qū) 4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜6及 第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以就能 夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基板1 切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，在第8變化例中，雖然在第1層間絕緣膜6的上層側(cè)的5層中 形成第3偽圖案15，但不限于5層，此外也可以有在上層側(cè)未形成第3 偽圖案15的第1層間絕緣膜，不在連續(xù)的層中形成。此外，也可以在第2 層間絕緣膜7上形成。
此外，在第2實(shí)施方式的第8變化例中，雖然由多個(gè)層形成劃片區(qū)4 中的層間絕緣膜，但也可以替代于此，如圖18所示，是形成第l層間絕 緣膜6及第2層間絕緣膜7各1層的層間絕緣膜。 (第3實(shí)施方式)
參照

本發(fā)明的第3實(shí)施方式。在以下所示的實(shí)施例中，對于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號省略說明。第3實(shí)施方式 是在劃片區(qū)4上形成由偽通孔16構(gòu)成的偽圖案的結(jié)構(gòu)。
圖19表示第3實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，示出了在彼此相鄰的電 路區(qū)2相互之間設(shè)置的劃片區(qū)4的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖19所示，第3實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，形成由在多個(gè)第1 層間絕緣膜6上形成的多個(gè)偽通孔16構(gòu)成的偽圖案，俯視下，在劃片區(qū)4 特別地在刀片切割區(qū)5沒有不形成偽通孔16的部分，像這樣形成偽圖案。
像這樣，俯視下，如果覆蓋劃片區(qū)4形成偽通孔16的話，則由于用 構(gòu)成偽通孔16的導(dǎo)電性材料覆蓋劃片區(qū)4，所以激光開槽時(shí)的激光11被 導(dǎo)電性材料遮蔽。因此，在進(jìn)行激光開槽工序時(shí)，由多個(gè)層構(gòu)成的偽圖案 就會吸收激光ll，由于伴隨偽圖案吸收激光11而產(chǎn)生熱，所以引起層間 絕緣膜的溶解。再有，作為導(dǎo)電性材料，可使用銅、鋁或鴇等。
層間絕緣膜溶解的情況，與第2實(shí)施方式相同，由于在第l層間絕緣 膜6及第2層間絕緣膜7中的上層側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部， 并順序擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，由于能夠通過激光11實(shí)施均 勻的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7的去除，就能夠防止層 間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
比較由偽通孔16形成偽圖案和由布線圖案形成偽圖案的情形，由于 相比于布線的厚度通孔的高度小，就能夠更細(xì)地形成偽圖案，因此能夠提 高圖案的均勻性。由偽通孔16構(gòu)成的偽圖案，由于在激光照射時(shí)能夠使 熱傳導(dǎo)的均勻性提高，就能夠高效地實(shí)施激光開槽工序。
此后，與第l實(shí)施方式相同，對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，在劃 片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜 6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以 就能夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基 板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，構(gòu)成在劃片區(qū)4上形成的偽圖案的偽通孔16，能夠與使用鑲嵌 工藝等在電路區(qū)2上形成通孔圖案的工序同時(shí)使用相同的材料來形成。
此外，在第3實(shí)施方式中，雖然在僅第1層間絕緣膜6上形成偽通孔 16，但也可以在第2層間絕緣膜7上形成偽通孔?；菢?，雖然省略圖示，但在半導(dǎo) 體基板和層間絕緣膜之間形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜也是可以的。由于相比于激光 開槽時(shí)對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激光11先引起層間絕緣膜的溶解及去除，所 以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解而受影響。 (第4實(shí)施方式)
參照附圖，說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。在以下所示的實(shí)施例中，對
于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號省略說明。第4實(shí)施方 式是在劃片區(qū)4上形成由偽布線及偽通孔構(gòu)成的偽圖案的結(jié)構(gòu)。
圖20表示第4實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，示出了在彼此相鄰的電 路區(qū)2相互之間設(shè)置的劃片區(qū)4的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖20所示，第4實(shí)施方式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在多個(gè)在第l層間 絕緣膜6及多個(gè)第2層間絕緣膜7上形成由偽布線17及偽通孔16構(gòu)成的 偽圖案，通過偽通孔16偽布線17相互連接。此外，俯視下，在劃片區(qū)4 特別地在刀片切割區(qū)5沒有未形成偽圖案的部分，像這樣形成偽布線17 及偽通孔16。
像這樣，俯視下，如果覆蓋劃片區(qū)4這樣的形成偽布線17及偽通孔 16的話，則由于用構(gòu)成偽布線17及偽通孔16的導(dǎo)電性材料覆蓋劃片區(qū)4， 所以激光開槽時(shí)的激光11被導(dǎo)電性材料遮蔽。因此，在進(jìn)行激光開槽工 序時(shí)，偽布線17及偽通孔16就會吸收激光11，由于伴隨偽布線17及偽 通孔16吸收激光11而產(chǎn)生熱，就能夠容易地引起層間絕緣膜的溶解。再 有，作為導(dǎo)電性材料，可使用銅、鋁或鴇等。
層間絕緣膜溶解的情況與第2實(shí)施方式相同，由于在第1層間絕緣膜 6及第2層間絕緣膜7中的上層側(cè)的位置發(fā)生溶解，升華去除溶解部，并 順序擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，由于能夠通過激光11實(shí)施均勻 的溶解即第1層間絕緣膜6及第2層間絕緣膜7的去除，就能夠防止層間 絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
此外，由于是偽布線17和偽通孔16相連接的結(jié)構(gòu)，所以熱傳導(dǎo)性好。 由此，通過激光ll提高層間絕緣膜的溶解性，能夠?qū)崿F(xiàn)溶解部的均質(zhì)化。
此后，與第l實(shí)施方式相同，對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，在劃 片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜
266及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以 就能夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基 板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，在劃片區(qū)4上形成的偽布線17及偽通孔16，能夠與使用鑲嵌 工藝等在電路區(qū)2形成布線圖案及通孔圖案的工序同時(shí)使用相同的材料來 形成。
再有，如第2實(shí)施方式的第1變化例那樣，雖然省略圖示，在半導(dǎo)體 基板和層間絕緣膜之間形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜也是可以的。由于相比于激光開 槽時(shí)對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激光先弓I起層間絕緣膜的溶解及去除，所以層間 絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解而受影響。 (第4實(shí)施方式的第1變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式的第1變化例。第4實(shí)施方式 的第1變化例，特征在于，在劃片區(qū)4之中特別是在刀片切割區(qū)5上形成 由偽布線17及偽通孔16構(gòu)成的偽圖案。
圖21示出了第4實(shí)施方式的第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的剖面結(jié) 構(gòu)，示出了在彼此相鄰的電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖21所示，第4實(shí)施方式的第1變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，是在 整個(gè)劃片區(qū)4上形成偽布線17，在劃片區(qū)4中的刀片切割區(qū)5中通過偽通 孔16偽布線17彼此連接，這樣形成的結(jié)構(gòu)。
通過這樣的構(gòu)成，利用激光11溶解的劃片區(qū)4、特別是刀片切割區(qū)5， 由于形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的偽布線17及偽通孔16，所以熱傳導(dǎo)性好。 因此，由于通過激光11提高層間絕緣膜的溶解性，所以能夠?qū)崿F(xiàn)溶解部 的均質(zhì)化。此外，由于通過激光11能夠?qū)嵤┚鶆虻膶娱g絕緣膜的去除， 就能夠防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。此外，通過在劃片區(qū)上形成偽圖 案就能夠抑制刀片切割時(shí)的影響。
此后，與第l實(shí)施方式相同，對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，在劃 片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜 6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以 就能夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基 板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。再有，第4實(shí)施方式的第1變化例也如第2實(shí)施方式的第1變化例那 樣，雖然省略圖示，但在半導(dǎo)體基板和層間絕緣膜之間形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜 也是可以的。由于相比于激光開槽時(shí)對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激光先引起層間 絕緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解而受影響。
此外，在第4實(shí)施方式的第1變化例中，雖然是在整個(gè)劃片區(qū)4上形 成偽布線17，在刀片切割區(qū)5中通過偽通孔16偽布線17彼此連接，這樣 的形成，但也可以替代于此，在整個(gè)劃片區(qū)4上形成偽通孔16，在刀片切 割區(qū)5上形成偽布線17，用偽通孔16來連接。即，在刀片切割區(qū)5中形 成偽布線17及偽通孔16，俯視下，如果為沒有未形成偽布線17及偽通孔 16的區(qū)域，且連接偽布線17和偽通孔16的話，就能夠得到相同的效果。 (第4實(shí)施方式的第2變化例)
參照附圖，說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式的第2變化例。第4實(shí)施方式 的第2變化例，特征在于，在劃片區(qū)4之中特別是在刀片切割區(qū)5中的層 間絕緣膜的上層形成由偽布線17及偽通孔16構(gòu)成的偽圖案。
圖22示出了第4實(shí)施方式的第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，示出了 在彼此相鄰的電路區(qū)2相互間設(shè)置的劃片區(qū)4的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖22所示，第4實(shí)施方式的第2變化例相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，是在 整個(gè)劃片區(qū)4上形成偽布線，在劃片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中的層間絕緣 膜的上層通過偽通孔16偽布線17彼此連接，像這樣形成的結(jié)構(gòu)。
通過這樣的構(gòu)成，在通過激光11溶解的劃片區(qū)4、特別是在刀片切割 區(qū)5中的層間絕緣膜的上層，由于形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的偽布線17及 偽通孔16，所以熱傳導(dǎo)性好。雖然簡化了圖示，但由于通常越是上層，層 間絕緣膜越是膜厚，所以如果在刀片切割區(qū)5中的上層形成偽布線17及 偽通孔16的話，則由于通過激光11層間絕緣膜的溶解從上層向下層順序 擴(kuò)大，所以在劃片區(qū)4的大范圍內(nèi)，能夠均勻地溶解層間絕緣膜。因此， 由于通過激光11提高層間絕緣膜的溶解性，所以能夠?qū)崿F(xiàn)溶解部的均質(zhì) 化。此外，由于通過激光11能夠?qū)嵤┚鶆虻膶娱g絕緣膜的去除，就能夠 防止層間絕緣膜的膜剝離的產(chǎn)生。
此后，與第l實(shí)施方式相同，對刀片切割區(qū)5實(shí)施刀片切割時(shí)，在劃片區(qū)4內(nèi)的刀片切割區(qū)5中，由于去除了容易產(chǎn)生破片的第1層間絕緣膜
6及第2層間絕緣膜7，由于僅切削單一材料的半導(dǎo)體基板1即可，所以
就能夠使引起破片不良的可能性非常的低。因此，能夠防止在從半導(dǎo)體基
板1切出電路區(qū)2的單片化工序中產(chǎn)生的破片不良。
再有，第4實(shí)施方式的第2變化例也如第2實(shí)施方式的第1變化例那 樣，雖然省略圖示但在半導(dǎo)體基板和層間絕緣膜之間形成擴(kuò)散層導(dǎo)電膜也 是可以的。由于相比于激光開槽時(shí)對擴(kuò)散層導(dǎo)電膜照射激光先引起層間絕 緣膜的溶解及去除，所以層間絕緣膜不因擴(kuò)散層導(dǎo)電膜的溶解而受影響。
此外，在第4實(shí)施方式的第2變化例中，雖然是在整個(gè)劃片區(qū)4上形 成偽布線17，在刀片切割區(qū)5中的層間絕緣膜的上層通過偽通孔16偽布 線17彼此連接，這樣的形成，但也可以替代于此，在整個(gè)劃片區(qū)4上形 成偽通孔16，在刀片切割區(qū)5中的層間絕緣膜的上層形成偽布線17，用 偽通孔16來連接。g卩，在刀片切割區(qū)5的上層形成偽布線17及偽通孔16， 俯視下，如果為沒有未形成偽布線17及偽通孔16的區(qū)域，且連接偽布線 17和偽通孔16的話，就能夠得到相同的效果。
工業(yè)上的可利用性
本發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置，在劃片區(qū)的大范圍內(nèi)，能夠通過激光開槽 均勻的去除層間絕緣膜、防止層間絕緣膜的膜剝離、以及防止切割時(shí)的層 間絕緣膜的膜剝離，在具有多層布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置等中是有用的。
29
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體裝置，由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜、層疊在上述半導(dǎo)體基板之上的層間絕緣膜和設(shè)置在上述層間絕緣膜上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成，包括在上述半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和在上述電路區(qū)的周圍形成，分離上述各電路區(qū)的劃片區(qū)；在上述劃片區(qū)中的至少被照射激光的區(qū)域中沒有形成上述擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在整個(gè)上述劃 片區(qū)上都沒有形成上述擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述劃 片區(qū)中沒有形成上述布線圖案及通孔圖案。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述劃片 區(qū)，在除該劃片區(qū)的中心線附近區(qū)域以外的區(qū)域上形成有上述布線圖案或 上述通孔圖案，在上述劃片區(qū)上形成的上述布線圖案或上述通孔圖案跨過 上述中心線附近區(qū)域的距離，在上述層間絕緣膜中越是上層側(cè)越大。
5、 一種半導(dǎo)體裝置，由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上的擴(kuò) 散層導(dǎo)電膜、層疊在上述半導(dǎo)體基板上的多個(gè)層間絕緣膜和設(shè)置在上述層 間絕緣膜上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成，包括在上述半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和 在上述電路區(qū)的周圍形成，分離上述各電路區(qū)的劃片區(qū)；上述劃片區(qū)在俯視下，上述劃片區(qū)中的至少被照射激光的區(qū)域被在多 個(gè)上述層間絕緣膜上形成的各個(gè)上述布線圖案及上述通孔圖案的任意一 個(gè)所覆蓋。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述劃片區(qū)在 俯視下，整個(gè)上述劃片區(qū)被在多個(gè)上述層間絕緣膜上形成的各個(gè)上述布線 圖案或上述通孔圖案所覆蓋。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述劃 片區(qū)中形成有上述擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在形成在上述劃片區(qū)上的多個(gè)上述層間絕緣膜上配置的各個(gè)上述布線圖案，在俯視 下，至少上述布線圖案的端部相互重疊。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在形成在 上述劃片區(qū)上的多個(gè)上述層間絕緣膜上配置的各個(gè)上述布線圖案，在俯視 下，上述布線圖案的端部相一致。
10、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述劃片 區(qū)上所形成的上述布線圖案，在多個(gè)上述層間絕緣膜中自上層起形成在2 層以上的上述層間絕緣膜上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述劃片 區(qū)上所形成的上述布線圖案，在多個(gè)上述層間絕緣膜中自下層起形成在2 層以上的上述層間絕緣膜上。
12、 一種半導(dǎo)體裝置，由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上的擴(kuò) 散層導(dǎo)電膜和層疊在上述半導(dǎo)體基板上的具有布線圖案的層間絕緣膜構(gòu)成，包括在上述半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和在上述電路區(qū)的周圍形成，分離上述各電路區(qū)的劃片區(qū)；上述劃片區(qū)，在至少被照射激光的區(qū)域中形成有平板狀的上述布線圖
13、 一種半導(dǎo)體裝置，由半導(dǎo)體基板、設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上的擴(kuò) 散層導(dǎo)電膜、層疊在上述半導(dǎo)體基板上的層間絕緣膜和設(shè)置在上述層間絕 緣膜上的布線圖案及通孔圖案構(gòu)成，包括在上述半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)電路區(qū)，和 在上述電路區(qū)的周圍形成，分離上述各電路區(qū)的劃片區(qū)； 上述劃片區(qū)，在俯視下，上述劃片區(qū)中的至少被照射激光的區(qū)域被在 多個(gè)上述層間絕緣膜上形成的各個(gè)上述布線圖案及通孔圖案所覆蓋。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述布線圖 案及通孔圖案被形成在多個(gè)上述層間絕緣膜上，在俯視下覆蓋著整個(gè)上述 劃片區(qū)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述布線圖案形成在整個(gè)上述劃片區(qū)上，上述通孔圖案僅形成在上述劃片區(qū)的中心線附近區(qū)域中的上層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13 15中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述劃片區(qū)中形成有上述擴(kuò)散層導(dǎo)電膜。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13 15中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在 于，上述布線圖案及通孔圖案相互連接。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體裝置，防止將半導(dǎo)體晶片分割成芯片時(shí)，在劃片區(qū)使用激光開槽方法的情況下，一旦直至擴(kuò)散層都透過激光，則在擴(kuò)散層上設(shè)置的擴(kuò)散層導(dǎo)電膜吸收激光，從而因?qū)щ娔さ娜芙饧绑w積膨脹而在擴(kuò)散層導(dǎo)電膜上的大范圍內(nèi)發(fā)生層間絕緣膜的膜剝離。在半導(dǎo)體基板(1)之上交替層疊形成了布線的第1層間絕緣膜(6)和形成了與布線電連接的通孔的第2層間絕緣膜(7)，形成具有與布線或通孔電連接的功能元件的多個(gè)電路區(qū)(2)和在該電路區(qū)(2)的周圍形成，從半導(dǎo)體基板(1)切出電路區(qū)(2)時(shí)的切割區(qū)即劃片區(qū)(4)。在劃片區(qū)(4)中，形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的第1偽圖案(12)及第2偽圖案(13)。
文檔編號H01L27/118GK101425517SQ20081017100
公開日2009年5月6日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者松島芳宏, 竹村康司, 隈川隆博 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社